JPH09291366A - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Info

Publication number
JPH09291366A
JPH09291366A JP8130767A JP13076796A JPH09291366A JP H09291366 A JPH09291366 A JP H09291366A JP 8130767 A JP8130767 A JP 8130767A JP 13076796 A JP13076796 A JP 13076796A JP H09291366 A JPH09291366 A JP H09291366A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
gas ejection
plasma processing
reactive gas
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8130767A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3360265B2 (ja
Inventor
Masayuki Tomoyasu
昌幸 友安
Shinji Himori
慎司 桧森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP13076796A priority Critical patent/JP3360265B2/ja
Priority to TW086105280A priority patent/TW349242B/zh
Priority to US08/842,426 priority patent/US5888907A/en
Priority to KR1019970016362A priority patent/KR100385532B1/ko
Publication of JPH09291366A publication Critical patent/JPH09291366A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3360265B2 publication Critical patent/JP3360265B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 被処理体の面内にエリアを分けて時分割的に
反応性ガスを供給することにより、高い真空引き効率を
維持してプラズマ処理の面内均一性を確保する。 【解決手段】 処理容器４内の処理空間にシャワーヘッ
ド部３０のガス噴出面３４よりプラズマ発生用の不活性
ガスと反応性ガスを供給して被処理体Ｗに対してプラズ
マ処理を施すプラズマ処理装置において、シャワーヘッ
ド部のガス噴出面には、反応性ガスを噴出するために複
数の群に分けられた反応性ガス噴出孔３６Ａ〜３６Ｄ
と、不活性ガスを供給するためにガス噴出面の略全面に
亘って配置された不活性ガス噴出孔３８とが形成されて
おり、反応性ガス噴出孔の各群にはガスの供給停止が独
立的に制御可能な反応性ガス供給系４８Ａ〜４８Ｄが接
続されており、群毎の反応性ガス供給系には時分割で各
群を走査するように供給・停止を制御するガス供給制御
部６０が接続されるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波放電により
発生せしめたプラズマによる処理方法及びプラズマ処理
装置に関し、主として半導体基板或いはＬＣＤ基板をプ
ラズマによりエッチングまたはデポジション処理するた
めのプラズマ処理方法及びその装置に係わり、特に大口
径の半導体基板或いは大面積のＬＣＤ基板を均一性良
く、高速な処理を行なうものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば半導体素子の製造プロ
セスにおいて、処理容器内にプラズマを発生させて、こ
のプラズマ雰囲気中で、被処理体、例えば半導体ウエハ
に対してエッチング処理を初めとした各種のプラズマ処
理が行なわれているが、近年は被処理体の面積当たりの
加工コストを低減するために、例えば６インチウエハか
ら８インチ或いは１２インチウエハへ移行するなど被処
理体の大口径化、大面積化が進んでいる。
【０００３】かかる要求に応えるため、大型の被処理体
に合わせた処理容器が計画されている。プラズマの発生
方式としては、平行平板方式、誘導結合方式などが用い
られる可能性がある。ＥＣＲ方式、ヘリコン方式は被処
理体に併せてプラズマ源を大きくすると複数のモードが
発生しやすくなり、均一なプラズマを得にくくなる。ま
た、磁石も非常に大きくなるという問題点がある。プラ
ズマ源を大きくすることなく拡散でプラズマを広げよう
とすると、磁場勾配により周辺部分で電子が加速されプ
ラズマの特性が中央と周辺で異なるという現象が発生し
てしまう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、被処理体を
大型化した場合にも、例えば現状の２００ｍｍ（８イン
チ）径ウエハでの処理速度、選択比、加工形状などの特
性と、同じ特性を得ようとすると、プロセスガスの流量
はおよそ被処理体の面積の比率で多くしなければならな
い。プラズマ空間の高さ、例えば平行平板方式では上下
電極間の間隔を従来と同じとすると、被処理体の面積が
大きくなるのに伴い、プラズマ空間の縦横のアスペクト
比は高くなり、ガス排気のコンダクタンスは小さくな
る。従って、目標とする大流量のプロセスガスを流しつ
つプラズマ処理に適する高真空を得るのは、現状の真空
引きポンプ等の能力に鑑みてかなり難しくなる。例えば
８インチウエハから１２インチウエハへ移行するには面
積が２．２４倍になるのでプロセスガス量も２．２４倍
必要となり、真空引きが困難になってしまう。そのう
え、被処理体の中央と周辺で反応性ガスの排気性に差が
あるため、処理速度などのプロセス性能が中央と周辺と
の間で均一でなくなる。
【０００５】ここで、真空引きを容易に行なえるように
電極間隔を広げて排気コンダクタンスを上げることも考
えられるが、この場合にはプラズマ密度の低下を防止し
てガスの解離の状態などを従来と同じにするにはプラズ
マ空間でのガスの滞留時間（レジデンスタイム）を同じ
にする必要があり、このためには更にガス流量を増加さ
せる必要があるために一層真空引きが困難になってしま
う。本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有
効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的
は、被処理体の面内にエリアを分けて時分割的に反応性
ガスを供給することにより高い真空引き効率を維持して
プラズマ処理の面内均一性を確保することができるプラ
ズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供することにあ
る。
【０００６】
【問題を解決するための手段】本発明者は、プラズマ処
理装置における反応性ガスの供給方法について鋭意研究
した結果、プラズマ発生用の不活性ガスについては被処
理体の全面に向けて常時供給して高いプラズマ密度の維
持を図り、反応性ガスについては被処理体の部分的エリ
アに時分割的に供給することにより単位時間における全
体のガス供給量を少なくしても、プラズマ処理の高い面
内均一性を維持することができる、という知見を得るこ
とにより本発明に至ったものである。
【０００７】上記問題点を解決するために、処理容器内
の処理空間にシャワーヘッド部のガス噴出面よりプラズ
マ発生用の不活性ガスと反応性ガスを供給して被処理体
に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置におい
て、前記シャワーヘッド部のガス噴出面には、反応性ガ
スを噴出するために複数の群に分けられた反応性ガス噴
出孔と、不活性ガスを供給するために前記ガス噴出面の
略全面に亘って配置された不活性ガス噴出孔とが形成さ
れており、前記反応性ガス噴出孔の各群にはガスの供給
停止が独立的に制御可能な反応性ガス供給系が接続され
ており、前記群毎の反応性ガス供給系には時分割で前記
各群を走査するように供給・停止を制御するガス供給制
御部が接続されるように構成したものである。
【０００８】これによれば、処理中においてシャワーヘ
ッド部の全ての不活性ガス噴出孔からは常時不活性ガス
が連続的に供給されてプラズマが高い密度で且つ処理空
間に均一に分布するようになされる。これに対して、ガ
ス供給制御部が反応性ガス供給系を制御することにより
反応性ガスは群毎の反応性ガス噴出孔より時分割的に供
給されることになる。従って、被処理体の面積が大きく
なっても単位時間における全体のガス供給量はそれ程増
加させずに済み、プラズマ処理に適する高真空度を維持
しつつ、しかもプラズマ処理の面内均一性を確保するこ
とが可能となる。上記反応性ガス噴出孔は、例えば群毎
に同心円状に配列したり、或いは群毎に直線状に配列し
てガスの供給・停止を時分割的に制御してガス噴出面の
全面に亘って走査させる。また、高周波電源と整合器と
を５０オーム未満の配線で接続することにより、ウエハ
サイズの大口径化にともなうインピーダンスの低下に対
しても、これに対応してインピーダンス整合を図ること
ができ、電力損失の抑制が可能となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るプラズマ処
理方法及びプラズマ処理装置の一実施例を添付図面に基
づいて詳述する。図１は本発明に係るプラズマ処理装置
を示す構成図、図２はシャワーヘッド部のガス噴出面を
示す平面図、図３はプラズマ処理装置のシャワーヘッド
部のヘッド溝を連なるように切断した時の状況を示す拡
大断面図である。
【００１０】本実施例では、プラズマ処理装置をプラズ
マエッチング装置に適用した場合を例にとって説明す
る。このプラズマエッチング装置２は、例えば内壁表面
がアルマイト処理されたアルミニウムなどからなる円筒
形状に加工された処理容器４を有しており、この処理容
器４は接地されている。
【００１１】この処理容器４内に形成される処理室の底
部にはセラミック等の絶縁板６を介して、被処理体、例
えば半導体ウエハＷを載置するための略円柱状のサセプ
タ８が設けられている。このサセプタ８は、例えばアル
マイト処理されたアルミニウム等により構成されてお
り、その直径は、８インチサイズのウエハＷを処理する
場合には例えば２５０ｍｍ程度に設定され、１２インチ
サイズのウエハＷを処理する場合には、例えば４１０ｍ
ｍ程度に設定されている。前記サセプタ８の内部には、
冷媒室１０が設けられており、この冷媒室１０には例え
ば液体フロロカーボンなどの温度調整用の冷媒が冷媒導
入管１２を介して導入可能であり、導入された冷媒はこ
の冷媒室１０内を循環し、この冷媒の冷熱は冷媒室１０
から前記サセプタ８を介して前記ウエハＷに対して伝熱
され、このウエハＷの処理面を所望する温度まで冷却す
ることが可能である。熱交換を行なった冷媒は冷媒排出
管１４より処理室外へと排出されるようになっている。
【００１２】そして前記絶縁板６、サセプタ８の内部に
は、後述の静電チャック１６を通して被処理体であるウ
エハＷの裏面に、伝熱媒体、例えばＨｅガスなどを供給
するためのガス通路１８が形成されており、このウエハ
Ｗは所定の温度に維持されるようになっている。前記サ
セプタ８は、その上面中央部が凸状の円盤状に成形さ
れ、その上にウエハＷと略同径の静電チャック１６が設
けられている。この静電チャック１６は、２枚の高分子
