JPH09312347A - Mis semiconductor device - Google Patents
Mis semiconductor deviceInfo
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- JPH09312347A JPH09312347A JP8129463A JP12946396A JPH09312347A JP H09312347 A JPH09312347 A JP H09312347A JP 8129463 A JP8129463 A JP 8129463A JP 12946396 A JP12946396 A JP 12946396A JP H09312347 A JPH09312347 A JP H09312347A
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＭＩＳ型半導体装
置に関し、特に、大電力用製品において瞬発電流が発生
した際の素子の破壊防止を図るＭＩＳ型半導体装置に適
用して有効な技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a MIS type semiconductor device, and more particularly to a technique effectively applied to a MIS type semiconductor device for preventing destruction of an element when an instantaneous current occurs in a high power product.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＭＩＳ型半導体装置の代表として知られ
るＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ ＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ）型電界効果トランジスタ（以下、単にＭＯＳ
ＦＥＴと称する）において、特に大電力用のスイッチン
グ用途向けのパワーＭＯＳＦＥＴが広範囲に普及してき
ている。2. Description of the Related Art MOS (Metal Oxide Semiconductor) known as a representative of MIS type semiconductor devices.
center) field effect transistor (hereinafter referred to simply as MOS
In FET), power MOSFETs for high power switching applications have become widespread.
【０００３】このようなパワーＭＯＳＦＥＴでは、負荷
短絡時の短絡電流などによる過電流が流れて、電流集中
によって素子が破壊されるのを防止するために、負荷短
絡保護機能のような保護機能が備えられている。これ
は、負荷短絡電流などによってチップ温度が上昇するこ
とに着目して、この温度上昇を検知することにより保護
機能を動作させるようにしたものである。In such a power MOSFET, a protection function such as a load short-circuit protection function is provided in order to prevent an element from being destroyed by current concentration due to an overcurrent caused by a short-circuit current when a load is short-circuited. Has been. This is one in which the chip temperature rises due to a load short-circuit current or the like, and the protection function is operated by detecting this temperature rise.
【０００４】例えば、Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｐ
ｏｗｅｒ ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＣｏｎｆｅｒｅｎｃ
ｅ（１９９５）予稿集、Ｐ９４３〜Ｐ９４６の「Ｉｎｔ
ｅｌｉｇｅｎｔ Ｐｏｗｅｒ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ａｐｐ
ｌｉｃａｂｌｅ ｔｏ Ｈｉｇｈ−Ｓｉｄｅ Ｓｗｉｔ
ｃｈ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ］には、そのような保護技術に
ついて示されている。For example, International P
ower Electronics Conferenc
e (1995) Proceedings, P943 to P946, "Int
ELIGENT POWER CIRCUIT APP
liable to High-Side Switch
ch Circuits] describes such protection techniques.
【０００５】この文献では、過電流や瞬発電流の発生を
チップ温度の上昇で検知して、回路を遮断して素子を保
護する方式を採用している。In this document, a method of detecting the occurrence of overcurrent or instantaneous current by the rise of the chip temperature and shutting off the circuit to protect the element is adopted.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ここで、前記したよう
な保護技術では、過電流が発生した場合にまずチップの
温度上昇を検知することが条件になっている。ところ
で、負荷短絡やノイズなどによってＭＯＳＦＥＴのドレ
インとソース間に瞬発電流が流れた際には、電流が瞬時
に増加するので、温度上昇の検知が追随できなってしま
う。Here, in the protection technique as described above, the condition is to detect the temperature rise of the chip first when an overcurrent occurs. By the way, when an instantaneous current flows between the drain and the source of the MOSFET due to a load short circuit or noise, the current increases instantaneously, so that the temperature rise cannot be detected.
【０００７】このため、保護機能が動作する前に瞬発電
流によって素子が破壊されてしまうという問題が生ず
る。Therefore, there is a problem that the element is destroyed by the instantaneous current before the protection function operates.
【０００８】本発明の目的は、瞬発電流が発生した際で
も、素子の破壊防止を図ることが可能な技術を提供する
ことにある。An object of the present invention is to provide a technique capable of preventing the destruction of the element even when an instantaneous current is generated.
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, typical ones are briefly described as follows.
【００１１】本発明のＭＩＳ型半導体装置は、ゲート電
位に応じてドレインとソース間に流れるドレイン電流を
制御するＭＩＳ型半導体装置であって、前記ドレインと
ソース間に瞬発電流が流れたときに、この瞬発電流を検
知することにより前記ゲート電位を低下させて前記瞬発
電流を低下させる保護回路を内蔵している。The MIS type semiconductor device of the present invention is a MIS type semiconductor device which controls a drain current flowing between a drain and a source according to a gate potential, and when a flash current flows between the drain and the source, A protection circuit that lowers the gate potential and lowers the instantaneous current by detecting the instantaneous current is built in.
【００１２】上述した手段によれば、本発明のＭＩＳ型
半導体装置は、ドレインとソース間に瞬発電流が流れた
ときに、この瞬発電流を検知することによりゲート電位
を低下させて前記瞬発電流を低下させる保護回路を内蔵
しているので、瞬発電流が発生した際でも、素子の破壊
防止を図ることが可能となる。According to the above-mentioned means, in the MIS type semiconductor device of the present invention, when the instantaneous current flows between the drain and the source, by detecting the instantaneous current, the gate potential is lowered to reduce the instantaneous current. Since the protection circuit for lowering the voltage is built in, it is possible to prevent the destruction of the element even when the instantaneous current is generated.
【００１３】以下、本発明について、図面を参照して実
施形態とともに詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings together with embodiments.
【００１４】なお、実施形態を説明するための全図にお
いて、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰
り返しの説明は省略する。In all the drawings for explaining the embodiments, parts having the same functions are designated by the same reference numerals, and the repeated description thereof will be omitted.
【００１５】[0015]
（実施形態１）図１は本実施形態１によるＭＩＳ型半導
体装置を示す回路図である。本実施形態１によるＭＩＳ
型半導体装置１は、同一の半導体チップに例えば電流容
量１００ＡのパワーＭＯＳＦＥＴからなる本体のＭＯＳ
ＦＥＴ２とともに、このＭＯＳＦＥＴ２を瞬発電流から
保護する保護回路３を内蔵している。(First Embodiment) FIG. 1 is a circuit diagram showing a MIS type semiconductor device according to the first embodiment. MIS according to the first embodiment
Type semiconductor device 1 includes a main body MOS formed of a power MOSFET having a current capacity of 100 A on the same semiconductor chip.
