JPH0927536A

JPH0927536A - ロ−ドロック室内に基板位置合わせ機構を有するイオン注入装置

Info

Publication number: JPH0927536A
Application number: JP19798095A
Authority: JP
Inventors: Makoto Konishi; 誠小西; Junichi Tatemichi; 潤一立道; Masatoshi Onoda; 正敏小野田
Original assignee: Nissin Electric Co Ltd
Current assignee: Nissin Electric Co Ltd
Priority date: 1995-07-10
Filing date: 1995-07-10
Publication date: 1997-01-28

Abstract

(57)【要約】【目的】矩形状の基板にイオンビ−ムを注入するイオ
ン注入装置において、イオン注入の前後に、基板の位置
合わせを行う必要がある。従来の装置に於いては、大気
中に基板位置合わせ機構があった。基板位置合わせの為
に余分の時間が必要であった。基板の位置合わせを改良
し、イオンドーピングの処理効率を向上させることが目
的である。【構成】ロ−ドロック室とアンロ−ドロック室に基板
位置合わせ機構を設ける。真空引きに時間に基板の位置
合わせができるのでイオン注入の１サイクルの時間を短
縮することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、大面積の基板上に形成
された薄膜の上に不純物を注入し、カラー液晶表示装置
などのフラットパネルディスプレイを製造するイオン注
入装置に関する。特に、イオン注入装置の基板の位置合
わせ機構に関する改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】フラットパネルディスプレイというの
は、液晶を用いて画像を表示する板状の装置である。ノ
ート型パソコン、ビデオカメラ、カーナビゲーションシ
ステムなどには、表示装置として平坦なフラットパネル
ディスプレイが頻用される。その中でも、薄膜トランジ
スタを表面に設けたアクティブマトリックス型の液晶画
面の需要が多くなってきた。これは広い画面に多数の薄
膜トランジスタを、ＬＳＩの製造技術とほぼ同じ技術を
用いて形成するものである。

【０００３】矩形状の広いガラス板にＳｉの薄膜を形成
し、これに不純物をドーピングして、ｎ型、ｐ型の領域
を作り、電極を設けてトランジスタとする。薄膜形成の
ためにプラズマＣＶＤ法などが利用される。Ｓｉを含む
原料ガスをチャンバに送りこれを何らか手段によって励
起しプラズマとする。これによりＳｉ多結晶の薄膜又
は、アモルファスのＳｉ膜を形成する。不純物ドーピン
グのためにイオン注入装置が用いられる。これはｎ型又
はｐ型の不純物になるものをプラズマにし質量分離し、
細いイオンビ−ムにして高速でガラスに打ち込むもので
ある。イオンビ−ムは磁界によって走査し、ビームを縦
横に振り、広範囲の対象物に均一にイオンを注入できる
ようになっている。狭い面積のガラスが対象の場合はこ
れで良かった。

【０００４】しかしフラットパネルディスプレイの画面
は次第に大型のものが要求されるようになってきてい
る。例えば３００ｍｍ×４００ｍｍや、５００ｍｍ×５
００ｍｍというふうに大面積の画面が必要になってく
る。このような大型ガラス板に対しては、従来のイオン
注入装置では非能率である。スループットが低く装置が
大型化する。そこで、質量分離しないで大面積のイオン
をそのまま対象に照射する装置が考案された。これはイ
オン源で広い面積のイオンビームを作り、質量分離する
ことなく対象に打ち込むものである。ビーム径が広い
（例えば、５００ｍｍΦ、７００ｍｍΦ）ので走査する
ことなく、ガラス全体に不純物を打ち込むことができ
る。このような装置は従来のイオン注入装置と区別する
ために、イオンドーピング装置と呼ぶ場合もある。広義
のイオン注入装置である。

【０００５】薄膜トランジスタは電界効果トランジスタ
である。一つの素子は、ドレイン、ソース、ゲートの３
つの電極と、ｎ⁺ −Ｓｉのチャンネルを持つ。ソース電
極、ドレイン電極のコンタクトのために高濃度の不純物
領域を形成する必要がある。そのためにイオンドーピン
グ装置によって、この部分に例えばｎ型不純物を選択的
にドープする。