ポリイミドフィルムによって導電層（図示せず）が挟持
された構成を有しており、この導電層に対して、処理容
器４の外部に配置されている直流高圧電源２０から、例
えば１．５ｋＶの直流電圧を印加することによって、こ
の静電チャック１６の上面に載置されたウエハＷは、ク
ーロン力によってその位置で吸着保持されるようになっ
ている。ここで、高分子ポリイミドフィルムの代わりに
２層のアルミナセラミックにより導電層を挟持した構造
を用いると静電チャック１６の耐圧不良などによる寿命
を延ばすことができる。
【００１３】前記サセプタ８は、その上端周辺部には、
静電チャック１６上に載置されたウエハＷを囲むよう
に、環状のフォーカスリング２２が配置されている。こ
のフォーカスリング２２は電界を遮断する絶縁体の材質
からなりフォーカスリング２２上では反応性イオンを加
速しないので、プラズマによって発生した反応性イオン
を、その内側のウエハＷにだけ効果的に入射せしめるよ
うに構成されている。
【００１４】また、このサセプタ８には下方向に絶縁状
態を維持して貫通する給電棒２４が接続され、この給電
棒２４には、例えばデカップリングコンデンサを含んだ
整合器２６を介して例えば１３．５６ＭＨｚの高周波を
出力する高周波電源２８が配線２９により接続されてお
り、イオンをウエハ側へ引き込むための自己バイアスを
サセプタ８に印加するようになっている。ここで、ウエ
ハＷが８インチサイズの場合には、高周波に対するサセ
プタ８におけるインピーダンスは数オーム程度であり、
これに対応させて高周波電源２８と整合器２６との間の
特性インピーダンスは５０オーム程度に設定されるが、
ウエハサイズが１２インチサイズの場合にはサセプタ８
の面積が数倍に大きくなることからこのインピーダンス
はその分だけ大幅に減少する。ここで、８インチサイズ
のウエハと同様に特性インピーダンスを５０オームに設
定すると整合器２６中のリアクトルの抵抗成分による電
力損失等が大きくなるので、ここでは高周波電源２８と
整合器２６との特性インピーダンスを５０オームよりも
低い値、例えば２０〜３０オーム程度に設定して、リア
クトルにおける電力損失を抑制している。
【００１５】前記サセプタ８の上方には、このサセプタ
８と平行に対向してこれより２０〜４０ｍｍ程度離間さ
せた処理容器４の上部位置に本発明の特徴とする円盤状
のシャワーヘッド部３０が絶縁材３２を介して天井部に
支持固定されている。このシャワーヘッド部３０は、上
部電極と兼用されることになる。このシャワーヘッド部
３０は、前記サセプタ８との対向面であるガス噴出面３
４に多数の反応性ガス噴出孔３６や不活性ガス噴出孔３
８を有する、例えばＳｉＣまたはアモルファスカーボン
からなる電極板４０と、この電極板４０を支持する導電
性材質、例えば表面がアルマイト処理されたアルミニウ
ムからなるヘッド本体４２とによって構成されている。
【００１６】図２に示すように本実施例では不活性ガス
噴出孔３８と反応性ガス噴出孔３６はそれぞれ同心円状
に形成されており、円盤状のシャワーヘッド部３０の半
径方向へ不活性ガス噴出孔３８と反応性ガス噴出孔３６
とを交互に配置している。尚、図２においては不活性ガ
ス噴出孔３８を黒丸で示し、反応性ガス噴出孔３６を白
丸で示している。特に、本実施例では反応性ガス噴出孔
３６は、同心円状に複数の群、図示例では同心円状に４
つの群に分けられており、この同心円相互間に上記不活
性ガス噴出孔３８を同心円状に配列している。ここでは
便宜上、反応性ガス噴出孔３６の群をその内側より、１
群３６Ａ、２群３６Ｂ、３群３６Ｃ及び４群３６Ｄとす
る。
【００１７】各群の反応性ガス噴出孔３６Ａ〜３６Ｄ
は、ヘッド本体４２内に同心円状に独立区画して形成さ
れたそれぞれの中空の反応性ガスヘッド溝４４Ａ〜４４
Ｄ（図３参照）に通路４６を介してそれぞれ連通されて
いる。各ヘッド溝４４Ａ〜４４Ｄには、個別に反応性ガ
ス供給系４８Ａ〜４８Ｄが連通されており、このガス供
給系には、それぞれ高速バルブよりなる時分割開閉弁５
０Ａ〜５０Ｄ及びマスフローコントローラ５２Ａ〜５２
Ｄが介在されている。そして、このガス供給系４８Ａ〜
４８Ｄは、一つに連結された後、通常開閉弁５４を介設
した管路５６を介して反応性ガス、例えばＣ4Ｆ8ガスを
貯留する処理ガス源５８に接続されている。上記マスフ
ローコントローラ５２Ａ〜５２Ｄ及び時分割制御弁５０
Ａ〜５０Ｄは、後述するように例えばマイクロコンピュ
ータ等よりなるガス供給制御部６０により制御され、特
に時分割開閉弁５０Ａ〜５０Ｄはその開閉、すなわち供
給・停止が時分割的に個別独立して制御される。
【００１８】また、同心円状に配列された各不活性ガス
噴出孔３８は、同じくヘッド本体４２内に同心円状に４
つに形成された不活性ガスヘッド溝６２に通路６４を介
してそれぞれ連通されている。上記４つの不活性ガスヘ
ッド溝６２は、一つの不活性ガス供給系６６へ共通に接
続されており、このガス供給系６６は途中に開閉弁６８
及びマスフローコントローラ７０を介して二つに分岐さ
れ、一方の分岐管７２Ａには通常開閉弁７４を介してプ
ラズマ発生用の不活性ガス、例えばＡｒガスを貯留する
Ａｒガス源７６が接続されており、他方の分岐管７２Ｂ
には、通常開閉弁７８を介してパージ用の不活性ガス、
例えばＮ2ガスを貯留するＮ2ガス源８０が接続されてい
る。上記開閉弁６８及びマスフローコントローラ７０
も、ガス供給制御部６０により制御される。
【００１９】尚、ここでは、不活性ガスヘッド溝６２を
同心円状に４個形成したが、ガス噴出面の略全面に亘っ
て不活性ガスを噴出できればよいのであり、従って、こ
れらの溝を一つにまとめて図４に示すように一つの薄い
中空円盤状の不活性ガスヘッド溝６２として形成するよ
うにしてもよいし、或いは、この溝をヘッド部の中心か
ら放射状に設けるなどしてもよい。
【００２０】また、ヘッド本体４２の内部には、冷媒室
８２が設けられており、この冷媒室８２には例えば液体
フロロカーボンなどの温度調整用の冷媒が図示しない冷
媒導入管を介して導入可能であり、導入された冷媒はこ
の冷媒室８２内を循環し、この冷熱を冷媒室８２から前
記電極板４０に対して伝熱され、この電極板４０を所望
する温度まで冷却することが可能である。熱交換を行な
った冷媒は、図示しない冷媒排出管より処理室外へと排
出されるようになっている。電極板４０を調整する温度
はパーティクルの発生を考慮した、電極板４０の表面へ
のラジカルの堆積のない高温であり、またラジカルの流
れを前記ウエハＷに向けるために、ウエハＷの表面より
は高温に設定する。このような構造のヘッド部３０は、
これを複数に分割ブロック化することにより容易に形成
することができる。
【００２１】また、このヘッド本体４２には、給電棒８
４が接続され、この給電棒８４には、例えばデカップリ
ングコンデンサを含んだ整合器８６を介して例えば１
３．５６ＭＨｚの高周波を出力するプラズマ発生用の高
周波電源８８が配線９０により接続されている。この場
合にも、前記したサセプタ８に接続される高周波電源２
８の場合と同様に、８インチサイズウエハの場合には、
高周波電源８８と整合器８６との間の特性インピーダン
スは５０オーム程度に設定されるが、１２インチサイズ
の場合には、面積が大きくなることによって上部電極
（ヘッド部）負荷側のインピーダンスが減少することか
ら、これに対応させて上記特性インピーダンスも、例え
ば２０〜３０オーム程度に低く設定し、インピーダンス
の変換比率が変化しないようにする。このように、ウエ
ハサイズの大口径化にともなって高周波受け入れ側、例
えばサセプタ８側のインピーダンスが低下した時には、
これにともなって配線９０のインピーダンスを５０オー
ム未満、例えば２０〜３０オームにしてサセプタ側とイ
ンピーダンス整合を図り、これにより電力損失を抑制す
ることが可能となる。
【００２２】前記処理容器４の側壁には排気管９２が接
続されており、この排気管９２は図示しないターボ分子
ポンプなどの真空引き手段に通じており、所定の減圧雰
囲気まで真空引きできるように構成されている。また、
処理容器４の側壁には気密に開閉可能になされたゲート
バルブ９４を介してロードロック室９６が設けられてお
り、このロードロック室９６内に設けられた図示しない
搬送アームなどの搬送手段によって、被処理体であるウ
エハＷは、前記処理容器４とこのロードロック室９６と
の間で搬送されるように構成されている。
【００２３】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。ここでは、このプラズマエッチ
ング処理装置２を用いて、シリコン基板を有するウエハ
上のシリコン酸化膜のエッチングを実施する場合につい
て説明すると、まず被処理体であるウエハＷは、ゲート
バルブ９４が開放された後、搬送手段によってロードロ
ック室９６から処理容器４内へと搬入され、静電チャッ
ク１６上に載置される。そして、直流高圧電源２０の印
加によって前記ウエハＷは、この静電チャック１６上に
吸着保持される。その後、搬送手段がロードロック室内
へ後退した後、処理容器４内は排気手段によって真空引
きされていく。他方、通常開閉弁５４が開放されると共
に時分割開閉弁５０Ａ〜５０Ｄが時分割的に開閉され
て、マスフローコントローラ５２Ａ〜５２Ｄによってそ
の流量が調整されつつ、処理ガス源５８からＣ4Ｆ8ガス
が供給される。また、開閉弁６８、７４が開放されて、
マスフローコントローラ７０によってその流量が調整さ
れつつＡｒガス源７６からＡｒガスが供給される。
【００２４】プラズマ発生用のＡｒガスは、不活性ガス
供給系６６を介してシャワーヘッド部３０に至り、更
に、同心円状の各不活性ガスヘッド溝６２に流れ込み、
そして、通路６４を通ってガス噴出面３４の全面に亘っ
て設けた不活性ガス噴出孔３８より、ヘッド部３０とサ
セプタ８との間に形成される処理空間内に連続的に導入
される。他方、エッチング用の反応性ガスであるＣ4Ｆ8
ガスはそれぞれの反応性ガス供給系４８Ａ〜４８Ｄを介
して対応する反応性ガスヘッド溝４４Ａ〜４４Ｄに流れ
込み、そして、通路４６を通って群毎の反応性ガス噴出
孔３６Ａ〜３６Ｄより処理空間内に時分割的に導入され
る。そして、処理空間内の圧力を、例えば１Ｐａ程度の
所定の圧力に維持しつつ、プラズマ発生用の高周波電力
を高周波電源８８よりシャワーヘッド部３０に印加し、
他方、自己バイアス用の高周波電力を高周波電源２８か
らサセプタに印加する。これにより処理空間にはプラズ
マが立ち、反応性ガスが活性化されてウエハ表面の例え
ばＳｉＯ2にプラズマエッチング処理が施されることに
なる。サセプタ８やシャワーヘッド部３０はそれぞれを
流れる冷媒により所定の温度に冷却されている。
【００２５】ここで、プラズマ発生用のＡｒガスは処理
中において常時、全ての不活性ガス噴出孔３８から処理
室間に導入されて、処理空間全域に亘ってプラズマが安
定的に立つようになされているのに対して、反応性ガス
は群毎に設けた時分割開閉弁４８Ａ〜４８Ｄがガス供給
制御部６０からの制御により電気信号或いは空気圧によ
り時分割的に開閉駆動し、処理空間に供給される。従っ
て、単位時間に供給される全体のガス量が少なくて済む
ので処理空間における単位面積当たりのガスの滞留時間
（レジデンスタイム）を、例えば１２インチサイズのウ
エハを処理する場合にも、８インチサイズのウエハを処
理する場合と略同じ時間にすることができる。結果的
に、プラズマ処理の面内均一性を高く維持することがで
きるのみならず、処理速度も低下することはない。
【００２６】ここで反応性ガスの供給パターンについて
具体的に説明する。図５は反応性ガスの供給の第１のパ
ターンを示す図であり、図５（Ａ）は第１のパターンの
Ａｒガスの開閉弁と時分割開閉弁のタイミングチャート