A protection circuit 3 for protecting the MOSFET 2 from the instantaneous current is built in together with the FET 2.
【００１６】この保護回路３は、本体のＭＯＳＦＥＴ２
に並列接続される例えば電流容量０．１Ａの電流検知用
ＭＯＳＦＥＴ４と、この電流検知用ＭＯＳＦＥＴ４のゲ
ート４ｇ及び本体のＭＯＳＦＥＴ２のゲート２ｇに共通
に接続される例えば１０ｋΩのゲート抵抗５と、電流検
知用ＭＯＳＦＥＴ４のソース４ｓに接続される例えば１
ｎＨのインダクタ６と、ドレイン７ｄが本体のＭＯＳＦ
ＥＴ２のゲート２ｇ及び電流検知用ＭＯＳＦＥＴ４のゲ
ート４ｇとゲート抵抗５間に接続されるとともに、ゲー
ト７ｇが電流検知用ＭＯＳＦＥＴ４のソース４ｓとイン
ダクタ６間に接続される例えば電流容量０．０１Ａの電
流遮断用ＭＯＳＦＥＴ７とから構成されている。The protection circuit 3 is composed of the MOSFET 2 of the main body.
A current detection MOSFET 4 having a current capacity of 0.1 A, a gate resistance 5 of 10 kΩ commonly connected to the gate 4g of the current detection MOSFET 4 and the gate 2g of the main body MOSFET 2, and a current detection MOSFET 4 for current detection. For example, 1 connected to the source 4s of the MOSFET 4
nH inductor 6 and drain 7d are the main MOSF
The gate 2g of the ET2 and the gate 4g of the current detection MOSFET 4 are connected between the gate resistor 5 and the gate 7g is connected between the source 4s of the current detection MOSFET 4 and the inductor 6, for example, a current cutoff with a current capacity of 0.01A. MOSFET 7 for use.
【００１７】ここで、電流遮断用ＭＯＳＦＥＴ７の閾値
Ｖｔｈは、瞬発電流が本体のＭＯＳＦＥＴ２に発生した
ときに、インダクタ６に誘起されて電流検知用ＭＯＳＦ
ＥＴ４のソース４ｓとインダクタ６間の接続点８から加
えられる誘起電圧よりも低くなるように設定されてい
る。すなわち、図２の特性図に示すように、瞬発電流に
よる誘起電圧Ｖｉが発生したとすると、この誘起電圧Ｖ
ｉがゲート電圧（ゲート電位）として電流遮断用ＭＯＳ
ＦＥＴ７のゲート７ｇに加えられるが、その閾値Ｖｔｈ
を越えた時刻ｔ１−ｔ２の期間のみ、電流遮断用ＭＯＳ
ＦＥＴ７がオンするように設定されている。１Ｇ、１
Ｄ、１Ｓは各々ＭＩＳ型半導体装置１のゲート端子、ド
レイン端子、ソース端子である。Here, the threshold value Vth of the current cutoff MOSFET 7 is induced by the inductor 6 when the instantaneous current occurs in the MOSFET 2 of the main body, and the current detection MOSF.
It is set to be lower than the induced voltage applied from the connection point 8 between the source 4s of the ET 4 and the inductor 6. That is, as shown in the characteristic diagram of FIG. 2, if the induced voltage Vi is generated by the instantaneous current, the induced voltage V
i is a current cutoff MOS as a gate voltage (gate potential)
It is added to the gate 7g of the FET 7 and its threshold value Vth
Current cutoff MOS only during the period from time t1 to time t2
The FET 7 is set to turn on. 1G, 1
D and 1S are a gate terminal, a drain terminal, and a source terminal of the MIS type semiconductor device 1, respectively.
【００１８】次に、本実施形態１によるＭＩＳ型半導体
装置１の動作を説明する。Next, the operation of the MIS type semiconductor device 1 according to the first embodiment will be described.
【００１９】今、負荷短絡やノイズなどによって、本体
のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン２ｄとソース２ｓ間に瞬発
電流が流れたとすると、保護回路３を構成している電流
検知用ＭＯＳＦＥＴ４には、電流容量の比で決まるその
瞬発電流の１／１０００のドレイン電流が流れることに
なる。Now, assuming that an instantaneous current flows between the drain 2d and the source 2s of the MOSFET 2 of the main body due to a load short circuit or noise, the current detection MOSFET 4 constituting the protection circuit 3 has a ratio of current capacity. A drain current of 1/1000 of the determined instantaneous current flows.
【００２０】このドレイン電流が流れたことによって、
インダクタ６には電圧が誘起され、この誘起電圧は電流
遮断用ＭＯＳＦＥＴ７のゲート電位として加えられる。
図２に示したように、この誘起電圧Ｖｉが電流遮断用Ｍ
ＯＳＦＥＴ７の閾値Ｖｔｈを越えると、電流遮断用ＭＯ
ＳＦＥＴ７はオンしてドレイン電流が流れるようにな
る。このドレイン電流は、前述したように誘起電圧Ｖｉ
が電流遮断用ＭＯＳＦＥＴ７の閾値Ｖｔｈを越えた期間
のみ流れる。Since this drain current flows,
A voltage is induced in the inductor 6, and this induced voltage is applied as the gate potential of the current cutoff MOSFET 7.
As shown in FIG. 2, this induced voltage Vi is equal to M
When the threshold value Vth of the OSFET 7 is exceeded, the current interruption MO
The SFET 7 turns on and the drain current flows. This drain current is the induced voltage Vi as described above.
Flows only for a period exceeding the threshold value Vth of the current cutoff MOSFET 7.
【００２１】電流遮断用ＭＯＳＦＥＴ７にドレイン電流
が流れることにより、ゲート抵抗５にゲート電流が流れ
るので、ゲート抵抗５に電圧降下が生ずる。従って、こ
のゲート抵抗５が接続されている本体のＭＯＳＦＥＴ２
のゲート２ｇに加えられるゲート電圧は、その電圧降下
分だけ低下するようになる。Since a drain current flows through the current cutoff MOSFET 7, a gate current flows through the gate resistor 5, so that a voltage drop occurs in the gate resistor 5. Therefore, the body MOSFET 2 to which the gate resistor 5 is connected
The gate voltage applied to the gate 2g of the above-mentioned gate is lowered by the amount of the voltage drop.
