JPH09248753A - デバイスウエハ表面平坦化研磨加工方法及びその装置 - Google Patents
デバイスウエハ表面平坦化研磨加工方法及びその装置Info
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- JPH09248753A JPH09248753A JP5345196A JP5345196A JPH09248753A JP H09248753 A JPH09248753 A JP H09248753A JP 5345196 A JP5345196 A JP 5345196A JP 5345196 A JP5345196 A JP 5345196A JP H09248753 A JPH09248753 A JP H09248753A
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- polishing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 デバイスウエハの表面をデバイスウエハの回
転作用及び研磨テープの一方向移送作用の複合作用によ
り研磨加工することができ、それだけデバイスパターン
の大小、粗密の状態にかかわらず、凸部のみを優先的に
研磨加工することことになり、デバイスウエハ表面の全
面平坦性及び表面粗さを向上することができる。 【解決手段】 デバイスウエハＷを保持釈放可能な保持
部材２と、保持部材を回転させる回転機構３と、保持部
材の対向位置にて研磨テープＴを連続移送させると共に
研磨テープからなる研磨部３３をもつテープ移送機構１
５とからなる。
転作用及び研磨テープの一方向移送作用の複合作用によ
り研磨加工することができ、それだけデバイスパターン
の大小、粗密の状態にかかわらず、凸部のみを優先的に
研磨加工することことになり、デバイスウエハ表面の全
面平坦性及び表面粗さを向上することができる。 【解決手段】 デバイスウエハＷを保持釈放可能な保持
部材２と、保持部材を回転させる回転機構３と、保持部
材の対向位置にて研磨テープＴを連続移送させると共に
研磨テープからなる研磨部３３をもつテープ移送機構１
５とからなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えばメモリ、ロジ
ックデバイス等のデバイス化途中の層間膜の表面の平坦
化に用いられるデバイスウエハ表面平坦化研磨加工方法
及びその装置に関するものである。
ックデバイス等のデバイス化途中の層間膜の表面の平坦
化に用いられるデバイスウエハ表面平坦化研磨加工方法
及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種のデバイスウエハは、例えば図１
０の如く、シリコンウエハａ上にアルミニュウーム等の
導電性金属からなる第一層の配線パターンｂを形成し、
図１１の如く、この配線パターンｂ上にＳｉＯ2系等の
高誘電体金属からなる層間膜ｃを形成し、図１２の如
く、層間膜ｃの表面をプラナリゼーションと称する平坦
化加工技術により平坦化すると共にコンタクトホールｄ
を形成し、図１３の如く、第二層の配線パターンｅを形
成し、以下同様に第二層の配線パターンｅ上に層間膜を
形成したのち、層間絶縁膜ｃの表面をプラナリゼーショ
ンと称する平坦化加工技術により平坦化し、順次四層、
五層或いは六層等に積層し、高度な多層配線構造を実現
したものである。
０の如く、シリコンウエハａ上にアルミニュウーム等の
導電性金属からなる第一層の配線パターンｂを形成し、
図１１の如く、この配線パターンｂ上にＳｉＯ2系等の
高誘電体金属からなる層間膜ｃを形成し、図１２の如
く、層間膜ｃの表面をプラナリゼーションと称する平坦
化加工技術により平坦化すると共にコンタクトホールｄ
を形成し、図１３の如く、第二層の配線パターンｅを形
成し、以下同様に第二層の配線パターンｅ上に層間膜を
形成したのち、層間絶縁膜ｃの表面をプラナリゼーショ
ンと称する平坦化加工技術により平坦化し、順次四層、
五層或いは六層等に積層し、高度な多層配線構造を実現
したものである。
【０００３】ところでこれらデバイスウエハＷの平坦化
装置としては、ラップ盤が用いられ、デバイスウエハの
平坦化は、デバイスパターンの大小、粗密の下地の状態