を示し、図５（Ｂ）はその時の反応性ガスの噴出順序を
示している。図５（Ａ）に示すようにＡｒガスの開閉弁
６８は、処理が開始した時は、連続的に開状態となって
ガス噴出面全面よりＡｒガスを連続的に供給している。
これに対して、時分割開閉弁５０Ａ〜５０Ｄは３秒のピ
ッチで所定の時間Ｔ、例えば１秒だけ開くように時分割
で開閉操作が繰り返されている。従って、反応性ガス
は、図５（Ｂ）に示すように１群の反応性ガス噴出孔３
６Ａ→２群の反応性ガス噴出孔３６Ｂ→３群の反応性ガ
ス噴出孔３６Ｃ→４群の反応性ガス噴出孔３６Ｄの順と
なるように半径方向外方に向かって繰り返し走査され、
時分割で供給されることになる。尚、図５（Ｂ）中の数
字は反応性ガスの供給順序を示し、不活性ガスは常に全
面より供給されるので、ここでは記載していない。以降
に説明する図においても同様である。また、各群毎に時
分割開閉弁が開かれるている間隔や流量は、エッチング
速度、選択比、形状、処理の均一性等について最適化す
るように設定されている。
【００２７】図６に示す第２の供給パターンは、図５に
説明した場合と逆の操作を示しており、半径方向外側よ
り内側に向けて供給を順次移動するように制御してい
る。図７に示す第３の供給パターンは、同心円状の群を
一つ置きに飛び越えるようにランダムに供給しており、
例えば１群の反応性ガス噴出孔３６Ａ→３群の反応性ガ
ス噴出孔３６Ｃ→２群の反応性ガス噴出孔３６Ｂ→４群
の反応性ガス噴出孔３６Ｄというような順序で繰り返し
走査し、供給している。図８に示す第４の供給パターン
は、ヘッド部３０の中心方向外方に向かう順序と中心方
向内方に向かう順序を同時に走査するように実行してい
る。具体的には、１群と４群の反応性ガス噴出孔３６
Ａ、３６Ｄ→２群と３群の反応性ガス噴出孔３６Ｂ、３
６Ｃ→３群と２群の反応性ガス噴出孔３６Ｃ、３６Ｂ→
４群と１群の反応性ガス噴出孔３６Ｄ、３６Ａの順序で
繰り返し走査し、供給している。この場合には、常時２
つの群の反応性ガス噴出孔からガスが供給されることに
なる。尚、上記実施例では反応性ガス噴出孔は４つの群
に分ける場合を例にとって説明したが、これは単に一例
を示したに過ぎず、４つ以外の数の群に分割して時分割
で供給・停止を制御するようにしてもよい。
【００２８】また、上記実施例では各ガス噴出孔を同心
円状に配列した場合を例にとって説明したが、これに限
定されず、反応性ガスを時分割的に供給できる構造なら
ばどのような配列でもよく、例えば直線状に配列するよ
うにしてもよい。図９はガス噴出孔を直線状に配列した
場合のシャワーヘッド部のガス噴出面の平面図を示して
おり、ここでも不活性ガス噴出孔３８を黒丸で示し、反
応性ガス噴出孔３６を白丸で示している。各ガス噴出孔
３６、３８は、図中上下方向に直線状に配列されてお
り、横方向へは反応性ガス噴出孔３６と不活性ガス噴出
孔３８とが交互に位置するように配列されている。ここ
で、各反応性ガス噴出孔３６は、図中上下方向に沿って
配列される群毎に３６Ａ〜３６Ｈの８つの群に分けられ
ており、それぞれ独立して制御可能な時分割開閉弁５０
Ａ〜５０Ｈ及びマスフローコントローラ５２Ａ〜５２Ｈ
を介設した反応性ガス供給系４８Ａ〜４８Ｈに連通され
ている。従って、時分割開閉弁５０Ａ〜５０Ｈを任意の
順序で時分割開閉制御することにより、反応性ガスの供
給を群毎に時分割で行なうことができる。尚、この場合
にもプラズマ発生用の不活性ガスはガス噴出面の全面か
ら常時均一に放出されるのは勿論である。
【００２９】図１０は図９に示すシャワーヘッド部を用
いて行なわれる供給パターンの一例を示している。図１
０（Ａ）に示す場合は、ガスが噴出している反応性ガス
噴出孔３６の配列による直線９８が、ヘッド部の中心方
向に向けて水平方向へ平行移動していくように走査する
場合を示しており、図１０（Ｂ）は上記直線９８は、ヘ
ッド部の中心側から左右の両方向に向けて水平方向へ平
行移動していくように走査する場合を示している。更
に、上記したような供給パターンに限定されず、例えば
図１１に示すように直線９８が、ヘッド部３０の中心を
通るように設定して、これを回転移動させるように走査
してもよいし、図１２に示すようにガス噴出面３４を多
数の噴出口を含む複数の群、例えば４つの群に分けても
よいし、図１３に示すように、ガス噴出面３４を多数の
マス目状に区分し、この多数のマス目を千鳥状に複数の
群に分けるようにしてもよい。そして、各群毎に反応性
ガスの供給・停止を制御するようにしてもよい。尚、図
１２及び図１３において符号１〜４は、反応性ガスを噴
出させる順序を示している。図１１、図１２、図１３に
おいては、ある時刻においてガスの噴出する噴出孔の数
は等しくする。
【００３０】尚、上記実施例では、エッチングガスとし
てＣ4Ｆ8を用いたが、これに限らず、他のＣＦ系ガス、
例えばＣＨ4 ，ＣＨＦ3 ，ＣＨ2 Ｆ2 ，ＣＨ3 Ｆ，Ｃ2
Ｆ6 ，Ｃ2 Ｈ2 Ｆ2 ，Ｃ3 Ｆ8 ，Ｃ4 Ｆ8 を使用するこ
ともでき、また、プラズマ発生用のガスとしてＡｒガス
の他に、Ｈｅ，Ｘｅ，Ｋｒガスを使用することが可能で
ある。
【００３１】また、本実施例では、平行平板型のプラズ
マ処理装置を例にとって説明したが、この型式のものに
限定されず、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕ
ｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉ
ｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）方式、ＥＣＲ（Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃ
ｅ）方式等の装置にも適用し得る。また、本発明に基づ
いて構成されたプラズマ処理装置は、エッチング装置に
限定されず、ＣＶＤ装置、アッシング装置、スパッタ装
置などにも適用することが可能である。また、被処理体
は半導体ウエハに限らず、例えばＬＣＤ基板を処理対象
とする処理にも適用できる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
処理方法及びプラズマ処理装置によれば、次のように優
れた作用効果を発揮することができる。プラズマ処理中
において、プラズマ発生用の不活性ガスは常時供給して
プラズマの密度は偏在しないように均一化させ、これと
同時に反応性ガスガスは時分割で供給してガス噴出面全
面を所定のパターンで走査するようにしたので、単位時
間当たりにおける全体のガス供給量を少なくすることが
できる。従って、被処理体の面積が大きくなってもプラ
ズマ処理に十分な高真空度を維持しつつ、処理空間にお
ける単位面積当たりのガスの滞留時間（レジデンスタイ
ム）を十分に確保することができ、プラズマ処理の面内
均一性及び処理速度を高く維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置を示す構成図で
ある。
【図２】シャワーヘッド部のガス噴出面を示す平面図で
ある。
【図３】プラズマ処理装置のシャワーヘッド部のヘッド
溝を連なるように切断した時の状況を示す拡大断面図で
ある。
【図４】シャワーヘッド部の変形例を示す断面図であ
る。
【図５】反応性ガスの供給の第１の供給パターンを示す
図である。
【図６】反応性ガスの供給の第２の供給パターンを示す
図である。
【図７】反応性ガスの供給の第３の供給パターンを示す
図である。
【図８】反応性ガスの供給の第４の供給パターンを示す
図である。
【図９】シャワーヘッド部の他の変形例を示す平面図で
ある。
【図１０】図９に示すシャワーヘッド部による反応性ガ
スの供給パターンを示す図である。
【図１１】反応性ガスの他の供給パターンを示す図であ
る。
【図１２】反応性ガスの更に他の供給パターンを示す図
である。
【図１３】反応性ガスのまた更に他の供給パターンを示
す図である。
【符号の説明】
２ プラズマエッチング装置（プラズマ処理装置） ４ 処理容器 ８ サセプタ ３０ シャワーヘッド部 ３４ ガス噴出面 ３６、３６Ａ〜３６Ｈ 反応性ガス噴出孔 ３８ 不活性ガス噴出孔 ４０ 電極板 ４２ ヘッド本体 ４４Ａ〜４４Ｄ 反応性ガスヘッド溝 ４８Ａ〜４８Ｈ 反応性ガス供給系 ５０Ａ〜５０Ｈ 時分割開閉弁 ５８ 処理ガス源 ６０ ガス供給制御部 ６２ 不活性ガスヘッド溝 ６６ 不活性ガス供給系 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｓ // Ｈ０１Ｌ 21/203 21/302 Ａ

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理容器内の処理空間にシャワーヘッド
    部のガス噴出面よりプラズマ発生用の不活性ガスと反応
    性ガスを供給して被処理体に対してプラズマ処理を施す
    プラズマ処理装置において、前記シャワーヘッド部のガ
    ス噴出面には、反応性ガスを噴出するために複数の群に
    分けられた反応性ガス噴出孔と、不活性ガスを供給する
    ために前記ガス噴出面の略全面に亘って配置された不活
    性ガス噴出孔とが形成されており、前記反応性ガス噴出
    孔の各群にはガスの供給停止が独立的に制御可能な反応
    性ガス供給系が接続されており、前記群毎の反応性ガス
    供給系には時分割で前記各群を走査するように供給・停
    止を制御するガス供給制御部が接続されていることを特
    徴とするプラズマ処理装置。
  2. 【請求項２】 前記反応性ガスの噴出孔は、前記ガス噴
    出面に群毎に同心円状に配列されていることを特徴とす
    る請求項１記載のプラズマ処理装置。
  3. 【請求項３】 前記反応性ガス噴出孔は、前記ガス噴出
    面に群毎に直線状に配列されていることを特徴とする請
    求項１記載のプラズマ処理装置。
  4. 【請求項４】 前記不活性ガス噴出孔は、前記同心円状
    の反応性ガス噴出孔の群間に同心円状に配列されている
    ことを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置。
  5. 【請求項５】 処理容器内の処理空間にシャワーヘッド
    部のガス噴出面よりプラズマ発生用の不活性ガスと反応
    性ガスを供給して被処理体に対してプラズマ処理を施す
    プラズマ処理方法において、前記不活性ガスは前記シャ
    ワーヘッド部のガス噴出面の略全面から連続的に供給
    し、前記反応性ガスは前記ガス噴出面から時分割的に噴
    出位置を変化させながら前記ガス噴出面の全面を走査す
    るように供給したことをプラズマ処理方法。
  6. 【請求項６】 前記ガス噴出面の全面の走査は、同心円
    状にその内側から外側へ或いは外側より内側へ行なわれ
    ていることを特徴とする請求項５記載のプラズマ処理方
    法。
  7. 【請求項７】 前記ガス噴出面の全面の走査は、同心円
    状にランダムに行なわれることを特徴とする請求項５記
    載のプラズマ処理方法。
  8. 【請求項８】 前記ガス噴出面の全面の走査は、ガスが
    噴出しているガス噴出孔の配列による直線が平行移動す
    るかのように行なわれることを特徴とする請求項５記載
    のプラズマ処理方法。
  9. 【請求項９】 前記ガス噴出面の全面の走査は、ガスが
    噴出しているガス噴出孔の数がどの時刻においても同数
    であることを特徴とする請求項５記載のプラズマ処理方
    法。
  10. 【請求項１０】 整合器を介して高周波電源を印加し
