JPH0927501A - ボンディング用トーチ装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半田ワイヤ先端をトーチ電極で放電、溶融して
接続用ボールを形成する際、不良品の発生頻度を大幅に
低減出来るボンディング用トーチ装置を提供する。 【解決手段】上部に開口部4を有すると共にシールドガ
ス進行方向出口5が開放されてなるシールドガス供給管
3と、この供給管3内に収納されるトーチ電極6とを備
え、該トーチ電極6は電極放電部6aを保持する電極保
持腕7を、電極放電面6b上を直進するシールドガスの
進路を阻害しない位置に設けると共に、電極放電部6a
が供給管3の内部で且つ開口部4から露出した状態で、
さらに電極放電部6aの中心軸とガス供給管3の中心軸
のなす角度が10度以内となるようにして配設される。
接続用ボールを形成する際、不良品の発生頻度を大幅に
低減出来るボンディング用トーチ装置を提供する。 【解決手段】上部に開口部4を有すると共にシールドガ
ス進行方向出口5が開放されてなるシールドガス供給管
3と、この供給管3内に収納されるトーチ電極6とを備
え、該トーチ電極6は電極放電部6aを保持する電極保
持腕7を、電極放電面6b上を直進するシールドガスの
進路を阻害しない位置に設けると共に、電極放電部6a
が供給管3の内部で且つ開口部4から露出した状態で、
さらに電極放電部6aの中心軸とガス供給管3の中心軸
のなす角度が10度以内となるようにして配設される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ICチップと基板
を半田バンプを用いて接続するに際して、半田ワイヤ先
端に良好なボンディング用ボールを形成することが出来
るボンディング用トーチ装置に関する。
を半田バンプを用いて接続するに際して、半田ワイヤ先
端に良好なボンディング用ボールを形成することが出来
るボンディング用トーチ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の組立て工程において、IC
チップと基板を金属突起(以下バンプという)を用いて
接続するワイヤレスボンディング方法が従来から知られ
ている。該方法の中で、ボンディングワイヤ下端をトー
チ電極を用いて放電、溶融して接続用ボールを形成し、
該ボールを圧着して形成した圧着品をバンプとして用い
る方法が、品質面、作業性の面から好まれ一般的に採用
されている。前記接続に用いるバンプ材料として半田、
金、パラジウム等があるが、この中で、半田材料は化学
的に不安定なため、放電による加熱でボール形成時に酸
化が生じ易い。このためこれを防止する方法として、不
活性ガス等のシールドガス雰囲気を用いて接続用ボール
を形成することが行なわれている。
チップと基板を金属突起(以下バンプという)を用いて
接続するワイヤレスボンディング方法が従来から知られ
ている。該方法の中で、ボンディングワイヤ下端をトー
チ電極を用いて放電、溶融して接続用ボールを形成し、
該ボールを圧着して形成した圧着品をバンプとして用い
る方法が、品質面、作業性の面から好まれ一般的に採用
されている。前記接続に用いるバンプ材料として半田、
金、パラジウム等があるが、この中で、半田材料は化学
的に不安定なため、放電による加熱でボール形成時に酸
化が生じ易い。このためこれを防止する方法として、不
活性ガス等のシールドガス雰囲気を用いて接続用ボール
を形成することが行なわれている。
【0003】一般的には図4に示すように、キャピラリ
ー11から導出するワイヤ12の先端に向けてシールド
ガス供給管13を設置し、トーチ電極14先端の電極放
電部14aに向けて斜め上方からシールドガスを吹き付
け、トーチ電極14とワイヤ12の先端の領域を大気か
らシールドしている。次いでトーチ電極14を用いてワ
イヤ12の先端を放電、溶融し、接続用ボール15を形
成する。次にアーム(回動装置)16が回動することに
より、トーチ電極14がキャピラリー11の下方から側
方に退避する。接続用ボール15の真下にはICチップ
電極(図示せず)があり、キャピラリー11を下降させ
てICチップ電極上に接続用ボール15を圧着する。次
にキャピラリー11を上方に引き上げることにより、ボ
ール15とワイヤ12を切離しICチップ電極上に形成
した圧着ボールを接続用バンプとして使用する。この
時、トーチ電極14の形状としては、平板状のものが一
般的に用いられている。
ー11から導出するワイヤ12の先端に向けてシールド
ガス供給管13を設置し、トーチ電極14先端の電極放
電部14aに向けて斜め上方からシールドガスを吹き付
け、トーチ電極14とワイヤ12の先端の領域を大気か
らシールドしている。次いでトーチ電極14を用いてワ
イヤ12の先端を放電、溶融し、接続用ボール15を形
成する。次にアーム(回動装置)16が回動することに
より、トーチ電極14がキャピラリー11の下方から側
方に退避する。接続用ボール15の真下にはICチップ
電極(図示せず)があり、キャピラリー11を下降させ
てICチップ電極上に接続用ボール15を圧着する。次
にキャピラリー11を上方に引き上げることにより、ボ
ール15とワイヤ12を切離しICチップ電極上に形成
した圧着ボールを接続用バンプとして使用する。この
時、トーチ電極14の形状としては、平板状のものが一
般的に用いられている。
【0004】しかし乍ら、化学的に不安定な半田ワイヤ
を用いて接続用ボールを形成する場合、前記のような構
造では大気を巻き込むことを確実に防止することが困難
であることから、形成されたボールの球状性(真球度)
不良品の発生頻度が多いと共に、圧着に失敗する不圧着
やワイヤ偏心ボールが発生する等の不良品の発生頻度が
多いという欠点がある。ここで球状性とは、ボール直径
の最大値(大径)に対する最小値(小径)の比率(小径
/大径)が0.8以上のものが良好なボールとして求め
られており、0.8未満の不良品ボールの場合、圧着強
度が得られない原因としてその発生防止が求められてい
る。またワイヤ偏心ボールとは、図7に示すようにボー
ル15の中心軸がワイヤ12の軸から大きく外れて形成
されたボールであり、圧着強度が得られない原因として
その発生防止が求められている。これらの対応として大
気を巻き込むことを確実に防止することが考えられ、ボ
ールボンディングを行なう際のガスシールドを行う方法
として各種構造のものが提案されている。
を用いて接続用ボールを形成する場合、前記のような構
造では大気を巻き込むことを確実に防止することが困難
