JPH09293744A - 電子部品の実装方法 - Google Patents

電子部品の実装方法

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JPH09293744A
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coating resin
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今井　　博和
Toshio Suzuki
俊夫 鈴木
Takashi Nagasaka
長坂　　崇
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Denso Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 回路基板上の配線パターンを構成するＣｕ系
導体に電子部品をワイヤボンデイングする場合における
接合性の向上を図る。 【解決手段】 半導体チップ等の電子部品とのワイヤボ
ンデイングが行われるＣｕ系導体を樹脂層にてコーティ
ングした後に、半田リフロー工程を実施して、電子部品
を半田付けする。この後に、前記コーティング樹脂層を
剥離してから、Ｃｕ系導体と電子部品とをワイヤボンデ
イングする。これにより、Ｃｕ系導体を清浄に維持した
ままの状態で、Ｃｕ系導体と電子部品とを良好にワイヤ
ボンディングすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品の実装方法
に関するもので、特に、回路基板上の導体に対して直接
ワイヤボンデイングを行い、半導体チップ等の電子部品
の接続を行う実装方法において、ワイヤボンデイングの
接合性を向上させるための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、回路基板上に半導体チップや個別
電子部品を搭載し、例えば、図２７に示すようにリード
１００を介して外部へ端子をとり出す場合、回路基板１
０１上の電極１０２とリード１００間を、ワイヤ１０３
によるワイヤボンディングによって、電気的接続を行な
っていた。
【０００３】この基板１０１上の電極１０２としては、
一般的に、回路基板１０１上の導体１０４に、半田１０
５にて接合された金属製パッド１０６を用いていた。こ
の金属製パッド１０６の具体的材質としては、４２アロ
イ、５０アロイなどにＮｉめっきしたものや、ボンディ
ング側にＡｌクラッドされたものが用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の金属製パッド１
０６は、一般に、金属の打ち抜き加工上の制約から、径
１mm×板厚１mm程度の小さなものは加工できないので、
この金属製パッド１０６の設置に伴って、どうしても、
回路基板１０１が大きくなってしまうという問題があっ
た。
【０００５】また、金属製パッド１０６の形成のため
に、打ち抜き加工した後にＮｉめっき加工などが必要と
なり、製造工程が煩雑であるので、製造コストが高くな
ってしまうという問題もあった。これに対して、この金
属製パッド１０６を廃止し、回路基板１０１上の導体１
０４に直接、ワイヤボンディングする技術が特開平５−
３２６８０５号公報等にて提案されている。
【０００６】ここで、本発明者らの試作、検討によれ
ば、ワイヤボンディング用の導体１０４として、Ａｕめ
っきしたもの、Ａｕ厚膜、Ｎｉめっきしたものを用いた
場合には、導体１０４に直接、ワイヤボンディングする
ことに伴う接合性について、特に問題がないことを確認
できた。しかしながら、ＡｕめっきやＡｕ厚膜の場合
は、その材料費および加工工程により、基板製造コスト
が高くなるという問題がある。また、ＡｕとＡｌワイヤ
との組合せでは、その接合界面に腐食が生じて、ワイヤ
ボンディング部の耐湿性が劣るといった問題があった。
【０００７】また、Ｎｉめっきを採用するものでは、基
板の表面にまずＮｉめっき層を形成し、このＮｉめっき
層の上に厚膜導体、例えば、Ｃｕ厚膜を形成することに
なるが、この場合には、Ｎｉめっき上のＣｕ厚膜部の半
田ぬれ性が低下して、はんだ接合不良が発生しやすいと
いう問題があった。そこで、本発明者らは、このような
問題を解決するために、回路基板上のワイヤボンディン
グ用導体として、Ｃｕ厚膜、ＣｕめっきのようなＣｕ系
導体を採用することを試みた。
【０００８】ところが、Ｃｕ厚膜、Ｃｕめっき等のＣｕ
系導体を回路基板のワイヤボンディング用の導体材料と
して用いた混成集積回路の実装方法では、半田リフロー
工程の後に、洗浄工程を実施しても、ワイヤボンディン
グ用の導体上に汚れが残っており、ワイヤボンドの接合
性が劣下するという不具合が生じることを見い出した。
以下、この不具合の発生理由について、図２８に示す従
来工程のフローチャートを参照して、詳細に説明する。
【０００９】図２８の実装方法では、まず、配線パター
ンが形成された回路基板を用意する。次に、この回路基
板上の配線パターンの実装部品搭載部に半田ペーストを
印刷する。この後に、実装部品を配線パターンの所定部
位にマウント（組付）する。次に、リフロー工程により
半田を溶かして実装部品を固着し、この後に、フラック
ス等による汚染物を洗浄工程にて洗浄し、最後に、回路
基板のワイヤボンディング用導体に対してワイヤボンデ
ィングする。
【００１０】しかし、このような実装方法によると、半
田リフロー時に、半田フラックス中の活性剤であるＢｒ
やＣｌが溶剤やフラックス中の樹脂成分と共に溶出また
は飛散し、ボンディングパッドである導体（Ｃｕ厚膜、
Ｃｕめっき）または導体表面に形成された導体の酸化物
と反応し、この導体の表面に粒状、あるいは均一に反応
生成物が形成され、この反応生成物による導体表面の汚
染により、その後のワイヤボンディングの接合性を低下
させることがわかった。
【００１１】このような導体表面の汚染による不具合
は、導体としてＡｌパッドやＡｕ導体を用いたときには
発生せず、Ｃｕ系導体を用いた場合に特に発生する固有
の問題であることがわかった。さらに、Ｃｕ厚膜、Ｃｕ
めっきの場合は、半田リフロー以外にも、接着剤硬化時
