JPH09321201A - Dam bar cutting method and apparatus - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently cut a dam bar and obtain a high-quality semiconductor device with high precision inhibiting attachment of dross, by cutting the dam bar with the emission of a laser beam in the form of pulse having a prolonged cross section, while jetting an assist gas from a gas nozzle. SOLUTION: A laser beam 21 having a circular cross section to form a hole 5 in a dam inner range 4 is oscillated from a laser oscillator 20, and emitted as a laser beam 51 on the dam inner range 4, forming the hole 5 there. Thereafter, the laser beam 11 to cut a dam bar 3 is oscillated from a laser oscillator 10, converted into a beam having a slim and oval cross section, and emitted as a laser beam 50 on the dam bar 3. The laser beam cuts the dam 3. Since the hole 5 is formed at the center of the dam inner range 4 prior to cutting the dam bar 3, the assist gas is accurately and effectively applied around the dam bar 3 when the dam bar 3 is cut by the laser beam 50.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームに
半導体チップを搭載し樹脂モールドで一体に封止した半
導体装置のダムバーの切断方法に係わり、特にレーザ光
を照射することによってダムバーを切断するダムバー切
断方法、およびそのダムバー切断装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for cutting a dam bar of a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a lead frame and integrally sealed with a resin mold, and more particularly to a dam bar for cutting the dam bar by irradiating a laser beam. The present invention relates to a cutting method and a dambar cutting device for the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】リードフレームに半導体チップを搭載し
樹脂モールドでそれらリードフレーム及び半導体チップ
を一体に封止した半導体装置（樹脂モールド型の半導体
装置）において、ダムバーはリードフレームのリード間
を連結するものであり、樹脂モールドでリードフレーム
と半導体チップを一体に封止する時に樹脂がリードの間
に流れ出てくるのを堰止める役割を果たすものである。
また、このダムバーは各リードを補強する役割も有す
る。そして、樹脂モールドによる封止が終了すると、こ
のダムバーは切断除去され、リードフレームの各リード
（アウターリード）が個々に切り離される。2. Description of the Related Art In a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a lead frame and the lead frame and the semiconductor chip are integrally sealed with a resin mold (resin-molded semiconductor device), a dam bar connects the leads of the lead frame. When the lead frame and the semiconductor chip are integrally sealed with a resin mold, the resin plays a role of blocking the resin from flowing out between the leads.
The dam bar also has a role of reinforcing each lead. Then, when sealing with the resin mold is completed, the dam bar is cut and removed, and each lead (outer lead) of the lead frame is individually cut off.

【０００３】従来では、このダムバーをパンチプレスに
より切断することが多かったが、最近では半導体装置の
高集積化や高性能化に伴ってリードフレームがさらに多
ピンかつ狭ピッチになってきており、従来のパンチプレ
スでは技術的に対応できなくなってきた。即ち、最近の
多ピンかつ狭ピッチのリードフレームでは、板厚０．１
〜０．１５ｍｍのものでアウターリードの配列ピッチが
０．２５〜０．４ｍｍ程度となっており、その最終形状
における寸法精度も±０．０１〜±０．０３ｍｍと厳し
く要求されるため、このような寸法精度を維持しつつ切
断することはパンチプレスでは困難となっている。Conventionally, this dam bar has often been cut by a punch press. However, recently, as the integration and performance of semiconductor devices have increased, lead frames have become more multi-pin and narrower in pitch. Conventional punch presses are no longer technically compatible. That is, a recent multi-pin, narrow-pitch lead frame has a thickness of 0.1
Since the arrangement pitch of the outer leads is about 0.25 to 0.4 mm and the dimensional accuracy in the final shape is strictly required to be ± 0.01 to ± 0.03 mm, Cutting with such dimensional accuracy is difficult with a punch press.

【０００４】これに対し、最近ではレーザ光を使用した
ダムバーの切断方法が開発されている。この方法によれ
ば、そのレーザ光をダムバーに照射するだけでダムバー
を切断することができ、またレーザ光のビームは極めて
小さく絞ることができるため微細な加工が可能であり、
しかも寸法精度の良い加工が可能である。このようなレ
ーザ光を利用した加工は溶断加工であるため溶融金属が
生じるが、通常は、この溶融金属はレーザ光と同軸的に
アシストガスを噴出することによってその大部分が吹き
飛ばされ除去される。通常のレーザ加工装置では、上記
アシストガスは加工ヘッド下部に設けられたガスノズル
先端よりレーザ光と共に同軸的に噴出される。On the other hand, recently, a method of cutting a dam bar using a laser beam has been developed. According to this method, the dam bar can be cut only by irradiating the dam bar with the laser light, and the laser beam can be narrowed down to an extremely small, so that fine processing is possible.
Moreover, processing with good dimensional accuracy is possible. Since the processing using such laser light is fusing processing, molten metal is generated, but normally, most of this molten metal is blown off and removed by ejecting an assist gas coaxially with the laser light. . In a normal laser processing apparatus, the assist gas is ejected coaxially with a laser beam from the tip of a gas nozzle provided under the processing head.

【０００５】このようにレーザ光を用いてダムバーを切
断する場合、通常は円形の断面形状を有するレーザ光を
小さなビーム径に絞り、パルス状に照射しつつ照射位置
を順次ずらせることにより切断していた。一方、切断す
べきダムバーの数が多く、リード間隔（切断すべきダム
バーの長さ）と板厚とが同程度である多ピンかつ狭ピッ
チのリードフレームでは、加工速度を向上させ同時に狭
いリード間隔（切断すべきダムバーの長さ）に対応でき
ることが必要となってきており、これに対しては、特開
平４−３２２４５４号公報に記載のように、シリンドリ
カルレンズで細長い断面形状にしたパルス状のレーザ光
を用い、かつ細長い断面形状のレーザ光断面の長手方向
とリードの長手方向をほぼ平行にし、１発または数発の
レーザ光照射でダムバーを切断する方式が開発されてい
る。この方式によれば速い加工速度で能率よくダムバー
の切断を行うことができる。When the dam bar is cut by using the laser beam as described above, the laser beam having a circular cross-sectional shape is usually narrowed down to a small beam diameter, and the irradiation position is sequentially shifted while irradiating in a pulse shape to cut the dam bar. Was there. On the other hand, in the case of a lead frame with many pins and a narrow pitch in which the number of dam bars to be cut is large and the lead interval (the length of the dam bar to be cut) is approximately the same as the plate thickness, the processing speed is improved and at the same time the narrow lead interval (Length of dam bar to be cut) is becoming necessary, and in response to this, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-322454, a pulse-shaped pulse having a slender cross-sectional shape with a cylindrical lens is used. A method has been developed in which a laser beam is used, and the longitudinal direction of the laser beam cross section having an elongated cross section and the longitudinal direction of the lead are made substantially parallel to each other, and the dam bar is cut by one or several laser beam irradiations. According to this method, the dam bar can be cut efficiently at a high processing speed.