であることから、形成されたボールの球状性(真球度)
不良品の発生頻度が多いと共に、圧着に失敗する不圧着
やワイヤ偏心ボールが発生する等の不良品の発生頻度が
多いという欠点がある。ここで球状性とは、ボール直径
の最大値(大径)に対する最小値(小径)の比率(小径
/大径)が0.8以上のものが良好なボールとして求め
られており、0.8未満の不良品ボールの場合、圧着強
度が得られない原因としてその発生防止が求められてい
る。またワイヤ偏心ボールとは、図7に示すようにボー
ル15の中心軸がワイヤ12の軸から大きく外れて形成
されたボールであり、圧着強度が得られない原因として
その発生防止が求められている。これらの対応として大
気を巻き込むことを確実に防止することが考えられ、ボ
ールボンディングを行なう際のガスシールドを行う方法
として各種構造のものが提案されている。
【0005】特開昭58−111331号には図5に示
すように、放電トーチ17を内部に有するガスシールド
管18の一端を閉鎖すると共に、閉鎖端の近くの上側に
開口部19を設けて、シールドガスが上側開口部19か
ら排出するように配慮された構造のものが提案されてい
る。特開平7−37930号には図6に示すように、放
電トーチ20を内部に有し、上側に開口部21を設けた
ガス管状部22と、更にワイヤ12の先端に向けてシー
ルドガスを供給するガス供給部23を別に配設した構
造、即ち複数箇所からシールドガスを供給し、上側開口
部21から排出する構造のものが提案されている。
すように、放電トーチ17を内部に有するガスシールド
管18の一端を閉鎖すると共に、閉鎖端の近くの上側に
開口部19を設けて、シールドガスが上側開口部19か
ら排出するように配慮された構造のものが提案されてい
る。特開平7−37930号には図6に示すように、放
電トーチ20を内部に有し、上側に開口部21を設けた
ガス管状部22と、更にワイヤ12の先端に向けてシー
ルドガスを供給するガス供給部23を別に配設した構
造、即ち複数箇所からシールドガスを供給し、上側開口
部21から排出する構造のものが提案されている。
【0006】しかし乍ら、化学的に不安定な半田材料を
用いて接続用ボールを形成する際、図5、図6の構造の
ものは図4の構造のものに比べて、ボールの球状性不良
品の発生頻度の低減、及び、不圧着やワイヤ偏心ボール
の発生等の不良品の発生頻度の低減に一応の効果は得ら
れるものの、更なる改善が求められている。即ち、ボン
ディングワイヤとしてPb、Snをベース金属とする所
謂半田線を用いた場合において、前記不良品発生頻度の
更なる低減を可能にする装置の開発が強く要求されてい
る。
用いて接続用ボールを形成する際、図5、図6の構造の
ものは図4の構造のものに比べて、ボールの球状性不良
品の発生頻度の低減、及び、不圧着やワイヤ偏心ボール
の発生等の不良品の発生頻度の低減に一応の効果は得ら
れるものの、更なる改善が求められている。即ち、ボン
ディングワイヤとしてPb、Snをベース金属とする所
謂半田線を用いた場合において、前記不良品発生頻度の
更なる低減を可能にする装置の開発が強く要求されてい
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述したよう
な従来事情に鑑みてなされたものであり、その目的とす
る処は、Pb、Snをベース金属とする所謂半田ワイヤ
を用いた場合において、該ワイヤ先端をトーチ電極を用
いて放電、溶融し接続用ボールを形成しても、ボールの
球状性不良品の発生頻度、及び、圧着に失敗する不圧着
やワイヤ偏心ボールが発生する等の不良品の発生頻度を
大幅に低減出来るボンディング用トーチ装置を提供する
ものである。
な従来事情に鑑みてなされたものであり、その目的とす
る処は、Pb、Snをベース金属とする所謂半田ワイヤ
を用いた場合において、該ワイヤ先端をトーチ電極を用
いて放電、溶融し接続用ボールを形成しても、ボールの
球状性不良品の発生頻度、及び、圧着に失敗する不圧着
やワイヤ偏心ボールが発生する等の不良品の発生頻度を
大幅に低減出来るボンディング用トーチ装置を提供する
ものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者等は鋭意検討の
結果、不活性ガス等によるガスシールドを十分に行うと
共に、トーチ電極先端における電極放電部の真上の面に
おいて、シールドガスの流れに直進性を保持させるよう
にすることが前記課題に対して効果的であることを見出
し、本発明に至った。その要旨とするところは次の通り
である。即ち、本願第1発明(請求項1)のボンディン
グ用トーチ装置は、ICチップと基板を半田バンプを用
いて接続するに際して、キャピラリーに挿通されたワイ
ヤの先端を放電、溶融させてボールを形成するボンディ
ング用トーチ装置において、上部に開口部を有し、シー
ルドガス進行方向出口が開放されてなるシールドガス供
給管と、該供給管内に収納されるトーチ電極とを備え、
該トーチ電極は電極放電部真上の面がその前後に遮蔽物
のない直進するガス進路上にあると共に、前記電極放電
部が前記シールドガス供給管の内部で開口部から露出し
た状態で、且つその中心軸とシールドガス供給管の中心
軸のなす角度が10度以内となるようにして収納されて
いることを特徴とする。
結果、不活性ガス等によるガスシールドを十分に行うと
共に、トーチ電極先端における電極放電部の真上の面に
おいて、シールドガスの流れに直進性を保持させるよう
にすることが前記課題に対して効果的であることを見出
し、本発明に至った。その要旨とするところは次の通り
である。即ち、本願第1発明(請求項1)のボンディン
グ用トーチ装置は、ICチップと基板を半田バンプを用
いて接続するに際して、キャピラリーに挿通されたワイ
ヤの先端を放電、溶融させてボールを形成するボンディ
ング用トーチ装置において、上部に開口部を有し、シー
ルドガス進行方向出口が開放されてなるシールドガス供
給管と、該供給管内に収納されるトーチ電極とを備え、
該トーチ電極は電極放電部真上の面がその前後に遮蔽物
のない直進するガス進路上にあると共に、前記電極放電
部が前記シールドガス供給管の内部で開口部から露出し
た状態で、且つその中心軸とシールドガス供給管の中心
軸のなす角度が10度以内となるようにして収納されて
いることを特徴とする。
【0009】また、本願第2発明(請求項2)のボンデ
ィング用トーチ装置は、ICチップと基板を半田バンプ
を用いて接続するに際して、キャピラリーに挿通された
ワイヤの先端を放電、溶融させてボールを形成するボン