【００２２】この結果、本体のＭＯＳＦＥＴ２のドレイ
ン２ｄとソース２ｓ間に流れている瞬発電流は瞬時に減
少するようになる。As a result, the instantaneous current flowing between the drain 2d and the source 2s of the MOSFET 2 of the main body instantly decreases.
【００２３】以上のような本実施形態１によるＭＩＳ型
半導体装置１によれば、次のような効果が得られる。According to the MIS type semiconductor device 1 of the first embodiment as described above, the following effects can be obtained.
【００２４】本体のＭＯＳＦＥＴ２を瞬発電流から保護
する保護回路３を内蔵するようにしたので、本体のＭＯ
ＳＦＥＴ２のドレイン２ｄとソース２ｓ間に瞬発電流が
流れたときに、この瞬発電流を電流検知用ＭＯＳＦＥＴ
４によって検知して、電流遮断用ＭＯＳＦＥＴ７によっ
てその瞬発電流を遮断することができるため、瞬発電流
が発生した際でも、素子の破壊防止を図ることが可能と
なる。Since the protection circuit 3 for protecting the MOSFET 2 of the main body from the instantaneous current is built in, the MO of the main body is
When the instantaneous current flows between the drain 2d and the source 2s of the SFET2, the instantaneous current is detected by the MOSFET for current detection.
4, the instantaneous current can be interrupted by the current interrupting MOSFET 7, so that even when the instantaneous current occurs, it is possible to prevent the destruction of the element.
【００２５】（実施形態２）図３は本実施形態２による
ＭＩＳ型半導体装置を示す回路図である。本実施形態２
によるＭＩＳ型半導体装置１は、次のような構成の保護
回路３を内蔵している。(Second Embodiment) FIG. 3 is a circuit diagram showing an MIS type semiconductor device according to a second embodiment. Embodiment 2
The MIS type semiconductor device 1 according to (1) has a built-in protection circuit 3 having the following configuration.
【００２６】この保護回路３は、本体のＭＯＳＦＥＴ２
に並列接続される電流検知用ＭＯＳＦＥＴ４と、この電
流検知用ＭＯＳＦＥＴ４のゲート４ｇ及び本体のＭＯＳ
ＦＥＴ２のゲート２ｇに共通に接続されるゲート抵抗５
と、電流検知用ＭＯＳＦＥＴ４のソース４ｓに接続され
るインダクタ６と、ドレイン７ｄが本体のＭＯＳＦＥＴ
２のゲート２ｇ及び電流検知用ＭＯＳＦＥＴ４のゲート
４ｇとゲート抵抗５間に接続されるとともに、ゲート７
ｇが電流検知用ＭＯＳＦＥＴ４のソース４ｓとインダク
タ６間に逆方向の第１のダイオード９を介して接続され
る電流遮断用ＭＯＳＦＥＴ７と、第１のダイオード９に
順方向となるようにインダクタ６に並列接続される第２
のダイオード１０と、電流遮断用ＭＯＳＦＥＴ７のゲー
ト７ｇとソース７ｓ間に接続される例えば容量０．１ｐ
Ｆの平滑用のキャパシタ１１とから構成されている。This protection circuit 3 includes the MOSFET 2 of the main body.
For detecting current 4 connected in parallel to the gate of the current detecting MOSFET 4 and the MOS of the body
Gate resistance 5 commonly connected to the gate 2g of the FET2
And an inductor 6 connected to the source 4s of the MOSFET 4 for current detection, and a drain 7d whose main body is a MOSFET.
2 is connected between the gate 2g and the gate 4g of the current detection MOSFET 4 and the gate resistor 5, and the gate 7
g is connected between the source 4s of the current detection MOSFET 4 and the inductor 6 through the first diode 9 in the reverse direction, and the current cutoff MOSFET 7 is parallel to the inductor 6 so that the current g is in the forward direction. Second connected
Connected between the diode 10 and the gate 7g and the source 7s of the current interruption MOSFET 7, for example, a capacitance of 0.1p.
And an F smoothing capacitor 11.
【００２７】ここで、第１のダイオード９及び第２のダ
イオード１０がともに、電流遮断用ＭＯＳＦＥＴ７のゲ
ート７ｇに対して順方向に接続されているので、電流遮
断用ＭＯＳＦＥＴ７は正のゲート電位が加えられたとき
のみオンするように設定されている。Since both the first diode 9 and the second diode 10 are connected in the forward direction to the gate 7g of the current cutoff MOSFET 7, the current cutoff MOSFET 7 receives a positive gate potential. It is set to turn on only when it is turned on.
【００２８】次に、本実施形態２によるＭＩＳ型半導体
装置１の動作を説明する。Next, the operation of the MIS type semiconductor device 1 according to the second embodiment will be described.
【００２９】今、負荷短絡やノイズなどによって、本体
のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン２ｄとソース２ｓ間に瞬発
電流が流れたとすると、保護回路３を構成している電流
検知用ＭＯＳＦＥＴ４には、その瞬発電流によるドレイ
ン電流が流れることによって、インダクタ６には電圧が
誘起され、この誘起電圧は電流遮断用ＭＯＳＦＥＴ７の
ゲート電位として加えられる。Now, assuming that an instantaneous current flows between the drain 2d and the source 2s of the MOSFET 2 of the main body due to a load short circuit or noise, the current detection MOSFET 4 constituting the protection circuit 3 has a drain due to the instantaneous current. When the current flows, a voltage is induced in the inductor 6, and this induced voltage is added as the gate potential of the current cutoff MOSFET 7.
【００３０】このゲート電位が正のときで、かつ電流遮
断用ＭＯＳＦＥＴ７の閾値Ｖｔｈを越えると、電流遮断
用ＭＯＳＦＥＴ７はオンしてドレイン電流が流れるよう
になる。このドレイン電流が流れることにより、ゲート
抵抗５にゲート電流が流れるので、ゲート抵抗５に電圧
降下が生ずる。従って、このゲート抵抗５が接続されて
いる本体のＭＯＳＦＥＴ２のゲート電圧は、その電圧降
下分だけ低下するようになる。When the gate potential is positive and exceeds the threshold Vth of the current cutoff MOSFET 7, the current cutoff MOSFET 7 is turned on and the drain current flows. When this drain current flows, a gate current flows through the gate resistor 5, causing a voltage drop in the gate resistor 5. Therefore, the gate voltage of the MOSFET 2 of the main body to which the gate resistor 5 is connected decreases by the amount of the voltage drop.
