JPH09320497A - Field emission type display device - Google Patents

Field emission type display device

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Publication number
JPH09320497A
JPH09320497A JP13208396A JP13208396A JPH09320497A JP H09320497 A JPH09320497 A JP H09320497A JP 13208396 A JP13208396 A JP 13208396A JP 13208396 A JP13208396 A JP 13208396A JP H09320497 A JPH09320497 A JP H09320497A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron
electron emitter
cathode electrode
anode electrode
diamond
Prior art date
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Pending
Application number
JP13208396A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mikio Shirai
幹夫 白井
Kazuhide Ota
和秀 太田
Katsuhiro Shimanoe
克博 島ノ江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
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Publication of JPH09320497A publication Critical patent/JPH09320497A/en
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  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance the electron emission efficiency of an electron emitting body, try to reduce electric power consumption, also make lighting brightness high, and also make the life durable. SOLUTION: This device is equipped with an anode electrode 4 and a cathode electrode 5 which are oppositely disposed at a specified interval, a fluorescent substance 6 formed in the facing surface of the anode electrode 4 to the cathode electrode 5, and with an electron emitting body 7 having negative electron affinity, which is formed in the facing surface of the cathode electrode 5 to the anode electrode 4. The relative density of the electron emitting body 7 shall be 50 to 90%. By this constitution, an electron emitting area by the electron emitting body 7 is larger as compared with that by one high in relative density, and an electron emission efficiency is thereby enhanced. For this reason, a great amount of electrons can be emitted from the electron emitting body with its voltage made low, and it is thereby possible to reduce electric power consumption by a FED, also to try to make lighting brightness high, and also make the life durable.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電界放出型表示装
置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a field emission display device.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、バックライトがいらない自発光型
のディスプレイとして、電界放出型表示装置（以下、適
宜「ＦＥＤ」と称する。なお、ＦＥＤはＦｉｅｌｄ Ｅ
ｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙの略である）が注目さ
れている。このＦＥＤは、薄型で、消費電力を小さくで
き、しかも視野角が広くて応答速度が速く、動作温度範
囲も広いという特徴を有し、液晶ディスプレイ以上の性
能を期待できる。2. Description of the Related Art In recent years, as a self-luminous display that does not require a backlight, a field emission display device (hereinafter, referred to as "FED" as appropriate. The FED is a Field E
(abbreviation of mission Display) is drawing attention. This FED is thin, consumes less power, has a wide viewing angle, a high response speed, and a wide operating temperature range, and can be expected to have higher performance than a liquid crystal display.

【０００３】上記ＦＥＤは、図５に示すように、表示面
となるフェースガラス８０とバックガラス８１とがスペ
ーサ８２により所定間隔で対向配設され、フェースガラ
ス８０、バックガラス８１及びスペーサ８２により形成
される内部空間が１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空とされてい
る。そして、フェースガラス８０のバックガラス８１と
の対向面にはアノード電極としての透明導電膜８３が形
成され、この透明導電膜８３の表面には蛍光体８４が形
成されている。また、バックガラス８１のフェースガラ
ス８０との対向面にはカソード電極としての導電膜８５
が形成され、この導電膜８５の表面には負の電子親和力
をもつ電子放出体としてのダイヤモンド状炭素（以下、
「ＤＬＣ」と称する。なお、ＤＬＣはＤｉａｍｏｎｄ
ＬｉｋｅＣａｒｂｏｎの略である）膜８６が形成されて
いる。As shown in FIG. 5, in the FED, a face glass 80 and a back glass 81, which are display surfaces, are opposed to each other with a spacer 82 at a predetermined interval, and are formed by the face glass 80, the back glass 81 and the spacer 82. The internal space is a vacuum of about 10 -6 Torr. A transparent conductive film 83 as an anode electrode is formed on the surface of the face glass 80 facing the back glass 81, and a phosphor 84 is formed on the surface of the transparent conductive film 83. In addition, a conductive film 85 as a cathode electrode is formed on the surface of the back glass 81 facing the face glass 80.
Are formed on the surface of the conductive film 85, and diamond-like carbon (hereinafter, referred to as an electron emitter having a negative electron affinity)
It is called “DLC”. In addition, DLC is Diamond
A film 86 (abbreviation of Like Carbon) is formed.

【０００４】上記構成を有するＦＥＤでは、ＤＬＣ膜８
６のしきい値以上の電界を、アノード電極及びカソード
電極としての透明導電膜８３及び導電膜８５間に与える
ことにより、電子放出体としてのＤＬＣ膜８６から電子
を放出せしめ、この放出電子が蛍光体８４に衝突するこ
とを利用して該蛍光体８４を発光させる。In the FED having the above structure, the DLC film 8
An electric field equal to or higher than the threshold value of 6 is applied between the transparent conductive film 83 and the conductive film 85 serving as the anode electrode and the cathode electrode to cause electrons to be emitted from the DLC film 86 serving as an electron emitter, and the emitted electrons emit fluorescence. The phosphor 84 is caused to emit light by utilizing the collision with the body 84.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記ＦＥＤにおいて、
ＤＬＣ膜８６の電子放出効率が低いとＦＥＤの発光輝度
が低くなり、また電子放出効率の低いＤＬＣ膜８６に過
大電圧を印加し続けるとＤＬＣ膜８６が劣化しやすい。
このため、ＦＥＤにおける消費電力の低下、発光輝度の
向上及び長寿命化を図るためには、より低電圧でＤＬＣ
膜８６から電子が効果的に放出されるように、同ＤＬＣ
膜８６の電子放出効率を高くすることが望ましい。SUMMARY OF THE INVENTION In the above FED,
When the electron emission efficiency of the DLC film 86 is low, the emission brightness of the FED is low, and when the excessive voltage is continuously applied to the DLC film 86 having low electron emission efficiency, the DLC film 86 is easily deteriorated.
Therefore, in order to reduce the power consumption of the FED, improve the emission brightness, and prolong the life of the FED, the DLC can be operated at a lower voltage.
The same DLC is used so that electrons are effectively emitted from the film 86.
It is desirable to increase the electron emission efficiency of the film 86.