ディング用トーチ装置において、シールドガス進行方向
出口が開放されてなるシールドガス供給管と、該供給管
のガス進行方向出口に配設されるトーチ電極とを備え、
該トーチ電極は電極放電部真上の面がその前後に遮蔽物
のない直進するガス進路上にあると共に、前記電極放電
部が前記シールドガス供給管のガス進行方向出口から露
出した状態で、且つその中心軸とシールドガス供給管の
中心軸のなす角度が10度以内となるようにして配設さ
れていることを特徴とする。
ィング用トーチ装置は、ICチップと基板を半田バンプ
を用いて接続するに際して、キャピラリーに挿通された
ワイヤの先端を放電、溶融させてボールを形成するボン
ディング用トーチ装置において、シールドガス進行方向
出口が開放されてなるシールドガス供給管と、該供給管
のガス進行方向出口に配設されるトーチ電極とを備え、
該トーチ電極は電極放電部真上の面がその前後に遮蔽物
のない直進するガス進路上にあると共に、前記電極放電
部が前記シールドガス供給管のガス進行方向出口から露
出した状態で、且つその中心軸とシールドガス供給管の
中心軸のなす角度が10度以内となるようにして配設さ
れていることを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】まず、本願発明を用いるボンディ
ング方法の概要について図1を参照して説明すれば、シ
ールドガス供給管3からシールドガスを供給しつつ、キ
ャピラリー1の下端からワイヤ2の先端を導出し、トー
チ電極6を用いて放電、溶融し接続用ボール8を形成す
る。次に回動装置9が回動することによりシールドガス
供給管3及びトーチ電極6がキャピラリー1の下方から
側方に退避する。接続用ボール8の真下にはICチップ
電極(図示せず)があり、キャピラリー1を下降させて
ICチップ電極上に接続用ボール8を圧着する。次いで
ワイヤ2をクランプした後キャピラリー1を上方に引き
上げることにより、圧着ボールとワイヤ2を切離し該圧
着ボールを接続用バンプとして使用する接続方法であ
る。
ング方法の概要について図1を参照して説明すれば、シ
ールドガス供給管3からシールドガスを供給しつつ、キ
ャピラリー1の下端からワイヤ2の先端を導出し、トー
チ電極6を用いて放電、溶融し接続用ボール8を形成す
る。次に回動装置9が回動することによりシールドガス
供給管3及びトーチ電極6がキャピラリー1の下方から
側方に退避する。接続用ボール8の真下にはICチップ
電極(図示せず)があり、キャピラリー1を下降させて
ICチップ電極上に接続用ボール8を圧着する。次いで
ワイヤ2をクランプした後キャピラリー1を上方に引き
上げることにより、圧着ボールとワイヤ2を切離し該圧
着ボールを接続用バンプとして使用する接続方法であ
る。
【0011】次に、本願の第1発明について、図1を参
照して説明する。図1は本願第1発明(請求項1)に係
る装置の一例を示し、(a)図は側面図、(b)図は平
面図を表す。また図中の矢印はシールドガスの進行方向
を示す。本願の第1発明は上述したように、前記ボンデ
ィング方法に用いるトーチ装置において、上部に開口部
4を有すると共にシールドガス進行方向出口5が開放さ
れてなるシールドガス供給管3と、該供給管3内に収納
されるトーチ電極6とを備え、該トーチ電極6は、電極
放電部6a真上の面6bが該面6bの前後に遮蔽物のな
い直進するガス進路上にあると共に、該放電部6aが前
記シールドガス供給管3の内部で且つ開口部4から露出
した状態で収納され、さらに電極放電部6aの中心軸と
シールドガス供給管3の中心軸のなす角度が10度以内
となるようにして配置されているものである。
照して説明する。図1は本願第1発明(請求項1)に係
る装置の一例を示し、(a)図は側面図、(b)図は平
面図を表す。また図中の矢印はシールドガスの進行方向
を示す。本願の第1発明は上述したように、前記ボンデ
ィング方法に用いるトーチ装置において、上部に開口部
4を有すると共にシールドガス進行方向出口5が開放さ
れてなるシールドガス供給管3と、該供給管3内に収納
されるトーチ電極6とを備え、該トーチ電極6は、電極
放電部6a真上の面6bが該面6bの前後に遮蔽物のな
い直進するガス進路上にあると共に、該放電部6aが前
記シールドガス供給管3の内部で且つ開口部4から露出
した状態で収納され、さらに電極放電部6aの中心軸と
シールドガス供給管3の中心軸のなす角度が10度以内
となるようにして配置されているものである。
【0012】シールドガス供給管3は、接続用ボール8
を形成する際、トーチ電極6とワイヤ2の先端の領域を
大気からシールドするためのシールドガスを供給するた
めのもので、シールドガス進行方向を図中に矢印で示し
ている。シールドガス成分としては、ArやN2 等の不
活性ガスを用いても良いが、1〜20%のH2 等の還元
性ガスを含んだ不活性ガスを用いる方が好ましい。シー
ルドガス供給管3は、上部に開口部4を有している。該
開口部4は、ボール8形成の際にワイヤ2の先端をトー
チ電極6の近くに配置して放電すること、及び、ボール
8形成後にキャピラリー1を下降させる際トーチ電極6
及びガス供給管3を側方に回動退避させるために必要な
開口部である。またシールドガス供給管3は、シールド
ガス進行方向出口5が開放されている。本発明において
はシールドガスを直進させるように配慮することが必要
であり、このためシールドガス進行方向出口5が開放さ
れていることが必要である。シールドガス供給管3は、
シールドガス進行途中の上部に前記開口部4を有した構
造とすることが、本課題達成のために最も好ましい。
を形成する際、トーチ電極6とワイヤ2の先端の領域を
大気からシールドするためのシールドガスを供給するた
めのもので、シールドガス進行方向を図中に矢印で示し
ている。シールドガス成分としては、ArやN2 等の不
活性ガスを用いても良いが、1〜20%のH2 等の還元
性ガスを含んだ不活性ガスを用いる方が好ましい。シー
ルドガス供給管3は、上部に開口部4を有している。該
開口部4は、ボール8形成の際にワイヤ2の先端をトー
チ電極6の近くに配置して放電すること、及び、ボール
8形成後にキャピラリー1を下降させる際トーチ電極6
及びガス供給管3を側方に回動退避させるために必要な
開口部である。またシールドガス供給管3は、シールド
ガス進行方向出口5が開放されている。本発明において
はシールドガスを直進させるように配慮することが必要
であり、このためシールドガス進行方向出口5が開放さ