    て、被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理
    装置において、前記高周波電源と前記整合器を特性イン
    ピーダンスが５０オーム未満の配線で接続することを特
    徴とするプラズマ処理装置。
JP13076796A 1996-04-26 1996-04-26 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 Expired - Lifetime JP3360265B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13076796A JP3360265B2 (ja) 1996-04-26 1996-04-26 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
TW086105280A TW349242B (en) 1996-04-26 1997-04-23 Plasma processing method and apparatus
US08/842,426 US5888907A (en) 1996-04-26 1997-04-24 Plasma processing method
KR1019970016362A KR100385532B1 (ko) 1996-04-26 1997-04-25 플라즈마 처리방법 및 그 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13076796A JP3360265B2 (ja) 1996-04-26 1996-04-26 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09291366A true JPH09291366A (ja) 1997-11-11
JP3360265B2 JP3360265B2 (ja) 2002-12-24

Family

ID=15042180

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13076796A Expired - Lifetime JP3360265B2 (ja) 1996-04-26 1996-04-26 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5888907A (ja)
JP (1) JP3360265B2 (ja)
KR (1) KR100385532B1 (ja)
TW (1) TW349242B (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000091320A (ja) * 1998-09-10 2000-03-31 Foi:Kk プラズマ処理装置
JP2002518839A (ja) * 1998-06-16 2002-06-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド デュアルチャネル・ガス分配プレート
KR20020087535A (ko) * 2001-05-14 2002-11-23 삼성전자 주식회사 화학증기증착 쳄버의 개스공급장치
JP2003249400A (ja) * 2001-11-27 2003-09-05 Alps Electric Co Ltd プラズマ処理装置
JP2004502318A (ja) * 2000-06-30 2004-01-22 ラム　リサーチ　コーポレーション 切換式均一性制御
US6818096B2 (en) * 2001-04-12 2004-11-16 Michael Barnes Plasma reactor electrode
JP2006502529A (ja) * 2001-12-19 2006-01-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体ワークピースを処理するためのプラズマリアクタ
KR20070004151A (ko) * 2005-07-01 2007-01-09 주성엔지니어링(주) 가스 분사 시스템 및 이를 포함하는 박막 제조 장치
WO2007029671A1 (ja) * 2005-09-06 2007-03-15 Tohoku University 成膜装置、成膜装置系、成膜方法、及び電子装置または有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2007529102A (ja) * 2003-06-30 2007-10-18 ラム　リサーチ　コーポレーション 動的な温度制御を有する基板支持体
JP2009095706A (ja) * 2007-10-15 2009-05-07 Ckd Corp 流体分流供給ユニット及び分流制御プログラム
JP2010016343A (ja) * 2008-06-30 2010-01-21 Advanced Display Process Engineering Co Ltd ガス供給装置及びこれを用いた基板処理装置｛Ａｐｐａｒａｔｕｓｆｏｒｓｕｐｐｌｙｉｎｇｇａｓａｎｄａｐｐａｒａｔｕｓｆｏｒｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇｓｕｂｓｔｒａｔｅｕｓｉｎｇｔｈｅｓａｍｅ｝
JP2011192727A (ja) * 2010-03-12 2011-09-29 Stanley Electric Co Ltd 気相成長装置
JP2012104751A (ja) * 2010-11-12 2012-05-31 Dainippon Printing Co Ltd 反射型マスクの製造方法
JP2013541177A (ja) * 2010-08-04 2013-11-07 ラム リサーチ コーポレーション 中性／イオンフラックスの制御のための二重プラズマ空間処理装置
US9793128B2 (en) 2010-08-04 2017-10-17 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust
KR20180061029A (ko) * 2016-11-28 2018-06-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 샤워 헤드

Families Citing this family (143)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1312150B1 (it) * 1999-03-25 2002-04-09 Lpe Spa Perfezionata camera di reazione per reattore epitassiale
US6123775A (en) * 1999-06-30 2000-09-26 Lam Research Corporation Reaction chamber component having improved temperature uniformity
US6415736B1 (en) * 1999-06-30 2002-07-09 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6245192B1 (en) * 1999-06-30 2001-06-12 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6451157B1 (en) 1999-09-23 2002-09-17 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6408786B1 (en) 1999-09-23 2002-06-25 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having tiled ceramic liner
US6227140B1 (en) 1999-09-23 2001-05-08 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having radiant heated ceramic liner
US6673198B1 (en) 1999-12-22 2004-01-06 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved process drift control
US6890861B1 (en) 2000-06-30 2005-05-10 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved particle performance
US6506254B1 (en) 2000-06-30 2003-01-14 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved particle performance
TW200733203A (en) * 2000-09-08 2007-09-01 Tokyo Electron Ltd Shower head structure and cleaning method thereof
US6613442B2 (en) * 2000-12-29 2003-09-02 Lam Research Corporation Boron nitride/yttria composite components of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
US6537429B2 (en) 2000-12-29 2003-03-25 Lam Research Corporation Diamond coatings on reactor wall and method of manufacturing thereof
US6533910B2 (en) 2000-12-29 2003-03-18 Lam Research Corporation Carbonitride coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
US6790242B2 (en) 2000-12-29 2004-09-14 Lam Research Corporation Fullerene coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
US7563328B2 (en) * 2001-01-19 2009-07-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for gas injection system with minimum particulate contamination
CN1328766C (zh) * 2001-01-22 2007-07-25 东京毅力科创株式会社 处理装置和处理方法
US8877000B2 (en) 2001-03-02 2014-11-04 Tokyo Electron Limited Shower head gas injection apparatus with secondary high pressure pulsed gas injection
US6838387B1 (en) * 2001-06-21 2005-01-04 John Zajac Fast etching system and process
