JPS6384860A - Surface polishing device - Google Patents
Surface polishing deviceInfo
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- JPS6384860A JPS6384860A JP61226055A JP22605586A JPS6384860A JP S6384860 A JPS6384860 A JP S6384860A JP 61226055 A JP61226055 A JP 61226055A JP 22605586 A JP22605586 A JP 22605586A JP S6384860 A JPS6384860 A JP S6384860A
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 21
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 8
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、砥石による研削技術さらには被加工物の表面
加工に適用して特に有効な技術に関するもので、例えば
、硬脆材料（例えばＳｉ、Ｉｎｋ。Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a grinding technique using a grindstone and a technique that is particularly effective when applied to surface processing of a workpiece. , Ink.
Ｇ ａ Ａ ｓ ）からなる被加工物の表面加工に利用
して有効な技術に関するものである。The present invention relates to a technique that is effective for use in surface processing of a workpiece made of G a As ).
［従来の技術］
例えば、硬脆材料からなる半導体ウェハ等の表面または
裏面（以下特に断らない限り両者を総称して表面とする
）の表面加工は、例えば、研削、ラッピング、ポリシン
グの各工程を経て行なわれる。そして、この各工程を実
施するための装置として、グラインディング装置、ラッ
ピング装置およびポリシング装置が用いられている。[Prior Art] For example, surface processing of the front or back surface (hereinafter, both are collectively referred to as the front surface unless otherwise specified) of a semiconductor wafer etc. made of a hard and brittle material involves steps such as grinding, lapping, and polishing. It is done after a while. A grinding device, a lapping device, and a polishing device are used as devices for carrying out each of these steps.
これらの装置については、例えば、工業調査会から発行
された１９８４年度版電子材料別冊「超ＬＳＩ製造・試
験装置」第４９頁〜第５６頁に記載されている。以下、
これらの装置のうちのグラインディング装置およびラッ
ピング装置の一例を示せば以下のとおりである。These devices are described, for example, in pages 49 to 56 of the 1984 edition of Electronic Materials Special Issue "Very LSI Manufacturing and Testing Devices" published by Kogyo Kenkyukai. below,
An example of a grinding device and a lapping device among these devices is as follows.
即ち、グラインディング装置は、ダイヤモンド等の超硬
材料からなる砥石によって半導体ウェハ表面を研削し、
その際に水または油等の研削液を加工部外方から加工部
に向けて供給し、加工面を冷却するようになっている。That is, the grinding device grinds the surface of the semiconductor wafer with a grindstone made of a superhard material such as diamond,
At this time, a grinding fluid such as water or oil is supplied from outside the machining part toward the machining part to cool the machining surface.
また、ラッピング装置は、研磨剤（遊離砥粒）を含有す
る研磨液によって被加工物を研磨するようになされてい
る。即ち、この装置では、ラップ盤と被加工物間の砥粒
転動を利用している研磨を行なっている。Further, the lapping device is configured to polish the workpiece using a polishing liquid containing an abrasive (free abrasive grains). That is, this apparatus performs polishing using rolling of abrasive grains between a lapping machine and a workpiece.
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、上記グラインディング装置では。[Problem to be solved by the invention] However, in the above grinding device.
上記のように研削剤を加工部外方から加工部に向けて、
即ち砥石によって生じる遠心力に逆らう方向に向けて供
給しているため、加工面を効果的に冷却するのは困難で
あり、半導体ウェハ表面に加工熱に起因する割れ（クラ
ック）または引かき傷（スクラッチ）が発生し、表面劣
化が生じてしまうなどの問題点があった。また、上記グ
ラインディング装置では、切粉が砥石に詰まって目詰ま
りを起し４表面積度の高い加工ができないという問題点
があった。As mentioned above, direct the abrasive from the outside of the machining part to the machining part,
In other words, since the whetstone is supplied in a direction that opposes the centrifugal force generated by the grinding wheel, it is difficult to effectively cool the processed surface, and the semiconductor wafer surface may be cracked or scratched due to processing heat. There were problems such as scratches) and surface deterioration. Further, the grinding device described above has a problem in that chips clog the grindstone and cause clogging, making it impossible to perform machining with a high surface area.
