JPH09306991A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法Info
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- JPH09306991A JPH09306991A JP12047796A JP12047796A JPH09306991A JP H09306991 A JPH09306991 A JP H09306991A JP 12047796 A JP12047796 A JP 12047796A JP 12047796 A JP12047796 A JP 12047796A JP H09306991 A JPH09306991 A JP H09306991A
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- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/107—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by filling grooves in the support with conductive material
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
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- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性の高い配線基板を、環境保護上問題の
ない簡略化された工程を用い、低コストで製造する 【解決手段】 パターニングされたベンゾシクロブテン
絶縁膜表面に金属膜を形成し、めっきした後、研磨法に
より不要なめっきを除去する。
ない簡略化された工程を用い、低コストで製造する 【解決手段】 パターニングされたベンゾシクロブテン
絶縁膜表面に金属膜を形成し、めっきした後、研磨法に
より不要なめっきを除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば情報通信分野等
で使用される配線基板特に層間絶縁膜としてベンゾシク
ロブテンを用いた配線基板の製造方法に関する。
で使用される配線基板特に層間絶縁膜としてベンゾシク
ロブテンを用いた配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、インターネットに代表されるマル
チメディアが急速に発展してきた。この発展に伴い、情
報通信分野へさまざま要求がなされている。例えば、コ
ンピュータ間もしくは移動携帯端末とコンピュータ間な
どのデータ転送では、超高速化や大容量化が要求されて
おり、また、マルチメディアが民需中心であることか
ら、使用する機器の低コスト化が強く要求されている。
チメディアが急速に発展してきた。この発展に伴い、情
報通信分野へさまざま要求がなされている。例えば、コ
ンピュータ間もしくは移動携帯端末とコンピュータ間な
どのデータ転送では、超高速化や大容量化が要求されて
おり、また、マルチメディアが民需中心であることか
ら、使用する機器の低コスト化が強く要求されている。
【０００３】それらの機器のハード的な中心は、マイク
ロプロセッサやメモリなどのＬＳＩや、ＭＭＩＣなど高
周波部品である。通常、これらの半導体チップはパッケ
ージに納められ、プリント配線基板等に実装されてい
る。
ロプロセッサやメモリなどのＬＳＩや、ＭＭＩＣなど高
周波部品である。通常、これらの半導体チップはパッケ
ージに納められ、プリント配線基板等に実装されてい
る。
【０００４】しかしながら、前述したようなデータ転送
の高速化や大容量化に伴い、従来の実装方法では対応で
きなくなってきた。例えばクロック周波数の高速化や無
線通信周波数の高周波数化により、従来のプリント配線
基板では、基板材料にエポキシ樹脂を使用しているた
め、信号遅延が大きく、また、高周波信号では、損失が
大きいなどの不具合が見えてきた。さらに、電気特性を
良好にするため、ＬＳＩの電極パッドにバンプと呼ばれ
る突起電極を形成し、ＬＳＩチップを基板に直接実装す
るフリップチップ実装法も必要となってきた。ところ
が、従来のプリント配線基板では、配線やパッドの微細
化が困難なため、１００ミクロン以下のピッチが要求さ
れるフリップチップに対応したパターン形成ができな
い。この問題を解決する基板として、プリント配線基板
上に薄膜技術により微細な金属配線と層間絶縁膜として
エポキシ樹脂絶縁膜により多層配線を形成し、フリップ
チップに対応できるビルドアップ型基板が、製品化され
ている。しかし、これらの基板は、なおも問題を残して
おり、今後必要となる高速なデジタル信号や数十ＧＨｚ
の高周波信号を扱うには、誘電体材料をエポキシ樹脂よ
りも電気特性の良好な材料に変更しなければ、高速・高
周波な信号を扱う基板は実現できない。これらの理由か
ら、エポキシ樹脂よりも、電気・機械・熱特性のすべて
に優れたベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）がダウケミカル
で開発され、各所でビルドアップ基板への適応が検討さ
れている。
の高速化や大容量化に伴い、従来の実装方法では対応で
きなくなってきた。例えばクロック周波数の高速化や無
線通信周波数の高周波数化により、従来のプリント配線
基板では、基板材料にエポキシ樹脂を使用しているた
め、信号遅延が大きく、また、高周波信号では、損失が
大きいなどの不具合が見えてきた。さらに、電気特性を
良好にするため、ＬＳＩの電極パッドにバンプと呼ばれ
る突起電極を形成し、ＬＳＩチップを基板に直接実装す
るフリップチップ実装法も必要となってきた。ところ
が、従来のプリント配線基板では、配線やパッドの微細
化が困難なため、１００ミクロン以下のピッチが要求さ
れるフリップチップに対応したパターン形成ができな
い。この問題を解決する基板として、プリント配線基板
上に薄膜技術により微細な金属配線と層間絶縁膜として
エポキシ樹脂絶縁膜により多層配線を形成し、フリップ
チップに対応できるビルドアップ型基板が、製品化され
ている。しかし、これらの基板は、なおも問題を残して
おり、今後必要となる高速なデジタル信号や数十ＧＨｚ
の高周波信号を扱うには、誘電体材料をエポキシ樹脂よ
りも電気特性の良好な材料に変更しなければ、高速・高
周波な信号を扱う基板は実現できない。これらの理由か
ら、エポキシ樹脂よりも、電気・機械・熱特性のすべて
に優れたベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）がダウケミカル
で開発され、各所でビルドアップ基板への適応が検討さ
れている。
【０００５】ＢＣＢを用いた多層配線基板は、例えば以
下のようにしてフォトエッチング法を用いて製造するこ
とができる。図８ないし図１１に、従来のＢＣＢを用い
た配線基板の製造方法を説明するための図を示す。
下のようにしてフォトエッチング法を用いて製造するこ
とができる。図８ないし図１１に、従来のＢＣＢを用い
た配線基板の製造方法を説明するための図を示す。
【０００６】図８に示すように、プリント基板１表面に
は、通常、あらかじめ第一の配線３が形成されている。
その上に感光性ＢＣＢ樹脂２を、例えばスピンコート法
により膜形成する。所定の条件で、プリベーク・露光・
現像を行うことによりパターニングし、溝２２を形成す
る。
は、通常、あらかじめ第一の配線３が形成されている。
その上に感光性ＢＣＢ樹脂２を、例えばスピンコート法
により膜形成する。所定の条件で、プリベーク・露光・
現像を行うことによりパターニングし、溝２２を形成す
る。
【０００７】次に、図９に示すように、パターニングさ
れたＢＣＢ膜上に例えば銅からなる金属膜８をスパッタ
法または蒸着法により形成する。その後、図１０に示す
ように、金属層８上に、スピンコート法により、レジス
ト層を形成し、パターニングを行なうことによりレジス
ト膜９を得る。
れたＢＣＢ膜上に例えば銅からなる金属膜８をスパッタ
法または蒸着法により形成する。その後、図１０に示す
ように、金属層８上に、スピンコート法により、レジス
ト層を形成し、パターニングを行なうことによりレジス
ト膜９を得る。
【０００８】さらに、レジスト膜９をマスクとしてエッ
チングを行なうことにより不要な金属層８を除去し、そ
の後レジスト膜９を除去し、図１１に示すような多層化
された配線基板が得られる。
チングを行なうことにより不要な金属層８を除去し、そ
の後レジスト膜９を除去し、図１１に示すような多層化
された配線基板が得られる。
【０００９】このような従来の製造方法では、フォトエ
ッチング・プロセスを用いるため、工程数が多く、コス
ト高をまねく。また、エッチング液やレジスト材は、人
体や環境に有害であるため、環境保護の問題から、その
使用は望ましくない。
ッチング・プロセスを用いるため、工程数が多く、コス
ト高をまねく。また、エッチング液やレジスト材は、人
体や環境に有害であるため、環境保護の問題から、その
使用は望ましくない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のＢ
ＣＢを用いた多層配線プロセスは、配線形成に一般的な
フォトエッチング・プロセスを用いているため、工程数
が多く、コストが高く、また、エッチング液の使用は環
境保護上問題があった。また、従来の配線基板は、ＢＣ
Ｂと金属膜との接着強度が不十分であり、一般に信頼性
が低かった。
ＣＢを用いた多層配線プロセスは、配線形成に一般的な
フォトエッチング・プロセスを用いているため、工程数
が多く、コストが高く、また、エッチング液の使用は環
境保護上問題があった。また、従来の配線基板は、ＢＣ
Ｂと金属膜との接着強度が不十分であり、一般に信頼性
が低かった。
【００１１】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、信頼性の高い配線基板を、環境保護上問題のない簡
略化された工程を用い、低コストで製造する方法を提供
することにある。
で、信頼性の高い配線基板を、環境保護上問題のない簡
略化された工程を用い、低コストで製造する方法を提供
することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、金
属配線とこの金属配線間絶縁膜としてベンゾシクロブテ
ン絶縁膜を用いて構成する配線基板の製造方法におい
て、配線層が設けられた基板上に、ベンゾシクロブテン
絶縁膜を形成し、パターニングする工程、パターニング
されたベンゾシクロブテン絶縁膜表面に金属膜を形成す
る工程、該金属膜上にめっきを施す工程、及び研磨によ
り不要なめっきを除去する工程を含むことを特徴とする
配線基板の製造方法を提供する。
属配線とこの金属配線間絶縁膜としてベンゾシクロブテ
ン絶縁膜を用いて構成する配線基板の製造方法におい
て、配線層が設けられた基板上に、ベンゾシクロブテン
絶縁膜を形成し、パターニングする工程、パターニング
されたベンゾシクロブテン絶縁膜表面に金属膜を形成す
る工程、該金属膜上にめっきを施す工程、及び研磨によ
り不要なめっきを除去する工程を含むことを特徴とする
配線基板の製造方法を提供する。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明によれば、まず、配線層が
設けられた基板上に、ベンゾシクロブテン絶縁膜を形成
した後、例えば所望の配線、あるいはビア柱形状に応じ
て、ベンゾシクロブテン絶縁膜をパターニングし、所望
の深さの溝を形成する。次に、パターニングにより溝が
形成されたベンゾシクロブテン絶縁膜表面上を、例えば
真空蒸着法、及びスパッタ法等により、めっき電極とな
る薄い金属膜で被覆する。その後、金属膜上にめっき金
属を施し、溝を埋める。次いで、溝以外のところに堆積
された不要なめっきを、研磨法により除去する。このよ
うなベンゾシクロブテン絶縁膜を形成する工程から不要
なめっきを研磨法により除去する工程までを繰り返し行
うことにより、配線基板を製造することができる。
設けられた基板上に、ベンゾシクロブテン絶縁膜を形成
した後、例えば所望の配線、あるいはビア柱形状に応じ
て、ベンゾシクロブテン絶縁膜をパターニングし、所望
の深さの溝を形成する。次に、パターニングにより溝が
形成されたベンゾシクロブテン絶縁膜表面上を、例えば
真空蒸着法、及びスパッタ法等により、めっき電極とな
る薄い金属膜で被覆する。その後、金属膜上にめっき金
属を施し、溝を埋める。次いで、溝以外のところに堆積
された不要なめっきを、研磨法により除去する。このよ
うなベンゾシクロブテン絶縁膜を形成する工程から不要
なめっきを研磨法により除去する工程までを繰り返し行
うことにより、配線基板を製造することができる。
【００１４】本発明の多層基板プロセスによれば、機械
的研磨により配線形成ができるため、従来のフォトエッ
チング法に比べてプロセスが簡略化され、安価な配線基
板が実現できる。また、フォトエッチング法では、有害
なエッチング液を多量に使用するが、本発明によるプロ
セスでは、エッチング液をまったく使用しないため、環
境問題にも対応している。
的研磨により配線形成ができるため、従来のフォトエッ
チング法に比べてプロセスが簡略化され、安価な配線基
板が実現できる。また、フォトエッチング法では、有害
なエッチング液を多量に使用するが、本発明によるプロ
セスでは、エッチング液をまったく使用しないため、環
境問題にも対応している。
【００１５】本発明に用いられる金属膜は、単層でも積
層体でもよく、本発明の第１の好ましい態様によれば、
金属膜は、少なくともＢＣＢ絶縁膜と接する側にＣｒ層
を有する。このＣｒ層は、ＢＣＢとの接着性が特に良好
であるため、Ｃｒ層を用いると、機械的研磨に十分耐え
得る、より良好な接着強度が得られ、信頼性の高い配線
基板が得られる。
層体でもよく、本発明の第１の好ましい態様によれば、
金属膜は、少なくともＢＣＢ絶縁膜と接する側にＣｒ層
を有する。このＣｒ層は、ＢＣＢとの接着性が特に良好
であるため、Ｃｒ層を用いると、機械的研磨に十分耐え
得る、より良好な接着強度が得られ、信頼性の高い配線
基板が得られる。
【００１６】すなわち、本発明のプロセスを用いれば、
金属配線とＢＣＢとの界面にＣｒを用いることで、ＢＣ
Ｂと金属膜の接着では、例えば銅薄膜のみを金属配線と
して用いた通常のプロセスの２００倍以上の強度が得ら
れ、高い信頼性が得られる。また、接着強度の向上によ
り、従来不可能であった機械的研磨が可能となる。
金属配線とＢＣＢとの界面にＣｒを用いることで、ＢＣ
Ｂと金属膜の接着では、例えば銅薄膜のみを金属配線と
して用いた通常のプロセスの２００倍以上の強度が得ら
れ、高い信頼性が得られる。また、接着強度の向上によ
り、従来不可能であった機械的研磨が可能となる。
【００１７】本発明の第２の好ましい態様によれば、本
発明の方法は、金属膜を形成する工程の前に、ＢＣＢ膜
表面を窒素ガスを用いたプラズマ処理を施す工程をさら
に有する。窒素ガスを用いたプラズマ処理を施すと、よ
り良好な接着強度が得られ、信頼性の高い配線基板が得
られる。
発明の方法は、金属膜を形成する工程の前に、ＢＣＢ膜
表面を窒素ガスを用いたプラズマ処理を施す工程をさら
に有する。窒素ガスを用いたプラズマ処理を施すと、よ
り良好な接着強度が得られ、信頼性の高い配線基板が得
られる。
【００１８】本発明の第３の好ましい態様によれば、金
属膜を形成する工程の後に、前記金属膜及びベンゾシク
ロブテン絶縁膜を設けた基板を、２３０℃〜２７０℃の
温度で熱処理する工程をさらに有する。このような熱処
理を行うことにより、より良好な接着強度が得られ、信
頼性の高い配線基板が得られる。
属膜を形成する工程の後に、前記金属膜及びベンゾシク
ロブテン絶縁膜を設けた基板を、２３０℃〜２７０℃の
温度で熱処理する工程をさらに有する。このような熱処
理を行うことにより、より良好な接着強度が得られ、信
頼性の高い配線基板が得られる。
【００１９】以下、図面を参照し、本発明を具体的に説
明する。図１ないし図３は、本発明の配線プロセスを説
明するための図である。本発明では、ＢＣＢのキュアー
温度が２１０〜２５０℃と低いことから、ベース基板と
して例えば安価なプリント基板が使用できる。図１に示
すように、プリント基板１表面には、通常、あらかじめ
第一の銅配線３が形成されている。その基板全面に感光
性ＢＣＢ樹脂２を例えばスピンコート法により膜形成す
る。次いで、例えば８０℃で２０分プリベークを行な
い、例えば６００ｍＪで露光を行ない、その後現像を行
うことによりパターニングし、溝２１、２２を形成する
ことにより、図１に示すような断面形状が得られる。こ
こで、溝２１は、最終的に配線となる部分で、溝２２は
ビア柱となる部分を示している。また、１回の現像で図
１のような深い溝２２と浅い溝２１を作る方法は、例え
ば露光時のガラスマスクに光の透過量を調節する膜をあ
らかじめ形成すれば、簡単に実現できる。この場合、感
光性ＢＣＢは、ネガ型なので、溝パターンを形成する部
分は光が当たらないように、マスク上にはクロム膜が形
成されている。このクロム膜を所望する光の透過料に併
せて例えば１０ｎｍ以下に形成すれば、ＢＣＢ膜は少量
露光され、厚いクロム膜が形成されている部分と現像速
度に差が生じる。この現象を利用して、深い溝と浅い溝
が同時に形成できるわけである。また、光を少量当てる
手段としては、例えば通常のガラスマスクで使用される
１ミクロン程度のクロム膜に、１ミクロン以下の微細な
○や四角形のパターンを形成し、ＢＣＢ膜に少量の光を
当てるという方法もある。
明する。図１ないし図３は、本発明の配線プロセスを説
明するための図である。本発明では、ＢＣＢのキュアー
温度が２１０〜２５０℃と低いことから、ベース基板と
して例えば安価なプリント基板が使用できる。図１に示
すように、プリント基板１表面には、通常、あらかじめ
第一の銅配線３が形成されている。その基板全面に感光
性ＢＣＢ樹脂２を例えばスピンコート法により膜形成す
る。次いで、例えば８０℃で２０分プリベークを行な
い、例えば６００ｍＪで露光を行ない、その後現像を行
うことによりパターニングし、溝２１、２２を形成する
ことにより、図１に示すような断面形状が得られる。こ
こで、溝２１は、最終的に配線となる部分で、溝２２は
ビア柱となる部分を示している。また、１回の現像で図
１のような深い溝２２と浅い溝２１を作る方法は、例え
ば露光時のガラスマスクに光の透過量を調節する膜をあ
らかじめ形成すれば、簡単に実現できる。この場合、感
光性ＢＣＢは、ネガ型なので、溝パターンを形成する部
分は光が当たらないように、マスク上にはクロム膜が形
成されている。このクロム膜を所望する光の透過料に併
せて例えば１０ｎｍ以下に形成すれば、ＢＣＢ膜は少量
露光され、厚いクロム膜が形成されている部分と現像速
度に差が生じる。この現象を利用して、深い溝と浅い溝
が同時に形成できるわけである。また、光を少量当てる
手段としては、例えば通常のガラスマスクで使用される
１ミクロン程度のクロム膜に、１ミクロン以下の微細な
○や四角形のパターンを形成し、ＢＣＢ膜に少量の光を
当てるという方法もある。
【００２０】次に、銅めっきのための電極膜５を例えば
真空蒸着法により形成する。この際、金属膜５をいかに
強い接着強度でＢＣＢ上に形成できるかが、工程歩留り
に影響する。本発明では、最終的に機械的研磨を施すた
め、この工程で強い接着強度が必要とされる。
真空蒸着法により形成する。この際、金属膜５をいかに
強い接着強度でＢＣＢ上に形成できるかが、工程歩留り
に影響する。本発明では、最終的に機械的研磨を施すた
め、この工程で強い接着強度が必要とされる。
【００２１】我々は、多くの条件で実験を行い、一般に
行われているＢＣＢと銅薄膜との接着強度の２００倍を
こえる接着強度を有する電極膜を形成することに成功し
た。図４に、ＢＣＢ膜表面にプラズマ処理を行った後、
金属膜を形成した場合の、プラズマ処理に使用したガス
と、金属膜及びＢＣＢ絶縁膜の接着強度との関係を表す
グラフ図を示す。ここでは、金属膜としてＣｒ膜を使用
した。なお、全ての接着強度測定には、プリント基板技
術において、銅箔と接着強度との接着に標準的に使用さ
れている９０度ピール試験法を用いた。また、接着強度
は、ＢＣＢと銅薄膜との接着強度を１としたときの比で
表わした。図４から、プラズマ処理に使用されるガスと
しては、Ｎ2 ガスが特に優れていることが分かる。
行われているＢＣＢと銅薄膜との接着強度の２００倍を
こえる接着強度を有する電極膜を形成することに成功し
た。図４に、ＢＣＢ膜表面にプラズマ処理を行った後、
金属膜を形成した場合の、プラズマ処理に使用したガス
と、金属膜及びＢＣＢ絶縁膜の接着強度との関係を表す
グラフ図を示す。ここでは、金属膜としてＣｒ膜を使用
した。なお、全ての接着強度測定には、プリント基板技
術において、銅箔と接着強度との接着に標準的に使用さ
れている９０度ピール試験法を用いた。また、接着強度
は、ＢＣＢと銅薄膜との接着強度を１としたときの比で
表わした。図４から、プラズマ処理に使用されるガスと
しては、Ｎ2 ガスが特に優れていることが分かる。
【００２２】また、図５には、ＢＣＢ膜表面にＮ2 ガス
を用いてプラズマ処理を行なった後、金属膜を形成した
場合の、形成する金属膜の種類と、金属膜及びＢＣＢ絶
縁膜の接着強度との関係を表すグラフ図を示す。図５か
らＣｒ膜がもっとも強い接着強度を有することがわか
る。また、その接着強度は、銅とＢＣＢ絶縁膜との接着
強度と比較して２００倍以上であった。
を用いてプラズマ処理を行なった後、金属膜を形成した
場合の、形成する金属膜の種類と、金属膜及びＢＣＢ絶
縁膜の接着強度との関係を表すグラフ図を示す。図５か
らＣｒ膜がもっとも強い接着強度を有することがわか
る。また、その接着強度は、銅とＢＣＢ絶縁膜との接着
強度と比較して２００倍以上であった。
【００２３】図６は、Ｏ2 プラズマ処理を行ったＢＣＢ
膜上に種々の金属膜を形成し、２５０℃で６０分間熱処
理を行った場合の熱処理前の接着強度と熱処理後の接着
強度との比を表わすグラフ図である。図６から、銅を除
く他の金属膜では、熱処理により、その接着強度が５倍
ないし１３倍も強化されることがわかる。
膜上に種々の金属膜を形成し、２５０℃で６０分間熱処
理を行った場合の熱処理前の接着強度と熱処理後の接着
強度との比を表わすグラフ図である。図６から、銅を除
く他の金属膜では、熱処理により、その接着強度が５倍
ないし１３倍も強化されることがわかる。
【００２４】ここでは２５０℃における熱処理を行なっ
たが、熱処理温度は２５０℃に限るものではない。図７
に、ＢＣＢ膜上をＮ2 プラズマ処理した後、Ｃｒ膜を形
成し、温度を変化させて熱処理した場合の、熱処理温度
と接着強度との関係を表わすグラフ図を示す。熱処理前
の接着強度は、８０ｇｆ・ｃｍであるが、熱処理温度の
上昇に伴い、接着強度は次第に増加し、２２０℃付近で
接着強度が、研磨による処理に十分耐え得る２００ｇｆ
・ｃｍを越え、２５０℃付近で一定となる。しかし、３
００℃を越えると、ＢＣＢ自体の分解が始まり、絶縁膜
として機能し難くなる傾向がある。このことから、好ま
しい熱処理温度範囲は、２２０℃ないし３００℃である
ことがわかる。
たが、熱処理温度は２５０℃に限るものではない。図７
に、ＢＣＢ膜上をＮ2 プラズマ処理した後、Ｃｒ膜を形
成し、温度を変化させて熱処理した場合の、熱処理温度
と接着強度との関係を表わすグラフ図を示す。熱処理前
の接着強度は、８０ｇｆ・ｃｍであるが、熱処理温度の
上昇に伴い、接着強度は次第に増加し、２２０℃付近で
接着強度が、研磨による処理に十分耐え得る２００ｇｆ
・ｃｍを越え、２５０℃付近で一定となる。しかし、３
００℃を越えると、ＢＣＢ自体の分解が始まり、絶縁膜
として機能し難くなる傾向がある。このことから、好ま
しい熱処理温度範囲は、２２０℃ないし３００℃である
ことがわかる。
【００２５】上述のように、金属膜としてＣｒを用いる
こと、金属膜の形成前にＢＣＢ絶縁膜上にプラズマ処理
を行うこと、あるいは、金属膜形成後に２２０〜３００
℃の温度で熱処理を行うことにより、より高い接着強度
が得られる。研磨による処理に十分耐え得る接着強度
は、約２００ｆ・ｃｍであり、めっき電極として用いる
金属膜は、めっきする金属がＣｕならば下層からＣｒ／
Ｃｕの積層構成が好ましい。各膜の膜厚は、Ｃｒは１０
０オングストロームから１μｍ、Ｃｕが５０００オング
ストロームから２μｍの範囲が好ましい。
こと、金属膜の形成前にＢＣＢ絶縁膜上にプラズマ処理
を行うこと、あるいは、金属膜形成後に２２０〜３００
℃の温度で熱処理を行うことにより、より高い接着強度
が得られる。研磨による処理に十分耐え得る接着強度
は、約２００ｆ・ｃｍであり、めっき電極として用いる
金属膜は、めっきする金属がＣｕならば下層からＣｒ／
Ｃｕの積層構成が好ましい。各膜の膜厚は、Ｃｒは１０
０オングストロームから１μｍ、Ｃｕが５０００オング
ストロームから２μｍの範囲が好ましい。
【００２６】次に、図２に示すように、この金属膜を利
用して、電気めっきを行い、めっき膜４を形成する。め
っき厚さは、溝２２が完全に埋まるまで行うことができ
る。さらに、図３に示すように、配線６とビア柱７が形
成されるまで、上部のめっき膜を機械的に研磨する。研
磨法としては、例えば、プリント基板工程で一般的に使
用されているバフ研磨法がコストと精密度の観点からよ
いと考えられるが、半導体ウエハの表面仕上げ用研磨装
置や裏面ラッピング用研磨装置を用いた研磨法でもよ
い。
用して、電気めっきを行い、めっき膜４を形成する。め
っき厚さは、溝２２が完全に埋まるまで行うことができ
る。さらに、図３に示すように、配線６とビア柱７が形
成されるまで、上部のめっき膜を機械的に研磨する。研
磨法としては、例えば、プリント基板工程で一般的に使
用されているバフ研磨法がコストと精密度の観点からよ
いと考えられるが、半導体ウエハの表面仕上げ用研磨装
置や裏面ラッピング用研磨装置を用いた研磨法でもよ
い。
【００２７】以上、本発明に係る配線基板およびその製
造方法の一例を説明した。従来の方法では、レジストの
パターニングにより歩留りが決まるが、本発明ではレジ
ストを使用しないため、レジストのパターニング工程が
不要で、非常に歩留りがよい。また、従来の方法では、
エッチング工程では、人体や環境に有害なエッチング液
を使用するが、本発明では、フォトレジスト法を使用し
ないので、エッチング液が不要であり、人体や地球環境
に優しい。
造方法の一例を説明した。従来の方法では、レジストの
パターニングにより歩留りが決まるが、本発明ではレジ
ストを使用しないため、レジストのパターニング工程が
不要で、非常に歩留りがよい。また、従来の方法では、
エッチング工程では、人体や環境に有害なエッチング液
を使用するが、本発明では、フォトレジスト法を使用し
ないので、エッチング液が不要であり、人体や地球環境
に優しい。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の方法よれ
ば、工程を簡略化できることから、安価で電気特性に優
れた配線基板が実現できる。また、ＢＣＢと金属膜の接
着強度が改善されるため、高い信頼性が得られる。さら
に、本発明によれば、エッチング液をまったく使用しな
いため、環境保護上問題のない方法が実現できる。
ば、工程を簡略化できることから、安価で電気特性に優
れた配線基板が実現できる。また、ＢＣＢと金属膜の接
着強度が改善されるため、高い信頼性が得られる。さら
に、本発明によれば、エッチング液をまったく使用しな
いため、環境保護上問題のない方法が実現できる。
【図１】 本発明の配線プロセスを説明するための図
【図２】 本発明の配線プロセスを説明するための図
【図３】 本発明の配線プロセスを説明するための図
【図４】 プラズマ処理に使用したガスと接着強度との
関係を表わすグラフ図
関係を表わすグラフ図
【図５】 ＢＣＢ絶縁膜上に形成される金属膜の種類と
接着強度との関係を表すグラフ図
接着強度との関係を表すグラフ図
【図６】 金属膜の種類と熱処理前、熱処理後の接着強
度の比との関係を表わすグラフ図
度の比との関係を表わすグラフ図
【図７】 熱処理温度と接着強度との関係を表わすグラ
フ図
フ図
【図８】 従来のＢＣＢを用いた配線基板の製造方法を
説明するための図
説明するための図
【図９】 従来のＢＣＢを用いた配線基板の製造方法を
説明するための図
説明するための図
【図１０】 従来のＢＣＢを用いた配線基板の製造方法
を説明するための図
を説明するための図
【図１１】 従来のＢＣＢを用いた配線基板の製造方法
を説明するための図
を説明するための図
１…基板 ２…ＢＣＢ膜 ３…第一の配線 ４…めっき膜 ５…金属膜 ６…配線 ７…ビア柱 ８…金属層 ９…レジスト １０…薄膜配線 ２１…配線となる溝 ２２…ビア柱となる溝
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に、金属配線とこの金属配線間絶
縁膜としてベンゾシクロブテン絶縁膜を用いて構成する
配線基板の製造方法において、 配線層が設けられた基板上に、ベンゾシクロブテン絶縁
膜を形成し、パターニングする工程、 パターニングされたベンゾシクロブテン絶縁膜表面に金
属膜を形成する工程、該金属膜上にめっきを施す工程、
及び研磨により不要なめっきを除去する工程を含むこと
を特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記金属膜は、少なくともベンゾシクロ
ブテン絶縁膜と接する側にＣｒ層を有することを特徴と
する請求項１に記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記金属膜を形成する工程の前に、ＢＣ
Ｂ膜表面を窒素ガスを用いたプラズマ処理を施す工程を
さらに有することを特徴とする請求項１に記載の配線基
板の製造方法。 - 【請求項４】 前記金属膜を形成する工程の後に、前記
金属膜及びベンゾシクロブテン絶縁膜を設けた基板を、
２３０℃〜２７０℃の温度で熱処理する工程をさらに有
することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12047796A JP3272945B2 (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 配線基板の製造方法 |
| US08/725,167 US5764119A (en) | 1995-10-16 | 1996-10-03 | Wiring board for high-frequency signals and semiconductor module for high-frequency signals using the wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12047796A JP3272945B2 (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306991A true JPH09306991A (ja) | 1997-11-28 |
| JP3272945B2 JP3272945B2 (ja) | 2002-04-08 |
Family
ID=14787153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12047796A Expired - Fee Related JP3272945B2 (ja) | 1995-10-16 | 1996-05-15 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3272945B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000183067A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2002246744A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Nec Corp | 導体形成方法およびこれを用いた多層配線基板製造方法 |
| EP1249043B1 (de) * | 1999-11-26 | 2010-03-03 | United Monolithic Semiconductors GmbH | Integrierter limiter und verfahren zur herstellung eines integrierten limiters |
| JP2012059843A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光デバイスの製造方法 |
-
1996
- 1996-05-15 JP JP12047796A patent/JP3272945B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000183067A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| EP1249043B1 (de) * | 1999-11-26 | 2010-03-03 | United Monolithic Semiconductors GmbH | Integrierter limiter und verfahren zur herstellung eines integrierten limiters |
| JP2002246744A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Nec Corp | 導体形成方法およびこれを用いた多層配線基板製造方法 |
| JP2012059843A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光デバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3272945B2 (ja) | 2002-04-08 |
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|---|---|---|---|
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