【０００６】イオンドーピング装置は、イオン源、処理
室、搬送系などを含む。イオン源は、原料ガスを何らか
の方法によってプラズマにして電極の孔からイオンビ−
ムとして取り出す装置である。大面積のビームを作り出
す必要があるので、イオン源は広い断面を持つ空間であ
る。処理室はイオン源に続いて設けられ、ガラス基板に
対してイオンビ−ムを打ち込むための空間である。真空
に引いてあり、ロボットを設けた別異の空間（フォーク
室）にゲートバルブを介してつながっている。フォーク
室は、左右にロードロック室、アンロードロック室を持
っている。これらの空間も真空に引く事のできる空間で
ある。

【０００７】搬送系は、カセットに積み上げた複数のガ
ラス板をロボットのアームによってロードロック室に搬
送し、処理済みのガラス板をアンロードロック室から運
び去り、カセット室へ送るための装置である。本発明は
これらの構成のうち搬送系に関する。図４によって従来
例に係る搬送系について説明する。この装置は例えば、
日新電機株式会社技報、ｖｏｌ．３９、Ｎｏ．３、ｐ５
２（１９９４）に紹介されている。

【０００８】エンドステーション１は、大気中にある装
置である。これは、第１カセット台２、第１基板カセッ
ト３、第１大気ロボット４、第２大気ロボット６、第２
基板カセット７、第２カセット台８、基板位置合わせ機
構９などを含む。基板カセット３、７には適数の基板５
が乗せられている。

【０００９】ロードロック室１０には台１１がある。入
り口には、ゲートバルブ１２が設けられる。ロードロッ
ク室１０に続いて、フォーク室１４が設けられる。これ
らの真空室はゲートバルブ１３によって仕切られてい
る。フォーク室１４には、真空ロボット１５が設置され
る。フォーク室１４のさらに向こう側には、ゲートバル
ブ１６を介してアンロードロック室１７が設けられる。
この中にも台１８がある。アンロードロック室１７はゲ
ートバルブ１９によって大気から遮断される。

【００１０】フォーク室１４に連続して、ゲートバルブ
２０を介して、処理室２１がある。処理室２１の中央部
には、回転可能な基板ホルダ−２２がある。これは大気
中の基板回転装置２３に、軸２５を介して連結されてい
る。処理室２１のさらに前方には、イオン源２４が設け
られる。

【００１１】初めに、第１基板カセット３に多数のガラ
ス基板を収容しておく。これは棚になっていて、ガラス
板の両側を支持する。第１ロボット４は３つのアームと
３つの軸を持ち、２本のアームが常に二等辺三角形を形
作るように動き、ピック２７を一定方向に向けたまま、
直線方向に移動させることができる。第１ロボット４
は、第１カセット３から基板を１枚抜き出す。この時ピ
ック２７は、基板を真空チャックする。ロボット４は基
板を手元に移動させ、さらに直角方向に運んで、基板位
置合わせ機構９に送る。真空チャックを解除する。基板
は矩形状の物体であるが、ピック２７の上で方向が少し
ずれている可能性がある。これを正すために、基板位置
合わせ機構９がある。これは４つの押さえアームを持
ち、四方からアームがガラス板を押して方向を正しく直
す。

【００１２】位置合わせが終わった基板は、再びロボッ
ト４のピック２７に真空チャックされる。ロードロック
室１０のゲートバルブ１２が開く。ロボット４は、基板
５をロードロック室１０の中に運び入れ台１１に置く。
台１１は昇降可能である。大気との間にあるゲートバル
ブ１２を閉じる。ロードロック室１０が真空に引かれ
る。側方のゲートバルブ１３が開いて、フォーク室１４
から真空ロボットのアームが延びてくる。

