JPH08195460A - Cutting method of dam bar and semiconductor device - Google Patents
Cutting method of dam bar and semiconductor deviceInfo
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- JPH08195460A JPH08195460A JP7005814A JP581495A JPH08195460A JP H08195460 A JPH08195460 A JP H08195460A JP 7005814 A JP7005814 A JP 7005814A JP 581495 A JP581495 A JP 581495A JP H08195460 A JPH08195460 A JP H08195460A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレーム上に半
導体チップを搭載した後に樹脂モールドで一体に封止し
た半導体装置に係わり、特に、ガスノズルからアシスト
ガスを放出しながらレーザ光の照射によってダムバーを
切断するダムバーの切断方法、およびそのダムバー切断
後にアウターリードをガルウィング状に折り曲げ成形し
た半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a lead frame and then integrally sealed with a resin mold. In particular, the dam bar is irradiated by a laser beam while emitting an assist gas from a gas nozzle. The present invention relates to a method of cutting a dam bar for cutting the semiconductor device, and a semiconductor device in which the outer lead is bent and formed into a gull wing shape after the dam bar is cut.
【０００２】[0002]
【従来の技術】リードフレームに半導体チップを搭載し
た後に樹脂モールドで一体に封止した半導体装置におい
て、ダムバーはリードフレームのアウターリード（以
下、適宜リードという）相互間をつなぐものであり、樹
脂モールドでリードフレームのインナーリード部分と半
導体チップを一体に封止する時に樹脂モールドがリード
間に流れ出て来るのを堰き止める役割を果たすものであ
る。また、このダムバーは各リードを補強する役割も有
する。そして、樹脂モールドによる封止が終了すると、
ダムバーは切断除去され、リードフレームの各リード
（アウターリード）が個々に切り離される。2. Description of the Related Art In a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a lead frame and then integrally sealed with a resin mold, a dam bar is used to connect outer leads (hereinafter referred to as leads) of the lead frame to each other. Thus, when the inner lead portion of the lead frame and the semiconductor chip are integrally sealed, the resin mold serves to stop the resin mold from flowing out between the leads. The dam bar also has a role of reinforcing each lead. Then, when the sealing by the resin mold is completed,
The dam bar is cut and removed, and each lead (outer lead) of the lead frame is individually cut off.
【０００３】従来では、このダムバーを打ち抜きにより
切断することが多かったが、最近では、特開平２−１５
５２５９号公報や特開平４−３２２４５４号公報に記載
されているように、レーザ光の照射による加工（以下、
レーザ加工またはレーザ切断という）を利用した方式が
開発されている。この方式においては、レーザ発振器か
ら出力されるレーザ光を集光レンズにより集光し、この
レーザ光をガスノズルの先端よりダムバーに照射して溶
断を行う。同時にレーザ光と共にアシストガスがガスノ
ズルより放出され、レーザ光照射による燃焼補助及び生
じた溶融物の除去等を行う。また、切断すべきダムバー
の位置は予め制御部に登録されており、この制御部の制
御のもとに上記ガスノズルやレーザ光を集光させる光学
系を取り付けたＸＹテーブルを移動させて順次ダムバー
が切断されて行く。この方式によれば、アウターリード
のピッチが、例えば０．５ｍｍ以下であるような、微細
な構造のリードフレームを用いた半導体装置のダムバー
の切断を、金型等を要せずに容易に行うことができる。In the past, this dam bar was often cut by punching, but recently, it has been disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2-15.
As described in Japanese Patent No. 5259 and Japanese Patent Laid-Open No. 4-322454, processing by laser light irradiation (hereinafter,
A method utilizing laser processing or laser cutting) has been developed. In this method, laser light output from a laser oscillator is condensed by a condensing lens, and the dam bar is irradiated with the laser light from the tip of the gas nozzle to perform melting. At the same time, the assist gas is emitted from the gas nozzle together with the laser light, and the combustion assist by the laser light irradiation and removal of the generated melt are performed. The position of the dam bar to be cut is registered in advance in the control unit, and under the control of this control unit, the XY table equipped with the gas nozzle and the optical system for condensing the laser beam is moved to sequentially move the dam bar. I will be disconnected. According to this method, the dam bar of a semiconductor device using a lead frame having a fine structure in which the pitch of outer leads is, for example, 0.5 mm or less is easily cut without using a mold or the like. be able to.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術におい
て、樹脂モールドの厚みが、例えば０．７ｍｍ以下と薄
い時には、ガスノズルと樹脂モールドが干渉することな
くガスノズルをダムバーに十分が近付けられるので、最
適なガスノズル下面とダムバーとの距離（以下、ノズル
ギャップという）が確保でき、アシストガスにおいて直
線的な流れ（以下、直線流という）が支配的になる。従
って、付着するドロスの量を低減でき、しかも後述する
ようなヒゲドロスもできないようにすることができる。In the prior art described above, when the thickness of the resin mold is thin, for example, 0.7 mm or less, the gas nozzle can be brought sufficiently close to the dam bar without interference between the gas nozzle and the resin mold. The distance between the lower surface of the gas nozzle and the dam bar (hereinafter referred to as the nozzle gap) can be secured, and the assist gas is dominated by a linear flow (hereinafter referred to as a linear flow). Therefore, the amount of dross that adheres can be reduced, and beard loss as described later can be prevented.
【０００５】一般的な半導体装置ではダムバーと樹脂モ
ールド外周側面との距離がアウターリードのピッチより
もかなり短く設定されることが多いが、アウターリード
のピッチが０．５ｍｍ以下の微細な構造のリードフレー
ムを使用した半導体装置であって、樹脂モールドの厚さ
がある程度以上の厚み、例えば上記の０．７ｍｍ以上で
あるような半導体装置のダムバーをレーザ切断するとな
ると、ガスノズルをダムバーに近づける際に、ガスノズ
ルと樹脂モールドが干渉してしまう。これはダムバーと
樹脂モールド外周側面との距離がアウターリードのピッ
チよりも短いこと、または樹脂モールド縁部斜面の傾斜
角度とガスノズル先端部分の傾斜角度の関係に起因して
いる。In a general semiconductor device, the distance between the dam bar and the outer peripheral surface of the resin mold is often set to be considerably shorter than the pitch of the outer leads. However, the pitch of the outer leads is 0.5 mm or less. In the case of a semiconductor device using a frame, when laser cutting a dam bar of a semiconductor device in which the thickness of the resin mold is a certain thickness or more, for example, 0.7 mm or more, when the gas nozzle is brought close to the dam bar, The gas nozzle interferes with the resin mold. This is because the distance between the dam bar and the outer peripheral side surface of the resin mold is shorter than the pitch of the outer leads, or the relationship between the inclination angle of the resin mold edge slope and the inclination angle of the gas nozzle tip.
【０００６】アシストガスを加工すべき部分に吹き付け
るのは、レーザ照射による燃焼の補助および生じた溶融
物の除去のためであり、溶融物除去の効果を高めるため
には、生じた溶融物を冷え固まらないうちにできるだけ
除去できるようガスノズルをある程度ダムバーの照射位
置に近づけて最適なノズルギャップとしなければならな
い。ところが、上記のようにガスノズルと樹脂モールド
が干渉する場合には、ガスノズルを切断すべきダムバー
に近づけることができないため、最適なノズルギャップ
をとることができず、アシストガスの働きを有効に利用
することができなくなる。以下、このことについて、説
明する。The assist gas is blown to the portion to be processed for the purpose of assisting combustion by laser irradiation and removal of the generated melt. To enhance the effect of removing the melt, the generated melt is cooled. The gas nozzle must be close to the irradiation position of the dam bar to an optimum nozzle gap so that it can be removed as much as possible before it solidifies. However, when the gas nozzle and the resin mold interfere with each other as described above, the gas nozzle cannot be brought close to the dam bar to be cut, so that the optimum nozzle gap cannot be taken and the function of the assist gas is effectively used. Can't do it. Hereinafter, this will be described.
【０００７】ガスノズルと樹脂モールドの干渉を避けて
ガスノズルを遠ざけた場合、即ちノズルギャップを大き
くとった場合には、アシストガスの流れ方向に樹脂モー
ルド縁部の斜面が存在することになる。この時、ガスノ
ズル先端部分から噴射した直後のアシストガスの流れ方
向はガスノズル先端部分の下面に垂直であるが、ダムバ
ーに到着する際には樹脂モールドに近い所でその斜面に
沿った流れの成分が存在することになり、ダムバーには
樹脂モールドから斜めに遠ざかる方向にアシストガスが
当たることになる。When the gas nozzle is moved away from the resin mold while avoiding the interference between the gas nozzle and the resin mold, that is, when the nozzle gap is large, a sloped surface of the resin mold edge exists in the assist gas flow direction. At this time, the flow direction of the assist gas immediately after being injected from the gas nozzle tip is perpendicular to the lower surface of the gas nozzle tip, but when it reaches the dam bar, the flow component along the slope near the resin mold is As a result, the assist gas impinges on the dam bar in a direction obliquely moving away from the resin mold.
【０００８】上述のような斜め方向へのアシストガスの
流れが存在すると、残留溶融物が冷え固まってできるド
ロスは切断した部分の裏面で樹脂モールドより遠ざかる
向きに付着する。この場合に形成されるドロスは、アシ
ストガスの流れの方向にヒゲ状に長く伸びて付着するこ
とが多い（以下、これをヒゲドロスという）。このヒゲ
ドロスは、リードに強固に付着していないため、容易に
浮き上がったり立ち上がったりし、隣接するリードに接
触しリード間を電気的に短絡する危険性がある。また、
ヒゲドロスの大きさは、通常のドロスに比べてかなり大
きいため、半導体装置の電子回路基板上への実装時に基
板上に不規則に付着することもあり、基板上の電気配線
間をも電気的に短絡する危険性がある。When the assist gas flows in the oblique direction as described above, the dross formed by cooling and solidifying the residual melt adheres on the back surface of the cut portion in a direction away from the resin mold. The dross formed in this case often extends in a whisker-like shape in the direction of the flow of the assist gas and adheres to the assist gas (hereinafter referred to as a “beard dross”). Since this beard is not firmly attached to the leads, there is a risk that it easily rises or rises, contacts adjacent leads, and electrically shorts the leads. Also,
Since the size of the beard dross is considerably larger than that of a normal dross, it may be attached irregularly on the board when the semiconductor device is mounted on the electronic circuit board, and the electrical wiring between the electric wires on the board is also electrically connected. There is a risk of short circuit.
