JPH09330819A - セラミックインダクタと複合セラミックの製造方法またはセラミックインダクタの製造方法 - Google Patents
セラミックインダクタと複合セラミックの製造方法またはセラミックインダクタの製造方法Info
- Publication number
- JPH09330819A JPH09330819A JP8147478A JP14747896A JPH09330819A JP H09330819 A JPH09330819 A JP H09330819A JP 8147478 A JP8147478 A JP 8147478A JP 14747896 A JP14747896 A JP 14747896A JP H09330819 A JPH09330819 A JP H09330819A
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- inductor
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- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 インダクタの飽和特性を改善し、トランスの
結合係数を上げる、セラミックインダクタと複合セラミ
ックの製造方法または積層セラミックインダクタの製造
方法を提供する。 【解決手段】 セラミックインダクタ本体と、前記セラ
ミックインダクタ本体内に形成されたコイル状インダク
タ用電極と、前記セラミックインダクタ本体の表面に形
成され、コイル状インダクタ用電極と電気的接続される
外部電極とを備え、前記コイル状インダクタ用電極が形
成されている領域は非磁性セラミック材で構成され、前
記コイル状インダクタ用電極が形成されている領域の内
側が磁性セラミック材で構成され、前記コイル状インダ
クタ用電極が形成されている領域の外側面の全周囲が磁
性材から構成されているセラミックインダクタ。
結合係数を上げる、セラミックインダクタと複合セラミ
ックの製造方法または積層セラミックインダクタの製造
方法を提供する。 【解決手段】 セラミックインダクタ本体と、前記セラ
ミックインダクタ本体内に形成されたコイル状インダク
タ用電極と、前記セラミックインダクタ本体の表面に形
成され、コイル状インダクタ用電極と電気的接続される
外部電極とを備え、前記コイル状インダクタ用電極が形
成されている領域は非磁性セラミック材で構成され、前
記コイル状インダクタ用電極が形成されている領域の内
側が磁性セラミック材で構成され、前記コイル状インダ
クタ用電極が形成されている領域の外側面の全周囲が磁
性材から構成されているセラミックインダクタ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、セラミックイン
ダクタと複合セラミックの製造方法またはセラミックイ
ンダクタの製造方法に関する。
ダクタと複合セラミックの製造方法またはセラミックイ
ンダクタの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、通信機器等の各種の電子機器は、
携帯用等の用途の増加に伴い小型化、軽量化が要求され
てきている。これらの電子機器に使用されるセラミック
電子部品も小型化、軽量化とともに面実装化が要求さ
れ、コイルなどの電子部品の小型化、面実装化が急速に
進んでいる。
携帯用等の用途の増加に伴い小型化、軽量化が要求され
てきている。これらの電子機器に使用されるセラミック
電子部品も小型化、軽量化とともに面実装化が要求さ
れ、コイルなどの電子部品の小型化、面実装化が急速に
進んでいる。
【０００３】従来より、コイルの小型化、面実装化に
は、フェライト等の磁性体からなるシートの片主面に導
体パターンを形成し、この導体パターンを形成したシー
トを積層一体化し、コイルを形成した積層セラミックイ
ンダクタや積層セラミックトランスが知られている。
は、フェライト等の磁性体からなるシートの片主面に導
体パターンを形成し、この導体パターンを形成したシー
トを積層一体化し、コイルを形成した積層セラミックイ
ンダクタや積層セラミックトランスが知られている。
【０００４】上記した積層セラミックインダクタは、コ
イル部分が全て磁性体で覆われているため、直線性や直
流重畳特性がよくないという問題を含んでいた。また同
様に積層セラミックトランスでは、１次側で発生する磁
束の周りが全て磁性体であるため、２次側コイルと鎖交
せず１次側コイルに戻ってしまい、トランス効率が悪い
という問題も含んでいた。このトランスの効率は電源の
消費と関わりがあり、電源回路等に使用するトランスの
効率が悪いと、携帯用電子機器のエネルギー源として使
用する電池の消耗が早くなり、携帯用電子機器の動作時
間が短くなるという問題があった。
イル部分が全て磁性体で覆われているため、直線性や直
流重畳特性がよくないという問題を含んでいた。また同
様に積層セラミックトランスでは、１次側で発生する磁
束の周りが全て磁性体であるため、２次側コイルと鎖交
せず１次側コイルに戻ってしまい、トランス効率が悪い
という問題も含んでいた。このトランスの効率は電源の
消費と関わりがあり、電源回路等に使用するトランスの
効率が悪いと、携帯用電子機器のエネルギー源として使
用する電池の消耗が早くなり、携帯用電子機器の動作時
間が短くなるという問題があった。
【０００５】これらの問題を解決する複合積層トランス
を、特開平５−２１７７７２号公報において提案してい
る。図７は、特開平５−２１７７７２号公報に記載され
ている複合積層トランスを示したものであり、図７
（ａ）は複合積層トランスの外観斜視図であり、図７
（ｂ）は図７（ａ）の中心を通るｘ−ｙ面の断面図であ
る。
を、特開平５−２１７７７２号公報において提案してい
る。図７は、特開平５−２１７７７２号公報に記載され
ている複合積層トランスを示したものであり、図７
（ａ）は複合積層トランスの外観斜視図であり、図７
（ｂ）は図７（ａ）の中心を通るｘ−ｙ面の断面図であ
る。
【０００６】図７に示すように、複合積層トランス５１
は、非磁性体シートが積層されて形成されたコイル形成
部５２とコイル形成部５２を挟むまたは囲むように形成
された磁性体層５６ａ，５６ｂ，５７，５８ａ，５８ｂ
と、コイル形成部５２内に形成されたコイル層５５と電
気的に接続された外部電極５３ａ，５３ｂ，５９ａ，５
９ｂとからなる。前記コイル層５５が磁性体層５６ａ，
５６ｂ，５７，５８ａ，５８ｂで囲まれることで閉磁路
となるよう、前記コイル層５５の中心部にコイルの巻軸
方向に沿って孔を設け、その孔に焼成後磁性体層５７と
なる磁性体ペーストを充填し、焼成したものである。
は、非磁性体シートが積層されて形成されたコイル形成
部５２とコイル形成部５２を挟むまたは囲むように形成
された磁性体層５６ａ，５６ｂ，５７，５８ａ，５８ｂ
と、コイル形成部５２内に形成されたコイル層５５と電
気的に接続された外部電極５３ａ，５３ｂ，５９ａ，５
９ｂとからなる。前記コイル層５５が磁性体層５６ａ，
５６ｂ，５７，５８ａ，５８ｂで囲まれることで閉磁路
となるよう、前記コイル層５５の中心部にコイルの巻軸
方向に沿って孔を設け、その孔に焼成後磁性体層５７と
なる磁性体ペーストを充填し、焼成したものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記複合積
層トランス５１では、個々の積層体に孔を設ける加工工
程が必要であり、孔を設ける位置がずれると、前記コイ
ル層が断線してしまうという問題があった。
層トランス５１では、個々の積層体に孔を設ける加工工
程が必要であり、孔を設ける位置がずれると、前記コイ
ル層が断線してしまうという問題があった。