【００３１】この結果、本体のＭＯＳＦＥＴ２のドレイ
ン２ｄとソース２ｓ間に流れている瞬発電流は瞬時に減
少するようになる。As a result, the instantaneous current flowing between the drain 2d and the source 2s of the MOSFET 2 of the main body instantly decreases.
【００３２】以上のような本実施形態２によるＭＩＳ型
半導体装置１によれば、次のような効果が得られる。According to the MIS type semiconductor device 1 of the second embodiment as described above, the following effects can be obtained.
【００３３】実施形態１と同様に本体のＭＯＳＦＥＴ２
を瞬発電流から保護する保護回路３を内蔵するようにし
たので、本体のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン２ｄとソース
２ｓ間に瞬発電流が流れたときに、この瞬発電流を電流
検知用ＭＯＳＦＥＴ４によって検知して、電流遮断用Ｍ
ＯＳＦＥＴ７によってその瞬発電流を遮断することがで
きるため、実施形態１と同様な降下を得ることができ、
しかも正のゲート電位のときのみ電流遮断用ＭＯＳＦＥ
Ｔ７がオンするので、回路の信頼度を向上することがで
きる。The MOSFET 2 of the main body is the same as in the first embodiment.
Since the protection circuit 3 that protects the current from the instantaneous current is built in, when the instantaneous current flows between the drain 2d and the source 2s of the MOSFET 2 of the main body, the instantaneous current is detected by the current detection MOSFET 4 and the current is detected. Blocking M
Since the instantaneous current can be interrupted by the OSFET 7, it is possible to obtain the same drop as in the first embodiment.
Moreover, the current cutoff MOSFE is provided only when the positive gate potential is applied.
Since T7 is turned on, the reliability of the circuit can be improved.
【００３４】（実施形態３）図４は本実施形態３による
ＭＩＳ型半導体装置を示す回路図である。本実施形態３
によるＭＩＳ型半導体装置１は、次のような構成の保護
回路３を内蔵している。(Third Embodiment) FIG. 4 is a circuit diagram showing a MIS type semiconductor device according to a third embodiment. Embodiment 3
The MIS type semiconductor device 1 according to (1) has a built-in protection circuit 3 having the following configuration.
【００３５】この保護回路３は、本体のＭＯＳＦＥＴ２
のゲート２ｇに接続されるゲート抵抗５と、本体のＭＯ
ＳＦＥＴ２のソース２ｓに接続されるインダクタ６と、
ドレイン７ｄが本体のＭＯＳＦＥＴ２のゲート２ｇとゲ
ート抵抗５間に接続されるとともに、ゲート７ｇが本体
のＭＯＳＦＥＴ２のソース２ｓとインダクタ６間に逆方
向の第１のダイオード９を介して接続される電流遮断用
ＭＯＳＦＥＴ７と、第１のダイオード９に順方向となる
ようにインダクタ６に並列接続される第２のダイオード
１０とから構成されている。The protection circuit 3 is composed of the MOSFET 2 of the main body.
Gate resistance 5 connected to the gate 2g of the
An inductor 6 connected to the source 2s of the SFET2,
The drain 7d is connected between the gate 2g of the main body MOSFET 2 and the gate resistor 5, and the gate 7g is connected between the source 2s of the main body MOSFET 2 and the inductor 6 via the first diode 9 in the reverse direction. MOSFET 7 and a second diode 10 connected in parallel to the inductor 6 so as to be forward to the first diode 9.
【００３６】ここで、本実施形態３では実施形態１、２
とは異なり、電流検知用ＭＯＳＦＥＴを省略して、イン
ダクタ６を直接に本体のＭＯＳＦＥＴ２のソース２ｓに
接続している。Here, in the third embodiment, the first and second embodiments are used.
Unlike, the current detection MOSFET is omitted and the inductor 6 is directly connected to the source 2s of the MOSFET 2 of the main body.
【００３７】また、実施形態２と同様に、第１のダイオ
ード９及び第２のダイオード１０がともに、電流遮断用
ＭＯＳＦＥＴ７のゲート７ｇに対して順方向に接続され
ているので、電流遮断用ＭＯＳＦＥＴ７は正のゲート電
位が加えられたときのみオンするように設定されてい
る。Further, as in the second embodiment, the first diode 9 and the second diode 10 are both connected in the forward direction to the gate 7g of the current cutoff MOSFET 7, so that the current cutoff MOSFET 7 is It is set to turn on only when a positive gate potential is applied.
【００３８】次に、本実施形態３によるＭＩＳ型半導体
装置１の動作を説明する。Next, the operation of the MIS type semiconductor device 1 according to the third embodiment will be described.
【００３９】今、負荷短絡やノイズなどによって、本体
のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン２ｄとソース２ｓ間に瞬発
電流が流れたとすると、保護回路３を構成しているイン
ダクタ６にその瞬発電流によるドレイン電流が流れるこ
とによって、インダクタ６には電圧が誘起され、この誘
起電圧は電流遮断用ＭＯＳＦＥＴ７のゲート電位として
加えられる。Now, assuming that an instantaneous current flows between the drain 2d and the source 2s of the MOSFET 2 of the main body due to a load short circuit or noise, a drain current due to the instantaneous current flows through the inductor 6 forming the protection circuit 3. As a result, a voltage is induced in the inductor 6, and this induced voltage is applied as the gate potential of the current cutoff MOSFET 7.
【００４０】このゲート電位が正のときで、かつ電流遮
断用ＭＯＳＦＥＴ７の閾値Ｖｔｈを越えると、電流遮断
用ＭＯＳＦＥＴ７はオンしてドレイン電流が流れるよう
になる。このドレイン電流が流れることにより、ゲート
抵抗５にゲート電流が流れるので、ゲート抵抗５に電圧
降下が生ずる。従って、このゲート抵抗５が接続されて
いる本体のＭＯＳＦＥＴ２のゲート電圧は、その電圧降
下分だけ低下するようになる。When the gate potential is positive and exceeds the threshold value Vth of the current cutoff MOSFET 7, the current cutoff MOSFET 7 is turned on and the drain current flows. When this drain current flows, a gate current flows through the gate resistor 5, causing a voltage drop in the gate resistor 5. Therefore, the gate voltage of the MOSFET 2 of the main body to which the gate resistor 5 is connected decreases by the amount of the voltage drop.