【０００９】また、ドロスとなる高温の溶融物がアシス
トガスの流れ方向に移動してリードをえぐり取りリード
を細くしてしまうと、その後のリード（アウターリー
ド）の曲げ成形加工時に、そのえぐれ部に応力が集中し
てリードが破断してしまう不具合を発生する。Further, if a high-temperature melt that becomes a dross moves in the assist gas flow direction and the lead is thinned to make the lead thin, the cut-out portion at the time of subsequent bending processing of the lead (outer lead). The stress concentrates on the lead and breaks the lead.
【００１０】さらに、ノズルギャップを大きくとると、
加工部分でのアシストガスによる溶融物除去効果がうす
れ、ドロス量が増加したりドロスが大きく成長し、さら
に上述のヒゲドロスも形成されやすくなり、ドロス付着
による種々の問題が発生しやすくなる。即ち、加工後の
表面清浄度や寸法精度等の加工品質を悪化させたり、ド
ロスの不規則な剥落による電気的短絡の発生が多くなっ
たり、アウターリード折り曲げ成形時に拘束治具でうま
く固定できなくなったり、その折り曲げ成形精度が低下
したりする。また、ノズルギャップを長くすることによ
り、そのノズルギャップの変化に対応したレーザ光の焦
点位置を自動または手動で制御しなければならなず、そ
のための作業が必要となる他、上記ノズルギャップの変
化に伴なってガスノズルより噴射するアシストガスの効
果が大幅に変化するため、半導体装置のタイプの変更に
合わせて一々調整する必要があり、安定した加工ができ
なくなる。Further, if the nozzle gap is increased,
The effect of removing the molten material by the assist gas in the processed portion is weakened, the amount of dross increases or the dross grows large, and the above-mentioned beard dross is easily formed, so that various problems due to dross adhesion easily occur. That is, the processing quality such as surface cleanliness and dimensional accuracy after processing is deteriorated, electrical shorts occur frequently due to irregular dross peeling, and it becomes difficult to fix them properly with a restraint jig during outer lead bending. Or, the bending and forming accuracy may be reduced. Further, by making the nozzle gap longer, the focus position of the laser light corresponding to the change of the nozzle gap must be controlled automatically or manually, and the work for that must be performed. As a result, the effect of the assist gas injected from the gas nozzle changes drastically. Therefore, it is necessary to make adjustments according to the change in the type of the semiconductor device, and stable processing cannot be performed.
【００１１】ただし、このノズルギャップを大きくとる
ことによる不具合は、たとえ前述のようなガスノズルと
樹脂モールドの干渉がない場合でも起こり得る。However, the problem due to the large nozzle gap can occur even if there is no interference between the gas nozzle and the resin mold as described above.
【００１２】本発明の目的は、レーザ光照射によるダム
バー切断時にアシストガスの働きを有効に利用すること
が可能で、リードへのドロス付着の影響を減らすことが
できるダムバーの切断方法、およびそのダムバー切断後
にアウターリードをガルウィング状に折り曲げ成形した
半導体装置を提供することである。It is an object of the present invention to utilize the function of an assist gas effectively when cutting a dam bar by laser light irradiation, and to reduce the influence of dross adhesion to leads, and a dam bar cutting method therefor. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device in which an outer lead is bent and formed into a gull wing shape after cutting.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、ピッチが０．５ｍｍ以下の多数の
アウターリードおよびそのアウターリード間に設けられ
たダムバーを有するリードフレーム上に半導体チップを
搭載し、前記リードフレームのアウターリードおよびダ
ムバーを除く部分と前記半導体チップとを樹脂モールド
で一体に封止した半導体装置のダムバーを、ガスノズル
からアシストガスを放出しながらレーザ光の照射によっ
て切断するダムバーの切断方法において、前記ダムバー
の樹脂モールド側の側面と前記樹脂モールド外周側面と
の距離、およびその樹脂モールド外周側面の傾斜角度
を、ダムバーを切断するための加工位置にガスノズルを
設定したときに樹脂モールドとの干渉が起こらないよう
に選定し、前記加工位置に前記ガスノズルを設定して前
記レーザ光の照射によりダムバーを切断することを特徴
とするダムバーの切断方法が提供される。In order to achieve the above object, according to the present invention, a semiconductor is provided on a lead frame having a large number of outer leads having a pitch of 0.5 mm or less and a dam bar provided between the outer leads. Cutting the dam bar of the semiconductor device in which the chip is mounted and the part excluding the outer lead and the dam bar of the lead frame and the semiconductor chip are integrally sealed with the resin mold by irradiating the laser beam while emitting the assist gas from the gas nozzle. In the method for cutting a dam bar, the distance between the resin mold side surface of the dam bar and the resin mold outer peripheral side surface, and the inclination angle of the resin mold outer peripheral side surface are set when the gas nozzle is set at a processing position for cutting the dam bar. Selected so that there is no interference with the resin mold, and Dam bar cutting method, wherein the set of gas nozzles to cut the dam bars by irradiation of the laser beam is provided to.
【００１４】また、本発明によれば、ピッチが０．５ｍ
ｍ以下の多数のアウターリードおよびそのアウターリー
ド間に設けられたダムバーを有するリードフレーム上に
半導体チップを搭載し、前記リードフレームのアウター
リードおよびダムバーを除く部分と前記半導体チップと
を樹脂モールドで一体に封止した半導体装置の前記ダム
バーを、ガスノズルからアシストガスを放出しながらレ
ーザ光の照射によって切断するダムバーの切断方法にお
いて、前記ダムバーの中央位置と前記樹脂モールド外周
側面との距離を、前記ガスノズル先端部分の内周半径以
上の長さに選定し、そのガスノズルを加工位置に設定し
て前記レーザ光の照射によりダムバーを切断することを
特徴とするダムバーの切断方法が提供される。According to the present invention, the pitch is 0.5 m.
A semiconductor chip is mounted on a lead frame having a large number of outer leads of m or less and a dam bar provided between the outer leads, and the portion of the lead frame excluding the outer leads and the dam bar and the semiconductor chip are integrated by resin molding. In the method of cutting the dam bar of the semiconductor device sealed in, by cutting the dam bar by irradiating a laser beam while emitting an assist gas from a gas nozzle, the distance between the center position of the dam bar and the outer peripheral side surface of the resin mold is set to the gas nozzle. There is provided a dam bar cutting method, which is characterized in that the length is selected to be equal to or longer than the inner radius of the tip portion, the gas nozzle is set at a processing position, and the dam bar is cut by irradiation of the laser beam.
【００１５】上記ガスノズルの先端部分の内径を、好ま
しくは０．７５ｍｍ以上３．０ｍｍ以下とし、また、そ
のガスノズルの先端部分の外径を、好ましくは０．９５
ｍｍ以上３．２ｍｍ以下とする。The inner diameter of the tip portion of the gas nozzle is preferably 0.75 mm or more and 3.0 mm or less, and the outer diameter of the tip portion of the gas nozzle is preferably 0.95.
mm or more and 3.2 mm or less.
【００１６】また、本発明によれば、上記のようなダム
バーの切断方法によってダムバーを切断した後に前記ア
ウターリードをガルウィング状に折り曲げ成形したこと
を特徴とする半導体装置が提供される。Further, according to the present invention, there is provided a semiconductor device characterized in that the outer lead is bent and formed into a gull wing shape after the dam bar is cut by the dam bar cutting method described above.
【００１７】[0017]
【作用】上記のように構成した本発明においては、ダム
バーの樹脂モールド側の側面と樹脂モールド外周側面と
の距離、および樹脂モールドの傾斜角度を選定するに際
して、ダムバーを切断するための加工位置にガスノズル
を設定したときに樹脂モールドとガスノズルとの干渉が
起こらないような条件を選定することにより、半導体装
置のタイプの変更に伴なう樹脂モールド厚さの変化に合
わせて最適のノズルギャップをとることができ、アシス
トガスの働きを有効に利用することができる。つまり、
ガスノズルより噴射したアシストガスが樹脂モールドの
斜面に沿って流れることがなく、従ってダムバーに対し
樹脂モールドから斜めに遠ざかる方向に流れることがな
くなってヒゲドロスが形成されることが防止される。ま
た、溶融物が斜め方向に移動してリードをえぐり取りこ
ともなくなるため、リードが曲げ成形加工時に断線する
ことがなくなる。さらに、アシストガスによって溶融物
が十分に除去されるためにドロス自体の量も少なくな
る。In the present invention constructed as described above, when selecting the distance between the side surface of the dam bar on the resin mold side and the outer peripheral side surface of the resin mold, and the inclination angle of the resin mold, the processing position for cutting the dam bar is selected. By selecting the conditions that do not cause interference between the resin mold and the gas nozzle when setting the gas nozzle, the optimum nozzle gap is taken according to the change in the resin mold thickness accompanying the change in the type of semiconductor device. Therefore, the function of the assist gas can be effectively used. That is,
The assist gas injected from the gas nozzle does not flow along the slope of the resin mold, and therefore, the assist gas is prevented from flowing obliquely away from the resin mold with respect to the dam bar, so that the bead loss is prevented from being formed. In addition, since the melt does not move diagonally and the lead is not cut out, the lead does not break during the bending process. Furthermore, since the melt is sufficiently removed by the assist gas, the amount of dross itself is reduced.
