JPH09248740A - Manufacture of silicon wafer and device of it - Google Patents
Manufacture of silicon wafer and device of itInfo
- Publication number
- JPH09248740A JPH09248740A JP8089784A JP8978496A JPH09248740A JP H09248740 A JPH09248740 A JP H09248740A JP 8089784 A JP8089784 A JP 8089784A JP 8978496 A JP8978496 A JP 8978496A JP H09248740 A JPH09248740 A JP H09248740A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- grinding
- grindstone
- double
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/015—Temperature control
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
- B28D1/003—Multipurpose machines; Equipment therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02019—Chemical etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高集積デバイスを
製造する大口径のシリコンウェーハの製造方法および製
造装置に関し、特に、シリコンウェーハの表裏両面を同
時研削するシリコンウェーハの製造技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a large-diameter silicon wafer manufacturing method and manufacturing apparatus for manufacturing highly integrated devices, and more particularly to a silicon wafer manufacturing technology for simultaneously grinding both the front and back surfaces of a silicon wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】シリコンウェーハの製造方法において、
円柱状のシリコン単結晶棒をステンレス鋼製内周刃によ
りスライスして得られたシリコンウェーハは、ラップ盤
により遊離砥粒にて両面をラッピングすることにより、
スライス工程で生じた凹凸とダメージが除去されて、平
行度が向上する。そして、このシリコンウェーハは、ラ
ップ加工で形成されたダメージ層（加工変質層）をエッ
チングで除去され、さらにケモメカニカルポリッシング
で鏡面加工される。2. Description of the Related Art In a method of manufacturing a silicon wafer,
A silicon wafer obtained by slicing a cylindrical silicon single crystal rod with a stainless steel inner peripheral blade is obtained by lapping both surfaces with free abrasive grains by a lapping machine,
The unevenness and damage generated in the slicing process are removed, and the parallelism is improved. Then, the damaged layer (work-affected layer) formed by lapping is removed by etching, and the silicon wafer is mirror-finished by chemo-mechanical polishing.
【０００３】ところが、ラップ加工により発生した表面
のダメージ層を除去するために、エッチングでのエッチ
オフ量（取り代）が例えば２０μｍ程度と大きく、この
ため３０μｍ以上の取り代を必要となる。その結果、エ
ッチング面の凹凸（平坦度）も例えば１μｍ程度と大き
くなっていた。さらに、エッチング後の研磨量も例えば
１０μｍ以上となり、平坦度を悪化させる（例えば図１
３に示すように、ＴＴＶ（total thickness variatio
n）で２．８１μｍ程度）。However, in order to remove the damaged layer on the surface generated by the lapping process, the etching-off amount (removal allowance) in etching is large, for example, about 20 μm, which requires a allowance of 30 μm or more. As a result, the unevenness (flatness) of the etching surface was large, for example, about 1 μm. Further, the amount of polishing after etching is, for example, 10 μm or more, which deteriorates the flatness (see, for example, FIG.
As shown in Fig. 3, TTV (total thickness variatio
n) about 2.81 μm).
【０００４】近年、シリコンウェーハの直径としては１
５０ｍｍや２００ｍｍが普及し、さらに３００ｍｍも開
発されつつあり、また、デバイスの高集積化が進行し、
例えば２００１年に実用化される１ＧビットＤＲＡＭで
は、線幅ルールおよび焦点深度がそれぞれ０．１８μ
ｍ，０．７μｍとなる。このため要求される平坦度とし
ては、ＳＦＱＤ（Site，Frontsurface-reference，site
least squares，deviation）で２６×３２ｍｍの面
積で０．１２μｍの平坦度を達成しなければならない
（「THE NATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMIC
ONDUCUTORS」，１９９４年，SEMICONDUCTOR INDUSTRY
ASSOCIATION出版の第１１３頁等参照）。また、ウェ
ーハ直径が大きくなれば、わずかの曲率でもそり量が大
きくなって、そりの問題は深刻になる。すなわち、そり
はシリコンウェーハの製造段階ばかりでなく、デバイス
加工における成膜、ドライエッチ、熱処理で生じてい
る。そして、そりの小さいシリコンウェーハであれば、
各段階でのそりが特定できる。すなわち、例えば外径３
００ｍｍのシリコンウェーハを平盤上にを置いてそりを
測定しようとしても、シリコンウェーハは自重で変形し
見掛けのそりは半分以下になるため、そりの少ないシリ
コンウェーハの製造方法で管理する方法しかない。In recent years, the diameter of a silicon wafer is 1
50 mm and 200 mm have become widespread, 300 mm is being developed, and high integration of devices is progressing,
For example, in a 1 Gbit DRAM put into practical use in 2001, the line width rule and the depth of focus are each 0.18 μm.
m, 0.7 μm. Therefore, the required flatness is SFQD (Site, Frontsurface-reference, site
A flatness of 0.12 μm must be achieved in an area of 26 × 32 mm in least squares, deviation (“THE NATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMIC
ONDUCUTORS ”, 1994, SEMICONDUCTOR INDUSTRY
See page 113 of ASSOCIATION Publishing. Also, as the diameter of the wafer increases, the amount of warpage increases even with a slight curvature, and the problem of warpage becomes serious. That is, the warpage occurs not only at the silicon wafer manufacturing stage but also during film formation, dry etching, and heat treatment during device processing. And if it is a silicon wafer with a small warpage,
The sled at each stage can be specified. That is, for example, the outer diameter 3
Even if you try to measure the warp by placing a 00 mm silicon wafer on a flat plate, the silicon wafer will be deformed by its own weight and the apparent warp will be less than half, so there is only a method to manage the silicon wafer with less warpage. .
【０００５】平坦度をより高めるために、スライス加工
後のウェーハ面を、ラップ加工に代えてダメージが３μ
ｍ以下の研削加工を行うことが考えられる。なお、スラ
イス後の厚さは直径１５０ｍｍウェーハで７００μｍ、
同２００ｍｍウェーハで８００μｍ、同３００ｍｍウェ
ーハでも９００μｍと薄い。ところで、従来より使用さ
れている研削盤は、円環状の研削刃を有し、図１４に示
すように、真空吸着盤３１に載置・固定したシリコンウ
ェーハ３２を片面（図では上面）ずつ研削するように構
成していた。In order to further improve the flatness, the wafer surface after slicing is replaced by lapping, and damage is 3 μm.
It is conceivable to perform a grinding process of m or less. The thickness after slicing is 700 μm for a 150 mm diameter wafer,
The thickness of the 200 mm wafer is 800 μm, and the thickness of the 300 mm wafer is 900 μm. By the way, the conventionally used grinding machine has an annular grinding blade, and as shown in FIG. 14, a silicon wafer 32 placed and fixed on a vacuum suction disk 31 is ground on each side (upper surface in the figure). Was configured to do.
【０００６】すなわち、図１４（ａ）に示すように、真
空吸着盤３１にシリコンウェーハ３２を置き、このシリ
コンウェーハ３２の片面を研削する際に、図１４（ｂ）
に示すように、真空吸着盤３１によりシリコンウェーハ
３２の下面を真空吸着すると、シリコンウェーハ３２は
上記のように極めて薄いので、真空吸着盤３１に吸い寄
せられて、前記下面は平坦面になる。なお、一点鎖線３
３は研削面を示している。このため、図１４（ｃ）に示
すように、研削後に真空吸着盤３１の真空吸着を解放す
れば、シリコンウェーハ３２のチャック面（下面）は元
の形状になり、反対の研削面は凸状になる。すなわち、
真空吸着したスライス面が反対面に転写されるのであ
る。さらに、研削面を真空吸着して反対側の面を研削す
ると、この凹部が真空吸着を解放後に凸部となるように
転写され、スライス形状がシリコンウェーハの表裏面に
残ることとなる。このため、研削後に軽いラップ加工が
必要とされ（本出願人に出願に係わる特開平６−１０４
２２９号公報参照）、研削によるダメージ層の低減効果
を充分には亨受することはできない。That is, as shown in FIG. 14A, when the silicon wafer 32 is placed on the vacuum suction disk 31 and one side of the silicon wafer 32 is ground,
As shown in FIG. 3, when the lower surface of the silicon wafer 32 is vacuum-sucked by the vacuum suction disk 31, since the silicon wafer 32 is extremely thin as described above, it is attracted to the vacuum suction disk 31 and the lower surface becomes a flat surface. In addition, one-dot chain line 3
Reference numeral 3 indicates a ground surface. Therefore, as shown in FIG. 14C, if the vacuum suction of the vacuum suction disk 31 is released after grinding, the chuck surface (lower surface) of the silicon wafer 32 becomes the original shape, and the opposite grinding surface is convex. become. That is,
The vacuum-sucked slice surface is transferred to the opposite surface. Further, when the grinding surface is vacuum-sucked and the surface on the opposite side is ground, the concave portions are transferred so as to become convex portions after the vacuum suction is released, and the slice shape remains on the front and back surfaces of the silicon wafer. Therefore, a light lapping process is required after grinding (Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-104
No. 229), the effect of reducing the damage layer due to grinding cannot be fully accepted.
【０００７】このため、本出願人の出願に係わる特開昭
６２−９６４００公報では、剛性の大きなインゴットの
端面に研削加工を行った後に、スライス加工でシリコン
ウェーハをスライスし、この研削面を真空吸着してスラ
イス加工面を研削する方法が開示され、この方法により
平行度がよくかつそりの少ないシリコンウェーハが製造
されている。For this reason, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-96400 filed by the present applicant, after grinding the end face of an ingot having high rigidity, a silicon wafer is sliced by slicing, and the ground face is vacuumed. A method of adsorbing and grinding a sliced surface is disclosed, and a silicon wafer having good parallelism and less warpage is manufactured by this method.
【０００８】また、外径２００ｍｍの大口径インゴット
を内周刃によりスライス加工するには、内周刃の刃厚が
０．３８μｍにもなり、また、外径３００ｍｍの大口径
インゴットをスライスするための大口径ステンレス鋼板
がないので、内周刃スライス加工を行えない。このた
め、ワイヤーソーが実用化されてきた。ワイヤーソーは
線直径が０．１８μｍであり、カーフロス（切断加工
代）が小さくなり、歩留まりが向上する。しかしなが
ら、ワイヤーソーによる切断面はワイヤーのぶれに起因
して、内周刃スライス加工面と比較して凹凸が大きく、
また切断中にワイヤーの送りを逆にするために段差がつ
く。また、切断中にワイヤーが摩耗し線径が小さくなる
ため、図１５に示すように、シリコンウェーハ３４の切
り終わり部分ほど厚くなって、シリコンウェーハ３４の
両面３４ａ，３４ｂにテーパーがつく。このため、ワイ
ヤーソー面を真空吸着して研削加工を行うと軸方向の結
晶面が指定角度から０．０２゜〜０．０５゜程度のずれ
が生じる。In order to slice a large-diameter ingot having an outer diameter of 200 mm with an inner peripheral blade, the blade thickness of the inner peripheral blade becomes 0.38 μm, and a large-diameter ingot having an outer diameter of 300 mm is sliced. Since there is no large-diameter stainless steel plate, the inner peripheral blade cannot be sliced. For this reason, wire saws have been put to practical use. The wire saw has a wire diameter of 0.18 μm, which reduces the kerf loss (cutting allowance) and improves the yield. However, the cutting surface by the wire saw has a large unevenness compared to the inner peripheral blade slicing surface due to the wobbling of the wire,
Also, there is a step to reverse the wire feed during cutting. Further, since the wire is worn during cutting and the wire diameter is reduced, as shown in FIG. 15, the silicon wafer 34 becomes thicker toward the end of cutting and both surfaces 34a and 34b of the silicon wafer 34 are tapered. For this reason, when the wire saw surface is vacuum-sucked and subjected to grinding, the crystal plane in the axial direction deviates from the specified angle by about 0.02 ° to 0.05 °.