にかかわらず、凸部のみを優先的に、かつ表面全面を凹
凸のない平面に均一に除去しなければならないとされ、
加工マージンが極めて少ないことも相俟って、ラップ盤
の加工条件は極めて厳しい。
装置としては、ラップ盤が用いられ、デバイスウエハの
平坦化は、デバイスパターンの大小、粗密の下地の状態
にかかわらず、凸部のみを優先的に、かつ表面全面を凹
凸のない平面に均一に除去しなければならないとされ、
加工マージンが極めて少ないことも相俟って、ラップ盤
の加工条件は極めて厳しい。
【０００４】
【０００５】しかしながら上記従来構造の場合、デバイ
スウエハ自体の径大化傾向に伴い、ラップ盤が大型化す
ると共にこれによりデバイスウエハの取り扱いも困難と
なり易く、それだけ作業性が低下しているという不都合
を有している。
スウエハ自体の径大化傾向に伴い、ラップ盤が大型化す
ると共にこれによりデバイスウエハの取り扱いも困難と
なり易く、それだけ作業性が低下しているという不都合
を有している。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決することを目的とし、本発明のうち、請求項１記
載の発明は、デバイスウエハを保持部材に保持し、テー
プ移送機構により研磨テープを連続移送させると共に該
研磨テープからなる研磨部を該保持部材の対向位置に配
置し、移動機構により保持部材を移動させると共に回転
機構により保持部材を回転させることにより研磨部によ
ってデバイスウエハの表面の研磨加工を行うことを特徴
とするデバイスウエハ表面平坦化研磨加工方法にある。
を解決することを目的とし、本発明のうち、請求項１記
載の発明は、デバイスウエハを保持部材に保持し、テー
プ移送機構により研磨テープを連続移送させると共に該
研磨テープからなる研磨部を該保持部材の対向位置に配
置し、移動機構により保持部材を移動させると共に回転
機構により保持部材を回転させることにより研磨部によ
ってデバイスウエハの表面の研磨加工を行うことを特徴
とするデバイスウエハ表面平坦化研磨加工方法にある。
【０００７】又、請求項２記載の発明は、デバイスウエ
ハを保持釈放可能な保持部材と、該保持部材を回転させ
る回転機構と、該保持部材の対向位置にて研磨テープを
連続移送させると共に該研磨テープからなる研磨部をも
つテープ移送機構とを具備したことを特徴とするデバイ
スウエハ表面平坦化研磨加工装置にある。
ハを保持釈放可能な保持部材と、該保持部材を回転させ
る回転機構と、該保持部材の対向位置にて研磨テープを
連続移送させると共に該研磨テープからなる研磨部をも
つテープ移送機構とを具備したことを特徴とするデバイ
スウエハ表面平坦化研磨加工装置にある。
【０００８】又、請求項３記載の発明は、上記テープ移
送機構を旋回運動させる旋回機構を具備したことを特徴
とするものであり、また、請求項４記載の発明は、上記
保持部材又はテープ移送機構を揺振運動させる揺振機構
を具備したことを特徴とするものであり、又、請求項５
記載の発明は、上記回転機構として、上記保持部材を偏
心回転運動又は遊星回転運動させるように構成したこと
を特徴とするものである。
送機構を旋回運動させる旋回機構を具備したことを特徴
とするものであり、また、請求項４記載の発明は、上記
保持部材又はテープ移送機構を揺振運動させる揺振機構
を具備したことを特徴とするものであり、又、請求項５
記載の発明は、上記回転機構として、上記保持部材を偏
心回転運動又は遊星回転運動させるように構成したこと
を特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１乃至図９は本発明の実施の形
態例を示し、図１乃至図５は第一形態例、図６、図７は
第二形態例、図８、図９は第三形態例である。
態例を示し、図１乃至図５は第一形態例、図６、図７は
第二形態例、図８、図９は第三形態例である。
【００１０】図１乃至図５の第一形態例において、１は
機台、２は保持部材、３は回転機構、４は供給取出機構
であって、この場合機台１の両側方位置に供給部Ｋ及び
取出部Ｌが配設され、機台１の後部にコラム５が立設さ
れ、コラム５に支持台６を上下動機構７により上下動作
自在に配設し、この場合上下動機構７は上下動用モータ
８及びボールネジ機構９からなり、支持台６に加工機体
１０を供給取出機構４により供給位置と取出位置との間