【０００６】また、レーザ光を利用した加工では、一般
に、溶融金属の一部がアシストガスによって除去されず
に残留し、その残留した溶融金属がリードに付着し冷却
されてドロスとなることが多い。このドロスの付着を回
避する方法の一例として、特開平５−５５４２４号公報
に記載の技術がある。この従来技術は、ダムバーとリー
ドの境界面で、ビームスポットで切り残され鋭い突出部
になると予想される部分に微細な切欠き及び逃げ穴を予
め設けておくものであり、これら切欠き及び逃げ穴によ
り、数発の円形のビームスポットを照射した時に鋭い突
起部ができなくなり、突起部先端に形成され易いドロス
の付着をなくすことが可能である。Further, in the processing using laser light, in general, a part of the molten metal remains without being removed by the assist gas, and the remaining molten metal adheres to the leads and is cooled and often becomes a dross. . As an example of a method for avoiding the adhesion of the dross, there is a technique described in JP-A-5-55424. In this conventional technique, fine cutouts and escape holes are provided in advance at the boundary surface between the dam bar and the lead, which is expected to become a sharp protrusion by being left uncut by the beam spot. Due to the holes, sharp projections are not formed when several circular beam spots are irradiated, and it is possible to eliminate the attachment of dross that is likely to be formed at the tip of the projections.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】半導体装置の高集積化
や高性能化のためにリードフレームの多ピン化や狭ピッ
チ化を実現する場合には、樹脂モールドの強度を向上す
る必要があり、そのため樹脂モールドの厚さを十分厚く
しなければならない。しかも、ダムバーは、樹脂のはみ
出し量を極力抑えるために樹脂モールド側壁部分の近く
に設けられる。このような半導体装置のダムバーをレー
ザ光により切断する場合には、アシストガスを噴出する
ガスノズル先端と樹脂モールドとの干渉を避けるため、
上記ガスノズルを樹脂モールドの高さよりも高く保持せ
ざるを得ず、切断すべきダムバー（リードフレーム）表
面に十分接近させることができなくなる。その結果、ガ
スノズルから噴出されたアシストガスがダムバー表面に
達するまでに分散してしまい、ダムバー表面でのアシス
トガスの圧力は弱くなり、溶融金属が十分に除去できず
ドロスの付着量が多くなる。In order to increase the number of pins and the pitch of the lead frame for higher integration and higher performance of the semiconductor device, it is necessary to improve the strength of the resin mold. Therefore, the resin mold must be thick enough. Moreover, the dam bar is provided near the side wall of the resin mold in order to suppress the amount of resin protruding as much as possible. When cutting the dam bar of such a semiconductor device by laser light, in order to avoid interference between the resin nozzle and the tip of the gas nozzle that ejects the assist gas,
Since the gas nozzle must be held higher than the height of the resin mold, it becomes impossible to sufficiently approach the surface of the dam bar (lead frame) to be cut. As a result, the assist gas ejected from the gas nozzle is dispersed before reaching the surface of the dam bar, the pressure of the assist gas on the surface of the dam bar is weakened, the molten metal cannot be sufficiently removed, and the amount of dross attached increases.

【０００８】また、半導体装置の種類により樹脂モール
ドの厚さが変わると、その樹脂モールド厚さに応じてガ
スノズルを適宜に退避させなければならず、ガスノズル
先端とダムバー表面の間隔を一定に保つことができなく
なる。これにより、ダムバー表面におけるアシストガス
の圧力を一定にすることができなくなり、安定した条件
で溶融金属を吹き飛ばすことが不可能となる。さらにレ
ーザ光の照射条件も一定にすることができなくなるの
で、適切な切断条件を維持することが困難となる。Further, when the thickness of the resin mold changes depending on the type of semiconductor device, the gas nozzle must be appropriately retracted according to the thickness of the resin mold, and the distance between the tip of the gas nozzle and the surface of the dam bar must be kept constant. Can not be. As a result, the pressure of the assist gas on the surface of the dam bar cannot be kept constant, and it becomes impossible to blow off the molten metal under stable conditions. Further, the laser beam irradiation conditions cannot be kept constant, so that it is difficult to maintain appropriate cutting conditions.

【０００９】さらに、ガスノズルを樹脂モールドの高さ
よりも高く保持するため、アシストガスは樹脂モールド
側壁に沿って流下する。この時、樹脂モールド型の半導
体装置においては、ダムバーとリードフレームの各リー
ドと樹脂モールドとに囲まれた部分にせき止められた樹
脂がダム内レジンとなって残留しており、このダム内レ
ジンとリードフレームとによって上記アシストガスがせ
き止められて流れの方向が変えられ、水平方向でかつ樹
脂モールドとは逆の向きへの流れが誘起される。その結
果、特に溶融金属の量が多い場合には、水平方向に流れ
るアシストガスによって溶融金属の一部がその向きに流
れ、ダムバーが除去されたリードの側壁面から樹脂モー
ルドとは逆の向きに成長するドロスが発生する。これ
は、通常の雫状のドロスとは異なり、細長い針状または
棒状のドロスである（以下、これをヒゲドロスとい
う）。Further, since the gas nozzle is kept higher than the height of the resin mold, the assist gas flows down along the side wall of the resin mold. At this time, in the resin mold type semiconductor device, the resin dammed in the portion surrounded by the dam bar and each lead of the lead frame and the resin mold remains as a resin in the dam, and the resin in the dam and The assist gas is dammed by the lead frame to change the direction of the flow and induce a flow in the horizontal direction and in the opposite direction to the resin mold. As a result, particularly when the amount of molten metal is large, part of the molten metal flows in that direction by the assist gas flowing in the horizontal direction, and the side wall surface of the lead from which the dam bar has been removed moves in the direction opposite to the resin mold. Grows dross. This is an elongated needle-shaped or rod-shaped dross, unlike a normal drop-shaped dross (hereinafter referred to as a mustache dross).

【００１０】このヒゲドロスは、リードに強固に付着し
ていないため、容易に浮き上がったり立ち上がったり
し、隣接するリードに接触しリード間を電気的に短絡す
る危険性がある。また、ヒゲドロスの大きさは、通常の
雫状のドロスに比べてかなり大きいため、半導体装置の
電子回路基板上への実装時に基板上に不規則に付着する
こともあり、基板上の電気配線間をも電気的に短絡する
危険性がある。一方、このようなヒゲドロスを無理矢理
除去しようとすると、剛性の弱い多ピンかつ狭ピッチの
リードフレームが変形したりねじれたりする恐れがあ
り、最悪の場合にはリードが破断することもある。しか
も、多ピンのリードフレームでは除去すべき箇所も多い
ため、ヒゲドロスを完全かつ確実に除去することはほと
んど不可能といえる。このように、ヒゲドロスは、半導
体装置にとって著しい不具合を引き起こすものである。Since this beard loss is not firmly attached to the leads, there is a risk that it easily rises or rises, contacts adjacent leads, and electrically shorts the leads. Also, since the size of the beard dross is considerably larger than that of a normal drop-shaped dross, it may adhere irregularly on the board when the semiconductor device is mounted on the electronic circuit board. There is also a risk of electrical short circuit. On the other hand, if it is attempted to forcibly remove such beard dross, there is a risk that the multi-pin, narrow-pitch lead frame with weak rigidity will be deformed or twisted, and in the worst case, the lead may be broken. Moreover, since there are many places to be removed in the lead frame having many pins, it can be said that it is almost impossible to completely and surely remove the beard loss. As described above, the beard loss causes a remarkable defect in the semiconductor device.

