JP3474775B2 - Inverter control semiconductor device - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、家庭用インバータ
エアコン、インバータ冷蔵庫、産業用インバータポンプ
システムなどに用いられるインテリジェントパワーデバ
イスに使用されるもので、過電流を検出し、インバータ
システムを保護するための過電流保護回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used for an intelligent power device used in a home inverter air conditioner, an inverter refrigerator, an industrial inverter pump system, etc., for detecting an overcurrent and protecting the inverter system. The present invention relates to an overcurrent protection circuit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図２は、インバータシステムの概略を示
している。インバータシステムは、一般に、電源入力部
（コンバータ部）１１、システム制御部（マイコン）１
２及び出力部（インバータ部）１３から構成される。電
源入力部１１には、交流（ＡＣ）信号が入力され、出力
部１３から負荷（例えば、三相モータ）に電流が供給さ
れる。出力部１３には、インバータ出力素子を過電流か
ら保護するために、インバータ出力素子の出力電流を検
出し、この出力電流が所定値以上になった場合にこの出
力電流を制限する過電流保護回路が設けられている。2. Description of the Related Art FIG. 2 schematically shows an inverter system. The inverter system generally includes a power supply input section (converter section) 11 and a system control section (microcomputer) 1.
2 and an output unit (inverter unit) 13. An alternating current (AC) signal is input to the power supply input unit 11, and current is supplied from the output unit 13 to a load (for example, a three-phase motor). In order to protect the inverter output element from an overcurrent, the output unit 13 detects the output current of the inverter output element and limits the output current when the output current exceeds a predetermined value. Is provided.
【０００３】図３は、図２の三相インバータシステムの
出力部の主要部を示している。インバータ出力素子２１
は、ＩＧＢＴやＦＥＴなどのパワーデバイスから構成さ
れる。インバータ出力素子２１に流れる電流は、電流検
出シャント抵抗（以下、電流検出抵抗）２２により電圧
に変換される。インバータ出力素子２１を駆動するゲー
トドライバ２３は、過電流保護回路を有している。過電
流保護回路は、過電流検出用コンパレータ２４及びノア
（論理和否定）回路２６からなる。FIG. 3 shows a main part of an output part of the three-phase inverter system shown in FIG. Inverter output element 21
Are composed of power devices such as IGBTs and FETs. The current flowing through the inverter output element 21 is converted into a voltage by the current detection shunt resistor (hereinafter, current detection resistor) 22. The gate driver 23 that drives the inverter output element 21 has an overcurrent protection circuit. The overcurrent protection circuit includes an overcurrent detection comparator 24 and a NOR (logical sum negation) circuit 26.
【０００４】過電流検出用コンパレータ２４のマイナス
側入力端子には、電源２５による基準電圧Ｖｒｅｆが印
加され、プラス側入力端子には、電流検出抵抗２２の電
圧降下により発生した電圧ＶＳが印加される。The reference voltage Vref from the power supply 25 is applied to the negative input terminal of the overcurrent detection comparator 24, and the voltage VS generated by the voltage drop of the current detection resistor 22 is applied to the positive input terminal. .
【０００５】そして、電流検出抵抗２２に所定値以上の
電流（過電流）が流れると、電流検出抵抗２２により発
生する電圧ＶＳが基準電圧Ｖｒｅｆよりも大きくなり、
過電流検出用コンパレータ２４の出力がプラス
（“Ｈ”）となる。この時、ノア回路２６の出力は、全
て強制的にマイナス（“Ｌ”）となり、出力電流が遮断
される。When a current (overcurrent) of a predetermined value or more flows through the current detection resistor 22, the voltage VS generated by the current detection resistor 22 becomes larger than the reference voltage Vref,
The output of the overcurrent detection comparator 24 becomes positive (“H”). At this time, all the outputs of the NOR circuit 26 are forcibly made negative (“L”), and the output current is cut off.