一方、上記ラッピング装置では、ラップ盤と被加工物間
の砥粒転動を利用して研磨を行なっているため、加工時
間が長くなって作業効率が低いなどの問題点があった。On the other hand, in the above-mentioned lapping apparatus, since polishing is performed using abrasive grain rolling between the lapping machine and the workpiece, there are problems such as a long machining time and low work efficiency.
本発明は、かかる点に鑑みなされたもので、高い精度の
加工を短時間で行なうことができ、上記問題点を同時に
解決することが可能な表面加工装置を提供することを目
的とする。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a surface processing apparatus that can perform highly accurate processing in a short time and can solve the above problems at the same time.
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴に
ついては、本明細書の記述および添附図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
［問題点を解決するための手段］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、下記のとおりである。[Means for Solving the Problems] Representative inventions disclosed in this application will be summarized as follows.
即ち、砥石の内部に研磨液供給用流路を設けると共に、
この研磨液供給用流路に連結された研磨液供給手段を設
けるようにするものである。That is, a polishing liquid supply channel is provided inside the grindstone, and
A polishing liquid supply means connected to this polishing liquid supply flow path is provided.
［作用］
上記した手段によれば、砥石と研磨液に含まれる研磨剤
によって被加工物の表面加工がなされ、また、砥石内部
に設けられた流路から供給される研磨液によって、被加
工物の効率のよい冷却と切粉の排除がなされるので、高
い精度の加工を短時間で行なうという上記目的を達成で
きる。[Operation] According to the above-described means, the surface of the workpiece is processed by the grinding wheel and the abrasive agent contained in the polishing liquid, and the workpiece is polished by the polishing liquid supplied from the flow path provided inside the grindstone. The above objective of performing highly accurate machining in a short time can be achieved because of efficient cooling and removal of chips.
［実施例コ
第１図には本発明による表面加工装置の一実施例の縦断
面図が示されている。以下、この第１図に基づいてその
構成を説明する６
同図において１は砥石を表わしている。この砥石１はダ
イヤモンド砥粒（例えば粒度＃６００〜＃１０００）２
を結合剤（例えばフェノール樹脂）によってその底面に
なるもので、砥石カップ３によって支持されている。そ
して、この砥石カップ３は回転駆動装置（図示せず）に
連結された駆動軸４の端部に固定されている。そうして
、この回転駆動装置によって砥石１を回転できるように
なっている。[Embodiment] FIG. 1 shows a longitudinal sectional view of an embodiment of the surface processing apparatus according to the present invention. The structure will be explained below based on FIG. 1.6 In the figure, 1 represents a grindstone. This whetstone 1 has diamond abrasive grains (for example, grain size #600 to #1000) 2
The bottom surface is formed by a bonding agent (for example, phenolic resin) and is supported by the grinding wheel cup 3. This grindstone cup 3 is fixed to the end of a drive shaft 4 connected to a rotational drive device (not shown). Thus, the grindstone 1 can be rotated by this rotary drive device.
また、砥石１の内部には、第２図に示すように、回転面
と直行する方向に多数の研磨液供給用流路５が形成され
ている。そして、この研磨液供給用流路５は砥石カップ
３内で一本の流路に集合され、さらに、−本とされた流
路は駆動軸４内を通り、その末端が研磨液供給手段（図
示せず）に連結されている。つまり、この研磨液供給手
段（図示せず）から送出された研磨液は、第３図に示す
ように、駆動軸４および砥石カップ３内を通って、多数
の流路５から加工面上へ供給されるようになっている。Further, inside the grindstone 1, as shown in FIG. 2, a large number of polishing liquid supply channels 5 are formed in a direction perpendicular to the rotating surface. The polishing liquid supply channels 5 are gathered into a single channel within the grindstone cup 3, and the negative channel passes through the drive shaft 4, with its end connected to the polishing solution supply means ( (not shown). That is, as shown in FIG. 3, the polishing liquid sent out from this polishing liquid supply means (not shown) passes through the drive shaft 4 and the grinding wheel cup 3, and is directed onto the processing surface from a large number of channels 5. It is now being supplied.
ここで、研磨液としては、例えば、＃１２００〜＃２０
００程度の粒度をもつ白色溶融アルミナ質（ＷＡ）若し
くは緑化けい素質（ＧＣ）等の研磨剤（遊離砥粒）を含
有するものが用いられる。また、この場合の研磨液供給
圧力は、例えば、約４〜８気圧程度とされている。Here, as the polishing liquid, for example, #1200 to #20
An abrasive containing an abrasive (free abrasive) such as white fused alumina (WA) or green silicone (GC) having a particle size of about 0.00 is used. Further, the polishing liquid supply pressure in this case is, for example, approximately 4 to 8 atmospheres.
なお、第１図において６は被加工物の一例である半導体
ウェハを表わしている。Note that in FIG. 1, 6 represents a semiconductor wafer, which is an example of a workpiece.
次に、この表面加工装置の作用を説明する。Next, the operation of this surface processing device will be explained.
先ず、半導体ウニへ６の表面に対して砥石１の底面を一
定の圧力で当接させると共に１回転駆動装置によって砥
石１を回転させる。同時に、第３図に示すように、研磨
液供給手段によって砥石１内部から加工面に向けて研磨
液を供給する。First, the bottom surface of the grindstone 1 is brought into contact with the surface of the semiconductor urchin 6 with a constant pressure, and the grindstone 1 is rotated by a one-rotation drive device. At the same time, as shown in FIG. 3, a polishing fluid is supplied from inside the grindstone 1 toward the processing surface by a polishing fluid supplying means.
すると、砥石１および研磨液中に含有される研磨剤７（
第３図）によって半導体ウェハ６の表面加工がなされ、
この結果、研削およびラッピングが同時になされる。ま
た、砥石１内部から加工面に向けて供給される研磨液に
よって加工面が冷却されると共に潤滑され、しかも表面
加工により生じた切粉が研磨液供給圧力および遠心力で
加工部外方に飛ばされる。Then, the grinding wheel 1 and the abrasive 7 (
3), the surface of the semiconductor wafer 6 is processed,
As a result, grinding and lapping occur simultaneously. In addition, the polishing fluid supplied from inside the grinding wheel 1 toward the machining surface cools and lubricates the machining surface, and chips generated during surface machining are blown away to the outside of the machining section by the polishing fluid supply pressure and centrifugal force. It will be done.
このように構成された表面処理装置によれば、次のよう
な効果を得ることができる。According to the surface treatment apparatus configured in this way, the following effects can be obtained.
即ち、砥石１および研磨液中に含有される研磨剤によっ
て半導体ウェハ６の表面加工がなされるので、従来行な
っていた研削およびラッピングが同時に行なえるという
作用により、工数の低減を図れ、表面加工時間の短縮化
が図れるという効果を得ることができる。That is, since the surface of the semiconductor wafer 6 is processed by the grinding wheel 1 and the abrasive contained in the polishing liquid, grinding and lapping, which were conventionally performed, can be performed at the same time, reducing the number of man-hours and reducing the surface processing time. It is possible to obtain the effect that the time period can be shortened.
また、砥石１内部から加工面に向けて研磨液が供給され
るので、表面加工中に、加工面が冷却されると共に潤滑
され、しかも表面加工により生じた切粉が加工部外方に
飛ばされるという作用により、加工熱と切粉の目詰まり
とによる加工面の表面劣化が防止され、表面加工精度の
向上が図れるという効果を得ることができる。In addition, since the polishing liquid is supplied from inside the grindstone 1 toward the machined surface, the machined surface is cooled and lubricated during surface processing, and chips generated by surface processing are blown away to the outside of the processing area. This effect prevents surface deterioration of the machined surface due to machining heat and clogging of chips, and improves surface machining accuracy.
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。例えば、上記実施例では
、砥石が回転砥石である場合について述べたが、砥石を
固定砥石とし、被加工物の方を例えば公転往復移動させ
て表面加工を行なわせるように表面加工装置を構成して
も良い。また、上記実施例では、底面全体に砥粒が付設
された砥石を用いているが、外周部のみに環状に砥粒が
付設された砥石を用いても良い。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-mentioned examples, and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor. For example, in the above embodiment, the case where the whetstone is a rotary whetstone has been described, but the surface processing device may be configured so that the whetstone is a fixed whetstone and the workpiece is moved, for example, in a revolution and reciprocation to perform surface processing. It's okay. Further, in the above embodiment, a grindstone is used in which abrasive grains are attached to the entire bottom surface, but a grindstone in which abrasive grains are attached in a ring shape only to the outer circumference may be used.