【０００６】ここで、ＤＬＣ膜８６における電子放出効
率は、ＤＬＣ膜８６の電子放出面積が大きいほど、また
ＤＬＣ膜８６中のダイヤモンドへの電子供給能力が大き
いほど向上する。しかし、従来のＤＬＣ膜８６は緻密な
膜であり、ダイヤモンドの度合いが進んでいるので、膜
としては絶縁膜の性質を強く帯びており、また表面形状
も結晶化が進みフラットな面形状となっている。このた
め、従来のＤＬＣ膜８６は電子放出面積が小さく、また
ダイヤモンドへの電子供給能力も小さい。したがって、
ＤＬＣ膜８６の電子放出効率が低く、ＦＥＤにおける消
費電力の低下、発光輝度の向上及び長寿命化を図ること
が困難であった。Here, the electron emission efficiency of the DLC film 86 is improved as the electron emission area of the DLC film 86 is larger and the electron supply ability to diamond in the DLC film 86 is larger. However, since the conventional DLC film 86 is a dense film and the degree of diamond is advanced, it has a strong property of an insulating film as a film, and the surface shape is also flattened due to crystallization. ing. Therefore, the conventional DLC film 86 has a small electron emission area and also has a small electron supply capability to diamond. Therefore,
The electron emission efficiency of the DLC film 86 was low, and it was difficult to reduce the power consumption of the FED, improve the emission brightness, and extend the life.

【０００７】本発明は上記実情に鑑みてなされたもので
あり、電子放出体の電子放出効率を高めて、ＦＥＤにお
ける消費電力の低下、発光輝度の向上及び長寿命化を図
ることを解決すべき技術課題とするものである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it should be solved to improve the electron emission efficiency of the electron emitter to reduce the power consumption of the FED, improve the light emission luminance, and extend the life. This is a technical issue.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する請求
項１記載の電界放出型表示装置は、所定間隔で対向配設
されたアノード電極及びカソード電極と、該アノード電
極の該カソード電極との対向面に形成された蛍光体と、
該カソード電極の該アノード電極との対向面に形成され
た負の電子親和力をもつ電子放出体とを備えた電界放出
型表示装置において、上記電子放出体の相対密度が５０
〜９０％とされていることを特徴とするものである。According to another aspect of the present invention, there is provided a field emission display comprising: an anode electrode and a cathode electrode which are opposed to each other at a predetermined interval; and the cathode electrode of the anode electrode. A phosphor formed on the opposite surface,
In a field emission display device including an electron emitter having a negative electron affinity formed on a surface of the cathode electrode facing the anode electrode, a relative density of the electron emitter is 50.
It is characterized by being set to 90%.

【０００９】この電界放出型表示装置では、電子放出体
の相対密度が５０〜９０％と低いため、電子放出体の電
子放出面積が相対密度の高いものと比べて大きくなって
いる。したがって、電子放出体における電子放出効率が
高くなり、その結果、低電圧で電子放出体から多くの電
子を放出することができ、ＦＥＤにおける消費電力の低
下、発光輝度の向上及び長寿命化を図ることが可能とな
る。In this field emission type display device, since the relative density of the electron emitter is as low as 50 to 90%, the electron emitting area of the electron emitter is larger than that of the electron emitter having a high relative density. Therefore, the electron emission efficiency of the electron emitter is increased, and as a result, many electrons can be emitted from the electron emitter at a low voltage, and the power consumption of the FED is reduced, the emission brightness is improved, and the life is extended. It becomes possible.

【００１０】上記課題を解決する請求項２記載の電界放
出型表示装置は、所定間隔で対向配設されたアノード電
極及びカソード電極と、該アノード電極の該カソード電
極との対向面に形成された蛍光体と、該カソード電極の
該アノード電極との対向面に形成された負の電子親和力
をもつ電子放出体とを備えた電界放出型表示装置におい
て、上記電子放出体はダイヤモンドと高導電性炭素とか
らなり、上記蛍光体と対向する表面側でダイヤモンドの
占める割合が大きくなっていることを特徴とするもので
ある。According to a second aspect of the present invention, which solves the above-mentioned problems, a field emission display device is formed on an anode electrode and a cathode electrode, which are opposed to each other at a predetermined interval, and on a surface of the anode electrode facing the cathode electrode. In a field emission display device including a phosphor and an electron emitter having a negative electron affinity formed on a surface of the cathode electrode facing the anode electrode, the electron emitter is diamond and highly conductive carbon. It is characterized in that the proportion of diamond on the surface side facing the phosphor is large.

【００１１】この電界放出型表示装置の電子放出体にお
いては、カソード電極と接する側に導電率の高い高導電
性炭素が多く存在し、蛍光体に対向する表面側に電子放
出能力の高いダイヤモンドが多く存在している。このた
め、カソード電極から電子放出体に多くの電子が供給さ
れ、この電子は高導電性炭素を介してダイヤモンドに良
好に供給されるので、電子放出体中のダイヤモンドへの
電子供給能力が大きくなる。そして、電子放出体の表面
側に多く存在するダイヤモンドから電子が良好に放出さ
れる。したがって、電子放出体における電子放出効率が
高くなり、その結果、低電圧で電子放出体から多くの電
子を放出することができ、ＦＥＤにおける消費電力の低
下、発光輝度の向上及び長寿命化を図ることが可能とな
る。In the electron emitter of this field emission display device, a large amount of highly conductive carbon having a high conductivity is present on the side in contact with the cathode electrode, and diamond having a high electron emission capability is provided on the surface side facing the phosphor. There are many. Therefore, many electrons are supplied from the cathode electrode to the electron emitter, and these electrons are satisfactorily supplied to the diamond via the highly conductive carbon, so that the electron supply capability to the diamond in the electron emitter is increased. . Then, electrons are satisfactorily emitted from the diamond, which is often present on the surface side of the electron emitter. Therefore, the electron emission efficiency of the electron emitter is increased, and as a result, many electrons can be emitted from the electron emitter at a low voltage, and the power consumption of the FED is reduced, the emission brightness is improved, and the life is extended. It becomes possible.

【００１２】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。 （実施形態１）本実施形態の電界放出型表示装置は、請
求項１記載の電界放出型表示装置に係るもので、所定間
隔で対向配設されたアノード電極及びカソード電極と、
該アノード電極の該カソード電極との対向面に形成され
た蛍光体と、該カソード電極の該アノード電極との対向
面に形成された負の電子親和力をもつ電子放出体とを備
えている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below. (Embodiment 1) A field emission display device according to the present embodiment relates to the field emission display device according to claim 1, wherein an anode electrode and a cathode electrode are arranged to face each other at a predetermined interval,
The fluorescent substance is formed on the surface of the anode electrode facing the cathode electrode, and the electron emitter having a negative electron affinity is formed on the surface of the cathode electrode facing the anode electrode.