【００１３】ピック２９が基板５の下に入り、台１１が
下降するので、ピック２９の上に基板５が乗る。真空ロ
ボットはフォーク室１４に基板を運ぶ。ゲートバルブ１
３が閉じる。ゲートバルブ２０を開く。基板５を処理室
２１に搬送する。ここで基板は、基板ホルダ−２２に乗
せられクランプされる。ロボット１５は後退し、ゲート
バルブ２０が閉じる。回転装置によって、ホルダ−２２
が前向きに回転し、基板５がイオン源２４の方を向くよ
うになる。

【００１４】イオン源から不純物となる大口径イオンビ
−ムが基板に向かって照射される。約１分間のイオンビ
−ム照射を受ける。この処理によって、不純物が選択的
にドープされる。基板ホルダ−が元の方向に回転し、ゲ
ートバルブ２０が開く。真空ロボット１５のアームが延
び、基板５を支持し、手元へ引き寄せる。ゲートバルブ
２０を閉じる。ゲートバルブ１６が開く。ロボット１５
は、処理済みの基板をアンロードロック室１７の台１８
に置く。ロボット１５が後退し、ゲートバルブ１６が閉
じる。アンロードロック室が大気圧に戻る。ゲートバル
ブ１９が開く。

【００１５】大気側の第２ロボット６のアームが延び
て、基板５を持ち、外部に取り出す。ゲートバルブ１９
が閉じる。アンロードロック室が真空引きされる。外部
に取り出された基板は、大気用の第２ロボット６のピッ
ク２８に乗って、基板位置合わせ機構９に運ばれる。こ
こで４辺に棒材が押し当てられて方位と位置を正しく規
制される。位置合わせされた基板は第２カセット台の上
に設けられた基板カセット７に運ばれ、これの棚の一つ
に差し入れられる。このように基板は、エンドステーシ
ョンにある基板位置合わせ機構９によって処理の前後２
回にわたって位置合わせされる。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来は大
気中でガラス基板を位置合わせしていた。カセットから
基板を取り出し、途中で基板位置合わせ機構に運び、位
置合わせする。さらにロボットの手前に引き戻して方向
転換し、ロードロック室に運び込むようになっていた。
ロードロック室では基板を運び込んだ後にゲートバルブ
を閉じ、真空引きする。また処理の終わった基板につい
ても、アンロードロック室から取り出した基板を基板位
置合わせ機構に運び、位置合わせをして処理済み基板用
のカセットに差し入れるようになっている。大気中で位
置合わせをするのであるが、これに余分な時間がかかっ
てしまう。

【００１７】例えば、第１ロボット４が基板をカセット
から基板位置合わせ機構に運ぶのに、３秒かかり、基板
位置合わせ機構での位置合わせに２秒かかる。さらに基
板位置合わせ機構からロードロック室に運ぶのに３秒か
かる。合わせて搬送と位置合わせのために８秒かかる。
もしもカセットから直接にロードロック室に運べば３秒
で済むので、５秒の時間を節減することができる筈であ
る。

【００１８】長方形の基板の場合は、位置合わせは必須
である。基板は所定の方向から外れていると、処理室で
のイオンビ−ム照射処理が基板全面に均一にならない。
また処理済み基板用のカセットに入れようとしても入り
口の縁に当たって入らなくなる。であるから基板位置合
わせは必要である。

【００１９】しかし従来の基板位置合わせ機構は、位置
合わせの為の時間が搬送系全体の処理の遅延をもたら
し、処理能率が低い。このような欠点を解決し、位置合
わせの為の処理によって搬送系全体の効率が低下しない
ようにした装置を提供する事が本発明の第１の目的であ
る。全体としての搬送時間を短くし、イオンドーピング
の処理効率を向上させる事が本発明の第２の目的であ
る。さらに位置合わせ機構を単純化し、真空中において
も十分に機能する基板位置合わせ機構を提供する事が第
３の目的である。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明は、ロードロック
室と、アンロードロック室の内部に独立の基板位置合わ
せ機構を設置する。ロードロック室とアンロードロック
室において、真空中で位置合わせをすることができるよ
うにする。大気中に基板位置合わせ機構を設けない。

【００２１】さらに、基板位置合わせ機構は、対になっ
て反対方向に回動するピンによってガラス辺を押さえる
ものとする。長い押さえ片を平行に前進後退させる基板
位置合わせ機構を採用しない。