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体ウェハの表面
加工装置について述べたが、それに限定されるものでな
く、セラミックまたは硬質プラスチック等の表面加工技
術一般に利用できる。In the above explanation, the invention made by the present inventor has mainly been described with respect to the field of application for surface processing of semiconductor wafers, which is the background of the invention, but the invention is not limited thereto. Generally available.
［発明の効果］
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。[Effects of the Invention] The effects obtained by typical inventions disclosed in this application are briefly explained below.
砥石および研磨液中に含有される研磨剤によってウェハ
の表面加工がなされるので、従来行なっていた研１削お
よびラッピングが同時に行なえるという作用により、工
数の低減を図れる。Since the surface of the wafer is processed by the grindstone and the abrasive contained in the polishing liquid, grinding and lapping, which were conventionally performed, can be performed at the same time, thereby reducing the number of man-hours.
また、砥石１内部から加工面に向けて研磨液が供給され
るので１表面加工中に、加工面が冷却されると共に潤滑
され、しがも表面加工により生じた切粉が加工部外方に
飛ばされるという作用により、加工熱と切粉の目詰まり
とによる加工面の表面劣化が防止され１表面加工精度の
向上が図れる。In addition, since the polishing liquid is supplied from inside the grinding wheel 1 toward the machined surface, the machined surface is cooled and lubricated during surface processing, and chips generated by surface processing are transferred to the outside of the processing area. The effect of being blown away prevents surface deterioration of the machined surface due to machining heat and clogging of chips, and improves surface machining accuracy.
表面加工において、高い精度の加工を短時間で行なうこ
とができるる。In surface processing, highly accurate processing can be performed in a short time.
第１図は本発明による表面加工装置の一実施例の要部を
示す縦断面図、
第２図はその底面図、
第３図はその一部を示す拡大図である。
１・・・・砥石、２・・・・砥粒、３・・・・砥石カッ
プ、５°°°°研磨液供給用流路、６・・・・被加工物
（半第 １ 図
第 ２ 図
第 ３ 図FIG. 1 is a vertical cross-sectional view showing a main part of an embodiment of a surface processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a bottom view thereof, and FIG. 3 is an enlarged view showing a part thereof. 1... Grinding wheel, 2... Abrasive grains, 3... Grinding wheel cup, 5°°°° polishing liquid supply channel, 6... Workpiece (semi-Fig. 1, Fig. 2) Figure 3
Claims (1)
表面加工処理を行なうようにされた表面加工装置におい
て、上記砥石内に研磨液供給用流路を設けると共に、上
記研磨液供給用流路に研磨液を供給する研磨液供給手段
を設けたことを特徴とする表面加工装置。 ２、上記砥石に回転駆動手段が連結されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の表面加工装置。[Scope of Claims] 1. In a surface processing device configured to perform surface processing on a workpiece using a grindstone formed by bonding abrasive grains with a binder, a flow path for supplying a polishing liquid is provided in the grindstone. A surface processing apparatus further comprising a polishing liquid supply means for supplying polishing liquid to the polishing liquid supply channel. 2. The surface processing apparatus according to claim 1, wherein a rotational drive means is connected to the grindstone.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61226055A JPS6384860A (en) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | Surface polishing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61226055A JPS6384860A (en) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | Surface polishing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6384860A true JPS6384860A (en) | 1988-04-15 |
Family
ID=16839088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61226055A Pending JPS6384860A (en) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | Surface polishing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6384860A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19626396B4 (en) * | 1995-07-03 | 2006-12-07 | Mitsubishi Materials Silicon Corp. | Method and device for producing and grinding silicon wafers |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP61226055A patent/JPS6384860A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19626396B4 (en) * | 1995-07-03 | 2006-12-07 | Mitsubishi Materials Silicon Corp. | Method and device for producing and grinding silicon wafers |
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