【００１１】ところで、前述の特開平４−３２２４５４
号公報に記載のような細長い断面形状のレーザ光を用い
る場合には、円形の断面形状を有するレーザ光に比べ１
発のパルス状のレーザ光で溶融する部分、即ち除去すべ
き溶融金属が多くなる。それ故、レーザ切断時に溶融金
属から生じるドロスの量も多くなることが懸念される。
従って、このような細長い断面形状のレーザ光を用いて
樹脂モールドの厚い半導体装置のダムバーを切断する場
合には、通常のドロスのみならず上記のようなヒゲドロ
スも発生しやすい。従って、この従来技術の方式を用い
て良好な寸法精度で能率よく加工ができたとしても、ヒ
ゲドロス等が発生すればそれを除去することによって良
好な寸法精度が損なわれ、要求される寸法精度が維持で
きなくなる。By the way, the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 4-322454.
When using a laser beam having an elongated cross-sectional shape as described in Japanese Patent Publication No.
The portion melted by the emitted pulsed laser light, that is, the molten metal to be removed increases. Therefore, there is a concern that the amount of dross generated from the molten metal during laser cutting will also increase.
Therefore, when the dam bar of a semiconductor device having a thick resin mold is cut by using such a laser beam having an elongated cross-sectional shape, not only the usual dross but also the above-described beard dross is likely to occur. Therefore, even if machining can be efficiently performed with good dimensional accuracy using this conventional technique, if shaving loss or the like occurs, good dimensional accuracy will be impaired by removing it, and the required dimensional accuracy will be reduced. Can't be maintained.

【００１２】また、前述の特開平５−５５４２４号公報
に記載の従来技術では、円形のスポットを用いるため、
溶融金属の量は比較的少なく、ヒゲドロスが発生するこ
とはないが、切欠きや逃げ穴を形成するための工程の数
が増えるため、その分だけ切断に要する時間が必要とな
り、能率が低下する。しかも製造コストが増加するとい
う問題点もある。Further, in the prior art described in the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 5-55424, since a circular spot is used,
The amount of molten metal is relatively small, and no bead loss occurs, but the number of steps for forming notches and clearance holes increases, so the time required for cutting becomes longer and the efficiency decreases. . Moreover, there is a problem that the manufacturing cost increases.

【００１３】本発明の目的は、レーザ光を用いてダムバ
ーを能率良く切断することができると共に、ドロスの付
着を抑えて高精度で高品質の半導体装置を得ることがで
きるダムバー切断方法および装置を提供することであ
る。An object of the present invention is to provide a dambar cutting method and device which can cut a dambar efficiently by using a laser beam and which can obtain a highly accurate and high quality semiconductor device by suppressing the adhesion of dross. Is to provide.

【００１４】[0014]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、リードフレームに半導体チップを
搭載し樹脂モールドで一体に封止した半導体装置におけ
るダムバーを、細長い断面形状を有するパルス状のレー
ザ光を照射して切断するダムバー切断方法において、ダ
ムバーとリードフレームの各リードと樹脂モールドとに
囲まれた部分に残留したダム内レジンに前記レーザ光と
は異なる他のレーザ光を照射して孔を開け、その後ガス
ノズルよりアシストガスを噴出しながら、前記細長い断
面形状を有するパルス状のレーザ光をダムバーに照射し
てそのダムバーを切断することを特徴とするダムバー切
断方法が提供される。In order to achieve the above object, according to the present invention, a dam bar in a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a lead frame and integrally sealed with a resin mold is used as a pulse having an elongated cross-sectional shape. In a dam bar cutting method of irradiating and cutting a circular laser beam, the resin in the dam remaining in the portion surrounded by each resin of the dam bar and each lead frame and the resin mold is irradiated with another laser beam different from the laser beam. A dam bar cutting method is provided in which the dam bar is cut by irradiating the dam bar with the pulsed laser light having the elongated cross-sectional shape while making a hole and then ejecting the assist gas from the gas nozzle. .

【００１５】本発明は、細長い断面形状のパルスレーザ
光を用いてダムバーの切断を行う場合に、極力ドロスの
付着を押さえることが出来るように提案されたものであ
って、本発明者が、多くのダムバー切断の実験を通じ
て、切断中の溶融金属の溶融、飛散、排除の現象につい
ての詳細な観察を行った結果、細長い断面形状のレーザ
光を用いてダムバーを切断する場合に、いかに溶融金属
を適切に吹き飛ばすかということがドロス付着の抑制の
ために重要であるということが分かった。The present invention has been proposed in order to suppress the attachment of dross as much as possible when the dam bar is cut by using a pulsed laser beam having an elongated cross-sectional shape. As a result of detailed observations of the phenomenon of melting, scattering, and exclusion of the molten metal during cutting through the dam bar cutting experiment in No. 1, how was the molten metal cut when cutting the dam bar using a laser beam with an elongated cross-sectional shape? It was found that proper blowing is important for suppressing dross adhesion.

【００１６】即ち、前述のように構成した本発明におい
ては、ダムバー切断用のレーザ光とは異なる他のレーザ
光をダム内レジンに照射して孔を開けておき、その後に
切断用のレーザ光をダムバーに照射してそのダムバーを
切断するため、ダムバー切断時に噴出されるアシストガ
スは少なくともダム内レジンに開けた孔を通過できるよ
うになる。従って、従来の方式のように、アシストガス
の流れがダム内レジンやダムバー（リードフレーム）で
せき止められる現象や、アシストガスの流れの方向が水
平方向でかつ樹脂モールドとは逆の向きに変化してしま
う現象が回避され、一カ所のダムバーの切断が完了する
まで確実かつ効果的にアシストガスを吹き付け続けるこ
とが可能となる。従って、この確実かつ効果的なアシス
トガスによって溶融金属が十分に吹き飛ばされ、ドロス
の付着が抑制される。That is, in the present invention configured as described above, another resin light different from the laser light for cutting the dam bar is irradiated to the resin in the dam to make a hole, and then the laser light for cutting is cut. To irradiate the dam bar to cut the dam bar, the assist gas ejected at the time of cutting the dam bar can pass through at least the hole formed in the resin in the dam. Therefore, as in the conventional method, the assist gas flow is blocked by the resin in the dam and the dam bar (lead frame), and the direction of the assist gas flow changes horizontally and in the opposite direction to the resin mold. It is possible to avoid the phenomenon that it occurs and to continue blowing the assist gas reliably and effectively until the cutting of one dam bar is completed. Therefore, the molten metal is sufficiently blown off by the reliable and effective assist gas, and the adhesion of dross is suppressed.

【００１７】また、従来のようにダム内レジンが残留し
たままでダムバーを切断する場合には、ダムバーの切断
と同時にダム内レジンが著しく発熱し、その発熱が周辺
のダムバーやリード部分に影響を与え、特にダムバーの
樹脂モールド側が過剰に除去されて切断形状がいびつに
なる可能性もあったが、本発明では上記のようにダム内
レジンに穴を開けてからダムバー切断を行うために、ダ
ムバー切断時においてはダム内レジンの量が減少してお
り、その結果ダム内レジンの発熱が周辺のダムバーやリ
ード部分に影響を与えることもなく、ダムバーの過剰な
溶融や除去が防止され、高精度な切断形状を得ることが
できる。Further, when the dam bar is cut while the resin in the dam remains as in the conventional case, the resin in the dam remarkably generates heat at the same time as the cutting of the dam bar, and the heat generation affects the surrounding dam bars and lead portions. Although there was a possibility that the resin mold side of the dam bar was excessively removed and the cutting shape became distorted, in the present invention, in order to perform the dam bar cutting after making a hole in the resin in the dam as described above, the dam bar At the time of cutting, the amount of resin in the dam is decreasing, and as a result, the heat generation of the resin in the dam does not affect the surrounding dam bar and lead parts, and excessive melting and removal of the dam bar is prevented, resulting in high accuracy. It is possible to obtain various cut shapes.

