JPH09251831A - 高周波リレー - Google Patents

高周波リレー

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JPH09251831A
JPH09251831A JP5963096A JP5963096A JPH09251831A JP H09251831 A JPH09251831 A JP H09251831A JP 5963096 A JP5963096 A JP 5963096A JP 5963096 A JP5963096 A JP 5963096A JP H09251831 A JPH09251831 A JP H09251831A
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Masanori Nakamura
正則 中村
Kiyoaki Kuzukawa
清明 葛川
Tatsuo Shinoura
達生 篠浦
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Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 優れた高周波特性を有し、インピーダンスの
マッチング設計が容易な小型の高周波リレーを提供する
ことにある。 【解決手段】 アース端子40の上端部に設けた上方舌
片45を前記シールドケース30の底面から突出し、か
つ、前記上方舌片45を一対の固定端子12,12間に
略同一直線上に配置した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波信号を開閉
する電磁リレー,スイッチ等の高周波リレー、特に、そ
のシールド構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、高周波リレーとしては、例えば、
実公平7−3568号公報に記載の高周波リレーがあ
る。そして、前記高周波リレーのシールド構造として
は、図12に示すように、底面にカシメ用係合孔(図示
せず)を開設したシールドケース1と、ベースの下面か
ら突出する固定接点材料(図示せず)を遮蔽するように
屈曲した連続壁面体である基部2からなり、かつ、この
基部2の上方および下方にそれぞれカシメ用係合片3お
よび外部導出用端子4を突設したアース端子5とで構成
されている。そして、従来例のシールド構造では、シー
ルドケース1のカシメ用係合孔にアース端子5のカシメ
用係合片3を下方から嵌合し、カシメ固定で一体化され
ている(図12(b))。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
シールドケース1は、その底面がほぼ平坦であり、シー
ルドケース1の底面から突出した固定接点端子(図示せ
ず)の上端部が直接対向し、完全な同軸構造となってい
ない。このため、所望の高周波特性が得にくく、所望の
高周波特性を得ようとすると、端子間の距離を縮めるこ
とができないので、装置の小型化に限界があった。
【0004】また、前述の高周波リレーを所定の高周波
インピーダンスに設計しようとすると、連続壁面体であ
る基部2およびこの基部2から下方に突出する外部導出
用端子4を調整できるにすぎないので、高周波インピー
ダンスのマッチング設計が容易でないという問題点があ
った。
【0005】本発明は、前記問題点に鑑み、優れた高周
波特性を有し、インピーダンスのマッチング設計が容易
な小型の高周波リレーを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる高周波リ
レーは、前記目的を達成するため、シールドケースの底
面に別体のアース端子を固定した高周波リレーにおい
て、 前記アース端子の上端部に設けた舌片を前記シー
ルドケースの底面から突出し、かつ、前記舌片を少なく
とも一対の固定端子間に略同一直線上に配置した構成と
してある。
【0007】また、前記舌片は、その自由端部を側方に
屈曲した略L字形状であってもよい。
【0008】さらに、本発明にかかる高周波リレーは、
前記シールドケースの底面のうち、少なくとも一対の固
定端子間に位置する部分を切り起こして前記固定端子間
に舌片を略同一直線上に形成した構成であってもよい。
【0009】そして、前記シールドケースの底面から突
出する前記舌片の上方に可動接触片を配するとともに、
この可動接触片の上方に第2アース端子を配置してもよ
い。
【0010】