【００１３】この電界放出型表示装置は、例えば、表示
面となる透明フェース基板とバック基板とを対向配設
し、両基板の周囲にシリカ若しくは樹脂ビーズを混入し
た樹脂よりなるスペーサを配して両基板間のギャップを
５〜５０μｍ程度に維持するとともに内部に空間を形成
し、この空間を１０-6〜１０-7Ｔｏｒｒ程度に真空引き
した構造とすることができる。そして、この透明フェー
ス基板のバック基板との対向面にアノード電極及びカソ
ード電極のうちの一方を形成するとともに、バック基板
の透明フェース基板との対向面にアノード電極及びカソ
ード電極のうちの他方を形成し、さらにアノード電極の
カソード電極との対向面に蛍光体を形成するとともに、
カソード電極のアノード電極との対向面に負の電子親和
力をもつ電子放出体を形成した構成とすることができ
る。なお、上記透明フェース基板及びバック基板の厚さ
は０．５〜３ｍｍ程度とすることができる。また、アノ
ード電極及びカソード電極間のギャップは、電子放出体
のしきい値や本発明のＦＥＤに電圧を印加する駆動ＩＣ
等のドライブ電圧の大きさに応じて適宜設定される。In this field emission display device, for example, a transparent face substrate serving as a display surface and a back substrate are arranged so as to face each other, and a spacer made of a resin containing silica or resin beads mixed is arranged around the both substrates. The gap between both substrates may be maintained at about 5 to 50 μm, a space may be formed inside, and the space may be evacuated to about 10 −6 to 10 −7 Torr. Then, one of the anode electrode and the cathode electrode is formed on the surface of the transparent face substrate facing the back substrate, and the other of the anode electrode and the cathode electrode is formed on the surface of the back substrate facing the transparent face substrate. In addition to forming a phosphor on the surface of the anode electrode facing the cathode electrode,
An electron emitter having a negative electron affinity can be formed on the surface of the cathode electrode facing the anode electrode. The thickness of the transparent face substrate and the back substrate may be about 0.5 to 3 mm. Further, the gap between the anode electrode and the cathode electrode is a driving IC for applying a voltage to the threshold of the electron emitter or the FED of the present invention.
It is appropriately set according to the magnitude of the drive voltage such as.

【００１４】上記透明フェース基板、バック基板及びス
ペーサにより囲まれた内部空間を真空にする方法として
は、例えば上記バック基板から真空引き用のガラス管を
引き出して、このガラス管から真空引きした後、ガラス
管を溶断する方法等を採用することができる。また必要
に応じて、真空構造体の内部にゲッタと呼ばれるリング
状等の金属（マグネシウムやバリウム等）を入れ、真空
引き中又は真空引きして封止後に、高周波加熱により金
属を蒸発させることにより、真空構造体内の真空度を高
めることもできる。As a method of evacuating the internal space surrounded by the transparent face substrate, the back substrate and the spacer, for example, a glass tube for vacuuming is pulled out from the back substrate, and after vacuuming from the glass tube, A method of fusing the glass tube can be adopted. If necessary, a ring-shaped metal (magnesium, barium, etc.) called a getter is placed inside the vacuum structure, and the metal is evaporated by high-frequency heating during vacuuming or after vacuuming and sealing. It is also possible to increase the degree of vacuum in the vacuum structure.

【００１５】上記アノード電極及びカソード電極は、電
界放出型表示装置の表示面側に位置する方が透明電極と
され、表示面と反対側に位置する方は通常の金属電極又
は透明電極とすることができる。透明電極としてはＩＴ
Ｏ薄膜、ＳｎＯ2 薄膜、Ｉｎ 2 Ｏ3 薄膜やＩｎ2 Ｏ3 −
ＳｎＯ2 薄膜等を、金属電極としてはＡｌ薄膜やＣｕ、
Ｔｉ、Ｃｒ薄膜等を採用することができる。なお、アノ
ード電極及びカソード電極の厚さは０．１〜２μｍ程度
とすることができる。The anode electrode and the cathode electrode are electrically charged.
A transparent electrode is located on the display surface side of the field emission display device.
The one located on the side opposite to the display surface is a normal metal electrode or
Can be a transparent electrode. IT as a transparent electrode
O thin film, SnOTwoThin film, In TwoOThreeThin film and InTwoOThree−
SnOTwoAs a metal electrode, a thin film, such as an Al thin film or Cu,
A Ti, Cr thin film or the like can be used. Ano
The thickness of the cathode electrode and cathode electrode is about 0.1 to 2 μm
It can be.

【００１６】上記アノード電極のカソード電極との対向
面に形成される蛍光体としては、緑色に発光するＺｎ
Ｏ：Ｚｎ、アンバー（こはく）色に発光するＺｎＳ：Ｍ
ｎ等を採用することができる。なお、蛍光体は沈降法等
により１〜１０ｍｇ／ｃｍ2 の割合で均一に塗布するこ
とができる。本実施形態では、上記カソード電極のアノ
ード電極との対向面に形成される負の電子親和力をもつ
電子放出体の相対密度が５０〜９０％とされている。The phosphor formed on the surface of the anode electrode facing the cathode electrode is Zn which emits green light.
O: Zn, ZnS: M that emits amber (amber) color
n or the like can be adopted. The phosphor can be uniformly applied at a rate of 1 to 10 mg / cm 2 by a sedimentation method or the like. In the present embodiment, the relative density of the electron emitter having a negative electron affinity formed on the surface of the cathode electrode facing the anode electrode is set to 50 to 90%.

