JPH0927495A - Manufacture of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents
Manufacture of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatusInfo
- Publication number
- JPH0927495A JPH0927495A JP17646795A JP17646795A JPH0927495A JP H0927495 A JPH0927495 A JP H0927495A JP 17646795 A JP17646795 A JP 17646795A JP 17646795 A JP17646795 A JP 17646795A JP H0927495 A JPH0927495 A JP H0927495A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- coating film
- thin film
- manufacturing apparatus
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
および半導体製造装置に関し、特に層間絶縁膜などの表
面の局所段差のみでなくグローバルな段差をも平坦化す
ることができる半導体装置の製造方法および半導体製造
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to manufacturing of a semiconductor device capable of flattening not only local steps on a surface of an interlayer insulating film but also global steps. A method and a semiconductor manufacturing apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年の半導体装置の高集積化にともない
配線間スペースは狭まり、配線における時定数が大きく
なることは避けられない。このような状況下、デバイス
に要求される高速性や低消費電力といった性能は、ます
ます高まるばかりであるため、配線の厚膜化による低抵
抗化で対応せざるを得ないのが現状である。2. Description of the Related Art With the recent increase in the integration of semiconductor devices, the space between wirings is becoming narrower and it is inevitable that the time constant of wirings will be larger. Under these circumstances, the performance required for devices such as high speed and low power consumption is increasing more and more, so it is unavoidable to cope with low resistance by thickening wiring. .
【0003】ところが、配線を厚膜化すると必然的にそ
の膜厚分の段差が発生するため、以降のリソグラフィー
工程で十分なDOF(Depth of Focus)を確保すること
が困難となる。したがって、配線を厚膜化してもDOF
不足を回避するためには、配線層間の平坦化が必要にな
る。However, if the wiring is made thicker, a step corresponding to the film thickness is inevitably generated, so that it becomes difficult to secure a sufficient DOF (Depth of Focus) in the subsequent lithography process. Therefore, even if the wiring is thickened, the DOF
In order to avoid the shortage, it is necessary to flatten the wiring layers.
【0004】この種の平坦化技術としては、従来よりS
OG(Spin on Glass )やREB(Resist Etch Back)
が実用化されており、その他にダミーパターンプロセス
やCPM(Chemical Mechanical Polishing )が知られ
ている。As a flattening technique of this kind, S has been conventionally used.
OG (Spin on Glass) and REB (Resist Etch Back)
Has been put into practical use, and a dummy pattern process and CPM (Chemical Mechanical Polishing) are also known.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、SOG
とREBによる平坦化は、線間スペース(Line/S
pace)が数μm程度までのローカル(Local )な段
差に対してのみ有効であり、DOFを確保するのに必要
な数mmレベルのグローバル(Global)な段差に対して
は充分な平坦化を達成することができないという問題が
あった。SUMMARY OF THE INVENTION However, SOG
And REB for flattening the space between lines (Line / S
is effective only for local steps up to a few μm, and achieves sufficient flattening for several steps of several mm level required to secure DOF. There was a problem that I could not do it.
【0006】一方、ダミーパターンプロセスとCPM
は、グローバルな平坦化は可能であるものの、ダミーパ
ターンプロセスには配線層でダミーパターンを形成する
と不良解析が困難になるという問題があり、絶縁層でダ
ミーパターンを形成するとプロセス数が増加してプロセ
スコスト高くなるという欠点があった。また、CPMは
未だ未知の技術であり、あらゆるタイプのデバイスに対
して適用できるかどうかも判明していない。On the other hand, the dummy pattern process and CPM
Although global flattening is possible, there is a problem in the dummy pattern process that it becomes difficult to perform defect analysis if a dummy pattern is formed in the wiring layer.If the dummy pattern is formed in the insulating layer, the number of processes increases. It has the drawback of high process costs. Moreover, CPM is still unknown technology, and it is not known whether it can be applied to all types of devices.
【0007】このように、グローバルな平坦化が可能な
ダミーパターンプロセスとCPMには、技術的およびコ
スト的な問題があり、実用化できるか不明であることか
ら、従来のSOGやREBによる平坦化技術を改良し
て、グローバルな段差に対しても平坦化を達成すること
が望まれていた。As described above, the dummy pattern process and CPM capable of global planarization have technical and cost problems, and it is unclear whether they can be put to practical use. Therefore, conventional planarization by SOG or REB is used. It has been desired to improve the technology to achieve flattening even for global steps.