【００４１】この結果、本体のＭＯＳＦＥＴ２のドレイ
ン２ｄとソース２ｓ間に流れている瞬発電流は瞬時に減
少するようになる。なお、実施形態１、２に比較して、
電流検知用ＭＯＳＦＥＴを省略したことにより、本体の
ＭＯＳＦＥＴ２のスイッチングスピードが低下するが、
低速のスイッチング用途には十分適用できる。As a result, the instantaneous current flowing between the drain 2d and the source 2s of the MOSFET 2 of the main body instantly decreases. In addition, as compared with the first and second embodiments,
By omitting the MOSFET for current detection, the switching speed of the MOSFET 2 of the main body is reduced,
Sufficiently applicable to low-speed switching applications.
【００４２】以上のような本実施形態３によるＭＩＳ型
半導体装置１によれば、次のような効果が得られる。According to the MIS type semiconductor device 1 of the third embodiment as described above, the following effects can be obtained.
【００４３】実施形態１、２と同様に本体のＭＯＳＦＥ
Ｔ２を瞬発電流から保護する保護回路３を内蔵するよう
にしたので、本体のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン２ｄとソ
ース２ｓ間に瞬発電流が流れたときに、この瞬発電流を
インダクタ６によって検知して、電流遮断用ＭＯＳＦＥ
Ｔ７によってその瞬発電流を遮断することができるた
め、実施形態１、２と同様な効果を得ることができ、し
かも電流検知用ＭＯＳＦＥＴを省略しているので、回路
構成を簡略化することができる。The MOSFE of the main body is the same as in the first and second embodiments.
Since the protection circuit 3 that protects T2 from the instantaneous current is built-in, when the instantaneous current flows between the drain 2d and the source 2s of the MOSFET 2 of the main body, the instantaneous current is detected by the inductor 6 and the current is cut off. MOSFE for
Since the instantaneous current can be interrupted by T7, the same effect as in the first and second embodiments can be obtained, and since the current detection MOSFET is omitted, the circuit configuration can be simplified.
【００４４】（実施形態４）図５は本実施形態４による
ＭＩＳ型半導体装置を示す回路図である。本実施形態４
によるＭＩＳ型半導体装置１は、次のような構成の保護
回路３を内蔵している。(Fourth Embodiment) FIG. 5 is a circuit diagram showing a MIS type semiconductor device according to a fourth embodiment. Fourth Embodiment
The MIS type semiconductor device 1 according to (1) has a built-in protection circuit 3 having the following configuration.
【００４５】この保護回路３は、図３の実施形態２によ
るＭＩＳ型半導体装置１と比較して、そのインダクタ６
に代えてインダクタ接続用端子１２を設けた点が異なっ
ている。このインダクタ接続用端子１２には、チップサ
イズに制限されることなしに、大きなインダクタスを有
するインダクタが外付けで接続可能になっている。The protection circuit 3 has an inductor 6 as compared with the MIS semiconductor device 1 according to the second embodiment shown in FIG.
The difference is that an inductor connection terminal 12 is provided instead. An inductor having a large inductor can be externally connected to the inductor connecting terminal 12 without being limited by the chip size.
【００４６】次に、本実施形態４によるＭＩＳ型半導体
装置１の動作を説明する。Next, the operation of the MIS type semiconductor device 1 according to the fourth embodiment will be described.
【００４７】今、負荷短絡やノイズなどによって、本体
のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン２ｄとソース２ｓ間に瞬発
電流が流れたとすると、保護回路３を構成している電流
検知用ＭＯＳＦＥＴ４には、その瞬発電流によるドレイ
ン電流が流れることによって、インダクタ接続用端子１
２に外付けされたインダクタには電圧が誘起され、この
誘起電圧は電流遮断用ＭＯＳＦＥＴ７のゲート電位とし
て加えられる。Now, assuming that an instantaneous current flows between the drain 2d and the source 2s of the MOSFET 2 of the main body due to a load short circuit or noise, the current detection MOSFET 4 forming the protection circuit 3 has a drain due to the instantaneous current. Inductor connection terminal 1 when current flows
A voltage is induced in the inductor externally attached to 2, and this induced voltage is applied as the gate potential of the current cutoff MOSFET 7.
【００４８】このゲート電位が正のときで、かつ電流遮
断用ＭＯＳＦＥＴ７の閾値Ｖｔｈを越えると、電流遮断
用ＭＯＳＦＥＴ７はオンしてドレイン電流が流れるよう
になる。このドレイン電流が流れることにより、ゲート
抵抗５にゲート電流が流れるので、ゲート抵抗５に電圧
降下が生ずる。従って、このゲート抵抗５が接続されて
いる本体のＭＯＳＦＥＴ２のゲート電圧は、その電圧降
下分だけ低下するようになる。When the gate potential is positive and exceeds the threshold value Vth of the current cutoff MOSFET 7, the current cutoff MOSFET 7 is turned on and the drain current flows. When this drain current flows, a gate current flows through the gate resistor 5, causing a voltage drop in the gate resistor 5. Therefore, the gate voltage of the MOSFET 2 of the main body to which the gate resistor 5 is connected decreases by the amount of the voltage drop.
【００４９】この結果、本体のＭＯＳＦＥＴ２のドレイ
ンとソース間に流れている瞬発電流は瞬時に減少するよ
うになる。As a result, the instantaneous current flowing between the drain and the source of the MOSFET 2 of the main body instantly decreases.
【００５０】以上のような本実施形態４によるＭＩＳ型
半導体装置１によれば、次のような効果が得られる。According to the MIS type semiconductor device 1 of the fourth embodiment as described above, the following effects can be obtained.
【００５１】実施形態１乃至３と同様に本体のＭＯＳＦ
ＥＴ２を瞬発電流から保護する保護回路３を内蔵するよ
うにしたので、本体のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン２ｄと
ソース２ｓ間に瞬発電流が流れたときに、この瞬発電流
を電流検知用ＭＯＳＦＥＴ４によって検知して、電流遮
断用ＭＯＳＦＥＴ７によってその瞬発電流を遮断するこ
とができるため、実施形態１乃至３と同様な効果を得る
ことができ、しかもインダクタ接続用端子１２を設けて
いるので、チップサイズに制限されることなしに、大き
なインダクタスを有するインダクタを用意することがで
きる。MOSF of the main body as in the first to third embodiments
Since the protection circuit 3 for protecting the ET2 from the instantaneous current is built in, when the instantaneous current flows between the drain 2d and the source 2s of the MOSFET 2 of the main body, the instantaneous current is detected by the current detection MOSFET 4, Since the instantaneous current can be interrupted by the current interrupting MOSFET 7, the same effect as in the first to third embodiments can be obtained, and the inductor connecting terminal 12 is provided, so that the chip size is limited. Without, it is possible to prepare an inductor having a large inductor.