US20050059250A1 (en) * 2001-06-21 2005-03-17 Savas Stephen Edward Fast etching system and process for organic materials
US20060191637A1 (en) * 2001-06-21 2006-08-31 John Zajac Etching Apparatus and Process with Thickness and Uniformity Control
US20030000924A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-02 Tokyo Electron Limited Apparatus and method of gas injection sequencing
JP3886424B2 (ja) * 2001-08-28 2007-02-28 鹿児島日本電気株式会社 基板処理装置及び方法
DE10209763A1 (de) * 2002-03-05 2003-10-02 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung und Verfahren zum anisotropen Plasmaätzen eines Substrates, insbesondere eines Siliziumkörpers
US6943350B2 (en) * 2002-08-27 2005-09-13 Kla-Tencor Technologies Corporation Methods and apparatus for electron beam inspection of samples
GB2396053B (en) * 2002-10-23 2006-03-29 Bosch Gmbh Robert Device and process for anisotropic plasma etching of a substrate,in particular a silicon body
US20040142558A1 (en) * 2002-12-05 2004-07-22 Granneman Ernst H. A. Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates
US6982125B2 (en) * 2002-12-23 2006-01-03 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. ALN material and electrostatic chuck incorporating same
US7537662B2 (en) 2003-04-29 2009-05-26 Asm International N.V. Method and apparatus for depositing thin films on a surface
US7601223B2 (en) * 2003-04-29 2009-10-13 Asm International N.V. Showerhead assembly and ALD methods
US6921437B1 (en) * 2003-05-30 2005-07-26 Aviza Technology, Inc. Gas distribution system
US20050011447A1 (en) * 2003-07-14 2005-01-20 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for delivering process gas to a process chamber
JP4550507B2 (ja) * 2004-07-26 2010-09-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US7552521B2 (en) * 2004-12-08 2009-06-30 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for improved baffle plate
US7601242B2 (en) * 2005-01-11 2009-10-13 Tokyo Electron Limited Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system
US8088223B2 (en) * 2005-03-10 2012-01-03 Asm America, Inc. System for control of gas injectors
US7674393B2 (en) * 2005-03-25 2010-03-09 Tokyo Electron Limited Etching method and apparatus
JP4701776B2 (ja) 2005-03-25 2011-06-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
US20060225654A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-12 Fink Steven T Disposable plasma reactor materials and methods
CN101171365B (zh) * 2005-05-09 2010-05-19 Asm吉尼泰克韩国株式会社 多入口原子层沉积反应器
US20070045239A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for processing a microfeature workpiece using a plasma
US7988872B2 (en) * 2005-10-11 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Method of operating a capacitively coupled plasma reactor with dual temperature control loops
US8157951B2 (en) * 2005-10-11 2012-04-17 Applied Materials, Inc. Capacitively coupled plasma reactor having very agile wafer temperature control
US8034180B2 (en) * 2005-10-11 2011-10-11 Applied Materials, Inc. Method of cooling a wafer support at a uniform temperature in a capacitively coupled plasma reactor
US8092638B2 (en) * 2005-10-11 2012-01-10 Applied Materials Inc. Capacitively coupled plasma reactor having a cooled/heated wafer support with uniform temperature distribution
US20070091540A1 (en) * 2005-10-20 2007-04-26 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece in a plasma reactor using multiple zone feed forward thermal control
US20070221129A1 (en) * 2006-03-21 2007-09-27 Atto Co., Ltd Apparatus for depositing atomic layer using gas separation type showerhead
JP5034594B2 (ja) * 2007-03-27 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
KR100963297B1 (ko) * 2007-09-04 2010-06-11 주식회사 유진테크 샤워헤드 및 이를 포함하는 기판처리장치, 샤워헤드를이용하여 플라스마를 공급하는 방법
US8211231B2 (en) * 2007-09-26 2012-07-03 Eastman Kodak Company Delivery device for deposition
US8398770B2 (en) * 2007-09-26 2013-03-19 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
US8067061B2 (en) * 2007-10-25 2011-11-29 Asm America, Inc. Reaction apparatus having multiple adjustable exhaust ports
JP5060324B2 (ja) * 2008-01-31 2012-10-31 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び処理容器
US20090236447A1 (en) * 2008-03-21 2009-09-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas injection in process chamber
WO2010065163A2 (en) * 2008-06-05 2010-06-10 Soraa, Inc. Highly polarized white light source by combining blue led on semipolar or nonpolar gan with yellow led on semipolar or nonpolar gan
US8847249B2 (en) * 2008-06-16 2014-09-30 Soraa, Inc. Solid-state optical device having enhanced indium content in active regions
US20100006873A1 (en) * 2008-06-25 2010-01-14 Soraa, Inc. HIGHLY POLARIZED WHITE LIGHT SOURCE BY COMBINING BLUE LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN WITH YELLOW LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN
US8143148B1 (en) 2008-07-14 2012-03-27 Soraa, Inc. Self-aligned multi-dielectric-layer lift off process for laser diode stripes
US8805134B1 (en) 2012-02-17 2014-08-12 Soraa Laser Diode, Inc. Methods and apparatus for photonic integration in non-polar and semi-polar oriented wave-guided optical devices
US8259769B1 (en) 2008-07-14 2012-09-04 Soraa, Inc. Integrated total internal reflectors for high-gain laser diodes with high quality cleaved facets on nonpolar/semipolar GaN substrates
WO2010017148A1 (en) 2008-08-04 2010-02-11 Soraa, Inc. White light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and phosphors
US8284810B1 (en) 2008-08-04 2012-10-09 Soraa, Inc. Solid state laser device using a selected crystal orientation in non-polar or semi-polar GaN containing materials and methods
CN102422390B (zh) * 2009-03-16 2015-05-13 奥塔装置公司 气相沉积反应器***及其方法
US8486191B2 (en) * 2009-04-07 2013-07-16 Asm America, Inc. Substrate reactor with adjustable injectors for mixing gases within reaction chamber
US8254425B1 (en) 2009-04-17 2012-08-28 Soraa, Inc. Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications
US8837545B2 (en) 2009-04-13 2014-09-16 Soraa Laser Diode, Inc. Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications
US8634442B1 (en) 2009-04-13 2014-01-21 Soraa Laser Diode, Inc. Optical device structure using GaN substrates for laser applications
US8294179B1 (en) 2009-04-17 2012-10-23 Soraa, Inc. Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications
US8242522B1 (en) 2009-05-12 2012-08-14 Soraa, Inc. Optical device structure using non-polar GaN substrates and growth structures for laser applications in 481 nm
DE112010001615T5 (de) 2009-04-13 2012-08-02 Soraa, Inc. Stuktur eines optischen Elements unter Verwendung von GaN-Substraten für Laseranwendungen
US8416825B1 (en) 2009-04-17 2013-04-09 Soraa, Inc. Optical device structure using GaN substrates and growth structure for laser applications
US8509275B1 (en) 2009-05-29 2013-08-13 Soraa, Inc. Gallium nitride based laser dazzling device and method
US9800017B1 (en) 2009-05-29 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Laser device and method for a vehicle
US8427590B2 (en) 2009-05-29 2013-04-23 Soraa, Inc. Laser based display method and system
US10108079B2 (en) 2009-05-29 2018-10-23 Soraa Laser Diode, Inc. Laser light source for a vehicle
US8247887B1 (en) 2009-05-29 2012-08-21 Soraa, Inc. Method and surface morphology of non-polar gallium nitride containing substrates
US9250044B1 (en) 2009-05-29 2016-02-02 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium and nitrogen containing laser diode dazzling devices and methods of use
US9829780B2 (en) 2009-05-29 2017-11-28 Soraa Laser Diode, Inc. Laser light source for a vehicle
US20110056429A1 (en) * 2009-08-21 2011-03-10 Soraa, Inc. Rapid Growth Method and Structures for Gallium and Nitrogen Containing Ultra-Thin Epitaxial Structures for Devices
US8314429B1 (en) 2009-09-14 2012-11-20 Soraa, Inc. Multi color active regions for white light emitting diode
US8750342B1 (en) 2011-09-09 2014-06-10 Soraa Laser Diode, Inc. Laser diodes with scribe structures
US8355418B2 (en) 2009-09-17 2013-01-15 Soraa, Inc. Growth structures and method for forming laser diodes on {20-21} or off cut gallium and nitrogen containing substrates
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
CN102630349B (zh) 2009-09-18 2017-06-13 天空公司 功率发光二极管及利用电流密度操作的方法
US9583678B2 (en) 2009-09-18 2017-02-28 Soraa, Inc. High-performance LED fabrication
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
WO2011044451A2 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Applied Materials, Inc. Multi-gas centrally cooled showerhead design
US20110182056A1 (en) * 2010-06-23 2011-07-28 Soraa, Inc. Quantum Dot Wavelength Conversion for Optical Devices Using Nonpolar or Semipolar Gallium Containing Materials
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US9927611B2 (en) 2010-03-29 2018-03-27 Soraa Laser Diode, Inc. Wearable laser based display method and system
US20110247556A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-13 Soraa, Inc. Tapered Horizontal Growth Chamber
US8451876B1 (en) 2010-05-17 2013-05-28 Soraa, Inc. Method and system for providing bidirectional light sources with broad spectrum
US8816319B1 (en) 2010-11-05 2014-08-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method of strain engineering and related optical device using a gallium and nitrogen containing active region
US8975615B2 (en) 2010-11-09 2015-03-10 Soraa Laser Diode, Inc. Method of fabricating optical devices using laser treatment of contact regions of gallium and nitrogen containing material
US9048170B2 (en) 2010-11-09 2015-06-02 Soraa Laser Diode, Inc. Method of fabricating optical devices using laser treatment
JP5689294B2 (ja) * 2010-11-25 2015-03-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US9318875B1 (en) 2011-01-24 2016-04-19 Soraa Laser Diode, Inc. Color converting element for laser diode
US9025635B2 (en) 2011-01-24 2015-05-05 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters configured on a support member
US9595813B2 (en) 2011-01-24 2017-03-14 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters configured on a substrate member
US9093820B1 (en) 2011-01-25 2015-07-28 Soraa Laser Diode, Inc. Method and structure for laser devices using optical blocking regions
US9068265B2 (en) * 2011-02-01 2015-06-30 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate with discrete protective elements