【００２２】

【作用】大気中からロードロック室に運び込まれた基板
は、ロードロック室において真空引きと同時にこれと平
行して位置合わせされる。ロードロック室は毎回真空に
引く必要がある。真空に引いてしまわないと、フォーク
室につながるゲートバルブを開く事ができない。真空引
きの時間、基板はここを動くことができない。不可避の
待機時間である。本発明はこの待機時間に基板位置合わ
せを行う。つまり基板位置合わせの為に余分な時間を全
く必要としない。

【００２３】アンロードロック室でも基板位置合わせ機
構がある。これが処理済み基板の位置合わせを行う。第
２大気ロボットは既に位置合わせをした基板を取り出し
て、直接に基板カセットに運び込むことができる。つま
り第２大気ロボットは大気中に取り出してから位置合わ
せをする必要がない。これも搬送に要する時間を短縮す
る効果がある。

【００２４】

【実施例】図１は本発明の実施例に係る基板位置合わせ
機構の概略の平面図、図２は図１の側面図、図３は図１
の装置の正面図である。図５は本発明の実施例に係るイ
オン注入装置の全体平面図である。エンドステーション
１には２つの基板カセットと、２つの大気ロボットが設
置される。第１カセット台２には、未処理基板を横にし
て収容し縦方向に複数枚保持できる第１基板カセット３
が設置される。

【００２５】これの前方には３つのアームと回転台を組
み合わせた第１大気ロボット４が設置される。第１大気
ロボット４は昇降可能である。これは未処理基板の搬送
機構である。処理済み基板の搬送機構として、反対側に
は、第２大気ロボット６が設けられる。これも３つのア
ームと回転台を持つ。第２大気ロボット６は昇降可能で
ある。ロボット６の手前には処理済み基板を収容するべ
き第２基板カセット７が第２カセット台８の上に設置さ
れる。エンドステーション１には、図４のものと異なり
基板位置合わせ機構がない。

【００２６】第１ロボット４の前方にはロードロック室
１０がある。ゲートバルブ１２が大気側に設けられる。
これは真空に引く事のできる空間である。ゲートバルブ
１３を介してフォーク室１４につながっている。ロード
ロック室１０の内部に基板位置合わせ機構３０が設けら
れる。これが本発明の重要な点である。基板の位置決め
をロードロック室の中で行う。

【００２７】基板を大気中から直接に真空の処理室に運
ぶ事ができないので、基板周りを真空にするための空間
がロードロック室である。真空に引くための時間はどう
しても必要である。本発明はこの時間を利用して基板の
位置決めをする。真空に引くための待機時間を位置決め
のために有効利用するのである。フォーク室１４には、
ロードロック室の反対側にゲートバルブ１６を介してア
ンロードロック室１７がつながっている。アンロードロ
ック室１７も真空に引く事のできる空間である。大気と
の間には、ゲートバルブ１９がある。

【００２８】フォーク室１４は他の面において、ゲート
バルブ２０を介し、処理室２１に連続している。処理室
２１は基板ホルダ−２２を持つ。これは外部の回転機構
２３に軸２５を介してつながる。回転機構２３は軸周り
に基板ホルダ−２２を９０度回転させることができる。
処理室２１のさらに奥にはイオン源２４がある。これは
所望のイオンビ−ムを発生させる装置である。原料ガス
を導入しこれをプラズマにする。電極電圧によって加速
し、プラズマをイオンビ−ムにする。これが処理室の基
板に大口径のビームとして照射される。

【００２９】フォーク室の側方には、ゲートバルブ１６
を介してアンロードロック室１７が設けられる。これに
も基板位置合わせ機構４０が設置される。これも本発明
の特徴である。ここで処理済み基板は位置合わせされ
る。アンロードロック室１７の他方の開口には、ゲート
バルブ１９がある。ゲートバルブ１９の外には、前記の
第２大気ロボット６が設置されている。