れていることが必要である。シールドガス供給管3は、
シールドガス進行途中の上部に前記開口部4を有した構
造とすることが、本課題達成のために最も好ましい。
【0013】トーチ電極6は、電極放電部6aの真上の
面(電極放電面)6bがその前後に遮蔽物のない直進す
るガス進路上にあるように配設され、詳しくは、電極放
電部6aを保持する電極保持腕7を、前記電極放電面6
bを直進するシールドガスの進路を阻害しない位置に設
ける。本例では(b)図に示すように、電極放電部6a
を保持する電極保持腕7を、電極放電面6b上を直進す
るシールドガスの進路の側方に設けて、電極放電面6b
をその前後に遮蔽物のない直進するガス進路上に位置せ
しめている。即ち、電極放電部6a真上のシールドガス
は直進してきたシールドガスであることが必要であり、
該直進性を乱すような電極保持腕7の配置を避けること
が、本願の課題達成のために必要である。また、シール
ドガス直進方向に対して放電電極部6aの平行度は10
度以内であることが必要である。該平行度を実現するた
めには、放電電極部6aの中心軸とシールドガス供給管
3の中心軸のなす角度が10度以内となるように、トー
チ電極6をガス供給管3内に配設する。前記平行度は5
度以内であることが本課題に対して好ましく、0度であ
ることが最も好ましい。このようなトーチ電極の構成と
することで、ボールの球状性不良品の発生頻度、及び、
圧着に失敗する不圧着やワイヤ偏心ボールが発生する等
の不良品の発生頻度を大幅に低減することが出来る。こ
のような優れた効果が得られる理由は明らかではない
が、ボール形成部におけるシールドガスが直線的に流れ
て流路が乱れることなくスムーズであることが外気の巻
き込みを防止して、本願の課題に対して優れた効果が得
られたものと考えられる。
面(電極放電面)6bがその前後に遮蔽物のない直進す
るガス進路上にあるように配設され、詳しくは、電極放
電部6aを保持する電極保持腕7を、前記電極放電面6
bを直進するシールドガスの進路を阻害しない位置に設
ける。本例では(b)図に示すように、電極放電部6a
を保持する電極保持腕7を、電極放電面6b上を直進す
るシールドガスの進路の側方に設けて、電極放電面6b
をその前後に遮蔽物のない直進するガス進路上に位置せ
しめている。即ち、電極放電部6a真上のシールドガス
は直進してきたシールドガスであることが必要であり、
該直進性を乱すような電極保持腕7の配置を避けること
が、本願の課題達成のために必要である。また、シール
ドガス直進方向に対して放電電極部6aの平行度は10
度以内であることが必要である。該平行度を実現するた
めには、放電電極部6aの中心軸とシールドガス供給管
3の中心軸のなす角度が10度以内となるように、トー
チ電極6をガス供給管3内に配設する。前記平行度は5
度以内であることが本課題に対して好ましく、0度であ
ることが最も好ましい。このようなトーチ電極の構成と
することで、ボールの球状性不良品の発生頻度、及び、
圧着に失敗する不圧着やワイヤ偏心ボールが発生する等
の不良品の発生頻度を大幅に低減することが出来る。こ
のような優れた効果が得られる理由は明らかではない
が、ボール形成部におけるシールドガスが直線的に流れ
て流路が乱れることなくスムーズであることが外気の巻
き込みを防止して、本願の課題に対して優れた効果が得
られたものと考えられる。
【0014】トーチ電極6はシールドガス供給管3に取
り付けられる。シールドガス供給管3に対するトーチ電
極6の取り付けは、トーチ電極6がガス供給管3の内部
で且つ開口部4から露出した状態に収納され、さらにト
ーチ電極6の中心軸とガス供給管3の中心軸のなす角度
が10度以内となるよう配設することが必要である。前
記角度は5度以内であることが好ましく、さらにトーチ
電極6の中心軸とシールドガス供給管3の中心軸が平行
であること、即ち両中心軸のなす角度が0度であること
が最も好ましい。また、トーチ電極6の先端部6c方向
はシールドガス進行方向と同じ方向でも、対向する方向
でも良いが、対向する方向に配設する方が好ましい。該
対向方向の時、本願の課題に対して一段と優れた効果を
奏する。図1においては対向する方向の配設例を示す。
り付けられる。シールドガス供給管3に対するトーチ電
極6の取り付けは、トーチ電極6がガス供給管3の内部
で且つ開口部4から露出した状態に収納され、さらにト
ーチ電極6の中心軸とガス供給管3の中心軸のなす角度
が10度以内となるよう配設することが必要である。前
記角度は5度以内であることが好ましく、さらにトーチ
電極6の中心軸とシールドガス供給管3の中心軸が平行
であること、即ち両中心軸のなす角度が0度であること
が最も好ましい。また、トーチ電極6の先端部6c方向
はシールドガス進行方向と同じ方向でも、対向する方向
でも良いが、対向する方向に配設する方が好ましい。該
対向方向の時、本願の課題に対して一段と優れた効果を
奏する。図1においては対向する方向の配設例を示す。
【0015】シールドガス供給管3には該供給管3を回
動させるための回動装置9を設ける。そうして、放電し
てボール8を形成する時は図1(a)に示すように、ガ
ス供給管3の上部開口部4にキャピラリー1を収納し、
且つトーチ電極6がキャピラリー1下方にあるようにガ
ス供給管3とトーチ電極6を位置せしめ、ボール8形成
後に該ボール8をICチップ上に圧着する時は、回動装
置9を用いてガス供給管3とトーチ電極6をキャピラリ
ー1の下方から側方に回動退避させるよう構成する。
動させるための回動装置9を設ける。そうして、放電し
てボール8を形成する時は図1(a)に示すように、ガ
ス供給管3の上部開口部4にキャピラリー1を収納し、
且つトーチ電極6がキャピラリー1下方にあるようにガ
ス供給管3とトーチ電極6を位置せしめ、ボール8形成
後に該ボール8をICチップ上に圧着する時は、回動装
置9を用いてガス供給管3とトーチ電極6をキャピラリ
ー1の下方から側方に回動退避させるよう構成する。
【0016】次に、本願の第2発明について、図2を参
照して説明する。図2は本願第2発明(請求項2)に係
る装置の一例を示し、(a)図は側面図、(b)図は平
面図を表す。また図中の矢印はシールドガスの進行方向
を示す。本願の第2発明は上述したように、上記ボンデ
ィング方法に用いるトーチ装置において、シールドガス
進行方向出口5が開放されてなるシールドガス供給管3
と、該供給管3のガス進行方向出口5に配設されるトー
チ電極6とを備え、該トーチ電極6は、電極放電部6a
真上の面6bが該面6bの前後に遮蔽物のない直進する