US9236530B2 (en) 2011-04-01 2016-01-12 Soraa, Inc. Miscut bulk substrates
US9287684B2 (en) 2011-04-04 2016-03-15 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters with color wheel
US9646827B1 (en) 2011-08-23 2017-05-09 Soraa, Inc. Method for smoothing surface of a substrate containing gallium and nitrogen
US8971370B1 (en) 2011-10-13 2015-03-03 Soraa Laser Diode, Inc. Laser devices using a semipolar plane
US9020003B1 (en) 2012-03-14 2015-04-28 Soraa Laser Diode, Inc. Group III-nitride laser diode grown on a semi-polar orientation of gallium and nitrogen containing substrates
US10559939B1 (en) 2012-04-05 2020-02-11 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
US9343871B1 (en) 2012-04-05 2016-05-17 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
US9800016B1 (en) 2012-04-05 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
US9088135B1 (en) 2012-06-29 2015-07-21 Soraa Laser Diode, Inc. Narrow sized laser diode
US9184563B1 (en) 2012-08-30 2015-11-10 Soraa Laser Diode, Inc. Laser diodes with an etched facet and surface treatment
US8970114B2 (en) 2013-02-01 2015-03-03 Lam Research Corporation Temperature controlled window of a plasma processing chamber component
US9166372B1 (en) 2013-06-28 2015-10-20 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium nitride containing laser device configured on a patterned substrate
US9275869B2 (en) * 2013-08-02 2016-03-01 Lam Research Corporation Fast-gas switching for etching
US9520695B2 (en) 2013-10-18 2016-12-13 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium and nitrogen containing laser device having confinement region
US9368939B2 (en) 2013-10-18 2016-06-14 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode formed on C-plane gallium and nitrogen material
US9379525B2 (en) 2014-02-10 2016-06-28 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode
US9362715B2 (en) 2014-02-10 2016-06-07 Soraa Laser Diode, Inc Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material
US9209596B1 (en) 2014-02-07 2015-12-08 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturing a laser diode device from a plurality of gallium and nitrogen containing substrates
US9871350B2 (en) 2014-02-10 2018-01-16 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB laser diode source
US9520697B2 (en) 2014-02-10 2016-12-13 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable multi-emitter laser diode
US9564736B1 (en) * 2014-06-26 2017-02-07 Soraa Laser Diode, Inc. Epitaxial growth of p-type cladding regions using nitrogen gas for a gallium and nitrogen containing laser diode
US9246311B1 (en) 2014-11-06 2016-01-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method of manufacture for an ultraviolet laser diode
US10100407B2 (en) * 2014-12-19 2018-10-16 Lam Research Corporation Hardware and process for film uniformity improvement
US9666677B1 (en) 2014-12-23 2017-05-30 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable thin film gallium and nitrogen containing devices
US9653642B1 (en) 2014-12-23 2017-05-16 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB display based on thin film gallium and nitrogen containing light emitting diodes
US11437774B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. High-luminous flux laser-based white light source
US10879673B2 (en) 2015-08-19 2020-12-29 Soraa Laser Diode, Inc. Integrated white light source using a laser diode and a phosphor in a surface mount device package
US11437775B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. Integrated light source using a laser diode
US10938182B2 (en) 2015-08-19 2021-03-02 Soraa Laser Diode, Inc. Specialized integrated light source using a laser diode
US9787963B2 (en) 2015-10-08 2017-10-10 Soraa Laser Diode, Inc. Laser lighting having selective resolution
US10771155B2 (en) 2017-09-28 2020-09-08 Soraa Laser Diode, Inc. Intelligent visible light with a gallium and nitrogen containing laser source
US10222474B1 (en) 2017-12-13 2019-03-05 Soraa Laser Diode, Inc. Lidar systems including a gallium and nitrogen containing laser light source
US10551728B1 (en) 2018-04-10 2020-02-04 Soraa Laser Diode, Inc. Structured phosphors for dynamic lighting
KR102576220B1 (ko) * 2018-06-22 2023-09-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 처리 장치 및 박막 처리 방법
US11421843B2 (en) 2018-12-21 2022-08-23 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber-delivered laser-induced dynamic light system
US11239637B2 (en) 2018-12-21 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber delivered laser induced white light system
US12000552B2 (en) 2019-01-18 2024-06-04 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system for a vehicle
US11884202B2 (en) 2019-01-18 2024-01-30 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system
US11228158B2 (en) 2019-05-14 2022-01-18 Kyocera Sld Laser, Inc. Manufacturable laser diodes on a large area gallium and nitrogen containing substrate
US10903623B2 (en) 2019-05-14 2021-01-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method and structure for manufacturable large area gallium and nitrogen containing substrate