【００１８】ここで、最適のノズルギャップについて述
べておく。最適のノズルギャップを決定するパラメータ
としては、ガスノズル形状、即ちガスノズル先端の内径
およびガスノズル先端の外径や、アシストガス圧力や、
加工する部分の幅等があるが、例えばリードフレーム素
材として一般的な厚さ０．２ｍｍ程度の金属板を切断す
る場合、ガスノズル先端の内径が１ｍｍのものを用いる
時には１ｍｍ程度のノズルギャップが最適である。ま
た、アシストガス圧力が通常の１０ｋｇｆ／ｍｍ2以下
に対して２０ｋｇｆ／ｃｍ2程度と高くなると上記ノズ
ルギャップは数１００μｍ程度大きく設定しても加工品
質に影響を及ぼさず、ドロスの付着量も増加することが
ない。さらに、上記と同じ金属板の切断の場合で、ガス
ノズル先端の内径が２ｍｍのものを用いる時はに２ｍｍ
程度のノズルギャップが最適である。Here, the optimum nozzle gap will be described. As parameters for determining the optimum nozzle gap, the gas nozzle shape, that is, the inner diameter of the gas nozzle tip and the outer diameter of the gas nozzle tip, the assist gas pressure,
Although there is a width of the part to be processed, for example, when cutting a general metal plate with a thickness of about 0.2 mm as a lead frame material, a nozzle gap of about 1 mm is optimal when using a gas nozzle with an inner diameter of 1 mm. Is. Further, without affecting the machining quality even when the assist gas pressure as high as 20 kgf / cm 2 about for normal 10 kgf / mm 2 or less the nozzle gap set several 100μm large, also increased adhesion amount of dross There is nothing to do. Furthermore, in the case of cutting the same metal plate as above, when using a gas nozzle tip with an inner diameter of 2 mm, 2 mm
A nozzle gap of some degree is optimal.
【００１９】また、本発明においては、ダムバーの中央
位置と樹脂モールド外周側面との距離をガスノズル先端
部分の内周半径以上の長さに選定し、ガスノズルを加工
位置に設定してレーザ光照射によりダムバーを切断する
ことにより、少なくともアシストガスの流れ方向に樹脂
モールド縁部の斜面が存在することがなくなる。これに
より、ガスノズルから噴射したアシストガスの流れにお
いて直線流が支配的になり、ガスノズル先端部分の下面
に垂直なアシストガスの流れは、ダムバーに到達する時
にもその方向がほとんど変わらずダムバーにほぼ垂直に
アシストガスが当たることになる。このようにアシスト
ガスにおいて直線流が支配的になることにより、ダムバ
ーに対し樹脂モールドから斜めに遠ざかる方向にアシス
トガスが流れることがなくなって上記と同様にヒゲドロ
スが形成されることが防止され、また溶融物がリードを
えぐり取りこともなくその断線も防止される。Further, in the present invention, the distance between the central position of the dam bar and the outer peripheral side surface of the resin mold is selected to be equal to or longer than the inner radius of the tip portion of the gas nozzle, and the gas nozzle is set at the processing position to perform laser light irradiation. By cutting the dam bar, the slope of the resin mold edge does not exist at least in the flow direction of the assist gas. As a result, the linear flow becomes dominant in the flow of the assist gas injected from the gas nozzle, and the flow of the assist gas perpendicular to the lower surface of the tip of the gas nozzle does not change its direction even when reaching the dam bar and is almost perpendicular to the dam bar. Assist gas will hit. Since the linear flow becomes dominant in the assist gas in this manner, it is prevented that the assist gas does not flow in a direction obliquely distant from the resin mold with respect to the dam bar, and a beard loss is formed as in the above. The melt does not scoop the lead and the disconnection is prevented.
【００２０】上記において、ガスノズル先端部分の寸法
としては、内径が０．７５ｍｍ以上３．０ｍｍ以下、外
径が０．９５ｍｍ以上３．２ｍｍ以下が適当である。こ
のようなガスノズルは、アウターリードのピッチが０．
５ｍｍ以下の微細なリードフレームのダムバーをレーザ
切断するのに適切である。さらに、ダムバーの位置まで
流出してきた樹脂（以下、ダム内レジンという）をダム
バー切断と同時に除去するのにも都合がよい。In the above description, it is appropriate that the tip of the gas nozzle has an inner diameter of 0.75 mm or more and 3.0 mm or less and an outer diameter of 0.95 mm or more and 3.2 mm or less. Such a gas nozzle has an outer lead pitch of 0.
It is suitable for laser cutting a fine lead frame dam bar of 5 mm or less. Furthermore, it is convenient to remove the resin that has flown to the position of the dam bar (hereinafter referred to as the resin in the dam) simultaneously with cutting the dam bar.
【００２１】[0021]
【実施例】本発明の一実施例によるダムバーの切断方法
および半導体装置について、図１から図９を参照しなが
ら説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method of cutting a dam bar and a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
【００２２】まず、半導体装置１の形状について図１に
より説明する。ただし、図１は、本実施例の半導体装置
１と後述するガスノズル１０５の位置関係を示す図であ
るが、これら半導体装置１とガスノズル１０５の位置関
係については後述する。また、図１では、簡単のため、
半導体チップを含む樹脂モールド２内部の構造を省略し
た（以下、図４、図８、図１０についても同様とす
る）。First, the shape of the semiconductor device 1 will be described with reference to FIG. However, although FIG. 1 is a diagram showing a positional relationship between the semiconductor device 1 of this embodiment and a gas nozzle 105 described later, the positional relationship between the semiconductor device 1 and the gas nozzle 105 will be described later. Further, in FIG. 1, for simplicity,
The internal structure of the resin mold 2 including the semiconductor chip is omitted (the same applies to FIGS. 4, 8, and 10).
【００２３】図１において、半導体装置１は、リードフ
レーム３に半導体チップ（図９参照）を搭載し樹脂モー
ルド２で一体封止したものである。また、リードフレー
ム３に設けられたダムバー４は、相隣り合うアウターリ
ード５をつなぐものであり、樹脂モールド２でリードフ
レーム３と半導体チップとを一体に封止する時に樹脂モ
ールド２がリードの間に流れてくるのを堰き止める役割
を果たすものである。また、このダムバー４は各リード
を補強する役割も有する。一体封止後の樹脂モールド２
からはアウターリード５が突出しており、樹脂モールド
２の縁部は斜面となっている。In FIG. 1, a semiconductor device 1 has a semiconductor device (see FIG. 9) mounted on a lead frame 3 and integrally sealed with a resin mold 2. Further, the dam bar 4 provided on the lead frame 3 connects the outer leads 5 adjacent to each other, and when the resin mold 2 integrally seals the lead frame 3 and the semiconductor chip, the resin mold 2 is provided between the leads. It plays the role of blocking the flow of water to the river. The dam bar 4 also has a role of reinforcing each lead. Resin mold 2 after integrated sealing
The outer lead 5 is projected from the outer side, and the edge portion of the resin mold 2 is a sloped surface.
【００２４】ダムバー４は樹脂モールド２による封止が
終了すると本実施例で説明するように切断除去され、こ
れによりリードフレーム３の各リード（アウターリード
５）が個々に切り離される。なお、半導体装置の製造
は、ダムバーを切断した後にアウターリードを折り曲げ
成形した後に完了するのであって、ダムバーの切断前の
状態は厳密に言うと中間製品であるが、本発明において
は、簡単のためこのような中間製品のことも半導体装置
と称することとする。When the sealing by the resin mold 2 is completed, the dam bar 4 is cut and removed as described in this embodiment, whereby the leads (outer leads 5) of the lead frame 3 are individually cut off. The manufacturing of the semiconductor device is completed after bending the outer lead after cutting the dam bar, and the state before cutting the dam bar is strictly an intermediate product.However, in the present invention, Therefore, such an intermediate product is also referred to as a semiconductor device.
【００２５】上記ダムバー４をレーザ光照射によって切
断するためのレーザ加工装置について図２により説明す
る。図２に示すように、本実施例に使用するレーザ加工
装置は、レーザ光を出力するレーザ発振器１０１、半導
体装置１を搭載し水平面内（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）
に移動自在なＸＹテーブル１０２、レーザ発振器１０２
を上下方向（Ｚ軸方向）に移動させるＺテーブル１０
３、レーザ発振器１０１に付設された加工ヘッド１０
４、加工ヘッド１０４の底面に半導体装置１に臨むよう
に付設されたガスノズル１０５、レーザ発振器１０１で
のレーザ発振のための電力を供給する電源１０６、ＸＹ
テーブル１０２の水平面内（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）の
移動動作、Ｚテーブル１０３の上下方向（Ｚ軸方向）の
移動動作、レーザ発振器１０１の発振動作を制御する制
御部１０７を備えている。ただし、図２に置ける半導体
装置１の形状は若干簡略化して表している。A laser processing apparatus for cutting the dam bar 4 by laser light irradiation will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2, the laser processing apparatus used in the present embodiment is equipped with a laser oscillator 101 that outputs laser light and a semiconductor device 1, and is in a horizontal plane (X-axis direction and Y-axis direction).
XY table 102 and laser oscillator 102 that can be moved freely
Table 10 for moving the vertical direction (Z-axis direction)
3. Processing head 10 attached to laser oscillator 101
4, a gas nozzle 105 attached to the bottom surface of the processing head 104 so as to face the semiconductor device 1, a power supply 106 for supplying electric power for laser oscillation in the laser oscillator 101, XY
A control unit 107 is provided to control the movement operation of the table 102 in the horizontal plane (X-axis direction and Y-axis direction), the movement operation of the Z table 103 in the vertical direction (Z-axis direction), and the oscillation operation of the laser oscillator 101. However, the shape of the semiconductor device 1 shown in FIG. 2 is shown in a slightly simplified form.