【００１７】この電子放出体を構成する材料としては、
ＤＬＣや結晶性ダイヤモンドを採用することができる。
但し、電子放出能力が高く駆動電圧を低くできるという
観点からは、ＤＬＣを用いることが好ましい。ＤＬＣ又
は結晶性ダイヤモンドよりなる電子放出体は、プラズマ
ＣＶＤ法やレーザ蒸着法等により形成することができ
る。なお、プラズマＣＶＤ法による製造条件は、例え
ば、置換ガス：Ｎ2 、及び供給原料：炭化水素ガスの混
合ガスの比率を変化させ、反応槽内圧力：３０〜８０ｍ
Ｔｏｒｒ、バイアス電圧：０．４〜１．４ｋＶ、電子放
出体を成膜する基板の温度：室温〜２００℃とすること
ができる。またレーザ蒸着法では、例えばＮｄ：ＹＡＧ
レーザ（パルス発振）光をグラファイトのターゲット板
に照射して溶融させ、ガラス基板上に炭素原子を堆積さ
せることにより形成することができる。なお、電子放出
体の厚さは１〜３０μｍ程度とすることができる。As a material forming this electron emitter,
DLC or crystalline diamond can be adopted.
However, it is preferable to use DLC from the viewpoint that the electron emission capability is high and the drive voltage can be lowered. The electron emitter made of DLC or crystalline diamond can be formed by a plasma CVD method, a laser deposition method or the like. The production conditions by the plasma CVD method are, for example, changing the ratio of the mixed gas of the replacement gas: N 2 and the feed material: the hydrocarbon gas, and the pressure in the reaction tank: 30 to 80 m.
Torr, bias voltage: 0.4 to 1.4 kV, temperature of the substrate on which the electron emitter is formed: room temperature to 200 ° C. In the laser deposition method, for example, Nd: YAG
It can be formed by irradiating a graphite target plate with laser (pulse oscillation) light to melt it, and depositing carbon atoms on a glass substrate. The thickness of the electron emitter can be about 1 to 30 μm.

【００１８】電子放出体の相対密度は、上記プラズマＣ
ＶＤ法で成膜する場合、反応槽内圧力、バイアス電圧や
基板温度等の条件を変更することにより、適宜設定する
ことができる。例えば、反応槽内の圧力と電子放出体の
相対密度との間には比例関係があり、圧力を高くするほ
ど電子放出体の相対密度を高くすることができる。ま
た、基板温度を変更する場合は、基板下部に設置したヒ
ータへの供電量を変化させることにより電子放出体の相
対密度を調整することができる。具体的には、反応槽内
の圧力を３０〜８０ｍＴｏｒｒとしたり、あるいは基板
温度を室温〜２００℃としたりすることにより、電子放
出体の相対密度を５０〜９０％に調整することができ
る。The relative density of the electron emitter is determined by the above-mentioned plasma C
When the film is formed by the VD method, it can be appropriately set by changing the conditions such as the pressure in the reaction tank, the bias voltage and the substrate temperature. For example, there is a proportional relationship between the pressure in the reaction tank and the relative density of the electron emitters, and the higher the pressure, the higher the relative density of the electron emitters. When the substrate temperature is changed, the relative density of the electron emitters can be adjusted by changing the amount of power supplied to the heater installed below the substrate. Specifically, the relative density of the electron emitters can be adjusted to 50 to 90% by setting the pressure in the reaction tank to 30 to 80 mTorr or setting the substrate temperature to room temperature to 200 ° C.

【００１９】電子放出体の相対密度を５０〜９０％とす
る理由は、以下の通りである。すなわち、電子放出面積
を大きくする観点からは電子放出体の相対密度が低けれ
ば低いほど好ましいが、この相対密度が５０％より低い
と膜剥がれの原因になるため、その下限を５０％とし
た。一方、電子放出体の相対密度が９０％より高いと、
電子放出面積を大きくする効果が小さくなるため、その
上限を９０％とした。このため、電子放出体の相対密度
の上限は６０％とすることが好ましい。The reason why the relative density of the electron emitter is 50 to 90% is as follows. That is, from the viewpoint of increasing the electron emission area, the lower the relative density of the electron emitter is, the more preferable it is. However, if this relative density is lower than 50%, film peeling may occur, so the lower limit was made 50%. On the other hand, when the relative density of the electron emitter is higher than 90%,
Since the effect of increasing the electron emission area is small, the upper limit was set to 90%. For this reason, the upper limit of the relative density of the electron emitter is preferably 60%.

【００２０】また、上記電子放出体は、プラズマエッチ
ング又はイオンビーム成形加工により、その表面に凹凸
を形成して、表面粗さを０．１μｍＲｍａｘ程度とする
ことが好ましい。これにより、さらに電子放出面積を大
きくして、電子放出体における電子放出効率を向上させ
ることが可能となる。なお、上記電子放出体は、必要に
応じて、フォトレジストを用いて所定形状のマスクを形
成しドライエッチング法等により所定形状にパターニン
グすることができる。Further, it is preferable that the electron-emitting body has a surface roughness of about 0.1 μmRmax by forming irregularities on the surface by plasma etching or ion beam forming. This makes it possible to further increase the electron emission area and improve the electron emission efficiency of the electron emitter. The electron emitter can be patterned into a predetermined shape by a dry etching method or the like by forming a mask of a predetermined shape using a photoresist, if necessary.

【００２１】したがって、本実施形態では、電子放出体
の相対密度が５０〜９０％と低いため、電子放出体の電
子放出面積が相対密度の高いものと比べて大きくなって
いる。このため、電子放出体における電子放出効率が高
くなり、その結果、低電圧で電子放出体から多くの電子
を放出することができ、ＦＥＤにおける消費電力の低
下、発光輝度の向上及び長寿命化を図ることが可能とな
る。Therefore, in this embodiment, since the relative density of the electron emitter is as low as 50 to 90%, the electron emission area of the electron emitter is larger than that of the electron emitter having a high relative density. Therefore, the electron emission efficiency of the electron emitter is increased, and as a result, a large number of electrons can be emitted from the electron emitter at a low voltage, which reduces the power consumption of the FED, improves the emission brightness, and prolongs the life of the FED. It is possible to plan.