【０００９】さらに、１Ｇビット以上の高集積デバイス
を製造するためには、シリコンウェーハの裏面を研磨
し、裏面基準の平坦度を高め、またこれによりパーティ
クルの発生を１／１０以下となるとされている。このた
め、上記特開平６−１０４２２９号公報に開示されてい
る、裏面のハーフポリッシュまたは両面同時研磨が行わ
れる。Further, in order to manufacture a highly integrated device of 1 Gbit or more, it is said that the back surface of a silicon wafer is polished to increase the flatness on the basis of the back surface, and thereby the generation of particles is reduced to 1/10 or less. There is. Therefore, half-polishing or double-sided simultaneous polishing of the back surface, which is disclosed in JP-A-6-104229, is performed.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】上述の片面ずつの研削
では、以下の不具合が考えられる。すなわち、シリコン
ウェーハの両面にスライス面が転写されて残り、ラップ
加工と置き換えられない。また、その後のエッチングお
よびケモメカニカル研磨加工代が大きくなり、目的の平
坦度を得ることは困難である。また、両面の加工度を同
一にすることも困難で、そりが生じやすい。The following problems are conceivable in the above-mentioned single-sided grinding. That is, the sliced surfaces are transferred and left on both sides of the silicon wafer, and cannot be replaced with the lapping process. Further, the cost of subsequent etching and chemo-mechanical polishing increases, and it is difficult to obtain the desired flatness. In addition, it is difficult to make the processability of both surfaces the same, and warpage is likely to occur.
【００１１】[0011]
【発明の目的】そこで、この発明は、特に１Ｇビット以
上の高集積デバイスを製造する際に要求される高平坦度
のシリコンウェーハを作製することができる、ラップ加
工に代わる両面研削方法および装置を提供することを、
その目的としている。また、エッチングでの取り代を減
らし、研磨量をも低減することができる両面研削方法お
よび装置を提供することを、その目的としている。さら
に、この発明は、シリコンウェーハの割れを防いだ両面
研削方法および装置を提供することを、その目的として
いる。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, the present invention provides a double-sided grinding method and apparatus which can replace a lapping process and can produce a silicon wafer having a high flatness required especially when manufacturing highly integrated devices of 1 Gbit or more. To provide
That is the purpose. Further, it is an object of the present invention to provide a double-sided grinding method and apparatus capable of reducing the stock removal in etching and also reducing the polishing amount. A further object of the present invention is to provide a double-sided grinding method and apparatus that prevent cracking of a silicon wafer.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、シリコン単結晶棒をスライスしてシリコンウェーハ
を作製するスライス工程と、このシリコンウェーハの表
裏面を同時に研削する両面同時研削工程とを備えたシリ
コンウェーハの製造方法である。請求項２に記載の発明
は、前記両面同時研削工程では、両面研削装置の上側砥
石と下側砥石との間にシリコンウェーハを挟み、このシ
リコンウェーハの表裏面を同時に研削するとき、このシ
リコンウェーハの表裏面の全域に研削液を供給するもの
である。請求項３に記載の発明は、前記両面同時研削工
程では、シリコンウェーハの表裏面の温度を制御するも
のである。請求項４に記載の発明は、前記両面同時研削
工程後に、シリコンウェーハにエッチングを施して研削
ダメージを除去し、さらに、このシリコンウェーハの両
面を研磨するものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a slicing step of slicing a silicon single crystal ingot to produce a silicon wafer, and a double-sided simultaneous grinding step of simultaneously grinding the front and back surfaces of the silicon wafer. Is a method for manufacturing a silicon wafer. In the invention according to claim 2, in the double-sided simultaneous grinding step, when a silicon wafer is sandwiched between an upper grindstone and a lower grindstone of a double-sided grinder, and the front and back surfaces of the silicon wafer are simultaneously ground, the silicon wafer The grinding liquid is supplied to the entire area of the front and back surfaces. According to a third aspect of the present invention, in the double-sided simultaneous grinding step, the temperatures of the front and back surfaces of the silicon wafer are controlled. According to a fourth aspect of the present invention, after the double-sided simultaneous grinding step, the silicon wafer is etched to remove grinding damage, and further, both surfaces of the silicon wafer are polished.
【００１３】請求項５に記載の発明は、板状の上側砥石
および下側砥石の間にシリコンウェーハを挟んでシリコ
ンウェーハの表裏面を同時に研削する両面研削手段と、
この両面研削時のシリコンウェーハの表裏面の温度を制
御する温度制御手段とを備えたシリコンウェーハの製造
装置である。請求項６に記載の発明では、前記温度制御
手段は、両面研削手段で研削中のシリコンウェーハの表
裏面の全域に研削液を供給することにより、その温度を
制御するものである。請求項７に記載の発明では、前記
温度制御手段は、前記上側砥石および前記下側砥石の各
内周面により画成されたウォータパンと、前記上側砥石
および前記下側砥石にそれぞれ形成された、それぞれの
研削面から研削液を流出させるための研削液通路と、前
記ウォータパンおよび前記研削液通路に研削液を供給す
るための研削液供給手段とから構成されているものであ
る。According to a fifth aspect of the present invention, a double-sided grinding means for simultaneously grinding the front and back surfaces of a silicon wafer by sandwiching a silicon wafer between a plate-shaped upper grindstone and a lower grindstone,
This is an apparatus for manufacturing a silicon wafer provided with a temperature control means for controlling the temperature of the front and back surfaces of the silicon wafer during double-side grinding. In the invention according to claim 6, the temperature control means controls the temperature of the silicon wafer being ground by the double-sided grinding means by supplying the grinding liquid to the entire front and back surfaces of the silicon wafer. In the invention according to claim 7, the temperature control means is formed on the water pan defined by the inner peripheral surfaces of the upper grindstone and the lower grindstone, and on the upper grindstone and the lower grindstone, respectively. , A grinding liquid passage for flowing the grinding liquid from each grinding surface, and a grinding liquid supply means for supplying the grinding liquid to the water pan and the grinding liquid passage.
【００１４】請求項８に記載の発明では、前記両面研削
手段は、互いに平行状態で水平に配置され、相対向する
表面が研削面になっており、かつ前記研削面において前
記シリコンウェーハの表裏面をそれぞれ研削する上側砥
石および下側砥石と、前記上側砥石および前記シリコン
ウェーハを水平面内で互いに相対運動させるとともに、
前記下側砥石および前記シリコンウェーハを水平面内で
互いに相対運動させるための相対運動手段と、前記上側
砥石を、前記下側砥石に載置されたシリコンウェーハに
押圧するための押圧手段と、から構成されているもので
ある。According to an eighth aspect of the present invention, the double-sided grinding means are arranged horizontally in parallel with each other, the surfaces facing each other are grinding surfaces, and the grinding surface has front and back surfaces of the silicon wafer. With an upper grindstone and a lower grindstone that respectively grind, while moving the upper grindstone and the silicon wafer relative to each other in a horizontal plane,
Relative movement means for moving the lower grindstone and the silicon wafer relative to each other in a horizontal plane, and the upper grindstone, a pressing means for pressing the silicon wafer placed on the lower grindstone, It has been done.
【００１５】請求項９に記載の発明では、前記シリコン
ウェーハは、外周歯を備えたキャリアーに保持され、一
方、前記上側砥石および前記下側砥石はそれぞれの中央
部に開口部を備えており、前記相対運動手段は、前記キ
ャリアーの前記外周歯に噛み合うように前記開口部に設
けられた太陽歯車と、前記キャリアーの前記外周歯に噛
み合うように前記上側砥石および前記下側砥石の外方に
設けられて、前記キャリアーを前記太陽歯車の回りで公
転および自転させるためのリング状内周歯車と、前記太
陽歯車および前記リング状内周歯車を回転させるための
駆動機構と、から構成されているものである。According to a ninth aspect of the present invention, the silicon wafer is held by a carrier having outer peripheral teeth, while the upper grindstone and the lower grindstone each have an opening at the center thereof. The relative movement means is provided outside the sun gear provided in the opening so as to mesh with the outer peripheral teeth of the carrier, and outside the upper grindstone and the lower grindstone so as to mesh with the outer peripheral teeth of the carrier. And a ring-shaped inner peripheral gear for revolving and rotating the carrier around the sun gear, and a drive mechanism for rotating the sun gear and the ring-shaped inner peripheral gear. Is.
【００１６】請求項１０に記載の発明は、前記キャリア
ーの前記太陽歯車側の端部の上下面を挟んで支持するた
めの上下一対のスペーサーを備えているものである。According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a pair of upper and lower spacers for sandwiching and supporting the upper and lower surfaces of the end portion of the carrier on the sun gear side.
【００１７】以下、本発明の作用について説明する。ラ
ッピングを行わないので、ラップ加工後のシリコンウェ
ーハと比較して、高平坦度なシリコンウェーハが得られ
る。その結果、このシリコンウェーハはラップドウェー
ハと比較してそのエッチングオフ量が減る。また、この
場合のエッチング面の凹凸もラップを行う場合と比較し
て小さくすることもできる。さらに、後工程の研磨では
少ない研磨量で済む。The operation of the present invention will be described below. Since lapping is not performed, a silicon wafer with high flatness can be obtained as compared with a silicon wafer after lapping. As a result, the etching-off amount of this silicon wafer is reduced as compared with the wrapped wafer. Further, the unevenness of the etching surface in this case can also be made smaller than that in the case of lapping. Further, a small amount of polishing is required in the polishing in the subsequent process.
【００１８】さらに、この発明を、片面ずつの研削によ
る場合と比較すると、そのウェーハ表面にスライス面に
転写した凹凸が残らない。よって、研削後のウェーハを
ラップ加工せずにエッチングを施すことが可能なる。ま
た、ラップ加工によるダメージ量の１／１０程度しかダ
メージが残らず、エッチングオフ量が少なくなり、エッ
チングによる平坦度の低下が顕著に防止される。Furthermore, when the present invention is compared with the case of grinding one surface at a time, no unevenness transferred to the slice surface remains on the wafer surface. Therefore, the wafer after grinding can be etched without lapping. Further, only about 1/10 of the damage amount due to the lapping process remains, the etching-off amount is reduced, and the decrease in flatness due to etching is significantly prevented.
【００１９】両面同時研削の特徴として、弾性体である
シリコンウェーハを加工するための基準面を材料（シリ
コンウェーハ）側に置く必要がないことである。研削の
基準面は、装置側の研削面（定盤面）の活性な仮想面
（実効作用面）で構成されているといえる。しかし材料
の剛性により左右される。シリコンウェーハの表面形状
をサインカーブで表面したモデルを用いて、各仕上がり
を検討してみる。図８（ａ）に示すように、スライスさ
れたシリコンウェーハ３０の表面は、それぞれ凹凸が存
在し、この凹凸は図８（ｂ）および図８（ｃ）に示すよ
うに、「厚み成分」と「うねり成分」から成っている。
なお、うねり成分はウェーハ表裏面の中間線とした。図
８（ｂ）のシリコンウェーハ３０を、片面から加工して
厚みを均一にすると（図８（ｄ−１）参照）、図８（ｄ
−２）に示すように、非加工側の凹凸面に倣った表面が
できる（これを裏面転写という）。また、シリコンウェ
ーハの両面を加圧して両面から同時加工すると（図８
（ｅ−１）参照）、厚い部分の両面から加工されて（図
８（ｅ−２）参照）、厚み成分の凹凸が除かれるが、そ
の反面、シリコンウェーハは弾性体なので、加工後に加
工圧を開放すると、図８（ｅ−３）に示すように、うね
り成分が残ってしまう恐れがある。A characteristic of double-sided simultaneous grinding is that it is not necessary to place a reference surface for processing an elastic silicon wafer on the material (silicon wafer) side. It can be said that the reference surface for grinding is composed of an active virtual surface (effective working surface) of the grinding surface (surface plate surface) on the device side. However, it depends on the rigidity of the material. We will examine each finish using a model of the surface shape of a silicon wafer with a sine curve. As shown in FIG. 8A, the surface of the sliced silicon wafer 30 has irregularities, and these irregularities are referred to as “thickness components” as shown in FIGS. 8B and 8C. It is made up of "waviness ingredients".