【００２６】次に、半導体装置１とガスノズル１０５の
位置関係について説明する。本実施例では、ダムバー４
を能率よく確実にレーザ切断するため、ガスノズル１０
５の中心軸をダムバー４中央位置に合わせた状態でレー
ザ光１０８を照射することとする。図１において、樹脂
モールド２のリードフレーム３からの高さをＤM、リー
ドフレーム３表面に対する樹脂モールド２縁部斜面の傾
斜角度をθD、ダムバー４の幅をＷD、ダムバー４の樹脂
モールド側の側面と樹脂モールド２外周側面との距離を
ＷMとする。また、ガスノズル１０５の内周半径をＲN、
外周半径をＲ、ガスノズル１０５先端部分断面における
リードフレーム３表面に対する傾斜角度をθN、ガスノ
ズル１０５下面とダムバー４との距離即ちノズルギャッ
プをＧNとする。この時、ガスノズル１０５と樹脂モー
ルド２縁部斜面とが干渉しないための条件は、次のよう
になる。Next, the positional relationship between the semiconductor device 1 and the gas nozzle 105 will be described. In this embodiment, the dam bar 4
Gas nozzle 10 for efficient and reliable laser cutting
The laser beam 108 is irradiated with the central axis of 5 aligned with the central position of the dam bar 4. In FIG. 1, the height of the resin mold 2 from the lead frame 3 is D M , the inclination angle of the edge of the resin mold 2 with respect to the surface of the lead frame 3 is θ D , the width of the dam bar 4 is W D , and the resin mold of the dam bar 4 is The distance between the side surface on the side and the outer peripheral side surface of the resin mold 2 is W M. Further, the inner radius of the gas nozzle 105 R N,
Let R be the outer radius, θ N be the inclination angle with respect to the surface of the lead frame 3 in the partial cross section of the tip of the gas nozzle 105, and G N be the distance between the lower surface of the gas nozzle 105 and the dam bar 4, ie, the nozzle gap. At this time, the conditions for the gas nozzle 105 and the slope of the edge of the resin mold 2 not to interfere with each other are as follows.
【００２７】[0027]
【数１】 [Equation 1]
【００２８】[0028]
【数２】 [Equation 2]
【００２９】上記のうち式（１）はガスノズルの１０５
の下面が樹脂モールド２縁部斜面が干渉しない条件とな
っており、式（２）は樹脂モールド２上面とガスノズル
の１０５先端部分斜面が干渉しない条件となっている。
本実施例では、樹脂モールド２による一体封止の際に、
半導体装置１の外周側面の形状が上記の式（１）または
式（２）の条件を満たすようにしておき、その一体封止
後にダムバー４の切断を行う。Equation (1) among the above is expressed by 105 of the gas nozzle.
Is a condition that the edge slope of the resin mold 2 does not interfere, and Expression (2) is a condition that the slope of the resin mold 2 does not interfere with the slope of the tip portion of the gas nozzle 105.
In this embodiment, when the resin mold 2 is integrally sealed,
The shape of the outer peripheral side surface of the semiconductor device 1 is set to satisfy the condition of the above formula (1) or formula (2), and the dam bar 4 is cut after the integral sealing.
【００３０】例えば、アウターリード５のピッチが０．
３ｍｍであるＱＦＰの場合、一般にθMは８０°程度、
樹脂モールド２の高さＤMは１．５ｍｍ程度、ダムバー
４の幅ＷDは０．２ｍｍ程度であるが、このＱＦＰのダ
ムバー４を切断する際に、先端部分の外周半径Ｒが１ｍ
ｍで傾斜角度θNが７０°のガスノズル１０５を用いて
ノズルギャップＧNが１ｍｍとなるようにした場合の、
ダムバー４の樹脂モールド側の側面と樹脂モールド２外
周側面との距離ＷMの条件は、概ね、 ＷM＞約０．３２ｍｍ となる。For example, the pitch of the outer leads 5 is 0.
In the case of QFP of 3 mm, θ M is generally about 80 °,
The height D M of the resin mold 2 is about 1.5 mm and the width W D of the dam bar 4 is about 0.2 mm. When the dam bar 4 of this QFP is cut, the outer radius R of the tip portion is 1 m.
When the gas nozzle 105 having a tilt angle θ N of 70 ° at m is used and the nozzle gap G N is 1 mm,
The condition of the distance W M between the side surface of the dam bar 4 on the resin mold side and the outer peripheral side surface of the resin mold 2 is approximately W M > about 0.32 mm.
【００３１】次に、図２に示すレーザ加工装置によりレ
ーザ光１０８がダムバー４へ照射される状況を図３によ
り説明する。図３において、レーザ発振器１０１から加
工ヘッド１０４に対し、レーザ光１０８が入射する。加
工ヘッド１０４の内部の光学系には、ベンディングミラ
ー１０９が設けられ、レーザ光１０８を反射させて半導
体装置１の方向に誘導する。また、半導体装置１に臨む
ように位置するガスノズル１０５の上部には集光レンズ
１１０が配設されており、半導体装置１のダムバー４の
切断を可能にする所要のエネルギ密度を有するように、
この集光レンズ１１０によって充分に集光される。集光
されたレーザ光１０８は、ガスノズル１０５の先端部分
から外部に出力され、半導体装置１上の加工位置Ｐ、即
ちダムバー４に照射される。さらに、ガスノズル１０５
にはアシストガス供給口１１１が設けられており、アシ
ストガス供給口１１１に供給されたアシストガス１１２
がガスノズル１０５の先端部分から上記レーザ光１０８
と同時に加工位置Ｐに噴射され、レーザ光１０８の照射
による燃焼補助、及び生じた溶融物の除去等を行う。Next, a situation in which the laser beam 108 is applied to the dam bar 4 by the laser processing apparatus shown in FIG. 2 will be described with reference to FIG. In FIG. 3, laser light 108 is incident on the processing head 104 from the laser oscillator 101. A bending mirror 109 is provided in the optical system inside the processing head 104 to reflect the laser beam 108 and guide it toward the semiconductor device 1. Further, a condenser lens 110 is provided above the gas nozzle 105 positioned so as to face the semiconductor device 1, and has a required energy density that enables cutting of the dam bar 4 of the semiconductor device 1.
The light is sufficiently condensed by the condenser lens 110. The focused laser beam 108 is output from the tip of the gas nozzle 105 to the outside, and is irradiated to the processing position P on the semiconductor device 1, that is, the dam bar 4. Furthermore, the gas nozzle 105
Is provided with an assist gas supply port 111, and the assist gas 112 supplied to the assist gas supply port 111 is
Is the laser beam 108 from the tip of the gas nozzle 105.
At the same time, it is jetted to the processing position P to assist combustion by irradiation with the laser beam 108 and remove the generated melt.
【００３２】上記レーザ加工装置を使用したダムバー４
の切断に際しては、まず、集光レンズ１１０によって集
光されたレーザ光１０８がダムバー４上の加工位置Ｐで
焦点を結ぶようにＺテーブル１０３を動作させ、上下方
向の位置関係を調整することにより位置設定を行い、そ
の後、制御部１０７の制御の下で、アシストガス１１２
を供給し、レーザ発振器１０１を発振動作させ、レーザ
光１０８をダムバー４上に照射する。その時、樹脂モー
ルド２とガスノズル１０５との干渉が起こらない状態を
保ちながらレーザ光１０８を照射する。充分な熱エネル
ギになるまで集光されたレーザ光１０８によってダムバ
ー４表面の照射された部分が溶融し、これが熱源となっ
てこの溶融が表面から順次深さ方向に向って進行し、や
がてダムバー４が切断される。そして、ＸＹテーブル１
０２を予め制御部１０７に登録された所定の軌跡で移動
させ、レーザ光１０８の光軸を相対的に移動させること
により順次ダムバー４の切断が行われる。Dam bar 4 using the above laser processing apparatus
At the time of cutting, first, the Z table 103 is operated so that the laser light 108 condensed by the condenser lens 110 is focused at the processing position P on the dam bar 4, and the vertical positional relationship is adjusted. After setting the position, the assist gas 112 is controlled under the control of the control unit 107.
Is supplied to oscillate the laser oscillator 101 to irradiate the laser beam 108 onto the dam bar 4. At that time, the laser beam 108 is irradiated while maintaining a state in which the resin mold 2 and the gas nozzle 105 do not interfere with each other. The irradiated portion of the surface of the dam bar 4 is melted by the laser beam 108 condensed until the heat energy becomes sufficient, and this serves as a heat source, and the melting progresses sequentially from the surface toward the depth direction, and eventually the dam bar 4 is formed. Is disconnected. And XY table 1
02 is moved along a predetermined locus registered in the control unit 107 in advance, and the optical axis of the laser beam 108 is relatively moved, whereby the dam bars 4 are sequentially cut.