【０００６】また、電流検出抵抗２２に流れる電流が所
定値未満の場合には、電流検出抵抗２２により発生する
電圧ＶＳが基準電圧Ｖｒｅｆよりも小さくなり、過電流
検出用コンパレータ２４の出力がマイナス（“Ｌ”）と
なる。この時、ノア回路２６の出力は、制御入力φ１〜
φ６に応じてプラス（“Ｈ”）又はマイナス（“Ｌ”）
となる。When the current flowing through the current detection resistor 22 is less than the predetermined value, the voltage VS generated by the current detection resistor 22 becomes smaller than the reference voltage Vref, and the output of the overcurrent detection comparator 24 becomes negative ( "L"). At this time, the output of the NOR circuit 26 has control inputs φ1 to φ1.
Plus (“H”) or minus (“L”) depending on φ6
Becomes
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】図３に示すように、イ
ンバータ制御用半導体装置は、インバータ出力素子２１
を過電流から保護するために過電流保護回路を有してい
る。そして、従来の過電流保護回路は、出力電流の主経
路に接続される電流検出抵抗２２を用いて、直接、イン
バータ出力素子２１に流れる出力電流を検出していた。As shown in FIG. 3, the inverter control semiconductor device includes an inverter output element 21.
Has an overcurrent protection circuit to protect the device from overcurrent. Then, the conventional overcurrent protection circuit directly detects the output current flowing through the inverter output element 21 by using the current detection resistor 22 connected to the main path of the output current.
【０００８】しかし、インバータ出力素子２１に流れる
出力電流は、通常、数十〜数百アンペアと非常に大きい
ため、電流検出抵抗２２において発生するワッテージも
数十ワットと大きくなる。However, since the output current flowing through the inverter output element 21 is usually as large as several tens to several hundreds of amperes, the wattage generated in the current detection resistor 22 also becomes as large as several tens of watts.
【０００９】よって、このような大きなワッテージに耐
える高価な電流検出抵抗２２が必要になると共に、電流
検出抵抗２２を用いることによるパワーの損失によりシ
ステムの効率が悪くなるという欠点がある。Therefore, there is a drawback that an expensive current detection resistor 22 that can withstand such a large wattage is required and that the efficiency of the system deteriorates due to the loss of power due to the use of the current detection resistor 22.
【００１０】本発明は、上記事情を鑑みてなされたもの
で、その目的は、インバータ制御用半導体装置におい
て、インバータ出力素子を過電流から保護するための出
力電流の検出を、出力電流の主経路に電流検出抵抗を接
続することなく行い、かつ、過電流からの保護を制御Ｉ
Ｃ内で精度よく行うことである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to detect an output current for protecting an inverter output element from an overcurrent in a semiconductor device for controlling an inverter, and to detect a main path of the output current. Without connecting a current detection resistor to, and control overcurrent protection I
It is to be performed accurately in C.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のインバータ制御用半導体装置は、１チップ
化され、かつ、センス端子を有するトランジスタの動作
を制御するものであり、前記トランジスタのセンス端子
に流れるセンス電流をセンス電圧に変換する抵抗と、基
準電圧と前記センス電圧を比較するコンパレータと、前
記コンパレータの比較結果に基づいて前記トランジスタ
の動作を制御するゲートドライバとを備えている。In order to achieve the above object, a semiconductor device for inverter control according to the present invention controls the operation of a transistor which is integrated into one chip and has a sense terminal. A resistor for converting a sense current flowing through the sense terminal into a sense voltage, a comparator for comparing a reference voltage with the sense voltage, and a gate driver for controlling the operation of the transistor based on the comparison result of the comparator are provided.
【００１２】前記基準電圧を生成する抵抗と前記センス
電圧を生成する抵抗は、実質的に同じ特性を有してい
る。前記基準電圧は、環境変化による前記トランジスタ
のセンス電流のばらつきを相殺するような特性を有して
いる。The resistor for generating the reference voltage and the resistor for generating the sense voltage have substantially the same characteristics. The reference voltage has a characteristic of canceling variations in the sense current of the transistor due to environmental changes.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明のインバータ制御用半導体装置について詳細に説明す
る。図１は、本発明の実施の形態に関わるインバータ制
御用半導体装置（制御ＩＣ）の主要部の一例を示してい
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The semiconductor device for inverter control of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an example of a main part of a semiconductor device (control IC) for controlling an inverter according to an embodiment of the present invention.
【００１４】本例では、三相インバータシステムに適用
されるインバータ制御用半導体装置について説明する。
インバータ出力素子１は、センス端子を有するパワーデ
バイス（ＩＧＢＴ、ＦＥＴなど）から構成される。本発
明では、インバータ出力素子１の主電流ＩＭが流れる主
経路に電流検出抵抗が接続されることはなく、インバー
タ出力素子１は、直接、接地点に接続される。In this example, an inverter control semiconductor device applied to a three-phase inverter system will be described.
The inverter output element 1 is composed of a power device (IGBT, FET, etc.) having a sense terminal. In the present invention, the current detection resistor is not connected to the main path through which the main current IM of the inverter output element 1 flows, and the inverter output element 1 is directly connected to the ground point.
【００１５】インバータ出力素子１は、主電流ＩＭの１
／ｋ倍の微小な電流をセンス電流ＩＳとして出力し得る
センス端子を有している。
ｋ ＝ ＩＭ／ＩＳ …（１）
インバータ出力素子１のセンス端子は、インバータ制御
用半導体装置（制御ＩＣ）１０のセンス入力端子２を経
由して、インバータ制御用半導体装置１０内の抵抗ＲＳ
に接続される。このため、インバータ出力素子１のセン
ス電流ＩＳは、センス入力端子２を経由して抵抗ＲＳに
流れる。The inverter output element 1 has a main current IM of 1
It has a sense terminal capable of outputting a minute current of / k times as the sense current IS. k = IM / IS (1) The sense terminal of the inverter output element 1 passes through the sense input terminal 2 of the inverter control semiconductor device (control IC) 10 and is connected to the resistor RS in the inverter control semiconductor device 10.
Connected to. Therefore, the sense current IS of the inverter output element 1 flows to the resistor RS via the sense input terminal 2.
【００１６】センス電流ＩＳと抵抗ＲＳにより、センス
電圧ＶＳが生成される。
ＶＳ ＝ ＩＳ×ＲＳ …（２）
このセンス電圧ＶＳは、過電流検出用コンパレータ３の
一方の入力端子に入力される。過電流検出用コンパレー
タ３の他方の入力端子には、基準電圧Ｖ０が入力され
る。A sense voltage VS is generated by the sense current IS and the resistor RS. VS = IS × RS (2) This sense voltage VS is input to one input terminal of the overcurrent detection comparator 3. The reference voltage V0 is input to the other input terminal of the overcurrent detection comparator 3.
【００１７】基準電圧Ｖ０は、電流ＩＲと抵抗Ｒ０によ
り生成される。
Ｖ０ ＝ ＩＲ×Ｒ０ …（３）
電流ＩＲは、カレントミラー回路８により電流ＩＲＲを
折り返したものであるから、以下の（４）式の関係が得
られる。The reference voltage V0 is generated by the current IR and the resistor R0. V0 = IR × R0 (3) Since the current IR is the current IRR folded by the current mirror circuit 8, the relationship of the following expression (4) is obtained.
【００１８】
ＩＲ ＝ ＩＲＲ …（４）
電流ＩＲＲは、電源ＶＲ、ｐｎｐ型バイポーラトランジ
スタ４、ｎｐｎ型バイポーラトランジスタ５及び抵抗６
により生成される。また、電流ＩＲＲは、端子７を経由
して、インバータ制御用半導体装置１０の外部の過電流
保護レベル決定抵抗ＲＲに流れる。IR = IRR (4) The current IRR is the power supply VR, the pnp bipolar transistor 4, the npn bipolar transistor 5 and the resistor 6.
Is generated by. Further, the current IRR flows through the terminal 7 to the overcurrent protection level determination resistor RR outside the inverter control semiconductor device 10.
【００１９】
ＶＲ ＝ ＩＲＲ×ＲＲ …（５）
つまり、基準電圧Ｖ０は、上記（３）乃至（５）式よ
り、
Ｖ０ ＝ ＶＲ・（Ｒ０／ＲＲ） …（６）
となる。VR = IRR × RR (5) That is, the reference voltage V0 is V0 = VR · (R0 / RR) (6) from the above equations (3) to (5).
【００２０】従って、本発明に関わる三相インバータ制
御半導体装置の過電流保護レベル（過電流として認識す
る値）ＩＭｔｈは、上記（１），（２）及び（６）式よ
り、以下の（７）式のように表すことができる。Therefore, the overcurrent protection level IMth of the three-phase inverter control semiconductor device according to the present invention (a value recognized as an overcurrent) IMth can be calculated from the equations (1), (2) and (6) as follows: ) Can be expressed as
【００２１】 ＶＳ ＝ Ｖ０ ＩＳ×ＲＳ ＝ ＶＲ・（Ｒ０／ＲＲ） （ＩＭ／ｋ）×ＲＳ ＝ ＶＲ・（Ｒ０／ＲＲ） ＩＭ ＝ ＩＭｔｈ ＩＭｔｈ ＝ ｋ・｛Ｒ０／（ＲＳ×ＲＲ）｝・ＶＲ …（７） 但し、ＩＭｔｈ： 主電流の保護レベル、 ｋ： センス電流と主電流の比（ＩＭ／ＩＳ）、 Ｒ０： 抵抗Ｒ０の抵抗値、 ＲＳ： 抵抗ＲＳの抵抗値、 ＲＲ： 抵抗ＲＲの抵抗値、 ＶＲ： 電源ＶＲの電圧値である。[0021] VS = V0 IS × RS = VR ・ (R0 / RR) (IM / k) × RS = VR · (R0 / RR) IM = IMth IMth = k · {R0 / (RS × RR)} · VR (7) However, IMth: main current protection level, k: ratio of sense current to main current (IM / IS), R0: resistance value of the resistor R0, RS: resistance value of the resistance RS, RR: resistance value of the resistor RR, VR: The voltage value of the power supply VR.
【００２２】なお、コンパレータ３及び抵抗ＲＳは、三
相インバータシステムの各相毎に設けられる。各相に対
応するインバータ出力素子を保護するためである。ま
た、コンパレータ３の出力信号は、ゲートオフ信号とし
てゲートドライバ９に供給される。The comparator 3 and the resistor RS are provided for each phase of the three-phase inverter system. This is to protect the inverter output element corresponding to each phase. Further, the output signal of the comparator 3 is supplied to the gate driver 9 as a gate-off signal.
【００２３】過電流が流れている場合（ＩＭ≧ＩＭｔ
ｈ）、抵抗ＲＳにより発生する電圧ＶＳが基準電圧Ｖ０
よりも大きくなるため、コンパレータ３は、インバータ
出力素子１をオフ状態にするため、ゲートオフ信号を活
性化状態（“Ｈ”）にする。When an overcurrent is flowing (IM ≧ IMt
h), the voltage VS generated by the resistor RS is the reference voltage V0
Therefore, the comparator 3 puts the gate-off signal into the activated state (“H”) to put the inverter output element 1 into the off state.
【００２４】一方、過電流が流れていない場合（ＩＭ＜
ＩＭｔｈ）には、抵抗ＲＳにより発生する電圧ＶＳが基
準電圧Ｖ０よりも小さくなるため、コンパレータ３は、
インバータ出力素子１のオン状態を維持するため、ゲー
トオフ信号を非活性化状態（“Ｌ”）にする。On the other hand, when no overcurrent is flowing (IM <
IMth), since the voltage VS generated by the resistor RS becomes smaller than the reference voltage V0, the comparator 3
In order to maintain the on state of the inverter output element 1, the gate off signal is deactivated (“L”).
【００２５】このように、コンパレータ３の出力によ
り、インバータ出力素子１をカットオフしたり、又は、
インバータ制御用半導体装置１０の外部にダイアグ信号
を出力できる。In this way, the output of the comparator 3 cuts off the inverter output element 1, or
A diagnostic signal can be output to the outside of the inverter controlling semiconductor device 10.
【００２６】上記構成を有するインバータ制御用半導体
装置において、本発明では、さらに、以下の工夫を施し
ている。第一に、電源ＶＲ（Ｖ０）に、インバータ出力
素子１の特性（温度特性を含む）と反対の特性（温度特
性を含む）を持たせる。即ち、システムの周囲の環境条
件（温度変化など）により、一般に、センス電流ＩＳと
主電流ＩＭの比ｋも変化する。これを放置すると、正確
に過電流を検出できなくなる。そこで、環境条件の変化
によるインバータ出力素子１のセンス電流ＩＳのばらつ
き（センス電流ＩＳと主電流ＩＭの比ｋのばらつき）を
相殺するような特性を電源ＶＲ（Ｖ０）に持たせる。In the semiconductor device for controlling an inverter having the above structure, the present invention further takes the following measures. First, the power supply VR (V0) is made to have characteristics (including temperature characteristics) opposite to those of the inverter output element 1 (including temperature characteristics). That is, the ratio k between the sense current IS and the main current IM generally changes depending on the environmental conditions around the system (temperature change, etc.). If this is left as it is, the overcurrent cannot be detected accurately. Therefore, the power supply VR (V0) is provided with a characteristic that cancels out variations in the sense current IS of the inverter output element 1 due to changes in environmental conditions (variations in the ratio k between the sense current IS and the main current IM).
【００２７】第二に、抵抗Ｒ０と抵抗ＲＳに相対精度を
持たせる。即ち、抵抗Ｒ０と抵抗ＲＳを、チップ内にお
いて、同じ場所、同じ向き、同じプロセスで形成し、両
抵抗の特性（温度特性を含む）が実質的に同じになるよ
うにする。これにより、コンパレータにおける比較結果
を、環境条件によらず、常に一定にすることができ、過
電流を高精度に検出できる。Secondly, the resistors R0 and RS have relative accuracy. That is, the resistor R0 and the resistor RS are formed in the same place, in the same direction, and in the same process in the chip so that the two resistors have substantially the same characteristics (including temperature characteristics). As a result, the comparison result in the comparator can always be made constant regardless of the environmental conditions, and the overcurrent can be detected with high accuracy.
【００２８】第三に、各相における抵抗Ｒ０に相対精度
を持たせる。即ち、各相における抵抗Ｒ０を、チップ内
において、同じ場所、同じ向き、同じプロセスで形成
し、各相に対応する各抵抗の特性（温度特性を含む）が
実質的に同じになるようにする。これにより、各相にお
いて、過電流を高精度に検出できるようになる。Thirdly, the resistance R0 in each phase is provided with relative accuracy. That is, the resistance R0 in each phase is formed in the same place, in the same direction, and in the same process in the chip so that the characteristics (including the temperature characteristics) of each resistance corresponding to each phase are substantially the same. . As a result, overcurrent can be detected with high accuracy in each phase.
【００２９】なお、上述の実施の形態では、インバータ
制御用半導体装置（制御ＩＣ）は、バイポーラトランジ
スタにより構成したが、ＭＯＳトランジスタにより構成
しても構わない。In the above embodiment, the inverter controlling semiconductor device (control IC) is composed of bipolar transistors, but it may be composed of MOS transistors.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上、説明したように、本発明のインバ
ータ制御用半導体装置によれば、インバータ出力素子
に、センス端子を有するトランジスタを用いることで、
高価で、パワー損失の原因となる電流検出抵抗を電流の
主経路に接続する必要がなくなる。また、制御ＩＣの内
部に過電流保護回路を設けることで、システムの小型
化、低コスト化に貢献できる。As described above, according to the semiconductor device for inverter control of the present invention, by using the transistor having the sense terminal as the inverter output element,
It is not necessary to connect a current detection resistor, which is expensive and causes power loss, to the main path of the current. Further, by providing the overcurrent protection circuit inside the control IC, it is possible to contribute to downsizing and cost reduction of the system.
【００３１】また、本発明では、主電流を検出する電流
検出抵抗を無くし、その代わりに、センス電流を検出す
る抵抗を制御ＩＣ内に設けている。ところが、通常、Ｉ
Ｃ内に形成される内部抵抗の抵抗値のばらつきは、±数
十％もあり、温度特性も数千ｐｐｍ／℃もある。つま
り、内部抵抗の抵抗値のばらつきにより、過電流保護レ
ベルも大きくばらつくことになる。Further, in the present invention, the current detecting resistor for detecting the main current is eliminated, and instead, the resistor for detecting the sense current is provided in the control IC. However, I
The variation of the resistance value of the internal resistance formed in C is ± several tens%, and the temperature characteristic is several thousands ppm / ° C. That is, the overcurrent protection level also largely varies due to the variation in the resistance value of the internal resistance.
【００３２】そして、過電流保護レベルのばらつきは、
正常な電流範囲においてインバータ出力素子をオフ状態
にしてしまう誤検出や、インバータ出力素子の破壊点に
到達しているような過電流を見逃してしまう事態などを
招く。The variation of the overcurrent protection level is
This may result in erroneous detection of turning off the inverter output element in the normal current range, or a situation in which an overcurrent that reaches the breakdown point of the inverter output element is missed.
【００３３】本発明では、制御ＩＣ（チップ）内の抵抗
を、同じ場所、同じ向き、同じプロセスで形成し、制御
ＩＣ内の主要な抵抗の特性（温度特性を含む）が実質的
に同じになるようにしている。よって、コンパレータに
おける比較結果を、環境条件によらず、常に一定にする
ことができ、過電流を高精度に検出できる。In the present invention, the resistors in the control IC (chip) are formed in the same place, in the same direction and in the same process, and the main resistance characteristics (including temperature characteristics) in the control IC are substantially the same. I am trying to become. Therefore, the comparison result in the comparator can always be made constant regardless of the environmental conditions, and the overcurrent can be detected with high accuracy.
【００３４】また、電源ＶＲ（Ｖ０）に、インバータ出
力素子の特性と反対の特性を持たせることで、環境条件
の変化によるインバータ出力素子のセンス電流のばらつ
き（センス電流と主電流の比のばらつき）を相殺できる
ため、さらに、高精度に過電流を検出できる。Further, by making the power supply VR (V0) have a characteristic opposite to that of the inverter output element, variations in the sense current of the inverter output element due to changes in environmental conditions (variations in the ratio of the sense current and the main current). ) Can be canceled out, the overcurrent can be detected with higher accuracy.
【図１】本発明の実施の形態に関わるインバータ制御用
半導体装置の一例を示す図。FIG. 1 is a diagram showing an example of an inverter control semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図２】インバータシステムの構成を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of an inverter system.
【図３】従来のインバータ制御用半導体装置を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a conventional inverter control semiconductor device.
１，２１ ：インバータ出力素子、
２ ：センス入力端子、
３，２４ ：過電流検出コンパレー
タ、
４ ：ｐｎｐ型バイポーラト
ランジスタ、
５ ：ｎｐｎ型バイポーラト
ランジスタ、
６，７ ：抵抗、
８ ：カレントミラー回路、
９，２３ ：ゲートドライバ、
１０ ：インバータ制御用半
導体装置、
１１ ：電源入力部、
１２ ：システム制御部、
１３ ：出力部、
２２ ：電流検出抵抗、
２５ ：電源、
２６ ：ノア回路。1, 21: Inverter output element, 2: Sense input terminal, 3,24: Overcurrent detection comparator, 4: pnp type bipolar transistor, 5: npn type bipolar transistor, 6,7: resistor, 8: current mirror circuit, 9 , 23: gate driver, 10: semiconductor device for inverter control, 11: power supply input part, 12: system control part, 13: output part, 22: current detection resistor, 25: power supply, 26: NOR circuit.
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Claims (6)
制御する１チップ化されたインバータ制御用半導体装置
であって、定電流により基準電圧を生成する第１の抵抗
と、前記トランジスタのセンス端子に流れるセンス電流
をセンス電圧に変換する第２の抵抗と、前記基準電圧と
前記センス電圧を比較するコンパレータと、前記コンパ
レータの比較結果に基づいて前記トランジスタの動作を
制御するゲートドライバとを具備し、前記基準電圧を生
成する抵抗と前記センス電圧を生成する抵抗は、実質的
に同じ特性を有していることを特徴とするインバータ制
御用半導体装置。1. A one-chip integrated semiconductor device for controlling an inverter, which controls an operation of a transistor having a sense terminal, wherein a first resistor generates a reference voltage by a constant current.
When, a second resistor for converting the sense current flowing through the sense terminal of the transistor to the sense voltage, a comparator for comparing the reference voltage and the sense voltage, the operation of the transistor based on a comparison result of the comparator control And a gate driver for generating the reference voltage.
And the resistance that generates the sense voltage are substantially
An inverter control semiconductor device having the same characteristics as described above .
ンジスタのセンス電流のばらつきを相殺するような特性
を有していることを特徴とする請求項１記載のインバー
タ制御用半導体装置。2. The inverter control semiconductor device according to claim 1, wherein the reference voltage has a characteristic of canceling out variations in the sense current of the transistor due to environmental changes.
制御する１チップ化されたインバータ制御用半導体装置
であって、基準電圧を生成するための第１の抵抗と、前
記トランジスタのセンス端子に流れるセンス電流をセン
ス電圧に変換する第２の抵抗と、前記基準電圧と前記セ
ンス電圧を比較するコンパレータと、前記コンパレータ
の比較結果に基づいて前記トランジスタの動作を制御す
るゲートドライバとを具備し、前記基準電圧は、前記イ
ンバータ制御用半導体装置の外部の外付け抵抗の抵抗値
に基づいた定電流が前記第１の抵抗に流れることで生成
されることを特徴とするインバータ制御用半導体装置。3. A semiconductor device for inverter control, which is integrated into one chip for controlling the operation of a transistor having a sense terminal , wherein a first resistor for generating a reference voltage and a sense flowing to the sense terminal of the transistor are provided. comprising a second resistor for converting the current to a sense voltage, a comparator for comparing the reference voltage and the sense voltage, and a gate driver for controlling the operation of the transistor based on a comparison result of said comparator, said reference The voltage is
Resistance value of the external resistor outside the semiconductor device for inverter control
Generated by flowing a constant current based on
A semiconductor device for controlling an inverter, characterized in that:
電圧を生成する抵抗は、実質的に同じ特性を有している
ことを特徴とする請求項３記載のインバータ制御用半導
体装置。4. The semiconductor device for controlling an inverter according to claim 3 , wherein the resistance generating the reference voltage and the resistance generating the sense voltage have substantially the same characteristics.
ンジスタのセンス電流のばらつきを相殺するような特性
を有していることを特徴とする請求項３記載のインバー
タ制御用半導体装置。5. The inverter controlling semiconductor device according to claim 3 , wherein the reference voltage has a characteristic of canceling out variations in the sense current of the transistor due to environmental changes.
と反対の温度特性を有していることを特徴とする請求項
２又は５記載のインバータ制御用半導体装置。 6. The reference voltage is a characteristic of the transistor.
5. It has a temperature characteristic opposite to
2. The semiconductor device for controlling an inverter according to 2 or 5.
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