を加工位置Ｎを介して往復移動自在に設け、この場合供
給取出機構４は移動用モータ１１及びボールネジ機構１
２により構成されている。
機台、２は保持部材、３は回転機構、４は供給取出機構
であって、この場合機台１の両側方位置に供給部Ｋ及び
取出部Ｌが配設され、機台１の後部にコラム５が立設さ
れ、コラム５に支持台６を上下動機構７により上下動作
自在に配設し、この場合上下動機構７は上下動用モータ
８及びボールネジ機構９からなり、支持台６に加工機体
１０を供給取出機構４により供給位置と取出位置との間
を加工位置Ｎを介して往復移動自在に設け、この場合供
給取出機構４は移動用モータ１１及びボールネジ機構１
２により構成されている。
【００１１】また、この場合保持部材２は加工機体１０
に回転自在に設けられ、図外の吸着固定機構等により下
面でデバイスウエハＷを保持釈放可能に設けられ、この
保持部材２を回転機構３としての回転用モータ１３によ
り回転軸１４の軸線Ｏを中心として回転させるように構
成している。
に回転自在に設けられ、図外の吸着固定機構等により下
面でデバイスウエハＷを保持釈放可能に設けられ、この
保持部材２を回転機構３としての回転用モータ１３によ
り回転軸１４の軸線Ｏを中心として回転させるように構
成している。
【００１２】１５はテープ移送機構、１６は旋回機構、
１７揺振機構であって、この場合機台１に旋回軸１８を
回転自在に縦設し、機台１に旋回軸１８を回転させる旋
回用モータ１９を設け、旋回軸１８に旋回台２０を取付
け、旋回台２０に揺振台２１を摺動部２２により水平揺
振動作可能に設け、この旋回台２０に揺振用モータ２３
を取付け、揺振台２１に対向一対のガイド杆２４を取付
け、ガイド杆２４の間に上記揺振用モータ２３の主軸に
取り付けた偏心カムロール２５を挟装状態に配置し、偏
心カムロール２５の回転とガイド杆２４の作用により揺
振台２１を揺振させるように構成している。
１７揺振機構であって、この場合機台１に旋回軸１８を
回転自在に縦設し、機台１に旋回軸１８を回転させる旋
回用モータ１９を設け、旋回軸１８に旋回台２０を取付
け、旋回台２０に揺振台２１を摺動部２２により水平揺
振動作可能に設け、この旋回台２０に揺振用モータ２３
を取付け、揺振台２１に対向一対のガイド杆２４を取付
け、ガイド杆２４の間に上記揺振用モータ２３の主軸に
取り付けた偏心カムロール２５を挟装状態に配置し、偏
心カムロール２５の回転とガイド杆２４の作用により揺
振台２１を揺振させるように構成している。
【００１３】またこの場合、上記揺振台１９に取付機枠
２６を取付け、取付機枠２６の中央部に研磨パッド２７
としての上面が平坦な受圧部材を配置すると共に両側部
にポリエステルフィルム、メタル、クロス等の基材に酸
化アルミニュウム、酸化クロム、シリコンカーバイド、
ダイヤモンド等の所定粒度の研磨粒子をコーティング又
は結合してなる幅広の研磨テープＴの実巻リール２８及
び巻取リール２９を軸着し、実巻リール２８を繰出回転
させる繰出用モータ３０を設け、かつ巻取リール２９及
び一対の送りロール３１を巻取回転させる巻取用モータ
３２を設け、実巻リール２８から引き出した研磨テープ
Ｔをガイドロール２７ａ及び研磨パッド２７により形成
される研磨テープＴからなる研磨部３３、送りロール３
１を介して巻取リール２９に巻回し、実巻リール２８及
び巻取リール２９を回転させながら送りロール３１によ
り研磨テープＴを一方向に連続移送させるように構成し
ている。
２６を取付け、取付機枠２６の中央部に研磨パッド２７
としての上面が平坦な受圧部材を配置すると共に両側部
にポリエステルフィルム、メタル、クロス等の基材に酸
化アルミニュウム、酸化クロム、シリコンカーバイド、
ダイヤモンド等の所定粒度の研磨粒子をコーティング又
は結合してなる幅広の研磨テープＴの実巻リール２８及
び巻取リール２９を軸着し、実巻リール２８を繰出回転
させる繰出用モータ３０を設け、かつ巻取リール２９及
び一対の送りロール３１を巻取回転させる巻取用モータ
３２を設け、実巻リール２８から引き出した研磨テープ
Ｔをガイドロール２７ａ及び研磨パッド２７により形成
される研磨テープＴからなる研磨部３３、送りロール３
１を介して巻取リール２９に巻回し、実巻リール２８及
び巻取リール２９を回転させながら送りロール３１によ
り研磨テープＴを一方向に連続移送させるように構成し
ている。