【００３３】ところで、従来では、ダムバー４の樹脂モ
ールド側の側面と樹脂モールド２外周側面との距離がア
ウターリード５のピッチよりもかなり短く設定されるこ
とが多く、アウターリードのピッチが０．３ｍｍである
一般的なＱＦＰの場合、０．２ｍｍ程度である。この場
合、樹脂モールド２の厚さがある程度以上となると、ガ
スノズル１０５をダムバー４に近づける際に、ガスノズ
ル１０５と樹脂モールド４が干渉してしまう。従って、
従来では、図４に示すようにガスノズル１０５と樹脂モ
ールド２の干渉を避けてガスノズル１０５を遠ざける必
要があった。このため、最適なノズルギャップをとるこ
とができず、生じた溶融物を冷え固まらないうちに除去
するというアシストガス１１２の働きを有効に利用する
ことができなくなる。By the way, conventionally, the distance between the side surface of the dam bar 4 on the resin mold side and the outer peripheral side surface of the resin mold 2 is often set to be considerably shorter than the pitch of the outer leads 5, and the pitch of the outer leads is 0.3 mm. In the case of a general QFP, the distance is about 0.2 mm. In this case, when the thickness of the resin mold 2 exceeds a certain level, the gas nozzle 105 and the resin mold 4 interfere with each other when the gas nozzle 105 is brought close to the dam bar 4. Therefore,
Conventionally, as shown in FIG. 4, it was necessary to avoid the interference between the gas nozzle 105 and the resin mold 2 and to move the gas nozzle 105 away from each other. Therefore, the optimum nozzle gap cannot be taken, and the function of the assist gas 112 that removes the generated melt before it cools and solidifies cannot be used effectively.
【００３４】図４の場合、即ちノズルギャップを大きく
とった場合には、アシストガス１１２の流れ方向に樹脂
モールド２縁部の斜面が存在することになる。この時、
ガスノズル１０５先端部分から噴射した直後のアシスト
ガス１１２の流れ方向は、図中矢印１１２ａで示すよう
にガスノズル１０５先端部分の下面（開口面）に垂直で
あるが、ダムバー４に到着する際には樹脂モールド２に
近い所でその斜面に沿った流れの成分が存在することに
なり、樹脂モールド２からに十分遠いところではアシス
トガス１１２の流れはダムバー４にほぼ垂直な成分のみ
となる。従って、図中矢印１１２ｂで示すようにダムバ
ー４には樹脂モールド２から斜めに遠ざかる方向にアシ
ストガスが当たることになる。In the case of FIG. 4, that is, when the nozzle gap is large, a sloped surface of the edge portion of the resin mold 2 exists in the flow direction of the assist gas 112. This time,
The flow direction of the assist gas 112 immediately after being injected from the tip portion of the gas nozzle 105 is perpendicular to the lower surface (opening surface) of the tip portion of the gas nozzle 105 as indicated by an arrow 112a in the figure, but when it reaches the dam bar 4, The flow component along the slope exists near the mold 2, and the flow of the assist gas 112 is only a component substantially perpendicular to the dam bar 4 at a position sufficiently far from the resin mold 2. Therefore, as shown by an arrow 112b in the figure, the assist gas is applied to the dam bar 4 in a direction in which the dam bar 4 is obliquely distant from the resin mold 2.
【００３５】レーザ光１０８の照射によってダムバー４
を切断する場合には、アシストガス１１２で除去しきれ
なかった残留溶融物が冷え固まり、ダムバー４切断後の
状態をリードフレーム３裏面からみると図５に示すよう
にドロス６が切断された部分の裏面に付着する。ここで
上記のような斜め方向へのアシストガス１１２ｂの流れ
が存在すると、溶融金属は切断した部分の裏面で樹脂モ
ールドより遠ざかる向きに付着し、図６に示すように、
アシストガス１１２ｂの流れの方向にヒゲ状に長く伸び
たヒゲドロス６Ａとなることが多い。このヒゲドロス６
Ａは、アウターリード５に強固に付着していないため、
容易に浮き上がったり立ち上がったりし、隣接するアウ
ターリード５に接触しリード間を電気的に短絡する危険
性がある。また、ヒゲドロス６Ａの大きさは、通常の雫
状のドロス６（図５参照）に比べてかなり大きいため、
製品となった半導体装置を電子回路基板上へ実装する時
に基板上に不規則に付着することもあり、基板上の電気
配線間をも電気的に短絡する危険性がある。The dam bar 4 is irradiated with the laser beam 108.
When cutting, the residual melt that cannot be completely removed by the assist gas 112 is cooled and solidified, and when the state after cutting the dam bar 4 is viewed from the back surface of the lead frame 3, the dross 6 is cut off as shown in FIG. Adhere to the back side of. If there is an oblique flow of the assist gas 112b as described above, the molten metal adheres on the back surface of the cut portion in a direction away from the resin mold, and as shown in FIG.
In many cases, the mustache dross 6A extends in a beard-like shape in the flow direction of the assist gas 112b. This Beard Ross 6
Since A is not firmly attached to the outer lead 5,
There is a risk that it may easily float or stand up, contact adjacent outer leads 5 and electrically short the leads. Also, since the size of the mustard dross 6A is considerably larger than that of the ordinary drop-shaped dross 6 (see FIG. 5),
When the manufactured semiconductor device is mounted on an electronic circuit board, the semiconductor device may be irregularly adhered to the board, and there is a risk of electrical short-circuiting between electric wirings on the board.
【００３６】また、斜め方向へのアシストガス１１２ｂ
の流れが存在する場合、ドロス６やヒゲドロス６Ａとな
る高温の溶融物がアシストガス１１２ｂの流れ方向に移
動しアウターリード５をえぐり取って細くしてしまう。
図７はその状況を示す図６のVII−VII方向の断面図であ
り、図７ではえぐり取られた部分がえぐれ部７で示され
ている。このようにえぐれ部７が存在すると、その後の
アウターリード５の曲げ成形加工時に、そのえぐれ部７
に応力が集中してアウターリード５が破断してしまう不
具合を多く発生する。Also, the assist gas 112b in the oblique direction
Flow exists, the high-temperature melt that becomes the dross 6 and the mustache dross 6A moves in the flow direction of the assist gas 112b, and the outer lead 5 is scooped out to be thin.
FIG. 7 is a cross-sectional view in the VII-VII direction of FIG. 6 showing the situation, and in FIG. 7, the cut-out portion is shown as the cut-out portion 7. If the cutout portion 7 is present in this way, the cutout portion 7 is formed during the subsequent bending process of the outer lead 5.
Stress often concentrates on the outer leads 5 and often causes the outer leads 5 to break.
【００３７】さらに、ノズルギャップを大きくとると、
加工部分でのアシストガス１１２による溶融物除去効果
がうすれ、ドロス６が増加したり大きく成長したりする
と共に、ヒゲドロス６Ａも形成されやすくなり、ドロス
の付着による種々の問題が発生しやすくなる。即ち、加
工後の表面清浄度や寸法精度等の加工品質を悪化させた
り、ドロスの不規則な剥落による電気的短絡の発生が多
くなったり、アウターリード５の折り曲げ成形時に拘束
治具でうまく固定できなくなったり、その折り曲げ成形
精度が低下したりする。また、ノズルギャップを長くす
ることにより、そのノズルギャップの変化に対応したレ
ーザ光１０８の焦点位置を自動または手動で制御しなけ
ればならなず、そのための作業が必要となる他、上記ノ
ズルギャップの変化に伴なってガスノズル１０５より噴
射するアシストガス１１２の効果が大幅に変化するた
め、半導体装置１のタイプの変更に合わせて一々調整す
る必要があり、安定した加工ができなくなる。Further, if the nozzle gap is increased,
The melt removal effect by the assist gas 112 in the processed portion is weakened, the dross 6 increases or grows large, and the beard dross 6A is easily formed, and various problems due to the adhesion of the dross are likely to occur. That is, the processing quality such as surface cleanliness and dimensional accuracy after processing is deteriorated, electrical shorts are often generated due to irregular removal of dross, and the outer leads 5 are properly fixed with a restraining jig during bending. It will not be possible or the bending accuracy will be reduced. Further, by making the nozzle gap longer, the focal position of the laser beam 108 corresponding to the change of the nozzle gap must be controlled automatically or manually, and the work for that must be performed. Since the effect of the assist gas 112 sprayed from the gas nozzle 105 changes drastically with the change, it is necessary to adjust it one by one according to the change of the type of the semiconductor device 1, and stable processing cannot be performed.
【００３８】これに対し、本実施例では、ガスノズル１
０５と樹脂モールド２の位置関係を図１および式
（１）、（２）で示すように干渉しないような位置関係
とするため、樹脂モールド２厚さの変化に合わせてガス
ノズル１０５をダムバー４に近付けて最適なノズルギャ
ップＧNをとるようにすることができ、アシストガス１
１２の働きを有効に利用することができる。つまり、図
８のように、ガスノズル１０５より噴射したアシストガ
ス１１２が樹脂モールド２の斜面に沿って流れることが
なくほぼ円柱状の直線流となり、従ってダムバー４に対
し樹脂モールド２から斜めに遠ざかる方向に流れること
がなくなって図６のようなヒゲドロス６Ａが形成される
ことが防止される。これにより、ヒゲドロス６Ａによる
不具合を回避することができる。また、溶融物が斜め方
向に移動してアウターリード５にえぐれ部７を形成する
こともなくなるため、アウターリード５の曲げ成形加工
時に断線することがなくなる。さらに、アシストガス１
１２によって溶融物が十分に除去されるためにドロス６
自体の量も少なくなる。On the other hand, in this embodiment, the gas nozzle 1
05 and the resin mold 2 are positioned so as not to interfere with each other as shown in FIG. 1 and the formulas (1) and (2), the gas nozzle 105 is attached to the dam bar 4 in accordance with the change in the thickness of the resin mold 2. The optimum nozzle gap G N can be obtained by bringing them close to each other.
The 12 functions can be effectively used. That is, as shown in FIG. 8, the assist gas 112 injected from the gas nozzle 105 does not flow along the slope of the resin mold 2 and becomes a substantially columnar linear flow, and therefore, a direction in which the assist gas 112 obliquely moves away from the resin mold 2 with respect to the dam bar 4. It is prevented from flowing to the inside and forming the beard loss 6A as shown in FIG. As a result, it is possible to avoid the problem caused by the beard loss 6A. In addition, since the melt does not move diagonally to form the engraved portion 7 on the outer lead 5, disconnection does not occur during bending of the outer lead 5. Furthermore, assist gas 1
Dross 6 for sufficient removal of melt by 12
The amount of itself is also reduced.