【発明の実施の形態】次に、本発明にかかる実施形態を
図1ないし図11の添付図面に従って説明する。第1実
施形態にかかる高周波リレーは、図1ないし図5に示す
ように、大略、浅底の箱型ベース10と、電磁石ブロッ
ク20と、シールドケース30と、アース端子40と、
可動ブロック50と、および、カバーケース60とから
なるものである。
【0011】箱型ベース10は、その長手方向の片側に
絶縁体11を介して常閉接点端子12、共通接点端子1
3および常開接点端子14を同一直線上に植設してあ
る。
【0012】電磁石ブロック20は、コイル21を巻回
したスプール22の中心孔に鉄芯23を挿入し、突出す
る一端部を磁極部23aとし、突出する他端部を略L字
形状に屈曲したヨーク24の曲げ起こし部24aにカシ
メ固定した電磁石部25と、前記スプール22の鍔部に
設けた突部22aに組み付けたヒンジバネ26を介して
回動可能に支持された可動鉄片27とから構成されてい
る。そして、前記鉄芯23の磁極部23aと可動鉄片2
7とが接離可能に対向している。一方、可動鉄片27か
ら延在する腕部27aの自由端部27bが、前記ヨーク
24の上辺縁部に設けた切り欠き部24bから外方に突
出している。そして、前記電磁石ブロック20は、前記
ベース10の長手方向の残る片側に位置決めされ、固定
されている。
【0013】シールドケース30は、黄銅等の金属板を
打ち抜いて屈曲した細長の略箱形状を有するものであ
り、その底面に、前記ベース10に設けた絶縁体11お
よび後述するアース端子40のカシメ用突起44に嵌合
する嵌合孔31aと、端子孔31bとを設けてある。さ
らに、前記シールドケース30は、その両側端面の上方
縁部から垂直に延在する起立部32,32を設けてある
一方、片側側面の上方縁部から一対のバネ受け部33,
33を延在してある。そして、前記起立部32は、後述
する可動ブロック50をヒンジ支持する係合孔32aを
有している。
【0014】アース端子40は、図4に示すように、前
記シールドケース30の底面に組み付けて一体化するこ
とにより、シールド構造を構成するものである。このア
ース端子40は、図5に示すように、その中央部に屈曲
部41を有し、その両端部を略直角に屈曲した下方舌片
42,42を設けてあるとともに、下方側に突設した端
子部43,43を有している。さらに、前記アース端子
40は、上方側に突設したカシメ用突起44を間にして
一対の上方舌片45,45を同一直線上に設けてある。
【0015】そして、前記シールドケース30の底面に
設けた嵌合孔31aおよび端子孔31bに上方舌片45
およびカシメ用突起44をそれぞれ嵌合し、カシメ用突
起44をカシメることにより、両者は一体化される。つ
いで、前記ベース10の端子孔に前記アース端子40の
端子部43を圧入して固定することにより、常閉接点端
子12、共通接点端子13および常開接点端子14の上
端部がシールドケース30内に同一直線上に突出すると
ともに、それらの間で上方舌片45,45が同一直線上
に突出することになる。
【0016】可動ブロック50は、樹脂成形品からなる
可動ブロック本体51の両側端面に前記シールドケース
30の係合孔32aに係合する突起52(図1中、奥側
の突起は図示せず)を突設する一方、その下辺縁部から
一対の支持部53,54を突設してある。この支持部5
3,54には、可動接触片55,56が段違いとなるよ
うにそれぞれ固定されている。
【0017】そして、前記可動ブロック50は、可動ブ
ロック本体51の上辺中央部に屈曲した復帰バネ57を
組み付け、その突起52,52をシールドケース30の
係合孔32aに嵌入することにより、回動可能に支持さ
れる。これにより、可動接触片55,56が常閉接点端
子12、共通接点端子13および常開接点端子14に交
互に接離可能に対向する。さらに、前記復帰バネ57の
板バネ部58がシールドケース30のバネ受け部33に
圧接し、可動ブロック50が内方に付勢されるので、前
記可動ブロック50の背面に、前記可動鉄片27の腕部
27aの自由端部27bが圧接する。
【0018】ケースカバー60は、内部構成部品を組み
込んだベース10に嵌合可能な箱形状を有するものであ
る。そして、前記ベース10に嵌合し、その下面にシー
ル剤を注入,固化することにより、組立作業が完了す
る。
【0019】次に、前述の構成からなる高周波リレーの
動作について説明する。コイル21に電圧を印加せず、
電磁石部25が励磁されていない場合、板バネ部58の
バネ力により、可動ブロック50が内方に付勢されてい
る。このため、可動接触片55の両端部が常閉接点端子
12および共通接点端子13に接触している一方、可動
接触片56の両端部がシールドケース30の内側面に設
けたアース接点30aに接触している(図3(a))。
【0020】そして、前記コイル21に電圧を印加して
励磁すると、鉄芯23の磁極部23aが可動鉄片27を
吸引するので、板バネ部58のバネ力に抗し、可動鉄片
27が回動する。このため、可動鉄片27の腕部27a
の自由端部27bが復帰バネ57を介して可動ブロック
50の背面を押圧し、その突起52を回動支点として可
動ブロック50が回動する。この結果、可動接触片55
が常開接点端子12および共通接点端子13から開離し
てアース接点30aに接触する一方、可動接触片56が
アース接点30aから開離して共通接点端子13および
常閉接点端子14に接触した後、可動鉄片27が鉄芯2
3の磁極部23aに吸着する。
【0021】さらに、電磁石ブロック25の励磁を解く
と、板バネ部58のバネ力により、可動ブロック50が
内方に付勢されているので、可動鉄片27が前述と逆方
向に回動し、元の状態に復帰する。
【0022】第2実施形態にかかる高周波リレーは、図
6ないし図8に示すように、前述の第1実施形態がアー
ス端子40の真直な上方舌片45を固定端子12,1
3,14間において同一直線上に配置した場合であるの
に対し、自由端部が略直角に屈曲された略L字形の上方
舌片46で仕切る場合である。本実施形態によれば、下
方舌片42および上方舌片46が、対向する常閉接点端
子12、共通接点端子13および常開接点端子14の間
をそれぞれ仕切るので、より一層高周波特性が向上する
という利点がある。他は前述の実施形態と同様であるの
で、説明を省略する。
【0023】第3実施形態にかかる高周波リレーは、図
9に示すように、前述の実施形態がシールドケース30
に上方舌片45または46を有するアース端子40を組
み付けた場合であるのに対し、シールドケース30の底
面の一部を切り起こすことにより、上方舌片34を固定
端子12,13,14間において同一直線上に設ける一
方、これと別体のアース端子40をシールドケース30
の底面にカシメ固定することにより、シールド構造を形
成した場合である。
【0024】本実施形態によれば、アース端子40の形
状が簡単になり、製造が容易になるという利点がある。
【0025】第4実施形態にかかる高周波リレーは、図
10に示すように、前述の実施形態ではシールドケース
30にアース端子40を下方から組み付ける場合である
のに対し、上方から組み付けるようにした場合である。
すなわち、アース端子40は略π字形状であり、その中
央部の下方縁部に突設したカシメ用突起44を、シール
ドケース30の底面に設けた嵌合孔に上方から挿入し、
カシメ固定して組み付けられる。本実施形態によれば、
シールドケース30にアース端子40を上方から組み付
けられるので、製造の自由度が大きくなるという利点が
ある。
【0026】第5実施形態にかかる高周波リレーは、図
11に示すように、前述の実施形態では、上方舌片4
5,46または34が接点端子12,13,14の間
で、かつ、可動接触片55,56の下方側に位置する場
合であるのに対し、下方側のみならず、上方側にもアー
ス端子40と別体のアース端子47を配置することによ
り、可動接触片55,56をアース端子40,47で上
下方向からシールドし、高周波特性をより一層向上させ
たものである。前記アース端子47は、正面略π字形状
を有し、その中央部48が平面略コ字形状に屈曲されて
迫り出している。ただし、組立性の見地より、前記中央
部48は可動接触片55,56と同一平面上に位置せ
ず、片側に若干ずれた位置に配置されている。このた
め、アース端子47はシールドケース30に可動接触片
55,56を配置する前に予め組み付けておいてもよ
い。
【0027】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の請求項1ないし4の高周波リレーによれば、固定端子
間に略同一直線上に配した舌片が配置され、この舌片と
シールドケースとでほぼ同軸構造となっている。このた
め、所望の高周波特性が得られるだけでなく、所定の高
周波特性を維持しつつ、固定端子間の距離をも縮めるこ
とができるので、装置をより一層小型化できる。また、
本願発明によれば、従来例よりも舌片が増えているの
で、この舌片を調整することにより、より大きなインピ
ーダンスの調整が可能となり、マッチング設計が容易に
なる。請求項2によれば、舌片が、固定端子間を直交す
るように仕切るので、より一層優れた高周波特性が得ら
れる。請求項3によれば、シールドケースの底面を切り
起こして舌片を形成するので、材料を節約できるだけで
なく、アース端子の構造も簡単になり、製造が容易にな
る。請求項4によれば、アース端子の舌と第2アース端
子とで可動接触片を上下方向から挟む構成としてあるの
で、より一層優れた高周波特性が得られるという効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本願発明にかかる第1実施形態を示す高周波
リレーの分解斜視図である。
【図2】 図1の高周波リレーを示し、図(a)は斜視
図であり、図(b)は可動ブロックの背面から見た斜視
図である。
【図3】 図1のシールドケースを示し、図(a)は平
面図、図(b)は正面部分断面図である。
【図4】 図1のシールドケースおよびアース端子を示
す分解斜視図である。
【図5】 図4のアース端子を示し、図(a)は平面
図、図(b)は正面図である。
【図6】 第2実施形態のシールドケースを示し、図
(a)は平面図、図(b)は正面部分断面図である。
【図7】 図6のシールドケースおよびアース端子の分
解斜視図である。
【図8】 図7のアース端子を示し、図(a)は平面
図、図(b)は正面図である。
【図9】 第3実施形態のシールドケースを示し、図
(a)は平面図、図(b)は正面部分断面図である。
【図10】 第4実施形態のアース端子およびシールド
ケースを示し、図(a)はシールドケースに組み込まれ
るアース端子の正面図、図(b)はアース端子を組み込
んだシールドケースの平面図、(c)はアース端子を組
み込んだシールドケースの正面部分断面図である。
【図11】 第5実施形態のアース端子およびシールド
ケースを示し、図(a)はシールドケースに組み込まれ
るアース端子の正面図、図(b)はアース端子を組み込
んだシールドケースの平面図、(c)はアース端子を組
み込んだシールドケースの正面部分断面図である。
【図12】 従来例にかかる高周波リレーのシールドケ
ースおよびアース端子を示し、図(a)は分解斜視図、
図(b)は両者を組み付けた状態を示す正面図である。
【符号の説明】
30…シールドケース、31a…端子孔、31b…嵌合
孔、34…上方舌片、40…アース端子、43…端子
部、44…カシメ用突起、45,46…上方舌片、47
…アース端子、48…中央部。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 シールドケースの底面に別体のアース端
    子を固定した高周波リレーにおいて、 前記アース端子の上端部に設けた舌片を前記シールドケ
    ースの底面から突出し、かつ、前記舌片を少なくとも一
    対の固定端子間に略同一直線上に配置したことを特徴と
    する高周波リレー。
  2. 【請求項2】 前記舌片が、その自由端部を側方に屈曲
    した略L字形状であることを特徴とする請求項1に記載
    の高周波リレー。
  3. 【請求項3】 シールドケースの底面に別体のアース端
    子を固定した高周波リレーにおいて、 前記シールドケースの底面のうち、少なくとも一対の固
    定端子間に位置する部分を切り起こして前記固定端子間
    に舌片を略同一直線上に形成したことを特徴とする高周
    波リレー。
  4. 【請求項4】 前記シールドケースの底面から突出する
    前記舌片の上方に可動接触片を配するとともに、この可
    動接触片の上方に第2アース端子を配置したことを特徴
    とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の高周波
    リレー。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100296456B1 (ko) * 1998-01-27 2001-07-31 이마이 기요스케 고주파 개폐 장치
KR100376363B1 (ko) * 1999-11-25 2003-03-15 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 고주파 릴레이
CN112670127A (zh) * 2020-12-31 2021-04-16 华中科技大学 一种适用于磁场环境的直线式电磁继电器

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