JPH09257943A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPH09257943A JPH09257943A JP8066361A JP6636196A JPH09257943A JP H09257943 A JPH09257943 A JP H09257943A JP 8066361 A JP8066361 A JP 8066361A JP 6636196 A JP6636196 A JP 6636196A JP H09257943 A JPH09257943 A JP H09257943A
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Landscapes
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 センサーの素子部の傷，汚染を生じる。高温
高湿下で駆動の場合、センサー素子特性が変化する。 【解決手段】 Ｘ線により発光する蛍光板１０６と、蛍
光板１０６からの光を電気信号に変換する光電変換素子
が蛍光板配置側の一主面上に設けられた基板１０３と、
少なくとも基板の光電変換素子上に設けられた保護層１
０４と、保護層上１０４に設けられ、蛍光板と基板とを
接着する接着層１０５と、を備えた。
高湿下で駆動の場合、センサー素子特性が変化する。 【解決手段】 Ｘ線により発光する蛍光板１０６と、蛍
光板１０６からの光を電気信号に変換する光電変換素子
が蛍光板配置側の一主面上に設けられた基板１０３と、
少なくとも基板の光電変換素子上に設けられた保護層１
０４と、保護層上１０４に設けられ、蛍光板と基板とを
接着する接着層１０５と、を備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光電変換装置に係わ
り、特に医療用測定機、非破壊検査機など、Ｘ線等の放
射線（蛍光板で発光される入射線の意味であり、Ｘ線の
他にα，β，γ線等を含む）を用いて二次元画像を読み
取るＸ線等の画像読み取り装置に好適に用いられるもの
である。
り、特に医療用測定機、非破壊検査機など、Ｘ線等の放
射線（蛍光板で発光される入射線の意味であり、Ｘ線の
他にα，β，γ線等を含む）を用いて二次元画像を読み
取るＸ線等の画像読み取り装置に好適に用いられるもの
である。
【０００２】
【従来の技術】医学関係で利用されているレントゲン検
査機は患者の異常部を正確に検知する必要性から、Ｘ線
を蛍光板によって可視光に変換し、蛍光板に密着させた
フィルムに感光させて確認する方式が主流である。しか
しながら、この確認方法だと、実用レベルで像の解像度
に問題はないものの測定から診断までに時間がかかる、
測定場所を特定するにも検査技師の腕と感に頼る部分が
大きいなど問題点が指摘されていたのも事実である。
査機は患者の異常部を正確に検知する必要性から、Ｘ線
を蛍光板によって可視光に変換し、蛍光板に密着させた
フィルムに感光させて確認する方式が主流である。しか
しながら、この確認方法だと、実用レベルで像の解像度
に問題はないものの測定から診断までに時間がかかる、
測定場所を特定するにも検査技師の腕と感に頼る部分が
大きいなど問題点が指摘されていたのも事実である。
【０００３】近年、アモルファスシリコンダイオードを
用いた大面積エリアセンサーの開発が進み、信頼性を高
めるに至って、アモルファスシリコンを用いるメリット
としての大面積化が容易であることを生かし、従来のレ
ントゲン検査をリアルタイムに、かつ画像処理による強
調画像を用いることによって患者の異常診断の効率を高
めるための開発が急がれている。
用いた大面積エリアセンサーの開発が進み、信頼性を高
めるに至って、アモルファスシリコンを用いるメリット
としての大面積化が容易であることを生かし、従来のレ
ントゲン検査をリアルタイムに、かつ画像処理による強
調画像を用いることによって患者の異常診断の効率を高
めるための開発が急がれている。
【０００４】図５は近年開発中のレントゲン検査機の断
面図である。図５において、５０１はＸ線源、５０２は
被写体（被験者のからだ）、５０３は天板、５０４はカ
セッテである。Ｘ線源５０１から照射されたＸ線５０５
は被写体５０２を透過し、カセッテ５０４に達し、カセ
ッテ５０４内に設けられたＸ線センサーによって電気信
号に変換される。
面図である。図５において、５０１はＸ線源、５０２は
被写体（被験者のからだ）、５０３は天板、５０４はカ
セッテである。Ｘ線源５０１から照射されたＸ線５０５
は被写体５０２を透過し、カセッテ５０４に達し、カセ
ッテ５０４内に設けられたＸ線センサーによって電気信
号に変換される。
【０００５】図６はカセッテ内の概略断面図である。図
６において、６０１は筐体、６０２は蓋、６０３はＸ線
センサー部である。６１０〜６１６はＸ線センサー部６
０３の構造を示している。６１０は複数のセンサーパネ
ル６１２を固定するための基台、６１１はセンサーパネ
ル６１２と基台６１０を貼り合わせるための接着剤、６
１２は上面にセンサー素子が形成されているセンサーパ
ネル、６１３はセンサーパネル６１２と蛍光板６１４を
貼り合わせるための接着剤、６１４はＸ線を可視光に変
換するための蛍光板、６１５はテープキャリアパッケー
ジ、６１６は電気実装基板である。
６において、６０１は筐体、６０２は蓋、６０３はＸ線
センサー部である。６１０〜６１６はＸ線センサー部６
０３の構造を示している。６１０は複数のセンサーパネ
ル６１２を固定するための基台、６１１はセンサーパネ
ル６１２と基台６１０を貼り合わせるための接着剤、６
１２は上面にセンサー素子が形成されているセンサーパ
ネル、６１３はセンサーパネル６１２と蛍光板６１４を
貼り合わせるための接着剤、６１４はＸ線を可視光に変
換するための蛍光板、６１５はテープキャリアパッケー
ジ、６１６は電気実装基板である。
【０００６】Ｘ線源５０１から被写体５０２・天板５０
３を透過してカセッテ５０４内に入射してきたＸ線５０
５は蛍光板６１４内を透過する間に可視光に変換され
る。変換された可視光は、直下の透明な接着剤６１３を
透過し、センサーパネル６１２上に形成されたセンサー
素子に入射するため、２次元画像として読み取ることが
できる。
３を透過してカセッテ５０４内に入射してきたＸ線５０
５は蛍光板６１４内を透過する間に可視光に変換され
る。変換された可視光は、直下の透明な接着剤６１３を
透過し、センサーパネル６１２上に形成されたセンサー
素子に入射するため、２次元画像として読み取ることが
できる。
【０００７】図７（ａ）〜（ｃ）は図６中のＸ線センサ
ー部６０３を作製するためのプロセスを示したものであ
る。図７（ａ）〜（ｃ）ではプロセスの説明は本発明の
説明に関係する部分のみ示している。まず図７（ａ）に
示すように、薄膜半導体プロセスによって作製されたセ
ンサーパネル６１２を要求されるサイズに回転式のダイ
ヤモンドブレード７１０を用いたスライサーによって切
断する。この時、スライサーではダイヤモンドブレード
の冷却のためダイヤモンドブレード７１０とパネル６１
２に対し水を吹きかけている。
ー部６０３を作製するためのプロセスを示したものであ
る。図７（ａ）〜（ｃ）ではプロセスの説明は本発明の
説明に関係する部分のみ示している。まず図７（ａ）に
示すように、薄膜半導体プロセスによって作製されたセ
ンサーパネル６１２を要求されるサイズに回転式のダイ
ヤモンドブレード７１０を用いたスライサーによって切
断する。この時、スライサーではダイヤモンドブレード
の冷却のためダイヤモンドブレード７１０とパネル６１
２に対し水を吹きかけている。
【０００８】次に図７（ｂ）に示すように、パネル６１
２にＴＡＢなどを用いてテープキャリアパッケージ６１
５及び電気実装基板６１６からなる電気実装部を取りつ
ける。次に図７（ｃ）に示すように、４枚のパネル６１
２を位置合わせした後接着剤６１３を塗布し、その上か
ら蛍光板６１４を全面に貼り合わせる。この貼りつけに
おいては、蛍光板６１４の上部をローラー７１２で一定
圧力で押しながら貼り合わせを行っている。
２にＴＡＢなどを用いてテープキャリアパッケージ６１
５及び電気実装基板６１６からなる電気実装部を取りつ
ける。次に図７（ｃ）に示すように、４枚のパネル６１
２を位置合わせした後接着剤６１３を塗布し、その上か
ら蛍光板６１４を全面に貼り合わせる。この貼りつけに
おいては、蛍光板６１４の上部をローラー７１２で一定
圧力で押しながら貼り合わせを行っている。
【０００９】次に基台６１０に接着剤６１１を塗布し、
図７（ａ）〜（ｃ）の工程で作製されたセンサーパネル
６１２を基台６１０に貼り合わせる。
図７（ａ）〜（ｃ）の工程で作製されたセンサーパネル
６１２を基台６１０に貼り合わせる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法だと、 （１）従来の技術のプロセスの説明で示したようにセン
サーパネル作製以降の組立工程において、センサー素子
部が直接表面にさらされるため、特にスライス工程、電
気実装工程、蛍光板貼りつけ工程などでセンサーの素子
部に傷をつけたり、汚染させるトラブルが生じる。
の方法だと、 （１）従来の技術のプロセスの説明で示したようにセン
サーパネル作製以降の組立工程において、センサー素子
部が直接表面にさらされるため、特にスライス工程、電
気実装工程、蛍光板貼りつけ工程などでセンサーの素子
部に傷をつけたり、汚染させるトラブルが生じる。
【００１１】（２）接着剤６１３が接着を目的とした材
料であるため、高温高湿下で駆動させる際においては接
着剤の吸湿作用や内在している不純物などによって直下
のセンサー素子特性を変化させてしまう。といった問題
点が生じていた。
料であるため、高温高湿下で駆動させる際においては接
着剤の吸湿作用や内在している不純物などによって直下
のセンサー素子特性を変化させてしまう。といった問題
点が生じていた。
【００１２】本発明の目的は、センサー素子と蛍光板と
の間の層を二つに機能分離することによって、上記の問
題点を同時に解決しようとするものである。
の間の層を二つに機能分離することによって、上記の問
題点を同時に解決しようとするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の光電変換装置
は、放射線により発光する蛍光板と、該蛍光板からの光
を電気信号に変換する光電変換素子が該蛍光板配置側の
一主面上に設けられた基板と、少なくとも該基板の光電
変換素子上に設けられた保護層と、該保護層上に設けら
れ、該蛍光板と該基板とを接着する接着層と、を備えた
ものである。
は、放射線により発光する蛍光板と、該蛍光板からの光
を電気信号に変換する光電変換素子が該蛍光板配置側の
一主面上に設けられた基板と、少なくとも該基板の光電
変換素子上に設けられた保護層と、該保護層上に設けら
れ、該蛍光板と該基板とを接着する接着層と、を備えた
ものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】まず、本発明の作用について説明
する。本発明は、Ｘ線等の放射線（蛍光板で発光される
入射線の意味であり、Ｘ線の他にα，β，γ線等を含
む）により発光する蛍光板と、該蛍光板からの光を電気
信号に変換する光電変換素子が該蛍光板配置側の一主面
上に設けられた基板と、少なくとも該基板の光電変換素
子上に設けられ、機械的衝撃と水分及び不純物の侵入を
防ぐための保護層と、該保護層上に設けられ、該蛍光板
と該基板とを接着する接着層と、を備えたものである。
する。本発明は、Ｘ線等の放射線（蛍光板で発光される
入射線の意味であり、Ｘ線の他にα，β，γ線等を含
む）により発光する蛍光板と、該蛍光板からの光を電気
信号に変換する光電変換素子が該蛍光板配置側の一主面
上に設けられた基板と、少なくとも該基板の光電変換素
子上に設けられ、機械的衝撃と水分及び不純物の侵入を
防ぐための保護層と、該保護層上に設けられ、該蛍光板
と該基板とを接着する接着層と、を備えたものである。
【００１５】保護層は機械的衝撃と水分及び不純物の侵
入を防ぐことができるものであればよく、特にポリイミ
ド系樹脂、またはシリコーン系樹脂を用いることが望ま
しい。保護層の形成はセンサーパネル作製直後に、クリ
ーンルーム内で行われるとさらに良い。
入を防ぐことができるものであればよく、特にポリイミ
ド系樹脂、またはシリコーン系樹脂を用いることが望ま
しい。保護層の形成はセンサーパネル作製直後に、クリ
ーンルーム内で行われるとさらに良い。
【００１６】これにより、前述した問題点を解決できる
のみならず、組立時のパネルのハンドリングに際しても
機械的な強度が保証され、歩留りの向上に結びつくもの
である。さらに、接着層に用いる接着剤選定に際しての
自由度を上げることができるものである。
のみならず、組立時のパネルのハンドリングに際しても
機械的な強度が保証され、歩留りの向上に結びつくもの
である。さらに、接着層に用いる接着剤選定に際しての
自由度を上げることができるものである。
【００１７】以下、本発明の実施形態について図面を用
いて説明する。 （実施形態１）図１は、本発明によって作製されたＸ線
検出装置の断面図である。１０１は４枚のセンサーパネ
ルを固定するためのガラスなどからなる基台、１０２は
基台１０１とセンサーパネル１０３とを接着するための
接着層、１０３は上部にセンサー素子（光電変換素子）
が形成されたセンサーパネル、１０４はＰＩ（ポリイミ
ド）などからなる保護層、１０５はセンサーパネル１０
３と蛍光板１０６を貼り合わせるための接着層、１０６
はＸ線を可視光に変換するための蛍光板、１０７は電気
実装部である。センサーパネル１０３には二次元状に配
置されたセンサー素子、このセンサー素子を駆動するた
めの駆動回路が形成されている。
いて説明する。 （実施形態１）図１は、本発明によって作製されたＸ線
検出装置の断面図である。１０１は４枚のセンサーパネ
ルを固定するためのガラスなどからなる基台、１０２は
基台１０１とセンサーパネル１０３とを接着するための
接着層、１０３は上部にセンサー素子（光電変換素子）
が形成されたセンサーパネル、１０４はＰＩ（ポリイミ
ド）などからなる保護層、１０５はセンサーパネル１０
３と蛍光板１０６を貼り合わせるための接着層、１０６
はＸ線を可視光に変換するための蛍光板、１０７は電気
実装部である。センサーパネル１０３には二次元状に配
置されたセンサー素子、このセンサー素子を駆動するた
めの駆動回路が形成されている。
【００１８】本実施形態においては、保護層１０４には
ＰＩを用い、接着層１０５にはエポキシ系の接着剤を用
いている。ここで用いる保護層１０４にはヤング率が８
〜３００（ｋｇ／ｍｍ2）、アルカリイオン含有率が１
ｐｐｍ以下で低水蒸気透過率のものを用いるのが望まし
い。一般的にシリコーン系樹脂はポリイミド系樹脂より
もヤング率が小さいので耐機械的衝撃性は優れている
が、水蒸気透過性とエポキシ系接着剤との接着性につい
てはポリイミド系樹脂の方がシリコーン系樹脂よりも優
れているため、ここでは東レ製型式ＬＰ−６２の熱硬化
型ＰＩを用いた。このＰＩの特性は、ヤング率が２８０
（ｋｇ／ｍｍ2）、Ｎａ含有率が０．１ｐｐｍ（原子吸
光法）、Ｋ含有率が０．１ｐｐｍ（原子吸光法）、水蒸
気透過率が１．９（ｇ／ｍ2／２４ｈ／ｍｍ）である。
ＰＩを用い、接着層１０５にはエポキシ系の接着剤を用
いている。ここで用いる保護層１０４にはヤング率が８
〜３００（ｋｇ／ｍｍ2）、アルカリイオン含有率が１
ｐｐｍ以下で低水蒸気透過率のものを用いるのが望まし
い。一般的にシリコーン系樹脂はポリイミド系樹脂より
もヤング率が小さいので耐機械的衝撃性は優れている
が、水蒸気透過性とエポキシ系接着剤との接着性につい
てはポリイミド系樹脂の方がシリコーン系樹脂よりも優
れているため、ここでは東レ製型式ＬＰ−６２の熱硬化
型ＰＩを用いた。このＰＩの特性は、ヤング率が２８０
（ｋｇ／ｍｍ2）、Ｎａ含有率が０．１ｐｐｍ（原子吸
光法）、Ｋ含有率が０．１ｐｐｍ（原子吸光法）、水蒸
気透過率が１．９（ｇ／ｍ2／２４ｈ／ｍｍ）である。
【００１９】また、蛍光板はここでは可視光に変換する
ものを用いているが、赤外光，紫外光等の可視光以外の
光に変換するものを用いてよい。図２（ａ）〜（ｄ）は
図１のＸ線検出装置を作製するためのプロセスを示した
ものである。
ものを用いているが、赤外光，紫外光等の可視光以外の
光に変換するものを用いてよい。図２（ａ）〜（ｄ）は
図１のＸ線検出装置を作製するためのプロセスを示した
ものである。
【００２０】まず図２（ａ）に示すように、半導体薄膜
プロセスによって作製されたセンサーパネル１０３の上
にスピンナーによってＰＩ（ポリイミド）を塗布し、キ
ュアによって硬化させ、電極引き出し部をエッチング除
去して保護層１０４を形成する。この時、できればパネ
ル１０３をクリーンルームから出すことなく半導体薄膜
プロセスと同じクリーンルーム内で行う方が良い。
プロセスによって作製されたセンサーパネル１０３の上
にスピンナーによってＰＩ（ポリイミド）を塗布し、キ
ュアによって硬化させ、電極引き出し部をエッチング除
去して保護層１０４を形成する。この時、できればパネ
ル１０３をクリーンルームから出すことなく半導体薄膜
プロセスと同じクリーンルーム内で行う方が良い。
【００２１】次に図２（ｂ）に示すように、要求される
サイズにダイヤモンドブレード２１０を用いたスライサ
ーによって切断する。この時センサー素子表面にはＰＩ
が塗布されているため、そのＰＩが保護層となりスライ
ス時に発生する切りくずやその他のごみなどによって直
接半導体素子が破壊されることがない。
サイズにダイヤモンドブレード２１０を用いたスライサ
ーによって切断する。この時センサー素子表面にはＰＩ
が塗布されているため、そのＰＩが保護層となりスライ
ス時に発生する切りくずやその他のごみなどによって直
接半導体素子が破壊されることがない。
【００２２】次に図２（ｃ）に示すように、電気実装部
１０７をＴＡＢ圧着用ヒーター２１１によって圧着して
取りつける。この時も、ＴＡＢアライメント時に半導体
素子に直接ごみが付着することもないし、誤ってパネル
表面に接触したとしてもＰＩの弾力によってセンサー素
子を破壊する可能性も軽減される。
１０７をＴＡＢ圧着用ヒーター２１１によって圧着して
取りつける。この時も、ＴＡＢアライメント時に半導体
素子に直接ごみが付着することもないし、誤ってパネル
表面に接触したとしてもＰＩの弾力によってセンサー素
子を破壊する可能性も軽減される。
【００２３】次に図２（ｄ）に示すように、パネル表面
に（ＰＩの上面に）接着剤１０５を塗布し、ローラー２
１２でしごきながら蛍光板１０６を全面接着で貼りつけ
る。この接着に際しては、接着層の厚みをできるだけ薄
くするためゴムローラー２１２で押す圧力を大きくする
ことが望まれるが、その圧力はＰＩの弾力特性によって
吸収することができるため、センサー素子を破壊する可
能性が軽減される。また、ＰＩが水分や不純物に対する
保護層として効いているため、上部に用いる接着剤の選
定に際しても自由度を上げることができる。更に、接着
剤１０５に接着層の厚みをコントロールするための一定
粒径のガラスビーズを添加したとしてもそれによる破壊
をＰＩで吸収することができる。
に（ＰＩの上面に）接着剤１０５を塗布し、ローラー２
１２でしごきながら蛍光板１０６を全面接着で貼りつけ
る。この接着に際しては、接着層の厚みをできるだけ薄
くするためゴムローラー２１２で押す圧力を大きくする
ことが望まれるが、その圧力はＰＩの弾力特性によって
吸収することができるため、センサー素子を破壊する可
能性が軽減される。また、ＰＩが水分や不純物に対する
保護層として効いているため、上部に用いる接着剤の選
定に際しても自由度を上げることができる。更に、接着
剤１０５に接着層の厚みをコントロールするための一定
粒径のガラスビーズを添加したとしてもそれによる破壊
をＰＩで吸収することができる。
【００２４】最後にガラスなどからなる基台１０１に接
着剤を塗布し、図２（ａ）〜（ｄ）の工程で作製された
センサーパネルを基台１０１に貼り合わせて、図１に示
したＸ線検出装置が完成する。 （実施形態２）図３は、本発明によって作製されたＸ線
検出装置の断面図である。図３において、３０１は４枚
のセンサーパネルを固定するためのガラスなどからなる
基台、３０２は基台３０１とセンサーパネル３０３とを
接着するための接着層、３０３は上部にセンサー素子
（光電変換素子）が形成されたセンサーパネル、３０４
はＰＩ（ポリイミド）などからなる保護層、３０５はセ
ンサーパネル３０３と蛍光板３０６を貼り合わせるため
の接着層、３０６はＸ線を可視光に変換するための蛍光
板、３０７は電気実装部である。センサーパネル３０３
には二次元状に配置されたセンサー素子、このセンサー
素子を駆動するための駆動回路が形成されている。
着剤を塗布し、図２（ａ）〜（ｄ）の工程で作製された
センサーパネルを基台１０１に貼り合わせて、図１に示
したＸ線検出装置が完成する。 （実施形態２）図３は、本発明によって作製されたＸ線
検出装置の断面図である。図３において、３０１は４枚
のセンサーパネルを固定するためのガラスなどからなる
基台、３０２は基台３０１とセンサーパネル３０３とを
接着するための接着層、３０３は上部にセンサー素子
（光電変換素子）が形成されたセンサーパネル、３０４
はＰＩ（ポリイミド）などからなる保護層、３０５はセ
ンサーパネル３０３と蛍光板３０６を貼り合わせるため
の接着層、３０６はＸ線を可視光に変換するための蛍光
板、３０７は電気実装部である。センサーパネル３０３
には二次元状に配置されたセンサー素子、このセンサー
素子を駆動するための駆動回路が形成されている。
【００２５】本実施形態においては、保護層３０４には
ＰＩを用い、接着層３０５にはシリコーン系の粘着剤を
用いている。なお、蛍光板はここでは可視光に変換する
ものを用いているが、赤外光，紫外光等の可視光以外の
光に変換するものを用いてよい。
ＰＩを用い、接着層３０５にはシリコーン系の粘着剤を
用いている。なお、蛍光板はここでは可視光に変換する
ものを用いているが、赤外光，紫外光等の可視光以外の
光に変換するものを用いてよい。
【００２６】図４（ａ）〜（ｄ）は図３のＸ線検出装置
を作製するためのプロセスを示したものである。まず図
４（ａ）に示すように、半導体薄膜プロセスによって作
製されたセンサーパネル３０３の上にスピンナーによっ
てＰＩ（ポリイミド）を塗布し、キュアによって硬化さ
せ、電極引き出し部をエッチング除去して保護層３０４
を形成する。この時、できればパネルをクリーンルーム
から出すことなく半導体薄膜プロセスと同じクリーンル
ーム内で行う方が良い。
を作製するためのプロセスを示したものである。まず図
４（ａ）に示すように、半導体薄膜プロセスによって作
製されたセンサーパネル３０３の上にスピンナーによっ
てＰＩ（ポリイミド）を塗布し、キュアによって硬化さ
せ、電極引き出し部をエッチング除去して保護層３０４
を形成する。この時、できればパネルをクリーンルーム
から出すことなく半導体薄膜プロセスと同じクリーンル
ーム内で行う方が良い。
【００２７】次に図４（ｂ）に示すように、要求される
サイズにダイヤモンドブレード４１０を用いたスライサ
ーによって切断する。この時、センサー素子表面にはＰ
Ｉが塗布されているため、そのＰＩが保護層となりスラ
イス時に発生する切りくずやその他のごみなどによって
直接半導体素子が破壊されることがない。
サイズにダイヤモンドブレード４１０を用いたスライサ
ーによって切断する。この時、センサー素子表面にはＰ
Ｉが塗布されているため、そのＰＩが保護層となりスラ
イス時に発生する切りくずやその他のごみなどによって
直接半導体素子が破壊されることがない。
【００２８】次に図４（ｃ）に示すように、電気実装部
３０７をＴＡＢ圧着用ヒーター４１１によって圧着して
取りつける。この時も同様、ＴＡＢアライメント時に半
導体素子に直接ごみが付着することもないし、誤ってパ
ネル表面に接触したとしてもＰＩの弾力によってセンサ
ー素子を破壊する可能性は軽減される。
３０７をＴＡＢ圧着用ヒーター４１１によって圧着して
取りつける。この時も同様、ＴＡＢアライメント時に半
導体素子に直接ごみが付着することもないし、誤ってパ
ネル表面に接触したとしてもＰＩの弾力によってセンサ
ー素子を破壊する可能性は軽減される。
【００２９】次に図４（ｄ）に示すように、全面に粘着
剤３０５が塗布された蛍光板３０６をローラー４１２で
しごきながらパネル表面に貼りつける。この接着に際し
てもゴムローラー４１２で押す圧力をＰＩの弾力特性に
よって吸収することができるため、センサー素子を破壊
する可能性が軽減されている。
剤３０５が塗布された蛍光板３０６をローラー４１２で
しごきながらパネル表面に貼りつける。この接着に際し
てもゴムローラー４１２で押す圧力をＰＩの弾力特性に
よって吸収することができるため、センサー素子を破壊
する可能性が軽減されている。
【００３０】最後に、ガラスなどからなる基台３０１に
接着剤を塗布し、図４（ａ）〜（ｄ）の工程で作製され
たセンサーパネルを基台３０１に貼り合わせて、図３に
示したＸ線検出装置が完成する。
接着剤を塗布し、図４（ａ）〜（ｄ）の工程で作製され
たセンサーパネルを基台３０１に貼り合わせて、図３に
示したＸ線検出装置が完成する。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光電変換装置の製造工程で付着するゴミや切りくず、ま
たは治具やハンドリングによる接触、などによって発生
する素子への傷を回避し製造の歩留りを向上させること
ができる。
光電変換装置の製造工程で付着するゴミや切りくず、ま
たは治具やハンドリングによる接触、などによって発生
する素子への傷を回避し製造の歩留りを向上させること
ができる。
【００３２】また、製品設計上も、蛍光板の貼り付けに
使用する接着層選定に際しての自由度を上げることがで
きる。さらには、製品品質上も高温高湿下において高信
頼性を確保することができる。
使用する接着層選定に際しての自由度を上げることがで
きる。さらには、製品品質上も高温高湿下において高信
頼性を確保することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係わるＸ線検出装置
の断面図である。
の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係わるＸ線検出装置
の作成プロセスを表わした図である。
の作成プロセスを表わした図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係わるＸ線検出装置
の断面図である。
の断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係わるＸ線検出装置
の作成プロセスを表わした図である。
の作成プロセスを表わした図である。
【図５】レントゲン検査機の概略断面図である。
【図６】図５の中の５０４のカセッテの概略断面図であ
る。
る。
【図７】図６の中の従来のＸ線検出装置の作成プロセス
を表わした図である。
を表わした図である。
１０１，３０１，６１０ 基台 １０２，３０２，６１１ 接着剤 １０３，３０３，６１２ センサーパネル １０４，３０４ 保護層 １０５，３０５，６１３ 接着剤 １０６，３０６，６１４ 蛍光板 １０７，３０７ 電気実装部 ２１０，４１０，７１０ ダイヤモンドブレード ２１１，４１１，７１１ ＴＡＢ圧着用ヒーター ２１２，４１２，７１２ ローラー ５０１ Ｘ線源 ５０２ 被射体（人間） ５０３ 天板 ５０４ カセッテ ５０５ Ｘ線 ６０１ 匡体 ６０２ 蓋 ６０３ Ｘ線センサー部 ６１５ テープキャリアパッケージ ６１６ 電気実装基板
Claims (3)
- 【請求項１】 放射線により発光する蛍光板と、 該蛍光板からの光を電気信号に変換する光電変換素子が
該蛍光板配置側の一主面上に設けられた基板と、 少なくとも該基板の光電変換素子上に設けられた保護層
と、 該保護層上に設けられ、該蛍光板と該基板とを接着する
接着層と、 を備えた光電変換装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光電変換装置におい
て、前記保護層としてポリイミド系樹脂からなる材料を
用いたことを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の光電変換装置におい
て、前記保護層としてシリコーン系樹脂からなる材料を
用いたことを特徴とする光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8066361A JPH09257943A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8066361A JPH09257943A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 光電変換装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005249405A Division JP3977391B2 (ja) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 光電変換装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09257943A true JPH09257943A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13313646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8066361A Pending JPH09257943A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09257943A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000338253A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-12-08 | Siemens Ag | 固体画像検出器の製造方法および固体画像検出器 |
| JP2002524841A (ja) * | 1998-08-11 | 2002-08-06 | トリクセル エス．アー．エス． | 寿命が延長された固体放射線検出器 |
| WO2008142135A1 (fr) * | 2007-05-23 | 2008-11-27 | Trixell S.A.S. | Procede de realisation d'un detecteur de rayonnement |
| WO2012026187A1 (ja) | 2010-08-24 | 2012-03-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
-
1996
- 1996-03-22 JP JP8066361A patent/JPH09257943A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002524841A (ja) * | 1998-08-11 | 2002-08-06 | トリクセル エス．アー．エス． | 寿命が延長された固体放射線検出器 |
| JP4761620B2 (ja) * | 1998-08-11 | 2011-08-31 | トリクセル エス．アー．エス． | 寿命が延長された固体放射線検出器 |
| JP2000338253A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-12-08 | Siemens Ag | 固体画像検出器の製造方法および固体画像検出器 |
| WO2008142135A1 (fr) * | 2007-05-23 | 2008-11-27 | Trixell S.A.S. | Procede de realisation d'un detecteur de rayonnement |
| FR2916575A1 (fr) * | 2007-05-23 | 2008-11-28 | Trixell Sas Soc Par Actions Si | Procede de realisation d'un detecteur de rayonnement |
| US8257996B2 (en) | 2007-05-23 | 2012-09-04 | Trixell S.A.S. | Method of fabricating a radiation detector |
| WO2012026187A1 (ja) | 2010-08-24 | 2012-03-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
| US9158010B2 (en) | 2010-08-24 | 2015-10-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector |
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