The waviness component was the middle line on the front and back surfaces of the wafer. When the silicon wafer 30 of FIG. 8B is processed from one surface to have a uniform thickness (see FIG. 8D-1), FIG.
-2), a surface imitating the uneven surface on the non-processed side is formed (this is called back surface transfer). If both sides of the silicon wafer are pressed and processed simultaneously from both sides (Fig. 8
(See (e-1)), and the thick portion is processed from both sides (see FIG. 8 (e-2)) to remove the unevenness of the thickness component. On the other hand, since the silicon wafer is an elastic body, the processing pressure after processing is increased. Is released, as shown in FIG. 8 (e-3), the waviness component may remain.
【００２０】以上のように、この発明に係るシリコンウ
ェーハの製造方法によれば、両面研削により高平行度・
高平坦度のシリコンウェーハを作製することができる。
また、その際、上・下側砥石の温度上昇を防止し、シリ
コンウェーハの全域においてその研削量を均一にして、
シリコンウェーハの全面を平坦に形成してそりをなくす
ることができる。そして、両面研削後に、エッチングを
施して研削ダメージを除去し、片面を鏡面研磨すること
により、片面研磨ウェーハを作製することができる。ま
た、両面研削後のウェーハの表裏両面に両面同時研磨を
施すことにより、両面研磨されたシリコンウェーハを作
製することができる。さらに、両面研削後のシリコンウ
ェーハはダメージ層が少ないため、加工速度が遅いケモ
メカニカル研磨でもダメージ層の除去が可能になり、裏
面のハーフポリッシュ、または表裏両面に同時研磨を施
すことにより、研削ダメージが除去されかつ両面研磨さ
れたシリコンウェーハを経済的に作製することができ
る。As described above, according to the method for manufacturing a silicon wafer according to the present invention, high parallelism and
A silicon wafer with high flatness can be manufactured.
At that time, the temperature rise of the upper and lower grindstones is prevented, and the grinding amount is made uniform over the entire area of the silicon wafer.
The entire surface of the silicon wafer can be formed flat to eliminate warpage. Then, after double-side grinding, etching is performed to remove grinding damage, and one surface is mirror-polished, whereby a one-side polished wafer can be manufactured. In addition, a double-side polished silicon wafer can be produced by performing simultaneous double-side polishing on both front and back surfaces of the wafer after double-side grinding. Furthermore, since the silicon wafer after double-sided grinding has few damage layers, it is possible to remove the damage layer even by chemo-mechanical polishing, which has a slow processing speed.By performing half-polishing on the back surface or simultaneous polishing on both front and back surfaces, grinding damage is eliminated. It is possible to economically manufacture a silicon wafer in which the silicon is removed and the both sides are polished.
【００２１】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態例につ
いて図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施例
に係わる両面研削装置の全体構成図であり、上側砥石が
上昇位置に退避している状態を示しており、図２は本発
明の一実施例に係わる両面研削装置の全体構成図であ
り、上側砥石が下降して研削状態を示しており、図３は
この発明の一実施例に係る両面研削装置の主要部を示す
斜視図、図４はこの発明の一実施例に係る両面研削装置
の主要部を示す平面図、図５はこの発明の一実施例に係
る両面研削装置の主要部を示す縦断面図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an overall configuration diagram of a double-sided grinding apparatus according to an embodiment of the present invention, showing a state in which an upper grindstone is retracted to a raised position, and FIG. 2 is a double-sided grinding according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is an overall configuration diagram of the apparatus, showing a grinding state in which an upper grindstone is lowered, FIG. 3 is a perspective view showing a main part of a double-sided grinding apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 5 is a plan view showing a main part of a double-sided grinding machine according to an embodiment, and FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a main part of a double-sided grinding machine according to an embodiment of the present invention.
【００２２】この両面研削装置は、キャリアー（キャリ
アーギア）１４に保持されたシリコンウェーハ１の表裏
面を、円板状の上側砥石（上定盤）１３および下側砥石
（下定盤）１２により同時にそれぞれ研削するものであ
る。上側砥石１３は上下移動および軸線回りに回転駆動
され、一方、下側砥石１２もその軸線回りに回転駆動さ
れる。In this double-sided grinding machine, the front and back surfaces of the silicon wafer 1 held by a carrier (carrier gear) 14 are simultaneously moved by a disk-shaped upper grindstone (upper surface plate) 13 and lower grindstone (lower surface plate) 12. Each is ground. The upper grindstone 13 is vertically moved and driven to rotate about its axis, while the lower grindstone 12 is also driven to rotate about its axis.
【００２３】装置本体３には、鉛直方向に延びる下テー
ブル駆動軸５がベアリング１６を介して回転自在に支持
されている。この下テーブル駆動軸５の小径の下端部５
ａは、図示しないプーリーが同軸に一体的に装着される
プーリ装着部になっている。前記プーリーに図示しない
駆動モーターの回転をベルト（不図示）を介して伝動す
ることにより、下テーブル駆動軸５をその軸線回りに回
転させることができる。前記下テーブル駆動軸５には、
上端に太陽歯車１２Ａを有する太陽歯車駆動軸４が回転
自在に支持されている。太陽歯車駆動軸４は鉛直方向に
延びており、その下端部は、図示しないプーリーが同軸
に一体的に装着されるプーリ装着部になっており、この
プーリーに図示しない駆動モーターの回転をベルト（不
図示）を介して伝動することにより、太陽歯車駆動軸４
をその軸線回りに回転させることができる。A lower table drive shaft 5 extending in the vertical direction is rotatably supported on the apparatus body 3 via a bearing 16. This small table drive shaft 5 has a small diameter lower end 5
Reference numeral a denotes a pulley mounting portion to which a pulley (not shown) is coaxially and integrally mounted. The lower table drive shaft 5 can be rotated around its axis by transmitting the rotation of a drive motor (not shown) to the pulley via a belt (not shown). The lower table drive shaft 5 includes
A sun gear drive shaft 4 having a sun gear 12A at its upper end is rotatably supported. The sun gear drive shaft 4 extends in the vertical direction, and a lower end portion thereof serves as a pulley mounting portion to which a pulley (not shown) is coaxially mounted integrally, and a rotation of a drive motor (not shown) is rotated by a belt ( (Not shown) to transmit the sun gear drive shaft 4
Can be rotated about its axis.
【００２４】また、装置本体３には、後述するリング状
内周歯車（インターナル歯車）１７を回転させるための
歯車２６を有する駆動軸２５が回転自在に支持されてい
る。この駆動軸２５も図示しない駆動モーターにより、
その軸線回りに回転させられる。なお、この駆動モータ
ーや、太陽歯車駆動軸４を回転させるための駆動モータ
ー等により駆動機構が構成されている。前記下テーブル
駆動軸５上には、円盤状のスペーサ部材２４を介して円
盤状のマウント（下テーブル）１１が固定され、このマ
ウント１１上には後述する円盤状の下側砥石１２が水平
状態で固定されている。A drive shaft 25 having a gear 26 for rotating a ring-shaped inner peripheral gear (internal gear) 17, which will be described later, is rotatably supported by the apparatus body 3. This drive shaft 25 is also driven by a drive motor (not shown).
It can be rotated around its axis. A drive mechanism is configured by this drive motor, a drive motor for rotating the sun gear drive shaft 4, and the like. A disc-shaped mount (lower table) 11 is fixed on the lower table drive shaft 5 via a disc-shaped spacer member 24, and a disc-shaped lower grindstone 12 to be described later is in a horizontal state on the mount 11. It is fixed at.
【００２５】一方、符号２は上テーブルを示し、この上
テーブル２は前記装置本体３に固定された駆動手段（例
えばシリンダー）９のロッド９ａに水平状態で支持され
ている。この上テーブル２の下面には、連結部材７およ
び上砥石スペーサ部材６を介して円板状の上側砥石１３
が水平状態で取り付けられている。上側砥石１３と一体
となった円盤状の前記上砥石スペーサ部材６は、上テー
ブル２に対して回転自在に支持され、また、上砥石スペ
ーサ部材６の外周には外周歯６ａが形成されている。前
記シリンダー９のロッド９ａを引き込めると、上側砥石
１３を上昇させることができ（図１の状態）、一方、ロ
ッド９ａを突出させると、上側砥石１３を下降させて、
下側砥石１２とでシリコンウェーハ１を加圧することが
できる（図２の状態）。このように、上側砥石１３は押
圧手段（本例ではシリンダー９による昇降手段）により
上下移動自在に設けられている。なお、シリンダー９に
よる昇降手段の代わりに、例えばラック・ピニオン等か
らなるスライダー機構を採用してもよい。On the other hand, reference numeral 2 indicates an upper table, and the upper table 2 is supported in a horizontal state by a rod 9a of a driving means (for example, a cylinder) 9 fixed to the apparatus main body 3. On the lower surface of the upper table 2, a disc-shaped upper grindstone 13 is provided via a connecting member 7 and an upper grindstone spacer member 6.
Are installed horizontally. The disc-shaped upper grindstone spacer member 6 integrated with the upper grindstone 13 is rotatably supported on the upper table 2, and outer peripheral teeth 6 a are formed on the outer periphery of the upper grindstone spacer member 6. . When the rod 9a of the cylinder 9 is retracted, the upper grindstone 13 can be raised (state of FIG. 1), while when the rod 9a is projected, the upper grindstone 13 is lowered,
The silicon wafer 1 can be pressed with the lower grindstone 12 (state of FIG. 2). In this way, the upper grindstone 13 is provided so as to be vertically movable by the pressing means (in this example, the elevating means by the cylinder 9). Instead of the elevating means by the cylinder 9, a slider mechanism composed of, for example, a rack and pinion may be adopted.
【００２６】上テーブル２には、駆動モーター８が固定
されており、この駆動モーター８の回転軸（出力軸）８
ａには歯車１０が同軸に一体的に固定されている。この
歯車１０は前記上砥石スペーサ部材６の外周歯６ａに噛
み合っている。これにより、駆動モーター８の回転を上
砥石スペーサ部材６を介して上側砥石１３に伝動して、
上側砥石１３をその軸線回りに回転させることができ
る。A drive motor 8 is fixed to the upper table 2, and a rotary shaft (output shaft) 8 of the drive motor 8 is fixed.
A gear 10 is coaxially and integrally fixed to a. The gear 10 meshes with the outer peripheral teeth 6 a of the upper grindstone spacer member 6. Thereby, the rotation of the drive motor 8 is transmitted to the upper grindstone 13 via the upper grindstone spacer member 6,
The upper grindstone 13 can be rotated around its axis.