【0008】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、グローバルな段差に対して
も平坦化できる半導体装置の製造方法および半導体製造
装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor manufacturing apparatus capable of flattening a global step. To do.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置の製造方法は、基板の上部に塗
布液を塗布して塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜の
上部に薄膜フィルムを敷設する工程と、前記薄膜フィル
ム上から前記塗布膜を均一に加圧する工程とを有するこ
とを特徴とする。薄膜フィルムは、たとえば有機物膜で
構成される。薄膜フィルムの厚さは、特に限定されない
が、たとえば数百nm〜数μm程度である。In order to achieve the above object, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention comprises a step of applying a coating liquid on an upper portion of a substrate to form a coating film, and an upper portion of the coating film. And a step of uniformly pressing the coating film on the thin film. The thin film is composed of, for example, an organic film. The thickness of the thin film is not particularly limited, but is, for example, about several hundred nm to several μm.
【0010】加圧圧力は、特に限定されないが、たとえ
ば200〜1000g/cm2 である。前記薄膜フィル
ムは、加圧工程の後にエッチングにより除去することが
でき、あるいは加圧工程の後に、塗布膜および塗布膜の
下部に形成された絶縁膜と共にエッチバックすることに
より除去することもできる。The pressurizing pressure is not particularly limited, but is, for example, 200 to 1000 g / cm 2 . The thin film may be removed by etching after the pressing step, or may be removed by etching back with the coating film and the insulating film formed under the coating film after the pressing step.
【0011】前記薄膜フィルムは、半導体装置を汚染し
ない材料から形成することが好ましく、多孔質であるこ
とがより好ましい。また、少なくとも前記薄膜フィルム
の敷設工程および前記加圧工程が、前記塗布液の溶媒雰
囲気下で処理されることがより好ましい。The thin film is preferably made of a material which does not contaminate the semiconductor device, and more preferably porous. It is more preferable that at least the thin film laying step and the pressurizing step are performed in a solvent atmosphere of the coating liquid.
【0012】上記目的を達成するために、本発明の半導
体製造装置は、表面に塗布膜が形成された基板を載置す
るためのベースプレートと、前記塗布膜を均一に加圧す
るように前記ベースプレートに対し相対的に接近離反可
能に設けられた加圧プレートとを有することを特徴とす
る。In order to achieve the above object, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention includes a base plate for mounting a substrate having a coating film formed on the surface thereof, and a base plate for uniformly pressing the coating film. And a pressure plate provided so as to be relatively close to and away from each other.
【0013】前記塗布膜は、滴下により形成することが
できるが、スピンコート法により形成することがより好
ましい。前記ベースプレートは、回転可能に設けた回転
プレートでも良いし、加熱手段を有するホットプレート
であっても良い。または、これら回転プレートとホット
プレートとを組み合わせても良い。The coating film can be formed by dripping, but it is more preferably formed by a spin coating method. The base plate may be a rotatably provided rotary plate or a hot plate having a heating means. Alternatively, these rotating plate and hot plate may be combined.
【0014】さらに、前記ベースプレートおよび前記加
圧プレートは、前記塗布膜の溶媒が導入されるチャンバ
内に設けることがより好ましい。Further, it is more preferable that the base plate and the pressure plate are provided in a chamber into which the solvent of the coating film is introduced.
【0015】[0015]
【作用】本発明の半導体装置の製造方法および半導体製
造装置では、基板の上部に塗布液を塗布して塗布膜を形
成し、塗布膜の上部に有機化合物からなる薄膜フィルム
を敷設した後、薄膜フィルム上から塗布膜を均一に加圧
するので、特に塗布膜がグローバルな段差(たとえば段
差の幅が数十μm 以上で、段差の高さが0.5〜1.0
μm )を有していても、薄膜フィルムを介して塗布膜が
平坦化される。なお、本発明による方法は、基本的には
塗布膜による平坦化方法なので、局所段差の埋め込み
も、当然のことながら可能である。In the method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, the coating liquid is applied on the substrate to form a coating film, and a thin film made of an organic compound is laid on the coating film. Since the coating film is uniformly pressed from above the film, the coating film has a global step (for example, the step width is several tens of μm or more, and the step height is 0.5 to 1.0 μm).
.mu.m), the coating film is flattened through the thin film. Since the method according to the present invention is basically a planarization method using a coating film, it is naturally possible to embed a local step.
【0016】薄膜フィルムを多孔質とすれば、加圧時に
塗布膜と薄膜フィルムとの間に入ったエアーを排出する
ことができる。また、少なくとも薄膜フィルムの敷設工
程および加圧工程を塗布液の溶媒雰囲気下で処理すれ
ば、加圧工程時において、塗布膜からの溶媒蒸発が抑制
され塗布膜の粘性が低い状態で維持されるので、より平
坦化が達成される。If the thin film is made porous, the air that has entered between the coating film and the thin film can be discharged when pressure is applied. Further, if at least the thin film laying step and the pressurizing step are processed in the solvent atmosphere of the coating liquid, the solvent evaporation from the coating film is suppressed and the viscosity of the coating film is kept low during the pressing step. Therefore, more planarization is achieved.
【0017】本発明の半導体製造装置のベースプレート
を回転可能とすれば、塗布膜を形成する際に当該ベース
プレートを用いることができる。また、塗布膜を形成し
た後に当該ベースプレートに載置してさらに回転させれ
ば、塗布膜がより引き延ばされ、この塗布膜上に薄膜フ
ィルムを迅速に敷設することにより、塗布膜がより平坦
化される。If the base plate of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is rotatable, the base plate can be used when forming a coating film. Moreover, after the coating film is formed, if the coating film is placed on the base plate and further rotated, the coating film is further stretched, and by quickly laying a thin film on the coating film, the coating film becomes flatter. Be converted.
【0018】さらに、本発明の半導体製造装置のベース
プレートに加熱手段を設ければ、塗布膜を加熱すること
ができるので、塗布膜の粘性が低下し、流れ易くなるの
で、さらに平坦化が向上する。Further, if the heating means is provided on the base plate of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, the coating film can be heated, so that the viscosity of the coating film is lowered and the coating film easily flows, so that the flatness is further improved. .
【0019】[0019]
【実施例】本発明は、スピンコート法等による薄膜形成
において、ウェハ面に圧力を加えることで平坦性を改善
することができる半導体装置の製造方法と半導体製造装
置を提供するものである。以下、本発明の半導体装置の
製造方法と半導体製造装置のそれぞれの実施例を図面に
基づいて説明する。半導体製造装置 本発明の一実施例に係る半導体製造装置を図1に示す。
本実施例の半導体製造装置では、ウェハが載置されるベ
ースプレート1を有しており、このベースプレート1に
対して接近離反可能に加圧プレート4が設けられてい
る。加圧プレート4の加圧面4aは充分な平坦度に研磨
加工されており、図示しない加圧機構によってベースプ
レート1に載置されたウェハ2を所望の圧力で加圧でき
るようになっている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention provides a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor manufacturing apparatus capable of improving flatness by applying pressure to a wafer surface in thin film formation by spin coating or the like. Embodiments of a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. Semiconductor Manufacturing Apparatus FIG. 1 shows a semiconductor manufacturing apparatus according to one embodiment of the present invention.
The semiconductor manufacturing apparatus of this embodiment has a base plate 1 on which a wafer is placed, and a pressure plate 4 is provided so as to be able to approach and separate from the base plate 1. The pressing surface 4a of the pressing plate 4 is polished to have a sufficient flatness so that the wafer 2 mounted on the base plate 1 can be pressed at a desired pressure by a pressing mechanism (not shown).
【0020】このような半導体製造装置を用いてウェハ
2表面に形成されたSOG膜やレジスト膜などの各種塗
布膜を平坦化する場合は、まず塗布液を回転塗布した後
のウェハ2をベースプレート1の上に載置し、この塗布
膜上に、例えばノボラック樹脂などのような有機化合物
により形成された数百nm〜数μm程度の厚さの薄膜フ
ィルム3を敷設した後、加圧プレート4を下降させて加
圧面4aでウェハ2表面を均一に例えば500g/cm
2 程度の圧力で加圧する。これにより、塗布膜は、加圧
プレート4の加圧面4aおよび薄膜フィルム3にしたが
って平坦化され、グローバルな段差を有していても充分
な平坦化を達成することができる。なお、加圧後にウェ
ハ2上に付着している薄膜フィルム3は、O2 プラズマ
等のドライエッチングや硫酸過水等のウェットエッチン
グにより取り除く。In the case of flattening various coating films such as SOG film and resist film formed on the surface of the wafer 2 by using such a semiconductor manufacturing apparatus, first, the wafer 2 after spin-coating the coating liquid is applied to the base plate 1 The thin film 3 having a thickness of about several hundred nm to several μm and made of an organic compound such as novolac resin is laid on the coating film, and then the pressure plate 4 is placed. The surface of the wafer 2 is uniformly lowered by the pressing surface 4a, for example, 500 g / cm.
Pressurize at a pressure of about 2 . As a result, the coating film is flattened according to the pressing surface 4a of the pressing plate 4 and the thin film 3, and sufficient flattening can be achieved even if there is a global step. The thin film 3 adhered on the wafer 2 after the pressing is removed by dry etching such as O 2 plasma or wet etching such as sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture.
【0021】本発明の半導体製造装置は、上記実施例に
のみ限定されることなく種々に改変することができる。
図2は本発明の半導体製造装置の他の実施例を示す側面
図である。本実施例の半導体製造装置では、ベースプレ
ートが回転可能に設けられた回転プレート5からなり、
その他の構成は図1に示す実施例と同じである。The semiconductor manufacturing apparatus of the present invention can be variously modified without being limited to the above embodiment.
FIG. 2 is a side view showing another embodiment of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention. In the semiconductor manufacturing apparatus of this embodiment, the base plate is composed of the rotatable plate 5 rotatably provided,
The other structure is the same as that of the embodiment shown in FIG.
【0022】このような半導体製造装置を用いてウェハ
2表面に形成されたSOG膜やレジスト膜などの各種塗
布膜を平坦化する場合は、まず塗布液が回転塗布された
ウェハ2を回転プレート5の上に載置した後、回転プレ
ート5を回転させながら塗布された塗布液をさらに所望
の厚さに引き延ばす。塗布液が十分に引き延ばされた
ら、回転プレート5の回転を停止し、塗布膜上に、例え
ばノボラック樹脂などのような有機化合物により形成さ
れた数百nm〜数μm程度の厚さの薄膜フィルム3を敷
設した後、加圧プレート4を下降させて加圧面4aでウ
ェハ2表面を均一に例えば500g/cm2 程度の圧力
で加圧する。In the case of flattening various coating films such as SOG film and resist film formed on the surface of the wafer 2 by using such a semiconductor manufacturing apparatus, first, the wafer 2 coated with the coating liquid is rotated on the rotating plate 5. After being placed on the substrate, the rotating plate 5 is rotated to further spread the applied coating liquid to a desired thickness. When the coating liquid is sufficiently spread, the rotation of the rotary plate 5 is stopped, and a thin film having a thickness of about several hundred nm to several μm formed of an organic compound such as novolac resin on the coating film. After the film 3 is laid, the pressure plate 4 is lowered to uniformly press the surface of the wafer 2 with the pressure surface 4a at a pressure of, for example, about 500 g / cm 2 .
【0023】回転塗布した後のウェハ上の塗布液には粘
性が残っているものの、時間の経過と共に溶媒が蒸発し
て固形化するため、塗布後は迅速に薄膜フィルムを敷設
すると共に加圧する必要があるが、本実施例の半導体製
造装置によれば、回転プレート5が回転可能に設けられ
ているので、ウェハ2上の塗布液をさらに所望の厚さに
引き延ばした後に迅速に薄膜フィルムを敷設して加圧す
ることができる。なお、回転プレート5を用いて塗布液
を直接回転塗布することも可能である。Although the coating liquid on the wafer after spin coating remains viscous, the solvent evaporates and solidifies with the passage of time, so it is necessary to quickly lay a thin film and apply pressure after coating. However, according to the semiconductor manufacturing apparatus of this embodiment, since the rotating plate 5 is rotatably provided, the thin film is quickly laid after the coating liquid on the wafer 2 is further spread to a desired thickness. And can be pressurized. It is also possible to directly spin-coat the coating liquid using the rotary plate 5.
【0024】図3は本発明の半導体製造装置のさらに他
の実施例を示す側面図である。本実施例の半導体製造装
置では、ベースプレートが加熱手段を有するホットプレ
ート6から構成されており、その他の構成は図1に示す
実施例と同じである。最近のSOGには、有機基を増や
したりSi−H結合を作ることにより、回転塗布後の加
熱(100℃〜200℃)でフロー特性を有するものが
開発されている。このような特性をもつ塗布膜に対して
は、図3に示すようにホットプレート6の上に加圧プレ
ート4を配し、まず、この種の塗布液を回転塗布した後
のウェハ2をホットプレート6上に載置する。次に、ウ
ェハ2を所望の温度(200°C以下)で加熱しなが
ら、この塗布膜上に、例えばノボラック樹脂などのよう
な有機化合物により形成された数百nm〜数μm程度の
厚さの薄膜フィルム3を敷設した後、加圧プレート4を
下降させて加圧面4aでウェハ2表面を均一に例えば5
00g/cm2 程度の圧力で加圧する。これにより、塗
布膜のグローバルな平坦化を達成することができる。FIG. 3 is a side view showing still another embodiment of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention. In the semiconductor manufacturing apparatus of this embodiment, the base plate is composed of the hot plate 6 having a heating means, and the other structure is the same as that of the embodiment shown in FIG. Recent SOGs have been developed that have flow characteristics by heating (100 ° C. to 200 ° C.) after spin coating by increasing the number of organic groups or forming Si—H bonds. For a coating film having such characteristics, a pressure plate 4 is placed on a hot plate 6 as shown in FIG. 3, and first, the wafer 2 after being spin-coated with this type of coating solution is hot. Place on plate 6. Next, while heating the wafer 2 at a desired temperature (200 ° C. or less), a film having a thickness of several hundred nm to several μm formed of an organic compound such as a novolac resin is formed on the coating film. After the thin film 3 is laid, the pressure plate 4 is lowered to uniformly press the surface of the wafer 2 with the pressure surface 4a, for example, 5
Pressurization is performed at a pressure of about 00 g / cm 2 . Thereby, global flattening of the coating film can be achieved.
【0025】なお、本実施例のホットプレート6を回転
可能に設けることもできる。図4は、本発明の半導体製
造装置のさらに他の実施例を示す側面図である。本実施
例の半導体製造装置では、回転プレート5と加圧プレー
ト4が密閉されたチャンバ7内に設けられており、ま
た、このチャンバ7内に塗布液の溶媒と同じ溶媒を導入
するためのバブリング室8が設けられている。図2に示
す実施例で述べたように、回転塗布後のウェハ2上の塗
布液は厚さが薄いために溶媒が蒸発して固形化しやす
い。そこで、本実施例では、回転プレート5をチャンバ
7により密閉して、バブリング室に収容された塗布液と
同じ溶媒をN2 等のガスによるバブリングでチャンバ7
に導き、チャンバ7内の雰囲気を塗布液と同じ溶媒雰囲
気にする。これよりウェハ2上の溶液の溶媒の蒸発が抑
制されて粘性が保たれ、加圧により安定した平坦性を得
ることができる。The hot plate 6 of this embodiment may be rotatably provided. FIG. 4 is a side view showing still another embodiment of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention. In the semiconductor manufacturing apparatus of this embodiment, the rotary plate 5 and the pressure plate 4 are provided in a closed chamber 7, and bubbling for introducing the same solvent as the solvent of the coating liquid into the chamber 7. A room 8 is provided. As described in the embodiment shown in FIG. 2, since the coating liquid on the wafer 2 after spin coating has a small thickness, the solvent is likely to evaporate and solidify. Therefore, in the present embodiment, the rotary plate 5 is sealed by the chamber 7, and the same solvent as the coating liquid contained in the bubbling chamber is bubbled with a gas such as N 2 to form the chamber 7.
And the atmosphere in the chamber 7 is changed to the same solvent atmosphere as the coating liquid. As a result, evaporation of the solvent of the solution on the wafer 2 is suppressed, viscosity is maintained, and stable flatness can be obtained by pressurization.
【0026】なお、本実施例の回転プレートは、図1に
示すベースプレート、および図3に示すホットプレート
6の何れにも適用することができる。半導体装置の製造方法 次に、上述した本発明の半導体製造装置を用いた半導体
装置の製造方法について説明する。The rotary plate of this embodiment can be applied to both the base plate shown in FIG. 1 and the hot plate 6 shown in FIG. Method of Manufacturing Semiconductor Device Next, a method of manufacturing a semiconductor device using the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention described above will be described.
【0027】実施例1 図5(a)〜(d)は、本発明の半導体装置の製造方法
の一実施例を示す断面図であり、本実施例1はSOGに
よる平坦化に本発明を適用したものである。まず図5
(a)示すように、アルミニウム(AL)配線等により
例えば500nmの段差のついた絶縁膜9の上にSOG
10を段差以上の膜厚(例えば裸面のSi基板上で80
0nmの膜厚)に回転塗布する。次いで、例えばノボラ
ック樹脂のような有機化合物により形成された数百nm
〜数μm程度の厚さの薄膜フィルム3をウェハ上に被せ
て、加圧プレート4によりウェハ面を均一に例えば50
0g/cm2 程度の圧力により加圧する。 Example 1 FIGS. 5A to 5D are sectional views showing an example of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention. In Example 1, the present invention is applied to planarization by SOG. It was done. First, FIG.
As shown in (a), SOG is formed on the insulating film 9 having a step of, for example, 500 nm formed by aluminum (AL) wiring or the like.
10 is a film thickness equal to or larger than the step (for example, 80 on a bare Si substrate
Spin coating to a film thickness of 0 nm). Then, several hundred nm formed by an organic compound such as novolac resin
The wafer is covered with the thin film 3 having a thickness of about several μm, and the pressure plate 4 uniformly covers the wafer surface.
Pressurization is performed with a pressure of about 0 g / cm 2 .
【0028】なお、加圧後にウェハ2面に付着している
薄膜フィルム3は、例えば、ガス流量比O2 /N2 =
3.75slm/0.375slm、圧力266Pa、
RF電力1kW、ウェハ温度180℃の条件下、O2 プ
ラズマ処理により除去することができる(図5
(c))。The thin film 3 attached to the surface of the wafer 2 after the pressurization is, for example, gas flow rate ratio O 2 / N 2 =
3.75 slm / 0.375 slm, pressure 266 Pa,
It can be removed by O 2 plasma treatment under the conditions of RF power of 1 kW and wafer temperature of 180 ° C. (FIG. 5).
(C)).
【0029】このようにして薄膜フィルム3を除去する
ことにより、図5(d)に示すようにSOG10による
グローバルな平坦化を達成することができる。従来のS
OGによる平坦化では、段差の幅が数十μm以上のグロ
ーバルな段差に対しては、ほとんど平坦化することがで
きなかったが、本実施例の半導体装置の製造方法によれ
ば、段差幅が数十μm以上のグローバルな段差であって
も平坦化することができる。By removing the thin film 3 in this way, global planarization by the SOG 10 can be achieved as shown in FIG. Conventional S
With the flattening by the OG, it was almost impossible to flatten a global step having a step width of several tens of μm or more. However, according to the method for manufacturing a semiconductor device of the present embodiment, the step width is Even a global step difference of several tens of μm or more can be flattened.
【0030】実施例2 図6は本発明の半導体装置の製造方法の他の実施例2を
示す断面図であり、実施例2はレジストエッチバックに
よる平坦化に本発明を適用したものである。まず図6
(a)に示すように、AL配線等により例えば500n
mの段差のついた絶縁膜9の上にレジスト11を段差以
上の膜厚(例えば裸面Si基板上で800nmの膜厚)
に回転塗布する。次いで、例えばノボラック樹脂のよう
な有機化合物により形成された数百nm〜数μm程度の
厚さの薄膜フィルム3をウェハ2上に被せて、加圧プレ
ート4によりウェハ2面を均一に例えば500g/cm
2 程度の圧力により加圧する。[0030]Example 2 FIG. 6 shows another embodiment 2 of the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
It is a cross-sectional view showing, Example 2 is a resist etch back
The present invention is applied to the flattening by the above. First, FIG.
As shown in (a), for example, 500n by AL wiring or the like.
A resist 11 is formed on the insulating film 9 having a step of m
Upper film thickness (for example, 800nm film thickness on bare Si substrate)
Spin coating on. Then, for example, novolac resin
Formed by various organic compounds, having a thickness of several hundred nm to several μm.
Cover the wafer 2 with a thin film 3 having a thickness and pressurize the film.
The surface of the wafer 2 is evenly covered by the coat 4 such as 500 g / cm.
Two Pressurize with moderate pressure.
【0031】なお、加圧後に薄膜フィルム3とレジスト
11と絶縁膜9を同時にエッチングするために、例え
ば、ガス流量比CHF3 /O2 =75sccm/25s
ccm、ガス圧力5.3Pa、RF電力600Wの条件
でエッチバックする(図6(c))。In order to simultaneously etch the thin film 3, the resist 11 and the insulating film 9 after applying pressure, for example, the gas flow rate ratio CHF 3 / O 2 = 75 sccm / 25 s.
Etch back is performed under the conditions of ccm, gas pressure of 5.3 Pa, and RF power of 600 W (FIG. 6C).
【0032】このようにして薄膜フィルム3とレジスト
11と下地絶縁膜9の凸部をエッチングすることによ
り、レジストエッチバックプロセスでグローバルな平坦
化を達成することができる。レジストエッチバックによ
る平坦化は、SOGと同様にグローバルな段差に対して
平坦化することができないが、本実施例の半導体装置の
製造方法によれば、図6(b)に示すように、段差幅が
数十μm以上のグローバルな段差であっても平坦化する
ことができる。By thus etching the thin film 3, the resist 11 and the convex portions of the base insulating film 9, global flattening can be achieved by a resist etch back process. Similar to SOG, the flattening by the resist etch back cannot flatten a global step. However, according to the method for manufacturing a semiconductor device of this embodiment, as shown in FIG. Even a global step having a width of several tens of μm or more can be flattened.
【0033】[0033]
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、基板
上に形成された塗布膜の上部に薄膜フィルムを敷設した
後、薄膜フィルム上から塗布膜を均一に加圧するので、
特に塗布膜がグローバルな段差を有していても、薄膜フ
ィルムを介して塗布膜を平坦化することができる。な
お、本発明による方法は、基本的には塗布膜による平坦
化方法なので、局所段差の埋め込みも、当然のことなが
ら可能である。As described above, according to the present invention, after the thin film is laid on the coating film formed on the substrate, the coating film is uniformly pressed from above the thin film.
In particular, even if the coating film has a global level difference, the coating film can be flattened through the thin film. Since the method according to the present invention is basically a planarization method using a coating film, it is naturally possible to embed a local step.
【図1】図1は本発明の半導体製造装置を示す斜視図で
ある。FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
【図2】図2は本発明の半導体製造装置の他の実施例を
示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing another embodiment of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
【図3】図3は本発明の半導体製造装置のさらに他の実
施例を示す側面図である。FIG. 3 is a side view showing still another embodiment of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
【図4】図4は本発明の半導体製造装置のさらに他の実
施例を示す側面図である。FIG. 4 is a side view showing still another embodiment of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
【図5】図5(a)〜(d)は本発明の半導体装置の製
造方法を示す断面図である。5A to 5D are sectional views showing a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
【図6】図6(a)〜(d)は本発明の半導体装置の製
造方法の他の実施例を示す断面図である。6A to 6D are sectional views showing another embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
1…ベースプレート 2…ウェハ 3…薄膜フィルム 4…加圧プレート 5…回転プレート 6…ホットプレート 7…チャンバ 8…バブリング室 9…絶縁膜 10…SOG膜 11…レジスト膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base plate 2 ... Wafer 3 ... Thin film 4 ... Pressurizing plate 5 ... Rotating plate 6 ... Hot plate 7 ... Chamber 8 ... Bubbling chamber 9 ... Insulating film 10 ... SOG film 11 ... Resist film
Claims (10)
成する工程と、前記塗布膜の上部に薄膜フィルムを敷設
する工程と、前記薄膜フィルム上から前記塗布膜を均一
に加圧する工程とを有することを特徴とする半導体装置
の製造方法。1. A step of applying a coating liquid on an upper part of a substrate to form a coating film, a step of laying a thin film on the upper part of the coating film, and uniformly pressing the coating film on the thin film. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising:
エッチングする工程をさらに有することを特徴とする請
求項1に記載の半導体装置の製造方法。2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, further comprising a step of etching the thin film after the pressing step.
前記塗布膜および前記塗布膜の下部に形成された絶縁膜
をエッチバックする工程をさらに有することを特徴とす
る請求項1に記載の半導体装置の製造方法。3. The thin film after the pressing step,
The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, further comprising a step of etching back the coating film and an insulating film formed under the coating film.
特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の半導体装置の
製造方法。4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the thin film is porous.
よび前記加圧工程が、前記塗布液の溶媒雰囲気下で処理
されることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の
半導体装置の製造方法。5. The manufacturing of a semiconductor device according to claim 1, wherein at least the step of laying the thin film and the step of pressing are performed in a solvent atmosphere of the coating liquid. Method.
ためのベースプレートと、前記塗布膜を均一に加圧する
ように前記ベースプレートに対し相対的に接近離反可能
に設けられた加圧プレートとを有することを特徴とする
半導体製造装置。6. A base plate for mounting a substrate having a coating film formed on a surface thereof, and a pressure plate provided so as to be relatively close to and away from the base plate so as to uniformly press the coating film. And a semiconductor manufacturing apparatus.
れることを特徴とする請求項6に記載の半導体製造装
置。7. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 6, wherein the coating film is formed by a spin coating method.
ていることを特徴とする請求項6または7に記載の半導
体製造装置。8. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 6, wherein the base plate is rotatably provided.
とを特徴とする請求項6〜8の何れかに記載の半導体製
造装置。9. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 6, wherein the base plate has a heating means.
ートが内部に設けられ、前記塗布膜の溶媒が導入される
チャンバをさらに有することを特徴とする請求項6〜9
の何れかに記載の半導体製造装置。10. The base plate and the pressure plate are provided inside, and further comprising a chamber into which the solvent of the coating film is introduced.
The semiconductor manufacturing apparatus according to any one of 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17646795A JPH0927495A (en) | 1995-07-12 | 1995-07-12 | Manufacture of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17646795A JPH0927495A (en) | 1995-07-12 | 1995-07-12 | Manufacture of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0927495A true JPH0927495A (en) | 1997-01-28 |
Family
ID=16014198
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17646795A Pending JPH0927495A (en) | 1995-07-12 | 1995-07-12 | Manufacture of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0927495A (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6573685B2 (en) | 2000-04-28 | 2003-06-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of replacing secondary battery |
JP2007054798A (en) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for processing substrate |
JP2008168296A (en) * | 2008-03-05 | 2008-07-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Apparatus and method for forming thin film |
USD865306S1 (en) | 2017-12-21 | 2019-10-29 | Whirlpool Corporation | Laundry treating appliance door |
USD866887S1 (en) | 2017-12-21 | 2019-11-12 | Whirlpool Corporation | Pedestal |
USD874764S1 (en) | 2017-12-21 | 2020-02-04 | Whirlpool Corporation | User interface |
USD877431S1 (en) | 2017-12-21 | 2020-03-03 | Whirlpool Corporation | User interface |
USD899720S1 (en) | 2017-12-21 | 2020-10-20 | Whirlpool Corporation | Laundry treating appliance |
-
1995
- 1995-07-12 JP JP17646795A patent/JPH0927495A/en active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6573685B2 (en) | 2000-04-28 | 2003-06-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of replacing secondary battery |
JP2007054798A (en) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for processing substrate |
US7757626B2 (en) | 2005-08-26 | 2010-07-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP4531661B2 (en) * | 2005-08-26 | 2010-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US8192796B2 (en) | 2005-08-26 | 2012-06-05 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2008168296A (en) * | 2008-03-05 | 2008-07-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Apparatus and method for forming thin film |
USD865306S1 (en) | 2017-12-21 | 2019-10-29 | Whirlpool Corporation | Laundry treating appliance door |
USD866887S1 (en) | 2017-12-21 | 2019-11-12 | Whirlpool Corporation | Pedestal |
USD874764S1 (en) | 2017-12-21 | 2020-02-04 | Whirlpool Corporation | User interface |
USD877431S1 (en) | 2017-12-21 | 2020-03-03 | Whirlpool Corporation | User interface |
USD899720S1 (en) | 2017-12-21 | 2020-10-20 | Whirlpool Corporation | Laundry treating appliance |
USD900418S1 (en) | 2017-12-21 | 2020-10-27 | Whirlpool Corporation | Laundry treating appliance |
USD958479S1 (en) | 2017-12-21 | 2022-07-19 | Whirlpool Corporation | Laundry treating appliance |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5679610A (en) | Method of planarizing a semiconductor workpiece surface | |
JP3418458B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JPH0927495A (en) | Manufacture of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus | |
JPH0831522B2 (en) | Method for forming multi-layer conductor / insulator coplanar thin film using photosensitive polyimide polymer composition | |
US6124215A (en) | Apparatus and method for planarization of spin-on materials | |
US20070178712A1 (en) | Planarization for Integrated Circuits | |
JPH09186155A (en) | Semiconductor element manufacturing method | |
WO2004114388A1 (en) | Semiconductor device producing method | |
CA2199347A1 (en) | Amorphous carbon film, formation process therof, and semiconductor device making use of the film | |
JPH06267943A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JP3225331B2 (en) | Method of forming SOG film and ozone treatment apparatus | |
JP3941485B2 (en) | Multilayer wiring forming method and semiconductor device manufacturing method | |
JP3563709B2 (en) | Thin film formation method | |
JP2748612B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JPH05129247A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JP4245446B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JPH03261145A (en) | Method of flattening surface of semiconductor device | |
JP2004296955A (en) | Forming method of etching mask and method of manufacturing semiconductor device | |
JPH0414224A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPH0778816A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS61232636A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPH08316120A (en) | Resist coating method | |
JP2005521556A (en) | Process to improve membrane performance using high diffusivity penetrants | |
JP3491451B2 (en) | Method of forming interlayer film | |
JPH10247643A (en) | Device and method for thin-film formation |