【００３０】以上の構成において、基板の流れを説明す
る。エンドステーション１の第１基板カセット３の基板
５の１枚を、ロボット４がピック２７に乗せて取り出
す。ピック２７を基板の下に差し入れてロボット４を少
し上げると、基板がピック２７に乗る。この状態を安定
させるために真空チャックする。ロボット４が１８０度
回動し、基板をゲートバルブ１２が開かれたロードロッ
ク室１０に運び込む。基板５は基板位置合わせ機構３０
の基板受け板３２に置かれる。ロボット４のピック２７
が外部に引き出される。ゲートバルブ１２が閉じる。ロ
ードロック室１０を真空に引く。真空に引かれると同時
に基板が位置合わせされる。真空引きに要する時間が有
効に使われる。

【００３１】ゲートバルブ１３が開き、フォーク室の真
空ロボット１５のアームが延び、ピック２９の上に基板
５が乗せられる。ゲートバルブ２０が開く。ロボット１
５はこの基板を処理室２１の基板ホルダ−２２に戴置す
る。回転装置２３が基板ホルダ−２２を前方に９０度回
転させる。基板面がイオン源の方を向くようになる。バ
ルブ２０が閉じる。基板にイオン源からのイオンビ−ム
が照射される。バルブ２０が開く。

【００３２】基板ホルダ−２２が回転し、もとの位置に
基板を戻す。ロボット１５のアームが延びて、ピック２
９の上に基板が乗せられる。基板５はフォーク室１４を
通り、アンロードロック室１７に運ばれる。アンロード
ロック室１７の基板位置合わせ機構４０に戴置される。
ここでの基板位置合わせ機構作用はロードロック室のも
のと同様である。

【００３３】バルブ１９が開く。位置合わせできた基板
５は、第２大気ロボット６によって運び出される。バル
ブ１９が閉じ、アンロードロック室が真空引きされる。
ピック２８が処理済み基板をカセット７の一つの棚に側
方から差し入れる。ロボット６が少し下がり、棚に基板
が保持される。ピック２８が引き抜かれる。以上が基板
処理の１サイクルである。一例（イオン照射時間１分
間）では、従来１時間で２８枚の基板をイオン注入処理
できたものが、本発明によって１時間で３１枚の処理が
可能になる。

【００３４】本発明の特徴はロードロック室、アンロー
ドロック室に基板位置合わせ機構を設けた点にあるが、
基板位置合わせ機構自体にも工夫がある。大気中の装置
の場合は、運動機構に限定がない。従って従来は、４つ
の棒材を４方から平行移動させて基板の４辺を押さえる
ようにしていた。しかし大気から真空に運動を導入する
場合、直線の平行移動をさせる場合は、機構が複雑であ
るし、真空シールの部分に問題が発生し易い。そこで本
発明は、部材を平行移動させることなく基板位置合わせ
する事ができる機構を提案する。この機構の詳細につい
て説明する。

【００３５】ロードロック室１０に基板位置合わせ機構
３０が設けられる。アンロードロック室にも基板位置合
わせ機構があるが同じものであるから、ロードロック室
の機構についてのみ説明する。ロードロック室の中央部
には、昇降軸３１によって基板受け板３２が昇降可能に
支持される。基板受け板３２はこの例ではＨ字型の部材
である。４隅にはピン４１が設けられ、これによってガ
ラス基板５を保持できる。

【００３６】ロードロック室には図１のＱ方向から大気
ロボット４によって基板が運び込まれる。またＲの方向
へ、真空ロボットによって基板が運び去られる。Ｑの部
分とＲの部分にはゲートバルブ１２、１３がある。基板
位置合わせの為の機構は、基板の４辺ＫＬＭＮに沿う部
分に設けられる。Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ｘの合計４組のものがあ
る。いずれも１対の位置決めレバーを含む同等の機構で
ある。図１において横辺を位置決めする機構はＵとＶで
ある。縦辺を位置決めするのはＷとＸである。

【００３７】同等であるからＵについて説明する。位置
決め機構Ｕは、一対の軸３４、４２、レバー３３、３
３、カラー３６、３６を持つ。軸３４、４２は回転軸で
あって、レバー３３、３３の端が軸３４、４２に固着さ
れる。レバー３３の他端にはカラー３６が上向きに固定
される。

【００３８】軸３４、４２は壁を貫き外部に突出してい
る。軸の回りにはシール材３７が充填され外部の空気を
遮断する。ロータリアクチュエータ３９が、ロードロッ
ク室の室外にある。駆動軸３４がロータリアクチュエー
タ３９に直接につながっている。駆動軸３４の途中には
歯車３８が固着される。従動軸４２には同じ歯数の歯車
４８が取り付けられる。同等の歯車３８、４８が相互に
噛み合っている。

【００３９】ロータリアクチュエータ３９の軸が右回り
すると、図３において右のレバーは右回りするが、左の
レバーは左回りする。つまり一対のレバー３３、３３は
反対方向に同一回転をする。はじめに位相を合わしてお
くと、ふたつのレバーの先端にあるカラー３６、３６を
結ぶ直線が常に軸３４、４２を結ぶ直線（基線という）
に平行になるようにする事ができる。

【００４０】他方の位置決め機構Ｖも同じ機構を持つ。
つまり独立のロータリアクチュエータ、歯車、軸、レバ
ー、カラーを持っている。これも初期位相を調節して、
カラー３６、３６を結ぶ線が基線に平行になるようにな
っている。縦辺を位置決めするための機構Ｘ、Ｗも同様
の構造を持つ。一対の軸４３、４３、レバー４４、４
４、カラー４５、４５があって、独立のロータリアクチ
ュエータや歯車の作用によって、反対方向に回動できる
ようになっている。軸と歯車の初期状態を適当に決定し
て、カラーを結ぶ線が常に基線に平行になるようにす
る。

【００４１】レバーやカラーは実線によって示したのが
位置決めをしている状態である。ガラス基板の辺がカラ
ーによって押さえられている。これを閉状態と呼ぶこと
にする。２点鎖線によって示したものが開放状態であ
る。基板受け板３２は昇降軸３１によって上下に変位す
ることができる。下降位置Ｙにおいて位置合わせが行わ
れる。上昇位置Ｚにおいて搬送がなされる。

【００４２】初め基板受け板３２は下降位置Ｙにある。
レバー３３、４４は開放状態にある。Ｑ方向から大気ロ
ボット４によって基板が搬入される。ピック２７が停止
する。下から基板受け板３２が上がってくる。ピン４１
が基板の４隅を持ち上げる。基板受け板が上昇位置Ｚに
上がる。ピック２７から基板５が離れる。ピック２７を
引き抜く。ゲートバルブ１２が閉じる。

【００４３】基板受け板３２が下がり下降位置Ｙに移動
する。ロータリアクチュエータ３９が回転を始める。回
転運動は軸３４によって真空中に導入される。レバー４
４、３３が閉じる。カラー３６、４５が基板の辺を押さ
える。８つカラーが同時に基板の辺を押さえるので、基
板の方向が正しい方向に修正される。

【００４４】レバー３３、４４が開く。基板受け板３２
が上昇し、Ｚ位置に持ち上がる。Ｒの方向から真空ロボ
ット１５のピック２９が延びてくる。図２のように、基
板５の直下にピック２９が到達する。基板受け板３２を
下げる。ピック２９の上に基板５が乗る。ロボット１５
はロードロック室１０から基板をフォーク室１４に運び
込む。バルブ１３を閉じる。

【００４５】基板位置合わせ機構の作用は以上のようで
ある。一対のレバーを反対方向に廻す事によって基板の
縁を押さえる。軸３４が壁を貫通し、シール材３７によ
って真空が維持される。従来の基板位置合わせ機構は直
進運動を利用していた。これを真空にそのまま入れると
直線導入機が４つ必要になる。直線導入機はダイヤフラ
ムや偏心カムなどを用いるから機構が複雑である。本発
明は単に軸を壁に挿通するだけであり、真空機構が単純
である。