【００２７】そして、上記太陽歯車１２Ａとリング状内
周歯車１７との間には、複数枚（本例では３枚）の円板
状のキャリアー１４は、その外周に形成された外周歯を
この太陽歯車１２Ａ、およびリング状内周歯車１７の内
周歯にそれぞれ噛合させて配設されている。すなわち、
上記キャリアー１４は、それぞれ太陽歯車１２Ａおよび
リング状内周歯車１７に対しての遊星歯車としての動作
をさせられることになる。各キャリアー１４には、それ
ぞれ１枚のシリコンウェーハ１を収容する収容孔１５が
設けられている。これらのシリコンウェーハ１はそれぞ
れ上記キャリアー１４の収容孔１５に装填され、それぞ
れの下表面は下側砥石１２上に摺接自在となるように設
けられている。なお、キャリアー１４の厚さはシリコン
ウェーハ１の厚さよりも小さくなっている。また、これ
らのシリコンウェーハ１の上面には、上側砥石１３が互
いに摺接自在となる。この上側砥石１３はその中央部に
開口部１３Ｂを有し、下側砥石１２も、前記開口部１３
Ｂと同様な開口部１２Ｂを有し、上・下側砥石１３，１
２は、外径および内径が略等しい、球状黒鉛鋳鉄製の薄
肉円板体である。Between the sun gear 12A and the ring-shaped inner peripheral gear 17, a plurality of (three in this example) disk-shaped carriers 14 are provided with outer peripheral teeth formed on the outer periphery thereof. The sun gear 12A and the inner peripheral teeth of the ring-shaped inner peripheral gear 17 are arranged in mesh with each other. That is,
The carrier 14 can be operated as a planetary gear with respect to the sun gear 12A and the ring-shaped inner peripheral gear 17, respectively. Each carrier 14 is provided with an accommodation hole 15 for accommodating one silicon wafer 1. Each of these silicon wafers 1 is loaded in the accommodation hole 15 of the carrier 14, and its lower surface is provided so as to be slidably contactable on the lower grindstone 12. The thickness of the carrier 14 is smaller than that of the silicon wafer 1. The upper grindstones 13 are slidably contactable with each other on the upper surfaces of the silicon wafers 1. The upper grindstone 13 has an opening 13B at the center thereof, and the lower grindstone 12 also has the opening 13B.
It has the same opening 12B as B, and the upper and lower grindstones 13 and 1
Reference numeral 2 is a thin-walled disc body made of spheroidal graphite cast iron, the outer diameter and the inner diameter of which are substantially equal.
【００２８】上述のように、これらの上側砥石１３と下
側砥石１２との間にシリコンウェーハ１が介装・保持さ
れてその表裏両面が同時に研削される。すなわち、シリ
コンウェーハ１は、外周歯を有するキャリアー１４に保
持されており、このキャリアー１４にはシリコンウェー
ハ１を挿入可能な収容孔（円孔）１５が形成されてい
る。また、キャリアー１４の外周歯は、太陽歯車１２Ａ
に噛み合うと同時に、リング状内周歯車１７の内周歯に
も噛み合っている。リング状内周歯車１７は下側砥石１
２のそれよりも外径が大きく、下側砥石１２を取り囲む
ように配設されている。なお、本例では、一枚のシリコ
ンウェーハ１を保持するキャリアー１４が３つ備えら
れ、３枚のシリコンウェーハ１を同時に両面研削するも
のであるが、これに限定されない。また、上側砥石１３
の研削面（下面）および下側砥石１２の研削面（上面）
には、径方向および周方向に延びる放射溝および円周溝
が複数本ずつ形成してある。As described above, the silicon wafer 1 is interposed and held between the upper grindstone 13 and the lower grindstone 12, and both front and back surfaces thereof are ground simultaneously. That is, the silicon wafer 1 is held by the carrier 14 having outer peripheral teeth, and the carrier 14 is formed with the accommodation hole (circular hole) 15 into which the silicon wafer 1 can be inserted. The outer peripheral teeth of the carrier 14 are the sun gear 12A.
At the same time, the inner peripheral teeth of the ring-shaped inner peripheral gear 17 are also meshed. The ring-shaped inner peripheral gear 17 is the lower grindstone 1.
The outer diameter is larger than that of No. 2 and is arranged so as to surround the lower grindstone 12. In this example, three carriers 14 that hold one silicon wafer 1 are provided and both sides of three silicon wafers 1 are simultaneously ground, but the present invention is not limited to this. Also, the upper grindstone 13
Grinding surface (lower surface) and lower grinding wheel 12 grinding surface (upper surface)
A plurality of radial grooves and a plurality of circumferential grooves extending in the radial direction and the circumferential groove are formed in each.
【００２９】次に、前記両面研削装置の主要部の詳細構
成について説明する。図１乃至図５に示すように、符号
１２は、被研削物としてのシリコンウェーハ１が載置さ
れる下側砥石である。この下側砥石１２はその中央部に
円形の開口部（中心孔）１２Ｂが形成された円盤体で、
前記マウント１１に載置固定されている。符号２１ａ
は、下テーブル駆動軸５上に載置されたスペーサ支持部
材であり、このスペーサ支持部材２１ａは、前記太陽歯
車駆動軸４に挿通されている。なお、このスペーサ支持
部材２１ａは下テーブル駆動軸５とは一緒に回転しな
い。Next, the detailed structure of the main part of the double-sided grinding machine will be described. As shown in FIGS. 1 to 5, reference numeral 12 is a lower grindstone on which the silicon wafer 1 as an object to be ground is placed. The lower whetstone 12 is a disk body having a circular opening (center hole) 12B formed in the center thereof,
It is mounted and fixed on the mount 11. Reference numeral 21a
Is a spacer support member mounted on the lower table drive shaft 5, and the spacer support member 21 a is inserted into the sun gear drive shaft 4. The spacer support member 21a does not rotate together with the lower table drive shaft 5.
【００３０】符号１２Ｃは、前記スペーサ支持部材２１
上に載置された下スペーサーを示しており、この下スペ
ーサー１２Ｃ上には、各キャリアー１４の太陽歯車１２
Ａ側の端部が載っている。また、この下スペーサー１２
Ｃ上にはそれとほぼ同形状の上スペーサー１３Ａが載っ
ており、この上スペーサー１３Ａの自重により、下スペ
ーサー１２Ｃとで前記キャリアー１４の太陽歯車１２Ａ
側の端部を挟んで支持する構成になっている。なお、各
スペーサー１２Ｃ，１３Ａは、太陽歯車１２Ａに回転自
在に嵌挿されている。上記構成により、上側砥石１３の
開口部１３Ｂの上方から供給される後述する研削液（図
２および図５の太線矢印参照）の圧力により、各キャリ
アー１４が折れ曲がることはない。なお、上スペーサー
１３Ａの重量は、各キャリアー１４の後述する遊星軌道
の運動に支障をきたさないような大きさになっている。Reference numeral 12C is the spacer support member 21.
The lower spacer placed on top is shown, on which the sun gear 12 of each carrier 14 is placed.
The end on the A side is placed. Also, this lower spacer 12
An upper spacer 13A having substantially the same shape as that of the upper gear 13A is mounted on C, and the lower spacer 12C and the sun gear 12A of the carrier 14 due to the weight of the upper spacer 13A.
It is configured to support by sandwiching the side end portion. The spacers 12C and 13A are rotatably fitted in the sun gear 12A. With the above configuration, each carrier 14 is not bent by the pressure of the grinding liquid (see the thick arrow in FIGS. 2 and 5) described below supplied from above the opening 13B of the upper grindstone 13. The weight of the upper spacer 13A is set so as not to hinder the movement of each carrier 14 in a planet orbit, which will be described later.
【００３１】上側砥石１３は、上述したように上下動自
在に設けられており、上記キャリアー１４に保持された
シリコンウェーハ１を所定荷重で下側砥石１２に押し付
けることができる。また、この上側砥石１３の上方から
その開口部１３Ｂに向って、図２中矢印で示したように
研削液（例えば純水）を供給する、ノズル等の研削液供
給手段（不図示）が設けられている。前記上砥石スペー
サ部材６、上側砥石１３、下側砥石１２、マウント１１
およびスペーサー部材２４の各内周面と、下テーブル駆
動軸５の上面、スペーサー支持部材２１ａおよび上下の
各スペーサ１３Ａ，１２Ｃの外周面で囲まれた空間は所
定容積のウォータパン（空間）Ｗになっている。The upper grindstone 13 is provided so as to be vertically movable as described above, and the silicon wafer 1 held by the carrier 14 can be pressed against the lower grindstone 12 with a predetermined load. Further, a grinding liquid supply means (not shown) such as a nozzle for supplying a grinding liquid (for example, pure water) as shown by an arrow in FIG. 2 from above the upper grindstone 13 toward the opening 13B is provided. Has been. The upper grindstone spacer member 6, the upper grindstone 13, the lower grindstone 12, the mount 11
The space surrounded by each inner peripheral surface of the spacer member 24, the upper surface of the lower table drive shaft 5, the spacer supporting member 21a, and the outer peripheral surfaces of the upper and lower spacers 13A and 12C is a water pan (space) W having a predetermined volume. Has become.
【００３２】次に、上砥石スぺーサ部材６および上・下
側砥石１３，１２の詳細構造について、研削液通路を主
点として説明する。先ず、図１に示すように、上砥石ス
ぺーサ部材６には、上下方向に貫通する複数（図では２
つしか図示されていない）の貫通孔１８が、前記上砥石
スぺーサ部材１６の周方向に規則性を持って（本例では
等間隔に）形成されている。図１および図６に示すよう
に、上側砥石１３の上面の内周側にはリング状の環状溝
１９が形成されている。この環状溝１９の形成位置は、
前記上砥石スペーサ６部材の貫通孔１８の位置と重なる
位置になっている。また、上側砥石１３の上面には、そ
れぞれの一端が前記環状溝１９に連通しかつ上側砥石１
３の外径方向のほぼ中間部まで放射状に延びる複数本
（本例では８本）の放射溝２０が形成されている。この
放射溝２０の他端には、上側砥石１３を上下に貫通する
貫通孔２１がそれぞれ連通している。Next, the detailed structure of the upper grindstone spacer member 6 and the upper and lower grindstones 13 and 12 will be described with the grinding liquid passage as the main point. First, as shown in FIG. 1, the upper grindstone spacer member 6 has a plurality of vertically penetrating (2 in FIG.
Through holes 18 (only one of which is shown) are formed with regularity in the circumferential direction of the upper grindstone spacer member 16 (at equal intervals in this example). As shown in FIGS. 1 and 6, a ring-shaped annular groove 19 is formed on the inner peripheral side of the upper surface of the upper grindstone 13. The position where the annular groove 19 is formed is
It is located at a position overlapping with the position of the through hole 18 of the upper grindstone spacer 6 member. Further, on the upper surface of the upper grindstone 13, one end thereof communicates with the annular groove 19 and the upper grindstone 1
A plurality of (eight in this example) radial grooves 20 radially extending to an approximately middle portion in the outer diameter direction of 3 are formed. The other end of the radial groove 20 is communicated with a through hole 21 that vertically penetrates the upper grindstone 13.
【００３３】一方、図１および図７に示すように、下側
砥石１２の下面には、その内壁から放射状に延びる複数
の放射溝２３が形成されている。各放射溝２３は下側砥
石１２の内周端から径方向のほぼ中間部まで延びてお
り、各放射溝２３の一端には、下側砥石１２を上下に貫
通する複数の貫通孔２２がそれぞれ連通している。On the other hand, as shown in FIGS. 1 and 7, on the lower surface of the lower grindstone 12, a plurality of radial grooves 23 extending radially from the inner wall thereof are formed. Each radiating groove 23 extends from the inner peripheral end of the lower grindstone 12 to a substantially middle portion in the radial direction, and at one end of each radiating groove 23, a plurality of through holes 22 vertically penetrating the lower grindstone 12 are respectively provided. It is in communication.