KR20200145096A (ko) * 2019-06-20 2020-12-30 세메스 주식회사 공정 가스 공급 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60189928A (ja) * 1984-03-12 1985-09-27 Fujitsu Ltd 減圧気相成長装置
JPS615515A (ja) * 1984-06-07 1986-01-11 Fujitsu Ltd 化学気相成長装置
JPS62262419A (ja) * 1986-05-09 1987-11-14 Fuji Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ装置
JP2714802B2 (ja) * 1988-03-18 1998-02-16 三菱化学株式会社 有機金属化学気相反応装置
JPH0322414A (ja) * 1989-06-19 1991-01-30 Nec Kyushu Ltd 常圧気相成長装置
US4993358A (en) * 1989-07-28 1991-02-19 Watkins-Johnson Company Chemical vapor deposition reactor and method of operation
US5210466A (en) * 1989-10-03 1993-05-11 Applied Materials, Inc. VHF/UHF reactor system
JPH04348031A (ja) * 1990-12-28 1992-12-03 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置
US5226967A (en) * 1992-05-14 1993-07-13 Lam Research Corporation Plasma apparatus including dielectric window for inducing a uniform electric field in a plasma chamber
JPH0689880A (ja) * 1992-09-08 1994-03-29 Tokyo Electron Ltd エッチング装置
JP3468859B2 (ja) * 1994-08-16 2003-11-17 富士通株式会社 気相処理装置及び気相処理方法

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002518839A (ja) * 1998-06-16 2002-06-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド デュアルチャネル・ガス分配プレート
JP2000091320A (ja) * 1998-09-10 2000-03-31 Foi:Kk プラズマ処理装置
JP2004502318A (ja) * 2000-06-30 2004-01-22 ラム　リサーチ　コーポレーション 切換式均一性制御
JP2012169629A (ja) * 2000-06-30 2012-09-06 Lam Research Corporation 成分送給機構、プラズマリアクタ、及び、半導体基板を処理する方法
US6818096B2 (en) * 2001-04-12 2004-11-16 Michael Barnes Plasma reactor electrode
KR20020087535A (ko) * 2001-05-14 2002-11-23 삼성전자 주식회사 화학증기증착 쳄버의 개스공급장치
JP2003249400A (ja) * 2001-11-27 2003-09-05 Alps Electric Co Ltd プラズマ処理装置
JP2006502529A (ja) * 2001-12-19 2006-01-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体ワークピースを処理するためのプラズマリアクタ
JP2012099825A (ja) * 2003-06-30 2012-05-24 Lam Research Corporation 動的な温度制御を有する基板支持体
JP2007529102A (ja) * 2003-06-30 2007-10-18 ラム　リサーチ　コーポレーション 動的な温度制御を有する基板支持体
KR101476566B1 (ko) * 2003-06-30 2014-12-24 램 리써치 코포레이션 다이나믹 온도 제어를 가지는 기판 지지대
KR20070004151A (ko) * 2005-07-01 2007-01-09 주성엔지니어링(주) 가스 분사 시스템 및 이를 포함하는 박막 제조 장치
WO2007029671A1 (ja) * 2005-09-06 2007-03-15 Tohoku University 成膜装置、成膜装置系、成膜方法、及び電子装置または有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US8383194B2 (en) 2005-09-06 2013-02-26 Tohoku University Film forming apparatus, film forming system, film forming method, and method of manufacturing electronic device or organic electroluminescence element
JP2009095706A (ja) * 2007-10-15 2009-05-07 Ckd Corp 流体分流供給ユニット及び分流制御プログラム
JP2010016343A (ja) * 2008-06-30 2010-01-21 Advanced Display Process Engineering Co Ltd ガス供給装置及びこれを用いた基板処理装置｛Ａｐｐａｒａｔｕｓｆｏｒｓｕｐｐｌｙｉｎｇｇａｓａｎｄａｐｐａｒａｔｕｓｆｏｒｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇｓｕｂｓｔｒａｔｅｕｓｉｎｇｔｈｅｓａｍｅ｝
JP2011192727A (ja) * 2010-03-12 2011-09-29 Stanley Electric Co Ltd 気相成長装置
JP2013541177A (ja) * 2010-08-04 2013-11-07 ラム リサーチ コーポレーション 中性／イオンフラックスの制御のための二重プラズマ空間処理装置
US9184028B2 (en) 2010-08-04 2015-11-10 Lam Research Corporation Dual plasma volume processing apparatus for neutral/ion flux control
US9793128B2 (en) 2010-08-04 2017-10-17 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust
KR20180118235A (ko) * 2010-08-04 2018-10-30 램 리써치 코포레이션 중성입자/이온 플럭스 제어를 위한 듀얼 플라즈마 볼륨 프로세싱 장치
JP2012104751A (ja) * 2010-11-12 2012-05-31 Dainippon Printing Co Ltd 反射型マスクの製造方法
KR20180061029A (ko) * 2016-11-28 2018-06-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 샤워 헤드

Also Published As

Publication number Publication date
US5888907A (en) 1999-03-30
KR100385532B1 (ko) 2003-08-19
KR970072182A (ko) 1997-11-07
JP3360265B2 (ja) 2002-12-24
TW349242B (en) 1999-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3360265B2 (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
EP0805475B1 (en) Plasma processing apparatus
US8097120B2 (en) Process tuning gas injection from the substrate edge
US20060196420A1 (en) High density plasma chemical vapor deposition apparatus
EP0578010B1 (en) Multi-zone plasma processing system
US9252001B2 (en) Plasma processing apparatus, plasma processing method and storage medium
TWI392043B (zh) A substrate holding member and a substrate processing apparatus
US6417111B2 (en) Plasma processing apparatus
KR101522251B1 (ko) 고 종횡비 피쳐들을 식각하기에 적합한 식각 반응기
US7718007B2 (en) Substrate supporting member and substrate processing apparatus
US6155203A (en) Apparatus for control of deposit build-up on an inner surface of a plasma processing chamber
WO2003028078A1 (fr) Dispositif de traitement au plasma
JP4433614B2 (ja) エッチング装置
CN111095498B (zh) 载置台、基板处理装置以及边缘环
JP2004513516A (ja) 拡張されたプロセスウィンドウを有する誘電体エッチングチャンバ
JPH0817748A (ja) プラズマ処理装置
JPH1074600A (ja) プラズマ処理装置
JPH07302786A (ja) プラズマ処理装置
JP4566373B2 (ja) 酸化膜エッチング方法
JPH09289201A (ja) プラズマ処理装置
JP2006344701A (ja) エッチング装置およびエッチング方法
TW202343534A (zh) 半導體處理腔室適配器
WO2023171195A1 (ja) 伝熱ガスのリーク量低減方法及びプラズマ処理装置
KR102675105B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
US11244837B2 (en) Process gas supply apparatus and wafer treatment system including the same

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111018

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141018

Year of fee payment: 12

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term