【００２２】（実施形態２）本実施形態の電界放出型表
示装置は、請求項２記載の電界放出型表示装置に係るも
ので、電子放出体以外の構成は上記実施形態１と同様で
ある。本実施形態に係る電子放出体はダイヤモンドと高
導電性炭素とからなる。ダイヤモンドは、中心及び四隅
に炭素原子をもつ正四面体構造で、ＳＰ3 混成軌道を形
成するきわめて硬い立方晶系の結晶である。一方、高導
電性炭素とは、ＤＬＣより導電率の高い炭素をいう。な
お、ダイヤモンドの電気抵抗は１０16Ω・ｃｍ程度であ
り、ＤＬＣの電気抵抗は０．１〜１０００Ω程度である
ため、高導電性炭素の電気抵抗としては０．１〜５００
Ω程度とすることが好ましく、より好ましくは０．１〜
１００Ω程度とすることである。このような高導電性炭
素としては、例えばグラファイトや無定形炭素を挙げる
ことができる。グラファイトは、ｓｐ2 混成の六角形の
網面がπ電子を介して層状に積み重なった構造をしてお
り、六方晶系の結晶である。無定形炭素は、はっきりし
た結晶構造を示さないものであるが、この無定形炭素に
は結晶の発達の程度の低い微晶質炭素も含まれる。ま
た、結晶の大小、その配列の度合いなどによって、無定
形炭素からグラファイトに至る間にいろいろの中間的な
構造が存在し、これらの間には明確な変態点が存在する
ものではない。このため、上記高導電性炭素とは、グラ
ファイト若しくは無定形炭素の単独よりなるもの、グラ
ファイトと無定形炭素とが混じり合ったもの、又はこれ
らに無定形炭素及びグラファイトの中間的構造を示すも
のが含まれたものをいう。(Embodiment 2) A field emission display device according to the present embodiment relates to the field emission display device according to claim 2, and the configuration other than the electron emitter is the same as that of the first embodiment. The electron emitter according to the present embodiment is composed of diamond and highly conductive carbon. Diamond is an extremely hard cubic crystal having a tetrahedral structure having carbon atoms in the center and four corners and forming an SP 3 hybrid orbit. On the other hand, highly conductive carbon refers to carbon having a higher conductivity than DLC. Since the electric resistance of diamond is about 10 16 Ω · cm and the electric resistance of DLC is about 0.1 to 1000 Ω, the electric resistance of highly conductive carbon is 0.1 to 500.
Ω is preferable, and more preferably 0.1
It is about 100Ω. Examples of such highly conductive carbon include graphite and amorphous carbon. Graphite is a hexagonal crystal having a structure in which sp 2 hybrid hexagonal mesh planes are stacked in layers through π electrons. Amorphous carbon does not show a clear crystal structure, but the amorphous carbon also includes microcrystalline carbon with a low degree of crystal growth. Further, depending on the size of crystals, the degree of arrangement, etc., various intermediate structures exist between amorphous carbon and graphite, and there is no clear transformation point between them. Therefore, the above-mentioned highly conductive carbon is composed of graphite or amorphous carbon alone, a mixture of graphite and amorphous carbon, or a material showing an intermediate structure between amorphous carbon and graphite. The included one.

【００２３】電子放出体は、蛍光体と対向する表面側で
ダイヤモンドの占める割合が大きくなっている。なお、
電子放出体中の高導電性炭素からダイヤモンドへの電子
供給効率を高めるとともに、ダイヤモンドからの電子放
出効率を高める観点から、電子放出体は、蛍光体と対向
する表面に近づくに連れて徐々にダイヤモンドの占める
割合が大きくなる傾斜構造を有することが好ましい。具
体的には、電子放出体において、カソード電極と接する
表面部分でダイヤモンド濃度が零であり、蛍光体と対向
する表面に近づくに連れて徐々にダイヤモンド濃度が高
くなり、蛍光体と対向する表面でダイヤモンド濃度が９
０〜１００％となっていることが好ましい。The electron emitter has a large proportion of diamond on the surface side facing the phosphor. In addition,
From the viewpoint of increasing the electron supply efficiency from the highly conductive carbon in the electron emitter to the diamond, and also increasing the electron emission efficiency from the diamond, the electron emitter is a diamond that gradually becomes closer to the surface facing the phosphor. It is preferable to have an inclined structure in which the ratio of Specifically, in the electron emitter, the diamond concentration is zero on the surface portion in contact with the cathode electrode, the diamond concentration gradually increases as it approaches the surface facing the phosphor, and on the surface facing the phosphor. Diamond concentration is 9
It is preferably 0 to 100%.

【００２４】このような傾斜構造を有する電子放出体と
しては、単層のＤＬＣ薄膜の他に、０．５〜１μｍ程度
の極めて薄いダイヤモンド薄膜又はＤＬＣ薄膜と０．５
〜１μｍ程度の極めて薄い高導電性炭素薄膜とが交互に
積層され、蛍光体と対向する表面に近づくに連れて、ダ
イヤモンド薄膜又はＤＬＣ薄膜の膜厚が厚くされる一
方、高導電性炭素薄膜の膜厚が薄くされたものや、ある
いは０．０５〜０．１μｍ程度の極めて薄いＤＬＣ薄膜
と０．０５〜０．１μｍ程度の極めて薄い高導電性炭素
薄膜とが交互に積層され、蛍光体と対向する表面に近づ
くに連れて、ＤＬＣ薄膜におけるダイヤモンド濃度が高
くされたものも含まれる。As the electron emitter having such a gradient structure, in addition to a single-layer DLC thin film, an extremely thin diamond thin film or DLC thin film of about 0.5 to 1 μm and 0.5
An extremely thin highly conductive carbon thin film having a thickness of about 1 μm is alternately laminated, and the diamond thin film or the DLC thin film becomes thicker as it approaches the surface facing the phosphor, while the highly conductive carbon thin film is formed. A thin film, or an extremely thin DLC thin film of about 0.05 to 0.1 μm and an extremely thin highly conductive carbon thin film of about 0.05 to 0.1 μm are alternately laminated to face the phosphor. The diamond concentration in the DLC thin film is increased as it gets closer to the surface.

【００２５】上記ＤＬＣ薄膜におけるダイヤモンド濃度
の調整は、例えばプラズマＣＶＤ法でＤＬＣ薄膜を成膜
する場合、置換ガスとしてのＮ2 ガスの供給量を調整す
ることにより、供給原料としての炭化水素ガスにおける
Ｈ／Ｃ比を変更することに行うことができる。すなわ
ち、Ｎ2 ガスの供給量を多くするとＤＬＣ膜中のＨ2 取
り込み量が多くなるので、ＤＬＣにおけるダイヤモンド
濃度を高くすることができ、一方Ｎ2 ガスの供給量を少
なくするとＤＬＣ膜中へのＨ2 取り込み量が少なくなる
ので、ＤＬＣにおけるダイヤモンド濃度が低くすること
ができる。なお、Ｈ／Ｃ比が小さくなるとＤＬＣにおけ
るカーボン濃度が高くなるのは、アモルファスカーボン
ネットワークにおける構造変化若しくは組織変化に起因
すると推定される。また、図４に示すように、電子放出
体におけるＨ／Ｃ比と電子放出体の電気抵抗との間には
比例関係があり、Ｈ／Ｃ比が大きくなるに連れて電気抵
抗が大きくなる。The diamond concentration in the DLC thin film is adjusted by adjusting the supply amount of N 2 gas as a replacement gas when the DLC thin film is formed by, for example, a plasma CVD method. This can be done by changing the H / C ratio. That is, since increasing the amount of N 2 gas supplied increases the amount of H 2 taken into the DLC film, it is possible to increase the diamond concentration in DLC, while decreasing the amount of N 2 gas supply into the DLC film. Since the amount of H 2 taken in is small, the diamond concentration in DLC can be lowered. It is estimated that the increase in carbon concentration in DLC as the H / C ratio decreases is attributed to the structural or structural change in the amorphous carbon network. Further, as shown in FIG. 4, there is a proportional relationship between the H / C ratio in the electron emitter and the electric resistance of the electron emitter, and the electric resistance increases as the H / C ratio increases.