【００１８】また、本発明によれば、パルス状のレーザ
光を発振するレーザ発振器と、そのパルス状のレーザ光
の断面形状を細長い断面形状に変換する変換手段と、そ
の変換手段からのレーザ光を被加工物の加工位置まで誘
導する加工光学系と、前記レーザ光と共に被加工物にア
シストガスを噴出するガスノズルを有し、前述の半導体
装置におけるダムバーを上記ガスノズルよりアシストガ
スを噴出しながらレーザ光を照射して切断するダムバー
切断装置において、前記レーザ光とは異なる他のレーザ
光を発振する他のレーザ発振器と、前述のようなダム内
レジンに、前記他のレーザ光を誘導する他の加工光学系
とをさらに設置したことを特徴とするダムバー切断装置
が提供される。これにより、前述のような本発明のダム
バー切断方法を実施することが可能となる。Further, according to the present invention, a laser oscillator that oscillates a pulsed laser beam, a conversion unit that converts the sectional shape of the pulsed laser beam into an elongated sectional shape, and a laser beam from the conversion unit. Has a processing optical system for guiding the workpiece to a processing position of the workpiece, and a gas nozzle for jetting an assist gas to the workpiece together with the laser light, and a dam bar in the semiconductor device described above while jetting the assist gas from the gas nozzle to a laser. In a dam bar cutting device for irradiating and cutting light, another laser oscillator that oscillates another laser light different from the laser light, and another resin that guides the other laser light to the resin in the dam as described above. Provided is a dam bar cutting device, which further comprises a processing optical system. This makes it possible to carry out the dam bar cutting method of the present invention as described above.

【００１９】或いは、本発明によれば、パルス状のレー
ザ光を発振するレーザ発振器と、そのパルス状のレーザ
光の断面形状を細長い断面形状に変換する変換手段と、
その変換手段からのレーザ光を被加工物の加工位置まで
誘導する加工光学系と、前記レーザ光と共に被加工物に
アシストガスを噴出するガスノズルを有し、前述の半導
体装置におけるダムバーを上記ガスノズルよりアシスト
ガスを噴出しながらレーザ光を照射して切断するダムバ
ー切断装置において、前記レーザ発振器から発振される
レーザ光より一部のレーザ光を分岐させる分岐手段と、
前述のようなダム内レジンに上記分岐手段で分岐した前
記一部のレーザ光を誘導する他の加工光学系とをさらに
設置したことを特徴とするダムバー切断装置が提供され
る。このようなダムバー切断装置によっても、前述のよ
うな本発明のダムバー切断方法を実施することが可能と
なる。Alternatively, according to the present invention, a laser oscillator that oscillates pulsed laser light, and a conversion means that converts the cross-sectional shape of the pulsed laser light into an elongated cross-sectional shape,
A processing optical system that guides the laser light from the converting means to the processing position of the work piece, and a gas nozzle that ejects an assist gas together with the laser light to the work piece, and the dam bar in the semiconductor device described above from the gas nozzle. In a dam bar cutting device that irradiates and cuts a laser beam while ejecting an assist gas, a branching unit that branches a part of the laser beam from the laser beam oscillated from the laser oscillator,
There is provided a dam bar cutting device characterized in that the resin in the dam as described above is further provided with another processing optical system for guiding the part of the laser light branched by the branching means. Even with such a dambar cutting device, the dambar cutting method of the present invention as described above can be carried out.

【００２０】[0020]

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態について、図
１および図２を参照しながら説明する。図１は本実施形
態の加工対象である半導体装置のダムバー付近を示す図
であって、（ａ）はダム内レジンに孔を開ける状況を示
す図、（ｂ）は（ａ）のB-B方向からの断面図、（ｃ）
はダムバーを切断する状況を示す図、（ｄ）は（ｃ）の
D-D方向からの断面図である。図１（ａ）において、半
導体装置１００はリードフレーム１ａ上に図示しない半
導体チップが搭載され端子接続が行われた後に樹脂モー
ルド２で封止されており、各リード１の間にはダムバー
３が設けられている。ダムバー３はリード１の間を連結
しており、樹脂モールド２による封止時に樹脂がリード
１の間に流れ出てくるのをせき止める役割を果たしてい
る。また、このダムバー３は各リード１を補強する役割
も有する。そして、樹脂モールド２による封止が終了す
ると、ダムバー３は切断除去されてリード１（アウター
リード）が個々に切り離される。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1A and 1B are views showing the vicinity of a dam bar of a semiconductor device which is a processing target of the present embodiment. FIG. 1A is a view showing a situation where a hole is made in a resin in a dam, and FIG. Cross section of (c)
Shows the situation of cutting the dam bar, (d) shows (c)
It is sectional drawing from the DD direction. In FIG. 1A, a semiconductor device 100 has a semiconductor chip (not shown) mounted on a lead frame 1 a and is sealed with a resin mold 2 after terminal connection is performed, and a dam bar 3 is provided between each lead 1. It is provided. The dam bar 3 connects the leads 1 and plays a role of preventing the resin from flowing out between the leads 1 when the resin mold 2 is used for sealing. The dam bar 3 also has a role of reinforcing each lead 1. Then, when the sealing with the resin mold 2 is completed, the dam bar 3 is cut and removed, and the leads 1 (outer leads) are individually separated.

【００２１】本実施形態では、図１（ｂ）に示すよう
に、まず円形断面形状を有するレーザ光５１をノズル６
２よりダム内レジン４の中央に照射し、孔５を開ける。
孔５の断面形状はレーザ光５１の断面形状に応じて円形
の断面形状となる。次に、図１（ｃ）に示すように、細
長い楕円形状のレーザ光５０をガスノズル６１の開口部
よりダムバー３に照射してダムバー３を切断する。この
時、レーザ光５０の照射と同時にガスノズル６１よりア
シストガス６０を噴出する。上記レーザ光５０として
は、パルス状に発振するレーザ光をシリンドリカルレン
ズ（図３（ａ）および図４（ａ）参照）等によって細長
い楕円の断面形状に変換したものを用い、そのレーザ光
５０のスポット６の位置としては、ダムバー３の幅全体
をカバーできるような位置とする。これにより、ダムバ
ー３の切断後には切断部７が形成される。In this embodiment, as shown in FIG. 1B, first, the laser beam 51 having a circular cross-sectional shape is applied to the nozzle 6.
Irradiate the center of the resin 4 in the dam from 2 to open a hole 5.
The cross-sectional shape of the hole 5 becomes a circular cross-sectional shape according to the cross-sectional shape of the laser light 51. Next, as shown in FIG. 1C, the dam bar 3 is cut by irradiating the dam bar 3 with an elongated elliptical laser beam 50 from the opening of the gas nozzle 61. At this time, the assist gas 60 is ejected from the gas nozzle 61 at the same time as the irradiation of the laser beam 50. As the laser light 50, laser light oscillated in a pulse shape is converted into an elongated elliptical cross-sectional shape by a cylindrical lens (see FIGS. 3A and 4A) or the like. The position of the spot 6 is set so as to cover the entire width of the dam bar 3. Thereby, the cut portion 7 is formed after the dam bar 3 is cut.

【００２２】ここで、従来のレーザ光を用いたダムバー
切断方法を比較例として図２により説明する。但し、こ
の比較例においてもダムバー切断用のレーザ光として細
長い楕円の断面形状を有するレーザ光を用いるものとす
る。ダムバーを切断する状況を示す図である図２
（ａ）、および（ａ）のB-B方向からの断面図である
（ｂ）に示すように、この場合も、ガスノズル６１より
アシストガス６０ａを噴出しながら細長い楕円の断面形
状のパルスレーザ光５０ａをダムバー３に照射し、レー
ザ光５０ａのスポット６ａでダムバー３の幅全体をでカ
バーできるようにし、これによりダムバー３を切断す
る。なお、図２において、図１と同等の部材には同じ符
号を付してある。Here, a conventional dam bar cutting method using laser light will be described as a comparative example with reference to FIG. However, in this comparative example as well, laser light having an elongated elliptical cross-sectional shape is used as the laser light for cutting the dam bar. FIG. 2 is a diagram showing a situation in which the dam bar is cut.
Also in this case, as shown in (a) and (b) which is a cross-sectional view from the BB direction of (a), the pulse laser light 50a having an elongated elliptical cross-sectional shape is ejected from the gas nozzle 61 while ejecting the assist gas 60a. The dam bar 3 is irradiated so that the spot 6a of the laser beam 50a can cover the entire width of the dam bar 3 with the spot 6a, whereby the dam bar 3 is cut. In FIG. 2, the same members as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals.