【００５２】（実施形態５）図６は本実施形態５による
ＭＩＳ型半導体装置を示す平面図である。本実施形態５
によるＭＩＳ型半導体装置１は、実施形態４によるＭＩ
Ｓ型半導体装置１の具体例を示している。(Fifth Embodiment) FIG. 6 is a plan view showing an MIS type semiconductor device according to a fifth embodiment. Embodiment 5
The MIS type semiconductor device 1 according to
A specific example of the S-type semiconductor device 1 is shown.
【００５３】本体のＭＯＳＦＥＴ２が形成されている半
導体チップ１３上には、保護回路３のインダクタを除く
回路部１４が形成されて、このチップ１３上のインダク
タの両端部に相当する位置にはワイヤボンディング用パ
ッド１５が形成されている。A circuit portion 14 excluding the inductor of the protection circuit 3 is formed on the semiconductor chip 13 on which the MOSFET 2 of the main body is formed, and wire bonding is performed on the chip 13 at positions corresponding to both ends of the inductor. The pad 15 is formed.
【００５４】半導体チップ１３はパッケージ１６に配置
されて、このパッケージ１６には外付け用のインダクタ
チップ１７が配置されて、このインダクタチップ１７は
インダクタチップボンディングワイヤ１８を通じてワイ
ヤボンディング用パッド１５に接続されている。また、
半導体チップ１３上にはソースパッド１９、ゲートパッ
ド２０が設けられて各々にはソースボンディングワイヤ
２１、ゲートボンディングパッド２２が接続されてい
る。The semiconductor chip 13 is arranged in a package 16, an inductor chip 17 for external attachment is arranged in this package 16, and the inductor chip 17 is connected to a wire bonding pad 15 through an inductor chip bonding wire 18. ing. Also,
A source pad 19 and a gate pad 20 are provided on the semiconductor chip 13, and a source bonding wire 21 and a gate bonding pad 22 are connected to each of them.
【００５５】以上のような本実施形態５によれば、外付
け可能な大きなインダクタスを有するインダクタチップ
１７及び半導体チップ１３を一つのパッケージ１６に収
納できる保護機能付きのＭＩＳ型半導体装置１を実現す
ることができるので、システムを小型化できるようにな
る。According to the fifth embodiment as described above, the MIS type semiconductor device 1 with a protection function capable of accommodating the semiconductor chip 13 and the inductor chip 17 having a large externally attachable inductor in one package 16 is realized. Therefore, the system can be downsized.
【００５６】（実施形態６）図７は本実施形態６による
ＭＩＳ型半導体装置を示す平面図である。本実施形態５
によるＭＩＳ型半導体装置１は、実施形態４によるＭＩ
Ｓ型半導体装置１の他の具体例を示している。(Sixth Embodiment) FIG. 7 is a plan view showing an MIS type semiconductor device according to a sixth embodiment. Embodiment 5
The MIS type semiconductor device 1 according to
Another specific example of the S-type semiconductor device 1 is shown.
【００５７】本実施形態６によるＭＩＳ型半導体装置１
は、実施形態５によるＭＩＳ型半導体装置１と比較し
て、そのインダクタチップ１７に代えて、ワイヤボンデ
ィング用パッド１５に例えば１０μｍφのＡｕ線からな
るインダクタ用ワイヤ２３を接続した点が異なってい
る。このワイヤ２３は所望のインダクタンスを有するよ
うに巻回あるいは迂回される。MIS type semiconductor device 1 according to the sixth embodiment
Is different from the MIS type semiconductor device 1 according to the fifth embodiment in that the inductor chip 17 is replaced by an inductor wire 23 made of, for example, a 10 μmφ Au wire and connected to the wire bonding pad 15. This wire 23 is wound or bypassed so as to have a desired inductance.
【００５８】以上のような本実施形態６によっても、外
付け可能な大きなインダクタスを有するインダクタ用ワ
イヤ２３及び半導体チップ１３を一つのパッケージ１６
に収納できる保護機能付きのＭＩＳ型半導体装置１を実
現することができるので、実施形態５と同様な効果を得
ることができる。According to the sixth embodiment as described above, the inductor wire 23 and the semiconductor chip 13 each having a large externally attachable inductor are packaged in one package 16.
Since it is possible to realize the MIS type semiconductor device 1 with a protection function that can be housed in, it is possible to obtain the same effect as in the fifth embodiment.
【００５９】図８は、各実施形態１乃至４で用いられる
インダクタの構成例を示すもので、半導体チップ１３上
に所望のインダクタンスを有するように形成した例えば
Ａｌ線からなるスパイラル配線２４を、例えば低抵抗ポ
リシリコンからなるリード配線２５によって外部に引き
出すようにした例を示している。FIG. 8 shows an example of the structure of the inductor used in each of the first to fourth embodiments. For example, the spiral wiring 24 made of, for example, Al wire formed on the semiconductor chip 13 to have a desired inductance is An example is shown in which the lead wiring 25 made of low-resistance polysilicon is used to lead it to the outside.
【００６０】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。As described above, the invention made by the present inventor is
Although specifically described based on the embodiment, the present invention
It is needless to say that the present invention is not limited to the above embodiment, and various changes can be made without departing from the scope of the invention.
【００６１】例えば、前記実施形態ではＭＩＳ型半導体
装置としてＭＯＳＦＥＴに例をあげて説明したが、これ
に限らずＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂ
ｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のようなパワー
半導体装置に対しても適用できる。For example, in the above-described embodiment, the MOSFET has been described as an example of the MIS type semiconductor device.
It can also be applied to a power semiconductor device such as an ipolar Transistor.
【００６２】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＭＩＳ
型半導体装置に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではない。本発明は、少なくとも保護
回路を必要とする瞬発電流の発生し易い大電力用の半導
体装置に対しては適用できるIn the above description, the MIS, which is the field of application of the invention mainly made by the present inventor, was the background.
Although it has been described that the present invention is applied to the semiconductor device, it is not limited to this. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be applied to at least a semiconductor device for high power, which requires a protection circuit and is apt to generate an instantaneous current.
【００６３】[0063]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
【００６４】ドレインとソース間に瞬発電流が流れたと
きに、この瞬発電流を検知することによりゲート電位を
低下させて瞬発電流を低下させる保護回路を内蔵してい
るので、瞬発電流が発生した際でも、素子の破壊防止を
図ることが可能となる。When the instantaneous current flows between the drain and the source, a protection circuit for lowering the gate potential and lowering the instantaneous current by detecting the instantaneous current is built-in. However, it becomes possible to prevent destruction of the element.
【図１】本発明の実施形態１によるＭＩＳ型半導体装置
を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a MIS type semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施形態１によるＭＩＳ型半導体装置
の動作を説明する特性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram illustrating an operation of the MIS type semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施形態２によるＭＩＳ型半導体装置
を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a MIS type semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施形態３によるＭＩＳ型半導体装置
を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a MIS type semiconductor device according to a third embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施形態４によるＭＩＳ型半導体装置
を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a MIS type semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention.
【図６】本発明の実施形態５によるＭＩＳ型半導体装置
の具体例を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a specific example of a MIS type semiconductor device according to a fifth embodiment of the present invention.
【図７】本発明の実施形態６によるＭＩＳ型半導体装置
の他の具体的を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing another specific example of the MIS type semiconductor device according to the sixth embodiment of the present invention.
【図８】本発明の各実施形態１乃至４によるＭＩＳ型半
導体装置で用いられるインダクタの構成例を示す平面図
である。FIG. 8 is a plan view showing a configuration example of an inductor used in the MIS type semiconductor device according to each of the first to fourth embodiments of the present invention.
１…ＭＩＳ型半導体装置、２…本体のＭＯＳＦＥＴ、２
ｓ、４ｓ、７ｓ…ＭＯＳＦＥＴのソース、２ｄ、４ｄ、
７ｄ…ＭＯＳＦＥＴのドレイン、２ｇ、４ｇ、７ｇ…Ｍ
ＯＳＦＥＴのゲート、３…保護回路、４…電流検知用Ｍ
ＯＳＦＥＴ、５…ゲート抵抗、６…インダクタ、７…電
流遮断用ＭＯＳＦＥＴ、８…接続点、９…第１のダイオ
ード、１０…第２のダイオード、１１…キャパシタ、１
２…インダクタ接続用端子、１３…半導体チップ、１４
…保護回路のインダクタを除く回路部、１５…ワイヤボ
ンディング用パッド、１６…パッケージ、１７…インダ
クタチップ、１８…インダクタチップボンディングワイ
ヤ、１９…ソースパッド、２０…ゲートパッド、２１…
ソースボンディングワイヤ、２２…ゲートボンディング
ワイヤ、２３…インダクタ用ワイヤ、２４…スパイラル
配線、２５…リード配線。1 ... MIS type semiconductor device, 2 ... MOSFET of main body, 2
s, 4s, 7s ... MOSFET sources, 2d, 4d,
7d ... MOSFET drain, 2g, 4g, 7g ... M
Gate of OSFET, 3 ... Protection circuit, 4 ... M for current detection
OSFET, 5 ... Gate resistance, 6 ... Inductor, 7 ... Current interruption MOSFET, 8 ... Connection point, 9 ... First diode, 10 ... Second diode, 11 ... Capacitor, 1
2 ... Inductor connection terminal, 13 ... Semiconductor chip, 14
... Circuit part excluding inductor of protection circuit, 15 ... Wire bonding pad, 16 ... Package, 17 ... Inductor chip, 18 ... Inductor chip bonding wire, 19 ... Source pad, 20 ... Gate pad, 21 ...
Source bonding wire, 22 ... Gate bonding wire, 23 ... Inductor wire, 24 ... Spiral wiring, 25 ... Lead wiring.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯島 哲郎 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 中洲 正敏 埼玉県入間郡毛呂山町大字旭台15番地 日 立東部セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 大澤 和明 埼玉県入間郡毛呂山町大字旭台15番地 日 立東部セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 小林 正義 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 中沢 芳人 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tetsuro Iijima 5-20-1 Kamimizuhoncho, Kodaira-shi, Tokyo Inside the Semiconductor Business Division, Hitachi, Ltd. (72) Masatoshi Nakasu Inamoridai, Moroyama-cho, Iruma-gun, Saitama Prefecture No. 15 In Nihon Tobu Semiconductor Co., Ltd. (72) Inventor Kazuaki Osawa, Asahidai, Moroyama-cho, Iruma-gun, Saitama Prefecture No. 15 In Nihon Tobu Semiconductor Co., Ltd. No. 20-1 Semiconductor Company, Hitachi Ltd. Semiconductor Division (72) Inventor Yoshito Nakazawa 5-20-1, Kamimizuhonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Within Hitachi Ltd. Semiconductor Division, Ltd.
Claims (8)
に流れるドレイン電流を制御するＭＩＳ型半導体装置で
あって、前記ドレインとソース間に瞬発電流が流れたと
きに、この瞬発電流を検知することにより前記ゲート電
位を低下させて前記瞬発電流を低下させる保護回路を内
蔵することを特徴とするＭＩＳ型半導体装置。1. A MIS type semiconductor device for controlling a drain current flowing between a drain and a source according to a gate potential, wherein the instantaneous current is detected when the instantaneous current flows between the drain and the source. The MIS type semiconductor device is characterized in that a protection circuit for lowering the gate potential to lower the instantaneous current is built in.
装置に並列接続される電流検知用ＭＩＳ型半導体装置
と、この電流検知用ＭＩＳ型半導体装置及び前記本体の
ＭＩＳ型半導体装置のゲートに共通に接続されるゲート
抵抗と、前記電流検知用ＭＩＳ型半導体装置のソースに
接続されるインダクタと、ドレインが前記本体及び電流
検知用ＭＩＳ型半導体装置のゲートと前記ゲート抵抗間
に接続されるとともに、ゲートが前記電流検知用ＭＩＳ
型半導体装置のソースと前記インダクタ間に接続される
電流遮断用ＭＩＳ型半導体装置とから構成されているこ
とを特徴とする請求項１に記載のＭＩＳ型半導体装置。2. The protection circuit is common to a current detection MIS semiconductor device connected in parallel to a MIS semiconductor device of a main body, the current detection MIS semiconductor device and a gate of the MIS semiconductor device of the main body. A gate resistance connected to the current sensing MIS semiconductor device, an inductor connected to the source of the current sensing MIS semiconductor device, and a drain connected between the gate of the body and the current sensing MIS semiconductor device and the gate resistor; The gate is the current detection MIS
2. The MIS type semiconductor device according to claim 1, comprising a current blocking MIS type semiconductor device connected between the source of the type semiconductor device and the inductor.