の加熱工程や回路基板・ケースの接着等を行うパッケー
ジ工程において、樹脂や接着剤を加熱硬化させることに
より、Ｃｕ厚膜、Ｃｕめっきの表面が酸化し、ワイヤボ
ンドの接合性が低下するという不具合が生じることもわ
かった。
【００１２】このような不具合の対策法として、酸化膜
や汚染物の除去を機械的に行うようにしたものが既に特
開昭５８−１１１３２９号公報、特開平６−２６０５２
０号公報にて提案されている。しかし、これらの従来技
術は、１パッドずつ、除去処理を行うため、ボンディン
グパッドが多数設けられている場合は、この除去処理の
ために多大な時間がかかり、コスト高になるという不具
合がある。また、せっかく酸化膜や汚染物を機械的に除
去しても、その除去に伴うパウダーが基板表面に付着し
たまま残り、ワイヤボンドの接合性が安定しない等の不
具合があった。
【００１３】本発明は、上述した事情に鑑みてなされた
もので、回路基板上のＣｕ系導体に対して直接ワイヤボ
ンデイングする実装方法において、ワイヤボンデイング
の接合性を向上させるとともに、ワイヤボンデイングに
よる実装を低コストで実施できるようにすることを目的
とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、以下の技術的手段を採用する。請求項１記載
の発明では、電子部品（４１）とのワイヤボンデイング
が行われるＣｕ系導体（１１）を樹脂層（３１）にてコ
ーティングした後に、電子部品（４１、４２）を半田付
け又は接着剤で固着し、この後に、前記コーティング樹
脂層（３１）を剥離し、この後に、この樹脂層（３１）
を剥離したＣｕ系導体（１１）と電子部品（４１）とを
ワイヤボンデイングすることを特徴としている。
【００１５】従って、請求項１記載の発明によれば、電
子部品を回路基板にマウントしリフローする際に起こる
ワイヤボンディングパッド用導体（１１）の汚染を、樹
脂層（３１）で被覆することにより防止できる。また、
接着剤の固着の場合には、硬化のための加熱によりワイ
ヤボンディングパッド用導体（１１）の酸化を防止でき
る。それ故、この導体（１１）を清浄に維持したまま、
ワイヤボンディングすることができ、ワイヤボンデイン
グの接合性を向上できる。
【００１６】しかも、材料費の安価なＣｕ系の導体（１
１）に直接ワイヤボンディングする方式であるから、ワ
イヤボンディングに関するコストが安くすむ。さらに、
従来の、酸化膜や汚染物の除去を機械的に行う方式に比
して、樹脂層（３１）の形成、剥離は簡単であるから、
樹脂層（３１）に関するコストも安くすむ。また、従来
の方式であると、酸化膜や汚染物を機械的に除去して
も、その除去に伴うパウダーが基板表面に付着したまま
残り、ワイヤボンドの接合性を阻害することがあるが、
本発明ではこのような不具合も全く生じない。
【００１７】また、請求項２記載の発明では、電子部品
（４１）および外部回路接続用リード（１００）とのワ
イヤボンデイングが行われるＣｕ系導体（１１、１３）
を樹脂層（３１）にてコーティングした後に、電子部品
（４１、４２）を半田付け又は接着剤で固着し、この後
に、前記コーティング樹脂層（３１）のうち、電子部品
（４１）とのワイヤボンデイングが行われるＣｕ系導体
（１１）のコーティング樹脂層（３１）を剥離し、この
後に、この樹脂層（３１）を剥離したＣｕ系導体（１
１）と電子部品（４１）とをワイヤボンデイングし、こ
の後に、回路基板（１）をケース内に封止するパッケー
ジ工程を行い、この後に、前記コーティング樹脂層（３
１）のうち、外部回路接続用リード（１００）とのワイ
ヤボンデイングが行われるＣｕ系導体（１３）のコーテ
ィング樹脂層（３１）を剥離し、この後に、このコーテ
ィング樹脂層（３１）を剥離したＣｕ系導体（１３）と
外部回路接続用リード（１００）とをワイヤボンデイン
グすることを特徴としている。
【００１８】従って、請求項２記載の発明によれば、請
求項１の作用効果に加えて、パッケージング工程におけ
る樹脂・接着剤硬化等の加熱作用の影響を受けてボンデ
ィングパッド用導体（１３）が酸化することをも、樹脂
層（３１）の被覆により防止することができ、外部回路
接続用リード（１００）とのワイヤボンデイングも良好
に行うことができる。
【００１９】また、請求項３記載の発明では、コーティ
ング樹脂層（３１）の樹脂材料として、半田付け時の加
熱条件にて回路基板（１）に焼きつかない程度の耐熱性
を有し、かつ半田付け時の加熱条件にて硬化可能な樹脂
を用いているから、半田付け時の加熱作用をそのまま利
用して、樹脂層（３１）を硬化させることができ、しか
も半田付け時の加熱で回路基板（１）に焼きつかないた
め、コーティング樹脂層（３１）の剥離工程において剥
離を容易に行うことができる。
【００２０】請求項６記載の発明では、電子部品（４
１、４２）の半田付け時に流れ出す半田フラックス（２
２）がコーティング樹脂層（３１）に到達しないように
半田フラックス（２２）をせき止めるダム部材（３６）
を回路基板（１）上に形成することを特徴としている。
従って、半田フラックス（２２）によるコーティング樹
脂層（３１）への影響をなくし、ワイヤボンディングの
接合性を良好にすることができる。
【００２１】ダム部材（３６）は、コーティング樹脂層
（３１）の全てに対して設けても、また選択的に設ける
ようにしてもよい。この場合、電子部品（４１、４２）
の半田付けを行った後、その剥離を行う前に加熱工程
（パッケージ工程における樹脂・接着剤硬化等の加熱）
が入るコーティング樹脂層、具体的には、外部回路接続
用リード（１００）とのワイヤボンデイングが行われる
Ｃｕ系導体（１３）のコーティング樹脂層（３１）に対
してダム部材（３６）を設けるようにすれば、半田フラ
ックスの影響で加熱工程時にそのコーティング樹脂層
（３１）が酸化されるのを防ぐことができるため、酸化
によるワイヤボンディングの接合性低下を防ぐことがで
きる。
【００２２】請求項７記載の発明では、ダム部材（３
６）を、コーティング樹脂層（３１）と同じ材料で同時
に形成しているから、ダム部材（３６）を設けても製造
工程数を増やすことがなく、その場合の製造工程を簡単
にすることができる。請求項８記載の発明では、半田付