【００２６】したがって、本実施形態の電界放出型表示
装置に係る電子放出体においては、カソード電極と接す
る側に導電率の高い高導電性炭素が多く存在し、蛍光体
に対向する表面側に電子放出能力の高いダイヤモンドが
多く存在している。このため、カソード電極から電子放
出体に多くの電子が供給され、この電子は高導電性炭素
を介してダイヤモンドに良好に供給されるので、電子放
出体中のダイヤモンドへの電子供給能力が大きくなる。
そして、電子放出体の表面側に多く存在するダイヤモン
ドから電子が良好に放出される。したがって、電子放出
体における電子放出効率が高くなり、その結果、低電圧
で電子放出体から多くの電子を放出することができ、Ｆ
ＥＤにおける消費電力の低下、発光輝度の向上及び長寿
命化を図ることが可能となる。Therefore, in the electron emitter according to the field emission display device of the present embodiment, a large amount of highly conductive carbon having high conductivity is present on the side in contact with the cathode electrode, and electrons are present on the surface side facing the phosphor. There are many diamonds with high emission ability. Therefore, many electrons are supplied from the cathode electrode to the electron emitter, and these electrons are satisfactorily supplied to the diamond via the highly conductive carbon, so that the electron supply capability to the diamond in the electron emitter is increased. .
Then, electrons are satisfactorily emitted from the diamond, which is often present on the surface side of the electron emitter. Therefore, the electron emission efficiency of the electron emitter is increased, and as a result, many electrons can be emitted from the electron emitter at a low voltage.
It is possible to reduce the power consumption of the ED, improve the emission brightness, and prolong the life.

【００２７】[0027]

【実施例】以下、本発明のＦＥＤの実施例を、図面を参
照しつつ具体的に説明する。 （実施例１）図１の模式断面図に示す本実施例のＦＥＤ
は、表示面となる透明フェースガラス基板１と、透明フ
ェースガラス基板１に対して所定の間隔で対向配設され
たバックガラス基板２と、透明フェースガラス基板１及
びバックガラス基板２の周囲を封止するシリカ若しくは
樹脂ビーズを混入した樹脂よりなるスペーサ３とによ
り、内部に真空空間が形成されている。なお、上記透明
フェースガラス基板１及びバックガラス基板２は、いず
れも厚さは１．１ｍｍのソーダライムガラスよりなる。
また、このＦＥＤは、バックガラス基板２から真空引き
用のガラス管を引き出して、このガラス管から真空引き
した後、ガラス管を溶断することにより、１０-6Ｔｏｒ
ｒの真空度とされている。Embodiments of the FED of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings. (Embodiment 1) The FED of this embodiment shown in the schematic sectional view of FIG.
Is a transparent face glass substrate 1 serving as a display surface, a back glass substrate 2 facing the transparent face glass substrate 1 at a predetermined interval, and a periphery of the transparent face glass substrate 1 and the back glass substrate 2. A vacuum space is formed inside by the spacer 3 made of a resin mixed with silica or resin beads to be stopped. Each of the transparent face glass substrate 1 and the back glass substrate 2 is made of soda lime glass having a thickness of 1.1 mm.
In addition, this FED pulls out a glass tube for vacuuming from the back glass substrate 2, evacuates the glass tube, and then melts and cuts the glass tube to 10 −6 Torr.
The degree of vacuum is r.

【００２８】上記透明フェースガラス基板１の内面には
透明アノード電極４が形成され、上記バックガラス基板
２の内面にはカソード電極５が形成されている。そし
て、透明アノード電極４のカソード電極５との対向面に
は蛍光体６が形成され、カソード電極５の透明アノード
電極４との対向面には負の電子親和力をもつ電子放出体
７が形成されている。なお、上記透明アノード電極４及
びカソード電極５間のギャップは１０μｍとされてい
る。A transparent anode electrode 4 is formed on the inner surface of the transparent face glass substrate 1, and a cathode electrode 5 is formed on the inner surface of the back glass substrate 2. A phosphor 6 is formed on a surface of the transparent anode electrode 4 facing the cathode electrode 5, and an electron emitter 7 having a negative electron affinity is formed on a surface of the cathode electrode 5 facing the transparent anode electrode 4. ing. The gap between the transparent anode electrode 4 and the cathode electrode 5 is 10 μm.

【００２９】上記透明アノード電極４はスパッタリング
により形成された膜厚０．２μｍのＩＴＯ薄膜よりな
り、上記カソード電極５は蒸着により形成された膜厚
０．２μｍのＡｌ薄膜よりなる。また、上記蛍光体６
は、沈降法により形成された緑色に発光するＺｎＯ：Ｚ
ｎよりなり、厚さは１０μｍである。上記電子放出体７
は、プラズマＣＶＤ法により形成された膜厚５μｍのＤ
ＬＣ薄膜よりなる。そして、プラズマＣＶＤ法により成
膜条件は、置換ガス：Ｎ2 、及び供給原料：炭化水素ガ
スの混合ガスの比率を変化させ、反応槽内圧力：３０ｍ
Ｔｏｒｒ、バイアス電圧：１ｋＶ、電子放出体を成膜す
る基板の温度：９０℃とした。また、プラズマＣＶＤ法
により成膜後、スパッタ法により、ＲＦ電力１ｋＷ、エ
ッチング時間３分の条件でプラズマエッチングした。The transparent anode electrode 4 is made of an ITO thin film having a thickness of 0.2 μm formed by sputtering, and the cathode electrode 5 is made of an Al thin film having a thickness of 0.2 μm formed by vapor deposition. In addition, the phosphor 6
Is a green light-emitting ZnO: Z formed by the sedimentation method.
n, and the thickness is 10 μm. The electron emitter 7
Is a D film having a film thickness of 5 μm formed by the plasma CVD method.
It consists of an LC thin film. Then, the film forming conditions by the plasma CVD method are as follows: the ratio of the mixed gas of the replacement gas: N 2 and the feed material: the hydrocarbon gas is changed, and the pressure in the reaction tank is 30 m.
Torr, bias voltage: 1 kV, substrate temperature on which the electron emitter is formed: 90 ° C. After forming a film by the plasma CVD method, plasma etching was performed by the sputtering method under the conditions of RF power of 1 kW and etching time of 3 minutes.