【００２３】この場合、ダムバー３が切断除去される前
には、アシストガス６０ａは図中の流れ６０ｂで示すよ
うにダムバー３およびダム内レジン４の表面でせき止め
られ、樹脂モールド２の存在によって水平方向でかつ樹
脂モールド２とは逆の向きへの流れ６０ｃが誘起され
る。アシストガスの流れ６０ｂや流れ６０ｃの吹き付け
力はもとのアシストガス６０の吹き付け力に比べて低下
している。In this case, before the dam bar 3 is cut and removed, the assist gas 60a is dammed by the surfaces of the dam bar 3 and the resin 4 in the dam as shown by the flow 60b in the figure, and the assist gas 60a is leveled by the presence of the resin mold 2. A flow 60c is induced in the direction and in the direction opposite to the resin mold 2. The blowing force of the assist gas flow 60b or the flow 60c is lower than the original blowing force of the assist gas 60.

【００２４】上記のような状態でレーザ光５０ａにより
ダムバー３の切断が行われるとアシストガスの流れ６０
ｂや流れ６０ｃの吹き付け力が低下するため、溶融金属
の除去は十分に行われず、図２（ａ），（ｂ）に示すよ
うに、ダムバー３の切断後には切断部７ａの裏面側の縁
部に多くのドロス８ａが付着する。また、図２（ｂ）に
示したアシストガスの流れ６０ｃの存在により、樹脂モ
ールド２から遠い方により多くのドロス８ａが付着し、
しかもそのドロス８ａはヒゲドロスとなることが多い。When the dam bar 3 is cut by the laser beam 50a in the above-mentioned state, the assist gas flow 60
Since the spraying force of b and the flow 60c is reduced, the molten metal is not sufficiently removed, and as shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), after the dam bar 3 is cut, the edge on the back surface side of the cut portion 7a is cut. A lot of dross 8a adheres to the part. Further, due to the presence of the assist gas flow 60c shown in FIG. 2B, more dross 8a adheres to the side farther from the resin mold 2,
Moreover, the dross 8a often becomes a mustache.

【００２５】また、上記のようにダム内レジン４が残留
したままでダムバー３を切断する場合には、ダムバー３
の切断と同時にダム内レジン４が著しく発熱し、その発
熱が周辺のダムバー３やリード１に影響を与え、特にダ
ムバー３の樹脂モールド２の側が過剰に除去されて切断
形状がいびつになる可能性がある。When the dam bar 3 is cut while the resin 4 inside the dam remains as described above, the dam bar 3
At the same time as the cutting of, the resin 4 inside the dam remarkably generates heat, and the heat generation may affect the surrounding dam bar 3 and the lead 1, and especially the resin mold 2 side of the dam bar 3 may be excessively removed and the cutting shape may become distorted. There is.

【００２６】これに対し本実施形態では、図１（ａ），
（ｂ）に示されるように、円形断面形状を有するレーザ
光５１でダム内レジン４の中央に穴５を開けるため、ダ
ムバー３の切断時においては、図１（ｄ）に示すように
ダムバー３が完全に切断されていない状態でもアシスト
ガス６０の一部が孔５を通過できる。つまり、アシスト
ガス６０はほぼまっすぐにダムバー３に吹き付けられる
ことになり、図２（ｂ）で説明したようにダムバー３お
よびダム内レジン４の表面でアシストガスがせき止めら
れたり、樹脂モールド２とは逆の向きへアシストガスが
流れたりすることが無くなる。従って、アシストガス６
０によって溶融金属が十分に吹き飛ばされ、ドロス８の
付着が抑制され、もしドロス８が付着したとしてもその
量を大幅に少なくすることができる。On the other hand, in this embodiment, as shown in FIG.
As shown in FIG. 1B, since the laser beam 51 having a circular cross section forms a hole 5 in the center of the resin 4 inside the dam, when the dam bar 3 is cut, as shown in FIG. A part of the assist gas 60 can pass through the hole 5 even in the state where the gas is not completely cut. That is, the assist gas 60 is sprayed almost straight on the dam bar 3, and as described with reference to FIG. 2B, the assist gas is dammed on the surfaces of the dam bar 3 and the resin 4 in the dam, Assist gas does not flow in the opposite direction. Therefore, the assist gas 6
By 0, the molten metal is sufficiently blown off, the adhesion of the dross 8 is suppressed, and even if the dross 8 adheres, the amount thereof can be significantly reduced.

【００２７】また、本実施形態では、ダムバー３の切断
時において既にダム内レジン４の量が減少しており、そ
の結果ダム内レジン４の発熱が周辺のダムバー３やリー
ド１に影響を与えることがなくダムバー３の過剰な溶融
や除去が防止される。従って、樹脂モールド２の側が過
剰に除去されて切断形状がいびつになるようなことがな
く、高精度な切断形状を得ることができる。Further, in this embodiment, the amount of the resin 4 inside the dam is already reduced when the dam bar 3 is cut, and as a result, the heat generation of the resin 4 inside the dam affects the surrounding dam bars 3 and leads 1. Therefore, excessive melting or removal of the dam bar 3 is prevented. Therefore, the resin mold 2 side is not excessively removed and the cut shape does not become distorted, and a highly accurate cut shape can be obtained.

【００２８】[0028]

【実施例】次に、本発明の第１の実施例を図３により説
明する。本実施例では、図３（ａ）に示すように、ダム
バー３を切断するための構成として、レーザ発振器１
０、凸型シリンドリカルレンズ１２、凹型シリンドリカ
ルレンズ１３、ベンディングミラー１４、集光レンズ１
５が備えられており、ダム内レジン４に穴５を開けるた
めの構成として、レーザ発振器２０、ベンディングミラ
ー２２、集光レンズ２３が備えられている。但し、図３
では図１におけるノズル６２やガスノズル６１を省略し
た（以下、図４においても同様とする）。Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, as shown in FIG. 3A, the laser oscillator 1 has a structure for cutting the dam bar 3.
0, convex cylindrical lens 12, concave cylindrical lens 13, bending mirror 14, condenser lens 1
5 is provided, and a laser oscillator 20, a bending mirror 22, and a condenser lens 23 are provided as a structure for making a hole 5 in the resin 4 inside the dam. However, FIG.
Then, the nozzle 62 and the gas nozzle 61 in FIG. 1 are omitted (the same applies to FIG. 4 hereinafter).