【００３４】図２および図５において、太線矢印で示し
たものは、研削液の流れ状態を示すものである。すなわ
ち、上側砥石１３の上方より前記ウォータパンＷに供給
された研削液は、上・下側砥石１３，１２間のシリコン
ウェーハ１の外周端側からその上下面に供給され、上・
下側砥石１３，１２の水平面内の回転による遠心力によ
り、この供給された研削液は、上・下側砥石１３，１２
の外周側へ供給される。これにより、シリコンウェーハ
１の上下面の全域に研削液が供給される。一方、上砥石
スペーサ部材６の複数の貫通孔１８にも研削液が供給さ
れ、この供給された研削液は上側砥石１３の環状溝１
９、放射溝２０および貫通孔２１をとおってシリコンウ
ェーハ１の上面のほぼ中央部に供給される。さらに、前
記ウォータパンＷに供給された研削液は、下側砥石１２
の放射溝２３および貫通孔２２を通ってシリコンウェー
ハ１の下面のほぼ中央部にも供給される。これにより、
シリコンウェーハ１の全域の温度を確実に制御できる。In FIGS. 2 and 5, the thick arrows indicate the flow of the grinding liquid. That is, the grinding fluid supplied to the water pan W from above the upper grindstone 13 is supplied to the upper and lower surfaces of the outer peripheral edge of the silicon wafer 1 between the upper and lower grindstones 13 and 12,
Due to the centrifugal force due to the rotation of the lower grindstones 13 and 12 in the horizontal plane, the supplied grinding fluid is supplied to the upper and lower grindstones 13 and 12
Is supplied to the outer peripheral side of. As a result, the grinding liquid is supplied to the entire upper and lower surfaces of the silicon wafer 1. On the other hand, the grinding liquid is also supplied to the plurality of through holes 18 of the upper grindstone spacer member 6, and the supplied grinding liquid is the annular groove 1 of the upper grindstone 13.
It is supplied to almost the central part of the upper surface of the silicon wafer 1 through the radiation groove 20, the through hole 21, and the through hole 21. Further, the grinding fluid supplied to the water pan W is the lower grindstone 12
It is also supplied to the substantially central portion of the lower surface of the silicon wafer 1 through the radiation groove 23 and the through hole 22. This allows
It is possible to reliably control the temperature of the entire area of the silicon wafer 1.
【００３５】そして、その両面研削装置を用いてシリコ
ンウェーハの表裏両面を研削するには、スライス後のシ
リコンウェーハ１をキャリアー１４の収容孔１５に挿入
し、上側砥石１３と下側砥石１２との間にシリコンウェ
ーハ１を挟み込み、上側砥石１３および下側砥石１２を
それぞれ所定速度で水平面内で回転させる。このとき、
上側砥石１３は所定荷量でシリコンウェーハ１を押圧し
ながら所定量（例えば１００μｍ）だけ降下させる。ま
た、このとき、研削液を上側砥石１３の上から常時供給
し、シリコンウェーハ１の温度を一定（例えば２５℃）
に制御・管理する。この研削液はウォータパンＷから各
研削面の溝（放射溝や円周溝）を通ってシリコンウェー
ハ１の中心部にまで常時供給される。よって、シリコン
ウェーハ１の中心部の温度も一定に管理することができ
る。上記説明から明らかなように、前記研削液供給手段
（ノズル等）や前記研削液通路およびウォータパンＷに
より、温度制御手段が構成されている。Then, in order to grind both the front and back surfaces of the silicon wafer using the double-sided grinding device, the sliced silicon wafer 1 is inserted into the accommodation hole 15 of the carrier 14, and the upper grindstone 13 and the lower grindstone 12 are combined. The silicon wafer 1 is sandwiched therebetween, and the upper grindstone 13 and the lower grindstone 12 are each rotated at a predetermined speed in a horizontal plane. At this time,
The upper grindstone 13 lowers a predetermined amount (for example, 100 μm) while pressing the silicon wafer 1 with a predetermined load. At this time, the grinding liquid is constantly supplied from above the upper grindstone 13 to keep the temperature of the silicon wafer 1 constant (for example, 25 ° C.).
Control and manage. The grinding liquid is constantly supplied from the water pan W to the central portion of the silicon wafer 1 through the grooves (radiation grooves and circumferential grooves) on each grinding surface. Therefore, the temperature of the central portion of the silicon wafer 1 can also be controlled to be constant. As is clear from the above description, the grinding liquid supply means (nozzle or the like), the grinding liquid passage, and the water pan W constitute a temperature control means.
【００３６】詳細に説明すると、先ず、シリコンウェー
ハ１をそれぞれキャリアー１４の収容孔１５に装填し、
これを下側砥石１２上に載置して、上部より上側砥石１
２を各シリコンウェーハ１の上面に当接するように押圧
する。次に、上記のように研削液をシリコンウェーハ１
の上下表面に供給しながら、太陽歯車１２Ａおよびリン
グ状内周歯車１７を図４中矢印方向にそれぞれ回転させ
ると、各キャリアー１４は図４中矢印方向に自ら回転さ
せられることになる。これにより、シリコンウェーハ１
は下側砥石１２上を水平面内で遊星軌道を描きながら、
それらの下表面は下側砥石１２の上面（研削面）で擦ら
れて研削されるものである。さらに、上側砥石１３を下
側砥石１２と逆方向に回転させることにより、シリコン
ウェーハ１の上表面はこの上側砥石１３の下面（研削
面）で擦られて研削される。上記説明から明らかなよう
に、太陽歯車１２Ａ、太陽歯車駆動軸４、リング状内周
歯車１７および駆動モーター８等により、相対運動手段
が構成されている。また、この相対運動手段や上側砥石
１３および下側砥石１２等により両面研削手段が構成さ
れている。More specifically, first, the silicon wafers 1 are loaded into the accommodation holes 15 of the carriers 14, respectively,
This is placed on the lower grindstone 12 and the upper grindstone 1 from the upper part.
2 is pressed so as to contact the upper surface of each silicon wafer 1. Next, as described above, the grinding liquid is applied to the silicon wafer 1
When the sun gear 12A and the ring-shaped inner peripheral gear 17 are each rotated in the arrow direction in FIG. 4 while being supplied to the upper and lower surfaces of the carrier, each carrier 14 is rotated in the arrow direction in FIG. As a result, the silicon wafer 1
While drawing the planetary orbit on the lower grindstone 12 in the horizontal plane,
The lower surface thereof is rubbed and ground by the upper surface (ground surface) of the lower grindstone 12. Further, by rotating the upper grindstone 13 in the opposite direction to the lower grindstone 12, the upper surface of the silicon wafer 1 is rubbed and ground by the lower surface (grinding surface) of the upper grindstone 13. As is clear from the above description, the sun gear 12A, the sun gear drive shaft 4, the ring-shaped inner peripheral gear 17, the drive motor 8 and the like constitute a relative movement means. Further, the relative movement means, the upper grindstone 13, the lower grindstone 12, and the like constitute a double-sided grinding means.
【００３７】図９の（ａ）および（ｂ）はそれぞれ、従
来技術に係わる製造工程および本発明の、工程を説明す
るためのフローチャートである。従来、シリコンウェー
ハの製造においては、先ず、シリコンの単結晶インゴッ
トをスライスし（ステップＳ１）、このスライスされた
シリコンウェーハを面取りする（ステップＳ２）。この
ようにして得られた複数枚のシリコンウェーハを、厚み
のばらつきの大小により分別する（バッチ構成、ステッ
プＳ３）。このようなバッチ構成を行う理由は、厚さが
揃っているほど、後述するラップ加工時間が短縮される
からである。この厚みに関して分別したシリコンウェー
ハを厚みの揃ったもの毎に同時にラッピングし（ステッ
プＳ４）、ラップ後洗浄する（ステップＳ５）。この洗
浄は、ラップ剤や、ラップ時に球状黒鉛鋳鉄製の上・下
側砥石が摩耗されて生じた大量の鉄および鉄イオンをシ
リコンウェーハから除去するための強力な洗浄である。
そして、シリコンウェーハをアルカリ界面活性剤による
洗浄を行い（ステップＳ６）、さらに、前記面取により
生じたダメージを部分エッチング（Chemical Corner
Roundinng）により除去する。この後、洗浄を行った
後、エッチングする。9A and 9B are flow charts for explaining the manufacturing process according to the prior art and the process of the present invention, respectively. Conventionally, in the manufacture of a silicon wafer, first, a silicon single crystal ingot is sliced (step S1), and the sliced silicon wafer is chamfered (step S2). The plurality of silicon wafers thus obtained are sorted according to the magnitude of variation in thickness (batch configuration, step S3). The reason why such a batch configuration is performed is that the more uniform the thickness is, the shorter the lapping time described later will be. The silicon wafers sorted according to this thickness are simultaneously lapped for each of the uniform thicknesses (step S4), and cleaned after lapping (step S5). This cleaning is a powerful cleaning for removing a large amount of iron and iron ions generated from the lapping agent and the upper and lower grindstones made of spheroidal graphite cast iron during lapping from the silicon wafer.
Then, the silicon wafer is washed with an alkaline surfactant (step S6), and the damage caused by the chamfering is partially etched (Chemical Corner).
Roundinng). After that, cleaning is performed and then etching is performed.
【００３８】これに対し、本発明では、図９（ｂ）に示
すように、例えばワイヤーソーによるスライシング（ス
テップＳ１０）および面取り後（ステップＳ１１）、上
記のようなバッチ構成を行わず、両面同時研削（ステッ
プＳ１２）を行う。バッチ構成を行う必要がないのは、
両面同時研削はシリコンウェーハの両面を同時に研削す
るので、両面の平行度を短時間で出すことができるから
である。ラップ剤を用いないので、上記のようなラップ
直後の洗浄を行う必要はない。そして、洗浄後（ステッ
プＳ１３）、ＣＣＲおよび洗浄を行い、さらに、シリコ
ンウェーハの裏面をハーフポリッシュする方法あるいは
両面同時ケモメカニカル研磨して研削ダメージ層を除去
する。この両面同時ケモメカニカル研磨は、上述した両
面同時研削装置の上側砥石および下側砥石に代えて、研
摩布をそれぞれ有する上下一対の定盤により行う。従来
のラップ加工およびエッチング工程を経ずに、裏面ハー
フポリッシュまたは両面同時研磨を行うことにより、シ
リコンウェーハを高精度に加工できる。なお、上記のエ
ッチング工程を経ない製造方法に限らず、洗浄（ステッ
プ１３）以降の工程を従来と同様な工程としてもよい。On the other hand, in the present invention, as shown in FIG. 9B, for example, after slicing with a wire saw (step S10) and after chamfering (step S11), the batch construction as described above is not performed, and both surfaces are simultaneously processed. Grinding (step S12) is performed. There is no need to do batch configuration because
This is because double-sided simultaneous grinding grinds both sides of a silicon wafer at the same time, so that the parallelism of both sides can be obtained in a short time. Since no wrapping agent is used, it is not necessary to perform the washing just after the wrapping as described above. Then, after the cleaning (step S13), CCR and cleaning are performed, and further, the back surface of the silicon wafer is half-polished or both sides are subjected to chemo-mechanical polishing to remove the grinding damage layer. This double-sided simultaneous chemo-mechanical polishing is performed by a pair of upper and lower surface plates each having a polishing cloth instead of the upper and lower grindstones of the double-sided simultaneous grinding apparatus described above. The silicon wafer can be processed with high accuracy by performing back surface half polishing or double-sided simultaneous polishing without the conventional lapping process and etching process. The manufacturing method is not limited to the above-described etching process, and the process after cleaning (step 13) may be the same process as the conventional process.