【００１４】この場合、研磨パッド２７は図示省略のバ
ネ部材、空圧アクチュエータ、ゴム等の弾性体を用いた
弾圧機構により研磨テープＴの裏面を弾圧し、デバイス
ウエハＷの表面に対しての適宜な研磨圧力を得るように
構成されている。
ネ部材、空圧アクチュエータ、ゴム等の弾性体を用いた
弾圧機構により研磨テープＴの裏面を弾圧し、デバイス
ウエハＷの表面に対しての適宜な研磨圧力を得るように
構成されている。
【００１５】この実施の第一形態例は上記構成であるか
ら、デバイス化途中のデバイスウエハＷの層間膜の表面
の平坦化に際し、デバイスウエハＷを人為的又は自動的
に保持部材２に供給して図外の吸着固定機構等により固
定し、加工条件に応じて乾式状態又は加工部位に研磨
液、例えば表面を軟化させる化学液を含む研磨液を供給
する湿式状態の雰囲気において、保持部材２を回転機構
３により回転させ、一方テープ移送機構１５により研磨
テープＴを図中Ｒ方向の一方向に移送させ、この状態で
上下動機構７により保持部材２を下降してデバイスウエ
ハＷに対向配置された研磨部３３にデバイスウエハＷの
表面を圧接することにより平坦化研磨加工が行われるこ
とになる。
ら、デバイス化途中のデバイスウエハＷの層間膜の表面
の平坦化に際し、デバイスウエハＷを人為的又は自動的
に保持部材２に供給して図外の吸着固定機構等により固
定し、加工条件に応じて乾式状態又は加工部位に研磨
液、例えば表面を軟化させる化学液を含む研磨液を供給
する湿式状態の雰囲気において、保持部材２を回転機構
３により回転させ、一方テープ移送機構１５により研磨
テープＴを図中Ｒ方向の一方向に移送させ、この状態で
上下動機構７により保持部材２を下降してデバイスウエ
ハＷに対向配置された研磨部３３にデバイスウエハＷの
表面を圧接することにより平坦化研磨加工が行われるこ
とになる。
【００１６】したがって、デバイスウエハＷの表面を、
デバイスウエハＷの回転作用及び研磨テープＴの一方向
移送作用の複合作用により研磨加工することができ、そ
れだけデバイスパターンＷの大小、粗密の状態にかかわ
らず、凸部のみを優先的に研磨加工することになり、デ
バイスウエハＷ表面の全面平坦性及び表面粗さを向上す
ることができると共にデバイスウエハＷの径大化に対し
ての装置の大型化を抑制することができ、それだけ作業
性を向上することができる。
デバイスウエハＷの回転作用及び研磨テープＴの一方向
移送作用の複合作用により研磨加工することができ、そ
れだけデバイスパターンＷの大小、粗密の状態にかかわ
らず、凸部のみを優先的に研磨加工することになり、デ
バイスウエハＷ表面の全面平坦性及び表面粗さを向上す
ることができると共にデバイスウエハＷの径大化に対し
ての装置の大型化を抑制することができ、それだけ作業
性を向上することができる。
【００１７】又、この場合テープ移送機構１１を旋回運
動させる旋回機構１６を具備しているから、上記二つの
複合作用に加えて、研磨テープＴの旋回運動による研磨
作用が付加され、それだけ良好に平坦化研磨加工を行う
ことができる。
動させる旋回機構１６を具備しているから、上記二つの
複合作用に加えて、研磨テープＴの旋回運動による研磨
作用が付加され、それだけ良好に平坦化研磨加工を行う
ことができる。
【００１８】又、この場合テープ移送機構１５を揺振運
動させる揺振機構１７を具備しているから、上記三つの
複合作用に加えて、研磨テープＴは図中Ｓ方向に揺振運
動し、この揺振運動による研磨作用が付加され、それだ
け良好に平坦化研磨加工を行うことができる。
動させる揺振機構１７を具備しているから、上記三つの
複合作用に加えて、研磨テープＴは図中Ｓ方向に揺振運
動し、この揺振運動による研磨作用が付加され、それだ
け良好に平坦化研磨加工を行うことができる。
【００１９】図６、図７の実施の第二形態例は回転機構
３の別例構造を示し、この場合上記加工機体１０に上記
回転軸１４の軸線Ｏから偏心した位置の軸線Ｐを中心と
して回転する保持部材２を配置し、保持部材２に上記同
様にデバイスウエハＷを保持し、軸線Ｏを中心として保
持部材２を回転させると共に軸線Ｏより偏心した軸線Ｐ
を中心として保持部材２を回転させ、これにより一枚の
デバイスウエハＷを公転自転の偏心回転運動させるよう
に構成したもである。
３の別例構造を示し、この場合上記加工機体１０に上記