【００３９】ただし、上記において、ガスノズル１０５
先端部分の寸法としては、内径が０．７５ｍｍ以上３．
０ｍｍ以下、外径が０．９５ｍｍ以上３．２ｍｍ以下が
適当である。このようなガスノズル１０５は、アウター
リード５のピッチが０．５ｍｍ以下の微細なリードフレ
ーム３のダムバー４をレーザ切断するのにふさわしい。
さらに、ダムバー４の位置まで流出してきたダム内レジ
ンをダムバー切断と同時に除去するのにも都合がよい。However, in the above, the gas nozzle 105
The tip portion has an inner diameter of 0.75 mm or more.
It is suitable that the outer diameter is 0 mm or less and the outer diameter is 0.95 mm or more and 3.2 mm or less. Such a gas nozzle 105 is suitable for laser cutting the dam bar 4 of the fine lead frame 3 in which the pitch of the outer leads 5 is 0.5 mm or less.
Furthermore, it is convenient to remove the resin in the dam that has flowed to the position of the dam bar 4 simultaneously with cutting the dam bar.
【００４０】次に、本実施例の半導体装置１の最終的な
形状について、図９により説明する。図９に示す半導体
装置１において、ダイパッド５１には半導体チップ５２
が搭載され、インナーリード５３の先端部分と半導体チ
ップ５２の端子とが金線等のワイヤ５４により電気的に
接続され、半導体チップ５２及びインナーリード５３を
含む部分が樹脂モールド２により封止されている。ま
た、アウターリード５は前述のようにしてダムバー４
（図１参照）が切断されることによって個々に分割さ
れ、さらに樹脂モールド２の外側でガルウィング状に折
り曲げ成形される。このアウターリード５の折り曲げ成
形された部分は、後ほど半導体装置１がプリント基板上
に搭載された時に、プリント基板の回路パターンに接続
される部分である。Next, the final shape of the semiconductor device 1 of this embodiment will be described with reference to FIG. In the semiconductor device 1 shown in FIG. 9, a semiconductor chip 52 is attached to the die pad 51.
Is mounted, the tip portion of the inner lead 53 and the terminal of the semiconductor chip 52 are electrically connected by a wire 54 such as a gold wire, and the portion including the semiconductor chip 52 and the inner lead 53 is sealed by the resin mold 2. There is. Also, the outer lead 5 is the dam bar 4 as described above.
(See FIG. 1) is cut into individual pieces, which are then bent and formed into gull-wing shapes outside the resin mold 2. The bent portion of the outer lead 5 is a portion to be connected to the circuit pattern of the printed circuit board when the semiconductor device 1 is mounted on the printed circuit board later.
【００４１】以上のような本実施例によれば、ダムバー
４の樹脂モールド側の側面と樹脂モールド２外周側面と
の距離ＷM、および樹脂モールド２縁部斜面の傾斜角度
θDを、図１および式（１）、（２）で示すようにガス
ノズル１０５との干渉が起こらないように選定するの
で、最適なノズルギャップＧNをとるようにすることが
でき、アシストガス１１２の働きを有効に利用すること
ができる。従って、ヒゲドロス６Ａが形成されることが
防止され、またドロス６の量を少なくすることができ、
そのヒゲドロス６Ａやドロス６による不具合を回避する
ことができる。さらに、アウターリード５にえぐれ部７
が形成されることが防止され、そのえぐれ部７に起因す
るアウターリード５の曲げ成形加工時における断線がな
くなる。According to the present embodiment as described above, the distance W M between the side surface of the dam bar 4 on the resin mold side and the outer peripheral side surface of the resin mold 2 and the inclination angle θ D of the inclined surface of the resin mold 2 are shown in FIG. Since the selection is made so that interference with the gas nozzle 105 does not occur as shown in Equations (1) and (2), the optimum nozzle gap G N can be set and the function of the assist gas 112 can be made effective. Can be used. Therefore, formation of the beard dross 6A is prevented, and the amount of dross 6 can be reduced,
It is possible to avoid the defect due to the beard dross 6A and dross 6. Further, the outer lead 5 and the engraved portion 7
Are prevented from being formed, and disconnection due to the gouged portion 7 during bending of the outer lead 5 is eliminated.
【００４２】従って、アウターリードのピッチが０．５
ｍｍ以下であるような微細な構造のリードフレームを用
いた半導体装置の製造方法において、安定してダムバー
切断加工を行うことができ高い品質を得ることができ
る。Therefore, the outer lead pitch is 0.5.
In a method of manufacturing a semiconductor device using a lead frame having a fine structure of mm or less, stable dam bar cutting can be performed and high quality can be obtained.
【００４３】次に、本発明の他の実施例によるダムバー
の切断方法および半導体装置について、図１０から図１
３を参照しながら説明する。ただし、図１０から図１３
において前述の実施例と同等の部材には図１から図９と
同じ符号を付した。また、本実施例でも、ダムバー４を
能率よく確実にレーザ切断するため、ガスノズル１０５
の中心軸をダムバー４中央位置に合わせた状態でレーザ
光１０８を照射することとする。Next, a dam bar cutting method and a semiconductor device according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG. However, FIG. 10 to FIG.
In FIG. 6, the same members as those in the above-described embodiment are designated by the same reference numerals as those in FIGS. Also in this embodiment, in order to efficiently and surely laser cut the dam bar 4, the gas nozzle 105 is used.
It is assumed that the laser beam 108 is irradiated with the central axis of the above is aligned with the central position of the dam bar 4.
【００４４】本実施例では、図１０に示すダムバー４の
中央位置と樹脂モールド２外周側面との距離Ｌを、ガス
ノズル１０５の内周半径ＲN以上となるように選定す
る。即ち、ガスノズル１０５の内周半径ＲN、ダムバー
４の樹脂モールド側の側面と樹脂モールド２外周側面と
の距離ＷM、ダムバー４の幅ＷDの関係を次式を満たすよ
うにする。In this embodiment, the distance L between the central position of the dam bar 4 and the outer peripheral side surface of the resin mold 2 shown in FIG. 10 is selected so as to be equal to or greater than the inner peripheral radius R N of the gas nozzle 105. That is, the following relations are satisfied: the inner radius R N of the gas nozzle 105, the distance W M between the side surface of the dam bar 4 on the resin mold side and the outer side surface of the resin mold 2, and the width W D of the dam bar 4.
【００４５】[0045]
【数３】 (Equation 3)
【００４６】例えば、前述の実施例と同様にアウターリ
ード５のピッチが０．３ｍｍ、ダムバー４の幅ＷDが
０．２ｍｍ程度であるＱＦＰのダムバー４をレーザ切断
する場合、内周半径ＲNが０．５ｍｍのガスノズル１０
５を使用するためには、ＷMを約０．４ｍｍ以上とすれ
ばよいことになる。この場合のダムバー４の樹脂モール
ド側の側面と樹脂モールド２外周側面との距離は、従来
のリードフレームよりも若干長い。For example, when laser cutting the QFP dam bar 4 in which the pitch of the outer leads 5 is 0.3 mm and the width W D of the dam bar 4 is about 0.2 mm, as in the above-described embodiment, the inner radius R N With a gas nozzle of 0.5 mm
In order to use No. 5, W M should be about 0.4 mm or more. In this case, the distance between the side surface of the dam bar 4 on the resin mold side and the outer peripheral side surface of the resin mold 2 is slightly longer than that of the conventional lead frame.
【００４７】樹脂モールド２による一体封止時に式
（３）を満たすようにダムバー４の側面と樹脂モールド
２外周側面との距離ＷMを選定し、ガスノズル１０５と
ダムバー４の相対位置をを保ちながらダムバー４をレー
ザ切断することにより、少なくともアシストガス１１２
の流れ方向には樹脂モールド２縁部の斜面が存在しなく
なる。これにより、図８と同様に、ガスノズル１０５か
ら噴射したガスノズル１０５先端部分の下面（開口面）
に垂直なアシストガス１１２の流れは、ダムバー４に到
達する時にもその方向がほとんど変わらずほぼ円柱状の
直線流となり、ダムバー４にほぼ垂直にアシストガス１
１２が当たることになる。The distance W M between the side surface of the dam bar 4 and the outer peripheral side surface of the resin mold 2 is selected so as to satisfy the expression (3) at the time of integrally sealing with the resin mold 2, and while maintaining the relative position of the gas nozzle 105 and the dam bar 4. At least the assist gas 112 is cut by laser cutting the dam bar 4.
The slope of the edge portion of the resin mold 2 does not exist in the flow direction of. As a result, as in FIG. 8, the lower surface (opening surface) of the tip portion of the gas nozzle 105 ejected from the gas nozzle 105.
The flow of the assist gas 112 perpendicular to the direction of the assist gas 112 is almost the same as that of the assist gas 112 even when reaching the dam bar 4, and becomes a linear flow having a substantially cylindrical shape.
12 will be hit.
【００４８】このようにアシストガス１１２において直
線流が支配的になるため、前述の実施例と同様にヒゲド
ロス６Ａ（図６参照）が形成されることが防止され、ヒ
ゲドロス６Ａによる不具合を回避することができる。ま
た、溶融物が斜め方向に移動してアウターリード５にえ
ぐれ部７を形成することもなくなり、アウターリード５
の曲げ成形加工時に断線することがなくなる。さらに、
アシストガス１１２によって溶融物が十分に除去される
ためにドロス６の量も少なくなる。Since the linear flow becomes dominant in the assist gas 112 in this way, it is possible to prevent the formation of the beard loss 6A (see FIG. 6) as in the above-mentioned embodiment, and to avoid the trouble caused by the beard loss 6A. You can Also, the melt does not move diagonally to form the engraved portion 7 on the outer lead 5, and the outer lead 5
No breakage occurs during the bending process. further,
The amount of dross 6 is reduced because the melt is sufficiently removed by the assist gas 112.