【００３９】図１０は上側砥石１３の降下速度（上側砥
石の下降量／加工時間）とそのときの荷重との関係を示
している。このときの下側砥石１２、上側砥石１３の回
転速度は、それぞれ例えば７７ｒｐｍ，５１ｒｐｍとす
る。荷重が小（例えば１２０＋３０ｋｇｆ＝○）のとき
は、所定量の研削に時間がかかる。荷重が中（１６５＋
３０ｋｇｆ＝△）、大（２１０＋３０ｋｇｆ＝□）の場
合は研削時間は適切である。しかしながら、大の場合よ
りも加える荷重を大きくすると、この回転速度等の条件
ではシリコンウェーハに割れが生じる。FIG. 10 shows the relationship between the descending speed of the upper grindstone 13 (lowering amount of the upper grindstone / machining time) and the load at that time. The rotation speeds of the lower grindstone 12 and the upper grindstone 13 at this time are, for example, 77 rpm and 51 rpm, respectively. When the load is small (for example, 120 + 30 kgf = ◯), it takes time to grind a predetermined amount. Medium load (165+
In the case of 30 kgf = Δ) and large (210 + 30 kgf = □), the grinding time is appropriate. However, when the applied load is made larger than that in the case of a large case, the silicon wafer is cracked under the conditions such as the rotation speed.
【００４０】図１１は同じくこの装置を使用して荷重を
一定にして（１６５＋３０ｋｇｆ）、上側砥石１３と下
側砥石１２の回転速度を変更して両面研削を行った結果
を示している。下側砥石１２および上側砥石１３の回転
速度について、○は下側砥石１２が４５ｒｐｍ、上側砥
石１３が２８ｒｐｍの場合であり、●は同じく６０ｒｐ
ｍ、３８ｒｐｍ、△は同じく７７ｒｐｍ、５１ｒｐｍ、
▲は同じく８７ｒｐｍ、５７ｒｐｍの各場合である。研
削に要する時間および割れの観点から、●および△が良
好な結果を示している。FIG. 11 also shows the results of double-sided grinding using this apparatus with a constant load (165 + 30 kgf) and changing the rotational speeds of the upper grindstone 13 and the lower grindstone 12. Regarding the rotational speeds of the lower grindstone 12 and the upper grindstone 13, ◯ is the case where the lower grindstone 12 is 45 rpm and the upper grindstone 13 is 28 rpm, and ● is the same 60 rpm.
m, 38 rpm, △ are also 77 rpm, 51 rpm,
Similarly, ▴ is the case of 87 rpm and 57 rpm. From the viewpoints of the time required for grinding and cracks, ● and Δ show good results.
【００４１】以上のように、この実施例に係る両面研削
によれば、ラップ加工後のシリコンウェーハと比較し
て、高平坦度のシリコンウェーハが得られる。図１２に
示すように、例えばＴＴＶを０．６６μｍにすることが
できる（静電容量型表面平坦度測定器＝ＡＤＥでの測定
値）。その結果、ラップドウェーハと比較してそのエッ
チングオフ量が減って、例えば２μｍにすることができ
る。また、この場合のエッチング面の凹凸をラップ加工
を行う場合と比較して小さくすることもできて、例えば
０．１μｍにすることができる。さらに、後工程の研磨
では２μｍ程度の少ない研磨量で済み、容易にＳＦＱＤ
を０．１μｍ程度に達成できる。As described above, according to the double-sided grinding according to this embodiment, a silicon wafer having a high flatness can be obtained as compared with the silicon wafer after lapping. As shown in FIG. 12, for example, TTV can be set to 0.66 μm (capacitance type surface flatness measuring device = measured value by ADE). As a result, the etching-off amount is reduced as compared with the wrapped wafer, and can be reduced to, for example, 2 μm. Further, the unevenness of the etching surface in this case can be made smaller than that in the case of lapping, and can be set to 0.1 μm, for example. Further, in the polishing in the subsequent process, a small polishing amount of about 2 μm is required, and SFQD
Can be achieved to about 0.1 μm.
【００４２】さらに、この発明を、片面ずつの研削によ
る場合と比較すると、そのシリコンウェーハ表面にスラ
イス面に転写した凹凸が残らない。よって、研削後のシ
リコンウェーハをラップ加工せずにエッチングを施すこ
とが可能となる。また、ラップ加工によるダメージ量の
１／１０しかダメージが残らず、エッチングオフ量が少
なくなり、エッチングによる平坦度の低下が顕著に防止
される。さらに、この実施例では、研削液により研削面
の切り粉を除去することができるという効果がある。Further, when the present invention is compared with the case of grinding one surface at a time, the unevenness transferred to the slice surface does not remain on the surface of the silicon wafer. Therefore, it becomes possible to etch the silicon wafer after grinding without lapping. Further, only 1/10 of the damage amount due to the lapping process remains, the amount of etching off is reduced, and the decrease in flatness due to etching is significantly prevented. Further, in this embodiment, there is an effect that the chips on the ground surface can be removed by the grinding liquid.
【００４３】[0043]
【発明の効果】本発明は、以上説明したとおりに構成さ
れているので、以下に記載するような効果を奏する。本
発明の製造方法は、ラップ加工を行う場合と比較して、
特に１Ｇビット以上の高集積デバイスを製造する際に要
求される高平坦度のシリコンウェーハを作製することが
できるとともに、エッチングオフ量が減り、また、エッ
チング面の凹凸を小さくできる。さらに、研磨工程での
研磨量は少なくても済む。ラッピング後の手間のかかる
洗浄が不要になる。片面ずつの研削と比較すると、洗浄
およびラップ加工を行う必要がない。また、シリコンウ
ェーハの温度上昇を防止して均一に管理し、シリコンウ
ェーハの厚さと残存ダメージをその全域において均一に
して、全面を平坦に形成してそりを低減することができ
る。さらに、両面研削後のシリコンウェーハはダメージ
層が少ないため、加工速度が遅いケモメカニカル研磨で
もダメージ層の除去が可能になり、裏面のハーフポリッ
シュ、または表裏両面に同時研磨を施すことにより、研
削ダメージが除去されかつ両面研磨されたシリコンウェ
ーハを経済的に作製することができる。本発明の製造装
置は、上記の製造方法を容易に実施できるとともに、ま
た、相対運動手段の作用により、上側砥石および下側砥
石を回転させ、かつシリコンウェーハを保持するキャリ
アーを遊星運動させることにより、シリコンウェーハの
両面を均一に研削できる上に、研削装置を小型なものと
することができる。また、温度制御手段により、上側砥
石および下側砥石の内周側から、および上側砥石および
下側砥石の研削面からそれぞれ、シリコンウェーハの端
面側および中央部に向けて研削液を供給できて、この研
削液は上側砥石および下側砥石の遠心力によりシリコン
ウェーハの上下面の全域に供給される。これにより、シ
リコンウェーハの裏表面の全域の温度を確実に制御で
き、両面の残存ダメージが均一となりそりが小さくなる
という利点がある。さらに、キャリアーの太陽歯車側の
端部を上下のスペーサにより挟むことにより、研削液の
圧力に起因するキャリアーの撓みを防止できる。Since the present invention is configured as described above, it has the following effects. The manufacturing method of the present invention, compared with the case of performing lapping,
In particular, a silicon wafer having a high flatness required for manufacturing a highly integrated device of 1 Gbit or more can be manufactured, the amount of etching off can be reduced, and the unevenness of the etching surface can be reduced. Furthermore, the polishing amount in the polishing step can be small. Eliminates the need for time-consuming cleaning after lapping. There is no need for cleaning and lapping as compared to single-sided grinding. Further, the temperature rise of the silicon wafer can be prevented and controlled uniformly, the thickness and residual damage of the silicon wafer can be made uniform over the entire area, and the entire surface can be formed flat to reduce warpage. Furthermore, since the silicon wafer after double-sided grinding has few damage layers, it is possible to remove the damage layer even by chemo-mechanical polishing, which has a slow processing speed.By performing half-polishing on the back surface or simultaneous polishing on both front and back surfaces, grinding damage is eliminated. It is possible to economically manufacture a silicon wafer in which the silicon is removed and the both sides are polished. The manufacturing apparatus of the present invention can easily carry out the above-described manufacturing method, and by the action of the relative movement means, the upper grindstone and the lower grindstone are rotated, and the carrier that holds the silicon wafer is planetarily moved. In addition to being able to uniformly grind both sides of the silicon wafer, the grinding device can be made compact. Further, by the temperature control means, from the inner peripheral side of the upper grindstone and the lower grindstone, and from the grinding surface of the upper grindstone and the lower grindstone, respectively, it is possible to supply the grinding liquid toward the end face side and the central portion of the silicon wafer, This grinding fluid is supplied to the entire upper and lower surfaces of the silicon wafer by the centrifugal force of the upper grindstone and the lower grindstone. This has the advantage that the temperature of the entire back surface of the silicon wafer can be reliably controlled, the residual damage on both surfaces is uniform, and the warpage is reduced. Further, by sandwiching the end of the carrier on the sun gear side between the upper and lower spacers, the bending of the carrier due to the pressure of the grinding fluid can be prevented.
【図１】本発明の一実施例に係わる両面研削装置の全体
構成図であり、上側砥石が上昇位置にある状態を示して
いる。FIG. 1 is an overall configuration diagram of a double-sided grinding apparatus according to an embodiment of the present invention, showing a state in which an upper grindstone is in a raised position.
【図２】本発明の一実施例に係わる両面研削装置の全体
構成図であり、上側砥石が下降位置にある状態を示して
いる。FIG. 2 is an overall configuration diagram of a double-sided grinding apparatus according to an embodiment of the present invention, showing a state in which an upper grindstone is in a lowered position.
【図３】この発明の一実施例に係る両面研削装置の主要
部を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a main part of a double-sided grinding machine according to an embodiment of the present invention.
【図４】この発明の一実施例に係る両面研削装置の主要
部を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a main part of a double-sided grinding machine according to an embodiment of the present invention.
【図５】この発明の一実施例に係る両面研削装置の主要
部を示す縦断面図である。FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a main part of a double-sided grinding machine according to an embodiment of the present invention.
【図６】上側砥石の平面図である。FIG. 6 is a plan view of an upper grindstone.
【図７】下側砥石の平面図である。FIG. 7 is a plan view of a lower grindstone.
【図８】シリコンウェーハの平坦度の向上を説明するた
めの図である。FIG. 8 is a diagram for explaining improvement in flatness of a silicon wafer.
【図９】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ、従来技術およ
び本発明の、製造工程例を説明するためのフローチャー
トである。9 (a) and 9 (b) are flowcharts for explaining an example of a manufacturing process according to the related art and the present invention, respectively.
【図１０】この発明の一実施例に係る両面研削の結果を
示すグラフである。FIG. 10 is a graph showing the results of double-sided grinding according to an example of the present invention.
【図１１】この発明の一実施例に係る両面研削の結果を
示すグラフである。FIG. 11 is a graph showing the results of double-sided grinding according to an example of the present invention.
【図１２】この発明の一実施例に係る両面研削の結果で
ある表面状態を示す模式図である。FIG. 12 is a schematic view showing a surface condition as a result of double-sided grinding according to an embodiment of the present invention.
【図１３】従来のシリコンウェーハの表面状態を示す図
５と同様の模式図である。FIG. 13 is a schematic view similar to FIG. 5 showing a surface state of a conventional silicon wafer.
【図１４】シリコンウェーハを真空吸着してその片面を
研削する際のウェーハの表面状態を示す模式図である。FIG. 14 is a schematic view showing a surface state of a wafer when a silicon wafer is vacuum-sucked and one side thereof is ground.
【図１５】テーパー状になったシリコンウェーハの概略
図である。FIG. 15 is a schematic view of a tapered silicon wafer.