【００４６】

【発明の効果】本発明は、ロードロック室とアンロード
ロック室に一つづつ基板位置合わせ機構を設ける。ロー
ドロック室に基板を挿入しゲートバルブを閉じ、ロード
ロック室を真空に引く。真空引きと平行して基板位置合
わせを行うことができる。搬送時間を節減できる。アン
ロードロック室にも別個の基板位置合わせ機構を設ける
から、基板位置合わせのタイミングの自由度が高まる。
これによって、さらに搬送時間を短縮できる。搬送制御
がより容易になる。ロードロック側とアンロードロック
側の干渉を気遣うことなく搬送制御ソフトを作製するこ
とができる。さらに回転運動によってレバーを回動さ
せ、基板の縁を押さえるようにしたので、真空室に適し
た基板位置合わせ機構を与える事ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係るイオンドーピング装置の
設けられるロードロック室の内部の構造を示す平面図。

【図２】図１に示すロードロック室の縦断側面図。

【図３】図１のロードロック室の縦断正面図。

【図４】従来例に係るイオンドーピング装置の概略平面
図。

【図５】本発明の実施例に係るイオンドーピング装置の
概略構成図。

【符号の説明】

１エンドステーション２第１カセット台３第１基板カセット４基板搬送用第１大気ロボット５基板６基板搬送用第２大気ロボット７第２基板カセット８第２カセット台９基板位置合わせ機構１０ロードロック室１１台１２ゲートバルブ１３ゲートバルブ１４フォーク室１５真空ロボット１６ゲートバルブ１７アンロードロック室１８台１９ゲートバルブ２０ゲートバルブ２１処理室２２基板ホルダ− ２３基板回転装置２４イオン源２５軸２７第１大気ロボットのピック２８第２大気ロボットのピック２９真空ロボットのピック３０ロードロック室の基板位置合わせ機構３１昇降軸３２基板受け板３３レバー３４回転軸３６カラー３７シール材３８歯車３９ロータリアクチュエータ４０アンロードロック室の基板位置合わせ機構４１ピン４２従動軸４３回転軸４４レバー４５カラー４８歯車

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】矩形状のガラス基板の上に形成した半導
体の薄膜に不純物をイオンビ−ムとして打ち込む処理を
するイオン注入装置であって、大気中に設けられた未処
理の基板を収容するべき基板カセットと、大気中に設け
られた処理済みの基板を収容するべき基板カセットと、
真空に引くことができイオンビ−ムを発生させるイオン
源と、基板を真空中に保持しイオンビ−ムを照射させる
処理室と、真空に引くことができ処理室に連続するフォ
ーク室と、フォーク室につながり真空に引くことのでき
るロードロック室と、フォーク室につながり真空に引く
事のできるアンロードロック室と、大気中にあって未処
理基板用カセットから基板をロードロック室に搬送する
第１大気ロボットと、フォーク室に設けられロードロッ
ク室に運ばれた基板を処理室に運び処理済みの基板をア
ンロードロック室に運ぶ真空ロボットと、大気中にあっ
て処理済み基板をアンロードロック室から処理済み基板
用の基板カセットへ搬送する第２大気ロボットと、ロー
ドロック室の中に設けられて矩形状の基板を一定方向に
向ける為の基板位置合わせ機構と、アンロードロック室
の中に設けられて矩形状の基板を一定方向に向けるため
の基板位置合わせ機構とよりなる事を特徴とするロード
ロック室内に基板位置合わせ機構を有するイオン注入装
置。
【請求項２】基板位置合わせ機構は、大気中に設けた
ロータリアクチュエータと、壁面を貫きロータリアクチ
ュエータの駆動力によって回転する回転軸と、回転軸に
固着されたレバーと、レバーの他端に設けたカラーと、
前記の回転軸と反対方向に同一角度回転する従動軸と、
従動軸に固着されたレバーと、レバーの他端に設けたカ
ラーとを含み、二つのカラーの中心を結ぶ線が軸を結ぶ
線に平行になるように設定されている機構が４つ基板の
４辺にそって設けられるものであることを特徴とする請
求項１に記載のロードロック室内に基板位置合わせ機構
を有するイオン注入装置。