回転軸１４の軸線Ｏから偏心した位置の軸線Ｐを中心と
して回転する保持部材２を配置し、保持部材２に上記同
様にデバイスウエハＷを保持し、軸線Ｏを中心として保
持部材２を回転させると共に軸線Ｏより偏心した軸線Ｐ
を中心として保持部材２を回転させ、これにより一枚の
デバイスウエハＷを公転自転の偏心回転運動させるよう
に構成したもである。
【００２０】図８、図９の実施の第三形態例も回転機構
３の別例構造を示し、この場合上記加工機体１０に上記
回転軸１４の軸線Ｏから偏心した位置の軸線Ｐを中心と
して回転する保持部材２を四個配置し、各保持部材２に
上記同様にデバイスウエハＷを保持し、軸線Ｏを中心と
して保持部材２を回転させると共に軸線Ｏより偏心した
軸線Ｐを中心として各々の保持部材２を回転させ、これ
により四枚のデバイスウエハＷを公転自転の遊星回転運
動させるように構成したものである。
３の別例構造を示し、この場合上記加工機体１０に上記
回転軸１４の軸線Ｏから偏心した位置の軸線Ｐを中心と
して回転する保持部材２を四個配置し、各保持部材２に
上記同様にデバイスウエハＷを保持し、軸線Ｏを中心と
して保持部材２を回転させると共に軸線Ｏより偏心した
軸線Ｐを中心として各々の保持部材２を回転させ、これ
により四枚のデバイスウエハＷを公転自転の遊星回転運
動させるように構成したものである。
【００２１】この第二及び第三形態例にあっては、上記
複合作用のうちの、デバイスウエハＷの回転において、
デバイスウエハＷを公転自転の偏心回転運動又は遊星回
転運動を伴って研磨加工することができ、デバイスウエ
ハＷの仕様により良好な研磨加工を行うことができる。
複合作用のうちの、デバイスウエハＷの回転において、
デバイスウエハＷを公転自転の偏心回転運動又は遊星回
転運動を伴って研磨加工することができ、デバイスウエ
ハＷの仕様により良好な研磨加工を行うことができる。
【００２２】又、この場合上記研磨部３３によるデバイ
スウエハＷの研磨終わりの終点を検出する検出部３４が
設けられているから、一般的に０．２〜０．３μｍの加
工マージンとされる加工条件において良好に研磨加工す
ることができる。
スウエハＷの研磨終わりの終点を検出する検出部３４が
設けられているから、一般的に０．２〜０．３μｍの加
工マージンとされる加工条件において良好に研磨加工す
ることができる。
【００２３】尚、本発明は上記実施の形態例に示す回転
機構、テープ移送機構、揺振機構、旋回機構等の構造に
限られるものではなく、又、上記実施例とは逆に、保持
部材２を揺振運動させる揺振機構を採用しても同様であ
る。
機構、テープ移送機構、揺振機構、旋回機構等の構造に
限られるものではなく、又、上記実施例とは逆に、保持
部材２を揺振運動させる揺振機構を採用しても同様であ
る。
【００２４】
【発明の効果】本発明は上述の如く、請求項１又は２記
載の発明にあっては、デバイス化途中のデバイスウエハ
の層間膜の表面の平坦化に際し、デバイスウエハを人為
的又は自動的に保持部材に供給固定し、保持部材を回転
機構により回転させ、一方テープ移送機構により研磨テ
ープを一方向に移送させ、デバイスウエハに対向配置さ
れた研磨部にデバイスウエハの表面を圧接することによ
り平坦化研磨加工が行われ、したがって、デバイスウエ
ハの表面を、デバイスウエハの回転作用及び研磨テープ
の一方向移送作用の複合作用により研磨加工することが
でき、それだけデバイスパターンの大小、粗密の状態に
かかわらず、凸部のみを優先的に研磨加工することにな
り、デバイスウエハ表面の全面平坦性及び表面粗さを向
上することができると共にデバイスウエハの径大化に対
しての装置の大型化を抑制することができ、それだけ作
業性を向上することができる。
載の発明にあっては、デバイス化途中のデバイスウエハ
の層間膜の表面の平坦化に際し、デバイスウエハを人為
的又は自動的に保持部材に供給固定し、保持部材を回転
機構により回転させ、一方テープ移送機構により研磨テ
ープを一方向に移送させ、デバイスウエハに対向配置さ
れた研磨部にデバイスウエハの表面を圧接することによ
り平坦化研磨加工が行われ、したがって、デバイスウエ
ハの表面を、デバイスウエハの回転作用及び研磨テープ
の一方向移送作用の複合作用により研磨加工することが
でき、それだけデバイスパターンの大小、粗密の状態に
かかわらず、凸部のみを優先的に研磨加工することにな