１ シリコンウェーハ ２ 上テーブル ３ 装置本体 ４ 太陽歯車駆動軸 ５ 下テーブル駆動軸 ５ａ プーリー装着部 ６ 上砥石スペーサ部材 ６ａ 外周歯 ７ 連結部材 ８ 駆動モーター ８ａ 回転軸（出力軸） ９ シリンダー ９ａ ロッド １０ 歯車 １１ マウント（下テーブル） １２ 下側砥石（下盤） １２Ａ 太陽歯車 １２Ｂ 開口部（中心孔） １２Ｃ 下スペーサー １３ 上側砥石（上盤） １３Ａ 上スペーサー １３Ｂ 開口部（中心孔） １４ キャリアー（キャリアギア） １５ 収容孔（内孔） １６ ベアリング １７ リング状内周歯車（インターナル歯車） １８ 貫通孔 １９ 環状溝 ２０ 放射溝 ２１ 貫通孔 ２１ａ スペーサ支持部材 ２２ 貫通孔 ２３ 放射溝 ２４ スペーサ部材 ２５ 駆動軸（回転軸） ２６ 歯車 1 Silicon Wafer 2 Upper Table 3 Device Main Body 4 Sun Gear Drive Shaft 5 Lower Table Drive Shaft 5a Pulley Mounting Part 6 Upper Grinding Wheel Spacer Member 6a Outer Peripheral Teeth 7 Connecting Member 8 Drive Motor 8a Rotation Shaft (Output Shaft) 9 Cylinder 9a Rod 10 Gear 11 Mount (Lower Table) 12 Lower Grinding Stone (Lower Plate) 12A Sun Gear 12B Opening (Center Hole) 12C Lower Spacer 13 Upper Grinding Stone (Upper Plate) 13A Upper Spacer 13B Opening (Center Hole) 14 Carrier (Carrier Gear) 15 Housing hole (inner hole) 16 Bearing 17 Ring-shaped inner peripheral gear (internal gear) 18 Through hole 19 Annular groove 20 Radial groove 21 Through hole 21a Spacer support member 22 Through hole 23 Radial groove 24 Spacer member 25 Drive shaft (rotation) Shaft) 26 gears
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 畠中 徹 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Toru Hatanaka 1-5-1, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Sanryo Material Silicon Co., Ltd.
Claims (10)
ンウェーハを作製するスライス工程と、 このシリコンウェーハの表裏面を同時に研削する両面同
時研削工程とを備えたシリコンウェーハの製造方法。1. A method of manufacturing a silicon wafer, comprising: a slicing step of slicing a silicon single crystal ingot to produce a silicon wafer; and a double-sided simultaneous grinding step of simultaneously grinding the front and back surfaces of the silicon wafer.
置の上側砥石と下側砥石との間にシリコンウェーハを挟
み、このシリコンウェーハの表裏面を同時に研削すると
き、このシリコンウェーハの表裏面の全域に研削液を供
給する請求項１に記載のシリコンウェーハの製造方法。2. In the double-sided simultaneous grinding step, when a silicon wafer is sandwiched between an upper grindstone and a lower grindstone of a double-sided grinding machine and the front and back surfaces of this silicon wafer are ground simultaneously, the front and back surfaces of this silicon wafer The method for manufacturing a silicon wafer according to claim 1, wherein the grinding liquid is supplied to the entire area.
ェーハの表裏面の温度を制御する請求項１または請求項
２に記載のシリコンウェーハの製造方法。3. The method for manufacturing a silicon wafer according to claim 1, wherein in the double-sided simultaneous grinding step, temperatures of front and back surfaces of the silicon wafer are controlled.
ェーハにエッチングを施して研削ダメージを除去し、さ
らに、このシリコンウェーハの両面を研磨する請求項１
乃至請求項３のいずれか１項に記載のシリコンウェーハ
の製造方法。4. The silicon wafer is subjected to etching after the double-sided simultaneous grinding step to remove grinding damage, and further, both surfaces of the silicon wafer are polished.
A method for manufacturing a silicon wafer according to claim 3.
リコンウェーハを挟んでシリコンウェーハの表裏面を同
時に研削する両面研削手段と、この両面研削時のシリコ
ンウェーハの表裏面の温度を制御する温度制御手段とを
備えたシリコンウェーハの製造装置。5. A double-sided grinding means for simultaneously grinding the front and back surfaces of a silicon wafer by sandwiching a silicon wafer between a plate-shaped upper grindstone and a lower grindstone, and controlling the temperature of the front and back surfaces of the silicon wafer during this double-side grinding. And a temperature control means for controlling the silicon wafer manufacturing apparatus.
削中のシリコンウェーハの表裏面の全域に研削液を供給
することにより、その温度を制御する請求項５に記載の
シリコンウェーハの製造装置。6. The apparatus for manufacturing a silicon wafer according to claim 5, wherein the temperature control means controls the temperature of the silicon wafer being ground by the double-side grinding means by supplying a grinding liquid to the entire area of the front and back surfaces of the silicon wafer. .
び前記下側砥石の各内周面により画成されたウォータパ
ンと、前記上側砥石および前記下側砥石にそれぞれ形成
された、それぞれの研削面から研削液を流出させるため
の研削液通路と、前記ウォータパンおよび前記研削液通
路に研削液を供給するための研削液供給手段とから構成
されている請求項６に記載のシリコンウェーハの製造装
置。7. The temperature control means includes a water pan defined by the inner peripheral surfaces of the upper grindstone and the lower grindstone, and grindings formed on the upper grindstone and the lower grindstone, respectively. 7. The manufacturing of a silicon wafer according to claim 6, comprising a grinding liquid passage for flowing the grinding liquid from the surface, and a grinding liquid supply means for supplying the grinding liquid to the water pan and the grinding liquid passage. apparatus.
削面になっており、かつ前記研削面において前記シリコ
ンウェーハの表裏面をそれぞれ研削する上側砥石および
下側砥石と、 前記上側砥石および前記シリコンウェーハを水平面内で
互いに相対運動させるとともに、前記下側砥石および前
記シリコンウェーハを水平面内で互いに相対運動させる
ための相対運動手段と、 前記上側砥石を、前記下側砥石に載置されたシリコンウ
ェーハに押圧するための押圧手段と、から構成されてい
る請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載のシリコ
ンウェーハの製造装置。8. The double-sided grinding means are horizontally arranged in parallel with each other, and the surfaces facing each other are grinding surfaces, and an upper grindstone for grinding the front and back surfaces of the silicon wafer on the grinding surface, respectively. Lower grindstone, with the upper grindstone and the silicon wafer relative to each other in a horizontal plane, relative movement means for relatively moving the lower grindstone and the silicon wafer relative to each other in the horizontal plane, the upper grindstone, The silicon wafer manufacturing apparatus according to claim 5, further comprising: a pressing unit that presses the silicon wafer placed on the lower grindstone.
たキャリアーに保持され、一方、前記上側砥石および前
記下側砥石はそれぞれの中央部に開口部を備えており、 前記相対運動手段は、 前記キャリアーの前記外周歯に噛み合うように前記開口
部に設けられた太陽歯車と、 前記キャリアーの前記外周歯に噛み合うように前記上側
砥石および前記下側砥石の外方に設けられて、前記キャ
リアーを前記太陽歯車の回りで公転および自転させるた
めのリング状内周歯車と、 前記太陽歯車および前記リング状内周歯車を回転させる
ための駆動機構と、から構成されている請求項５乃至請
求項８のいずれか１項に記載のシリコンウェーハの製造
装置。9. The silicon wafer is held by a carrier having outer peripheral teeth, while the upper grindstone and the lower grindstone each have an opening at a central portion thereof, and the relative movement means comprises: A sun gear provided in the opening so as to mesh with the outer peripheral teeth of the carrier, and provided outside the upper grindstone and the lower grindstone so as to mesh with the outer peripheral teeth of the carrier, and the carrier is 9. A ring-shaped inner peripheral gear for revolving and rotating around the sun gear, and a drive mechanism for rotating the sun gear and the ring-shaped inner peripheral gear. An apparatus for manufacturing a silicon wafer according to any one of items.
部の上下面を挟んで支持するための上下一対のスペーサ
ーを備えている請求項５乃至請求項９のいずれか１項に
記載のシリコンウェーハの製造装置。10. The silicon wafer according to claim 5, further comprising a pair of upper and lower spacers for sandwiching and supporting upper and lower surfaces of an end portion of the carrier on the sun gear side. Manufacturing equipment.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08978496A JP3923107B2 (en) | 1995-07-03 | 1996-04-11 | Silicon wafer manufacturing method and apparatus |
| TW085105754A TW303488B (en) | 1995-07-03 | 1996-05-15 | |
| KR1019960019031A KR100457718B1 (en) | 1995-07-03 | 1996-05-31 | Method and apparatus for manufacturing silicon wafer |
| DE19626396A DE19626396B4 (en) | 1995-07-03 | 1996-07-01 | Method and device for producing and grinding silicon wafers |
| CN96110121A CN1096108C (en) | 1995-07-03 | 1996-07-03 | Method and appts. for making silicon chip |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-191171 | 1995-07-03 | ||
| JP19117195 | 1995-07-03 | ||
| JP441596 | 1996-01-12 | ||
| JP8-4415 | 1996-01-12 | ||
| JP08978496A JP3923107B2 (en) | 1995-07-03 | 1996-04-11 | Silicon wafer manufacturing method and apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09248740A true JPH09248740A (en) | 1997-09-22 |
| JP3923107B2 JP3923107B2 (en) | 2007-05-30 |
Family
ID=27276263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08978496A Expired - Fee Related JP3923107B2 (en) | 1995-07-03 | 1996-04-11 | Silicon wafer manufacturing method and apparatus |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3923107B2 (en) |
| KR (1) | KR100457718B1 (en) |
| CN (1) | CN1096108C (en) |
| DE (1) | DE19626396B4 (en) |
| TW (1) | TW303488B (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002346918A (en) * | 2001-05-29 | 2002-12-04 | Speedfam Co Ltd | Both surface polishing device |
| JP2008235899A (en) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Siltronic Ag | Method for simultaneous grinding of a plurality of semiconductor wafers |
| JP2009302408A (en) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Sumco Corp | Manufacturing method of semiconductor wafer |
| JP2009302409A (en) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Sumco Corp | Method of manufacturing semiconductor wafer |
| CN103123865A (en) * | 2013-02-26 | 2013-05-29 | 宁波韵升股份有限公司 | Magnetic product processing method and automatic sorting device |
| WO2020056538A1 (en) * | 2018-09-17 | 2020-03-26 | 苏州迈创信息技术有限公司 | Automatic grinder |
| CN113752111A (en) * | 2021-09-30 | 2021-12-07 | 浙江仲全数控科技有限公司 | Vertical double-end-face grinding machine |
| CN113815127A (en) * | 2021-10-20 | 2021-12-21 | 山东中恒建设集团有限公司 | Material turnover cutting device for construction |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3620554B2 (en) * | 1996-03-25 | 2005-02-16 | 信越半導体株式会社 | Semiconductor wafer manufacturing method |
| DE10132504C1 (en) * | 2001-07-05 | 2002-10-10 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Method for simultaneously polishing both sides of semiconductor wafer mounted on cogwheel between central cogwheel and annulus uses upper and lower polishing wheel |
| DE10142400B4 (en) * | 2001-08-30 | 2009-09-03 | Siltronic Ag | Improved local flatness semiconductor wafer and method of making the same |
| FR2850966B1 (en) | 2003-02-10 | 2005-03-18 | Rhodia Polyamide Intermediates | PROCESS FOR PRODUCING DINITRIL COMPOUNDS |
| FR2854891B1 (en) | 2003-05-12 | 2006-07-07 | Rhodia Polyamide Intermediates | PROCESS FOR PREPARING DINITRILES |
| CN1301184C (en) * | 2003-12-16 | 2007-02-21 | 汪开庆 | Optical grinding machine and method for processing sapphire crystal substrate for semiconductor use |
| EP2322503B1 (en) | 2005-10-18 | 2014-12-31 | Invista Technologies S.à.r.l. | Process of making 3-aminopentanenitrile |
| WO2007109005A2 (en) | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Invista Technologies S.A R.L. | Method for the purification of triorganophosphites by treatment with a basic additive |
| DE102006062872B4 (en) * | 2006-07-13 | 2012-06-14 | Peter Wolters Gmbh | Simultaneous double-side grinding providing method for semiconductor wafer, involves machining semiconductor wafers in material-removing fashion between rotating upper working disk and lower working disk |
