JPH09298382A - シールドメッキコルゲートチューブ - Google Patents
シールドメッキコルゲートチューブInfo
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- JPH09298382A JPH09298382A JP8112575A JP11257596A JPH09298382A JP H09298382 A JPH09298382 A JP H09298382A JP 8112575 A JP8112575 A JP 8112575A JP 11257596 A JP11257596 A JP 11257596A JP H09298382 A JPH09298382 A JP H09298382A
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02G—INSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
- H02G3/00—Installations of electric cables or lines or protective tubing therefor in or on buildings, equivalent structures or vehicles
- H02G3/02—Details
- H02G3/04—Protective tubing or conduits, e.g. cable ladders or cable troughs
- H02G3/0462—Tubings, i.e. having a closed section
- H02G3/0468—Corrugated
Abstract
(57)【要約】
【課題】 無電解メッキ法を利用して、コルゲートチュ
ーブの内・外表面の両面に膜厚の均一な金属層を形成す
ることができ、優れた電磁遮蔽効果と十分な曲げ性を有
したシールドメッキコルゲートチューブを得る。 【解決手段】 樹脂製のコルゲートチューブ１０は、管
の半径方向に沿う溝の深さ寸法をＤ、及び管軸方向に沿
う溝の幅寸法をＷとしたとき、少なくとも、管壁の凹凸
を構成する管内部側の溝部２２を、０．５＜Ｄ／Ｗ＜
１．６を満足する寸法・形状に設定し、該コルゲートチ
ューブ１０の内・外表面に、無電解メッキ法により、金
属層が形成される。
ーブの内・外表面の両面に膜厚の均一な金属層を形成す
ることができ、優れた電磁遮蔽効果と十分な曲げ性を有
したシールドメッキコルゲートチューブを得る。 【解決手段】 樹脂製のコルゲートチューブ１０は、管
の半径方向に沿う溝の深さ寸法をＤ、及び管軸方向に沿
う溝の幅寸法をＷとしたとき、少なくとも、管壁の凹凸
を構成する管内部側の溝部２２を、０．５＜Ｄ／Ｗ＜
１．６を満足する寸法・形状に設定し、該コルゲートチ
ューブ１０の内・外表面に、無電解メッキ法により、金
属層が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、管壁が管軸方向に
凹凸を繰り返す波形状に形成されて可撓自在に設けら
れ、電線束等に被せて、収容した電線束等に対する機械
的保護及び電磁遮蔽効果を果たすシールドメッキコルゲ
ートチューブに関する。
凹凸を繰り返す波形状に形成されて可撓自在に設けら
れ、電線束等に被せて、収容した電線束等に対する機械
的保護及び電磁遮蔽効果を果たすシールドメッキコルゲ
ートチューブに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、自動車、工作機械、事務機等で
は、制御機器の電子機器化が進んでおり、これら電子機
器の電磁波ノイズ対策が重要な課題となっている。電子
機器では、それぞれに接続される配線が電磁波ノイズを
吸収し易いため、配線の内部導体を外部の電磁波から遮
蔽するシールド対策が必要となる。内部導体の遮蔽は、
内部導体を覆う外部導体を接地することにより行われ
る。この際使用される外部導体の一つに、可撓性を有し
た蛇腹状の樹脂材からなる管体（コルゲートチューブ）
に、メッキを施したシールドメッキコルゲートチューブ
がある。シールドメッキコルゲートチューブは、本来、
配線保護材として用いられていたものに、メッキを施す
ことによりシールド効果を兼備させたものである。シー
ルドメッキコルゲートチューブは、従来のコルゲートチ
ューブと同様に配線を挿入するためのスリットが管軸方
向（長手方向）に形成されたものとなっている。
は、制御機器の電子機器化が進んでおり、これら電子機
器の電磁波ノイズ対策が重要な課題となっている。電子
機器では、それぞれに接続される配線が電磁波ノイズを
吸収し易いため、配線の内部導体を外部の電磁波から遮
蔽するシールド対策が必要となる。内部導体の遮蔽は、
内部導体を覆う外部導体を接地することにより行われ
る。この際使用される外部導体の一つに、可撓性を有し
た蛇腹状の樹脂材からなる管体（コルゲートチューブ）
に、メッキを施したシールドメッキコルゲートチューブ
がある。シールドメッキコルゲートチューブは、本来、
配線保護材として用いられていたものに、メッキを施す
ことによりシールド効果を兼備させたものである。シー
ルドメッキコルゲートチューブは、従来のコルゲートチ
ューブと同様に配線を挿入するためのスリットが管軸方
向（長手方向）に形成されたものとなっている。
【０００３】図７は、このようなシールドコルゲートチ
ューブの従来の構造例を示したものである。このシール
ドコルゲートチューブ１は、絶縁性樹脂材料により形成
されて可撓性を有したコルゲートチューブ３の内表面
に、電磁遮蔽用の金属層５を装備したものである。
ューブの従来の構造例を示したものである。このシール
ドコルゲートチューブ１は、絶縁性樹脂材料により形成
されて可撓性を有したコルゲートチューブ３の内表面
に、電磁遮蔽用の金属層５を装備したものである。
【０００４】前記コルゲートチューブ３は、図示のよう
に、管壁が管軸方向に一定の凹凸を繰り返す波形状（蛇
腹状）をなすと共に、前記管壁を管軸方向に沿って裂開
するスリット７を有した構造で、前記スリット７を開い
て電線束等に被せることで簡単に電線束等を収容した状
態にすることができ、収容した電線束等に対する機械的
保護と、電磁遮蔽とを果たすことができる。
に、管壁が管軸方向に一定の凹凸を繰り返す波形状（蛇
腹状）をなすと共に、前記管壁を管軸方向に沿って裂開
するスリット７を有した構造で、前記スリット７を開い
て電線束等に被せることで簡単に電線束等を収容した状
態にすることができ、収容した電線束等に対する機械的
保護と、電磁遮蔽とを果たすことができる。
【０００５】ところで、前述の金属層を提供する方法と
しては、例えば金属製の波状パイプを金属層として利用
し、その表面に絶縁性樹脂層を被覆成形する方法、又
は、予め製造した絶縁性樹脂製のコルゲートチューブ
に、アルミニウム等の金属を蒸着させる方法、あるい
は、予め製造した絶縁性樹脂製のコルゲートチューブに
導電性塗料を塗布する方法等が知られている。
しては、例えば金属製の波状パイプを金属層として利用
し、その表面に絶縁性樹脂層を被覆成形する方法、又
は、予め製造した絶縁性樹脂製のコルゲートチューブ
に、アルミニウム等の金属を蒸着させる方法、あるい
は、予め製造した絶縁性樹脂製のコルゲートチューブに
導電性塗料を塗布する方法等が知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の金属製
パイプを利用する方法では、絶縁性樹脂層の被覆成形が
難しくコスト高になるという問題と、曲げ性が悪いとい
う問題が生じた。また、蒸着付けする方法では、金属層
の膜厚を厚くすることができないため、シールド性能を
高めることが難しく、また、凹凸の垂直面と水平面とで
金属層の膜厚に差が生じて、シールド性能が不安定にな
るという問題があった。また、導電性塗料を塗料化し塗
布する方法では、塗料の均一塗布が難しいために、シー
ルド性能が不安定になると同時に、長尺のシールドコル
ゲートチューブを製作する場合には不向きという問題が
あった。また、電磁遮蔽は、金属層による電磁波の反射
作用と吸収作用により達成するものであるが、上記いず
れの方法も、膜厚の薄い金属層をコルゲートチューブの
内・外表面の内の一方の表面にしか形成することができ
ず、膜厚の薄い一層のみの金属層では特に反射効果が一
回だけで十分な電磁遮蔽効果を得ることが難しいとい
う、根本的な問題もあった。
パイプを利用する方法では、絶縁性樹脂層の被覆成形が
難しくコスト高になるという問題と、曲げ性が悪いとい
う問題が生じた。また、蒸着付けする方法では、金属層
の膜厚を厚くすることができないため、シールド性能を
高めることが難しく、また、凹凸の垂直面と水平面とで
金属層の膜厚に差が生じて、シールド性能が不安定にな
るという問題があった。また、導電性塗料を塗料化し塗
布する方法では、塗料の均一塗布が難しいために、シー
ルド性能が不安定になると同時に、長尺のシールドコル
ゲートチューブを製作する場合には不向きという問題が
あった。また、電磁遮蔽は、金属層による電磁波の反射
作用と吸収作用により達成するものであるが、上記いず
れの方法も、膜厚の薄い金属層をコルゲートチューブの
内・外表面の内の一方の表面にしか形成することができ
ず、膜厚の薄い一層のみの金属層では特に反射効果が一
回だけで十分な電磁遮蔽効果を得ることが難しいとい
う、根本的な問題もあった。
【０００７】そこで、このような背景から、無電解メッ
キ法を利用することによって、絶縁樹脂製のコルゲート
チューブの内・外表面の両面に金属層を形成することが
検討されているが、無電解メッキ法を利用する場合は、
メッキ処理工程中に発生する気泡がコルゲートチューブ
内の凹部に溜まったり、メッキ処理液が残留することで
メッキ不良を発生し易い。したがって、メッキ処理中に
コルゲートチューブ内の凹部に気泡が溜まることを防止
すること、処理液の残留を防止すること等が、今後の課
題とされていた。
キ法を利用することによって、絶縁樹脂製のコルゲート
チューブの内・外表面の両面に金属層を形成することが
検討されているが、無電解メッキ法を利用する場合は、
メッキ処理工程中に発生する気泡がコルゲートチューブ
内の凹部に溜まったり、メッキ処理液が残留することで
メッキ不良を発生し易い。したがって、メッキ処理中に
コルゲートチューブ内の凹部に気泡が溜まることを防止
すること、処理液の残留を防止すること等が、今後の課
題とされていた。
【０００８】そこで、本発明の目的は上記課題を解消す
ることにあり、無電解メッキ法を利用して、コルゲート
チューブの内・外表面の両面に膜厚の均一な金属層を形
成することができ、コルゲートチューブの内・外表面の
両面に形成した金属層によって優れた電磁遮蔽効果を発
揮でき、しかも、取り扱い性の点で重要な曲げ性も十分
に確保することのできるシールドメッキコルゲートチュ
ーブを提供することである。
ることにあり、無電解メッキ法を利用して、コルゲート
チューブの内・外表面の両面に膜厚の均一な金属層を形
成することができ、コルゲートチューブの内・外表面の
両面に形成した金属層によって優れた電磁遮蔽効果を発
揮でき、しかも、取り扱い性の点で重要な曲げ性も十分
に確保することのできるシールドメッキコルゲートチュ
ーブを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係るシールドメッキコルゲートチューブは、
絶縁性樹脂材料によって、管壁が管軸方向に一定の凹凸
を繰り返す波形状に形成されて、可撓性を有したコルゲ
ートチューブと、前記コルゲートチューブの表面に電磁
遮蔽用の金属層とを具備し、電線束等に被せて、収容し
た電線束等に対する機械的保護及び電磁遮蔽を果たすシ
ールドメッキコルゲートチューブであって、前記コルゲ
ートチューブは、管の半径方向に沿う溝の深さ寸法を
Ｄ、及び管軸方向に沿う溝の幅寸法をＷとしたとき、少
なくとも、前記凹凸を構成する管内部側の溝部を、０．
５＜Ｄ／Ｗ＜１．６を満足するように寸法設定し、前記
金属層を無電解メッキ法により前記コルゲートチューブ
の内・外表面の両面に形成したことを特徴とするもので
ある。
の本発明に係るシールドメッキコルゲートチューブは、
絶縁性樹脂材料によって、管壁が管軸方向に一定の凹凸
を繰り返す波形状に形成されて、可撓性を有したコルゲ
ートチューブと、前記コルゲートチューブの表面に電磁
遮蔽用の金属層とを具備し、電線束等に被せて、収容し
た電線束等に対する機械的保護及び電磁遮蔽を果たすシ
ールドメッキコルゲートチューブであって、前記コルゲ
ートチューブは、管の半径方向に沿う溝の深さ寸法を
Ｄ、及び管軸方向に沿う溝の幅寸法をＷとしたとき、少
なくとも、前記凹凸を構成する管内部側の溝部を、０．
５＜Ｄ／Ｗ＜１．６を満足するように寸法設定し、前記
金属層を無電解メッキ法により前記コルゲートチューブ
の内・外表面の両面に形成したことを特徴とするもので
ある。
【００１０】本願発明者等の研究によれば、無電解メッ
キ法によってコルゲートチューブの内・外表面の両面に
金属層を形成する場合、メッキ処理工程で発生する気泡
等が前記コルゲートチューブ内の凹部に溜まり易いか否
かは、該コルゲートチューブの管壁を波形状にしている
凹凸面を構成する管内部側の溝部の形状に密接な関係を
示すことが解明された。例えば、前記凹凸面を構成する
管内部側の溝部において、管の半径方向に沿う溝の深さ
寸法をＤ、及び管軸方向に沿う溝の幅寸法をＷとする
と、Ｄ／Ｗの値が１．５以下の場合は、全てのサンプル
で全く気泡溜まりが検出されず、Ｄ／Ｗが１．６になる
と実験したサンプルの内の１／３において、１個の気泡
溜まりが検出された。そして、Ｄ／Ｗの値が１．７以上
になると、気泡溜まりの発生数が急激に増加する傾向が
見られた。
キ法によってコルゲートチューブの内・外表面の両面に
金属層を形成する場合、メッキ処理工程で発生する気泡
等が前記コルゲートチューブ内の凹部に溜まり易いか否
かは、該コルゲートチューブの管壁を波形状にしている
凹凸面を構成する管内部側の溝部の形状に密接な関係を
示すことが解明された。例えば、前記凹凸面を構成する
管内部側の溝部において、管の半径方向に沿う溝の深さ
寸法をＤ、及び管軸方向に沿う溝の幅寸法をＷとする
と、Ｄ／Ｗの値が１．５以下の場合は、全てのサンプル
で全く気泡溜まりが検出されず、Ｄ／Ｗが１．６になる
と実験したサンプルの内の１／３において、１個の気泡
溜まりが検出された。そして、Ｄ／Ｗの値が１．７以上
になると、気泡溜まりの発生数が急激に増加する傾向が
見られた。
【００１１】また、本願発明者等は、種々の呼び径のコ
ルゲートチューブについて、前述のＤ／Ｗの値と、コル
ゲートチューブの曲げ性との相関も調べた。その結果、
Ｄ／Ｗが０．５以下になると、大きな曲げ半径Ｒが必要
となり、曲げ性が低下することが判明した。
ルゲートチューブについて、前述のＤ／Ｗの値と、コル
ゲートチューブの曲げ性との相関も調べた。その結果、
Ｄ／Ｗが０．５以下になると、大きな曲げ半径Ｒが必要
となり、曲げ性が低下することが判明した。
【００１２】従って、本発明のシールドメッキコルゲー
トチューブのように、少なくとも、コルゲートチューブ
は、内部側の溝部を、０．５＜Ｄ／Ｗ＜１．６を満足す
る略矩形断面溝に設定しておけば、無電解メッキ処理時
に気泡溜まりが発生せず、コルゲートチューブの内・外
表面の両面に膜厚の均一な金属層を形成することがで
き、コルゲートチューブの内・外表面の両面に形成した
金属層によって優れた電磁遮蔽効果を発揮できる。そし
て、更には、取り扱い性の点で重要な曲げ性も十分に確
保することができる。
トチューブのように、少なくとも、コルゲートチューブ
は、内部側の溝部を、０．５＜Ｄ／Ｗ＜１．６を満足す
る略矩形断面溝に設定しておけば、無電解メッキ処理時
に気泡溜まりが発生せず、コルゲートチューブの内・外
表面の両面に膜厚の均一な金属層を形成することがで
き、コルゲートチューブの内・外表面の両面に形成した
金属層によって優れた電磁遮蔽効果を発揮できる。そし
て、更には、取り扱い性の点で重要な曲げ性も十分に確
保することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明のシールドメッキコ
ルゲートチューブの好適な実施の形態を図面を参照して
説明する。図１〜図３は本発明に係るシールドメッキコ
ルゲートチューブの一実施形態を示したもので、図１は
シールドメッキコルゲートチューブの一部を破断した側
面図、図２は基材となるコルゲートチューブの一部を破
断した側面図、図３は図２のＪ−Ｊ線に沿う断面図であ
る。
ルゲートチューブの好適な実施の形態を図面を参照して
説明する。図１〜図３は本発明に係るシールドメッキコ
ルゲートチューブの一実施形態を示したもので、図１は
シールドメッキコルゲートチューブの一部を破断した側
面図、図２は基材となるコルゲートチューブの一部を破
断した側面図、図３は図２のＪ−Ｊ線に沿う断面図であ
る。
【００１４】このシールドメッキコルゲートチューブ８
は、絶縁性樹脂材料によって形成されて可撓性を有した
コルゲートチューブ１０の内・外表面に、無電解メッキ
法により、電磁遮蔽用の金属層１２を装備したものであ
る。そして、前記コルゲートチューブ１０は、図２にも
示しているように、管壁が管軸方向に一定の凹凸を繰り
返す波形状を成すと共に、前記管壁を管軸方向に沿って
裂開したスリット１４を有した構造で、前記スリット１
４を開いて電線束等に被せることで簡単に電線束等を収
容した状態にすることができるものである。
は、絶縁性樹脂材料によって形成されて可撓性を有した
コルゲートチューブ１０の内・外表面に、無電解メッキ
法により、電磁遮蔽用の金属層１２を装備したものであ
る。そして、前記コルゲートチューブ１０は、図２にも
示しているように、管壁が管軸方向に一定の凹凸を繰り
返す波形状を成すと共に、前記管壁を管軸方向に沿って
裂開したスリット１４を有した構造で、前記スリット１
４を開いて電線束等に被せることで簡単に電線束等を収
容した状態にすることができるものである。
【００１５】さらに、このコルゲートチューブ１０で
は、管の半径方向に沿う溝の深さ寸法をＤ、及び管軸方
向に沿う溝の幅寸法をＷとしたとき、少なくとも、管壁
の凹凸を構成している管内部側の溝部２２は、０．５＜
Ｄ／Ｗ＜１．６を満足するように前記Ｄ，Ｗの寸法が設
定されている。
は、管の半径方向に沿う溝の深さ寸法をＤ、及び管軸方
向に沿う溝の幅寸法をＷとしたとき、少なくとも、管壁
の凹凸を構成している管内部側の溝部２２は、０．５＜
Ｄ／Ｗ＜１．６を満足するように前記Ｄ，Ｗの寸法が設
定されている。
【００１６】前記コルゲートチューブ１０が、例えばＡ
ＢＳ樹脂で形成されている場合、図４に示す無電解メッ
キ処理の一連の工程（Ａ）〜（Ｉ）を順に実施して、前
述の金属層１２の形成を行う。即ち、まず、ＡＢＳ樹脂
上のブタジェンを溶かし、凹痕をつくるエッチング
（Ａ）を行った後、エッチング液を中和し（Ｂ）、弱酸
浸漬によるクリーナコンディショナーを行う（Ｃ）。次
いで、プレディプ（Ｄ）を行った後、表面にパラジウム
と錫のコロイド物質を析出させるキャタリスト液浸漬を
行い（Ｅ）、錫を離脱させパラジウムのみを残す活性化
処理、即ち、アクセレータ液浸漬を行う（Ｆ）。次い
で、無電解銅メッキ（Ｇ）を行った後、触媒（塩化パラ
ジウム）を吸着させ（Ｈ）最後に無電解ニッケルメッキ
（Ｉ）を行い、乾燥させて、一連のメッキ処理を完了さ
せる。なお、これらの各工程間には、水洗及び処理液の
回収工程が入ることとなる。また、上述の各工程におい
て、コルゲートチューブ１０は、図５に示すように、円
筒形状の金網かご２５の中に巻いた状態で入れて、この
金網かご２５ごと、メッキ層２９に貯留されている処理
液２７中に浸漬させる。そして、浸漬中又は、処理液２
７から出し入れするときは、前記金網かご２５を振動ま
たは回転させる。
ＢＳ樹脂で形成されている場合、図４に示す無電解メッ
キ処理の一連の工程（Ａ）〜（Ｉ）を順に実施して、前
述の金属層１２の形成を行う。即ち、まず、ＡＢＳ樹脂
上のブタジェンを溶かし、凹痕をつくるエッチング
（Ａ）を行った後、エッチング液を中和し（Ｂ）、弱酸
浸漬によるクリーナコンディショナーを行う（Ｃ）。次
いで、プレディプ（Ｄ）を行った後、表面にパラジウム
と錫のコロイド物質を析出させるキャタリスト液浸漬を
行い（Ｅ）、錫を離脱させパラジウムのみを残す活性化
処理、即ち、アクセレータ液浸漬を行う（Ｆ）。次い
で、無電解銅メッキ（Ｇ）を行った後、触媒（塩化パラ
ジウム）を吸着させ（Ｈ）最後に無電解ニッケルメッキ
（Ｉ）を行い、乾燥させて、一連のメッキ処理を完了さ
せる。なお、これらの各工程間には、水洗及び処理液の
回収工程が入ることとなる。また、上述の各工程におい
て、コルゲートチューブ１０は、図５に示すように、円
筒形状の金網かご２５の中に巻いた状態で入れて、この
金網かご２５ごと、メッキ層２９に貯留されている処理
液２７中に浸漬させる。そして、浸漬中又は、処理液２
７から出し入れするときは、前記金網かご２５を振動ま
たは回転させる。
【００１７】以上の無電解メッキ処理でコルゲートチュ
ーブ１０の内・外表面の両面に形成される金属層１２
は、電磁遮蔽用の銅下地メッキ（膜厚が０．８〜１．６
μｍ）と、この銅メッキ層の上に成膜された防錆用のニ
ッケルメッキ層（膜厚０．２〜０．４μｍ）との積層構
造とする。
ーブ１０の内・外表面の両面に形成される金属層１２
は、電磁遮蔽用の銅下地メッキ（膜厚が０．８〜１．６
μｍ）と、この銅メッキ層の上に成膜された防錆用のニ
ッケルメッキ層（膜厚０．２〜０．４μｍ）との積層構
造とする。
【００１８】上述の無電解メッキ処理において、特に、
エッチング工程（Ａ）での表面活性化不良によるエアー
付着と、無電解銅メッキ工程（Ｇ）では、水素ガス等の
気泡が生じ易い。そして、発生した気泡は、コルゲート
チューブ１０の表面（特に、管壁の凹凸の溝部）に付着
し、気泡溜まりとなって、メッキ不良を招く。そこで、
気泡の付着防止策が必要となる。一般に、コルゲートチ
ューブ１０の外表面側の凹部２４（図２参照）に付着し
た気泡は、コルゲートチューブ１０に振動を与える等の
対応で、比較的に容易に除去することができる。しか
し、コルゲートチューブ１０の内表面側の凹部に付着し
た気泡は、コルゲートチューブ１０に振動を与える等の
対応では除去することが難しい。
エッチング工程（Ａ）での表面活性化不良によるエアー
付着と、無電解銅メッキ工程（Ｇ）では、水素ガス等の
気泡が生じ易い。そして、発生した気泡は、コルゲート
チューブ１０の表面（特に、管壁の凹凸の溝部）に付着
し、気泡溜まりとなって、メッキ不良を招く。そこで、
気泡の付着防止策が必要となる。一般に、コルゲートチ
ューブ１０の外表面側の凹部２４（図２参照）に付着し
た気泡は、コルゲートチューブ１０に振動を与える等の
対応で、比較的に容易に除去することができる。しか
し、コルゲートチューブ１０の内表面側の凹部に付着し
た気泡は、コルゲートチューブ１０に振動を与える等の
対応では除去することが難しい。
【００１９】しかし、コルゲートチューブの内表面側へ
の凹部に付着する気泡の挙動を、度重なる実験によって
解析した結果、既述したとおり、メッキ処理工程で発生
する気泡が、前記コルゲートチューブ内の凹部に溜まり
易いか否かは、該コルゲートチューブの管壁の凹凸を構
成する管内部側の溝部２２の形状に密接な相関があるこ
とを解明した。
の凹部に付着する気泡の挙動を、度重なる実験によって
解析した結果、既述したとおり、メッキ処理工程で発生
する気泡が、前記コルゲートチューブ内の凹部に溜まり
易いか否かは、該コルゲートチューブの管壁の凹凸を構
成する管内部側の溝部２２の形状に密接な相関があるこ
とを解明した。
【００２０】さらに詳述すると、本願発明者等は、一実
施形態で示したコルゲートチューブ１０内の溝部２２に
おいて、管の半径方向に沿う溝の深さ寸法をＤ、及び管
軸方向に沿う溝の幅寸法をＷとして、前述の気泡が発生
し易い２つの工程で、Ｄ／Ｗの値と、気泡溜まりの発生
数との相関を調べた。
施形態で示したコルゲートチューブ１０内の溝部２２に
おいて、管の半径方向に沿う溝の深さ寸法をＤ、及び管
軸方向に沿う溝の幅寸法をＷとして、前述の気泡が発生
し易い２つの工程で、Ｄ／Ｗの値と、気泡溜まりの発生
数との相関を調べた。
【００２１】なお、前記コルゲートチューブ１０の管壁
の凹凸は、管の内表面１６側は、略ｓｉｎカーブ状の滑
らかな曲線状の波形を呈しているのに対し、外表面１８
側では、底部１９と頂部２０とに平坦部を残した一部変
形した波形を呈している。また、前記Ｄ、およびＷの値
は実測しにくいため、便宜上、コルゲートチューブ１０
の外径寸法Ｌ、内径（呼び径）寸法Ｋ、外表面１８側の
凹部２４の深さ寸法Ｍ、前記頂部２０の平坦部の長さ寸
法Ｎ等を実測し、これらの実測値から、次の（１）〜
（３）式により、前記Ｄ，Ｗを求めた。 Ｄ＝Ｍ ……（１） ｔ＝｛（Ｌ−Ｋ）／２｝−Ｍ ……（２） Ｗ＝Ｎ−２ｔ ……（３）
の凹凸は、管の内表面１６側は、略ｓｉｎカーブ状の滑
らかな曲線状の波形を呈しているのに対し、外表面１８
側では、底部１９と頂部２０とに平坦部を残した一部変
形した波形を呈している。また、前記Ｄ、およびＷの値
は実測しにくいため、便宜上、コルゲートチューブ１０
の外径寸法Ｌ、内径（呼び径）寸法Ｋ、外表面１８側の
凹部２４の深さ寸法Ｍ、前記頂部２０の平坦部の長さ寸
法Ｎ等を実測し、これらの実測値から、次の（１）〜
（３）式により、前記Ｄ，Ｗを求めた。 Ｄ＝Ｍ ……（１） ｔ＝｛（Ｌ−Ｋ）／２｝−Ｍ ……（２） Ｗ＝Ｎ−２ｔ ……（３）
【００２２】その結果、Ｄ／Ｗの値が１．５以下の場合
は、メッキ処理中にコルゲートチューブに僅かの振動を
与えるだけで、付着する気泡が剥離してチューブ両端の
開口またはスリット１４による開口から排出され、全て
のサンプルで全く気泡溜まりが検出されなかった。そし
て、Ｄ／Ｗが１．６になると、同様にコルゲートチュー
ブに振動を与えていても、実験したサンプルの内の１／
３において、１個の気泡溜まりが検出された。また、Ｄ
／Ｗの値が１．７以上になると、気泡溜まりの発生数が
急激に増加する傾向が見られた。
は、メッキ処理中にコルゲートチューブに僅かの振動を
与えるだけで、付着する気泡が剥離してチューブ両端の
開口またはスリット１４による開口から排出され、全て
のサンプルで全く気泡溜まりが検出されなかった。そし
て、Ｄ／Ｗが１．６になると、同様にコルゲートチュー
ブに振動を与えていても、実験したサンプルの内の１／
３において、１個の気泡溜まりが検出された。また、Ｄ
／Ｗの値が１．７以上になると、気泡溜まりの発生数が
急激に増加する傾向が見られた。
【００２３】そして、このような傾向は、コルゲートチ
ューブの内径が７．４±０．４ｍｍ〜３２．４±０．６
ｍｍの範囲にある市販の種々の内径（呼び径）のコルゲ
ートチューブの全てにおいて、同様に確認できた。ま
た、気泡溜まりが発生し易いか否かには、コルゲートチ
ューブの呼び径（即ち、両端の開口径）も関与すると予
想されたが、実験したコルゲートチューブは、溝の深さ
Ｄが、呼び径Ｋ（図２参照）の１５％以下（即ち、Ｄ≦
０．１５Ｋ）であり、この程度の差があれば、呼び径の
大きさに関係なく、同様の傾向が確認された。
ューブの内径が７．４±０．４ｍｍ〜３２．４±０．６
ｍｍの範囲にある市販の種々の内径（呼び径）のコルゲ
ートチューブの全てにおいて、同様に確認できた。ま
た、気泡溜まりが発生し易いか否かには、コルゲートチ
ューブの呼び径（即ち、両端の開口径）も関与すると予
想されたが、実験したコルゲートチューブは、溝の深さ
Ｄが、呼び径Ｋ（図２参照）の１５％以下（即ち、Ｄ≦
０．１５Ｋ）であり、この程度の差があれば、呼び径の
大きさに関係なく、同様の傾向が確認された。
【００２４】また、本願発明者等は、種々の呼び径のコ
ルゲートチューブ１０について、前述のＤ／Ｗの値と、
コルゲートチューブ１０の曲げ性との相関も調べた。そ
の結果、Ｄ／Ｗが０．５以下になると、大きな曲げ半径
Ｒが必要となり、曲げ性が低下することが判明した。そ
して以上の調査結果から、少なくとも、コルゲートチュ
ーブ１０は、内部側の溝部２２を、０．５＜Ｄ／Ｗ＜
１．６を満足する略矩形断面溝に設定しておけば、無電
解メッキ処理時に気泡溜まりが発生せず、コルゲートチ
ューブ１０の内・外表面の両面に膜厚の均一な金属層１
２を形成することが可能になる。
ルゲートチューブ１０について、前述のＤ／Ｗの値と、
コルゲートチューブ１０の曲げ性との相関も調べた。そ
の結果、Ｄ／Ｗが０．５以下になると、大きな曲げ半径
Ｒが必要となり、曲げ性が低下することが判明した。そ
して以上の調査結果から、少なくとも、コルゲートチュ
ーブ１０は、内部側の溝部２２を、０．５＜Ｄ／Ｗ＜
１．６を満足する略矩形断面溝に設定しておけば、無電
解メッキ処理時に気泡溜まりが発生せず、コルゲートチ
ューブ１０の内・外表面の両面に膜厚の均一な金属層１
２を形成することが可能になる。
【００２５】そして、コルゲートチューブ１０の内・外
表面の両面に金属層１２を形成した場合には、図６に示
すように、これら内・外表面両方の金属層１２が、電磁
波２６の反射・吸収作用を発揮するため、コルゲートチ
ューブの内・外表面の一方にのみ金属層を形成していた
従来の場合の比較すると、特に、電磁波ノイズが二回反
射されることとなって、遥かに優れた電磁遮蔽効果を発
揮できる。そして、更には、取り扱い性の点で重要な曲
げ性も十分に確保することができる。
表面の両面に金属層１２を形成した場合には、図６に示
すように、これら内・外表面両方の金属層１２が、電磁
波２６の反射・吸収作用を発揮するため、コルゲートチ
ューブの内・外表面の一方にのみ金属層を形成していた
従来の場合の比較すると、特に、電磁波ノイズが二回反
射されることとなって、遥かに優れた電磁遮蔽効果を発
揮できる。そして、更には、取り扱い性の点で重要な曲
げ性も十分に確保することができる。
【００２６】実際に、前記の実施形態のように製造した
シールドメッキコルゲートチューブを電線束に被せて、
その電磁遮蔽効果を検査したところ、優れた電磁遮蔽効
果を発揮することが確認され、コルゲートチューブの内
・外表面への金属層の形成が良好になされていることが
証明できた。また、シールドメッキコルゲートチューブ
を装着した電線束も比較的に容易に曲げることができ、
曲げ性も十分に備えていることが確認できた。
シールドメッキコルゲートチューブを電線束に被せて、
その電磁遮蔽効果を検査したところ、優れた電磁遮蔽効
果を発揮することが確認され、コルゲートチューブの内
・外表面への金属層の形成が良好になされていることが
証明できた。また、シールドメッキコルゲートチューブ
を装着した電線束も比較的に容易に曲げることができ、
曲げ性も十分に備えていることが確認できた。
【００２７】なお、前記の実施形態の場合、コルゲート
チューブの管壁の凹凸は、略ｓｉｎカーブ状であった
が、本発明は、凹凸が図７に示した矩形状等の場合に
も、応用可能である。
チューブの管壁の凹凸は、略ｓｉｎカーブ状であった
が、本発明は、凹凸が図７に示した矩形状等の場合に
も、応用可能である。
【００２８】また、前記の実施形態では、コルゲートチ
ューブの内面側の溝部のみ、０．５＜Ｄ／Ｗ＜１．６を
満足するように寸法設定したが、コルゲートチューブの
外表面の凹部も、同様に気泡が剥がれやすい寸法設定と
しても良い。しかし、外表面の場合は、振動等によって
比較的に容易に付着した気泡を除去することができるた
め、それほど、重要ではない。
ューブの内面側の溝部のみ、０．５＜Ｄ／Ｗ＜１．６を
満足するように寸法設定したが、コルゲートチューブの
外表面の凹部も、同様に気泡が剥がれやすい寸法設定と
しても良い。しかし、外表面の場合は、振動等によって
比較的に容易に付着した気泡を除去することができるた
め、それほど、重要ではない。
【００２９】
【発明の効果】無電解メッキ法によってコルゲートチュ
ーブの内・外表面に金属層を形成する場合、メッキ処理
工程で発生する気泡や残留処理液が、前記コルゲートチ
ューブ内の凹部に溜まり易いか否かは、該コルゲートチ
ューブの管壁の凹凸を構成する溝部の形状に密接な相関
を示す。前記凹凸を構成する管内部側の溝部において、
管の半径方向に沿う溝の深さ寸法をＤ、及び管軸方向に
沿う溝の幅寸法をＷとすると、Ｄ／Ｗの値が１．５以下
の場合は全てのサンプルで全く気泡溜まりが検出され
ず、Ｄ／Ｗが１．６になると実験したサンプルの内の１
／３において、１個の気泡溜まりが検出された。そし
て、Ｄ／Ｗの値が１．７以上になると、気泡溜まりの発
生数が急激に増加する傾向が見られた。また、本願発明
者等は、種々の呼び径のコルゲートチューブについて、
前述のＤ／Ｗの値と、コルゲートチューブの曲げ性との
相関も調べた。その結果、Ｄ／Ｗが０．５以下になる
と、大きな曲げ半径Ｒが必要となり、曲げ性が低下する
ことが判明した。従って、本発明のシールドメッキコル
ゲートチューブのように、少なくとも、コルゲートチュ
ーブは、内部側の溝部を、０．５＜Ｄ／Ｗ＜１．６を満
足する略矩形断面溝に設定しておけば、無電解メッキ処
理時に気泡溜まり等が発生せず、コルゲートチューブの
内・外表面の両面に膜厚の均一な金属層を形成すること
ができ、コルゲートチューブの内・外表面の両面に形成
した金属層によって優れた電磁遮蔽効果を発揮できる。
そして、更には、取り扱い性の点で重要な曲げ性も十分
に確保することができる。
ーブの内・外表面に金属層を形成する場合、メッキ処理
工程で発生する気泡や残留処理液が、前記コルゲートチ
ューブ内の凹部に溜まり易いか否かは、該コルゲートチ
ューブの管壁の凹凸を構成する溝部の形状に密接な相関
を示す。前記凹凸を構成する管内部側の溝部において、
管の半径方向に沿う溝の深さ寸法をＤ、及び管軸方向に
沿う溝の幅寸法をＷとすると、Ｄ／Ｗの値が１．５以下
の場合は全てのサンプルで全く気泡溜まりが検出され
ず、Ｄ／Ｗが１．６になると実験したサンプルの内の１
／３において、１個の気泡溜まりが検出された。そし
て、Ｄ／Ｗの値が１．７以上になると、気泡溜まりの発
生数が急激に増加する傾向が見られた。また、本願発明
者等は、種々の呼び径のコルゲートチューブについて、
前述のＤ／Ｗの値と、コルゲートチューブの曲げ性との
相関も調べた。その結果、Ｄ／Ｗが０．５以下になる
と、大きな曲げ半径Ｒが必要となり、曲げ性が低下する
ことが判明した。従って、本発明のシールドメッキコル
ゲートチューブのように、少なくとも、コルゲートチュ
ーブは、内部側の溝部を、０．５＜Ｄ／Ｗ＜１．６を満
足する略矩形断面溝に設定しておけば、無電解メッキ処
理時に気泡溜まり等が発生せず、コルゲートチューブの
内・外表面の両面に膜厚の均一な金属層を形成すること
ができ、コルゲートチューブの内・外表面の両面に形成
した金属層によって優れた電磁遮蔽効果を発揮できる。
そして、更には、取り扱い性の点で重要な曲げ性も十分
に確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のシールドメッキコルゲートチューブの
一部を破断した側面図である。
一部を破断した側面図である。
【図２】本発明のシールドメッキコルゲートチューブの
基材となるコルゲートチューブの一部を破断した側面図
である。
基材となるコルゲートチューブの一部を破断した側面図
である。
【図３】図２のＪ−Ｊ線に沿う断面図である。
【図４】本発明に適用される無電解メッキの一連の処理
手順を示す説明図である。
手順を示す説明図である。
【図５】本発明に適用される無電解メッキでのコルゲー
トチューブの取り扱い法を示す概略図である。
トチューブの取り扱い法を示す概略図である。
【図６】シールドメッキコルゲートチューブによる電磁
波の反射・吸収効果を説明するチューブ断面図である。
波の反射・吸収効果を説明するチューブ断面図である。
【図７】従来のシールドコルゲートチューブの一部を破
断した断面図である。
断した断面図である。
８ シールドメッキコルゲートチューブ １０ コルゲートチューブ １２ 金属層 １４ スリット ２２ 溝部 ２４ 凹部 Ｄ 溝の深さ Ｗ 溝の幅
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁性樹脂材料によって、管壁が管軸方
向に一定の凹凸を繰り返す波形状に形成されて、可撓性
を有したコルゲートチューブと、 前記コルゲートチューブの表面に電磁遮蔽用の金属層と
を具備し、 電線束等に被せて、収容した電線束等に対する機械的保
護及び電磁遮蔽を果たすシールドメッキコルゲートチュ
ーブであって、 前記コルゲートチューブは、管の半径方向に沿う溝の深
さ寸法をＤ、及び管軸方向に沿う溝の幅寸法をＷとした
とき、少なくとも、前記凹凸を構成する管内部側の溝部
を、０．５＜Ｄ／Ｗ＜１．６を満足するように寸法設定
し、 前記金属層を無電解メッキ法により前記コルゲートチュ
ーブの内・外表面の両面に形成したことを特徴とするシ
ールドメッキコルゲートチューブ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8112575A JPH09298382A (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | シールドメッキコルゲートチューブ |
| US08/837,350 US6310284B1 (en) | 1996-05-07 | 1997-04-17 | Shield-plated corrugated tube |
| US09/946,500 US6689281B2 (en) | 1996-05-07 | 2001-09-06 | Shield-plated corrugated tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8112575A JPH09298382A (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | シールドメッキコルゲートチューブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09298382A true JPH09298382A (ja) | 1997-11-18 |
Family
ID=14590160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8112575A Pending JPH09298382A (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | シールドメッキコルゲートチューブ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6310284B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09298382A (ja) |
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| WO2023136356A1 (ja) * | 2022-01-17 | 2023-07-20 | 矢崎総業株式会社 | シールド部材及びワイヤハーネス |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6310284B1 (en) | 2001-10-30 |
| US20020053448A1 (en) | 2002-05-09 |
| US6689281B2 (en) | 2004-02-10 |
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