け後に前記回路基板（１）を洗浄する際に用いる洗浄液
からコーティング樹脂層（３１）を保護する保護層（３
７）を前記コーティング樹脂層（３１）の表面に形成す
ることを特徴としている。
【００２３】従って、洗浄液からコーティング樹脂層
（３１）を保護し、ひいてはコーティング樹脂層（３
１）の下のＣｕ系導体（１１、１３）の酸化などを防ぐ
ことができるため、Ｃｕ系導体（１１、１３）に対する
ワイヤボンディングの接合性を良好にすることができ
る。また、請求項９、１０記載の発明では、ワイヤボン
ドする直前にプラズマクリーニング法により、ボンディ
ングパッド用導体（１１、１３）上の汚染物・酸化物を
除去することによって、Ｃｕ系導体に対して、直接、ワ
イヤボンディングしても安定した接合性を確保すること
ができ、請求項１または２に記載の発明と同様の効果を
発揮できる。
【００２４】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態記載の具体的手段との対応関係を示すもの
である。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図に基
づいて説明する。 （第１実施形態）図１〜図１３は第１実施形態を示すも
ので、図１は、本発明の樹脂塗布工程を導入した場合の
実装方法の全体工程の流れを示すフローチャートであ
り、図２、３、４、６、７、８、１３はこの実装方法の
各工程を具体的に示す図である。まず、図２に示すよう
なＣｕ厚膜、Ｃｕめっき等のＣｕ系の導体からなる配線
パターンを形成した回路基板１を用意する。この回路基
板１はセラミック系の絶縁材料を成形したものである。
【００２６】ここで、回路基板１上の配線パターンと
は、半導体チップと基板電極とをワイヤボンディングす
るためのパッドとしての導体１１、外部接続用ワイヤボ
ンディングパッドとしての導体１３、半導体チップを搭
載するためのダイパット用導体１２および電子部品接続
用の端子パターン２０を含むものとする。次に、図３に
示すように、この回路基板１の配線パターンのうち、電
子部品接続用の端子パターン２０および半導体チップ用
ダイパッド用導体１２の上に、半田ペースト２１をスク
リーン印刷法により印刷する。
【００２７】この後に、図４に示すようにワイヤボンデ
ィングを行うためのボンディングパッド用導体１１及１
３を覆うようにビニール系樹脂などからなるコーティン
グ樹脂層３１を形成する。このコーティング樹脂層３１
の材質としては、後述の半田リフロー工程にて回路基板
１に焼きつかないようにするため、耐熱性に優れたも
の、具体的には、２３０°Ｃの温度で１０分間、加熱さ
れても、基板１に焼きつかない程度の耐熱性を有するも
のが好ましい。また、コーティング樹脂層３１は、後述
の半田リフロー工程の加熱条件、具体的には、１３０°
Ｃ〜２４０°Ｃの温度にて硬化可能なものを選定する。
【００２８】このような特性を満足する樹脂としては、
例えば、ビニール系樹脂が好適であり、このビニール系
樹脂の具体例としては、ストリップマスク＃４４８Ｔ、
＃５０３Ｂ−ＳＨＶ（大阪アサヒ化学（株））がある。
この樹脂層３１の形成方法としては、スクリーンマスク
上に置かれたペースト状の樹脂をマスクの開口部を通し
て押し出して樹脂層３１を形成するスクリーン印刷法
（半田ペーストの印刷と同様）や、シリンダ内に充填し
たペースト状の樹脂をシリンダ内から空気圧により押し
出して樹脂層３１を形成するディスペンス法、スタンプ
法等を用いることができる。
【００２９】これらの方法の中で、スタンプ法を図５を
参照して具体的に説明すると、図５（ａ）、（ｂ）に示
すように、容器３２の底部に樹脂の塗布パターン３２ａ
を形成しておき、この容器３２内に、ペースト状のコー
ティング樹脂３３を充填する。次に、この容器３２の樹
脂塗布パータン３２ａを、回路基板１のワイヤボンディ
ングパッド用導体１１、１３上に位置決めをする。次い
で、コーティング樹脂３３を回路基板１にスタンプする
ことにより、前述のコーティング樹脂層３１を形成する
のであるが、このスタンプする際には、充填した樹脂３
３の上部から押圧板３５にて圧力をかけて、塗布パータ
ン３２ａからの樹脂３３の抜けをよくする。
【００３０】また、面積の広い塗布パターンにおいて
は、スタンプする際、塗布パターンの前後に樹脂３３が
だれるという不具合が発生しやすいので、図５（ｂ）に
示すように、塗布パターン３２ａのうち、面積の広い部
位には、メッシュ３４を設けることにより、この樹脂３
３のだれを解消できる。次いで、図６に示すように、半
導体チップ４１、コンデンサ等の電子部品４２をパター
ン１２、２０の上の半田ペースト２１の上に位置決めし
てマウント（組付）する。
【００３１】次に、図７に示すように、半田リフロー工
程における加熱（例えば、温度：１３０°Ｃ〜２４０°
Ｃ、加熱時間：３分〜５分）よって配線パターン上の半
田２１を溶融して半導体チップ４１および電子部品４２
を基板１に対して固着するとともに、このリフロー工程
の加熱によりコーティング樹脂層３１を加熱硬化させ
る。
【００３２】また、このリフロー工程の際に、半田フラ
ックス中の活性剤であるＢｒやＣｌが、溶剤やフラック
ス中の樹脂成分とともに溶出、または飛散するが、ワイ
ヤボンディングパッド用導体１１、１３上にはコーティ
ング樹脂層３１を形成してあるので、この導体１１、１
３が上記溶出、または飛散成分により汚染されたり、半
田中のＳｎ、Ｐｂがワイヤボンディングパッド用の導体
１１、１３に付着するのを防ぐことができる。
【００３３】次いで、洗浄工程を実施して、回路基板１
に付着したフラックスなどの汚染物を洗浄し、除去す
る。この後に、図８に示すように、外部接続用ワイヤボ
ンディングパッド用導体１３上を除く、半導体チップ４
１接続用のワイヤボンディングパッド用導体１１上のコ
ーティング樹脂層３１を剥離する。
【００３４】この樹脂層３１の剥離方法としては、図９
に示すような吸着剥離法が好適である。この剥離法は、
バキュームによりコーディング樹脂層３１を吸着して剥
離する方法である。剥離動作は、バキュームポンプ（図
示せず）に連結されたバキュームノズル９１の先端がコ
ーディング樹脂層３１に触れると同時に、樹脂層３１を
吸引しながら、バキュームノズル９１の先端に形成した
爪片９２で、コーティング樹脂層３１を引っかけて上方
に引き上げ剥離するものである。
【００３５】ここで、バキュームノズル９１の先端は矢
印９３のごとく屈折した動作軌跡でもって移動する。ま
た、コーディング樹脂層３１の材質として、前述のごと
く、半田リフロー工程時の加熱条件では、基板１に焼き
つかない程度の耐熱性を有するものを選択してあるの
で、樹脂層３１の剥離を容易に行うことができる。樹脂
層３１の剥離方法のその他の例としては、図１０に示す
ようなコーティング樹脂層３１にフック９４を設けて、
それをつまんで引き剥がす方法がある。このフック９４
は樹脂製または金属製であり、実装部品と同時に基板１
上のコーティング樹脂層３１上にマウントし、樹脂硬化
時（半田リフロー時）において、フック９４をコーティ
ング樹脂層３１に固着する。
【００３６】また、別部品としてのフック９４を設ける
代わりに、コーティング樹脂層３１の材質として、粘度
の高いものを使用して、図１１のようにコーティング樹
脂層３１の一部に凸部９５を形成すれば、この凸部９５
にてフック９４と同じ役割を果たすことができる。ま
た、図１２のように基板１のうち、コーティング樹脂層
３１の塗布部位の１〜数カ所に予め貫通口８６を設けて
おき、樹脂層剥離時に基板１の裏面から樹脂層３１を突
いて樹脂層３１を基板１から浮かせ、樹脂層３１を剥離
し易くする方法もある。
【００３７】このようにして、清浄に保たれたワイヤボ
ンディングパッド用導体１１上に図１３のようにワイヤ
ボンディングを行う。すなわち、半導体チップ４１と、
半導体チップボンディングパッド用導体１１との間をＡ
ｌ（アルミニュウム）製ワイヤ４３を用いて、熱圧着と
超音波圧着併用の圧着方法等で結合（ワイヤボンディン
グ）する。
【００３８】第１実施形態の実装方法によると、電子部
品４１、４２の半田リフロー工程の前に、ワイヤボンデ
ィングパッド用導体１１、１３をコーティング樹脂層３
１によって被覆することにより、この導体１１、１３が
半田リフロー時に汚染されるのを回避できる。従って、
導体１１を清浄なままの状態にて、ワイヤ４３とのボン
ディングを良好に行うことができる。
【００３９】しかも、それのみならず、外部接続用のワ
イヤボンディングパッド用導体１３には実装工程後（導
体１１のワイヤボンディング後）もコーティング樹脂層
３１を形成したままにしておくことにより、半導体装置
をケース（図示せず）内に固着（固定）し、樹脂封止す
るパッケージ工程における接着剤、樹脂などの硬化時に
導体１３が酸化することも防ぐことができる。
【００４０】ここで、パッケージ工程において、外部接
続用のワイヤボンディングパッド用導体１３部分は、ケ
ース内に樹脂封止せず、外部へ露出したままとする。そ
して、パッケージ工程終了後に外部接続用導体１３部分
のコーティング樹脂層３１を剥離し、その後に外部接続
用導体１３と外部回路接続用リード（図２７のリード１
００を参照）とをワイヤボンデイングすることにより、
外部接続用導体１３のワイヤボンディング接合性も良好
に確保できる。
【００４１】なお、図１に示した工程フローでは、コー
ティング樹脂層３１の塗布を、半田付部品（半導体チッ
プ４１、電子部品４２）のマウント工程の前に行ってい
るが、この半田付部品のマウント工程の後にコーティン
グ樹脂層３１の塗布を行うようにしてもよい。図１４
は、コーティング樹脂層３１の塗布工程を行ってワイヤ
ボンディングした場合と従来の樹脂層塗布工程なしでワ
イヤボンディングした場合の接合性を比較した実験結果
を示す。この実験において使用したワイヤは、Φ２５０
μｍのＡｌワイヤであり、ボンディングパッドの導体は
Ｃｕめっきである。実験数ｎは１５である。
【００４２】ワイヤボンディングの接合性の評価方法は
引っ張り強度試験であり、試験方法は図１５に示す。形
成したボンディングワイヤ１５０のループ中央（図１５
（ａ）参照）で切断して、図１５（ｂ）のようにワイヤ
１５０を立てる。次に、図１５（ｃ）のように立てたワ
イヤ１５０の下端部をつまんで、引っ張り強度測定器１
５２により上方にワイヤ１５０が破断するまで引っ張
る。グラフはその時の破断強度を測定し、プロットした
ものである。
【００４３】破断モードは、不良モードである「はが
れ」と良品モードである「ネック切れ」とに分類した。
ここで、「はがれ」とは、図１５（ｄ）に示すようにボ
ンディングパッドである導体とワイヤとの界面ではがれ
たものであり、ネック切れとは、図１５（ｅ）に示すよ
うに、この「はがれ」が発生せず、ボンディングワイヤ
のネック部１５１で破断が生じたものである。
【００４４】この評価結果から、本発明によるコーティ
ング樹脂層３１を塗布したものは、低破断強度域におけ
る「はがれ」が０となり、樹脂層塗布をしないものに比
べ、安定したワイヤボンディング性を得ることができる
ことを確認できた。なお、上記評価に用いたコーティン
グ樹脂層３１の材質としては、ビニール系樹脂である、
大阪アサヒ化学（株）製のストリップマスクを用いた
が、これに限定されることなく、半田リフロー条件で硬
化可能で、接着剤、樹脂などの硬化条件に耐えるだけの
耐熱性を有し、さらにその後の剥離が容易に行えるもの
なら他の樹脂や膜を用いてもよい。
【００４５】また、硬化後、樹脂中に気泡（ボイド）の
少ない、ボーラスでない樹脂や、酸素透過性の低い樹脂
を用いたり、前述の大阪アサヒ化学（株）のストリップ
マスクの上にボイドの少ない樹脂や、酸素透過性の低い
樹脂を被覆し、樹脂層３１を２層にすることにより、樹
脂層３１下の導体の酸化防止効果を一層高めることがで
きる。
【００４６】本発明者らの実験検討によると、実際に、
Ｃｕ厚膜をワイヤボンディングパッド用導体に使用した
回路基板を樹脂層の塗布なしに、１５０℃の空気中で１
０時間放置した場合、導体表面の酸化が著しく、その導
体上にワイヤボンディングしたものは、前述の引っ張り
強度試験を行うと、低強度ではがれるものが多発するこ
とがわかった。
【００４７】しかし、樹脂（具体的には、前述の大阪ア
サヒ化学（株）のストリップマスク）をワイヤボンディ
ングパッド用導体に塗布して、同様の試験を行った場合
は、導体表面の酸化が抑制され、高強度でも「はがれモ
ード」が発生することなく安定したワイヤボンディング
性を確保できることを確認できた。本発明者らは、さら
にコーティング樹脂層３１の膜厚（回路基板１の表面か
らの厚さ）について検討を行った。図１６に、コーティ
ング樹脂層３１の膜厚に対する引っ張り強度の実験結果
を示す。その試験方法は図１５に示すものと同じであ
り、その試験に用いたコーティング樹脂層３１もその時
のものと同じである。なお、図１６中の各膜厚に対し右
側は最適条件でボンディングを行った場合を示し、左側
は超音波ボンディングする場合のパワーを少し小さくし
た場合を示す。
【００４８】この評価結果から、最適条件でボンディン
グを行った場合には、コーティング樹脂層３１の膜厚が
０．１ｍｍから２．０ｍｍの範囲ではどの膜厚でも接合
性は良好であるが、パワーを少し小さくしてボンディン
グを行った場合には、０．３ｍｍ以上の膜厚では「はが
れ」が発生した。従って、０．３ｍｍ以上では接合性に
余裕がないことが分かる。
【００４９】さらに、最適条件でボンディングを行った
場合について、膜厚を０．０５ｍｍから０．３ｍｍの範
囲にして、耐湿性試験を行った結果を図１７に示す。こ
の耐湿性試験は、１２１℃、１．７気圧、湿度８５％の
環境下で９６時間放置するＰＣＴ試験である。図１７か
ら、コーティング樹脂層３１の膜厚を０．０５ｍｍと
０．３ｍｍにした場合に「はがれ」が発生した。これ
は、それらの膜厚のときにＣｕ系導体の表面に酸化膜が
厚く形成され、その酸化膜により接合性に余裕がなかっ
たためであると思われる。
【００５０】従って、上述した試験により、コーティン
グ樹脂層３１の膜厚は、０．０７ｍｍから０．２ｍｍの
範囲にあるのが望ましいことが分かる。以上説明した実
施形態では、半導体チップ４１、電子部品４２を半田に
よって固着する場合の混成集積回路装置について、コー
ティング樹脂層３１の作用効果を述べてきたが、半田に
代え接着剤を用いて半導体チップ４１、電子部品４２を
固着した場合でもコーティング樹脂層３１によってワイ
ヤボンディング用パッド１１、１３が接着剤硬化時に酸
化するのを防止することができる。 （第２実施形態）上記第１実施形態の実装方法では、電
子部品４１、４２の半田リフロー工程の前に、ワイヤボ
ンディングパッド用導体１１、１３をコーティング樹脂
層３１によって被覆することにより、この導体１１、１
３が半田リフロー時に汚染されるのを回避でき、また外
部接続用のワイヤボンディングパッド用導体１３には実
装工程後（導体１１のワイヤボンディング後）もコーテ
ィング樹脂層３１を形成したままにしておくことによ
り、パッケージ工程における接着剤、樹脂などの硬化時
に導体１３が酸化するのを防ぐようにしている。
【００５１】しかしながら、本発明者らがさらに検討を
進めたところ、コーティング樹脂層３１の下のワイヤボ
ンディングパッド用導体１３が酸化し、ワイヤボンディ
ングの接合性が低下するという問題があることが判明し
た。これは、パッケージ工程において、図１８に示すよ
うに、回路基板１を樹脂ケース５２に接着剤５１で接着
し、さらに樹脂で封止する際の加熱硬化時に、その加熱
作用によって導体１３の表面が酸化するものと考えられ
る。この点についてさらに検討を進めたところ、半田リ
フロー工程の際に流れ出す半田フラックスが問題である
ことが分かった。
【００５２】つまり、半田フラックスは回路基板１に対
して濡れ性が良好であるため、図１９（ａ）の平面図に
示すように、半田リフロー時に半田付部品（半導体チッ
プ４１、電子部品４２）の周囲に半田フラックス２２が
流れ出す。この半田フラックス２２はコーティング樹脂
層３１を溶かし、コーティング樹脂層３１と回路基板１
との界面に侵入し、コーティング樹脂層３１と回路基板
１との間の密着力を低下させる。そして、洗浄工程に
て、半田フラックス２２を除去したときに、コーティン
グ樹脂層３１が浮いた状態になる。この後、パッケージ
工程において上記した加熱を行うと、導体１３の表面が
酸化されることになる。
【００５３】そこで、この第２実施形態では、図１９
（ｂ）に示すように、半田フラックス２２がコーティン
グ樹脂層３１まで広がってこないように、半田付部品
（半導体チップ４１、電子部品４２）とコーティング樹
脂層３１との間にダムを形成する樹脂層３６を形成して
いる。従って、ダム用の樹脂層３６により半田フラック
ス２２がせき止められるため、半田フラックス２２によ
るコーティング樹脂層３１への影響をなくすことがで
き、導体１３の酸化が防止されて、導体１３上へのボン
ディングを接合性よく行うことができる。
【００５４】本実施形態では、このダム用の樹脂層３６
を、コーティング樹脂層３１と同じ材料でそれと同時に
形成するようにしている。すなわち、樹脂塗布工程にお
いて、図２０に示すように、導体１１と半導体チップを
搭載するためのダイパット用導体１２のそれぞれの間、
導体１１と電子部品接続用の端子パターン２０の間、お
よび端子パターン２０と外部接続用ワイヤボンディング
パッドとしての導体１３の間に、ダム用の樹脂層３６を
それぞれ形成している。このダム用の樹脂層３６を形成
する以外は、第１実施形態と同じ工程を実施している。
なお、上記したダム用の樹脂層３６は、除去せずにその
まま残していても、コーティング層３６の除去とともに
順次除去していってもよい。
【００５５】また、上記したように導体１３の酸化を防
止するという観点からすれば、端子パターン２０と導体
１３の間のみダム用の樹脂層３６を設けるようにするこ
ともできる。しかし、図１３に示すように、導体１１に
非常に細いワイヤ４３がボンディングされる場合は、導
体１１のちょっとした酸化でも、その接合性に問題が生
じる。従って、導体１１とダイパット用導体１２の間、
および導体１１と端子パターン２０の間にもダム用の樹
脂層３６を形成するのが好ましい。
【００５６】また、ダム用の樹脂層３６は、コーティン
グ樹脂層３１の形成と同時である必要はなく、コーティ
ング樹脂層３１の形成の前後いずれかであってもよい。
要は、半田リフロー工程の前にダム用の樹脂層３６が形
成されていればよい。また、ダム用の樹脂層３６は、コ
ーティング樹脂層３１と同じ材料である必要はなく、別
の材料であってもよい。但し、上記したように同じ材料
で同時に両者を形成した方が製造工程が簡単になる。 （第３実施形態）上記第２実施形態では、半田リフロー
時に流れ出す半田フラックスがコーティング樹脂層３１
に届かないようにして、導体１３の酸化を防止するもの
を示したが、半田付け後に回路基板１を洗浄する際に用
いる洗浄液（有機溶剤系の洗浄液）によってもコーティ
ング樹脂層３１がわずかに溶けて、その後のパッケージ
工程の加熱時に、コーティング樹脂層３１が硬くなって
変色し、導体１３に対する保護効果が低下し、導体１３
が酸化される可能性がある。
【００５７】そこで、本実施形態では、半田フラックス
および洗浄液からコーティング樹脂層３１を保護するよ
うにしている。具体的には、図２１に示すように、コー
ティング樹脂層３１を形成した後、コーティング樹脂層
３１の上にディスペンサを用いて保護用の樹脂層３７を
形成している。この保護用の樹脂層３７としては、半田
フラックスや洗浄液などの耐薬品性、耐溶剤性に優れた
樹脂を用いる。例えば、シリコーン系樹脂やエポキシ系
樹脂を用いることができる。この場合、樹脂層３７は回
路基板１に強固に固着されるため、コーティング樹脂層
３１を剥離する場合には、樹脂層３７と回路基板１の固
着部を残したまま、樹脂層３７およびコーティング樹脂
層３１を剥離する。
【００５８】この第３実施形態においては、コーティン
グ樹脂層３１の上に保護用の樹脂層３７を形成する以外
は、第１実施形態と同じ工程を実施している。従って、
この第３実施形態によれば、コーティング樹脂層３１の
上に保護用の樹脂層３７を設ける二重構造としているか
ら、半田フラックスおよび洗浄液の影響を受けることが
なく、導体１１、１３上に接合性よくボンディングを行
うことができる。
【００５９】なお、第２実施形態で示したように、半田
フラックスによるコーティング樹脂層３１への影響をな
くすように構成した場合には、樹脂層３７の材料とし
て、洗浄液のみを対象としてコーティング樹脂層３１を
保護する材料を選定することもできる。また、本実施形
態においても、導体１３の酸化を防止するという観点か
らすれば、導体１３上のコーティング樹脂層３１に対し
てのみ樹脂層３７を設けるようにすることもできる。し
かし、第２実施形態と同様、導体１１の酸化を極力なく
すためには、導体１１上のコーティング樹脂層３１にも
樹脂層３７を形成するのが好ましい。 （第４実施形態）上述した第１ないし第３実施形態で
は、樹脂塗布工程にてコーティング樹脂層３１を塗布
し、リフロー工程の加熱によりコーティング樹脂層３１
を加熱硬化するようにしているが、コーティング樹脂層
３１は１回の加熱より２回の加熱を行った方が回路基板
１との密着力が増すため、図２２に示すように、樹脂塗
布工程を行った後、コーティング樹脂層３１を加熱硬化
させ、その後、はんだ印刷工程を経てマウント工程を実
施するようにしてもよい。
【００６０】なお、加熱硬化工程では、半田リフロー工
程における加熱と同じ条件で加熱を行う。 （第５実施形態）次に、本発明の第５実施形態について
説明する。第５実施形態は、ワイヤボンディングパッド
用導体を清浄にする方法としてプラズマクリーニング法
を実装工程の中に組み入れたものであり、図２３はこの
プラズマクリーニング法を導入した場合の実装工程を示
すフローチャートである。
【００６１】第１実施形態における樹脂層塗布工程は、
ボンディングパッド用導体を汚染、酸化させないように
保護するものであるのに対し、第５実施形態のプラズマ
クリーニング工程は半田リフローや樹脂・接着剤硬化時
に付着する汚染物（Ｂｒ、Ｃｌ、Ｓｎ等）、酸化物を除
去することにより、ワイヤボンディングパッド用導体に
清浄な表面を確保して、安定なワイヤボンディング性を
確保するものである。
【００６２】具体的には、図２３に示すように、半田リ
フロー、洗浄工程後に、半導体チップ４１接続用のワイ
ヤボンディングパッド用導体１１に対してプラズマクリ
ーニング法を実施して、半田リフロー時に付着する汚染
物（Ｂｒ、Ｃｌ、Ｓｎ等）や、酸化物を除去してから、
導体１１へのワイヤボンディングを行う。次に、基板１
およびこの基板１を収納、固着するケース（図示せず）
等の接着、樹脂硬化を行うパッケージ工程を行い、その
後に、外部接続用のワイヤボンディングパッド用導体１
３に対するプラズマクリーニング法を実施して、半田リ
フロー時およびパッケージ工程の接着、硬化時に付着す
る汚染物、酸化物等を除去してから、導体１３へのワイ
ヤボンディングを行う。
【００６３】第５実施形態におけるプラズマクリーニン
グ法は、例えば、放電ガスとして１０％−Ｈ2 ／Ａｒを
用いて、導体１１、１３上に反応ガスプラズマを発生し
て導体１１、１３上の汚染物や酸化物を除去するもので
ある。また、図２４に示すように、プラズマクリーニン
グ工程の実施中は実装部品（半導体チップ４１等）をマ
スク１７０でカバーして、半導体チップ４１等への悪影
響を回避して、ボンディングパッド用の導体１１、１３
のみをクリーニングすることが望ましい。
【００６４】なぜならば、プラズマクリーニング工程を
実施する際には、実装部品（半導体チップ４１等）が基
板１に搭載されているので、プラズマクリーニングによ
る実装部品の特性変動が懸念される。そこで、マスク１
７０により実装部品をカバーして半導体チップ４１等の
実装部品への悪影響を回避することが望ましい。このマ
スク１７０の材料としては、Ａｌ，ステンレス等のプラ
ズマクリーニングをしても支障のない金属材料を選定す
る。また、このマスク１７０には基板１との接触部に、
柔らかい樹脂（シリコーン系樹脂等）からなる緩衝部材
１７２が配設されている。この緩衝部材１７２の配設に
より、基板１の反り等による隙間がマスク１７０と基板
１との間に発生することを防止できるとともに、マスク
１７０によって基板１を傷つけることを防ぐことができ
る。
【００６５】図２５、２６は、半田リフロー時に導体１
１、１３に付着する汚染物（Ｂｒ、Ｓｎ）の除去効果の
具体例を示すものであり、半田リフローをしたがプラズ
マクリーニングをしてないＣｕ導体上には、図２５の上
部に示すように、ＢｒやＳｎが表面分析により確認され
たが、第５実施形態によるプラズマクリーニングをした