| DE102006062871B4 (en) * | 2006-07-13 | 2012-06-21 | Peter Wolters Gmbh | Simultaneous double-side grinding providing method for semiconductor wafer, involves machining semiconductor wafers in material-removing fashion between rotating upper working disk and lower working disk |
| US7919646B2 (en) | 2006-07-14 | 2011-04-05 | Invista North America S.A R.L. | Hydrocyanation of 2-pentenenitrile |
| US8906334B2 (en) | 2007-05-14 | 2014-12-09 | Invista North America S.A R.L. | High efficiency reactor and process |
| US8101790B2 (en) | 2007-06-13 | 2012-01-24 | Invista North America S.A.R.L. | Process for improving adiponitrile quality |
| CN101918356B (en) | 2008-01-15 | 2013-09-25 | 因温斯特技术公司 | Hydrocyanation of pentenenitriles |
| WO2009091771A2 (en) | 2008-01-15 | 2009-07-23 | Invista Technologies S.A R.L | Process for making and refining 3-pentenenitrile, and for refining 2-methyl-3-butenenitrile |
| JP4780142B2 (en) * | 2008-05-22 | 2011-09-28 | 信越半導体株式会社 | Wafer manufacturing method |
| KR101610423B1 (en) | 2008-10-14 | 2016-04-08 | 인비스타 테크놀러지스 에스.에이 알.엘. | Process for making 2-secondary-alkyl-4,5-di-(normal-alkyl)phenols |
| DE102009025242B4 (en) * | 2009-06-17 | 2013-05-23 | Siltronic Ag | Method for two-sided chemical grinding of a semiconductor wafer |
| WO2011017543A1 (en) | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Invista Technologies S.A. R.L. | Hydrogenation and esterification to form diesters |
| CN101708593B (en) * | 2009-12-08 | 2013-01-09 | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 | Chemical-mechanical polishing mandrel driving device |
| CN101875181B (en) * | 2010-05-31 | 2012-02-22 | 青岛理工大学 | Crisp and hard material grinding machine |
| CN101972983B (en) * | 2010-08-11 | 2013-01-09 | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 | Chemically mechanical polishing mandrel device |
| CN102172885B (en) * | 2011-01-31 | 2013-05-15 | 北京通美晶体技术有限公司 | Substrate polishing device and polished substrate thereof |
| CN102179734A (en) * | 2011-03-14 | 2011-09-14 | 刘晓明 | Super-hard blade passivation polishing machine |
| CN102229093B (en) * | 2011-07-01 | 2013-09-18 | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 | Lifting and pressing mechanism applied to wafer polishing equipment |
| DE102011089570A1 (en) | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Siltronic Ag | Guide cage for grinding both sides of at least one disc-shaped workpiece between two rotating working wheels of a grinding device, method for producing the guide cage and method for simultaneous two-sided grinding of disc-shaped workpieces using the guide cage |
| CN104669105B (en) * | 2013-11-26 | 2017-12-29 | 浙江汇锋塑胶科技有限公司 | A kind of two sides Ginding process of sapphire touch panel |
| CN103817572A (en) * | 2014-02-18 | 2014-05-28 | 河南机电高等专科学校 | Repairing device for clutch friction steel sheets |
| CN103847032B (en) * | 2014-03-20 | 2016-01-06 | 德清晶辉光电科技有限公司 | The production technology of the ultra-thin quartz wafer of a kind of major diameter |
| JP6707831B2 (en) * | 2015-10-09 | 2020-06-10 | 株式会社Sumco | Grinding device and grinding method |
| JP6792363B2 (en) * | 2016-07-22 | 2020-11-25 | 株式会社ディスコ | Grinding device |
| CN106425857A (en) * | 2016-11-18 | 2017-02-22 | 南京华东电子信息科技股份有限公司 | Novel polishing fixing jig for small and medium single liquid crystal display panels |
| CN107543837B (en) * | 2017-08-25 | 2020-02-21 | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 | Method for detecting damaged layer of silicon wafer after grinding wheel fine grinding |
| TWI656233B (en) * | 2017-10-26 | 2019-04-11 | 漢民科技股份有限公司 | Single-wafer processing apparatus, a method of operating and transferring the same and a collimator |
| CN108544329A (en) * | 2018-04-09 | 2018-09-18 | 中国工程物理研究院材料研究所 | A kind of surface polishing and grinding apparatus and its application |
| CN115008318A (en) * | 2022-06-16 | 2022-09-06 | 南京工业职业技术大学 | Pneumatic loading type double-sided ring polishing machine |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5840265A (en) * | 1981-08-28 | 1983-03-09 | Toshiba Corp | Both faces polishing device |
| JPS5972139A (en) * | 1982-10-18 | 1984-04-24 | Toshiba Corp | Processing method for sheet material |
| JPS59107854A (en) * | 1982-12-08 | 1984-06-22 | Hitachi Ltd | Both surfaces simultaneous grinding method of wafer |
| JPS59169758A (en) * | 1983-03-15 | 1984-09-25 | Toshiba Corp | Grinding device for wafer |
| JPS6384860A (en) * | 1986-09-26 | 1988-04-15 | Hitachi Ltd | Surface polishing device |
| KR900001724B1 (en) * | 1987-09-28 | 1990-03-19 | 주식회사 한국삼기 | Plane grinding apparatus |
| JPH06103678B2 (en) * | 1987-11-28 | 1994-12-14 | 株式会社東芝 | Semiconductor substrate processing method |
| JP2555000B2 (en) * | 1989-01-18 | 1996-11-20 | 鐘紡株式会社 | Polishing method for hard and brittle materials |
| AU637087B2 (en) * | 1989-03-24 | 1993-05-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Apparatus for grinding semiconductor wafer |
| JP2674665B2 (en) * | 1989-03-24 | 1997-11-12 | 住友電気工業株式会社 | Semiconductor wafer grinding machine |
| JPH0740565B2 (en) * | 1991-04-05 | 1995-05-01 | 不二越機械工業株式会社 | Wafer double-sided simultaneous grinding method and apparatus |
| JPH0667070A (en) * | 1992-08-24 | 1994-03-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Semiconductor laser module |
| JP2839801B2 (en) * | 1992-09-18 | 1998-12-16 | 三菱マテリアル株式会社 | Wafer manufacturing method |
| JP2722975B2 (en) * | 1992-11-19 | 1998-03-09 | 住友金属工業株式会社 | Cutting method with multi-wire saw |
| US5389579A (en) * | 1993-04-05 | 1995-02-14 | Motorola, Inc. | Method for single sided polishing of a semiconductor wafer |
| JP3047670B2 (en) * | 1993-04-08 | 2000-05-29 | トヨタ自動車株式会社 | Control device for engine drive generator for electric vehicle |
-
1996
- 1996-04-11 JP JP08978496A patent/JP3923107B2/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-05-15 TW TW085105754A patent/TW303488B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-05-31 KR KR1019960019031A patent/KR100457718B1/en active IP Right Grant
- 1996-07-01 DE DE19626396A patent/DE19626396B4/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-03 CN CN96110121A patent/CN1096108C/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002346918A (en) * | 2001-05-29 | 2002-12-04 | Speedfam Co Ltd | Both surface polishing device |
| JP2008235899A (en) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Siltronic Ag | Method for simultaneous grinding of a plurality of semiconductor wafers |
| US8113913B2 (en) | 2007-03-19 | 2012-02-14 | Siltronic Ag | Method for the simultaneous grinding of a plurality of semiconductor wafers |
| JP2009302408A (en) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Sumco Corp | Manufacturing method of semiconductor wafer |
| JP2009302409A (en) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Sumco Corp | Method of manufacturing semiconductor wafer |
| CN103123865A (en) * | 2013-02-26 | 2013-05-29 | 宁波韵升股份有限公司 | Magnetic product processing method and automatic sorting device |
| WO2020056538A1 (en) * | 2018-09-17 | 2020-03-26 | 苏州迈创信息技术有限公司 | Automatic grinder |
| CN113752111A (en) * | 2021-09-30 | 2021-12-07 | 浙江仲全数控科技有限公司 | Vertical double-end-face grinding machine |
| CN113752111B (en) * | 2021-09-30 | 2023-11-21 | 浙江仲全数控科技有限公司 | Vertical double-end-face grinding machine |
| CN113815127A (en) * | 2021-10-20 | 2021-12-21 | 山东中恒建设集团有限公司 | Material turnover cutting device for construction |
| CN113815127B (en) * | 2021-10-20 | 2023-06-02 | 山东中恒建设集团有限公司 | Material turnover cutting device for construction |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1096108C (en) | 2002-12-11 |
| CN1145531A (en) | 1997-03-19 |
| KR970008384A (en) | 1997-02-24 |
| TW303488B (en) | 1997-04-21 |
| KR100457718B1 (en) | 2005-04-06 |
| JP3923107B2 (en) | 2007-05-30 |
| DE19626396A1 (en) | 1997-01-16 |
| DE19626396B4 (en) | 2006-12-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3923107B2 (en) | Silicon wafer manufacturing method and apparatus | |
| JP3620554B2 (en) | Semiconductor wafer manufacturing method | |
| US6093087A (en) | Wafer processing machine and a processing method thereby | |
| JP3271658B2 (en) | Method for lapping or polishing semiconductor silicon single crystal wafer | |
| KR20000035712A (en) | Semiconductor wafer and method for fabrication thereof | |
| JP6960866B2 (en) | Single crystal 4H-SiC seed crystal for growth and its processing method | |
| TW200903620A (en) | Method for grinding semiconductor wafers | |
| KR100776014B1 (en) | In-line lapping and polishing system | |
| JPH1190803A (en) | Mirror polishing device for work edge | |
| JP4860192B2 (en) | Wafer manufacturing method | |
| US6465328B1 (en) | Semiconductor wafer manufacturing method | |
| Li et al. | Simultaneous double side grinding of silicon wafers: a literature review | |
| JP2002217149A (en) | Wafer polishing apparatus and method | |
| JPH09262747A (en) | Double grinding device for high brittle material | |
| JP2002083786A (en) | Double-side polishing apparatus for semiconductor wafer | |
| JP2000158306A (en) | Both-surface grinding device | |
| JPH10328989A (en) | Wafer edge mirror polishing method and device | |
| CN214110014U (en) | Polishing main shaft assembly and polishing equipment | |
| JPH029535A (en) | Method and device of manufacturing thin base sheet | |
| JP2007331034A (en) | Workpiece carrier and double-side grinding machine | |
| JPH1131670A (en) | Manufacture of semiconductor substrate | |
| JP4186152B2 (en) | Semiconductor wafer processing equipment | |
| JP2003062740A (en) | Manufacturing method for mirror-polished wafer | |
| JP2001176824A (en) | Semiconductor wafer and method and device for machining chamfered surface thereof | |
| KR20140000963A (en) | Apparatus for manufacturing wafer and method for manufacturing wafer using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040518 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040720 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041130 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050131 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050208 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20050408 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070122 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070221 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100302 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110302 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120302 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120302 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130302 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140302 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |