JPH09260306A

JPH09260306A - 薄膜形成方法

Info

Publication number: JPH09260306A
Application number: JP6284696A
Authority: JP
Inventors: Keiichi Sasaki; 圭一佐々木; Iwao Kunishima; 巌國島
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1996-03-19
Filing date: 1996-03-19
Publication date: 1997-10-03

Abstract

(57)【要約】【課題】ハロゲンを含まないＷＳｉＮあるいはＴａＳ
ｉＮの薄膜をＣＶＤ法を用いて形成する。【解決手段】原料ガスとして、ビスメチルシクロペン
タジエニルタングステンハイドライドとＮＨ₃ とＳＨ₆
と用いて、減圧熱ＣＶＤ法によってＷＳｉＮ膜３９を形
成し、更に、連続的にＣＶＤ法を用いてＣｕ膜４０を形
成した。本発明の薄膜形成方法は、原料ガスとして、Ｗ
（あるいはＴａ）を含む有機金属ガスを使用しているの
で、ハロゲン不純物の混入のない薄膜が形成される。こ
の様にして形成されたＷＳｉＮあるいはＴａＳｉＮなど
の薄膜を、Ｗ、Ｃｕなどの金属配線用の金属接着層ある
いはバリアメタルとして使用することによって、信頼性
の高い高融点金属配線または低抵抗金属配線を形成する
ことが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜の形成方法に係
り、特に、半導体素子の製造工程において、Ｗの様な高
融点金属、あるいはＣｕの様な低抵抗金属膜を用いた電
極を形成する際に使用される金属接着膜あるいはバリア
メタルの形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの高集積化を実現するために、高
アスペクト比のビアホールやコンタクトホールなど、微
細な配線部分に適用できる高信頼性の多層配線技術が要
求されている。例えば、高アスペクト比を実現する配線
埋込み技術として、六フッ化タングステン（ＷＦ₆ ）及
び水素（Ｈ₂ ）を用いたブランケットＷ−ＣＶＤ法を始
めとするＣＶＤ技術が挙げられる。

【０００３】ブランケットＷ−ＣＶＤ法では、Ｓｉ等の
下地基板との密着性が悪いために、下地基板とＷ膜との
間に窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、
チタンタングステン（ＴｉＷ）、あるいは窒化タングス
テン（ＷＮ）等の金属接着層を設ける必要がある。これ
ら金属接着層は、従来、スパッタリングあるいは反応性
スパッタリングによって形成されているが、微細なビア
ホールやコンタクトホールへ適用する場合には、段差被
覆性が優れたＣＶＤ法を用いて形成することが望まし
い。

【０００４】ＴｉＮ膜をＣＶＤ法によって形成する場
合、従来、原料ガスとして塩化チタン（ＴｉＣｌ₄ ）及
びアンモニア（ＮＨ₃ ）を用いて行われていたが、成膜
温度が６００℃以上と高く、アルミ配線の形成後では採
用することができず、更に、膜中に塩素が残留するの
で、配線腐食の問題もあった。また、Ｔｉ系有機金属ガ
スとＮＨ₃ を用いたＴｉＮの成膜についても検討されて
いるが、不純物、吸水性による抵抗増加等の問題があ
り、成膜法として確立されていない。この様に、ＣＶＤ
法によるＴｉＮ、ＴａＮ、及びＴｉＷ膜の形成に関して
は、未解決の課題が多く残されている。

【０００５】また、ＷＮ膜をＣＶＤ法を用いた形成する
方法に関しては、フッ化タングステン（ＷＦ₆ ）とアン
モニア（ＮＨ₃ ）用いた方法が知られており、基板との
密着性についてもＴｉＮ等と同程度の結果が得られてい
る。しかし、ＷＦ₆ の様な無機系の原料ガスを用いたＣ
ＶＤ法の場合、成膜された薄膜中に弗素（Ｆ）が残留す
るため、ＴｉＮの場合と同様に配線腐食の問題がある。

【０００６】以上の様に、無機系の原料ガスを用いたＣ
ＶＤ法によって金属接着層を形成する場合には、無機系
ガスに起因するハロゲン系の不純物が形成された薄膜の
中に取り込まれて、その上部または下部に配置される配
線材料の腐食の原因となることが懸念される。

【０００７】ところで、近年になって、高速ロジック素
子の配線材料として、Ａｌに較べて低抵抗であるＣｕの
採用が検討されているが、Ｃｕは、酸化膜及びシリコン
中での拡散速度が大きく、また、シリコン中でホールと
電子との再結合中心となり、トランジスタ特性の劣化の
要因となる。このため、拡散バリアとなるバリアメタル
の使用が必要となる。Ｃｕ配線用のバリアメタルとし
て、ＷＳｉＮ、ＴａＳｉＮ、ＷＮなどの、スパッタ膜の
粒界拡散が起こらないアモルファスバリアメタルの採用
が検討されている。しかし、ビアホール等の微細化、高
アスペクト比化が進む中で、段差被覆性の良いＣＶＤ法
を用いてアモルファスバリアメタルを形成する方法の確
立が求められている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記の如く、無機系の
原料ガスを使用したＣＶＤ法によるＴｉＮ、ＴａＮ、Ｔ
ｉＷ膜、及びＷＮ膜などの形成に関しては、形成された
薄膜中へのハロゲン系の不純物の混入が問題となってい
る。また、Ｃｕ配線の際に使用されるバリアメタルにつ
いては、アモルファス状のＷＳｉＮ、ＴａＳｉＮ、ＷＮ
などのＣＶＤ技術が、現状では確立されていないことが
問題となっている。従って、これらについてのＣＶＤ技
術を開発することが、ＬＳＩの高集積化を実現するため
の重要な課題となっている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜形成方法
は、窒化タングステン（ＷＮ）あるいは窒化タンタル
（ＴａＮ）薄膜を気相成長法により形成する場合に、原
料ガスとして、タングステン（Ｗ）あるいはタンタル
（Ｔａ）を含む有機金属ガス、及び窒化ガスの混合ガス
を使用することを特徴とする。また、ＷあるいはＴａを
含むＳｉＮの導電性の薄膜を気相成長法で形成する場合
には、原料ガスとして、ＷあるいはＴａを含む有機金属
ガス、窒化ガス、及び無機シランガスの混合ガスを用い
る。

【００１０】原料ガスとして、ＷあるいはＴａを含む有
機金属ガス、及び窒化ガスを使用した結果、有機金属ガ
スにはハロゲンが含まれていないので、形成されたＷＮ
あるいはＴａＮの薄膜にはハロゲンが含れていない。ま
た、この方法によって形成された薄膜には、カーボンも
含まれていない。

【００１１】ＣＶＤ法を使用しているので段差被覆性に
優れており、この様にして形成されたＷＮ膜、ＴａＮ膜
などを金属接着層として用いた場合、配線金属への腐食
あるいは不純物による抵抗増加などを引起こす原因とは
ならず、金属接着層として優れた特性を有する。

【００１２】また、原料ガス中に無機シランガスを添加
することによって、薄膜中にＳｉを取り込ませること可
能であり、その結果、Ｃｕに対する拡散バリア性に優れ
たアモルファス状のバリアメタルを形成することができ
る。好ましくは、形成されるＳｉＮの導電性の薄膜中の
Ｓｉ含有量が１０％以上３０％以下となるように、無機
シランガスの流量を設定する。

【００１３】ＷあるいはＴａを含む前記有機金属ガスと
しては、水素、シクロペンタジエニル基、及び低級アル
キル基が結合しているシクロペンタジエニル基の中から
選択された一つあるいは複数の有機基と、ＷあるいはＴ
ａとが結合している構造を備えた有機金属のガスが使用
できる。また、前記有機金属ガスとして、ジメチルアミ
ノ基あるいはジエチルアミノ基のいずれかと、Ｗあるい
はＴａとが結合している構造を備えた有機金属のガスも
使用できる。

【００１４】望ましくは、Ｗを含む前記有機金属ガスと
して、ビスシクロペンタジエニルタングステンハイドラ
イド、またはビスメチルシクロペンタジエニルタングス
テンハイドライドを使用する。同様に、望ましくは、Ｔ
ａを含む前記有機金属ガスとして、ペンタジメチルアミ
ノタンタル、またはビスシクロペンタジエチルタンタル
ハイドライドを使用する。

【００１５】前記窒化ガスとしては、アンモニア、窒素
ガス、ヒドラジン、あるいはモノメチルヒドラジンなど
が使用できる。前記無機シランガスとしては、シラン、
ジシラン、ジクロロシラン、三塩化シラン、四塩化シリ
コン、あるいは四フッ化シリコンなどが使用できる。な
お、気相成長法で薄膜を形成する際に、反応ガス中に水
素を添加することによって、気相反応が抑制され、パー
ティクルを減少させる効果がある。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を用いて詳細に説明する。先ず、本発明の気相成長方
法の実施に使用される装置構成の概要を、図１を使用し
て説明する。図１は、枚葉型の減圧熱ＣＶＤ装置の一例
である。チャンバ１１には、真空ポンプ２０及び原料ガ
スの供給配管が接続されている。原料ガスの供給配管
は、ＳｉＨ₄ 、ＮＨ₃ 、及びＷ系有機金属ガスの各供給
配管１６、１７、１８から構成され、各配管の途中には
マスフローコントローラ１９ａ、１９ｂ、１９ｃが取付
けられている。チャンバ１１の内部にはサセプタ１２が
配置され、サセプタ１２は、その内部に抵抗加熱式ヒー
タ１３が組み込まれている。サセプタ１２に対向する様
に整流板１５が配置され、反応ガスは整流板１５を通っ
てチャンバ１１の内部に導入される。

【００１７】ウエハ１４はサセプタ１３に保持され、抵
抗加熱式ヒータ１３により加熱される。原料ガスである
ＳｉＨ₄ 、ＮＨ₃ 、及びＷ系有機金属ガスは、それぞれ
独立に、マスフローコントローラ１９ａ、１９ａ、１９
ｃで流量を制御されてチャンバ１１内へ導入される。特
に、Ｗ系有機金属ガスの供給配管１８は、有機金属の蒸
気圧が低いため、ライン加熱が施されている。加熱温度
は１００℃〜２００℃の範囲であり、原料ガスの蒸気圧
が十分、確保され、且つガスの自己分解が進まない温度
に設定される。また、一般的に有機金属は固体または液
体であるため、気化器を用いて供給することもできる。
また、チャンバ１１自体も、有機金属の付着を防ぐた
め、加熱される様になっている。更に、チャンバ１１内
のガスは真空ポンプ２０により排気されるが、排気系の
内部にも付着物が堆積しない様に、チャンバ１１と同様
に加熱できる様になっている。（例１）図２（ａ）〜（ｃ）に、窒化タングステン（Ｗ
Ｎ）膜を金属接着層として使用したタングステン（Ｗ）
電極配線の形成方法の例を示す。

【００１８】図２（ａ）に示す様に、ｎ型（１００）Ｓ
ｉ基板２１の上に厚さ２８０ｎｍのＳｉＯ₂ 酸化膜を堆
積し、次に、リソグラィとＳＦ₆ を用いたドライエッチ
ングによって、口径が０．１〜１．０μｍの微細コンタ
クトホールを形成し、次に、イオン注入及び熱処理を行
って、ｐ型の拡散層２１ａを形成した。

【００１９】その後、図２（ｂ）に示す様に、ＣＶＤ法
によりＷＮ膜２３を厚さ１０〜５０ｎｍで堆積した。Ｗ
Ｎ膜の形成に使用した装置は、先に図１に示したもので
ある。成膜条件としては、ビスメチルシクロペンタジエ
ニルタングステンハイドライドの流量を３０ＳＣＣＭ、
ＮＨ₃ の流量を３０ＳＣＣＭ、基板温度を４００℃、成
膜圧力を０．１〜１Ｔｏｒｒとした。その後、図２
（ｃ）に示す様に、ＷＦ₆とＨ₂ とを用いて、Ｗ膜２４
を厚さ３００ｎｍで堆積した。Ｗ膜は均一に堆積され、
成膜の遅れ時間は観察されなかった。

【００２０】以上の様にして形成されたＷＮ膜２３は、
微細コンタクトホールにおいての段差被覆性が極めて良
好であり、口径０．１０μｍ、アスペクト比３のコンタ
クトホールに対する段差被覆率として９５％以上を得
た。ＷＮ膜と拡散層２１ａとの密着性は良好で、テープ
テストで問題は認められなかった。ＷＮ膜と拡散層２１
ａとの接触抵抗は低く、例えば、０．３μｍ径のコンタ
クトホールにおいて１００Ω以下を示し、基板２１との
接合リークの増大は認められなかった。ＷＮ膜２３の抵
抗率は、１００〜２０００μΩｃｍ程度の範囲となっ
た。

【００２１】また、ＷＮ膜２３との間でアンダーカット
の問題もなくＷ膜２４を形成することができた。また、
ＷＮ膜２３は、厚さ５ｎｍでも接着層及びバリア層とし
て十分、機能し、Ｓｉ基板中へのＷＦ₆ によるワームホ
ールの発生も認められず、Ｗ膜の剥離も認められなかっ
た。

【００２２】成膜圧力、基板温度等は上記に限定される
ものでない。成膜圧力については、４０Ｔｏｒｒと高い
場合においても成膜の結果は良好であった。成膜温度に
ついては、２５０℃から６００℃の範囲で安定的に成膜
が可能であった。ビスメチルシクロペンタジエニルタン
グステンハイドライド／ＮＨ₃ の流量比については、
０．０５〜１０の間で良好な成膜特性が得られた。Ｗ系
有機金属ガスとしてビスシクロペンタジエニルタングス
テンハイドライドを用いた場合にも、優れたバリアメタ
ル特性が得られた。更に、原料ガスにＨ₂ を添加した場
合には、気相反応が抑えられパーティクルの減少が見ら
れた。なお、各々の原料ガスにＡｒ、Ｎ₂を添加しても
良いことは言うまでもない。

【００２３】以上のＷＮ膜の金属接着層による結果は、
Ｗに代えて、配線金属として低抵抗金属であるＡｌを用
いた場合にも同様に良好であった。更に、Ａｌ配線を形
成する際、スパッタでＡｌを形成した後に高温でアニー
ルしてＡｌを溶融させたところ、５５０℃以上でＡｌが
コンタクトホール内に埋め込まれ、ＷＮ膜にも膜の剥離
や結晶性の変化が無く、良好なコンタクト特性が得られ
た。以上の様に、Ｗ系有機金属ガスを用いたＷＮ膜は、
Ｆなどのハロゲンを含まず、バリアメタルとして優れた
特性を有する。

【００２４】ＷＮ膜の代わりにＴａＮ膜を使用すること
も可能である、この場合には、Ｔａ系有機金属ガスとし
てペンタジメチルアミノタンタルあるいはビスシクロペ
ンタジエチルタンタルハイドライドを用いることができ
る。形成されたＴａＮ膜は、いずれも優れたバリアメタ
ル特性を示す。

【００２５】Ｗ系あるいはＴａ系有機金属ガスとＮＨ₃
ガスに、水素、またはＳｉＮ₄ 系ガスを添加した場合、
ＷＮ膜あるいはＴａＮ膜中のＮの量が減少し、低抵抗化
が図れる。また、この時、Ｈ₂ とＳｉＨ₄ 系ガスとを同
時に流しても有効であることは言うまでもない。なお、
ＳｉＨ₄ 系ガスの添加量が有機金属ガスよりも少ない場
合にＳｉの膜中混入がない。（例２）図３に、バリアメタルとしてＴａＳｉＮ膜を使
用した例を示す。図３（ａ）から（ｄ）は、ＭＯＳＦＥ
Ｔのコンタクトホール部へＴａＳｉＮ膜を形成する工程
の概略を示す。

【００２６】先ず、図３（ａ）の示す様に、ｐ型（１０
０）Ｓｉ基板３１上にパターニングを行い、フィールド
酸化３２を厚さ５００ｎｍで行った後、ゲート酸化膜３
３を厚さ５ｎｍで形成した。その後、多結晶シリコン膜
を堆積し、不純物拡散によって低抵抗化を行った後、パ
ターニングを行ってゲート電極３４を形成した。次い
で、ゲート電極３４をマスクにして、Ａｓのイオン注
入、及びそれに続く熱処理でソース及びドレインの各拡
散層３１ａを形成した。更に、ＣＶＤ法によってＳｉＯ
₂ 膜３５を堆積させた後、全面ドライエッチングをし、
謂ゆるＬＤＤ構造を形成し、更にイオン注入を行った。

【００２７】次に、図３（ｂ）の示す様に、ＢＰＳＧ膜
３６をＣＶＤ法で堆積し、更に、ＳｉＮ膜３７を１０ｎ
ｍ程度堆積し、ＳｉＮ膜３７をパターニングした後、更
に、ＢＰＳＧ膜３８を堆積し、９００℃で熱処理を行っ
た後、リソグラフとドライエッチングによってコンタク
トホールを形成した。

【００２８】次に、図３（ｃ）の示す様に、ＨＦでコン
タクトホールの底部の自然酸化膜をエッチングした後、
ＣＶＤ法によりＴａＳｉＮ膜３９を厚さ２０ｍｍで堆積
した。成膜条件は、ビスシクロペンタジエチルタンタル
ハイドライドの流量を３０ＳＣＣＭ、ＮＨ３の流量を３
０ＳＣＣＭ、ジシラン（ＳｉＨ₆ ）の流量を３０ＳＣＣ
Ｍとし、形成温度を４００℃、成膜圧力を０．１〜１Ｔ
ｏｒｒとした。更に、同一チャンバ内でＣｕ膜４０をＣ
ＶＤ法により堆積させた。

【００２９】次に、図３（ｄ）の示す様に、Ｃｕ膜４０
をＣＭＰ法（Chemical MechanicalPolishing ）を用い
て削り、コンタクトプラグと埋め込み配線を同時形成し
た。以上の様にして形成されたＴａＳｉＮ膜を用いたバ
リアメタルは、微細コンタクトホールにおける段差被覆
性が極めて良好であり、口径０．１０μｍ、アスペクト
比３のコンタクトホールの段差被覆率として９５％以上
を得た。また、下地との密着性については、熱酸化膜、
ＢＰＳＧ、ＳｉＮ膜のいずれとの間でも良好な密着性が
得られた。

【００３０】原料ガスの流量については、ビスシクロペ
ンタジエチルタンタルハイドライドの流量を１０ＳＣＣ
Ｍとした場合、ＮＨ３の流量が５〜１００ＳＣＣＭ、ジ
シランの流量が３０〜１００ＳＣＣＭの範囲で、良好な
ＴａＳｉＮ成膜が可能であった。

【００３１】図４に、ビスシクロペンタジエチルタンタ
ルハイドライドの流量を３０ＳＣＣＭ、ＮＨ３の流量の
流量を３０ＳＣＣＭ、成膜温度を４００℃とした場合
の、ジシランの流量と膜中のＳｉ含有量との関係を示
す。なお、膜の組成分析はＸＰＳによって行った。シジ
ランの添加量の増加とともにＳｉが膜中に取り込まれる
のが分かる。ジシランの流量を３０ＳＣＣＭ以上にすれ
ば、Ｓｉが膜中に取り込まれて、ＴａＳｉＮ膜が形成さ
れる。結晶性については、平坦部の堆積膜をＸ膜回折に
より分析すると、ジシランの添加量が少量の場合には弱
いＴａＮの配向が見られたが、ジシランの添加量を増加
するとピークが消えてアモルファス状の膜が観察され
た。

【００３２】図５に、膜中のＳｉ含有量と抵抗率との関
係を示す。抵抗率は膜中のＳｉ含有量が２０％の場合に
最低値を示し、概ね、Ｓｉ含有量が１０〜３０％の範囲
で低抵抗化が実現されている。

【００３３】なお、成膜圧力、基板温度等は上記の条件
に限定されるものではない。成膜圧力については、４０
Ｔｏｒｒと高い場合においても成膜の結果は良好であっ
た。成膜温度については、２００℃から６００℃の範囲
で安定的に成膜が可能であった。更に、原料ガスにＨ₂
を添加した場合には気相反応が抑えられパーティクルの
減少が見られた。

【００３４】この例では、ＴａＳｉＮの形成温度を４０
０℃としたが、形成温度は３００℃以上であれば、Ｃｕ
に対して良好な拡散バリアとなる。また、無機シランガ
スとして、ジシランのかわりに、シラン、ジクロロシラ
ン四塩化シリコン、四フッ化シリコン、三塩化シランな
どを使用しても、ＴａＳｉＮ、ＷＳｉＮ膜形成は可能で
ある。各々原料ガスにＡｒ、Ｎ₂ を添加しても良いこと
は言うまでもない。また、Ｃｕ膜４０の加工には、ＣＰ
Ｍ法の他にドライエッチングを用いることもできる。

【００３５】この例ではＣｕプラグを形成しているが、
プラグの材料はＣｕに限らず、Ａｌ、Ｗ、ＴｉＮを主材
料とするものであってもよい。また、この例では、拡散
層に対するコンタクトホールでバリアメタルとして使用
しているが、多層配線構造の接続部においても、同様に
使用することができる。

【００３６】使用するＣＶＤ装置としては、試料導入室
と成膜室とを二以上備えたマルチチャンバ型であること
が望ましく、ＴａＳｉＮ膜とＣｕ膜とを同一装置内で堆
積することができればスループットが増大する。但し、
真空搬送または窒素搬送をして、Ｃｕ膜の堆積を別のチ
ャンバを用いて行うこともできる。

【００３７】

【発明の効果】本発明によれば、ＣＶＤ法の原料ガスと
して、ＷあるいはＴａを含む有機金属ガスを使用した結
果、有機金属ガスにはハロゲンが含まれていないので、
形成されたＷＮあるいはＴａＮの薄膜にはハロゲンが含
れていない。従って、この様にして形成されたＷＮ膜、
ＴａＮ膜などを金属接着層として用いた場合、段差被覆
性に優れ、且つ、配線金属への腐食あるいは不純物によ
る抵抗増加などを引起こす原因とはならず、金属接着層
として優れた特性を有する。

【００３８】また、原料ガス中に無機シランガスを添加
することによって、アモルファス状のＷＳｉＮ、ＴａＳ
ｉＮ膜のバリアメタルを形成することができる。この様
にした形成されたバリアメタルは、Ｃｕに対する拡散バ
リア性に優れている。以上の様にして形成された薄膜を
金属接着層あるいはバリアメタルとして用いることによ
って、信頼性の高い配線及びコンタクト形成が可能とな
った。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法に実施に使用されるＣＶＤ装置の
概略構成図。

【図２】本発明の方法に基いてコンタクトホールに電極
を形成する例を説明する図、（ａ）〜（ｃ）は電極を形
成する工程を順に示す。

【図３】本発明の方法に基いてＭＯＳＦＥＴのコンタク
トホールに電極を形成する例を説明する図、（ａ）〜
（ｄ）は電極を形成する工程を順に示す。

【図４】原料ガス中のジシラン（ＳｉＨ₆ ）の流量とＴ
ｉＳｉＮ膜中のＳｉ含有量との関係を示す図。

【図５】ＴｉＳｉＮ膜の抵抗率と膜中のＳｉ含有量との
関係を示す図。

【符号の説明】

１１・・・チャンバ、１２・・・サセプタ、１３・・・抵抗加熱ヒータ、１４・・・ウエハ、１５・・・整流板、１６・・・ＳｉＨ₄ 供給配管、１７・・・ＮＨ₃ 供給配管、１８・・・Ｗ系有機金属供給配管、１９ａ、１９ｂ、１９ｃ・・・マスフローコントロー
ラ、２０・・・真空ポンプ、２１・・・Ｓｉ基板、２１ａ・・・ｐ型拡散層、２２・・・ＣＶＤ−ＳｉＯ₂ 膜、２３・・・ＷＮ膜、２４・・・Ｗ膜、３１・・・Ｓｉ基板、３１ａ・・・拡散層、３２・・・ＳｉＯ２膜、３３・・・ゲート酸化膜、３４・・・ゲート電極（多結晶シリコン）、３５・・・サイドウォール、３６・・・ＢＰＳＧ膜、３７・・・ＳｉＮ膜、３８・・・ＢＰＳＧ膜、３９・・・ＴａＳｉＮ膜、４０・・・Ｃｕ膜。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】タングステンあるいはタンタルを含む有
機金属ガス、及び窒化ガスの混合ガスを用いて、パター
ニングされた被処理基板上に、気相成長法により窒化タ
ングステンあるいは窒化タンタルの薄膜を形成すること
を特徴とする薄膜形成方法。
【請求項２】タングステンあるいはタンタルを含む有
機金属ガス、窒化ガス、及び無機シランガスの混合ガス
を用いて、パターニングされた被処理基板上に、気相成
長法によりタングステンあるいはタンタルを含むＳｉＮ
の導電性の薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方
法。
【請求項３】気相成長法で薄膜を形成する際に、反応
ガス中に水素を添加することを特徴とする請求項１また
は２に記載の薄膜形成方法。
【請求項４】前記ＳｉＮの導電性の薄膜中のＳｉ含有
量が１０％以上３０％以下となるように、前記無機シラ
ンガス流量を設定することを特徴とする請求項２記載の
薄膜形成方法。