ガス進路上にあると共に、該放電部6aが前記シールド
ガス供給管3のガス進行方向出口5から露出した状態
で、且つ電極放電部6aの中心軸とシールドガス供給管
3の中心軸のなす角度が10度以内となるようにして配
設されているものである。第1発明と異なるところは、
トーチ電極6が、シールドガス供給管3のガス進行方向
出口5から露出した状態で配設されていることである。
このような配置にすることにより、ガス供給管3が開口
部4を有していない場合においても、本願の課題を達成
することが出来る。
照して説明する。図2は本願第2発明(請求項2)に係
る装置の一例を示し、(a)図は側面図、(b)図は平
面図を表す。また図中の矢印はシールドガスの進行方向
を示す。本願の第2発明は上述したように、上記ボンデ
ィング方法に用いるトーチ装置において、シールドガス
進行方向出口5が開放されてなるシールドガス供給管3
と、該供給管3のガス進行方向出口5に配設されるトー
チ電極6とを備え、該トーチ電極6は、電極放電部6a
真上の面6bが該面6bの前後に遮蔽物のない直進する
ガス進路上にあると共に、該放電部6aが前記シールド
ガス供給管3のガス進行方向出口5から露出した状態
で、且つ電極放電部6aの中心軸とシールドガス供給管
3の中心軸のなす角度が10度以内となるようにして配
設されているものである。第1発明と異なるところは、
トーチ電極6が、シールドガス供給管3のガス進行方向
出口5から露出した状態で配設されていることである。
このような配置にすることにより、ガス供給管3が開口
部4を有していない場合においても、本願の課題を達成
することが出来る。
【0017】以下、第1発明と重複する部分は説明を省
略し、第2発明の要部について説明すれば、シールドガ
ス供給管3は上部開口部4を備えておらず、またトーチ
電極6は、その電極放電部6aがシールドガス供給管3
のガス進行方向出口5から露出した状態になるよう配設
される。
略し、第2発明の要部について説明すれば、シールドガ
ス供給管3は上部開口部4を備えておらず、またトーチ
電極6は、その電極放電部6aがシールドガス供給管3
のガス進行方向出口5から露出した状態になるよう配設
される。
【0018】即ち、図2に示す例において、トーチ電極
6は、その電極放電部6aがガス供給管3のガス進行方
向出口5から露出し、さらに第1発明と同様に、電極放
電部6aの真上の面(電極放電面)6bがその前後に遮
蔽物のない直進するガス進路上にあるように配設され、
且つ電極放電部6aの中心軸とガス供給管3の中心軸の
なす角度が10度以内となるよう、ガス供給管3に取り
付けられる。前記角度は5度以内であることが好まし
く、0度であることが最も好ましい。
6は、その電極放電部6aがガス供給管3のガス進行方
向出口5から露出し、さらに第1発明と同様に、電極放
電部6aの真上の面(電極放電面)6bがその前後に遮
蔽物のない直進するガス進路上にあるように配設され、
且つ電極放電部6aの中心軸とガス供給管3の中心軸の
なす角度が10度以内となるよう、ガス供給管3に取り
付けられる。前記角度は5度以内であることが好まし
く、0度であることが最も好ましい。
【0019】また第2発明においても、トーチ電極6の
先端部6c方向はシールドガス進行方向と同じ方向で
も、対向する方向でも良いが、対向する方向に配設する
方が好ましい。図2においては同じ方向の配設例を示す
が、対向する方向に配設する場合は図示しないが、回動
装置9をガス供給管3におけるガス進行方向出口5の前
方(図2においてキャピラリー1の右側)に設け、この
回動装置9によりトーチ電極6を支持し、ボール8を形
成する時はキャピラリー1下方に来るようにトーチ電極
6を位置せしめ、ボール8形成後に該ボール8をICチ
ップ上に圧着する時は、トーチ電極6をキャピラリー1
の下方から側方に回動退避させるよう構成する。
先端部6c方向はシールドガス進行方向と同じ方向で
も、対向する方向でも良いが、対向する方向に配設する
方が好ましい。図2においては同じ方向の配設例を示す
が、対向する方向に配設する場合は図示しないが、回動
装置9をガス供給管3におけるガス進行方向出口5の前
方(図2においてキャピラリー1の右側)に設け、この
回動装置9によりトーチ電極6を支持し、ボール8を形
成する時はキャピラリー1下方に来るようにトーチ電極
6を位置せしめ、ボール8形成後に該ボール8をICチ
ップ上に圧着する時は、トーチ電極6をキャピラリー1
の下方から側方に回動退避させるよう構成する。
【0020】而して、本願第1発明及び第2発明におい
て以上のような構成にすることにより、Pb、Snをベ
ース金属とする所謂半田線を用いた場合において、ワイ
ヤ先端をトーチ電極を用いて放電、溶融し接続用ボール
を形成しても、ボールの球状性不良品の発生頻度、及
び、圧着に失敗する不圧着やワイヤ偏心ボールが発生す
る等の不良品の発生頻度を大幅に低減出来る。本発明の
構成にすることによりこのような優れた効果を有する理
由は明らかではないが、従来用いられているシールドガ
スの流路が主体的に直角に曲がったり、複数のガス供給
源を用いてガス流路に乱流を生じたりする装置であるこ
とに対して、本発明ではトーチ電極の電極放電面上を直
進するシールドガスの進路を阻害する遮蔽物のない構造
であること、及びシールドガスの流れがガス進行方向に
対して直進する方向であることが、シールドガスの流れ
を確実に安定させて、ボールの球状性不良、不圧着やワ
イヤ偏心ボール生成等の不良の発生頻度を大幅に低減出
来るという優れた効果を奏することが出来ると考えられ
る。
て以上のような構成にすることにより、Pb、Snをベ
ース金属とする所謂半田線を用いた場合において、ワイ
ヤ先端をトーチ電極を用いて放電、溶融し接続用ボール
を形成しても、ボールの球状性不良品の発生頻度、及
び、圧着に失敗する不圧着やワイヤ偏心ボールが発生す
る等の不良品の発生頻度を大幅に低減出来る。本発明の
構成にすることによりこのような優れた効果を有する理
由は明らかではないが、従来用いられているシールドガ
スの流路が主体的に直角に曲がったり、複数のガス供給
源を用いてガス流路に乱流を生じたりする装置であるこ
とに対して、本発明ではトーチ電極の電極放電面上を直
進するシールドガスの進路を阻害する遮蔽物のない構造
であること、及びシールドガスの流れがガス進行方向に
対して直進する方向であることが、シールドガスの流れ
を確実に安定させて、ボールの球状性不良、不圧着やワ
イヤ偏心ボール生成等の不良の発生頻度を大幅に低減出