【００２９】このような構成において、まず、ダム内レ
ジン４に穴５を開けるための円形断面形状を有するレー
ザ光２１が、レーザ発振器２０から発振され、ベンディ
ングミラー２２で半導体装置１００の方に向きを変えら
れ、集光レンズ２３で集光され、レーザ光５１としてダ
ム内レジン４に照射される。これにより、ダム内レジン
４に、図１（ａ）のような孔５が開けられる。但し、レ
ーザ光５１のエネルギー密度はレーザ光５０に比べて低
くてもよい。これは、ダム内レジン４はエネルギーの吸
収率が高く、融点が低い材料を多く含んでいるために低
いエネルギー密度でも十分に除去できるからである。ま
た、レーザ光５１によるスポットの大きさは、ダム内レ
ジン４の領域からはみ出さない程度であればよい。In such a structure, first, the laser light 21 having a circular cross-sectional shape for making the hole 5 in the resin 4 in the dam is oscillated from the laser oscillator 20 and directed toward the semiconductor device 100 by the bending mirror 22. Is changed, the light is condensed by the condenser lens 23, and the resin 4 in the dam is irradiated with laser light 51. As a result, a hole 5 as shown in FIG. 1A is opened in the resin 4 inside the dam. However, the energy density of the laser light 51 may be lower than that of the laser light 50. This is because the resin 4 in the dam has a high energy absorption rate and contains many materials having a low melting point, so that it can be sufficiently removed even at a low energy density. Further, the size of the spot by the laser light 51 may be such that it does not protrude from the region of the resin 4 in the dam.

【００３０】孔５が開けられた後、ダムバー３を切断す
るためのレーザ光１１はレーザ発振器１０から発せられ
るが、この時のレーザ光１１の断面は円形である。そし
て、レーザ光１１は、凸型シリンドリカルレンズ１２お
よび凹型シリンドリカルレンズ１３によって断面形状が
細長い楕円形状に変換され、ベンディングミラー１４で
半導体装置１００の方に向きを変えられ、集光レンズ１
５で集光され、細長い楕円形状を持つレーザ光５０とし
てダムバー３に照射される。これにより、ダムバー３が
図１（ｃ）のように切断される。上記のような手順を繰
り返すことによりダムバー３が順次切断されていく。After the hole 5 is opened, the laser beam 11 for cutting the dam bar 3 is emitted from the laser oscillator 10. At this time, the laser beam 11 has a circular cross section. Then, the laser light 11 is converted into a slender elliptical cross-sectional shape by the convex cylindrical lens 12 and the concave cylindrical lens 13, is redirected toward the semiconductor device 100 by the bending mirror 14, and the condenser lens 1 is formed.
The laser beam 50 is condensed at 5, and is emitted to the dam bar 3 as a laser beam 50 having an elongated elliptical shape. As a result, the dam bar 3 is cut as shown in FIG. By repeating the above procedure, the dam bar 3 is sequentially cut.

【００３１】実際のダムバー３を順次切断する方法の一
例を図３（ｂ）に示す。レーザ光５０の光軸およびレー
ザ光５１の光軸を相隣り合うダムバー３の間隔程度の距
離に配置しておき、レーザ光５０およびレーザ光５１の
光軸に対して半導体装置１００を図中矢印２５で示す方
向に相対的に移動させ、各ダムバー３の位置において停
止させてダム内レジン４への孔５の形成およびその隣
（一つ前）のダムバー３の切断を行い、さらに半導体装
置１００を矢印２５の方向に相対的に移動させ、これら
の動作を順に繰り返す。これにより、ある一つのダムバ
ー３の位置に着目すれば、レーザ光５１によるダム内レ
ジン４への孔５の形成が行われた後にレーザ光５０によ
るダムバー３の切断が行われることになる。そして、レ
ーザ光５０およびレーザ光５１の半導体装置１００に対
する相対的な軌跡は、それぞれ図中の軌跡Ａ，Ｂとな
る。これにより、連続的かつ能率よくにダムバー切断が
出来る。An example of a method of sequentially cutting the actual dam bar 3 is shown in FIG. 3 (b). The optical axis of the laser light 50 and the optical axis of the laser light 51 are arranged at a distance of about the distance between the adjacent dam bars 3, and the semiconductor device 100 is arranged with respect to the optical axes of the laser light 50 and the laser light 51 in the figure. 25 relative to each other and stopped at the position of each dam bar 3 to form a hole 5 in the resin 4 inside the dam and to cut the dam bar 3 adjacent (one before) to the semiconductor device 100. Is relatively moved in the direction of arrow 25, and these operations are repeated in order. Accordingly, when focusing on the position of one dam bar 3, the dam bar 3 is cut by the laser light 50 after the hole 5 is formed in the in-dam resin 4 by the laser light 51. The loci of the laser light 50 and the laser light 51 relative to the semiconductor device 100 are loci A and B in the figure, respectively. This allows continuous and efficient dam bar cutting.

【００３２】以上のような本実施例によれば、ダムバー
３の切断前にレーザ光５１でダム内レジン４の中央に穴
５を開けるので、レーザ光５０によるダムバー３の切断
時にアシストガス６０を確実かつ効果的にダムバー３近
傍に吹き付け続けることが可能となり、溶融金属が十分
に吹き飛ばされ、ドロスの付着が抑制される。また、も
しドロスが付着したとしてもその量を大幅に少なくする
ことができる。According to the present embodiment as described above, since the hole 5 is made in the center of the resin 4 inside the dam by the laser beam 51 before cutting the dam bar 3, the assist gas 60 is emitted when the dam bar 3 is cut by the laser beam 50. It is possible to reliably and effectively continue to spray the vicinity of the dam bar 3, the molten metal is sufficiently blown off, and the adhesion of dross is suppressed. Further, even if the dross adheres, the amount thereof can be greatly reduced.

【００３３】また、ダムバー３の切断時に既にダム内レ
ジン４の量が減少しているため、ダムバー３の過剰な溶
融や除去が防止され、高精度な切断形状を得ることがで
きる。Further, since the amount of the resin 4 in the dam is already reduced when the dam bar 3 is cut, the dam bar 3 is prevented from being excessively melted or removed, and a highly accurate cut shape can be obtained.

【００３４】次に、本発明の第２実施例を図４により説
明する。本実施例では、図４（ａ）に示すように、１台
のレーザ発振器３０からのレーザ光３１を、ダムバー３
の切断用のレーザ光７０およびダム内レジン４の穴開け
用のレーザ光７１に分岐して用いる。即ち、本実施例の
レーザ加工装置には１台のレーザ発振器３０が備えら
れ、ダムバー３を切断するための構成として、ハーフミ
ラー３２、凸型シリンドリカルレンズ３３、凹型シリン
ドリカルレンズ３４、集光レンズ３５が備えられ、さら
にダム内レジン４に穴５を開けるための構成として、ベ
ンディングミラー４１、集光レンズ４２が備えられてい
る。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the present embodiment, as shown in FIG. 4A, the laser beam 31 from one laser oscillator 30 is supplied to the dam bar 3
The laser light 70 for cutting and the laser light 71 for making holes in the resin 4 in the dam are branched and used. That is, the laser processing apparatus of this embodiment is provided with one laser oscillator 30, and as a structure for cutting the dam bar 3, a half mirror 32, a convex cylindrical lens 33, a concave cylindrical lens 34, and a condenser lens 35. Further, a bending mirror 41 and a condenser lens 42 are provided as a structure for making a hole 5 in the resin 4 inside the dam.