【００３０】このようにして製造された電子放出体７に
おいては、相対密度が６０％とされ、また表面粗さは
０．１μｍＲｍａｘとされていた。したがって、本実施
例のＦＥＤでは、図示しない駆動電源から透明アノード
電極４及びカソード電極５間に所定の電界をかければ、
電子放出面積が大きくされた電子放出体７から効率よく
電子が放出され、この電子が蛍光体６に衝突し、これに
より蛍光体６が所定の色に発光し、この発光が透明アノ
ード電極４及び透明フェース基板１を透過して表示され
る。In the electron emitter 7 thus manufactured, the relative density was 60% and the surface roughness was 0.1 μmRmax. Therefore, in the FED of the present embodiment, if a predetermined electric field is applied between the transparent anode electrode 4 and the cathode electrode 5 from the driving power source (not shown),
Electrons are efficiently emitted from the electron emitter 7 having a large electron emission area, the electrons collide with the phosphor 6, and the phosphor 6 emits light of a predetermined color. The image is displayed through the transparent face substrate 1.

【００３１】（実施例２）本実施例のＦＥＤは、電子放
出体７を傾斜構造を有する単層のＤＬＣ薄膜としたこと
以外は、上記実施例１と同様である。すなわち、本実施
例に係る電子放出体７は、単層の厚さ５μｍのＤＬＣ薄
膜よりなり、蛍光体６と対向する表面に近づくに連れて
ダイヤモンドの占める割合が大きくされている。(Example 2) The FED of this example is the same as that of the above Example 1 except that the electron emitter 7 is a single-layer DLC thin film having an inclined structure. That is, the electron emitter 7 according to this example is composed of a single-layer DLC thin film having a thickness of 5 μm, and the proportion of diamond is increased as it approaches the surface facing the phosphor 6.

【００３２】この傾斜構造を有する単層のＤＬＣ薄膜よ
りなる電子放出体７は、プラズマＣＶＤ法により成膜条
件を、置換ガス：Ｎ2 及び供給原料：炭化水素ガスの比
率（Ｎ2 ガス／炭化水素ガス）を８〜０．０１に変化さ
せ、反応槽内圧力：３０ｍＴｏｒｒ、バイアス電圧：１
ｋＶ、電子放出体を成膜する基板の温度：９０℃とし、
このプラズマＣＶＤ法による成膜中に、Ｎ2 置換ガス／
炭化水素ガス比率を成膜当初は８とし、それから０．０
１の割合で徐々に比率を減少させることにより製造し
た。The electron emitter 7 formed of a single-layer DLC thin film having this inclined structure is formed by plasma CVD under the film forming conditions of a replacement gas: N 2 and a feed material: hydrocarbon gas ratio (N 2 gas / carbonization). (Hydrogen gas) is changed to 8 to 0.01, pressure in the reaction tank: 30 mTorr, bias voltage: 1
kV, the temperature of the substrate on which the electron emitter is formed: 90 ° C.,
During the film formation by this plasma CVD method, N 2 substitution gas /
The hydrocarbon gas ratio was set to 8 at the beginning of film formation and then 0.0
It was prepared by gradually decreasing the ratio at a ratio of 1.

【００３３】このようにして製造された電子放出体７に
おいては、カソード電極５と接する表面部分でダイヤモ
ンド濃度は零となり、蛍光体６と対向する表面に近づく
に連れて徐々にダイヤモンド濃度が高くなり、蛍光体６
と対向する表面で電気抵抗の観点からダイヤモンド濃度
がほぼ１００％と推定される。したがって、本実施例の
ＦＥＤでは、図示しない駆動電源から透明アノード電極
４及びカソード電極５間に所定の電界をかければ、電子
供給効率が高くされた電子放出体７から効率よく電子が
放出され、この電子が蛍光体６に衝突し、これにより蛍
光体６が所定の色に発光し、この発光が透明アノード電
極４及び透明フェース基板１を透過して表示される。In the electron emitter 7 thus manufactured, the diamond concentration becomes zero at the surface portion in contact with the cathode electrode 5, and the diamond concentration gradually increases as it approaches the surface facing the phosphor 6. , Phosphor 6
From the viewpoint of electric resistance, the diamond concentration is estimated to be almost 100% on the surface opposite to. Therefore, in the FED of the present embodiment, when a predetermined electric field is applied between the transparent anode electrode 4 and the cathode electrode 5 from a driving power source (not shown), electrons are efficiently emitted from the electron emitter 7 whose electron supply efficiency is increased, The electrons collide with the phosphor 6 and thereby the phosphor 6 emits light of a predetermined color, and this emitted light is transmitted through the transparent anode electrode 4 and the transparent face substrate 1 to be displayed.

【００３４】（実施例３）本実施例のＦＥＤは、電子放
出体７において、ＤＬＣ薄膜とグラファイト薄膜とを交
互に積層することにより傾斜構造とするとしたこと以外
は、上記実施例２と同様である。すなわち、本実施例に
係る電子放出体７は、ＤＬＣ薄膜７１とグラファイト薄
膜７２とを多数交互に積層してなる。なお、電子放出体
７のカソード電極５と接する面はグラファイト薄膜７２
よりなり、電子放出体７の蛍光体６と対向する表面はＤ
ＬＣ薄膜７１よりなる。また、ＤＬＣ薄膜７１における
ダイヤモンド濃度はほぼ１００％と推定される。そし
て、ＤＬＣ薄膜７１の膜厚は０．０５〜０．１μｍであ
り、グラファイト薄膜７２の膜厚は０．０５〜０．１μ
ｍであり、蛍光体６と対向する表面に近づくに連れて、
ＤＬＣ薄膜７１の膜厚が厚くされる一方、グラファイト
薄膜７２の膜厚が薄くされている。(Embodiment 3) The FED of this embodiment is the same as that of Embodiment 2 above except that the electron emitter 7 has an inclined structure by alternately stacking DLC thin films and graphite thin films. is there. That is, the electron emitter 7 according to the present embodiment is formed by alternately laminating a large number of DLC thin films 71 and graphite thin films 72. The surface of the electron emitter 7 in contact with the cathode electrode 5 is a graphite thin film 72.
And the surface of the electron emitter 7 facing the phosphor 6 is D
The LC thin film 71 is used. The diamond concentration in the DLC thin film 71 is estimated to be almost 100%. The DLC thin film 71 has a thickness of 0.05 to 0.1 μm, and the graphite thin film 72 has a thickness of 0.05 to 0.1 μm.
m and approaches the surface facing the phosphor 6,
While the DLC thin film 71 is made thicker, the graphite thin film 72 is made thinner.