【００４９】ところで、樹脂モールド２による一体封止
時には、樹脂モールド２の外周側面位置にズレが生じる
ことは避けられない。即ち、リードフレーム３に対し、
図１１に破線で示す位置にまで樹脂モールド２が進出し
てくることがある。このようなズレが生じた場合、樹脂
モールドの斜面に沿って流れるアシストガス１１２の成
分が増えてこれまでに述べたようなヒゲドロスやえぐれ
の問題を生じるほか、ダム内レジン８を熱源とする溶融
現象がダムバー４の樹脂モールド２に近い側から進んで
図１２に示すような斜めの切断稜線４ａとなってしま
い、アウターリード５に対して平行な切断稜線が安定し
て得られず、品質を悪化させるという問題が生じること
もある。When the resin mold 2 is integrally sealed, it is inevitable that the outer peripheral side surface of the resin mold 2 is displaced. That is, with respect to the lead frame 3,
The resin mold 2 may advance to the position shown by the broken line in FIG. When such a shift occurs, the components of the assist gas 112 flowing along the slope of the resin mold increase, causing the problems of beard loss and scooping as described above, and melting using the resin 8 in the dam as a heat source. The phenomenon progresses from the side close to the resin mold 2 of the dam bar 4 to form an oblique cutting edge line 4a as shown in FIG. 12, and a cutting edge line parallel to the outer lead 5 cannot be stably obtained, and the quality is improved. The problem of exacerbation may occur.
【００５０】例えば、前述のＱＦＰの樹脂モールド２の
外周側面位置に生じるズレは約０．１ｍｍ程度となり、
ダムバー４側面と樹脂モールド２外周側面との距離ＷM
が０．２ｍｍ以下の時に、斜めの切断稜線４ａが形成さ
れる上記のような現象が特に起こり易い。For example, the deviation caused at the outer peripheral side surface of the QFP resin mold 2 is about 0.1 mm.
Distance W M between side surface of dam bar 4 and outer peripheral side surface of resin mold 2
Is 0.2 mm or less, the above phenomenon in which the oblique cutting ridgeline 4a is formed is particularly likely to occur.
【００５１】また、樹脂モールド２の外周側面位置にズ
レが生じてダムバー４と樹脂モールド２が近接してしま
うと、図１３に示すように、ダムバー４切断時にレーザ
光１０８が樹脂モールド２縁部の斜面をかすってキズ９
をつけてしまい、外観を損なうことがある。When the outer peripheral side surface of the resin mold 2 is displaced and the dam bar 4 and the resin mold 2 come close to each other, as shown in FIG. Scratching the slope of
May damage the appearance.
【００５２】これに対し本実施例では、図１０および式
（３）に示すように、ダムバー４の中央位置と樹脂モー
ルド２外周側面との距離を、ガスノズル１０５の内周半
径ＲN以上の長さとなるように選定するため、ダムバー
４と樹脂モールド２とが近接することがなくなり、上記
のような樹脂モールド２の外周側面位置にズレが生じて
もその影響が減少し、図１２のように切断稜線４ａが斜
めになることが避けられ、図１３のようにレーザ光１０
８によるキズ９を樹脂モールド２につけることも避けら
れる。従って、外観を損なうことなく、安定して高い品
質が得られる。On the other hand, in this embodiment, as shown in FIG. 10 and the equation (3), the distance between the central position of the dam bar 4 and the outer peripheral side surface of the resin mold 2 is set to be equal to or longer than the inner peripheral radius R N of the gas nozzle 105. Since the dam bar 4 and the resin mold 2 do not come close to each other, the influence is reduced even if the outer peripheral side surface position of the resin mold 2 is displaced as described above. It is avoided that the cutting ridge line 4a becomes oblique, and the laser beam 10
It is also possible to prevent the resin mold 2 from being scratched by 8 (9). Therefore, stable and high quality can be obtained without spoiling the appearance.
【００５３】例えば、前述のＱＦＰの例では、樹脂モー
ルド２の外周側面位置に０．１ｍｍのズレが生じたとし
ても、ダムバー４側面と樹脂モールド２外周側面との距
離ＷMが約０．４ｍｍ以上であるので少なくとも０．３
ｍｍ以上の余裕があり、上記のような切断稜線４ａが斜
めになること、および樹脂モールド２にキズ９がつくこ
との問題が生じない。For example, in the QFP example described above, even if the outer peripheral side surface of the resin mold 2 is displaced by 0.1 mm, the distance W M between the dam bar 4 side surface and the resin mold 2 outer peripheral side surface is about 0.4 mm. Since it is above, at least 0.3
There is a margin of mm or more, and the above-described problems of the cutting ridgeline 4a being inclined and the resin mold 2 being scratched 9 do not occur.
【００５４】以上のような本実施例によれば、図１０お
よび式（３）のように、ダムバー４の中央位置と樹脂モ
ールド２外周側面との距離を、ガスノズル１０５の内周
半径以上の長さとなるように選定するので、少なくとも
アシストガス１１２の流れ方向には樹脂モールド２縁部
の斜面が存在しなくなり、アシストガス１１２の流れに
おいて直線流が支配的となってアシストガス１１２の働
きを有効に利用することができる。従って、前述の実施
例と同様の効果が得られる。According to the present embodiment as described above, as shown in FIG. 10 and the formula (3), the distance between the center position of the dam bar 4 and the outer peripheral side surface of the resin mold 2 is longer than the inner radius of the gas nozzle 105. Since the slope of the edge of the resin mold 2 does not exist at least in the flow direction of the assist gas 112, the linear flow becomes dominant in the flow of the assist gas 112 and the function of the assist gas 112 is effective. Can be used for. Therefore, the same effect as the above-mentioned embodiment can be obtained.
【００５５】さらに、樹脂モールド２の外周側面位置に
ズレが生じてもその影響が減少し、切断稜線４ａが斜め
になることや、レーザ光１０８によるキズ９が樹脂モー
ルド２につくことが避けられ、外観を損なうことなく、
安定して高い品質が得られる。Further, even if the position of the outer peripheral side surface of the resin mold 2 is deviated, its influence is reduced, and it is possible to prevent the cutting ridge line 4a from becoming oblique and to prevent the laser beam 108 from scratching the resin mold 2. , Without spoiling the appearance
Stable and high quality can be obtained.
【００５６】[0056]
【発明の効果】本発明によれば、ダムバーの樹脂モール
ド側の側面と樹脂モールド外周側面との距離、および樹
脂モールドの傾斜角度を、ガスノズルとの干渉が起こら
ないように選定するので、最適なノズルギャップをとっ
てアシストガスの働きを有効に利用することが可能であ
り、ヒゲドロスが形成されることが防止され、ドロスの
量を少なくすることができ、それらによる不具合を回避
することができる。さらに、アウターリードにえぐれ部
が形成されることが防止され、アウターリードの曲げ成
形加工時における断線がなくなる。According to the present invention, the distance between the side surface of the dam bar on the resin mold side and the outer peripheral side surface of the resin mold, and the inclination angle of the resin mold are selected so as not to interfere with the gas nozzle. It is possible to effectively use the function of the assist gas through the nozzle gap, it is possible to prevent the formation of beard dross, reduce the amount of dross, and avoid problems due to them. Further, it is possible to prevent the outer lead from being formed with a cutout portion, and to prevent disconnection during bending of the outer lead.
【００５７】また、ダムバーの中央位置と樹脂モールド
外周側面との距離を、ガスノズルの内周半径以上となる
ように選定するので、アシストガスの働きを有効に利用
することが可能であり、上記と同様の効果が得られる。Further, since the distance between the central position of the dam bar and the outer peripheral side surface of the resin mold is selected to be equal to or larger than the inner peripheral radius of the gas nozzle, it is possible to effectively use the function of the assist gas. The same effect can be obtained.
【００５８】また、樹脂モールドの外周側面位置にズレ
が生じてもその影響が減少し、切断稜線が斜めになるこ
とや、レーザ光によるキズが樹脂モールドにつくことが
避けられ、外観を損なうことがない。Further, even if the outer peripheral side surface of the resin mold is displaced, its influence is reduced, the cutting ridge line becomes oblique, and the resin mold is prevented from being scratched by a laser beam, which impairs the appearance. There is no.
【００５９】従って本発明によれば、アウターリードの
ピッチが０．５ｍｍ以下であるような微細な構造のリー
ドフレームを用いた半導体装置の製造方法において、安
定してダムバー切断加工を行うことができ高い品質を得
ることができる。Therefore, according to the present invention, dam bar cutting can be stably performed in a method of manufacturing a semiconductor device using a lead frame having a fine structure in which the pitch of outer leads is 0.5 mm or less. High quality can be obtained.
【図１】本発明の一実施例によるダムバーの切断方法お
よび半導体装置を示す図であって、半導体装置とガスノ
ズルの位置関係を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a dam bar cutting method and a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and is a diagram showing a positional relationship between a semiconductor device and a gas nozzle.
【図２】図１のガスノズルを含むレーザ加工装置であっ
て、ダムバーの切断に使用するレーザ加工装置を示す図
である。FIG. 2 is a view showing a laser processing apparatus including the gas nozzle of FIG. 1 and used for cutting a dam bar.
【図３】図２のレーザ加工装置によりレーザ光がダムバ
ーへ照射される状況を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a situation in which a laser beam is applied to a dam bar by the laser processing apparatus of FIG.
【図４】従来の半導体装置とガスノズルの位置関係を示
す図である。FIG. 4 is a diagram showing a positional relationship between a conventional semiconductor device and a gas nozzle.
【図５】ダムバー切断後の状態をリードフレーム裏面か
ら見た図である。FIG. 5 is a view of the state after cutting the dam bar viewed from the back surface of the lead frame.
【図６】ダムバー切断後の状態をリードフレーム裏面か
ら見た図であって、ヒゲドロスの付着状況を示す図であ
る。FIG. 6 is a view of the state after the dam bar is cut, viewed from the back surface of the lead frame, and is a view showing a state of adhesion of beard dross.
【図７】ダムバー切断後のアウターリードの状態を示す
図６のVII−VII方向の断面図であって、えぐれ部が形成
された状態を示す図である。7 is a cross-sectional view in the VII-VII direction of FIG. 6 showing a state of the outer lead after cutting the dam bar, showing a state in which a cutout portion is formed.
【図８】半導体装置とガスノズルの位置関係が図１の状
態である場合のアシストガスの流れの状態を示す図であ
る。FIG. 8 is a diagram showing a state of a flow of assist gas when the positional relationship between the semiconductor device and the gas nozzle is the state of FIG.
【図９】半導体装置の最終的な形状を一部樹脂モールド
を排除して示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a final shape of a semiconductor device with some resin molds removed.
【図１０】本発明の他の実施例によるダムバーの切断方
法および半導体装置を示す図であって、ダムバーとガス
ノズルの位置関係を示す図である。FIG. 10 is a view showing a dam bar cutting method and a semiconductor device according to another embodiment of the present invention, and is a view showing a positional relationship between the dam bar and the gas nozzle.
【図１１】樹脂モールド２の外周側面位置に生じるズレ
を説明する図であって、リードフレームの表面からみた
図である。FIG. 11 is a diagram for explaining the deviation occurring in the position of the outer peripheral side surface of the resin mold 2, and is a diagram viewed from the surface of the lead frame.
【図１２】ダムバーの切断稜線がアウターリードに対し
て平行とならずに斜めになった状態を示す図であって、
リードフレームの表面からみた図である。FIG. 12 is a view showing a state in which the cutting edge line of the dam bar is not parallel to the outer lead but is inclined,
It is the figure seen from the surface of the lead frame.
【図１３】ダムバーの切断時にレーザ光が樹脂モールド
縁部の斜面をかすってキズをつけた場合を示す図であっ
て、図１０のXIII方向からみた図である。13 is a diagram showing a case where a laser beam scratches a slope of a resin mold edge to cause scratches when the dam bar is cut, and is a diagram viewed from the XIII direction in FIG.
１ 半導体装置 ２ 樹脂モールド ３ リードフレーム ４ ダムバー ４ａ （ダムバー切断後の）斜めの切断稜線 ５ アウターリード ６ ドロス ６Ａ ヒゲドロス ７ えぐれ部 ８ ダム内レジン ９ （樹脂モールド縁部の斜面に形成される）キズ ５２ 半導体チップ ５３ インナーリード １０１ レーザ発振器 １０２ ＸＹテーブル １０３ Ｚテーブル １０４ 加工ヘッド １０５ ガスノズル １０６ 電源 １０７ 制御部 １０８ レーザ光 １０９ ベンディングミラー １１０ 集光レンズ １１１ アシストガス供給口 １１２ アシストガス １１２ａ アシストガス １１２ｂ アシストガス ＤM 樹脂モールド２のリードフレーム３からの高さ θD 樹脂モールド２縁部斜面の傾斜角度 ＷD ダムバー４の幅 ＷM ダムバー４の樹脂モールド側の側面と樹脂モール
ド２外周側面との距離 ＲN ガスノズル１０５の内周半径 Ｒ ガスノズル１０５の外周半径 θN ガスノズル１０５先端部分断面における傾斜角度 ＧN ノズルギャップ Ｌ ダムバー４の中央位置と樹脂モールド２外周側面と
の距離1 Semiconductor Device 2 Resin Mold 3 Lead Frame 4 Dam Bar 4a Diagonal Cut Ridge Line (After Cutting Dam Bar) 5 Outer Lead 6 Dross 6A Hedged Loss 7 Engraved Part 8 Resin in Dam 9 (Formed on Slope of Resin Mold Edge) Scratch 52 semiconductor chip 53 inner lead 101 laser oscillator 102 XY table 103 Z table 104 processing head 105 gas nozzle 106 power supply 107 control unit 108 laser light 109 bending mirror 110 condensing lens 111 assist gas supply port 112 assist gas 112a assist gas 112b assist gas D height theta D resin molded second edge inclination angle W D dam bar 4 width W M dam bar 4 of the resin mold side surface and the resin mold 2 the outer peripheral side of the slopes from the lead frame 3 M resin mold 2 Distance between the inner radius of the R N gas nozzle 105 R Outer radius of the gas nozzle 105 θ N Inclination angle at the tip partial cross section G N Nozzle gap L Distance between the central position of the dam bar 4 and the outer peripheral surface of the resin mold 2
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥村 信也 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 下村 義昭 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 長野 義也 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Shinya Okumura 650 Jinrachi-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. Tsuchiura factory (72) Inventor Yoshiaki Shimomura 650 Kintate-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. (72) Inventor Yoshiya Nagano In the Tsuchiura factory, Hitachi Construction Machinery Co., Ltd.
Claims (4)
ーリードおよびそのアウターリード間に設けられたダム
バーを有するリードフレーム上に半導体チップを搭載
し、前記リードフレームの前記アウターリードおよび前
記ダムバーを除く部分と前記半導体チップとを樹脂モー
ルドで一体に封止した半導体装置の前記ダムバーを、ガ
スノズルからアシストガスを放出しながらレーザ光の照
射によって切断するダムバーの切断方法において、 前記ダムバーの樹脂モールド側の側面と前記樹脂モール
ド外周側面との距離、および前記樹脂モールド外周側面
の傾斜角度を、前記ダムバーを切断するための加工位置
に前記ガスノズルを設定したときに前記樹脂モールドと
の干渉が起こらないように選定し、前記加工位置に前記
ガスノズルを設定して前記レーザ光の照射により前記ダ
ムバーを切断することを特徴とするダムバーの切断方
法。1. A semiconductor chip is mounted on a lead frame having a large number of outer leads having a pitch of 0.5 mm or less and a dam bar provided between the outer leads, and the outer lead and the dam bar of the lead frame are excluded. The dam bar of the semiconductor device in which the portion and the semiconductor chip are integrally sealed with a resin mold, in a dam bar cutting method of cutting by irradiating a laser beam while emitting an assist gas from a gas nozzle, the dam bar on the resin mold side. The distance between the side surface and the outer peripheral side surface of the resin mold, and the inclination angle of the outer peripheral side surface of the resin mold are set so that interference with the resin mold does not occur when the gas nozzle is set to a processing position for cutting the dam bar. Before selecting and setting the gas nozzle at the processing position Dam bar cutting method, characterized by cutting the dam bars by laser light irradiation.
ーリードおよびそのアウターリード間に設けられたダム
バーを有するリードフレーム上に半導体チップを搭載
し、前記リードフレームの前記アウターリードおよび前
記ダムバーを除く部分と前記半導体チップとを樹脂モー
ルドで一体に封止した半導体装置の前記ダムバーを、ガ
スノズルからアシストガスを放出しながらレーザ光の照
射によって切断するダムバーの切断方法において、 前記ダムバーの中央位置と前記樹脂モールド外周側面と
の距離を、前記ガスノズル先端部分の内周半径以上の長
さに選定し、前記ガスノズルを加工位置に設定して前記
レーザ光の照射により前記ダムバーを切断することを特
徴とするダムバーの切断方法。2. A semiconductor chip is mounted on a lead frame having a large number of outer leads having a pitch of 0.5 mm or less and a dam bar provided between the outer leads, and the outer lead and the dam bar of the lead frame are excluded. The dam bar of the semiconductor device in which a portion and the semiconductor chip are integrally sealed with a resin mold, in a dam bar cutting method of cutting by assisting laser light while emitting an assist gas from a gas nozzle, a central position of the dam bar and the The distance from the outer peripheral side surface of the resin mold is selected to be equal to or longer than the inner radius of the tip portion of the gas nozzle, the gas nozzle is set at a processing position, and the dam bar is cut by irradiation of the laser light. How to cut the dam bar.
方法において、前記ガスノズルの先端部分の内径を０．
７５ｍｍ以上３．０ｍｍ以下とし、前記ガスノズルの先
端部分の外径を０．９５ｍｍ以上３．２ｍｍ以下とする
ことを特徴とするダムバーの切断方法。3. The method for cutting a dam bar according to claim 1, wherein the inner diameter of the tip portion of the gas nozzle is 0.
75 mm or more and 3.0 mm or less, and the outer diameter of the tip part of the said gas nozzle is 0.95 mm or more and 3.2 mm or less, The dam bar cutting method characterized by the above-mentioned.
のダムバーの切断方法によって前記ダムバーを切断した
後に前記アウターリードをガルウィング状に折り曲げ成
形したことを特徴とする半導体装置。4. A semiconductor device, wherein the outer lead is bent and formed in a gull wing shape after the dam bar is cut by the dam bar cutting method according to any one of claims 1 to 3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7005814A JPH08195460A (en) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | Cutting method of dam bar and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7005814A JPH08195460A (en) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | Cutting method of dam bar and semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08195460A true JPH08195460A (en) | 1996-07-30 |
Family
ID=11621559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7005814A Pending JPH08195460A (en) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | Cutting method of dam bar and semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08195460A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8435867B2 (en) * | 2009-10-22 | 2013-05-07 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing electronic device |
-
1995
- 1995-01-18 JP JP7005814A patent/JPH08195460A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8435867B2 (en) * | 2009-10-22 | 2013-05-07 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing electronic device |
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