【０００８】この発明の目的は、積層体に孔を設けるこ
となく、コイル層が非磁性体層で囲まれ、その周囲を磁
性体で囲む構造により、インダクタの飽和特性を改善す
る、セラミックインダクタを提供する。また、積層体に
孔を設ける加工工程をなくすことにより、コイルの断線
を防ぎ、なおコイル層の周囲を非磁性体層で囲み、その
周囲を磁性体層で囲むことにより、インダクタの飽和特
性を改善し、トランスの結合係数を上げる、複合セラミ
ックの製造方法またはセラミックインダクタの製造方法
を提供する。
となく、コイル層が非磁性体層で囲まれ、その周囲を磁
性体で囲む構造により、インダクタの飽和特性を改善す
る、セラミックインダクタを提供する。また、積層体に
孔を設ける加工工程をなくすことにより、コイルの断線
を防ぎ、なおコイル層の周囲を非磁性体層で囲み、その
周囲を磁性体層で囲むことにより、インダクタの飽和特
性を改善し、トランスの結合係数を上げる、複合セラミ
ックの製造方法またはセラミックインダクタの製造方法
を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
セラミックインダクタ本体と、前記セラミックインダク
タ本体内に形成されたコイル状インダクタ用電極と、前
記セラミックインダクタ本体の表面に形成され、コイル
状インダクタ用電極と電気的接続される外部電極とを備
え、前記コイル状インダクタ用電極が形成されている領
域は非磁性セラミック材で構成され、前記コイル状イン
ダクタ用電極が形成されている領域の内側が磁性セラミ
ック材で構成され、前記コイル状インダクタ用電極が形
成されている領域の外側面の全周囲が磁性材から構成さ
れている、セラミックインダクタである。
セラミックインダクタ本体と、前記セラミックインダク
タ本体内に形成されたコイル状インダクタ用電極と、前
記セラミックインダクタ本体の表面に形成され、コイル
状インダクタ用電極と電気的接続される外部電極とを備
え、前記コイル状インダクタ用電極が形成されている領
域は非磁性セラミック材で構成され、前記コイル状イン
ダクタ用電極が形成されている領域の内側が磁性セラミ
ック材で構成され、前記コイル状インダクタ用電極が形
成されている領域の外側面の全周囲が磁性材から構成さ
れている、セラミックインダクタである。
【００１０】請求項２に係る発明は、セラミックインダ
クタ本体と、前記セラミックインダクタ本体内に形成さ
れたコイル状インダクタ用電極と、前記セラミックイン
ダクタ本体の表面に形成され、コイル状インダクタ用電
極と電気的接続される外部電極とを備え、前記コイル状
インダクタ用電極が形成されている領域は非磁性セラミ
ック材で構成され、前記コイル状インダクタ用電極が形
成されている領域の内側が磁性セラミック材で構成さ
れ、前記コイル状インダクタ用電極が形成されている領
域の外側面の全周囲が磁性セラミック材から構成され、
前記コイル状インダクタ用電極が形成されている領域の
上下面が磁性セラミック材で構成されている、セラミッ
クインダクタである。
クタ本体と、前記セラミックインダクタ本体内に形成さ
れたコイル状インダクタ用電極と、前記セラミックイン
ダクタ本体の表面に形成され、コイル状インダクタ用電
極と電気的接続される外部電極とを備え、前記コイル状
インダクタ用電極が形成されている領域は非磁性セラミ
ック材で構成され、前記コイル状インダクタ用電極が形
成されている領域の内側が磁性セラミック材で構成さ
れ、前記コイル状インダクタ用電極が形成されている領
域の外側面の全周囲が磁性セラミック材から構成され、
前記コイル状インダクタ用電極が形成されている領域の
上下面が磁性セラミック材で構成されている、セラミッ
クインダクタである。
【００１１】請求項３に係る発明は、前記コイル状イン
ダクタ用電極は、一次側コイルと二次側コイルとを含
む、セラミックインダクタである。
ダクタ用電極は、一次側コイルと二次側コイルとを含
む、セラミックインダクタである。
【００１２】請求項４に係る発明は、焼成により絶縁体
で非磁性のセラミックとなるセラミックグリーンシート
表面の一部に、焼成により該セラミックグリーンシート
を非磁性から磁性のセラミックに変化させる変性材を付
与し、前記セラミックグリーンシートを焼成する複合セ
ラミックの製造方法である。
で非磁性のセラミックとなるセラミックグリーンシート
表面の一部に、焼成により該セラミックグリーンシート
を非磁性から磁性のセラミックに変化させる変性材を付
与し、前記セラミックグリーンシートを焼成する複合セ
ラミックの製造方法である。
【００１３】請求項５に係る発明は、焼成により絶縁体
で非磁性のセラミックとなるセラミックグリーンシート
表面の一部に、焼成により該セラミックグリーンシート
を非磁性から磁性のセラミックに変化させる変性材を付
与し、前記セラミックグリーンシートを複数枚積層し、
得られた積層体を焼成する複合セラミックの製造方法で
ある。
で非磁性のセラミックとなるセラミックグリーンシート
表面の一部に、焼成により該セラミックグリーンシート
を非磁性から磁性のセラミックに変化させる変性材を付
与し、前記セラミックグリーンシートを複数枚積層し、
得られた積層体を焼成する複合セラミックの製造方法で
ある。
【００１４】請求項６に係る発明は、焼成により絶縁体
で非磁性のセラミックとなるセラミックグリーンシート
表面の一部に、焼成により該セラミックグリーンシート
を非磁性から磁性のセラミックに変化させる変性材を付
与し、前記セラミックグリーンシートのその他の領域に
インダクタ用電極を形成し、該セラミックグリーンシー
トを焼成するセラミックインダクタの製造方法である。
で非磁性のセラミックとなるセラミックグリーンシート
表面の一部に、焼成により該セラミックグリーンシート
を非磁性から磁性のセラミックに変化させる変性材を付
与し、前記セラミックグリーンシートのその他の領域に
インダクタ用電極を形成し、該セラミックグリーンシー
トを焼成するセラミックインダクタの製造方法である。
【００１５】請求項７に係る発明は、焼成により絶縁体
で非磁性のセラミックとなるセラミックグリーンシート
表面の一部に、焼成により該セラミックグリーンシート
を非磁性から磁性のセラミックに変化させる変性材を付
与し、前記セラミックグリーンシートのその他の領域に
コイル状インダクタ用電極を形成し、該セラミックグリ
ーンシートを複数枚積層し、得られた積層体を焼成する
セラミックインダクタの製造方法である。
で非磁性のセラミックとなるセラミックグリーンシート
表面の一部に、焼成により該セラミックグリーンシート
を非磁性から磁性のセラミックに変化させる変性材を付
与し、前記セラミックグリーンシートのその他の領域に
コイル状インダクタ用電極を形成し、該セラミックグリ
ーンシートを複数枚積層し、得られた積層体を焼成する
セラミックインダクタの製造方法である。
【００１６】請求項８に係る発明は、焼成により絶縁体
で非磁性のセラミックとなるセラミックグリーンシート
表面の一部にコイル状インダクタ用電極ペーストを付与
し、前記コイル状インダクタ用電極ペーストが付与され
ている領域の内側に焼成により前記セラミックグリーン
シートを非磁性から磁性のセラミックに変化させる変性
材ペーストを付与し、前記コイル状インダクタ用電極ペ
ーストが付与されている領域の外側面の全周囲に前記セ
ラミックグリーンシートを非磁性から磁性のセラミック
に変化させる変性材ペーストを付与し、該セラミックグ
リーンシートを複数枚積層し、得られた積層体を焼成す
る、セラミックインダクタの製造方法である。
で非磁性のセラミックとなるセラミックグリーンシート
表面の一部にコイル状インダクタ用電極ペーストを付与
し、前記コイル状インダクタ用電極ペーストが付与され
ている領域の内側に焼成により前記セラミックグリーン
シートを非磁性から磁性のセラミックに変化させる変性
材ペーストを付与し、前記コイル状インダクタ用電極ペ
ーストが付与されている領域の外側面の全周囲に前記セ
ラミックグリーンシートを非磁性から磁性のセラミック
に変化させる変性材ペーストを付与し、該セラミックグ
リーンシートを複数枚積層し、得られた積層体を焼成す
る、セラミックインダクタの製造方法である。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係るセラミック
インダクタとその製造方法および複合セラミックの製造
方法を図面に基づいて説明する。なお、上記の従来技術
に相当する部分については、同一符号を付して説明す
る。
インダクタとその製造方法および複合セラミックの製造
方法を図面に基づいて説明する。なお、上記の従来技術
に相当する部分については、同一符号を付して説明す
る。
【００１８】まず、この発明に係るセラミックインダク
タの構造を説明する。図１はセラミックインダクタを示
す図であり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ線での縦断面図である。図１に示すように、セラミ
ックインダクタ１は、コイル形成部２とコイル形成部２
内に形成されたコイルと電気的に接続される外部電極３
ａ，３ｂとからなる。コイル形成部２は、絶縁体かつ非
磁性体からなるセラミック層（以下、非磁性体層とい
う）４と、コイルとなる電極層５が交互に積層されたも
のに、電極層５を囲むように形成された磁性体部６，７
とからなる。
タの構造を説明する。図１はセラミックインダクタを示
す図であり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ線での縦断面図である。図１に示すように、セラミ
ックインダクタ１は、コイル形成部２とコイル形成部２
内に形成されたコイルと電気的に接続される外部電極３
ａ，３ｂとからなる。コイル形成部２は、絶縁体かつ非
磁性体からなるセラミック層（以下、非磁性体層とい
う）４と、コイルとなる電極層５が交互に積層されたも
のに、電極層５を囲むように形成された磁性体部６，７
とからなる。
【００１９】電極層５は、互いにスルーホール（図示せ
ず）を介してコイルを形成し、その一端は、セラミック
インダクタ１本体の一方端部に導出され、この端部に形
成した外部電極３ａと電気的に接続されている。また電
極層５のもう一端は、セラミックインダクタ１本体の他
方の端部に導出され、この他方の端部に形成した外部電
極３ｂと電気的に接続されている。このように電極層５
の周りは非磁性体層４で囲まれており、さらにその周り
を磁性体部６，７で覆い、閉磁路を形成している。
ず）を介してコイルを形成し、その一端は、セラミック
インダクタ１本体の一方端部に導出され、この端部に形
成した外部電極３ａと電気的に接続されている。また電
極層５のもう一端は、セラミックインダクタ１本体の他
方の端部に導出され、この他方の端部に形成した外部電
極３ｂと電気的に接続されている。このように電極層５
の周りは非磁性体層４で囲まれており、さらにその周り
を磁性体部６，７で覆い、閉磁路を形成している。
【００２０】次に、セラミックインダクタ１の製造方法
を図２を用いて説明する。図２は、セラミックインダク
タ１の分解斜視図である。図２に示すように、絶縁体か
つ非磁性体からなるセラミックグリーンシート（以下、
非磁性体シートという）４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ
を準備し、非磁性体シート４ｂ，４ｃ，４ｄの片主面に
内部電極となる導体パターン５ａ，５ｂ，５ｃを導電性
ペーストでスクリーン印刷する。この導体パターン５
ａ，５ｂ，５ｃは、非磁性体シートに設けたスルーホー
ル（図示せず）を介して電気的に接続され、コイルを形
成する。この導体パターン５ａ，５ｂ，５ｃが形成され
ている非磁性体シート４ｂ，４ｃ，４ｄの上層の所定の
位置に、焼成段階でこれら非磁性体シート４ｂ，４ｃ，
４ｄを磁性セラミックに変化させる変性材パターン６
ｂ，６ｃ，６ｄ，７ｂ，７ｃ，７ｄを形成する。また、
導体パターンが形成されていない非磁性体シート４ａ，
４ｅの上層の所定の位置に焼成段階でこれら非磁性体シ
ート４ａ，４ｅを磁性セラミックに変化させる変性材パ
ターン６ａ，６ｅ，７ａ，７ｅを形成する。この非磁性
体シート４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅを図の順序に積
層し、圧着して、積層体とする。
を図２を用いて説明する。図２は、セラミックインダク
タ１の分解斜視図である。図２に示すように、絶縁体か
つ非磁性体からなるセラミックグリーンシート（以下、
非磁性体シートという）４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ
を準備し、非磁性体シート４ｂ，４ｃ，４ｄの片主面に
内部電極となる導体パターン５ａ，５ｂ，５ｃを導電性
ペーストでスクリーン印刷する。この導体パターン５
ａ，５ｂ，５ｃは、非磁性体シートに設けたスルーホー
ル（図示せず）を介して電気的に接続され、コイルを形
成する。この導体パターン５ａ，５ｂ，５ｃが形成され
ている非磁性体シート４ｂ，４ｃ，４ｄの上層の所定の
位置に、焼成段階でこれら非磁性体シート４ｂ，４ｃ，
４ｄを磁性セラミックに変化させる変性材パターン６
ｂ，６ｃ，６ｄ，７ｂ，７ｃ，７ｄを形成する。また、
導体パターンが形成されていない非磁性体シート４ａ，
４ｅの上層の所定の位置に焼成段階でこれら非磁性体シ
ート４ａ，４ｅを磁性セラミックに変化させる変性材パ
ターン６ａ，６ｅ，７ａ，７ｅを形成する。この非磁性
体シート４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅを図の順序に積
層し、圧着して、積層体とする。
【００２１】このようにして得られた積層体を大気中で
バインダー燃焼させた後、１３５０℃で２時間焼成して
焼結体を得る。得られた焼結体の表面に銀ペーストを塗
布して、大気中８００℃、１時間熱処理し、外部電極３
ａ，３ｂを形成し、さらに外部電極上にＮｉ及びＳｎま
たは半田のメッキを行い、セラミックインダクタ１を得
る。
バインダー燃焼させた後、１３５０℃で２時間焼成して
焼結体を得る。得られた焼結体の表面に銀ペーストを塗
布して、大気中８００℃、１時間熱処理し、外部電極３
ａ，３ｂを形成し、さらに外部電極上にＮｉ及びＳｎま
たは半田のメッキを行い、セラミックインダクタ１を得
る。
【００２２】なお、非磁性体シート４ａ，４ｂ，４ｃ，
４ｄ，４ｅは、酸化亜鉛と酸化鉄を主成分とする材料か
らなる。また、導体パターン５ａ，５ｂ，５ｃを形成す
る導電性ペーストは、銀粉末とワニスを混合したペース
トからなる。さらに、変性材パターン６ａ，６ｂ，６
ｃ，６ｄ，６ｅ，７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅを形成
するペーストは、Ｆｅ2Ｏ3：４０〜５０モル％、ＺｎＯ：
１〜３５モル％、ＮｉＯ：０〜５０モル％、ＣｕＯ：０〜２
０モル％に添加剤としてＣｏ3Ｏ4、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、Ｂ
ｉ2Ｏ3のうち少なくとも１種類を０〜５wt％含有させた
調合原料を純水およびジルコニアボールとともにポリエ
チレン製ポットにいれて、水、バインダーおよび分散剤
を添加し、ジルコニアボールとともに１２時間湿式混合
粉砕して得られたものである。
４ｄ，４ｅは、酸化亜鉛と酸化鉄を主成分とする材料か
らなる。また、導体パターン５ａ，５ｂ，５ｃを形成す
る導電性ペーストは、銀粉末とワニスを混合したペース
トからなる。さらに、変性材パターン６ａ，６ｂ，６
ｃ，６ｄ，６ｅ，７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅを形成
するペーストは、Ｆｅ2Ｏ3：４０〜５０モル％、ＺｎＯ：
１〜３５モル％、ＮｉＯ：０〜５０モル％、ＣｕＯ：０〜２
０モル％に添加剤としてＣｏ3Ｏ4、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、Ｂ
ｉ2Ｏ3のうち少なくとも１種類を０〜５wt％含有させた
調合原料を純水およびジルコニアボールとともにポリエ
チレン製ポットにいれて、水、バインダーおよび分散剤
を添加し、ジルコニアボールとともに１２時間湿式混合
粉砕して得られたものである。
【００２３】積層順は非磁性体シート４ａが最上層、非
磁性体シート４ｅが最下層になるよう積層する。あるい
は非磁性体シート４ｅが最上層、非磁性体シート４ａが
最下層になるように積層しても良い。図２では非磁性体
シート４ａ〜４ｅの５枚のシートを用いて説明している
が、積層枚数はセラミックインダクタの使用用途や形状
により任意である。
磁性体シート４ｅが最下層になるよう積層する。あるい
は非磁性体シート４ｅが最上層、非磁性体シート４ａが
最下層になるように積層しても良い。図２では非磁性体
シート４ａ〜４ｅの５枚のシートを用いて説明している
が、積層枚数はセラミックインダクタの使用用途や形状
により任意である。
【００２４】図３は、この発明のセラミックインダクタ
の変形例であり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は（ａ）
のＢ−Ｂ線での縦断面図である。図３に示すように、セ
ラミックインダクタ１１は、コイル形成部１２とコイル
形成部１２内に形成されたコイルと電気的に接続される
外部電極１３ａ，１３ｂとからなる。コイル形成部１２
は、非磁性体層１４と、コイルとなる電極層１５が交互
に積層されたものに、電極層１５を囲むように形成され
た磁性体部１６，１７，１８ａ，１８ｂとからなる。
の変形例であり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は（ａ）
のＢ−Ｂ線での縦断面図である。図３に示すように、セ
ラミックインダクタ１１は、コイル形成部１２とコイル
形成部１２内に形成されたコイルと電気的に接続される
外部電極１３ａ，１３ｂとからなる。コイル形成部１２
は、非磁性体層１４と、コイルとなる電極層１５が交互
に積層されたものに、電極層１５を囲むように形成され
た磁性体部１６，１７，１８ａ，１８ｂとからなる。
【００２５】電極層１５は、互いにスルーホール（図示
せず）を介してコイルを形成し、その一端は、セラミッ
クインダクタ１１本体の一方端部に導出され、この端部
に形成した外部電極１３ａと電気的に接続されている。
また電極層１５のもう一端は、セラミックインダクタ１
１本体の他方の端部に導出され、この他方の端部に形成
した外部電極１３ｂと電気的に接続されている。このよ
うに電極層１５の周りは非磁性体層１４で囲まれてお
り、さらにその周りを磁性体部１６，１７，１８ａ，１
８ｂで覆い、閉磁路を形成している。また、磁性体部１
８ａ，１８ｂは前記非磁性体シートの全面に前記磁性体
ペーストを塗布あるいは印刷し、焼き付けて形成しても
よく、また全面が磁性体シートを用い、セラミックイン
ダクタ１１本体の焼成と同時に一体化してもよい。
せず）を介してコイルを形成し、その一端は、セラミッ
クインダクタ１１本体の一方端部に導出され、この端部
に形成した外部電極１３ａと電気的に接続されている。
また電極層１５のもう一端は、セラミックインダクタ１
１本体の他方の端部に導出され、この他方の端部に形成
した外部電極１３ｂと電気的に接続されている。このよ
うに電極層１５の周りは非磁性体層１４で囲まれてお
り、さらにその周りを磁性体部１６，１７，１８ａ，１
８ｂで覆い、閉磁路を形成している。また、磁性体部１
８ａ，１８ｂは前記非磁性体シートの全面に前記磁性体
ペーストを塗布あるいは印刷し、焼き付けて形成しても
よく、また全面が磁性体シートを用い、セラミックイン
ダクタ１１本体の焼成と同時に一体化してもよい。
【００２６】次に、この発明に係るセラミックインダク
タに含まれるセラミックトランスについて説明する。図
４は複合セラミックの一実施例であるセラミックトラン
スを示す図であり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は
（ａ）のＣ−Ｃ線での縦断面図である。図４に示すよう
に、セラミックトランス２１は、コイル形成部２２とコ
イル形成部２２内に形成されたコイルと電気的に接続さ
れる外部電極２３ａ，２３ｂ，２９ａ，２９ｂとからな
る。コイル形成部２２は、非磁性体層２４と電極層２５
あるいは非磁性体層２４と電極層３０が交互に積層され
たものに、電極層２５，３０を囲むように形成された磁
性体部２６，２７とからなる。
タに含まれるセラミックトランスについて説明する。図
４は複合セラミックの一実施例であるセラミックトラン
スを示す図であり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は
（ａ）のＣ−Ｃ線での縦断面図である。図４に示すよう
に、セラミックトランス２１は、コイル形成部２２とコ
イル形成部２２内に形成されたコイルと電気的に接続さ
れる外部電極２３ａ，２３ｂ，２９ａ，２９ｂとからな
る。コイル形成部２２は、非磁性体層２４と電極層２５
あるいは非磁性体層２４と電極層３０が交互に積層され
たものに、電極層２５，３０を囲むように形成された磁
性体部２６，２７とからなる。
【００２７】電極層２５は、互いにスルーホール（図示
せず）を介して一次コイルを形成し、その一端は、セラ
ミックトランス２１本体の一方の側面に導出され、この
一方の側面に形成した外部電極２３ａと電気的に接続さ
れている。また電極層２５のもう一端は、セラミックト
ランス２１本体の外部電極２３ａと向かい合う他方の側
面に導出され、この外部電極２３ａと向かい合う他方の
面に形成した外部電極２３ｂと電気的に接続されてい
る。
せず）を介して一次コイルを形成し、その一端は、セラ
ミックトランス２１本体の一方の側面に導出され、この
一方の側面に形成した外部電極２３ａと電気的に接続さ
れている。また電極層２５のもう一端は、セラミックト
ランス２１本体の外部電極２３ａと向かい合う他方の側
面に導出され、この外部電極２３ａと向かい合う他方の
面に形成した外部電極２３ｂと電気的に接続されてい
る。
【００２８】さらに、電極層３０は、互いにスルーホー
ル（図示せず）を介して二次コイルを形成し、その一端
は、セラミックトランス２１本体の外部電極２３ａと同
じ側面に導出され、この外部電極２３ａと同じ側面に形
成した外部電極２９ａと電気的に接続されている。また
電極層３０のもう一端は、セラミックトランス２１本体
の外部電極２３ｂと同じ側面に導出され、この外部電極
２３ｂと同じ側面に形成した外部電極２９ｂと電気的に
接続されている。このように電極層２５，３０の周りは
非磁性体層２４で囲まれており、さらにその周りを磁性
体部２６，２７で覆い、閉磁路を形成している。
ル（図示せず）を介して二次コイルを形成し、その一端
は、セラミックトランス２１本体の外部電極２３ａと同
じ側面に導出され、この外部電極２３ａと同じ側面に形
成した外部電極２９ａと電気的に接続されている。また
電極層３０のもう一端は、セラミックトランス２１本体
の外部電極２３ｂと同じ側面に導出され、この外部電極
２３ｂと同じ側面に形成した外部電極２９ｂと電気的に
接続されている。このように電極層２５，３０の周りは
非磁性体層２４で囲まれており、さらにその周りを磁性
体部２６，２７で覆い、閉磁路を形成している。
【００２９】次に、セラミックトランス２１の製造方法
を図５を用いて説明する。図５は、セラミックトランス
２１の分解斜視図である。図５に示すように、非磁性体
シート２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ，２４ｅ，２４
ｆ，２４ｇ，２４ｈを準備し、非磁性体シート２４ｂ，
２４ｃ，２４ｄ，の片主面に一次コイルとなる導体パタ
ーン２５ａ，２５ｂ，２５ｃを、非磁性体シート２４
ｅ，２４ｆ，２４ｇの片主面に二次コイルとなる導体パ
ターン３０ａ，３０ｂ，３０ｃを導電性ペーストでスク
リーン印刷する。この導体パターン２５ａ，２５ｂ，２
５ｃは、非磁性体シートに設けたスルーホール（図示せ
ず）を介して電気的に接続され、一次コイルを形成し、
この導体パターン３０ａ，３０ｂ，３０ｃは、非磁性体
シートに設けたスルーホール（図示せず）を介して電気
的に接続され、２次コイルを形成する。
を図５を用いて説明する。図５は、セラミックトランス
２１の分解斜視図である。図５に示すように、非磁性体
シート２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ，２４ｅ，２４
ｆ，２４ｇ，２４ｈを準備し、非磁性体シート２４ｂ，
２４ｃ，２４ｄ，の片主面に一次コイルとなる導体パタ
ーン２５ａ，２５ｂ，２５ｃを、非磁性体シート２４
ｅ，２４ｆ，２４ｇの片主面に二次コイルとなる導体パ
ターン３０ａ，３０ｂ，３０ｃを導電性ペーストでスク
リーン印刷する。この導体パターン２５ａ，２５ｂ，２
５ｃは、非磁性体シートに設けたスルーホール（図示せ
ず）を介して電気的に接続され、一次コイルを形成し、
この導体パターン３０ａ，３０ｂ，３０ｃは、非磁性体
シートに設けたスルーホール（図示せず）を介して電気
的に接続され、２次コイルを形成する。
【００３０】この導体パターン２５ａ，２５ｂ，２５ｃ
が形成されている非磁性体シート２４ｂ，２４ｃ，２４
ｄと導体パターン３０ａ，３０ｂ，３０ｃが形成されて
いる非磁性体シート２４ｅ，２４ｆ，２４ｇの上層の所
定位置に、焼成段階でこれら非磁性体シート２４ｂ，２
４ｃ，２４ｄ，２４ｅ，２４ｆ，２４ｇを磁性セラミッ
クに変化させる変性材パターン２６ｂ，２６ｃ，２６
ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２７ｂ，２７ｃ，２７
ｄ，２７ｅ，２７ｆ，２７ｇを形成する。また、導体パ
ターンが形成されていない非磁性体シート２４ａ，２４
ｈの上層の所定位置に、焼成段階でこれら非磁性体シー
ト２４ａ，２４ｈを磁性セラミックに変化させる変性材
パターン２６ａ，２６ｈ，２７ａ，２７ｈを形成する。
この非磁性体シート２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ，
２４ｅ，２４ｆ，２４ｇ，２４ｈを図の順序に積層し、
圧着して、積層体とする。
が形成されている非磁性体シート２４ｂ，２４ｃ，２４
ｄと導体パターン３０ａ，３０ｂ，３０ｃが形成されて
いる非磁性体シート２４ｅ，２４ｆ，２４ｇの上層の所
定位置に、焼成段階でこれら非磁性体シート２４ｂ，２
４ｃ，２４ｄ，２４ｅ，２４ｆ，２４ｇを磁性セラミッ
クに変化させる変性材パターン２６ｂ，２６ｃ，２６
ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇ，２７ｂ，２７ｃ，２７
ｄ，２７ｅ，２７ｆ，２７ｇを形成する。また、導体パ
ターンが形成されていない非磁性体シート２４ａ，２４
ｈの上層の所定位置に、焼成段階でこれら非磁性体シー
ト２４ａ，２４ｈを磁性セラミックに変化させる変性材
パターン２６ａ，２６ｈ，２７ａ，２７ｈを形成する。
この非磁性体シート２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ，
２４ｅ，２４ｆ，２４ｇ，２４ｈを図の順序に積層し、
圧着して、積層体とする。
【００３１】このようにして得られた積層体を大気中で
バインダー燃焼させた後、１３５０℃で２時間焼成して
焼結体を得る。得られた焼結体の表面に銀ペーストを塗
布して、大気中８００℃、１時間熱処理し、外部電極２
３ａ，２３ｂ，２９ａ，２９ｂを形成し、内部に２つの
コイルを有するセラミックトランス２１を得る。また、
外部電極の強度、半田付け性等の向上のために外部電極
２３ａ，２３ｂ，２９ａ，２９ｂの上にＮｉおよびＳｎ
または半田のメッキを施してもよい。
バインダー燃焼させた後、１３５０℃で２時間焼成して
焼結体を得る。得られた焼結体の表面に銀ペーストを塗
布して、大気中８００℃、１時間熱処理し、外部電極２
３ａ，２３ｂ，２９ａ，２９ｂを形成し、内部に２つの
コイルを有するセラミックトランス２１を得る。また、
外部電極の強度、半田付け性等の向上のために外部電極
２３ａ，２３ｂ，２９ａ，２９ｂの上にＮｉおよびＳｎ
または半田のメッキを施してもよい。
【００３２】図６は、セラミックトランスの変形例であ
り、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線で
の縦断面図である。図６に示すように、セラミックトラ
ンス３１は、コイル形成部３２とコイル形成部３２内に
形成されたコイルと電気的に接続される外部電極３３
ａ，３３ｂ，３９ａ，３９ｂとからなる。コイル形成部
３２は、非磁性体層３４と電極層３５あるいは非磁性体
層３４と電極層４０が交互に積層されたものに、電極層
３５，４０を囲むように形成された磁性体部３６，３
７，３８ａ，３８ｂとからなる。
り、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線で
の縦断面図である。図６に示すように、セラミックトラ
ンス３１は、コイル形成部３２とコイル形成部３２内に
形成されたコイルと電気的に接続される外部電極３３
ａ，３３ｂ，３９ａ，３９ｂとからなる。コイル形成部
３２は、非磁性体層３４と電極層３５あるいは非磁性体
層３４と電極層４０が交互に積層されたものに、電極層
３５，４０を囲むように形成された磁性体部３６，３
７，３８ａ，３８ｂとからなる。
【００３３】電極層３５は、互いにスルーホール（図示
せず）を介して一次コイルを形成し、その一端は、セラ
ミックトランス３１本体の一方の側面に導出され、この
一方の側面に形成した外部電極３３ａと電気的に接続さ
れている。また電極層３５のもう一端は、セラミックト
ランス３１本体の外部電極３３ａと向かい合う他方の側
面に導出され、この外部電極３３ａと向かい合う他方の
側面に形成した外部電極３３ｂと電気的に接続されてい
る。
せず）を介して一次コイルを形成し、その一端は、セラ
ミックトランス３１本体の一方の側面に導出され、この
一方の側面に形成した外部電極３３ａと電気的に接続さ
れている。また電極層３５のもう一端は、セラミックト
ランス３１本体の外部電極３３ａと向かい合う他方の側
面に導出され、この外部電極３３ａと向かい合う他方の
側面に形成した外部電極３３ｂと電気的に接続されてい
る。
【００３４】さらに、電極層４０は、互いにスルーホー
ル（図示せず）を介して二次コイルを形成し、その一端
は、セラミックトランス３１本体の外部電極３３ａと同
じ側面に導出され、この外部電極３３ａと同じ側面に形
成した外部電極３９ａと電気的に接続されている。また
電極層４０のもう一端は、セラミックトランス３１本体
の外部電極３３ｂと同じ側面に導出され、この外部電極
３３ｂと同じ側面に形成した外部電極３９ｂと電気的に
接続されている。このように電極層３５，４０の周りは
非磁性体層３４で囲まれており、さらにその周りを磁性
体部３６，３７，３８ａ，３８ｂで覆い、閉磁路を形成
している。
ル（図示せず）を介して二次コイルを形成し、その一端
は、セラミックトランス３１本体の外部電極３３ａと同
じ側面に導出され、この外部電極３３ａと同じ側面に形
成した外部電極３９ａと電気的に接続されている。また
電極層４０のもう一端は、セラミックトランス３１本体
の外部電極３３ｂと同じ側面に導出され、この外部電極
３３ｂと同じ側面に形成した外部電極３９ｂと電気的に
接続されている。このように電極層３５，４０の周りは
非磁性体層３４で囲まれており、さらにその周りを磁性
体部３６，３７，３８ａ，３８ｂで覆い、閉磁路を形成
している。
【００３５】また、磁性体部３８ａ，３８ｂは前記非磁
性体シートの全面に前記磁性体ペーストを塗布あるいは
印刷し、焼き付けて形成してもよく、また全面が磁性体
シートを用い、セラミックトランス３１本体の焼成と同
時に一体化してもよい。
性体シートの全面に前記磁性体ペーストを塗布あるいは
印刷し、焼き付けて形成してもよく、また全面が磁性体
シートを用い、セラミックトランス３１本体の焼成と同
時に一体化してもよい。
【００３６】従来例として、図４、図５に示すセラミッ
クトランスと同じ製造方法を用いて、非磁性体層を用い
ずに全てが磁性体からなる磁性体層に電極層を形成して
得られるセラミックトランスを作製し、実施例と同じよ
うに特性値を測定した。この発明のセラミックトランス
と従来のセラミックトランスの結合係数を比較すると、
この発明のセラミックトランスは結合係数が９８％あ
り、従来のセラミックトランスは結合係数が８０％であ
り、この発明のセラミックトランスの結合係数が１８％
向上している。この発明のセラミックトランスの結合係
数が向上した原因は、１次コイルと２次コイルの間及び
導体間が非磁性体であるため、１次コイルから発生した
磁束はそのほとんどが磁性体層を通過して２次コイルを
鎖交するためである。そのため、１次コイルと２次コイ
ルの結合度は大きくなる。それに対して従来例の結合係
数の値が小さいのは、コイルの周囲が磁性体であるた
め、１次コイルの回りのみを回る磁束が発生し、１次コ
イルと２次コイルの結合度が悪くなっていることによる
ものである。
クトランスと同じ製造方法を用いて、非磁性体層を用い
ずに全てが磁性体からなる磁性体層に電極層を形成して
得られるセラミックトランスを作製し、実施例と同じよ
うに特性値を測定した。この発明のセラミックトランス
と従来のセラミックトランスの結合係数を比較すると、
この発明のセラミックトランスは結合係数が９８％あ
り、従来のセラミックトランスは結合係数が８０％であ
り、この発明のセラミックトランスの結合係数が１８％
向上している。この発明のセラミックトランスの結合係
数が向上した原因は、１次コイルと２次コイルの間及び
導体間が非磁性体であるため、１次コイルから発生した
磁束はそのほとんどが磁性体層を通過して２次コイルを
鎖交するためである。そのため、１次コイルと２次コイ
ルの結合度は大きくなる。それに対して従来例の結合係
数の値が小さいのは、コイルの周囲が磁性体であるた
め、１次コイルの回りのみを回る磁束が発生し、１次コ
イルと２次コイルの結合度が悪くなっていることによる
ものである。
【００３７】以上のようにこの発明によれば、セラミッ
クインダクタやセラミックトランスのコイル形成部が非
磁性体層と電極層の交互積層体の一体焼結によってなる
ので、コイルの周りが非磁性体で囲まれその周りを磁性
体で囲むことで、閉磁路を形成し、結合係数を大きくで
き、高いインダクタンスが得られる。また、セラミック
トランスのコイル形成部が非磁性体層と電極層の交互積
層体の一体焼結によってなるので、一次コイルと二次コ
イル間での絶縁耐力を高めることができる。
クインダクタやセラミックトランスのコイル形成部が非
磁性体層と電極層の交互積層体の一体焼結によってなる
ので、コイルの周りが非磁性体で囲まれその周りを磁性
体で囲むことで、閉磁路を形成し、結合係数を大きくで
き、高いインダクタンスが得られる。また、セラミック
トランスのコイル形成部が非磁性体層と電極層の交互積
層体の一体焼結によってなるので、一次コイルと二次コ
イル間での絶縁耐力を高めることができる。
【００３８】しかも、浮遊容量を小さくできるので、小
型で高エネルギー対応が可能な、高周波特性に優れたセ
ラミックインダクタやセラミックトランスを得ることが
できる。さらに、実施例で説明したセラミックインダク
タや複合セラミックは閉磁路構造となっており特性の直
線性や直流重畳特性が良くなっている。
型で高エネルギー対応が可能な、高周波特性に優れたセ
ラミックインダクタやセラミックトランスを得ることが
できる。さらに、実施例で説明したセラミックインダク
タや複合セラミックは閉磁路構造となっており特性の直
線性や直流重畳特性が良くなっている。
【００３９】なお、この発明のセラミックインダクタや
複合セラミックは前記したものに限らず、下記に示す材
料や工法であってもよい。上記の絶縁体からなる磁性体
シートは、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライトの他、Ｎｉフェ
ライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕフェライ
ト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等のスピネル型フェライト磁
性体であっても良い。また、磁性体層の形成方法は印刷
法、グリーンシート法により形成しても良い。
複合セラミックは前記したものに限らず、下記に示す材
料や工法であってもよい。上記の絶縁体からなる磁性体
シートは、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライトの他、Ｎｉフェ
ライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕフェライ
ト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等のスピネル型フェライト磁
性体であっても良い。また、磁性体層の形成方法は印刷
法、グリーンシート法により形成しても良い。
【００４０】この非磁性体シート表面に形成する導体パ
ターンの材料としては、ＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ等の銀合
金でも良い。また、形成方法は印刷、塗布、蒸着、スパ
ッタリング等により形成しても良い。外部電極材料とし
ては、上記のＡｇの他、Ａｇ−Ｐｄ，Ｎｉ，Ｃｕ等ある
いはこれらの合金であっても良く、また印刷、蒸着、ス
パッタリング等で形成しても良い。また、焼成前の生チ
ップの端面に外部電極を形成し、同時焼成しても良い。
ターンの材料としては、ＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ等の銀合
金でも良い。また、形成方法は印刷、塗布、蒸着、スパ
ッタリング等により形成しても良い。外部電極材料とし
ては、上記のＡｇの他、Ａｇ−Ｐｄ，Ｎｉ，Ｃｕ等ある
いはこれらの合金であっても良く、また印刷、蒸着、ス
パッタリング等で形成しても良い。また、焼成前の生チ
ップの端面に外部電極を形成し、同時焼成しても良い。
【００４１】さらに、外部電極の強度、半田付け性等の
向上のためにＳｎ，半田等のメッキ等を施してもよい。
チップの形状は特に限定されるものではなく、また、コ
イルのターン数についても限定されることはなく、導体
パターンの数により任意に選ぶことができる。
向上のためにＳｎ，半田等のメッキ等を施してもよい。
チップの形状は特に限定されるものではなく、また、コ
イルのターン数についても限定されることはなく、導体
パターンの数により任意に選ぶことができる。
【００４２】なお、この発明に係るセラミックインダク
タや複合セラミックのコイルを囲む磁性体部の形成方法
は上記実施例に限らず、非磁性体シートに予め、変性材
パターンを形成しておいたものでもよい。
タや複合セラミックのコイルを囲む磁性体部の形成方法
は上記実施例に限らず、非磁性体シートに予め、変性材
パターンを形成しておいたものでもよい。
【００４３】
【発明の効果】この発明のセラミックインダクタによれ
ば、コイルが閉磁路構造となっており特性の直線性や直
流重畳特性が良い。また、この発明のセラミックインダ
クタのコイル形成部が、非磁性体層と電極層の交互積層
体の一体焼結により、電極層の周りを非磁性体で囲みそ
の周りを磁性体で囲むことで、閉磁路を形成して、電極
層間には磁束がほとんど回らないことになるため、結合
係数を大きくできるとともに、高いインダクタンスが得
られる。
ば、コイルが閉磁路構造となっており特性の直線性や直
流重畳特性が良い。また、この発明のセラミックインダ
クタのコイル形成部が、非磁性体層と電極層の交互積層
体の一体焼結により、電極層の周りを非磁性体で囲みそ
の周りを磁性体で囲むことで、閉磁路を形成して、電極
層間には磁束がほとんど回らないことになるため、結合
係数を大きくできるとともに、高いインダクタンスが得
られる。
【００４４】さらに、この発明のセラミックインダクタ
の具体例であるセラミックトランスによれば、非磁性体
層と電極層の交互積層体の一体焼結により一次及び二次
コイルが非磁性体である絶縁体で完全に分離され、一
次、二次コイル間の絶縁耐力を高めることができる。ま
た、コイルの周りを非磁性体で囲みその周りを磁性体で
囲むことで、コイル電極層間には磁束がほとんど回らな
いようになり、結合係数を大きくできるとともに、高い
インダクタンスが得られ、小型な高エネルギー対応が可
能なトランスを得ることができる。しかも、一次、二次
コイル間の非磁性体として誘電率の小さいものが選べる
ので、浮遊容量を小さくでき、高周波特性に優れたトラ
ンスを得ることができる。
の具体例であるセラミックトランスによれば、非磁性体
層と電極層の交互積層体の一体焼結により一次及び二次
コイルが非磁性体である絶縁体で完全に分離され、一
次、二次コイル間の絶縁耐力を高めることができる。ま
た、コイルの周りを非磁性体で囲みその周りを磁性体で
囲むことで、コイル電極層間には磁束がほとんど回らな
いようになり、結合係数を大きくできるとともに、高い
インダクタンスが得られ、小型な高エネルギー対応が可
能なトランスを得ることができる。しかも、一次、二次
コイル間の非磁性体として誘電率の小さいものが選べる
ので、浮遊容量を小さくでき、高周波特性に優れたトラ
ンスを得ることができる。
【００４５】さらにまた、この発明の製造方法によれ
ば、絶縁体で非磁性のセラミックグリーンシートに焼成
後に磁性となる材料を含有する変性材を付与し、該セラ
ミックグリーンシートを複数枚積層し、この積層体を焼
成することにより、確実に磁性部分と非磁性部分を作製
することができる。また、非磁性体中に磁性体部分を設
けるために従来例では積層体に孔を設け、この孔に磁性
体ペーストを充填し、焼成していたが、この発明の製造
方法によれば、積層体に孔を設けないため、電極層の断
線を防ぎ、孔を設ける工程を減らすことができ、工程の
単純化、省略化が可能な製造方法である。
ば、絶縁体で非磁性のセラミックグリーンシートに焼成
後に磁性となる材料を含有する変性材を付与し、該セラ
ミックグリーンシートを複数枚積層し、この積層体を焼
成することにより、確実に磁性部分と非磁性部分を作製
することができる。また、非磁性体中に磁性体部分を設
けるために従来例では積層体に孔を設け、この孔に磁性
体ペーストを充填し、焼成していたが、この発明の製造
方法によれば、積層体に孔を設けないため、電極層の断
線を防ぎ、孔を設ける工程を減らすことができ、工程の
単純化、省略化が可能な製造方法である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明のセラミックインダクタの実施例であ
り、（ａ）は外観斜視図、図１（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
線での断面図である。
り、（ａ）は外観斜視図、図１（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
線での断面図である。
【図２】この発明のセラミックインダクタの実施例の分
解斜視図である。
解斜視図である。
【図３】この発明のセラミックインダクタの変形例であ
り、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）はＢ−Ｂ線での縦断面
図である。
り、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）はＢ−Ｂ線での縦断面
図である。
【図４】この発明の複合セラミックの一実施例のセラミ
ックトランスであり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は
（ａ）のＣ−Ｃ線での縦断面図である。
ックトランスであり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は
（ａ）のＣ−Ｃ線での縦断面図である。
【図５】この発明のセラミックトランスの実施例の分解
斜視図である。
斜視図である。
【図６】この発明のセラミックトランスの変形例であ
り、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）はＤ−Ｄ線での縦断面
図である。
り、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）はＤ−Ｄ線での縦断面
図である。
【図７】従来の複合積層トランスを示し、（ａ）は外観
斜視図、（ｂ）は（ａ）のｘ−ｙ面での断面図である。
斜視図、（ｂ）は（ａ）のｘ−ｙ面での断面図である。
１，１１ セラミックインダクタ ２，１２ コイル形成部 ３ａ，３ｂ，１３ａ，１３ｂ 外部電極 ４，１４ 非磁性体層 ５，１５ 電極層 ６，７，１６，１７，１８ａ，１８ｂ 磁性体部 ４ａ〜４ｅ 非磁性体シート ５ａ〜５ｃ 導体パターン ６ａ〜６ｅ 変性材パターン ７ａ〜７ｅ 変性材パターン ２１，３１ セラミックトランス ２２，３２ コイル形成部 ２３ａ，２３ｂ，２９ａ，２９ｂ 外部電極 ２４，３４ 非磁性体層 ２５，３０，３５，４０ 電極層 ２６，２７，３６，３７，３８ａ，３８ｂ 磁性体部 ３３ａ，３３ｂ，３９ａ，３９ｂ 外部電極 ２４ａ〜２４ｈ 非磁性体シート ２５ａ〜２５ｃ 導体パターン ３０ａ〜３０ｃ 導体パターン ２６ａ〜２６ｈ 変性材パターン ２７ａ〜２７ｈ 変性材パターン
Claims (8)
- 【請求項１】 セラミックインダクタ本体と、前記セラ
ミックインダクタ本体内に形成されたコイル状インダク
タ用電極と、前記セラミックインダクタ本体の表面に形
成され、コイル状インダクタ用電極と電気的接続される
外部電極とを備え、 前記コイル状インダクタ用電極が形成されている領域は
非磁性セラミック材で構成され、 前記コイル状インダクタ用電極が形成されている領域の
内側が磁性セラミック材で構成され、 前記コイル状インダクタ用電極が形成されている領域の
外側面の全周囲が磁性材から構成されている、ことを特
徴とするセラミックインダクタ。 - 【請求項２】 セラミックインダクタ本体と、前記セラ
ミックインダクタ本体内に形成されたコイル状インダク
タ用電極と、前記セラミックインダクタ本体の表面に形
成され、コイル状インダクタ用電極と電気的接続される
外部電極とを備え、 前記コイル状インダクタ用電極が形成されている領域は
非磁性セラミック材で構成され、 前記コイル状インダクタ用電極が形成されている領域の
内側が磁性セラミック材で構成され、 前記コイル状インダクタ用電極が形成されている領域の
外側面の全周囲が磁性セラミック材から構成され、 前記コイル状インダクタ用電極が形成されている領域の
上下面が磁性セラミック材で構成されている、ことを特
徴とするセラミックインダクタ。 - 【請求項３】 前記コイル状インダクタ用電極は、一次
側コイルと二次側コイルとを含む、請求項１および２に
記載のセラミックインダクタ。 - 【請求項４】 焼成により絶縁体で非磁性のセラミック
となるセラミックグリーンシート表面の一部に、焼成に
より該セラミックグリーンシートを非磁性から磁性のセ
ラミックに変化させる変性材を付与し、前記セラミック
グリーンシートを焼成することを特徴とする、複合セラ
ミックの製造方法。 - 【請求項５】 焼成により絶縁体で非磁性のセラミック
となるセラミックグリーンシート表面の一部に、焼成に
より該セラミックグリーンシートを非磁性から磁性のセ
ラミックに変化させる変性材を付与し、前記セラミック
グリーンシートを複数枚積層し、得られた積層体を焼成
することを特徴とする、複合セラミックの製造方法。 - 【請求項６】 焼成により絶縁体で非磁性のセラミック
となるセラミックグリーンシート表面の一部に、焼成に
より該セラミックグリーンシートを非磁性から磁性のセ
ラミックに変化させる変性材を付与し、前記セラミック
グリーンシートのその他の領域にインダクタ用電極を形
成し、該セラミックグリーンシートを焼成することを特
徴とする、セラミックインダクタの製造方法。 - 【請求項７】 焼成により絶縁体で非磁性のセラミック
となるセラミックグリーンシート表面の一部に、焼成に
より該セラミックグリーンシートを非磁性から磁性のセ
ラミックに変化させる変性材を付与し、前記セラミック
グリーンシートのその他の領域にコイル状インダクタ用
電極を形成し、該セラミックグリーンシートを複数枚積
層し、得られた積層体を焼成することを特徴とする、セ
ラミックインダクタの製造方法。 - 【請求項８】 焼成により絶縁体で非磁性のセラミック
となるセラミックグリーンシート表面の一部にコイル状
インダクタ用電極ペーストを付与し、 前記コイル状インダクタ用電極ペーストが付与されてい
る領域の内側に焼成により前記セラミックグリーンシー
トを非磁性から磁性のセラミックに変化させる変性材ペ
ーストを付与し、 前記コイル状インダクタ用電極ペーストが付与されてい
る領域の外側面の全周囲に前記セラミックグリーンシー
トを非磁性から磁性のセラミックに変化させる変性材ペ
ーストを付与し、 該セラミックグリーンシートを複数枚積層し、得られた
積層体を焼成することを特徴とする、セラミックインダ
クタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8147478A JPH09330819A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | セラミックインダクタと複合セラミックの製造方法またはセラミックインダクタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8147478A JPH09330819A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | セラミックインダクタと複合セラミックの製造方法またはセラミックインダクタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09330819A true JPH09330819A (ja) | 1997-12-22 |
Family
ID=15431308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8147478A Pending JPH09330819A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | セラミックインダクタと複合セラミックの製造方法またはセラミックインダクタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09330819A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1305081C (zh) * | 2000-11-09 | 2007-03-14 | 株式会社村田制作所 | 叠层陶瓷电子元件的制造方法和叠层陶瓷电子元件 |
| JP2011023446A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
| US8044758B2 (en) | 2008-01-08 | 2011-10-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Open magnetic circuit multilayer coil component and process for producing the open magnetic circuit multilayer coil component |
| JP2013102127A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-23 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層型インダクタ及びその製造方法 |
| WO2014155952A1 (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Fdk株式会社 | 積層インダクタ |
-
1996
- 1996-06-10 JP JP8147478A patent/JPH09330819A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1305081C (zh) * | 2000-11-09 | 2007-03-14 | 株式会社村田制作所 | 叠层陶瓷电子元件的制造方法和叠层陶瓷电子元件 |
| US8044758B2 (en) | 2008-01-08 | 2011-10-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Open magnetic circuit multilayer coil component and process for producing the open magnetic circuit multilayer coil component |
| JP2011023446A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
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| WO2014155952A1 (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Fdk株式会社 | 積層インダクタ |
| JP2014187276A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Fdk Corp | 積層インダクタ |
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