【００３５】この傾斜構造を有する、交互に積層された
多数のＤＬＣ薄膜７１及びグラファイト薄膜７２よりな
る電子放出体７は、プラズマＣＶＤ法により成膜条件
を、置換ガス：Ｎ2 、及び供給原料：炭化水素ガスの比
率（Ｎ2 ガス／炭化水素ガス）を８〜０．０１に変化さ
せ、反応槽内圧力：３０ｍＴｏｒｒ、バイアス電圧：１
ｋＶ、電子放出体を成膜する基板の温度：９０℃とし、
成膜中に、Ｎ2 置換ガス供給量をＤＬＣ薄膜７１の成膜
時とグラファイト薄膜７２の成膜時とで切り換えるとと
もに、ＤＬＣ薄膜７１の成膜時間を徐々に長くする一方
グラファイト薄膜７２の成膜時間を徐々に短くすること
により製造した。なお、ＤＬＣ薄膜７１の成膜時のＮ2
置換ガス／炭化水素ガス比率は０．０１とし、またグラ
ファイト薄膜７２の成膜時のＮ2 置換ガス／炭化水素ガ
ス比率は８とした。The electron emitter 7 composed of a large number of alternately stacked DLC thin films 71 and graphite thin films 72 having this inclined structure is formed under the plasma CVD method under the following conditions: substitution gas: N 2 and feed material: The ratio of the hydrocarbon gas (N 2 gas / hydrocarbon gas) was changed to 8 to 0.01, the pressure in the reaction tank was 30 mTorr, and the bias voltage was 1
kV, the temperature of the substrate on which the electron emitter is formed: 90 ° C.,
During the film formation, the supply amount of N 2 substitution gas is switched between the film formation of the DLC thin film 71 and the film formation of the graphite thin film 72, and the film formation time of the DLC thin film 71 is gradually increased while the graphite thin film 72 is formed. It was prepared by gradually shortening the membrane time. Note that N 2 at the time of forming the DLC thin film 71
The replacement gas / hydrocarbon gas ratio was 0.01, and the N 2 replacement gas / hydrocarbon gas ratio was 8 when the graphite thin film 72 was formed.

【００３６】[0036]

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る電子放
出型表示装置は、電子放出体における電子放出効率が高
められているので、低電圧で電子放出体から多くの電子
を放出することができ、ＦＥＤにおける消費電力の低
下、発光輝度の向上及び長寿命化を図ることが可能とな
る。As described above in detail, in the electron emission type display device according to the present invention, since the electron emission efficiency of the electron emission body is improved, many electrons are emitted from the electron emission body at a low voltage. Therefore, it is possible to reduce the power consumption of the FED, improve the emission brightness, and extend the life of the FED.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本実施例１のＦＥＤの模式断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of an FED according to a first embodiment.

【図２】本実施例２のＦＥＤの模式断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view of an FED of the second embodiment.

【図３】本実施例２のＦＥＤの模式断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view of an FED of the second embodiment.

【図４】電子放出体におけるＨ／Ｃ比と電気抵抗との関
係を示す線図である。FIG. 4 is a diagram showing a relationship between an H / C ratio and an electric resistance in an electron emitter.

【図５】従来のＦＥＤの模式断面図である。FIG. 5 is a schematic sectional view of a conventional FED.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１は透明フェースガラス基板、２はバックガラス基板、
３はスペーサ、４は透明アノード電極、５はカソード電
極、６は蛍光体、７は電子放出体、７１はＤＬＣ薄膜、
７２はグラファイト薄膜である。1 is a transparent face glass substrate, 2 is a back glass substrate,
3 is a spacer, 4 is a transparent anode electrode, 5 is a cathode electrode, 6 is a phosphor, 7 is an electron emitter, 71 is a DLC thin film,
72 is a graphite thin film.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 所定間隔で対向配設されたアノード電極
及びカソード電極と、該アノード電極の該カソード電極
との対向面に形成された蛍光体と、該カソード電極の該
アノード電極との対向面に形成された負の電子親和力を
もつ電子放出体とを備えた電界放出型表示装置におい
て、 上記電子放出体の相対密度が５０〜９０％とされている
ことを特徴とする電界放出型表示装置。1. An anode electrode and a cathode electrode, which are opposed to each other at a predetermined interval, a phosphor formed on a surface of the anode electrode facing the cathode electrode, and a surface of the cathode electrode facing the anode electrode. A field emission display device comprising an electron emitter having a negative electron affinity formed in the above, wherein the relative density of the electron emitter is 50 to 90%. . 【請求項２】 所定間隔で対向配設されたアノード電極
及びカソード電極と、該アノード電極の該カソード電極
との対向面に形成された蛍光体と、該カソード電極の該
アノード電極との対向面に形成された負の電子親和力を
もつ電子放出体とを備えた電界放出型表示装置におい
て、 上記電子放出体はダイヤモンドと高導電性炭素とからな
り、上記蛍光体と対向する表面側でダイヤモンドの占め
る割合が大きくなっていることを特徴とする電界放出型
表示装置。2. An anode electrode and a cathode electrode, which are opposed to each other at a predetermined interval, a phosphor formed on a surface of the anode electrode facing the cathode electrode, and a surface of the cathode electrode facing the anode electrode. In a field emission display device including an electron emitter having a negative electron affinity formed in, the electron emitter is composed of diamond and highly conductive carbon, and the surface of the diamond facing the phosphor is opposite to that of diamond. A field-emission display device characterized by a large proportion.
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