り、デバイスウエハ表面の全面平坦性及び表面粗さを向
上することができると共にデバイスウエハの径大化に対
しての装置の大型化を抑制することができ、それだけ作
業性を向上することができる。
【００２５】又、請求項３記載の発明にあっては、テー
プ移送機構を旋回運動させる旋回機構１６を具備してい
るから、上記二つの複合作用に加えて、研磨テープの旋
回運動による研磨作用が付加され、それだけ良好に平坦
化研磨加工を行うことができ、又、請求項４記載の発明
にあっては、保持部材又はテープ移送機構を旋回運動さ
せる旋回機構を具備しているから、上記複合作用に加え
て、研磨テープの揺振運動による研磨作用が付加され、
それだけ良好に平坦化研磨加工を行うことができ、又、
請求項５記載の発明にあっては、上記回転機構として、
保持部材を偏心回転運動又は遊星回転運動させる揺振機
構を具備しているから、上記複合作用のうちの、デバイ
スウエハの回転において、デバイスウエハを公転自転の
偏心回転運動又は遊星回転運動を伴って研磨加工するこ
とができ、デバイスウエハの仕様により良好な研磨加工
を行うことができる。
プ移送機構を旋回運動させる旋回機構１６を具備してい
るから、上記二つの複合作用に加えて、研磨テープの旋
回運動による研磨作用が付加され、それだけ良好に平坦
化研磨加工を行うことができ、又、請求項４記載の発明
にあっては、保持部材又はテープ移送機構を旋回運動さ
せる旋回機構を具備しているから、上記複合作用に加え
て、研磨テープの揺振運動による研磨作用が付加され、
それだけ良好に平坦化研磨加工を行うことができ、又、
請求項５記載の発明にあっては、上記回転機構として、
保持部材を偏心回転運動又は遊星回転運動させる揺振機
構を具備しているから、上記複合作用のうちの、デバイ
スウエハの回転において、デバイスウエハを公転自転の
偏心回転運動又は遊星回転運動を伴って研磨加工するこ
とができ、デバイスウエハの仕様により良好な研磨加工
を行うことができる。
【００２６】以上、所期の目的を充分達成することがで
きる。
きる。
【図１】本発明の実施の第一形態例の全体側断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施の第一形態例の全体正面図であ
る。
る。
【図３】本発明の実施の第一形態例の全体平面図であ
る。
る。
【図４】本発明の実施の第一形態例の説明平面図であ
る。
る。
【図５】本発明の実施の第第一形態例の説明斜視図であ
る。
る。
【図６】本発明の実施の第二形態例の説明平面図であ
る。
る。
【図７】本発明の実施の第二形態例の説明斜視図であ
る。
る。
【図８】本発明の実施の第三形態例の説明平面図であ
る。
る。
【図９】本発明の実施の第三形態例の説明斜視図であ
る。
る。
【図１０】デバイスウエハの製作工程図である。
【図１１】デバイスウエハの製作工程図である。
【図１２】デバイスウエハの製作工程図である。
【図１３】デバイスウエハの製作工程図である。
Ｗ デバイスウエハ Ｔ 研磨テープ ２ 保持部材 ３ 回転機構 １５ テープ移送機構 １６ 旋回機構 １７ 揺振機構 ３３ 研磨部
Claims (5)
- 【請求項１】 デバイスウエハを保持部材に保持し、テ
ープ移送機構により研磨テープを連続移送させると共に
該研磨テープからなる研磨部を該保持部材の対向位置に
配置し、移動機構により保持部材を移動させると共に回
転機構により保持部材を回転させることにより研磨部に
よってデバイスウエハの表面の研磨加工を行うことを特
徴とするデバイスウエハ表面平坦化研磨加工方法。 - 【請求項２】 デバイスウエハを保持釈放可能な保持部
材と、該保持部材を回転させる回転機構と、該保持部材
の対向位置にて研磨テープを連続移送させると共に該研
磨テープからなる研磨部をもつテープ移送機構とを具備
したことを特徴とするデバイスウエハ表面平坦化研磨加
工装置。 - 【請求項３】 上記テープ移送機構を旋回運動させる旋
回機構を具備したことを特徴とする請求項２記載のデバ
イスウエハ表面平坦化研磨加工装置。 - 【請求項４】 上記保持部材又はテープ移送機構を揺振
運動させる揺振機構を具備したことを特徴とする請求項
２又は３記載のデバイスウエハ表面平坦化研磨加工装
置。 - 【請求項５】 上記回転機構として、上記保持部材を偏
心回転運動又は遊星回転運動させるように構成したこと