【００３５】このような構成において、レーザ発振器３
０から発せられた円形断面形状を有するレーザ光３１
は、ハーフミラー３２により２つに分岐され、一方は半
導体装置１００の方向に向きを変えられて凸型シリンド
リカルレンズ３３および凹型シリンドリカルレンズ３４
によって断面形状が細長い楕円形状に変換され、集光レ
ンズ３５で集光され、細長い楕円形状を持つレーザ光７
０としてダムバー３に照射される。また、ハーフミラー
３２を透過したもう一方のレーザ光は、ベンディングミ
ラー４１で半導体装置１００の方向に向きを変えられ、
集光レンズ４２で集光され、円形断面形状を有するレー
ザ光７１としてダム内レジン４に照射される。実際のダ
ムバー３を順次切断する方法としては、図３（ｂ）で説
明した方法と同様の方法で行うことができる。In such a configuration, the laser oscillator 3
Laser light 31 having a circular cross-sectional shape emitted from 0
Is split into two by a half mirror 32, and one of them is turned to the direction of the semiconductor device 100 to form a convex cylindrical lens 33 and a concave cylindrical lens 34.
The cross-sectional shape is converted by the condensing lens 35 by the condensing lens 35 by the laser beam 7 having the elongated elliptical shape.
The dam bar 3 is irradiated with 0. Further, the other laser light transmitted through the half mirror 32 is redirected by the bending mirror 41 toward the semiconductor device 100,
It is condensed by the condenser lens 42, and is irradiated to the resin 4 in the dam as laser light 71 having a circular cross-sectional shape. As an actual method of sequentially cutting the dam bar 3, the same method as that described in FIG. 3B can be used.

【００３６】上記のように、レーザ発振器３０から発せ
られたレーザ光３１を分岐して使用する場合には、レー
ザ光７０とレーザ光７１の照射位置をずらせる必要があ
る。本実施例では、ベンディングミラー４１を、図４
（ａ）のB-B方向からの矢視図である図４（ｂ）のよう
に、反射したレーザ光７１の光軸７１ａがダム内レジン
４を通過するような角度に設置し、一方、ハーフミラー
３２を、図４（ａ）のC-C方向からの矢視図である図４
（ｃ）のように、反射したレーザ光７０の光軸７０ａが
ダムバー３を通過するような角度（図４（ｃ）では垂
直）に設置する。このようにベンディングミラー４１お
よびハーフミラー３２の設置角度を設定することによ
り、レーザ光７０をダムバー３に、またレーザ光７１を
ダム内レジン４に照射することが可能となる。なお、図
４（ｂ），（ｃ）において、図１と同等の部材には同じ
符号を付してある。As described above, when the laser light 31 emitted from the laser oscillator 30 is branched and used, it is necessary to shift the irradiation positions of the laser light 70 and the laser light 71. In this embodiment, the bending mirror 41 is shown in FIG.
As shown in FIG. 4B which is a view from the BB direction of FIG. 4A, the optical axis 71a of the reflected laser light 71 is set at an angle so as to pass through the resin 4 in the dam, while the half mirror is used. 4 is a view from the direction of the arrow CC in FIG.
As shown in (c), the optical axis 70a of the reflected laser light 70 is set at an angle (vertical in FIG. 4C) so as to pass through the dam bar 3. By setting the installation angles of the bending mirror 41 and the half mirror 32 in this way, it becomes possible to irradiate the dam bar 3 with the laser light 70 and the in-dam resin 4 with the laser light 71. In FIGS. 4B and 4C, the same members as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals.

【００３７】また、本実施例においても、レーザ光７１
のエネルギー密度はレーザ光７０に比べて低くてもよ
く、それに応じてエネルギー密度の比率が最適となるよ
うに、ハーフミラー３２の反射率（透過率）を設定すれ
ばよい。Also in this embodiment, the laser light 71 is used.
May have a lower energy density than that of the laser light 70, and the reflectance (transmittance) of the half mirror 32 may be set so that the ratio of energy densities is optimized accordingly.

【００３８】以上のような本実施例によれば、ダムバー
３の切断前にレーザ光３１から分岐させたレーザ光７１
でダム内レジン４の中央に穴５を開けるので、レーザ光
７０によるダムバー３の切断時にアシストガス６０を確
実かつ効果的にダムバー３近傍に吹き付け続けることが
可能となり、溶融金属が十分に吹き飛ばされ、ドロスの
付着が抑制される。また、もしドロスが付着したとして
もその量を大幅に少なくすることができる。According to the present embodiment as described above, the laser beam 71 branched from the laser beam 31 before the dam bar 3 is cut.
Since the hole 5 is made in the center of the resin 4 in the dam, the assist gas 60 can be reliably and effectively continuously blown to the vicinity of the dam bar 3 when the dam bar 3 is cut by the laser light 70, and the molten metal is sufficiently blown off. Adhesion of dross is suppressed. Further, even if the dross adheres, the amount thereof can be greatly reduced.

【００３９】また、ダムバー３の切断時に既にダム内レ
ジン４の量が減少しているため、ダムバー３の過剰な溶
融や除去が防止され、高精度な切断形状を得ることがで
きる。Further, since the amount of the resin 4 in the dam is already reduced when the dam bar 3 is cut, the dam bar 3 is prevented from being excessively melted or removed, and a highly accurate cut shape can be obtained.

【００４０】[0040]

【発明の効果】本発明によれば、ダムバー切断用のレー
ザ光とは異なる他のレーザ光をダム内レジンに照射して
孔を開けておくので、ダムバー切断のためのレーザ光照
射時にアシストガスを確実かつ効果的にダムバー近傍に
吹き付け続けることが可能となり、溶融金属を十分に吹
き飛ばし、ドロスの付着を抑制することができる。According to the present invention, since another laser beam different from the laser beam for cutting the dam bar is radiated to the resin in the dam to make a hole, an assist gas is emitted during the laser beam irradiation for cutting the dam bar. Can be reliably and effectively continued to be sprayed in the vicinity of the dam bar, the molten metal can be sufficiently blown off, and the adhesion of dross can be suppressed.

【００４１】また、ダムバー切断時にダム内レジンの量
を減少させることができるので、ダム内レジンの発熱が
周辺のダムバーやリード部分に影響を与えることがな
く、ダムバーの過剰な溶融や除去が防止され、高精度な
切断形状を得ることができる。Further, since the amount of resin in the dam can be reduced when the dam bar is cut, the heat generation of the resin in the dam does not affect the surrounding dam bar and lead portions, and excessive melting and removal of the dam bar can be prevented. As a result, a highly accurate cutting shape can be obtained.

【００４２】従って、本発明によれば、ダムバーを能率
良く切断することができ、ドロスの付着を抑えた高精度
で高品質の半導体装置を得ることが出来る。Therefore, according to the present invention, the dam bar can be efficiently cut, and a highly accurate and high quality semiconductor device in which the adhesion of dross is suppressed can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の一実施形態で加工する半導体装置のダ
ムバー付近を示す図であって、（ａ）はダム内レジンに
孔を開ける状況を示す図、（ｂ）は（ａ）のB-B方向か
らの断面図、（ｃ）はダムバーを切断する状況を示す
図、（ｄ）は（ｃ）のD-D方向からの断面図である。FIG. 1 is a diagram showing the vicinity of a dam bar of a semiconductor device processed according to an embodiment of the present invention, where (a) is a diagram showing a situation in which holes are made in a resin in a dam, and (b) is a BB of (a). Sectional view from the direction, (c) is a view showing a situation of cutting the dam bar, and (d) is a sectional view from the DD direction of (c).

【図２】従来のレーザ光を用いたダムバー切断方法を比
較例として説明する図であって、（ａ）はダムバー付近
を示す図、（ｂ）は（ａ）のB-B方向からの断面図であ
る。2A and 2B are views for explaining a conventional dam bar cutting method using laser light as a comparative example, FIG. 2A is a view showing the vicinity of a dambar, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 2A. is there.

【図３】本発明の第１の実施例を示す図であって、
（ａ）はダムバー切断装置の構成図、（ｂ）は切断され
るダムバー付近を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a first embodiment of the present invention,
(A) is a block diagram of a dam bar cutting device, (b) is a figure which shows the dam bar vicinity to be cut.

【図４】本発明の第２の実施例を示す図であって、
（ａ）はダムバー切断装置の構成図、（ｂ）は（ａ）の
B-B方向からの矢視図、（ｃ）は（ａ）のC-C方向からの
矢視図である。FIG. 4 is a diagram showing a second embodiment of the present invention,
(A) is a block diagram of a dam bar cutting device, (b) is (a)
FIG. 6 is a view from the BB direction, and (c) is a view from the CC direction of (a).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ リード ２ 樹脂モールド ３ ダムバー ４ ダム内レジン ５ 孔 ６ スポット ７ 切断部 ８ ドロス １０ レーザ発振器 １１ レーザ光 １２ 凸型シリンドリカルレンズ １３ 凹型シリンドリカルレンズ １４ ベンディングミラー １５ 集光レンズ ２０ レーザ発振器 ２１ レーザ光 ２２ ベンディングミラー ２３ 集光レンズ ３０ レーザ発振器 ３１ レーザ光 ３２ ハーフミラー ３３ 凸型シリンドリカルレンズ ３４ 凹型シリンドリカルレンズ ３５ 集光レンズ ４１ ベンディングミラー ４２ 集光レンズ ５０，５１ レーザ光 ６０ アシストガス ６１ ガスノズル ７０ レーザ光 ７０ａ （レーザ光７０の）の光軸 ７１ レーザ光 ７１ａ （レーザ光７１の）の光軸 １００ 半導体装置 1 Lead 2 Resin Mold 3 Dam Bar 4 Dam Inner Resin 5 Hole 6 Spot 7 Cutting Part 8 Dross 10 Laser Oscillator 11 Laser Light 12 Convex Cylindrical Lens 13 Concave Cylindrical Lens 14 Bending Mirror 15 Condensing Lens 20 Laser Oscillator 21 Laser Light 22 Bending Mirror 23 Condenser lens 30 Laser oscillator 31 Laser light 32 Half mirror 33 Convex cylindrical lens 34 Concave cylindrical lens 35 Condenser lens 41 Bending mirror 42 Condenser lens 50, 51 Laser light 60 Assist gas 61 Gas nozzle 70 Laser light 70a (Laser Optical axis 71 of light 70) Laser beam 71a (optical axis of laser light 71) 100 Semiconductor device

フロントページの続き (72)発明者 長野 義也 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 下村 義昭 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 桜井 茂行 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 美野本 泰 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機エ ンジニアリング株式会社内Front page continuation (72) Yoshiya Nagano Yoshiya Nagano 650 Kazutachi-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. Tsuchiura factory (72) Inventor Yoshiaki Shimomura 650 Jincho-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi Construction Machinery Tsuchiura Inside the factory (72) Inventor Shigeyuki Sakurai 650 Kazutachi-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. Tsuchiura factory (72) Inventor Yasushi Minomoto 650 Kintachi-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi Construction Machinery Engineering Co., Ltd. Within

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 リードフレームに半導体チップを搭載し
樹脂モールドで一体に封止した半導体装置におけるダム
バーを、細長い断面形状を有するパルス状のレーザ光を
照射して切断するダムバー切断方法において、 前記ダムバーと前記リードフレームの各リードと前記樹
脂モールドとに囲まれた部分に残留したダム内レジンに
前記レーザ光とは異なる他のレーザ光を照射して孔を開
け、その後ガスノズルよりアシストガスを噴出しなが
ら、前記細長い断面形状を有するパルス状のレーザ光を
前記ダムバーに照射してそのダムバーを切断することを
特徴とするダムバー切断方法。1. A dam bar cutting method for irradiating a dam bar in a semiconductor device, in which a semiconductor chip is mounted on a lead frame and integrally sealed with a resin mold, by irradiating a pulsed laser beam having an elongated cross-sectional shape with the dam bar. And irradiating another resin light different from the laser light to the resin in the dam remaining in the portion surrounded by each lead of the lead frame and the resin mold to make a hole, and then eject the assist gas from the gas nozzle. However, the dam bar cutting method is characterized in that the dam bar is cut by irradiating the dam bar with the pulsed laser light having the elongated cross-sectional shape. 【請求項２】 パルス状のレーザ光を発振するレーザ発
振器と、前記パルス状のレーザ光の断面形状を細長い断
面形状に変換する変換手段と、前記変換手段からのレー
ザ光を被加工物の加工位置まで誘導する加工光学系と、
前記レーザ光と共に前記被加工物にアシストガスを噴出
するガスノズルを有し、リードフレームに半導体チップ
を搭載し樹脂モールドで一体に封止した半導体装置にお
けるダムバーを、前記ガスノズルより前記アシストガス
を噴出しながら前記レーザ光を照射して切断するダムバ
ー切断装置において、 前記レーザ光とは異なる他のレーザ光を発振する他のレ
ーザ発振器と、前記ダムバーと前記リードフレームの各
リードと前記樹脂モールドとに囲まれた部分に残留した
ダム内レジンに前記他のレーザ光を誘導する他の加工光
学系とをさらに設置したことを特徴とするダムバー切断
装置。2. A laser oscillator that oscillates pulsed laser light, conversion means that converts the cross-sectional shape of the pulsed laser light into an elongated cross-sectional shape, and processing of the laser light from the conversion means on a workpiece. A processing optical system that guides to a position,
A dam bar in a semiconductor device that has a gas nozzle that ejects an assist gas onto the workpiece together with the laser light, and a semiconductor chip is mounted on a lead frame and integrally sealed with a resin mold, ejects the assist gas from the gas nozzle. While in the dam bar cutting device for irradiating and cutting with the laser light, surrounded by another laser oscillator that oscillates another laser light different from the laser light, the dam bar, each lead of the lead frame, and the resin mold. A dam bar cutting device, further comprising: a resin in the dam remaining in the exposed portion, and another processing optical system for guiding the other laser beam. 【請求項３】 パルス状のレーザ光を発振するレーザ発
振器と、前記パルス状のレーザ光の断面形状を細長い断
面形状に変換する変換手段と、前記変換手段からのレー
ザ光を被加工物の加工位置まで誘導する加工光学系と、
前記レーザ光と共に前記被加工物にアシストガスを噴出
するガスノズルとを有し、リードフレームに半導体チッ
プを搭載し樹脂モールドで一体に封止した半導体装置に
おけるダムバーを、前記ガスノズルより前記アシストガ
スを噴出しながら前記レーザ光を照射して切断するダム
バー切断装置において、 前記レーザ発振器から発振される前記レーザ光より一部
のレーザ光を分岐させる分岐手段と、前記ダムバーと前
記リードフレームの各リードと前記樹脂モールドとに囲
まれた部分に残留したダム内レジンに前記分岐手段で分
岐した前記一部のレーザ光を誘導する他の加工光学系と
をさらに設置したことを特徴とするダムバー切断装置。3. A laser oscillator that oscillates pulsed laser light, conversion means that converts the cross-sectional shape of the pulsed laser light into an elongated cross-sectional shape, and processing of the laser light from the conversion means on a workpiece. A processing optical system that guides to a position,
A dam bar in a semiconductor device that has a gas nozzle that ejects an assist gas onto the workpiece together with the laser light, and a semiconductor chip is mounted on a lead frame and integrally sealed with a resin mold, and ejects the assist gas from the gas nozzle. While irradiating with the laser light and cutting the dam bar, a branching unit for branching a part of the laser light from the laser light oscillated from the laser oscillator, the dam bar, each lead of the lead frame, and the A dam bar cutting device, characterized in that a resin in a dam remaining in a portion surrounded by a resin mold is further provided with another processing optical system for guiding the part of the laser light branched by the branching means.