JP2015118005A - 放射線検出装置及び放射線検出システム - Google Patents
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Abstract
【課題】 ISS方式での放射線検出装置について好ましい実装形態を提供する。
【解決手段】 放射線検出装置1は、第1面に光電変換素子がアレイ状に配列された光電変換素子アレイ11を有するセンサパネル10と、センサパネル10の第1面側に配置されたシンチレータ層13と、センサパネル10の第1面と対向する第2面側に配置された光源部2と、光電変換素子アレイ11を駆動させるための第1の回路基板30と、光源部2に電源を供給する電源回路を含む第2の回路基板31と、を有し、第1の回路基板30及び第2の回路基板31がセンサパネル10の第1面側にシンチレータ層13を挟んで配置されている。
【選択図】 図2
【解決手段】 放射線検出装置1は、第1面に光電変換素子がアレイ状に配列された光電変換素子アレイ11を有するセンサパネル10と、センサパネル10の第1面側に配置されたシンチレータ層13と、センサパネル10の第1面と対向する第2面側に配置された光源部2と、光電変換素子アレイ11を駆動させるための第1の回路基板30と、光源部2に電源を供給する電源回路を含む第2の回路基板31と、を有し、第1の回路基板30及び第2の回路基板31がセンサパネル10の第1面側にシンチレータ層13を挟んで配置されている。
【選択図】 図2
Description
本発明は放射線検出装置に関する。
放射線撮影の分野において、入射した放射線をデジタルデータに変換する(Flat Panel Detector、以下FPD)が実用化されている。FPDとしては、以下の二つの方式が知られている。一つの方式は、X線の入射側から、シンチレータ、光電変換素子が配置されたセンサパネルの順に配置した(Penetration Side Sampling、以下PSS)方式である。もう一つの方式は、X線の入射側から、センサパネル、シンチレータの順に配置する(Irradiation Side Sampling、以下ISS)方式である。
特許文献1に記載されたPSS方式の放射線検出器(放射線検出装置)は、センサパネルの表側の面に複数の光電変換素子が配置され、光電変換素子上に放射線を光に変換するシンチレータ層が形成されている。また、特許文献1に記載されたPSS方式の放射線検出装置は、センサパネルの裏側の面に、放射線非入射側から、光を照射する光源と、光源を駆動させる駆動回路の実装位置について開示されている。特許文献2には、光電変換回路と制御基板を接続するフレキシブル配線基板を有するISS方式の放射線検出器(放射線検出装置)について開示されている。
しかしながら、特許文献1及び特許文献2のいずれにも、光発生器を有するISS方式の放射線検出装置の実装形態に関して、十分な検討がなされていない。特許文献1で提案されている放射線検出装置をISS方式に適用した場合、センサパネルや光源の駆動用回路と配線が放射線の入射側に配置されるため、これらが放射線に直接に曝射されるといった問題がある。一方、特許文献2の放射線検出装置では、光発生器を有しない放射線検出器であるため、光発生器や光発生器の制御回路等の配置について具体的な開示がない。そのため場合によっては、放射線検出装置の不要な面積の増加や画像へ影響を及ぼすおそれがある。そこで、本発明では、ISS方式の放射線検出装置について好ましい実装形態を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の放射線検出装置は、第1面に光電変換素子がアレイ状に配列された光電変換素子アレイを有するセンサパネルと、前記センサパネルの第1面側に配置され、放射線を前記光電変換素子が検出可能な波長の光に変換するシンチレータ層と、前記センサパネルの第1面と対向する第2面側に配置され、前記センサパネルに光を照射する光源部と、前記光電変換素子アレイを駆動させるための第1の回路基板と、前記光源部に電源を供給する電源回路を含む第2の回路基板とを有する放射線検出装置であって、前記第1の回路基板及び前記第2の回路基板は、前記センサパネルの第1面側に前記シンチレータ層を挟んで配置されていることを特徴とする。
上記手段により、ISS方式での放射線検出装置について好ましい実装形態を提供することができる。
以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
(実施例1)
まず、第1の実施例に係る放射線検出装置の構造について、図1および図2を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の実施例1の放射線検出装置1の構造を模式的に示す平面図である。図2は、図1のA−A線における模式的な断面構造を示す断面図である。
まず、第1の実施例に係る放射線検出装置の構造について、図1および図2を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の実施例1の放射線検出装置1の構造を模式的に示す平面図である。図2は、図1のA−A線における模式的な断面構造を示す断面図である。
図1及び図2における放射線検出装置1は、(Irradiation Side Sampling、以下ISS)方式の放射線検出装置である。すなわち、放射線はセンサパネル10の光電変換素子アレイ11が配列された面である受光面(第1面)に対し、センサパネル10の対向面(第2面)側から入射する。ISS方式の放射線検出装置1は、シンチレータ層13中の光電変換素子に近い部分がより強く発光するため、シンチレータ層13の光電変換素子アレイ11側とは反対側から放射線を入射した場合よりも散乱光が低減し、解像度を高くできる。
以下の説明では、センサパネル10において、光電変換素子がアレイ状に配列された光電変換素子アレイ11を有する面を受光面(第1面)と呼び、第1面と対向する面を対向面(第2面)と呼ぶ。
図1及び図2における放射線検出装置1は、センサパネル10と、シンチレータ層13と、光源部2と、第1の回路基板30と、第2の回路基板31と、を含む。
センサパネル10は、その受光面(第1面)に、光電変換素子がアレイ状に配列された光電変換素子アレイ11を有している。また、センサパネル10の第1面には、光電変換素子アレイ11を覆うセンサ保護層12が設けられていることが望ましい。センサパネル10には、例えば、ガラス、耐熱性プラスチック等を好適に用いることができる。ガラス基板を使用した場合、ガラス基板で放射線の吸収影響が考えられるが、薄型のガラス基板が使用できる。ガラス基板上に光電変換素子アレイ11を形成後、光電変換素子アレイ部を保護フィルムで保護し、フッ酸の液に浸す事でガラス基板を化学的に研磨し、基板厚さを薄くする事で、放射線吸収量を最小限とする事が可能となる。そして、センサパネル10が薄くなる事で、放射線検出装置1自体の薄型、軽量化を達成できる。ここで、ガラス基板の厚さは加工性やハンドリング性を考慮すると30から500μmの範囲がよく、特に100から300μmの範囲が好適である。
光電変換素子は、例えば、アモルファスシリコン(a−Si)等の半導体を用いて、MIS型センサ、PIN型センサが用いられる。光電変換素子アレイ11、光電変換素子からの信号を処理するためのスイッチ素子(不図示)、スイッチ素子を駆動するための配線(不図示)等を更に含む。
センサ保護層12には、例えば、シリコーン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、エポキシ系樹脂、パラキシリレンやアクリル等の有機物質を含む樹脂が用いられ、例えば、熱硬化型のポリイミド系樹脂が代表的である。また、シンチレータ層13の蒸着やアニール処理のような高温条件を伴う処理において劣化しないように、耐熱性を有する樹脂がよい。
センサ保護層12には、例えば、シリコーン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、エポキシ系樹脂、パラキシリレンやアクリル等の有機物質を含む樹脂が用いられ、例えば、熱硬化型のポリイミド系樹脂が代表的である。また、シンチレータ層13の蒸着やアニール処理のような高温条件を伴う処理において劣化しないように、耐熱性を有する樹脂がよい。
放射線を光電変換素子が検出可能な波長の光に変換するシンチレータ層13は、センサパネル10の第1面側に配置されている。シンチレータ層13の材料としては、Gd2O2S:Tbのような粒子蛍光体やハロゲン化アルカリのシンチレータが挙げられる。なかでも、センサパネルに蒸着によって形成されるCsI:NaおよびCsI:Tl等のハロゲン化アルカリ柱状結晶構造を有するシンチレータが特に好適である。
また、シンチレータ層13を覆うように、シンチレータ層13を外気からの水分の侵入や衝撃による構造破壊を抑制するためのシンチレータ保護層14が設けられていることが望ましい。シンチレータ保護層14には、例えば、ポリイミド系、エポキシ系、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリウレタン系、ポリアミド系のホットメルト樹脂を用いることができ、特に、水分透過率の低いものが望ましい。また、シンチレータ保護層14の厚さは、10〜200μm程度がよい。更に、シンチレータ保護層14のシンチレータ13対向面に、例えば、Al、Ag、Cr、Cu、Ni、Ti、Mg、Rh、Pt、及びAu、若しくはこれらの合金のような反射率の高い金属からなる反射層(不図示)を設ける事により、輝度特性が向上できる。
光電変換素子アレイ11に光を照射するための光源部2は、センサパネル10の第1面と対向する第2面側に配置されている。なお、光源部2については、後で詳細に説明する。
第1の回路基板30は光電変換素子アレイ11を駆動させるための回路基板であり、第2の回路基板31は光源部2に電源を供給するための電源回路を含むものである。第1の回路基板30と第2の回路基板31とは、センサパネル10の第1面側にシンチレータ層13を挟んで配置されている。
このように、第1の回路基板30や第2の回路基板31よりも放射線入射側にシンチレータ層13を配置することにより、シンチレータ層13で放射線が吸収及び光に変換されるため、第1の回路基板30や第2の回路基板31への放射線の照射が抑制される。それにより、放射線照射による回路の誤動作やそれによる画像への影響を抑制できる。また、放射線検出装置1の面積の著しい増大を抑制できる。第1の回路基板30は、第1のフレキシブル配線基板32を介してセンサパネル10と電気的に接続されている。
第1のフレキシブル配線基板32は光電変換素子を駆動させるための駆動信号を供給するため配線である。この第1のフレキシブル配線基板32上には、光電変換素子アレイ11の光電変換素子を駆動する集積回路である駆動回路が配置されている。
第2の回路基板31は、第2のフレキシブル配線基板33を介して光源部2と電気的に接続されている。第2のフレキシブル配線基板33は光源2を点灯させるために必要な電力を供給するための配線である。第2の回路基板31は、光源21を点灯させるために必要な電源を生成するための電源回路を含んでいる。第2の回路基板31が、光源21に電源を供給することで、光源21を点灯させることができる。
第2の回路基板31は少なくとも光源21を点灯させる電源を生成し供給する機能を有しているものであれば、放射線検出装置1内の他の回路基板や電気部品に電源を供給する機能やその他放射線検出装置1内のシステムの制御や外部との通信に必要な機能を有していてもよい。
第1の回路基板30と第2の回路基板31には、ICや抵抗器(不図示)等の保持や、信号の伝達をする電気回路基板で、ガラスエポキシ、紙フェノール、紙エポキシ等を素材とした基板に、銅箔など導電体で回路(パターン)配線を構成し、電気部品を実装する。
さらに、放射線検出装置1の小型化や軽量化の為、第1の回路基板30と第2の回路基板31は、1枚の回路基板で構成してもよい。センサパネル10にガラスを使用した場合や、センサパネル10と第1のフレキシブル配線基板32の接続部を外部からの圧力や振動による応力等から保護する場合は、センサパネル10を光源部2の外縁部よりも内側に配置すると良い。この構成にする事で、第2のフレキシブル配線基板33とセンサパネル10との接触を防止することができ、放射線検出装置1の信頼性を向上させることができる。
第1の回路基板30は第2の回路基板31よりもセンサパネル10の第1面側の中心に対して外側に配置されることが望ましい。この配置にすることで、第2のフレキシブル配線基板33と第1のフレキシブル配線基板32が交差することなく配線することができる。また、第2のフレキシブル配線基板33と第1の回路基板30および第1のフレキシブル配線基板32の間隔を、1つの間隔規定部材34によって規定することが可能となる。
第2のフレキシブル配線基板33は、センサパネル10に対して第1のフレキシブル配線基板32よりも外側に配置されている。また第2のフレキシブル配線基板33は、第1のフレキシブル配線基板32の少なくとも一部を覆うように配置され、第2の回路基板31に接続されている。第2のフレキシブル配線基板33をこのような配置にすることで、第2のフレキシブル基板33を配線する際に過剰な負荷がかかることを防止できる。さらに、後述する読み出し用回路基板40や、読み出し用フレキシブル配線基板41を避けて配線されているため、第2のフレキシブル配線基板33からのノイズが、放射線検出装置1の画像信号に及ぼす影響を少なくできる。第1のフレキシブル配線基板32と第2のフレキシブル配線基板33は、例えば、ポリイミドやポリエステルなどのフィルムが用いられる。そしてフィルム基材の上に、薄い銅箔の配線パターンを形成し、表面保護のための絶縁フィルムで被覆されたフレキシブル配線基板(FPC)が好適に用いられる。
この第2のフレキシブル配線基板33は、間隔規定部材34によって第1のフレキシブル配線基板32との間隔が規定され、振動や外部応力を受けても第1のフレキシブル配線基板32との接触を抑制する構成としている。
また、この間隔規定部材34は、一定の厚みを持っており、剛性を持った材料で構成している。この構成において第1のフレキシブル配線基板32と第2のフレキシブル配線基板33の間隔を一定以上に規定される。それにより、第2のフレキシブル配線基板33と第1のフレキシブル配線基板32との接触を抑制することができる。さらに、間隔規定部材34により第2のフレキシブル配線基板33と第1の回路基板30との間隔も一定以上に規定し、第2のフレキシブル配線基板33と第1の回路基板30との接触を抑制することができる。
図2の例では、間隔規定部材34は、第2のフレキシブル配線基板33と第1のフレキシブル配線基板32の間に配置されている。ただし、間隔規定部材34の配置は、必ずしも第2のフレキシブル配線基板33と第1のフレキシブル配線基板32の間に配置されている必要はない。例えば第2のフレキシブル配線基板33の外縁を間隔規定部材34で固定し、第2のフレキシブル配線基板33の位置を固定することで、第1のフレキシブル配線基板32をおよび第1の回路基板30との間隔を規定することもできる。
更に、第1の回路基板30と第1のフレキシブル配線基板32との接続部分は、樹脂等の絶縁物質で封止する絶縁処理を行う事で、振動等による位置変動による短絡を未然に防止でき、より信頼性を向上することができる。なお、絶縁処理に使用する樹脂は、例えばアクリル系、エポキシ系、又はシリコーン系の封止樹脂、ゴム系接着剤、アクリル系接着剤、スチレン・共役ジエンブロック共重合体系接着剤、シリコーン系接着剤などを用いうる。
間隔規定部材34は、例えば、鉄やアルミなどの金属材料が使用でき、板の形状から、板金、プレス、折り曲げ加工等で所望の形態に加工することができる。また間隔規定部材34は、基台に固定されて支持されている。さらに、間隔規定部材34は、第2のフレキシブル配線基板33を固定し、保持することで第2のフレキシブル配線基板33が振動等により変位することを防止し信頼性を向上させることができる。
放射線検出装置1は、読み出し回路基板40と、読み出し用フレキシブル配線基板41と、基板間フレキシブル配線基板42と、基台15と、を更に含む。読み出し回路基板40は、センサパネル10上の各光電変換素子から出力されたアナログ電気信号に基づく画像信号を、読み出し用フレキシブル配線基板41を介して読み出すための回路基板である。
読み出し用フレキシブル配線基板41は、センサパネル10と読み出し回路基板40を電気的に接続している。読み出し用フレキシブルプリント配線基板41には、各光電変換素子から出力されたアナログ電気信号を増幅する増幅回路やアナログデジタル変換するA/D変換器を有する集積回路である読み出し回路(不図示)が配置されている。
第1の回路基板30と第2の回路基板31と読み出し回路基板40は、基板間フレキシブルプリント配線基板42によりそれぞれ接続されている。基板間フレキシブルプリント配線基板42には、第2の回路基板31からそれぞれの回路基板に電源を供給するための電源線やその他の制御に必要な信号線等が含まれている。
基台15は、シンチレータ層13と第1の回路基板30との間、および、シンチレータ層13と第2の回路基板31との間に配置されており、第1の回路基板30と第2の回路基板31とを機械的に支持している。
基台15は、透過してきた放射線から電気回路基板を保護する為、モリブデンやタングステンやSUSやアルミなどの金属材料を用いる事ができ、これらの材料から選択して積層し使用する事もできる。基台15は、さらに間隔規定部材34を支持するために、間隔規定部材34を固定することも可能である。また、第1の回路基板30と第2の回路基板31は、基台15に対して、直接支持してもよいし、SUSやアルミ等の材料を挟んで支持してもよい。
なお、第1の回路基板30と第1のフレキシブル配線基板32とを電気的に接続する部分が基台15に接触すると、基台15を介して他の回路基板と短絡する懸念がある。これを防止するために、第1の回路基板30と第1のフレキシブル配線基板32とを電気的に接続する部分は、基台15の外縁部よりも外側である事が望ましい。
次に、図3から図5を用いて光源部2を詳細に説明する。図3は実施例1の放射線検出装置1と光源部2の構造を模式的に示した分解斜視図である。図4は図3の光源部2におけるB−B面の断面構造を模式的に示した断面図である。図5は図3の光源部2におけるC−C面の断面構造を模式的に示した断面図である。
光源部2は、例えば、液晶表示装置等のバックライトとして使用されるLEDユニットや、有機EL(エレクトロルミネッセンス)、無機分散型EL等を用いることができる。図3から図5に示す光源部2は、光源21と、導光板22と、反射板23、第1の拡散板24とを含んで構成されている。
光源21は第2のフレキシブル配線基板33に実装される。第2のフレキシブル配線基板33は、光源21が実装される辺に沿って延伸する。この辺の一部から第2のフレキシブル配線基板33を引き出す構造としている。
光源部2は、光源21が実装されていない3つの辺については、スペーサ26が反射板23と第2の拡散板25の間に配置され、接触する部分は粘着材27により固定されている。光源21と第2のフレキシブル配線基板33が実装されている辺については、第2のフレキシブル配線基板33がスペーサ26と反射板23の間に配置されており、それぞれの接触する部分は粘着材27にて固定されている。
さらに反射板23とスペーサ26が接触する部分と反射板23の上面で第2の拡散板25と接触する部分はそれぞれ粘着材27で固定されている。導光板22はいずれも面も粘着材27で固定されていない。
光源21は、光源部2の発光源である。例えば、小サイズの複数の発光源を並べて配置される。具体的には、LED光源をエッジライト方式でライン状に配置することが望ましい。また光源21は実施形態に応じて蛍光灯、電球、レーザー等から適宜選択することができる。
導光板22は、光源21が発する光を面内へ広げながら第1の拡散板24の方向に均一に導光する機能を有する板状の光学部材である。導光板22には、光伝播効率が良く透明度の高い樹脂素材が用いられ、例えばアクリル樹脂等が望ましい。
反射板23は、導光板22を伝播し反射板23側に透過してきた光を再び導光板22側に反射させ、センサパネル10側への入射する光量を高めるために配置されている。反射板23の材料としてはPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムに酸化チタン等のフィラーと気泡を内填した板又はシート状の材料や金属が望ましい。反射板23を用いても、センサパネル10の第1面へ到達する放射線の光量を減少させるものではない。
第1の拡散板24および第2の拡散板25は、光源21より発せられ導光板22内を伝搬した光を、各拡散板の面方向に拡散させながら、センサパネル10の方向へ向けて照射する機能を有する。第2の拡散板25の表面には複数に凸部が形成される。そして光がこの複数の凸部を通過してセンサパネル10に照射されることで、様々な方向に屈折して拡散する。なお、第2の拡散板25の表面に形成された凸部は光を拡散させる機能があるが、センサパネル10の第1面に到達する放射線の光量の均一性に影響を及ぼすものではない。第1の拡散板24および第2の拡散板25の材料としては、たとえば、PETなどが用いられる。
スペーサ26は、光源部2の周辺部分に配置される。スペーサ26を配置することにより、光源21と第2のフレキシブル配線基板33を光源部2の周辺部分に配置するための空間を形成できる。例えばシリコーン系の樹脂、アクリル系の樹脂、エポキシ樹脂等が用いられる。また、光の反射係数が高い材質を用いることで光源21から発せられた光が光源部2周辺部分から漏れるのを防ぐことができる。
粘着材27としては、例えばアクリル系やシリコーン系の材料で構成された粘着シート、粘着フィルム、粘着テープ等が好適に用いられる。粘着材27の材料は一例であり、スペーサ26の材質やスペーサ26と貼り合わせる材料に合わせて選択するものとする。
センサパネル10と光源部2を光透過率の高い樹脂により接着することができる。例えばゴム系接着剤、アクリル系接着剤、スチレン・共役ジエンブロック共重合体系接着剤、シリコーン系接着剤などで貼り合せる事で、より放射性検出装置の信頼性を向上する事ができる。一例としてセンサパネル10と光源部2を接着するとしたが、光源部2はセンサパネル10の第2面側に配置されていればよく、必ずしも接着されている必要はない。
以上のように、本実施例によれば、ISS方式での放射性検出装置の好ましい実装形態が得られるものである。なお、放射線検出装置1は不図示の筐体に内包され、外部からの光や水分の浸入が抑制されうる。
(実施例2)
次に、図6を参照しつつ、第2の実施例における放射線検出装置1の構造について説明する。図6は本発明の実施例2にかかる放射線検出装置1の構造を示す断面図である。なお、実施例1との共通箇所については共通の番号を付与し、説明を省略する。
次に、図6を参照しつつ、第2の実施例における放射線検出装置1の構造について説明する。図6は本発明の実施例2にかかる放射線検出装置1の構造を示す断面図である。なお、実施例1との共通箇所については共通の番号を付与し、説明を省略する。
図6に示すように、本実施例の放射線検出装置1は、第1のフレキシブル配線基板32及び/又は第2のフレキシブル配線基板33を固定する固定部材35を更に含む。この固定部材35は、第1のフレキシブル配線基板32および第2のフレキシブル配線基板33と光源部2の間に配置されている。
このような構成にすることで、各フレキシブル配線基板を所定の位置で固定することができ、両者の間隔を一定に保つことができ、接触を抑制することができる。さらに、第1のフレキシブル配線基板32と第2のフレキシブル配線基板33のいずれか一方を固定するように固定部材35を配置することも可能である。
また、固定部材35は、センサパネル10の端部と第1のフレキシブル配線基板32との間に配置される事で、第1のフレキシブル配線基板32を所定の位置で保持することが可能となる。また、固定部材35が第1のフレキシブル配線基板32と第1の回路基板30が電気的に接続している箇所以外で接触させないため、より放射線検出装置1の信頼性をより向上することができる。
固定部材35は、例えばアクリル系又はシリコーン系の封止樹脂、ゴム系接着剤、アクリル系接着剤、スチレン・共役ジエンブロック共重合体系接着剤、シリコーン系接着剤などを用いうる。
(実施例3)
図7は、本発明の放射線検出装置の実施形態である放射線検出システム101への応用例を示す模式図である。放射線検出装置の実施形態である放射線撮影システム101には、本発明の前記いずれかの実施形態にかかる放射線検出装置1が適用される。放射線撮像装置6040は、主に放射線検出装置1と放射線検出装置1を収容して保護するカバーを備えうる。
図7は、本発明の放射線検出装置の実施形態である放射線検出システム101への応用例を示す模式図である。放射線検出装置の実施形態である放射線撮影システム101には、本発明の前記いずれかの実施形態にかかる放射線検出装置1が適用される。放射線撮像装置6040は、主に放射線検出装置1と放射線検出装置1を収容して保護するカバーを備えうる。
放射線検出システム101は、放射線源としてのX線チューブ6050と、放射線検出装置6040と、信号処理手段としてのイメージプロセッサ6070と、表示手段としてのディスプレイ6080、6081とを有する。さらに、放射線検出システム101は、これらに加えて、フィルムプロセッサ6100と、レーザープリンタ6120とを有する。
放射線源としてのX線チューブ6050が発生させた放射線(X線)は、被検者6061の撮影部位6062を透過し、放射線撮像装置6040に入射する。放射線撮像装置6040に入射した放射線には、被検者6061の撮影部位6062の内部の情報が含まれている。
放射線撮像装置6040に放射線が入射すると、入射した放射線に応じてシンチレータ層13が発光し、光電変換素子アレイ11はシンチレータ層13が発する光を光電変換する。これにより、電気的な被検者6061の撮影部位6062の情報が得られる。この情報は、デジタル形式に変換されて、信号処理手段としてのイメージプロセッサ6070に出力される。
信号処理手段としてのイメージプロセッサ6070は、CPUとRAMとROMを備えるコンピュータが適用される。さらに、イメージプロセッサ6070は、記録手段として各種情報を記録可能な記録媒体を有する。たとえば、イメージプロセッサ6070は、記録手段としてHDDやSSDや記録可能な光ディスクドライブなどを内蔵している。または、イメージプロセッサ6070は、記録手段としてのHDDやSSDや記録可能な光ディスクドライブなどを外部に接続可能であってもよい。
そして、信号処理手段としてのイメージプロセッサ6070は、この情報に所定の信号処理を施し、表示手段としてのディスプレイ6080に表示させる。これにより、被検者や検者は、画像を観察できる。また、イメージプロセッサ6070は、この情報を記録手段としてのHDDやSSDや記録可能な光ディスクドライブに記録できる。
また、イメージプロセッサ6070は、情報の伝送手段として、外部に情報を伝送可能なインターフェースを有する構成であってもよい。このような伝送手段としてのインターフェースには、たとえば、LANや電話回線6090を接続可能なインターフェースが適用できる。
そして、イメージプロセッサ6070は、伝送手段としてのインターフェースを介して、この情報を遠隔地に伝送することができる。たとえば、イメージプロセッサ6070は、この情報を、放射線撮像装置6040が設置されたX線ルームから離れた場所にあるドクタールームに伝送する。これにより、医師等は、遠隔地において被検者の診断が可能となる。また、放射線検出システム101は、記録手段としてのフィルムプロセッサ6100により、この情報をフィルム6210に記録することもできる。
以上、本発明を実施例に基づいて詳述してきたが、本発明はこれらの特定の実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の様々な形態も本発明の範疇に含まれる。さらに、上述した各実施形態は本発明の一実施の形態を示すものにすぎず、各実施形態を適宜組み合わせることも可能である。
1 放射線検出装置
2 光源部
10 センサパネル
11 光電変換素子アレイ
12 センサ保護層
13 シンチレータ層
14 シンチレータ保護層
15 基台
21 光源
22 導光板
23 反射板
24 第1の拡散板
25 第2の拡散板
26 スペーサ
27 粘着材
30 第1の回路基板
31 第2の回路基板
32 第1のフレキシブル配線基板
33 第2のフレキシブル配線基板
34 間隔規定部材
35 固定部材
40 読み出し回路基板
41 読み出し用フレキシブル配線基板
42 基板間フレキシブル配線基板
101 放射線検出システム
2 光源部
10 センサパネル
11 光電変換素子アレイ
12 センサ保護層
13 シンチレータ層
14 シンチレータ保護層
15 基台
21 光源
22 導光板
23 反射板
24 第1の拡散板
25 第2の拡散板
26 スペーサ
27 粘着材
30 第1の回路基板
31 第2の回路基板
32 第1のフレキシブル配線基板
33 第2のフレキシブル配線基板
34 間隔規定部材
35 固定部材
40 読み出し回路基板
41 読み出し用フレキシブル配線基板
42 基板間フレキシブル配線基板
101 放射線検出システム
Claims (15)
- 第1面に光電変換素子がアレイ状に配列された光電変換素子アレイを有するセンサパネルと、
前記センサパネルの第1面側に配置され、放射線を前記光電変換素子が検出可能な波長の光に変換するシンチレータ層と、
前記センサパネルの第1面と対向する第2面側に配置され、前記光電変換素子アレイに光を照射する光源部と、
前記光電変換素子アレイを駆動させるための第1の回路基板と、
前記光源部に電源を供給する電源回路を含む第2の回路基板と、を有する放射線検出装置であって、
前記第1の回路基板及び前記第2の回路基板は、前記第1面側に前記シンチレータ層を挟んで配置されていることを特徴とする放射線検出装置 - 前記第1の回路基板と前記センサパネルとを電気的に接続する第1のフレキシブル配線基板と、
前記第2の回路基板と前記光源部を電気的に接続する第2のフレキシブル配線基板と、
を有することを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置 - 前記第2のフレキシブル配線基板は、前記センサパネルに対して第1のフレキシブル配線基板より外側に配置され、第1のフレキシブル配線基板の少なくとも一部を覆うように前記第2の回路に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の放射線検出装置。
- 前記第1のフレキシブル配線基板と前記第2のフレキシブル配線基板との間隔を規定する間隔規定部材を更に有することを特徴とする請求項2又は3に記載の放射線検出装置
- 前記間隔規定部材は、前記第1の回路基板と前記第2のフレキシブル配線基板との間隔を規定することを特徴とする請求項4に記載の放射線検出装置
- 前記間隔規定部材は、前記第1のフレキシブル配線基板と前記第2のフレキシブル配線基板との間に配置されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の放射線検出装置。
- 前記間隔規定部材は、前記第1の回路基板と前記第2のフレキシブル配線基板との間に配置されていることを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項に記載の放射線検出装置
- 前記光電変換素子を駆動する駆動回路が前記第1のフレキシブル配線基板上に配置されていることを特徴とする請求項2乃至7のいずれか1項に記載の放射線検出装置
- 前記第1のフレキシブル配線基板と前記第2のフレキシブル配線基板の少なくともいずれか一方を固定する固定部材を更に有することを特徴とする請求項2乃至8のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
- 前記固定部材は、前記第1のフレキシブル配線基板を前記第1の回路基板に固定することを特徴とする請求項9に記載の放射線検出装置。
- 前記第1の回路基板と前記第2の回路基板を支持する基台を更に有し、
前記基台は、前記シンチレータ層と前記第1の回路基板の間、及び、前記シンチレータ層と前記第2の回路基板との間、に配置されていることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の放射線検出装置。 - 前記間隔規定部材は、前記基台に固定されていることを特徴とした請求項11に記載の放射線検出装置
- 前記第1の回路基板と前記第1のフレキシブル配線基板が電気的に接続された部分は、前記基台の外縁部よりも外側であることを特徴とする請求項11又は12に記載の放射線検出装置。
- 前記センサパネルは前記光源部の外縁部より内側に配置されていることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
- 請求項1から14のいずれか1項に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
を有することを特徴とする放射線検出システム。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018205305A (ja) * | 2017-06-01 | 2018-12-27 | 群創光電股▲ふん▼有限公司Innolux Corporation | 光検出装置およびその操作方法 |
Families Citing this family (2)
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018205305A (ja) * | 2017-06-01 | 2018-12-27 | 群創光電股▲ふん▼有限公司Innolux Corporation | 光検出装置およびその操作方法 |
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