の閾値電圧が、前記瞬発電流が本体のＭＩＳ型半導体装
置に発生したときに前記インダクタに誘起される電圧よ
りも低くなるように設定されていることを特徴とする請
求項２に記載のＭＩＳ型半導体装置。3. The current cutoff MIS semiconductor device is set such that its threshold voltage is lower than the voltage induced in the inductor when the instantaneous current occurs in the MIS semiconductor device of the main body. The MIS type semiconductor device according to claim 2, wherein
装置に並列接続される電流検知用ＭＩＳ型半導体装置
と、この電流検知用ＭＩＳ型半導体装置及び前記本体の
ＭＩＳ型半導体装置のゲートに共通に接続されるゲート
抵抗と、前記電流検知用ＭＩＳ型半導体装置のソースに
接続されるインダクタと、ドレインが前記本体及び電流
検知用ＭＩＳ型半導体装置のゲートと前記ゲート抵抗間
に接続されるとともに、ゲートが前記電流検知用ＭＩＳ
型半導体装置のソースと前記インダクタ間に逆方向の第
１のダイオードを介して接続される電流遮断用ＭＩＳ型
半導体装置と、前記第１のダイオードに順方向となるよ
うにインダクタに並列接続される第２のダイオードとか
ら構成されていることを特徴とする請求項１に記載のＭ
ＩＳ型半導体装置。4. The protection circuit is common to a current detection MIS semiconductor device connected in parallel to a MIS semiconductor device of a main body, the current detection MIS semiconductor device and a gate of the MIS semiconductor device of the main body. A gate resistance connected to the current sensing MIS semiconductor device, an inductor connected to the source of the current sensing MIS semiconductor device, and a drain connected between the gate of the body and the current sensing MIS semiconductor device and the gate resistor; The gate is the current detection MIS
-Type semiconductor device and a current-cutting MIS type semiconductor device connected between the inductor and the first diode in the reverse direction, and the first diode are connected in parallel to the inductor in a forward direction. The M according to claim 1, wherein the M comprises a second diode.
IS type semiconductor device.
装置のゲートに接続されるゲート抵抗と、本体のＭＩＳ
型半導体装置のソースに接続されるインダクタと、ドレ
インが前記本体のＭＩＳ型半導体装置のゲートと前記ゲ
ート抵抗間に接続されるとともに、ゲートが前記本体の
ＭＩＳ型半導体装置のソースと前記インダクタ間に逆方
向の第１のダイオードを介して接続される電流遮断用Ｍ
ＩＳ型半導体装置と、前記第１のダイオードに順方向と
なるようにインダクタに並列接続される第２のダイオー
ドとから構成されていることを特徴とする請求項１に記
載のＭＩＳ型半導体装置。5. The protection circuit includes a gate resistor connected to the gate of the MIS type semiconductor device of the main body, and a MIS of the main body.
An inductor connected to the source of the MIS semiconductor device, a drain connected between the gate and the gate resistor of the MIS semiconductor device of the main body, and a gate between the source and the inductor of the MIS semiconductor device of the main body. M for current interruption connected through the first diode in the reverse direction
2. The MIS type semiconductor device according to claim 1, comprising an IS type semiconductor device and a second diode connected in parallel to the inductor so as to be forward to the first diode.
装置に並列接続される電流検知用ＭＩＳ型半導体装置
と、この電流検知用ＭＩＳ型半導体装置及び前記本体の
ＭＩＳ型半導体装置のゲートに共通に接続されるゲート
抵抗と、前記電流検知用ＭＩＳ型半導体装置のソースに
設けられるインダクタ接続用端子と、ドレインが前記本
体及び電流検知用ＭＩＳ型半導体装置のゲートと前記ゲ
ート抵抗間に接続されるとともに、ゲートが前記電流検
知用ＭＩＳ型半導体装置のソースに逆方向の第１のダイ
オードを介して接続される電流遮断用ＭＩＳ型半導体装
置と、前記第１のダイオードに順方向となるように電流
検知用ＭＩＳ型半導体装置のソースに接続される第２の
ダイオードとから構成されていることを特徴とする請求
項１に記載のＭＩＳ型半導体装置。6. The protection circuit is common to a current detection MIS semiconductor device connected in parallel to a MIS semiconductor device of a main body, the current detection MIS semiconductor device and a gate of the MIS semiconductor device of the main body. A gate resistor connected to the current sensing MIS type semiconductor device, an inductor connection terminal provided at the source of the current sensing MIS type semiconductor device, and a drain connected between the body and the gate of the current sensing MIS type semiconductor device and the gate resistor. At the same time, a current blocking MIS semiconductor device having a gate connected to the source of the current detecting MIS semiconductor device via a first diode in the reverse direction, and a current flowing in the forward direction to the first diode. 2. The MIS type according to claim 1, further comprising a second diode connected to the source of the MIS type semiconductor device for detection. Semiconductor device.
が、本体のＭＩＳ型半導体装置と同一チップ上に形成さ
れ、このチップ上のインダクタの両端部に相当する位置
にはワイヤボンディング用パッドが形成されていること
を特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のＭ
ＩＳ型半導体装置。7. The circuit portion excluding the inductor of the protection circuit is formed on the same chip as the MIS type semiconductor device of the main body, and wire bonding pads are formed on the chip at positions corresponding to both ends of the inductor. M according to any one of claims 1 to 6, characterized in that
IS type semiconductor device.
ヤボンディングが行われ、このワイヤをインダクタとし
て用いることを特徴とする請求項７に記載のＭＩＳ型半
導体装置。8. The MIS type semiconductor device according to claim 7, wherein wire bonding is performed on the wire bonding pad, and the wire is used as an inductor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8129463A JPH09312347A (en) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | Mis semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8129463A JPH09312347A (en) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | Mis semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09312347A true JPH09312347A (en) | 1997-12-02 |
Family
ID=15010124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8129463A Pending JPH09312347A (en) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | Mis semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09312347A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2819953A1 (en) * | 2001-01-24 | 2002-07-26 | St Microelectronics Sa | DI / DT CONTROLLED POWER SWITCH |
| JP2005209943A (en) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Denso Corp | Switch circuit and lighting device using the same |
-
1996
- 1996-05-24 JP JP8129463A patent/JPH09312347A/en active Pending
Cited By (4)
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