来るという優れた効果を奏することが出来ると考えられ
る。
【0021】
【実施例】以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れに限定されるものではない。 (実施例1)5重量%Sn−Pb組成の半田を溶解し、
回転している円筒ドラム内の水槽中で急冷凝固させ、直
径0.3mmの素線を得て、これを直径0.04mm迄
伸線加工して半田ワイヤを製造した。この半田ワイヤを
用いて、図1に示すトーチ装置を用いて次の通り接続用
ボール8の形成及び該ボール8によるボンディング試験
を行った。トーチ電極6として、電極放電部6a真上の
面6bを通過する直進ガス進路上に遮蔽物を避けるよう
に、電極保持腕7を前記直進ガス進路の側方に設けたも
のを用いた。トーチ電極6の位置は、シールドガス供給
管3の上部開口部4に露出させた位置とし、トーチ電極
6とガス供給管3の両中心軸のなす角度が0度となるよ
うにした。シールドガスとして10容量%のH2 を含ん
だArガスを矢印方向から供給し、トーチ電極6の先端
部7方向はシールドガス進行方向と対向する方向とし
た。
れに限定されるものではない。 (実施例1)5重量%Sn−Pb組成の半田を溶解し、
回転している円筒ドラム内の水槽中で急冷凝固させ、直
径0.3mmの素線を得て、これを直径0.04mm迄
伸線加工して半田ワイヤを製造した。この半田ワイヤを
用いて、図1に示すトーチ装置を用いて次の通り接続用
ボール8の形成及び該ボール8によるボンディング試験
を行った。トーチ電極6として、電極放電部6a真上の
面6bを通過する直進ガス進路上に遮蔽物を避けるよう
に、電極保持腕7を前記直進ガス進路の側方に設けたも
のを用いた。トーチ電極6の位置は、シールドガス供給
管3の上部開口部4に露出させた位置とし、トーチ電極
6とガス供給管3の両中心軸のなす角度が0度となるよ
うにした。シールドガスとして10容量%のH2 を含ん
だArガスを矢印方向から供給し、トーチ電極6の先端
部7方向はシールドガス進行方向と対向する方向とし
た。
【0022】このような構造にして、シールドガス供給
管3の開口部4内に位置せしめたキャピラリー1の下端
からワイヤ2を導出し、その先端を放電、溶融し接続用
ボール8を形成した。次いで回動装置9を回動させて、
シールドガス供給管3とトーチ電極6を側方に退避さ
せ、その後キャピラリー1を下降させて下方のICチッ
プ電極(図示せず)上にボール8をボンディングした。
ボンディング条件は0.8W出力の超音波を併用し、5
0gの荷重で30ミリ秒加圧した。このようにして20
万ボンドのボンディングを行い、ボールの球状性不良品
の発生個数、不圧着とワイヤ偏心ボールの発生個数を測
定した。
管3の開口部4内に位置せしめたキャピラリー1の下端
からワイヤ2を導出し、その先端を放電、溶融し接続用
ボール8を形成した。次いで回動装置9を回動させて、
シールドガス供給管3とトーチ電極6を側方に退避さ
せ、その後キャピラリー1を下降させて下方のICチッ
プ電極(図示せず)上にボール8をボンディングした。
ボンディング条件は0.8W出力の超音波を併用し、5
0gの荷重で30ミリ秒加圧した。このようにして20
万ボンドのボンディングを行い、ボールの球状性不良品
の発生個数、不圧着とワイヤ偏心ボールの発生個数を測
定した。
【0023】ボールの球状性(真球度)は形成されたボ
ールを顕微鏡で観察し、直径の最大値(大径)に対する
最小値(小径)の比率(小径/大径)が0.8以上のも
のを良好、0.8未満のものを不良品とした。不圧着発
生個数はボンディグ後、接続部を顕微鏡で観察して不圧
着個数をカウントした。ワイヤ偏心ボール発生個数はボ
ンディング後のワイヤ偏心個数と対応しているため、ボ
ンディング後のワイヤ偏心を顕微鏡で観察して不良個数
をカウントした。具体的にはボンディング後の圧着径を
4等分して両端1/4部位にワイヤ中心がある時ワイヤ
偏心ボールによる不良とした。本試験に用いた半田材
料、電極放電部の真上を通過する直進ガス進路上に対す
る電極保持腕の有無,トーチ電極位置,ガス進行方向と
トーチ電極先端部方向の関係,ガス進行方向に対する放
電電極面の平行度(ガス供給管とトーチ電極の中心軸角
度)等のトーチ装置の特徴、該装置を示す図面番号、及
び不良個数の測定結果等を表1〜表3に示す。
ールを顕微鏡で観察し、直径の最大値(大径)に対する
最小値(小径)の比率(小径/大径)が0.8以上のも
のを良好、0.8未満のものを不良品とした。不圧着発
生個数はボンディグ後、接続部を顕微鏡で観察して不圧
着個数をカウントした。ワイヤ偏心ボール発生個数はボ
ンディング後のワイヤ偏心個数と対応しているため、ボ
ンディング後のワイヤ偏心を顕微鏡で観察して不良個数
をカウントした。具体的にはボンディング後の圧着径を
4等分して両端1/4部位にワイヤ中心がある時ワイヤ
偏心ボールによる不良とした。本試験に用いた半田材
料、電極放電部の真上を通過する直進ガス進路上に対す
る電極保持腕の有無,トーチ電極位置,ガス進行方向と
トーチ電極先端部方向の関係,ガス進行方向に対する放
電電極面の平行度(ガス供給管とトーチ電極の中心軸角
度)等のトーチ装置の特徴、該装置を示す図面番号、及
び不良個数の測定結果等を表1〜表3に示す。
【0024】(実施例2〜13)試験に用いた半田材
料、トーチ装置の特徴、該装置を示す図面番号等を表中
記載のようにしたこと以外は、実施例1と同様にして試
験を行った。その試験条件と測定結果を表1〜表3に示
す。
料、トーチ装置の特徴、該装置を示す図面番号等を表中
記載のようにしたこと以外は、実施例1と同様にして試
験を行った。その試験条件と測定結果を表1〜表3に示
す。
【0025】(比較例1)図3に示すように、電極放電
部6aを保持する電極保持腕7が、電極放電面6b上を
直進するシールドガスの進路を阻害する位置に設けられ
ているトーチ装置を用いたこと以外は、実施例1と同様
にして試験を行った。その試験条件と測定結果を表1〜
表3に示す。
部6aを保持する電極保持腕7が、電極放電面6b上を
直進するシールドガスの進路を阻害する位置に設けられ
ているトーチ装置を用いたこと以外は、実施例1と同様
にして試験を行った。その試験条件と測定結果を表1〜
表3に示す。
【0026】(比較例2)ガス供給管とトーチ電極の中
心軸角度が20度であること以外は実施例1と同様にし
て試験を行った。その試験条件と測定結果を表1〜表3
に示す。
心軸角度が20度であること以外は実施例1と同様にし
て試験を行った。その試験条件と測定結果を表1〜表3
に示す。
【0027】(比較例3〜5)試験に用いた半田材料を
表中記載のものとし、且つ表中記載のように図5〜6に
示す装置を用いてボンディング試験を行った。ワイヤ外
径、シールドガスは実施例1と同様にした。その試験条
件と測定結果を表1〜表3に示す。
表中記載のものとし、且つ表中記載のように図5〜6に
示す装置を用いてボンディング試験を行った。ワイヤ外
径、シールドガスは実施例1と同様にした。その試験条
件と測定結果を表1〜表3に示す。
【0028】
【表1】
【0029】
【表2】
【0030】
【表3】
【0031】以上の測定結果から、従来提案されている
シールドガス供給装置(図3〜6)と対比して、本発明
の構成(図1〜2)になるトーチ装置とすることによ
り、本願課題に対して優れた効果を有することが判る。
即ち、本願のトーチ装置の構造が、電極放電部の真上の
面がその前後に遮蔽物のない直進するガス進路上にある
ように配設されていることにより、本願の課題に対して
優れた効果を有するものである。この理由は明らかでは
ないが、電極放電部真上の面に直進性の良いシールドガ
スを供給することにより、ボール形成部におけるガスの
流れをより確実に安定にしつつ、大気の巻き込みを防止
出来るためにこのような優れた効果を生じていると考え
られる。
シールドガス供給装置(図3〜6)と対比して、本発明
の構成(図1〜2)になるトーチ装置とすることによ
り、本願課題に対して優れた効果を有することが判る。
即ち、本願のトーチ装置の構造が、電極放電部の真上の
面がその前後に遮蔽物のない直進するガス進路上にある
ように配設されていることにより、本願の課題に対して
優れた効果を有するものである。この理由は明らかでは
ないが、電極放電部真上の面に直進性の良いシールドガ
スを供給することにより、ボール形成部におけるガスの
流れをより確実に安定にしつつ、大気の巻き込みを防止
出来るためにこのような優れた効果を生じていると考え
られる。
【0032】またその中でも、トーチ電極の先端部方向
とシールドガス進行方向は、同方向より対向方向である
方が優れた効果を示す(実施例4〜6、10〜12と対
比した実施例1〜3、7〜9から)ため、対向方向で用
いることが好ましいことが判る。このように対向方向で
用いる方が優れた効果を有する理由は、対向方向である
方が、ボール形成部におけるガスの流れを安定にしつ
つ、大気の巻き込みを防止出来る効果が大きいために、
このような優れた効果を生じていると考えられる。
とシールドガス進行方向は、同方向より対向方向である
方が優れた効果を示す(実施例4〜6、10〜12と対
比した実施例1〜3、7〜9から)ため、対向方向で用
いることが好ましいことが判る。このように対向方向で
用いる方が優れた効果を有する理由は、対向方向である
方が、ボール形成部におけるガスの流れを安定にしつ
つ、大気の巻き込みを防止出来る効果が大きいために、
このような優れた効果を生じていると考えられる。
【0033】さらにその中でも、シールドガス供給管と
トーチ電極の両中心軸のなす角度が5度以内であると、
更に優れた効果を示す(実施例3、6、9、12と対比
した実施例1〜2、4〜5、7〜8、10〜11から)
ため、前記角度が5度以内で用いることが好ましい。
トーチ電極の両中心軸のなす角度が5度以内であると、
更に優れた効果を示す(実施例3、6、9、12と対比
した実施例1〜2、4〜5、7〜8、10〜11から)
ため、前記角度が5度以内で用いることが好ましい。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本願発明は、シール
ドガス供給管から供給されるシールドガスでトーチ電極
とワイヤの先端領域を大気からシールドしつつ、キャピ
ラリー下端から導出したワイヤ先端を、トーチ電極で放
電、溶融して接続用ボールを形成するボンディングトー
チ装置において、第1発明にあっては、上記シールドガ
ス供給管は上部に開口部を有すると共にシールドガス進
行方向出口を開放し、トーチ電極は電極放電部真上の面
がその前後に遮蔽物のない直進するガス進路上にあると
共に電極放電部がシールドガス供給管の内部で且つ開口
部から露出した状態で収納され、さらにトーチ電極の中
心軸とシールドガス供給管の中心軸のなす角度が10度
以内となるようトーチ電極を配設し、第2発明にあって
は、上記シールドガス供給管はシールドガス進行方向出
口を開放し、トーチ電極は電極放電部真上の面がその前
後に遮蔽物のない直進するガス進路上にあると共に電極
放電部がシールドガス供給管のガス進行方向出口から露
出した状態で、且つトーチ電極中心軸とシールドガス供
給管の中心軸のなす角度が10度以内となるよう配設さ
れた新規な構成を採用する。よって、従来のトーチ装置
がシールドガスの流路を主体的に直角に曲げたり、複数
のガス供給源を用いてガス流路に乱流を生じさせる構造
であることに対し、本発明では、トーチ電極の電極放電
面上を直進するシールドガスの進路を阻害する遮蔽物の
ない構造であること及びシールドガスの流れがガス進行
方向に対して直進する方向であるためシールドガスの流
れを確実に安定させることができ、Pb、Snをベース
金属とする化学的に不安定な半田ワイヤの先端をトーチ
電極で放電、溶融して接続用ボールを形成した場合、ボ
ールの球状性不良品の発生頻度、圧着に失敗する不圧着
やワイヤ偏心ボールが発生する等の不良品の発生頻度を
大幅に低減することが出来る。従って、ICチップと基
板を半田バンプを用いて接続する際に、半田ワイヤ先端
に良好なボンディング用ボールを形成し得る装置として
好適に用いることが出来る。
ドガス供給管から供給されるシールドガスでトーチ電極
とワイヤの先端領域を大気からシールドしつつ、キャピ
ラリー下端から導出したワイヤ先端を、トーチ電極で放
電、溶融して接続用ボールを形成するボンディングトー
チ装置において、第1発明にあっては、上記シールドガ
ス供給管は上部に開口部を有すると共にシールドガス進
行方向出口を開放し、トーチ電極は電極放電部真上の面
がその前後に遮蔽物のない直進するガス進路上にあると
共に電極放電部がシールドガス供給管の内部で且つ開口
部から露出した状態で収納され、さらにトーチ電極の中
心軸とシールドガス供給管の中心軸のなす角度が10度
以内となるようトーチ電極を配設し、第2発明にあって
は、上記シールドガス供給管はシールドガス進行方向出
口を開放し、トーチ電極は電極放電部真上の面がその前
後に遮蔽物のない直進するガス進路上にあると共に電極
放電部がシールドガス供給管のガス進行方向出口から露
出した状態で、且つトーチ電極中心軸とシールドガス供
給管の中心軸のなす角度が10度以内となるよう配設さ
れた新規な構成を採用する。よって、従来のトーチ装置
がシールドガスの流路を主体的に直角に曲げたり、複数
のガス供給源を用いてガス流路に乱流を生じさせる構造
であることに対し、本発明では、トーチ電極の電極放電
面上を直進するシールドガスの進路を阻害する遮蔽物の
ない構造であること及びシールドガスの流れがガス進行
方向に対して直進する方向であるためシールドガスの流
れを確実に安定させることができ、Pb、Snをベース
金属とする化学的に不安定な半田ワイヤの先端をトーチ
電極で放電、溶融して接続用ボールを形成した場合、ボ
ールの球状性不良品の発生頻度、圧着に失敗する不圧着
やワイヤ偏心ボールが発生する等の不良品の発生頻度を
大幅に低減することが出来る。従って、ICチップと基
板を半田バンプを用いて接続する際に、半田ワイヤ先端
に良好なボンディング用ボールを形成し得る装置として
好適に用いることが出来る。
【図1】 本願第1発明に係るトーチ装置の一例の概略
を示し、(a)は側面図、(b)はキャピラリーを省略
した平面図である。
を示し、(a)は側面図、(b)はキャピラリーを省略
した平面図である。
【図2】 本願第2発明に係るトーチ装置の一例の概略
を示し、(a)は側面図、(b)はキャピラリーを省略
した平面図である。
を示し、(a)は側面図、(b)はキャピラリーを省略
した平面図である。
【図3】 トーチ電極の電極放電部を保持する電極保持
腕が、電極放電面上を直進するシールドガスの進路を阻
害する位置にあるトーチ装置の一例を示し、(a)は側
面図、(b)はキャピラリーを省略した平面図である。
腕が、電極放電面上を直進するシールドガスの進路を阻
害する位置にあるトーチ装置の一例を示し、(a)は側
面図、(b)はキャピラリーを省略した平面図である。
【図4】 従来のトーチ装置を示す概略図。
【図5】 従来のトーチ装置を示す概略図。
【図6】 従来のトーチ装置を示す概略図。
【図7】 ワイヤ偏心ボールの概略図。
1:キャピラリー 2:ワイヤ 3:シールドガス供給管 4:開口部 5:シールドガス進行方向出口 6:トーチ電極 6a:電極放電部 6b:電極放電部真上の面(電極放電面) 6c:先端部 7:電極保持腕 8:接続用ボール 9:回動装置
Claims (2)
- 【請求項1】 ICチップと基板を半田バンプを用いて
接続するに際して、キャピラリーに挿通されたワイヤの
先端を放電、溶融させてボールを形成するボンディング
用トーチ装置において、上部に開口部を有し、シールド
ガス進行方向出口が開放されてなるシールドガス供給管
と、該供給管内に収納されるトーチ電極とを備え、該ト
ーチ電極は電極放電部真上の面がその前後に遮蔽物のな
い直進するガス進路上にあると共に、前記電極放電部が
前記シールドガス供給管の内部で開口部から露出した状
態で、且つその中心軸とシールドガス供給管の中心軸の
なす角度が10度以内となるようにして収納されている
ことを特徴とするボンディング用トーチ装置。 - 【請求項2】 ICチップと基板を半田バンプを用いて
接続するに際して、キャピラリーに挿通されたワイヤの
先端を放電、溶融させてボールを形成するボンディング
用トーチ装置において、シールドガス進行方向出口が開
放されてなるシールドガス供給管と、該供給管のガス進
行方向出口に配設されるトーチ電極とを備え、該トーチ
電極は電極放電部真上の面がその前後に遮蔽物のない直
進するガス進路上にあると共に、前記電極放電部が前記
シールドガス供給管のガス進行方向出口から露出した状
態で、且つその中心軸とシールドガス供給管の中心軸の
なす角度が10度以内となるようにして配設されている
ことを特徴とするボンディング用トーチ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7176108A JPH0927501A (ja) | 1995-07-12 | 1995-07-12 | ボンディング用トーチ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7176108A JPH0927501A (ja) | 1995-07-12 | 1995-07-12 | ボンディング用トーチ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0927501A true JPH0927501A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=16007837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7176108A Pending JPH0927501A (ja) | 1995-07-12 | 1995-07-12 | ボンディング用トーチ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0927501A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6455785B1 (en) | 1998-10-28 | 2002-09-24 | International Business Machines Corporation | Bump connection with stacked metal balls |
-
1995
- 1995-07-12 JP JP7176108A patent/JPH0927501A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6455785B1 (en) | 1998-10-28 | 2002-09-24 | International Business Machines Corporation | Bump connection with stacked metal balls |
US7021521B2 (en) | 1998-10-28 | 2006-04-04 | International Business Machines Corporation | Bump connection and method and apparatus for forming said connection |
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