後はこれらのＢｒやＳｎが完全に除去されることを確認
できた。
【００６６】従って、ワイヤボンディング性も図２６に
示すように、プラズマクリーニングをしたものは「はが
れモード」がなくなり、良好となることを確認できた。
この汚染物は従来のクリーニング時間（３０〜１８０ｓ
ｅｃ）では除去できず、１０〜１５ｍｉｎという長い時
間クリーニングすることにより汚染物の除去が可能とな
る。
【００６７】なお、この第５実施形態において、半導体
チップ４１等を基板１に接着剤を用いて固着した場合
は、当該接着剤の硬化の際にワイヤボンディング用導体
１１、１３の表面は酸化されるが、これらの酸化物もプ
ラズマスクリーニング法によって好適に除去できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の実装方法を示すフロー
チャートである。
【図２】第１実施形態に用いる、配線パターンを形成し
た回路基板を示す断面図である。
【図３】図２の回路基板に半田ペーストを印刷した状態
を示す断面図である。
【図４】図３の回路基板にコーティング樹脂層を塗布し
た状態を示す断面図である。
【図５】（ａ）は図４のコーティング樹脂層塗布工程に
用いる容器の断面図で、（ｂ）は同容器の底部の平面図
である。
【図６】図４の回路基板に電子部品をマウントした状態
を示す断面図である。
【図７】図６の回路基板に半田リフロー工程を実施した
後の状態を示す断面図である。
【図８】図７の回路基板から、半導体チップ接続用導体
上のコーティング樹脂層を剥離した後の状態を示す断面
図である。
【図９】図８のコーティング樹脂層の剥離方法を示す断
面図である。
【図１０】コーティング樹脂層の剥離方法の他の例を示
す断面図である。
【図１１】コーティング樹脂層の剥離方法の他の例を示
す断面図である。
【図１２】コーティング樹脂層の剥離方法の他の例を示
す断面図である。
【図１３】図８の回路基板において、半導体チップ接続
用導体にワイヤボンディングした後の状態を示す断面図
である。
【図１４】コーティング樹脂層の有無によるワイヤボン
ディング性の評価結果を示す図表である。
【図１５】ワイヤボンディング性評価のための引っ張り
強度試験の方法を示す説明図である。
【図１６】コーティング樹脂層の膜厚に対する引っ張り
強度の試験結果を示す図である。
【図１７】コーティング樹脂層の膜厚に対する引っ張り
強度のＰＣＴ試験後の結果を示す図である。
【図１８】パッケージ工程において、回路基板をケース
に接着剤で接着を行う状態を示す図である。
【図１９】（ａ）は半田フラックスがコーティング樹脂
層にまで広がる状態を示す図、（ｂ）は半田フラックス
がダム用の樹脂層により積止められる状態を示す図であ
る。
【図２０】本発明の第２実施形態において、ダム用の樹
脂層を、コーティング樹脂層と半田付部品の間に設けた
状態を示す図である。
【図２１】本発明の第３実施形態において、コーティン
グ樹脂層の上に保護用の樹脂層を形成した状態を示す図
である。
【図２２】本発明の第４実施形態の実装方法を示すフロ
ーチャートである。
【図２３】本発明の第５実施形態の実装方法を示すフロ
ーチャートである。
【図２４】第５実施形態のプラズマクリーニング法を実
施する際に用いるマスクを示す断面図である。
【図２５】プラズマクリーニング法の実施前後における
導体表面の分析結果を示す図表である。
【図２６】プラズマクリーニング法の実施有無によるワ
イヤボンディング性の評価結果を示す図表である。
【図２７】従来のワイヤボンディングを用いた実装構造
を示す断面図である。
【図２８】従来のワイヤボンディングを用いた実装方法
を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１…回路基板、１１、１２、１３、２０…Ｃｕ系導体、
２１…半田ペースト、２２…半田フラックス、３１…コ
ーティング樹脂層、３６…ダム用の樹脂層、３７…保護
用の樹脂層、４１…半導体チップ、４２…電子部品、５
２…ケース、１００…外部回路接続用リード。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 回路基板（１）上の配線パターンを構成
    するＣｕ系導体（１２、２０）に対して電子部品（４
    １、４２）を半田付け又は接着剤で固着するとともに、
    前記配線パターンを構成する他のＣｕ系導体（１１）に
    対して直接ワイヤボンデイングを行い、前記Ｃｕ系導体
    （１１）と電子部品（４１）とを接続する実装方法であ
    って、 前記電子部品（４１）とのワイヤボンデイングが行われ
    るＣｕ系導体（１１）を樹脂層（３１）にてコーティン
    グした後に、前記電子部品（４１、４２）を半田付け又
    は接着剤で固着し、 この後に、前記コーティング樹脂層（３１）を剥離し、 この後に、前記コーティング樹脂層（３１）を剥離した
    Ｃｕ系導体（１１）と前記電子部品（４１）とをワイヤ
    ボンデイングすることを特徴とする電子部品の実装方
    法。
  2. 【請求項２】 回路基板（１）上の配線パターンを構成
    するＣｕ系導体（１２、２０）に対して電子部品（４
    １、４２）を半田付け又は接着剤で固着するとともに、
    前記配線パターンを構成する他のＣｕ系導体（１１、１
    ３）に対して直接ワイヤボンデイングを行い、前記Ｃｕ
    系導体（１１、１３）と、電子部品（４１）および外部
    回路接続用リード（１００）とを接続する実装方法であ
    って、 前記電子部品（４１）および外部回路接続用リード（１
    ００）とのワイヤボンデイングが行われるＣｕ系導体
    （１１、１３）を樹脂層（３１）にてコーティングした
    後に、前記電子部品（４１、４２）を半田付け又は接着
    剤で固着し、 この後に、前記コーティング樹脂層（３１）のうち、前
    記電子部品（４１）とのワイヤボンデイングが行われる
    Ｃｕ系導体（１１）のコーティング樹脂層（３１）を剥
    離し、 この後に、この樹脂層（３１）を剥離したＣｕ系導体
    （１１）と前記電子部品（４１）とをワイヤボンデイン
    グし、 この後に、前記回路基板（１）をケース（５２）内に封
    止するパッケージ工程を行い、 この後に、前記コーティング樹脂層（３１）のうち、前
    記外部回路接続用リード（１００）とのワイヤボンデイ
    ングが行われるＣｕ系導体（１３）のコーティング樹脂
    層（３１）を剥離し、 この後に、この樹脂層（３１）を剥離したＣｕ系導体
    （１３）と前記外部回路接続用リード（１００）とをワ
    イヤボンデイングすることを特徴とする電子部品の実装
    方法。
  3. 【請求項３】 前記コーティング樹脂層（３１）の樹脂
    材料として、前記半田付け又は接着剤による固着時の加
    熱条件にて前記回路基板（１）に焼きつかない程度の耐
    熱性を有し、かつ前記半田付け又は接着剤による固着時
    の加熱条件にて硬化可能な樹脂を用いることを特徴とす
    る請求項１または２に記載の電子部品の実装方法。
  4. 【請求項４】 前記コーティング樹脂層（３１）を形成
    するためのペースト状の樹脂（３３）を、底部に樹脂塗
    布パターン（３２ａ）を形成した容器（３２）内に収納
    し、 この容器（３２）の樹脂塗布パターン（３２ａ）と、前
    記回路基板（１）のワイヤボンデイング用のＣｕ系導体
    （１１、１３）とを位置決めし、 この後に、前記容器（３２）の底部の樹脂塗布パターン
    （３２ａ）を通して、前記ペースト状の樹脂（３３）を
    吐出して、前記ワイヤボンデイング用のＣｕ系導体（１
    １、１３）に樹脂層（３１）をコーティングすることを
    特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電
    子部品の実装方法。
  5. 【請求項５】 バキュームが加えられるバキュームノズ
    ル（９１）にて前記コーティング樹脂層（３１）を吸引
    するとともに、このバキュームノズル（９１）の先端部
    を前記コーティング樹脂層（３１）に係止することよ
    り、前記コーティング樹脂層（３１）に前記回路基板
    （１）から離れる方向の外力を作用させて、前記コーテ
    ィング樹脂層（３１）の剥離を行うことを特徴とする請
    求項１ないし４のいずれか１つに記載の電子部品の実装
    方法。
  6. 【請求項６】 前記電子部品（４１、４２）の半田付け
    時に流れ出す半田フラックス（２２）が前記コーティン
    グ樹脂層（３１）に到達しないように前記半田フラック
    ス（２２）をせき止めるダム部材（３６）を、前記半田
    付けを行う前に、前記回路基板（１）上に形成すること
    を特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の
    電子部品の実装方法。
  7. 【請求項７】 前記ダム部材（３６）を、前記コーティ
    ング樹脂層（３１）と同じ材料で同時に形成することを
    特徴とする請求項６に記載の電子部品の実装方法。
  8. 【請求項８】 前記半田付け後に前記回路基板（１）を
    洗浄する際に用いる洗浄液から前記コーティング樹脂層
    （３１）を保護する保護層（３７）を、前記半田付けを
    行う前に、前記コーティング樹脂層（３１）の表面に形
    成することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１
    つに記載の電子部品の実装方法。
  9. 【請求項９】 回路基板（１）上の配線パターンを構成
    するＣｕ系導体（１２、２０）に対して電子部品（４
    １、４２）を半田付け又は接着剤にて固着するととも
    に、前記配線パターンを構成する他のＣｕ系導体（１
    １）に対して直接ワイヤボンデイングをして、前記Ｃｕ
    系導体（１１）と電子部品（４１）とを接続する実装方
    法であって、 前記電子部品（４１、４２）の半田付け又は接着剤にて
    固着を行った後に、前記電子部品（４１）とのワイヤボ
    ンデイングが行われるＣｕ系導体（１１）に対してプラ
    ズマクリーニング工程を実施して、このＣｕ系導体（１
    １）の表面を清浄化し、 この後に、このプラズマクリーニングをしたＣｕ系導体
    （１１）と前記電子部品（４１）とをワイヤボンデイン
    グすることを特徴とする電子部品の実装方法。
  10. 【請求項１０】 回路基板（１）上の配線パターンを構
    成するＣｕ系導体（１２、２０）に対して電子部品（４
    １、４２）を半田付け又は接着剤にて固着するととも
    に、前記配線パターンを構成する他のＣｕ系導体（１
    １、１３）に対して直接ワイヤボンデイングをして、前
    記Ｃｕ系導体（１１、１３）と、電子部品（４１）およ
    び外部回路接続用リード（１００）とを接続する実装方
    法であって、 前記電子部品（４１、４２）の半田付け又は接着剤にて
    固着を行った後に、前記Ｃｕ系導体（１１、１２、１
    ３、２０）のうち、前記電子部品（４１）とのワイヤボ
    ンデイングが行われるＣｕ系導体（１１）に対してプラ
    ズマクリーニング工程を実施して、このＣｕ系導体（１
    １）の表面を清浄化し、 この後に、このプラズマクリーニングをしたＣｕ系導体
    （１１）と前記電子部品（４１）とをワイヤボンデイン
    グし、 この後に、前記回路基板（１）をケース内に封止するパ
    ッケージ工程を行い、 この後に、前記Ｃｕ系導体（１１、１２、１３、２０）
    のうち、前記外部回路接続用リード（１００）とのワイ
    ヤボンデイングが行われるＣｕ系導体（１３）に対して
    プラズマクリーニング工程を実施して、このＣｕ系導体
    （１３）の表面を清浄化し、 この後に、このプラズマクリーニングをしたＣｕ系導体
    （１３）と前記外部回路接続用リード（１００）とをワ
    イヤボンデイングすることを特徴とする電子部品の実装
    方法。
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