を特徴とする請求項２乃至４記載のデバイスウエハ表面
平坦化研磨加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5345196A JPH09248753A (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | デバイスウエハ表面平坦化研磨加工方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5345196A JPH09248753A (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | デバイスウエハ表面平坦化研磨加工方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09248753A true JPH09248753A (ja) | 1997-09-22 |
Family
ID=12943229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5345196A Pending JPH09248753A (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | デバイスウエハ表面平坦化研磨加工方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09248753A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6482072B1 (en) | 2000-10-26 | 2002-11-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for providing and controlling delivery of a web of polishing material |
| US6561884B1 (en) | 2000-08-29 | 2003-05-13 | Applied Materials, Inc. | Web lift system for chemical mechanical planarization |
| CN108527076A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-09-14 | 郑伟杰 | 一种可持续进料的陶瓷环打磨装置 |
-
1996
- 1996-03-11 JP JP5345196A patent/JPH09248753A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6561884B1 (en) | 2000-08-29 | 2003-05-13 | Applied Materials, Inc. | Web lift system for chemical mechanical planarization |
| US6482072B1 (en) | 2000-10-26 | 2002-11-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for providing and controlling delivery of a web of polishing material |
| CN108527076A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-09-14 | 郑伟杰 | 一种可持续进料的陶瓷环打磨装置 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050613 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050809 |
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| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20051206 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |