DE19626396A1 - Silicon wafer grinding machine - grinds front and back wafer faces simultaneously under temp. control - Google Patents

Abstract

A silicon wafer prodn. process involves slicing a single crystal silicon rod to obtain a silicon wafer, and then simultaneously grinding the front and back faces of the wafer. An appts. for carrying out the process has (a) a grinding device with upper and lower grinding discs (13, 12) which hold an interposed silicon wafer (1) and simultaneously grind its front and back faces; and (b) a temp. control system for controlling the temp. of the wafer front and back faces during grinding.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumscheiben mit großem Durchmesser, die als Grundlage für hochintegrierte Einheiten verwendet werden, und die vorliegende Erfindung betrifft insbesondere eine Herstellungstechnik für Siliziumscheiben, bei der sowohl die Vorder- als auch die Rückseite der Siliziumscheibe gleichzeitig geschliffen werden.The present invention relates to a method and a Device for the production of silicon wafers with large Diameter as the basis for highly integrated units be used and the present invention relates especially a manufacturing technique for silicon wafers, where both the front and back of the Silicon wafer can be ground at the same time.

Bei den Verfahren zur Herstellung von Siliziumscheiben werden beide Seiten einer Siliziumscheibe, die durch das Schneiden einer zylindrischen Einkristall-Siliziumstange mit einer inneren Umfangsklinge aus Edelstahl erhalten wird, mittels einer Läppplatte mit freien Schleifteilchen geläppt, wodurch die Unebenheit und die Beschädigungen entfernt werden, die durch den Schneidvorgang erzeugt werden, und die beiden Seiten der Siliziumscheibe werden in höherem Maß zueinander parallel gemacht. Anschließend wird die Schicht von Beschädigungen (durch die Bearbeitung geschädigte Schicht), die durch den Läppvorgang ausgebildet wird, durch Ätzen entfernt, und die Siliziumscheibe wird durch weiteres chemomechanisches Polieren spiegelnd bearbeitet.In the process of manufacturing silicon wafers both sides of a silicon wafer by cutting a cylindrical single crystal silicon rod with a inner circumferential blade made of stainless steel is obtained by means of lapping a lapping plate with free abrasive particles, thereby the bump and damage that are removed generated by the cutting process, and the two Sides of the silicon wafer are more mutually related made in parallel. Then the layer of Damage (layer damaged by machining), which is formed by the lapping process, by etching removed, and the silicon wafer is replaced by another Chemomechanical polishing mirror-finished.

Jedoch ist die Menge, die durch Ätzen abgeätzt wird (die entfernte Menge), um die durch den Läppvorgang hervorgerufene Beschädigungsschicht von den Oberflächen zu entfernen, z. B. in der Größenordnung von 20 µm oder mehr, und aus diesem Grund ist es notwendig, daß die entfernte Menge 30 µm oder mehr ist. Im Ergebnis beträgt die Unebenheit der geätzten Fläche z. B. 1 µm oder mehr. Darüber hinaus beträgt die nach dem Ätzen abzuschleifende Menge z. B. 10 µm oder mehr, und das Ausmaß der Unebenheit verschlechtert sich, z. B. liegt, wie gezeigt in Fig. 13, der Wert TTV (total thickness variation, gesamte Dickenschwankung) in der Größenordnung von 2,81 µm.However, the amount that is etched away by etching (the amount removed) to remove the damage layer caused by the lapping process from the surfaces, e.g. On the order of 20 µm or more, and for this reason it is necessary that the amount removed is 30 µm or more. As a result, the unevenness of the etched surface is z. B. 1 µm or more. In addition, the amount to be ground after the etching is e.g. B. 10 microns or more, and the degree of unevenness worsens, for. For example, as shown in Fig. 13, the value TTV (total thickness variation) is on the order of 2.81 µm.

In den letzten Jahren haben Siliziumscheiben mit Durchmessern von 150 mm und 200 mm eine weite Verbreitung gefunden, während Siliziumscheiben mit Durchmessern von 300 mm in Entwicklung sind. Zusätzlich schreitet die weitere Integration von Einheiten fort, z. B. wird im Jahr 2001 die Verwendung eines dynamischen RAM mit einem 1 G bit und einer Linienbreite von 0,18 µm und einer Fokaldistanz von 0,7 µm in der Praxis auftreten. Als ein Ausmaß von Unebenheit, das für diesen Zweck gefordert wird, muß ein Ausmaß an Unebenheit von 0,12 µm für einen Flächenbereich von 26×32 mm bei SFQD (site, front surface-reference, site least squares, deviation; Lage, Vorderflächen-Bezugspunkt, kleinste Quadrate der Lage, Abweichung) entwickelt werden (vgl. "The National Technology Roadmap for Semiconductors", 1994, Semiconductor Industry Association Publication, Seite 113). Zusätzlich erhöht auch eine kleine Krümmung das Ausmaß einer Verwerfung, wenn sich die Größe des Durchmessers von Siliziumscheiben erhöht, und dies ist ein ernstes Problem. D.h., eine Verwerfung wird nicht nur bei den Herstellungsschritten der Siliziumscheibe erzeugt, sondern sie wird auch bei dem Ablagevorgang, dem Trockenätzvorgang und dem Wärmebehandlungsvorgang bei der Herstellungsbearbeitung der Einheit erzeugt. Zusätzlich kann, wenn die Siliziumscheibe eine geringe Verwerfung aufweist, die Verwerfung infolge eines jeden Vorgangs bewertet werden. D.h. z. B., daß, auch wenn der Versuch unternommen wird, die Verwerfung einer Siliziumscheibe mit einem äußeren Durchmesser von 300 mm durch Anordnung auf einer flachen Platte zu messen, sich die Siliziumscheibe infolge ihres Eigengewichts verformt, und daß die Verwerfung folglich weniger als die Hälfte ihrer wahren Größe zu sein scheint, und daß es deshalb keine andere Möglichkeit gibt, die Herstellung von Siliziumscheiben mit geringer Verwerfung zu steuern.In recent years, silicon wafers have had diameters widely used from 150 mm and 200 mm, while silicon wafers with diameters of 300 mm in Development are. In addition, the further steps Integration of units continues, e.g. B. will be in 2001 Use of dynamic RAM with 1 G bit and one Line width of 0.18 µm and a focal distance of 0.7 µm in occur in practice. As a degree of unevenness, that for If this purpose is required, a degree of unevenness of 0.12 µm for an area of 26 × 32 mm at SFQD (site, front surface-reference, site least squares, deviation; Location, front surface reference point, least squares able, deviation) to be developed (see "The National Technology Roadmap for Semiconductors ", 1994, Semiconductor Industry Association Publication, page 113). In addition even a small curvature increases the extent of a fault, if the size of the diameter of silicon wafers increases and this is a serious problem. That is, one Fault is not only apparent in the manufacturing steps of the Silicon wafer produced, but it is also used in the Depositing process, the dry etching process and the Heat treatment process in the manufacturing processing of Unit generated. In addition, if the silicon wafer has a slight fault, the fault as a result of each process. I.e. e.g. B. that, too if an attempt is made to reject a Silicon disk with an outer diameter of 300 mm by measuring them on a flat plate Silicon disk deformed due to its own weight, and that the fault therefore less than half of its true  Size seems to be, and that is why there is no other Possibility of using silicon wafers control low fault.

Um das Ausmaß der Flachheit zu verbessern, wird anstelle eines Läppvorgangs ein Schleifvorgang an den geschnittenen Flächen der Scheibe durchgeführt, bei dem die Dicke der Beschädigungen auf weniger als 3 µm verringert wird. Ferner wird die Siliziumscheibe dünn ausgebildet, z. B. beträgt die Dicke einer Scheibe mit 150 mm Durchmesser 700 µm, die Dicke einer 200 mm-Scheibe 800 µm und die Dicke einer 300 mm-Scheibe 900 µm.To improve the degree of flatness, instead of a lapping process a grinding process on the cut Areas of the disc carried out at which the thickness of the Damage is reduced to less than 3 microns. Further the silicon wafer is thin, e.g. B. is the Thickness of a disc with 150 mm diameter 700 µm, the thickness a 200 mm disc 800 µm and the thickness of a 300 mm disc 900 µm.

Die gemäß der herkömmlichen Technik verwendete Schleifplatte weist einen ringförmigen Schleifrand auf, und ist, wie in Fig. 14A gezeigt, derart aufgebaut, daß eine Seite der Siliziumscheibe (die obere Seite in Fig. 14A), die an einer Vakuumadsorptionsplatte 31 angebracht oder befestigt ist, zu einem Zeitpunkt geschliffen wird.The grinding plate used in the conventional technique has an annular grinding edge and, as shown in FIG. 14A, is constructed such that one side of the silicon wafer (the upper side in FIG. 14A) is attached to a vacuum adsorption plate 31 , is being sanded at a time.

Mit anderen Worten wird, wie gezeigt in Fig. 14A, eine Siliziumscheibe 32 auf einer Vakuumadsorptionsplatte 31 angeordnet, und die untere Fläche der Siliziumscheibe 32 wird, wie gezeigt in Fig. 14B, an die Vakuumadsorptionsplatte 31 mittels Vakuum adsorbiert, wenn die eine Seite dieser Siliziumscheibe 32 geschliffen wird. Wie oben beschrieben, wird die Siliziumscheibe 32, da sie äußerst dünn ist, zu der Vakuumadsorptionsplatte 31 gezogen, und die untere Fläche wird flach. In Fig. 14B zeigt eine strichpunktierte Linie 33 die Schleiffläche. Aus diesem Grund kehrt die Klemmfläche (die untere Fläche) der Siliziumscheibe 32, wie gezeigt in Fig. 14C, nach dem Schleifen, wenn die Vakuumadsorption der Vakuumadsorptionsplatte 31 gelöst wird, in ihre ursprüngliche Form zurück, und die gegenüberliegende geschliffene Fläche wird uneben. Mit anderen Worten wird die Unebenheit der geschnittenen Fläche, die durch Vakuum adsorbiert wird, zu der gegenüberliegenden Fläche übertragen. Ferner werden, wenn nunmehr die geschliffene Fläche durch Vakuum adsorbiert wird, und die gegenüberliegende Fläche geschliffen wird, Vertiefungen derart übertragen, daß sie zu Vorsprüngen werden, nachdem die Vakuumadsorption gelöst wird, und die geschnittene Form verbleibt sowohl auf der Vorder- als auch der Rückseite der Siliziumscheibe. Aus diesem Grund ist nach dem Schleifen ein leichter Läppvorgang erforderlich (vgl. die japanische Patentanmeldung, erste Veröffentlichung, Nr. 6-104229 der Anmelderin), und es ist nicht möglich, eine hinreichende Verringerung der Beschädigungsschicht, die durch das Schleifen entsteht, zu erreichen.In other words, as shown in Fig. 14A, a silicon wafer 32 is placed on a vacuum adsorption plate 31 , and the bottom surface of the silicon wafer 32 is vacuum adsorbed onto the vacuum adsorption plate 31 as shown in Fig. 14B when one side thereof Silicon wafer 32 is ground. As described above, since the silicon wafer 32 is extremely thin, it is drawn to the vacuum adsorption plate 31 and the lower surface becomes flat. In Fig. 14B, a chain line 33 shows the grinding surface. For this reason, the clamping surface (the lower surface) of the silicon wafer 32 , as shown in Fig. 14C, returns to its original shape after grinding when the vacuum adsorption of the vacuum adsorption plate 31 is released, and the opposite ground surface becomes uneven. In other words, the unevenness of the cut surface, which is adsorbed by vacuum, is transferred to the opposite surface. Further, when the ground surface is now adsorbed by vacuum and the opposite surface is ground, pits are transferred to become protrusions after the vacuum adsorption is released, and the cut shape remains on both the front and the back the silicon wafer. For this reason, a slight lapping operation is required after grinding (see applicant's Japanese patent application, first publication, No. 6-104229), and it is not possible to achieve a sufficient reduction in the damage layer caused by the grinding .

Für diesen Zweck ist in der japanischen Patentanmeldung, erste Veröffentlichung, Nr. 62-96400 der Anmelderin ein Verfahren offenbart, bei dem nach der Durchführung eines Schleifvorgangs an der Endfläche eines Barrens mit hoher Steifigkeit eine Siliziumscheibe mittels eines Schneidvorgangs geschnitten wird, und die geschliffene Fläche mittels Vakuum adsorbiert wird, und die geschnittene Fläche geschliffen wird. Durch dieses Verfahren erhält man eine Siliziumscheibe mit einem hohen Ausmaß an Ebenheit und geringer Verwerfung.For this purpose, in the Japanese patent application, first publication, No. 62-96400 by the applicant Method disclosed in which after performing a Grinding process on the end face of a bar with high Stiffness of a silicon wafer by means of a Cutting process, and the ground surface is adsorbed by vacuum, and the cut surface is ground. This procedure gives one Silicon wafer with a high degree of flatness and low warp.

Zusätzlich beträgt die Klingendicke der inneren Randklinge 0,38 µm, wenn ein Schneidvorgang an Barren großen Durchmessers mit einem äußeren Durchmesser von 200 mm mittels einer inneren Randklinge durchgeführt wird, und darüber hinaus kann der Schneidvorgang mit einer inneren Randklinge gegebenenfalls nicht durchgeführt werden, da es keine Edelstahlklingen großen Durchmessers zum Schneiden von Barren großen Durchmessers mit einem Durchmesser von 300 mm gibt. Aus diesem Grund hat sich die Verwendung einer Drahtsäge durchgesetzt. Der Drahtdurchmesser der Drahtsäge beträgt 0,18 µm, der Randverlust (curfloss) (Schneideverlust) ist klein, und der Ertrag wird verbessert. Jedoch weist infolge eines Verwackelns des Drahtes eine durch den Draht geschnittene Fläche eine verglichen mit einer durch eine innere Randklinge geschnittene Fläche vergrößerte Unebenheit auf, und es wird eine gestufte Fläche ausgebildet, da während des Schneidens die Zufuhrrichtung des Drahtes umgekehrt wird. Zusätzlich vergrößert sich, wie gezeigt in Fig. 15, als Ergebnis einer Verkleinerung des Durchmessers des Drahtes während des Schneidens infolge von Reibung die Dicke der Siliziumscheibe 34 in Richtung des Endes, an dem das Schneiden vollendet wird, und beide Seiten 34a und 34b der Siliziumscheibe 34 sind konisch zulaufend. Deshalb tritt, wenn eine Fläche, die mit einer Drahtsäge geschnitten wurde, mittels Vakuum adsorbiert wird, und ein Schleifvorgang durchgeführt wird, eine Abweichung von 0,02° ∼ 0,05° von der festgelegten Kristallachse auf.In addition, the blade thickness of the inner edge blade is 0.38 µm when cutting on large diameter ingots with an outer diameter of 200 mm is performed by means of an inner edge blade, and furthermore, the cutting operation with an inner edge blade may not be able to be carried out since it no stainless steel blades of large diameter for cutting bars of large diameter with a diameter of 300 mm. For this reason, the use of a wire saw has prevailed. The wire diameter of the wire saw is 0.18 µm, the edge loss (curfloss) is small, and the yield is improved. However, due to the blurring of the wire, an area cut through the wire has an increased unevenness as compared to an area cut by an inner peripheral blade, and a stepped area is formed because the direction of feeding of the wire is reversed during cutting. In addition, as shown in Fig. 15, as a result of a reduction in the diameter of the wire during cutting due to friction, the thickness of the silicon wafer 34 increases toward the end at which the cutting is completed and both sides 34a and 34b of the silicon wafer 34 are tapered. Therefore, when an area cut with a wire saw is adsorbed by vacuum and grinding is performed, a deviation of 0.02 ° ∼ 0.05 ° from the specified crystal axis occurs.

Ferner wird für die Herstellung von hochintegrierten Einheiten mit 1 G bit oder mehr die Rückseite der Siliziumscheibe geschliffen, das Ausmaß der standardisierten Flachheit wird für die Rückseite verbessert, und zusätzlich wird die Erzeugung von Teilchen auf 1/10 oder weniger verringert. Aus diesem Grund kann ein einseitiges Polieren der Rückseite oder ein gleichzeitiges Polieren zweier Flächen, das in der oben erwähnten japanischen Patentanmeldung Nr. 6-104229 offenbart ist, durchgeführt werden.Furthermore, for the manufacture of highly integrated Units with 1 G bit or more the back of the Ground silicon wafer, the extent of the standardized Flatness is improved for the back, and in addition the generation of particles will be 1/10 or less decreased. For this reason, one-sided polishing the back or a simultaneous polishing of two Areas that in the above-mentioned Japanese Patent Application No. 6-104229 disclosed will.

Für das oben beschriebene Schleifen einer Fläche nach der anderen können die folgenden Nachteile ausgemacht werden. Es wird nämlich die Unebenheit der geschnittenen Fläche auf beide Flächen der Siliziumscheibe übertragen und verbleibt auf beiden Flächen, und kann durch einen Läppvorgang nicht entfernt werden. Zusätzlich erhöht sich im Anschluß daran die bei dem Ätz- und chemomechanischen Schleifvorgang entfernte Menge, und es ist schwierig, die gewünschte Flachheit zu erreichen. Ferner ist es ebenso schwierig, das Ausmaß der Bearbeitung für beide Flächen gleich auszubilden, und es kommt leicht zu einer Verwerfung.For the above-described grinding of a surface after the others, the following disadvantages can be identified. It namely the unevenness of the cut surface both surfaces of the silicon wafer are transferred and remain on both surfaces, and cannot by lapping be removed. In addition, the removed in the etching and chemomechanical grinding process Amount, and it is difficult to get the flatness you want to reach. Furthermore, it is also difficult to measure the extent of Form machining for both surfaces, and it warps easily.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, anstelle eines Läppvorgangs ein Verfahren zum Schleifen beider Flächen einer Siliziumscheibe und eine Vorrichtung hierfür zu schaffen, mit deren Hilfe eine Siliziumscheibe mit einem hohen Ausmaß an Flachheit hergestellt werden kann, die erforderlich ist, wenn insbesondere hochintegrierte Einheiten mit 1 G bit oder mehr hergestellt werden. Ferner liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Schleifen beider Flächen einer Siliziumscheibe und eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens zu schaffen, mit deren Hilfe die infolge des Ätzens entfernte Menge reduziert wird, und mit der ebenso die infolge des Polierens entfernte Menge verringert wird. Ferner liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Schleifen beider Flächen einer Siliziumscheibe und eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens zu schaffen, mit deren Hilfe eine Rißbildung der Siliziumscheibe verhindert werden kann.The present invention is based on the object a grinding process instead of a lapping process both surfaces of a silicon wafer and a device to create for this, with the help of a silicon wafer a high degree of flatness can be produced is required, especially if highly integrated units with 1 G bit or more. Furthermore, the present invention the task of a method for grinding both surfaces of a silicon wafer and one To create device for performing the method with whose help reduces the amount removed as a result of the etching and with which also the one removed as a result of polishing Amount is decreased. Furthermore, the present Invention, the object of a method for grinding both surfaces of a silicon wafer and a device for To carry out the procedure with the help of a Cracking of the silicon wafer can be prevented.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Herstellungsverfahren für eine Siliziumscheibe geschaffen, bei dem ein Schneidvorgang, der eine Siliziumscheibe durch das Schneiden eines Einkristall-Siliziumbarrens hervorbringt, und ein Schleifvorgang für gleichzeitiges Schleifen von zwei Flächen vorgesehen sind, bei dem die Vorder- und Rückseite der Siliziumscheibe gleichzeitig geschliffen werden.According to the present invention, a Manufacturing process for a silicon wafer created in which a cutting process that goes through a silicon wafer cutting a single crystal silicon ingot, and a grinding process for grinding two at the same time Areas are provided where the front and back the silicon wafer can be ground simultaneously.

Zusätzlich wird gemäß der vorliegenden Erfindung bei dem erwähnten Schleifvorgang für gleichzeitiges Schleifen zweier Flächen die Siliziumscheibe zwischen einem oberen Schleifstein und einem unteren Schleifstein der Schleifeinrichtung für zwei Seiten gehalten, und während des gleichzeitigen Schleifens sowohl der Vorder- als auch der Rückseite der Siliziumscheibe wird eine Schleifflüssigkeit zu der Gesamtheit sowohl der Vorder- als auch der Rückseite dieser Siliziumscheibe zugeführt. In addition, according to the present invention, the mentioned grinding process for simultaneous grinding of two Surfaces the silicon wafer between an upper one Grindstone and a lower grindstone of the Grinder held for two sides, and during the simultaneous grinding of both the front and the An abrasive liquid is added to the back of the silicon wafer the whole of both the front and the back fed to this silicon wafer.  

Ferner wird gemäß der vorliegenden Erfindung bei dem erwähnten Schleifvorgang zum gleichzeitigen Schleifen zweier Flächen die Temperatur der Vorder- und Rückseite der Siliziumscheibe gesteuert.Furthermore, according to the present invention, the mentioned grinding process for the simultaneous grinding of two Surfaces the temperature of the front and back of the Controlled silicon wafer.

Zusätzlich wird gemäß der vorliegenden Erfindung nach dem erwähnten Schleifvorgang zum gleichzeitigen Schleifen zweier Flächen die Siliziumscheibe geätzt, um die Beschädigungen infolge des Schleifens zu entfernen, und ferner werden beide Flächen der Siliziumscheibe poliert.In addition, according to the present invention after mentioned grinding process for the simultaneous grinding of two Areas the silicon wafer etched to the damage as a result of grinding, and further both Polished surfaces of the silicon wafer.

Zusätzlich ist gemäß der vorliegenden Erfindung eine Herstellungsvorrichtung für Siliziumscheiben vorgesehen, die mit einer Schleifeinrichtung für zwei Seiten, die eine Siliziumscheibe zwischen einem plattenförmigen oberen Schleifstein und einem plattenförmigen unteren Schleifstein hält und gleichzeitig die Vorder- und die Rückseite der Siliziumscheibe schleift, und mit einer Temperatursteuereinrichtung ausgerüstet ist, welche die Temperatur der Vorder- und Rückseite der Siliziumscheibe während des Schleifens kontrolliert.In addition, according to the present invention Manufacturing device for silicon wafers provided that with a grinder for two sides, one Silicon wafer between a plate-shaped top Grindstone and a plate-shaped lower grindstone holds and simultaneously the front and back of the Grinding silicon wafer, and with one Temperature control device is equipped, which the Temperature of the front and back of the silicon wafer checked during grinding.

Zusätzlich steuert gemäß der vorliegenden Erfindung die erwähnte Temperatursteuereinrichtung die Temperatur der Vorder- und Rückseite der Siliziumscheibe, indem während des Schleifens durch die oben erwähnte Schleifeinrichtung für zwei Seiten zu der Gesamtheit der Vorder- und Rückseite der Siliziumscheiben Schleifflüssigkeit zugeführt wird.In addition, according to the present invention, the mentioned temperature control device the temperature of the Front and back of the silicon wafer by during the Grinding by the above-mentioned grinding device for two sides to the whole of the front and back of the Silicon wafers are fed with grinding fluid.

Ferner weist bei der vorliegenden Erfindung die erwähnte Temperatursteuereinrichtung eine Wasserpfanne, die mittels der jeweiligen inneren Randfläche des oberen Schleifsteins und des unteren Schleifsteins festgelegt wird, Durchgänge für die Schleifflüssigkeit, die jeweils in dem oberen Schleifstein und dem unteren Schleifstein ausgebildet sind, zum Zuführen der Schleifflüssigkeit zu den jeweiligen Schleifflächen; und eine Schleifflüssigkeitszuführung zum Zuführen von Schleifflüssigkeit zu der Wasserpfanne und den erwähnten Schleifflüssigkeitsdurchgängen auf.Furthermore, in the present invention, that mentioned Temperature control device a water pan, which means the respective inner edge surface of the upper grindstone and the lower grindstone is set, passages for the grinding fluid, each in the top Grindstone and the lower grindstone are formed for supplying the grinding liquid to the respective Grinding surfaces; and a grinding fluid supply to the  Supply of grinding liquid to the water pan and the mentioned abrasive fluid passages.

Zusätzlich weist bei der vorliegenden Erfindung die Schleifeinrichtung für zwei Seiten einen oberen Schleifstein und einen unteren Schleifstein, die horizontal in einem zueinander parallelen Zustand angeordnet sind, wobei die jeweils gegenüberliegenden Flächen dieser Schleifsteine die Schleifflächen sind, und wobei mittels dieser Schleifflächen die Vorder- und Rückseite der Siliziumscheibe jeweils geschliffen werden, jeweilige Antriebseinrichtungen für die Relativbewegung zwischen dem oberen Schleifstein und der Siliziumscheibe innerhalb der horizontalen Ebene und für die Relativbewegung zwischen dem unteren Schleifstein und der Siliziumscheibe innerhalb der horizontalen Ebene, und eine Druckeinrichtung zum Drücken des oberen Schleifsteins auf die an dem unteren Schleifstein angebrachte Siliziumscheibe auf.In addition, in the present invention Grinding device for two sides an upper grindstone and a lower grindstone that is horizontal in one are arranged parallel to each other, the opposite surfaces of these grindstones each Are grinding surfaces, and by means of these grinding surfaces the front and back of the silicon wafer, respectively be ground, respective drive devices for the Relative movement between the top grindstone and the Silicon wafer within the horizontal plane and for the Relative movement between the lower grindstone and the Silicon wafer within the horizontal plane, and a Pressure device for pressing the upper grindstone on the silicon disc attached to the lower grindstone.

Ferner wird gemäß der vorliegenden Erfindung die Siliziumscheibe in einem Träger gehalten, der eine Außenrand-Ge­ triebeverzahnung aufweist, wobei der obere Schleifstein und der untere Schleifstein eine Öffnung aufweisen, die jeweils in ihrem Zentrum vorgesehen ist. Die Antriebseinrichtung für eine Relativbewegung weist ein Sonnenrad, das derart in den Öffnungen vorgesehen ist, daß es in die Außenrand-Ge­ triebeverzahnung des Trägers eingreift; ein ringförmiges Innenrandgetriebe zum Rotieren und Drehen des Trägers um das Sonnenrad, das derart an der äußeren Seite des oberen Schleifsteins und des unteren Schleifsteins vorgesehen ist, daß es in die Außenrand-Getriebeverzahnung des Trägers eingreift, und einen Antriebsmechanismus zum Drehen des Sonnenrades und des ringförmigen Innenrand-Zahnrads auf.Furthermore, according to the present invention Silicon wafer held in a carrier, the an outer edge Ge has gear teeth, the upper grindstone and the lower grindstone have an opening each is provided in their center. The drive device for a relative movement has a sun gear that in the Openings is provided that it in the outer edge Ge gear toothing of the carrier engages; an annular Inner rim gear for rotating and rotating the carrier around the Sun gear that is on the outer side of the upper Grindstone and the lower grindstone is provided that it is in the outer edge gear toothing of the carrier engages, and a drive mechanism for rotating the Sun gear and the ring-shaped inner rim gear.

Zusätzlich sind bei der vorliegenden Erfindung ein Paar von oberen und unteren Abstandsstücken für eine vertikale Stützung und Halterung des am nächsten an dem Sonnenrad befindlichen Randes des Trägers vorgesehen. In addition, in the present invention, a pair of upper and lower spacers for a vertical Support and bracket the closest to the sun gear provided edge of the carrier.  

Im folgenden werden die Wirkung und die Vorteile der vorliegenden Erfindung erklärt.The following are the effects and benefits of present invention explained.

Nachdem kein Läppen durchgeführt wird, wird eine Siliziumscheibe erhalten, die verglichen mit einer durch Läppen bearbeiteten Siliziumscheibe ein hohes Ausmaß an Ebenheit aufweist. Im Ergebnis wird, verglichen mit einer geläppten Scheibe, die Menge des durch Abätzen entfernten Materials verringert. Zusätzlich kann ferner, verglichen mit der Unebenheit einer durch Läppen bearbeiteten Fläche, die Unebenheit der geätzten Fläche in diesem Fall verringert werden. Ferner kann die nachfolgende Polierbearbeitung mit einer Verringerung des Polierausmaßes vollendet werden.After no lapping is done, a Get silicon wafer compared to one by one Lapping processed silicon wafers to a high degree Has flatness. As a result, compared to one lapped disk, the amount of that removed by etching Material decreased. In addition, compared to the unevenness of a surface worked by lapping, the In this case, the unevenness of the etched surface is reduced will. The subsequent polishing process can also be carried out with a reduction in the amount of polishing can be accomplished.

Ferner läßt die vorliegende Erfindung im Gegensatz zu Schleifverfahren, bei denen eine Fläche nach der anderen geschliffen wird, die Unebenheit von der geschnittenen Fläche der Scheibe nicht auf die Vorderfläche übertragen. Im Ergebnis ist es nach dem Schleifvorgang möglich, die Scheibe ohne einen Läppvorgang zu ätzen. Zusätzlich beträgt die verbleibende Beschädigung 1/10 der durch den Läppvorgang erzeugten Beschädigung, die durch Abätzen entfernte Menge wird reduziert, und es wird deutlich verhindert, daß das Ausmaß der Ebenheit infolge des Ätzens reduziert wird.Furthermore, the present invention allows in contrast Grinding processes in which one surface after the other is sanded, the unevenness of the cut surface do not transfer the disc to the front surface. in the As a result, after the grinding process, the disc is possible without etching a lapping process. In addition, the remaining damage 1/10 of the lapping generated damage, the amount removed by etching is reduced and it is clearly prevented that the Extent of flatness due to the etching is reduced.

Es stellt eine besondere Eigenschaft des beschriebenen gleichzeitigen Schleifens zweier Flächen dar, daß es nicht notwendig ist, eine Normfläche an der Seite des Materials (der Siliziumscheibe) anzuordnen, um eine Siliziumscheibe, die elastisch ist, zu bearbeiten. Für die Normfläche zum Schleifen kann gesagt werden, daß sie an einer aktiven gedachten Oberfläche (der wirksamen Betriebsoberfläche) der Vorrichtungsseite der Schleiffläche (der Fläche der Oberflächenplatte) ausgebildet ist. Sie wird jedoch durch die Festigkeit des Materials beeinflußt. Nachfolgend wird die Form der Fläche einer jeden entstehenden Siliziumscheibe unter Verwendung eines Oberflächenmodells mittels einer Sinuskurve betrachtet.It represents a special property of that described simultaneous grinding of two surfaces shows that it is not a standard surface on the side of the material is necessary (the silicon wafer) to arrange a silicon wafer, which is elastic to work. For the standard area at Grinding can be said to be active imaginary surface (the effective operating surface) of the Device side of the grinding surface (the surface of the Surface plate) is formed. However, it is by the Influences the strength of the material. Below is the Shape of the surface of each emerging silicon wafer  using a surface model using a Considered sine curve.

Wie Fig. 8A zeigt, sind beide Flächen einer geschnittenen Siliziumscheibe 30 uneben, und, wie in Fig. 8B und Fig. 8C gezeigt, weist diese Unebenheit einen "Dickenanteil" und einen "Wellenanteil" auf. Ferner gibt der Wellenanteil die Mittellinie zwischen der Vorder- und Rückseite der Scheibe an. As, Fig. 8A, both surfaces of a silicon wafer cut 8C 30 are uneven, and as shown in Fig. 8B and Fig. Shown, this unevenness on a "thick portion" and a "shaft portion". Furthermore, the wave component indicates the center line between the front and rear of the disc.

Wenn die Dicke der Siliziumscheibe 30 von Fig. 8D mittels der Bearbeitung einer Fläche (vgl. Fig. 8E) gleichmäßig gemacht wird, wie in Fig. 8F gezeigt ist, ist es möglich, daß die Unebenheit der unbearbeiteten Seite auf die bearbeitete Seite übertragen wird (dies wird Rückseitenübertragung genannt).If the thickness of the silicon wafer 30 of Fig. 8D is made uniform by machining a surface (see Fig. 8E) as shown in Fig. 8F, it is possible that the unevenness of the raw side is transferred to the processed side (this is called back transfer).

Zusätzlich wird, wenn auf beide Flächen der Siliziumscheibe Druck aufgebracht wird, und eine gleichzeitige Bearbeitung beider Seiten durchgeführt wird (vgl. Fig. 8G) der Dickenabschnitt beider Seiten (vgl. Fig. 8H) bearbeitet, und die Unebenheit des Dickenanteils wird entfernt; jedoch besteht, da die Siliziumscheibe elastisch ist, die Befürchtung, daß nach der Bearbeitung, wenn der Bearbeitungsdruck entlastet wird, der Wellenanteil, wie gezeigt in Fig. 8I, verbleibt.In addition, if pressure is applied to both surfaces of the silicon wafer and simultaneous machining of both sides is performed (see FIG. 8G), the thickness portion of both sides (see FIG. 8H) is machined and the unevenness of the thickness portion is removed; however, since the silicon wafer is elastic, there is a fear that after machining, when the machining pressure is released, the wave portion remains as shown in Fig. 8I.

In der oben beschriebenen Weise ist es gemäß dem Herstellungsverfahren für Siliziumscheiben der vorliegenden Erfindung möglich, Siliziumscheiben mit äußerst ebenen und in hohem Maße parallelen Flächen mittels gleichzeitigem Schleifen beider Seiten herzustellen. Zusätzlich ist es dabei möglich, Temperaturerhöhungen des oberen und unteren Schleifsteins zu verhindern, die Schleifmenge über die gesamte Siliziumscheibe gleichmäßig zu machen, die gesamte Oberfläche der Siliziumscheibe flach zu machen, und Verwerfung zu verhindern. Dann, nach dem Schleifen beider Seiten, wird ein Ätzen durchgeführt, wodurch Schleifbeschädigungen entfernt werden, und es ist mittels Spiegelpolierens möglich, eine Siliziumscheibe mit einer polierten Fläche herzustellen. Zusätzlich ist es nach dem Schleifen beider Seiten möglich, eine Siliziumscheibe mit zwei polierten Flächen herzustellen, indem ein gleichzeitiges Polieren zweier Seiten, sowohl der Vorder- als auch der Rückseite der Siliziumscheibe durchgeführt wird.In the manner described above, it is according to the Manufacturing method for silicon wafers of the present Invention possible, silicon wafers with extremely flat and in highly parallel surfaces by means of simultaneous To make sanding on both sides. In addition, it is included possible temperature increases of the upper and lower Grinding stone to prevent the amount of grinding over the entire silicon wafer to make even, the whole To make the surface of the silicon wafer flat, and To prevent warping. Then, after grinding both Sides, an etching is performed, whereby  Grinding damage can be removed and it is by means of Mirror polishing possible, a silicon wafer with a manufacture polished surface. In addition, it is after Grinding of both sides possible with a silicon disc to produce two polished surfaces by a simultaneous Polishing two sides, both the front and the Back of the silicon wafer is carried out.

Ferner ist es, da die Beschädigungsschicht an der Siliziumscheibe nach dem Schleifen beider Flächen klein ist, ebenso möglich, die Beschädigungsschicht mittels eines chemomechanischen Polierens mit langsamer Geschwindigkeit zu entfernen. Zusätzlich kann die Schleifbeschädigung durch eine Rohpolierung der Rückseite oder durch gleichzeitiges Polieren sowohl der Vorder- als auch der Rückseite entfernt werden, und darüber hinaus kann eine Siliziumscheibe mit zwei polierten Seiten bei geringen Kosten hergestellt werden.It is also because the damage layer on the Silicon wafer is small after grinding both surfaces, also possible to damage the layer by means of a chemomechanical polishing at slow speed remove. In addition, the grinding damage can be caused by Raw polishing of the back or by simultaneous polishing both the front and the back are removed, and in addition, a silicon wafer with two polished pages can be produced at low cost.

Nachfolgend wird die Erfindung rein beispielhaft anhand der beigefügten Zeichnungen beschrieben. Es zeigen:The invention is explained below purely by way of example using the attached drawings. Show it:

Fig. 1 den Gesamtaufbau einer Schleifeinrichtung für zwei Seiten gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wobei der obere Schleifstein in einer angehobenen Stellung gezeigt ist. Fig. 1 shows the overall structure of a grinder for two sides according to an embodiment of the present invention, wherein the upper grindstone is shown in a raised position.

Fig. 2 den Gesamtaufbau einer Schleifeinrichtung für zwei Seiten gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wobei der obere Schleifstein in einer abgesenkten Stellung gezeigt ist. Fig. 2 shows the overall structure of a grinder for two sides according to an embodiment of the present invention, wherein the upper grindstone is shown in a lowered position.

Fig. 3 eine perspektivische Ansicht der wesentlichen Teile einer Schleifeinrichtung für zwei Seiten gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Fig. 3 is a perspective view of the essential parts of a grinder for two sides according to an embodiment of the present invention.

Fig. 4 eine Draufsicht der wesentlichen Teile einer Schleifeinrichtung für zwei Seiten gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Fig. 4 is a plan view of the essential parts of a grinder for two sides according to an embodiment of the present invention.

Fig. 5 einen Querschnitt in vertikaler Richtung der wesentlichen Bereiche einer Schleifeinrichtung für zwei Seiten gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Fig. 5 shows a cross section in the vertical direction of the essential portions of a grinding device for two pages in accordance with an embodiment of the present invention.

Fig. 6 eine Draufsicht eines oberen Schleifsteins. Fig. 6 is a plan view of an upper grindstone.

Fig. 7 eine Draufsicht eines unteren Schleifsteins. Fig. 7 is a plan view of a lower grindstone.

Fig. 8A bis 8I die Verbesserungen beim Ausmaß der Ebenheit einer Siliziumscheibe. FIGS. 8A to 8I, the improvements in the degree of flatness of a silicon wafer.

Fig. 9A und 9B Flußdiagramme der herkömmlichen Technik bzw. der vorliegenden Erfindung, wobei Beispiele der Herstellungsvorgänge erläutert werden sollen. FIG. 9A and 9B are flow charts of the conventional art and the present invention, examples of the manufacturing processes will be explained.

Fig. 10 eine Graphik, in der die Ergebnisse des Schleifens zweier Seiten gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt sind. Fig. 10 is a graph in which the results of grinding of two sides of one embodiment of the present invention are shown under.

Fig. 11 eine Graphik, in der die Ergebnisse eines Schleifens zweier Seiten gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt sind. Fig. 11 is a graph in which the results of grinding of two sides of one embodiment of the present invention are shown under.

Fig. 12 die Oberflächenverhältnisse, die bei einem Schleifen zweier Seiten gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung entstehen. Fig. 12 shows the surface conditions, the two sides in a grinding result according to an embodiment of the present invention.

Fig. 13 ähnlich wie Fig. 12, die Oberflächenverhältnisse einer Siliziumscheibe gemäß der herkömmlichen Technik. Fig. 13 like Fig. 12, the surface conditions of a silicon wafer according to the conventional technique.

Fig. 14A, 14B und 14C die Oberflächenverhältnisse einer Siliziumscheibe, die mittels Vakuum adsorbiert wurde und deren eine Fläche dann geschliffen wurde. FIG. 14A, 14B and 14C, the surface conditions of a silicon wafer, which was adsorbed by means of vacuum and of which one surface was then polished.

Fig. 15 eine Umrißansicht einer Siliziumscheibe mit einer sich verjüngenden Form. Fig. 15 is an outline view of a silicon wafer having a tapered shape.

Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben.Hereinafter, with reference to the drawings Embodiment of the present invention described.

Fig. 1 zeigt den Gesamtaufbau einer Schleifeinrichtung für zwei Seiten gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wobei der obere Schleifstein in einem zurückgezogenen Zustand in einer angehobenen Stellung gezeigt ist; Fig. 2 zeigt den Gesamtaufbau einer Schleifeinrichtung für zwei Seiten gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wobei der obere Schleifstein in einer abgesenkten Stellung gezeigt ist; Fig. 3 zeigt eine perspektivische Ansicht der wesentlichen Teile einer Schleifeinrichtung für zwei Seiten gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; Fig. 4 zeigt eine Draufsicht der wesentlichen Teile einer Schleifeinrichtung für zwei Seiten gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und Fig. 5 zeigt einen Querschnitt in vertikaler Richtung der wesentlichen Bereiche einer Schleifeinrichtung für zwei Seiten gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Fig. 1 shows the overall configuration of a grinding device for two pages according to an embodiment of the present invention, wherein the upper grinding stone is shown in a retracted state in a raised position; Fig. 2 shows the overall structure of a two-sided grinder according to an embodiment of the present invention, with the upper grindstone shown in a lowered position; Fig. 3 shows a perspective view of the essential parts of a grinding device for two pages in accordance with an embodiment of the present invention; Fig. 4 shows a plan view of the essential parts of a grinder for two sides according to an embodiment of the present invention; and FIG. 5 shows a vertical cross section of the essential portions of a two-sided grinder according to an embodiment of the present invention.

In der Schleifeinrichtung für zwei Seiten werden die Vorder- und die Rückseite einer Siliziumscheibe 1, die in einem Träger (einem Trägerzahnrad) 14 gehalten wird, gleichzeitig mittels eines oberen Schleifsteins (einer Oberseitenplatte) 13 und eines unteren Schleifsteins (einer Unterseitenplatte) 12 geschliffen, die scheibenförmig sind. Der obere Schleifstein 13 kann um seine Achse gedreht werden und kann auf und ab bewegt werden, und der untere Schleifstein 12 kann ebenso um seine Achse gedreht werden.In the grinder for two sides, the front and the back of a silicon wafer 1 , which is held in a carrier (a carrier gear) 14 , are ground simultaneously by means of an upper grindstone (an upper side plate) 13 and a lower grindstone (an underside plate) 12 , which are disc-shaped. The upper grindstone 13 can be rotated about its axis and can be moved up and down, and the lower grindstone 12 can also be rotated about its axis.

In dem Körper der Vorrichtung 3 ist eine untere Antriebswellenplatte 5, die sich in vertikaler Richtung erstreckt, in einer frei drehbaren Art und Weise über ein Lager 16 abgestützt. Das untere Ende 5a mit einem kleinen Durchmesser der unteren Antriebswellenplatte 5 stellt ein Element zum Anbringen einer Riemenscheibe dar, an das eine in den Figuren nicht gezeigte Riemenscheibe einstückig und koaxial angebracht ist. Durch das Antreiben der Riemenscheibe durch die Drehung eines in der Figur nicht gezeigten Antriebsmotors kann über ein (nicht gezeigtes) Zugkraftorgan die untere Antriebswellenplatte 5 um ihre Achse gedreht werden. In der unteren Antriebswellenplatte 5 ist eine Sonnenrad-Antriebswelle 4, die an ihrem oberen Ende ein Sonnenrad aufweist, frei drehbar gelagert. Die Sonnenrad-An­ triebswelle 4 erstreckt sich in senkrechter Richtung, und das untere Ende der Sonnenrad-Antriebswelle 4 stellt einen Abschnitt zum Anbringen einer Riemenscheibe dar, an den eine in der Figur nicht gezeigte Riemenscheibe einstückig und koaxial angebracht ist. Durch den Antrieb dieser Riemenscheibe durch die Drehung eines weiteren, in der Figur nicht gezeigten Antriebsmotors, kann die Sonnenrad-An­ triebswelle 4 durch ein (nicht gezeigtes) Zugkraftorgan um ihre Achse gedreht werden.In the body of the device 3 , a lower drive shaft plate 5 , which extends in the vertical direction, is supported in a freely rotatable manner via a bearing 16 . The lower end 5 a with a small diameter of the lower drive shaft plate 5 represents an element for attaching a pulley to which a pulley, not shown in the figures, is integrally and coaxially attached. By driving the pulley by rotating a drive motor, not shown in the figure, the lower drive shaft plate 5 can be rotated about its axis via a traction element (not shown). In the lower drive shaft plate 5 , a sun gear drive shaft 4 , which has a sun gear at its upper end, is freely rotatable. The sun gear drive shaft 4 extends in the vertical direction, and the lower end of the sun gear drive shaft 4 is a portion for attaching a pulley to which a pulley not shown in the figure is integrally and coaxially attached. By driving this pulley by the rotation of a further drive motor, not shown in the figure, the sun gear drive shaft 4 can be rotated about its axis by a traction element (not shown).

Zusätzlich ist in dem Körper der Vorrichtung 3 die Antriebswelle 25, die ein Zahnrad 26 zum Drehen eines ringförmigen Innenrandzahnrads (Innenverzahnung) 17 aufweist und nachfolgend beschrieben ist, frei drehbar gelagert. Diese Antriebswelle 25 wird ebenso mittels eines nicht in der Zeichnung gezeigten Antriebsmotors um ihre Achse gedreht. In addition, in the body of the device 3, the drive shaft 25 , which has a gear 26 for rotating an annular inner peripheral gear (internal toothing) 17 and is described below, is freely rotatably mounted. This drive shaft 25 is also rotated about its axis by means of a drive motor, not shown in the drawing.

Ferner stellen dieser Antriebsmotor, der Antriebswellenmotor zum Drehen der Sonnenrad-Antriebswelle 4 und ähnliches den Antriebsmechanismus dar. An der unteren Antriebswellenplatte 5 ist über ein scheibenförmiges Abstandselement 24 ein scheibenförmiger Träger (untere Platte) 11 angebracht, und an diesem Träger 11 ist ein nachfolgend erwähnt er scheibenförmiger unterer Schleifstein 12 in einer horizontalen Ausrichtung befestigt.Furthermore, this drive motor, the drive shaft motor for rotating the sun gear drive shaft 4 and the like constitute the drive mechanism. On the lower drive shaft plate 5 , a disc-shaped carrier (lower plate) 11 is attached via a disc-shaped spacer 24 , and a carrier 11 is mentioned below he disk-shaped lower grindstone 12 attached in a horizontal orientation.

Ferner bezeichnet in den Figuren eine Referenzziffer 2 eine obere Platte 2, und diese obere Platte 2 ist in einer horizontalen Ausrichtung durch eine Stange 9a einer Antriebseinrichtung (z. B. eines Zylinders) 9 abgestützt, die an dem Körper der Vorrichtung 3 befestigt ist. An die untere Fläche dieser oberen Platte 2 ist ein kreisförmiger, plattenförmiger oberer Schleifstein 13 über ein Verbindungselement 7 und ein Abstandselement 6 für den oberen Schleifstein in einer horizontalen Ausrichtung angebracht. Das Abstandselement 6 für den oberen Schleifstein, das mit dem oberen Schleifstein 13 eine Einheit bildet, ist scheibenförmig und bezüglich der oberen Platte 2 frei drehbar gelagert; zusätzlich ist in dem Außenrand des Abstandselements 6 für den oberen Schleifstein eine Außenrand-Getriebeverzahnung 6a ausgebildet. Durch ein Einziehen der Stange 9a des Zylinders 9 kann der obere Schleifstein 13 angehoben werden (der in Fig. 1 gezeigte Zustand), andererseits-wird durch ein Ausschieben der Stange 9a der obere Schleifstein 13 abgesenkt, und es kann mit dem unteren Schleifstein 12 auf die Siliziumscheibe 1 Druck ausgeübt werden (der in Fig. 2 gezeigte Zustand). Auf diese Weise ist der obere Schleifstein 13 derart vorgesehen, daß er mittels einer Schubeinrichtung (in diesem Beispiel der Anhebe- und Absenkeinrichtung des Zylinders 9) frei auf und ab bewegt werden kann. Ferner kann anstelle der Anhebe- und Absenkeinrichtung des Zylinders 9 ein Gleitmechanismus, z. B. ein Gestell, ein Ritzel und ähnliches verwendet werden. Further, in the figures, a reference numeral 2 (for example, a cylinder z.) 9 denotes an upper plate 2, and this upper plate 2 is in a horizontal orientation a drive means by a rod 9 is supported, which is fixed to the body of the device 3 . A circular, plate-shaped upper grindstone 13 is attached to the lower surface of this upper plate 2 via a connecting element 7 and a spacer element 6 for the upper grindstone in a horizontal orientation. The spacer 6 for the upper grindstone, which forms a unit with the upper grindstone 13 , is disc-shaped and freely rotatable with respect to the upper plate 2 ; In addition, an outer edge gear toothing 6 a is formed in the outer edge of the spacer 6 for the upper grindstone. By pulling the rod 9 a of the cylinder 9 , the upper grindstone 13 can be raised (the state shown in Fig. 1), on the other hand - by pushing out the rod 9 a, the upper grindstone 13 is lowered, and it can with the lower grindstone 12 can be exerted on the silicon wafer 1 (the state shown in FIG. 2). In this way, the upper grindstone 13 is provided such that it can be freely moved up and down by means of a pushing device (in this example, the lifting and lowering device of the cylinder 9 ). Furthermore, instead of the lifting and lowering device of the cylinder 9, a sliding mechanism, for. B. a frame, a pinion and the like can be used.

An der oberen Platte 2 ist ein Antriebsmotor 8 befestigt, und ein Zahnrad 10 bildet mit einer Drehwelle (einer Ausgangswelle) 8a dieses Antriebsmotors 8, an der es befestigt ist, eine Einheit. Dieses Zahnrad 10 steht mit der Außenrand-Getriebeverzahnung 6a des Abstandselements 6 für den oberen Schleifstein in Eingriff. Mittels dieses Eingriffs treibt die Drehung des Antriebsmotors 8 über das Abstandselement 6 für den oberen Schleifstein den oberen Schleifstein 13 an, und der obere Schleifstein 13 kann um seine Achse gedreht werden.On the upper plate 2 , a drive motor 8 is attached, and a gear 10 forms a unit with a rotary shaft (an output shaft) 8 a of this drive motor 8 , to which it is attached. This gear 10 is in engagement with the outer edge gear teeth 6 a of the spacer 6 for the upper grindstone. By means of this engagement, the rotation of the drive motor 8 drives the upper grindstone 13 via the spacer element 6 for the upper grindstone, and the upper grindstone 13 can be rotated about its axis.

Ferner sind zwischen dem Sonnenrad 12A und dem ringförmigen Innenrand-Zahnrad 17 mehrere (in dem gezeigten Beispiel drei) kreisförmige, plattenförmige Träger 14 angeordnet, und jeweils an den Außenrändern dieser Träger 14 ausgebildete Außenrand-Getriebeverzahnungen stehen jeweils mit dem Sonnenrad 12A und der Innenrandverzahnung des ringförmigen Innenrand-Zahnrads 17 in Eingriff. D.h., jeder der Träger 14 wird als Satellitenzahnrad des Sonnenrades 12A und des ringförmigen Innenrand-Zahnrads 17 bewegt. In jedem Träger 14 ist jeweils eine Aufnahmeaussparung 15 zur Aufnahme einer Siliziumscheibe 1 vorgesehen. Die Siliziumscheiben 1 werden in die Aufnahmeaussparungen 15 eines jeden der Träger 14 eingelegt und sind derart angeordnet, daß ihre jeweiligen Unterseiten auf dem unteren Schleifstein 12 gleitbar sind. Darüber hinaus ist die Dicke der Träger 14 kleiner als die Dicke der Siliziumscheiben 1. Zusätzlich sind auch die oberen Flächen dieser Siliziumscheiben bezüglich des oberen Schleifsteins 13 gleitbar. In der Mitte dieses oberen Schleifsteins 13 ist eine Öffnung 13B vorgesehen, und auch der untere Schleifstein 12 weist eine Ausnehmung 12B ähnlich der erwähnten Ausnehmung 13B auf. Der obere und der untere Schleifstein 13 und 12 weisen in etwa den gleichen Innendurchmesser und Außendurchmesser auf, und sind dünne kreisförmige Platten aus gegossenem Eisen, das mit Graphitkörnern verstärkt ist. Furthermore, between the sun gear 12 A and the ring-shaped inner rim gear 17, several (in the example shown three) circular, plate-shaped carriers 14 are arranged, and outer rim gear toothings formed on the outer edges of these carriers 14 are each with the sun gear 12 A and Inner edge toothing of the annular inner edge gear 17 in engagement. That is, each of the carriers 14 is moved as a satellite gear of the sun gear 12 A and the ring-shaped inner rim gear 17 . A receiving recess 15 for receiving a silicon wafer 1 is provided in each carrier 14 . The silicon wafers 1 are inserted into the receiving recesses 15 of each of the carriers 14 and are arranged such that their respective undersides can slide on the lower grindstone 12 . In addition, the thickness of the carriers 14 is smaller than the thickness of the silicon wafers 1 . In addition, the upper surfaces of these silicon wafers can also be slid with respect to the upper grinding stone 13 . An opening 13 B is provided in the middle of this upper grinding stone 13 , and the lower grinding stone 12 also has a recess 12 B similar to the mentioned recess 13 B. The upper and lower grindstones 13 and 12 have approximately the same inside diameter and outside diameter, and are thin circular plates made of cast iron reinforced with graphite grains.

Auf die beschriebene Weise wird die Siliziumscheibe 1 zwischen dem oberen Schleifstein 13 und dem unteren Schleifstein 12 gegriffen und gehalten, und sowohl die obere als auch die untere Fläche der Siliziumscheibe 1 werden gleichzeitig geschliffen. D.h., die Siliziumscheibe 1 wird in dem Träger 14 mit einer Außenrand-Getriebeverzahnung gehalten, und in dem Träger 14 ist eine Aufnahmeaussparung 15 (eine runde Aussparung) ausgebildet, in welche die Siliziumscheibe 1 eingeführt werden kann. Zusätzlich steht die Außenrand-Getriebeverzahnung des Trägers 14 zum gleichen Zeitpunkt, zu dem sie mit dem Sonnenrad 12A in Eingriff steht, mit der Innenrand-Verzahnung des ringförmigen Innenrand-Zahnrads 17 in Eingriff. Das ringförmige Innenrand-Zahn­ rad 17 weist einen größeren Außendurchmesser als derjenige des unteren Schleifsteins 12 auf und ist derart angeordnet, daß es den unteren Schleifstein 12 umgibt. Ferner sind bei dieser Ausführungsform drei Träger 14, die jeweils eine Siliziumscheibe 1 halten, vorgesehen, und es wird ein gleichzeitiges Schleifen zweier Seiten der drei Siliziumscheiben durchgeführt; jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Ausführungsform beschränkt. Zusätzlich sind mehrere sich strahlenförmig ausbreitende Nuten und Umfangsnuten, die sich radial und in Umfangsrichtung erstrecken, in sowohl der Schleiffläche (der unteren Fläche) des oberen Schleifsteins 13 und der Schleiffläche (der oberen Fläche) des unteren Schleifsteins 12 ausgebildet.In the manner described, the silicon wafer 1 is gripped and held between the upper grindstone 13 and the lower grindstone 12 , and both the upper and lower surfaces of the silicon wafer 1 are ground simultaneously. That is, the silicon wafer 1 is held in the carrier 14 with an outer-edge gear toothing, and a receiving recess 15 (a round recess) is formed in the carrier 14 , into which the silicon wafer 1 can be inserted. In addition, the outer peripheral gear teeth of the carrier 14 is at the same time, to which it is engaged with the sun gear 12 A engaged with the inner peripheral toothing of the annular inner rim gear 17 in engagement. The annular inner edge toothed wheel 17 has a larger outer diameter than that of the lower grindstone 12 and is arranged such that it surrounds the lower grindstone 12 . Furthermore, in this embodiment, three carriers 14 , each holding a silicon wafer 1 , are provided, and simultaneous grinding of two sides of the three silicon wafers is carried out; however, the present invention is not limited to this embodiment. In addition, a plurality of radially spreading grooves and circumferential grooves that extend radially and circumferentially are formed in both the grinding surface (the lower surface) of the upper grindstone 13 and the grinding surface (the upper surface) of the lower grindstone 12 .

Nachfolgend wird im einzelnen die Struktur der wesentlichen Teile der Schleifeinrichtung für zwei Seiten erklärt.The structure of the essentials is detailed below Parts of the grinding device explained for two sides.

Wie die Fig. 1 bis 5 zeigen, ist mit einer Referenznummer 12 ein unterer Schleifstein bezeichnet, an dem eine zu schleifende Siliziumscheibe angebracht ist. Dieser untere Schleifstein 12 ist eine runde Platte, die eine runde Ausnehmung (mittige Aussparung) 12B in ihrer Mitte ausgebildet aufweist, und der untere Schleifstein 12 ist an dem Träger 11 angebracht und befestigt. Die Referenznummer 21a bezeichnet ein Abstands- und Stützelement, das an der Oberseite der unteren Antriebswellenplatte 5 angebracht ist, und die Sonnenrad-Antriebswelle ist durch dieses Abstands- und Stützelement 21a eingeführt. Ferner dreht sich das Abstands- und Stützelement 21a nicht mit der unteren Antriebswellenplatte 5.As shown in FIGS. 1 to 5, reference number 12 denotes a lower grindstone to which a silicon wafer to be ground is attached. This lower grindstone 12 is a round plate having a round recess (central recess) 12 B formed in the middle thereof, and the lower grindstone 12 is attached and fixed to the carrier 11 . The reference number 21 a denotes a spacer and support element, which is attached to the top of the lower drive shaft plate 5 , and the sun gear drive shaft is introduced through this spacer and support element 21 a. Furthermore, the spacer and support element 21 a does not rotate with the lower drive shaft plate 5 .

Die Referenznummer 12C bezeichnet ein unteres Abstandsstück, das an die Oberseite des Abstands- und Stützelements 21a angebracht ist, wobei die Ränder eines jeden Trägers 14, die in der Nähe des Sonnenrades 12A befindlich sind, sich an der Oberseite dieses unteren Abstandsstücks 12C befinden. Zusätzlich läuft ein oberes Abstandsstück 13A, das im wesentlichen die gleiche Form wie das untere Abstandsstück 12C aufweist, über dem unteren Abstandsstück 13C ab, und mittels des Gewichts dieses oberen Abstandsstücks 13A wird eine Struktur ausgebildet, in welcher der Rand eines jeden Trägers 14, der sich am nächsten bei dem Sonnenrad 12A befindet, durch das obere Abstandsstück 13A und das untere Abstandsstück 12C gehalten und gestützt wird. Ferner ist jedes der Abstandsstücke 12C und 13A auf das Sonnenrad 12A frei drehbar aufgepaßt. Gemäß dieser Ausbildung tritt infolge des Drucks der Schleifflüssigkeit (durch die dicken Pfeile in den Fig. 2 und 5 gezeigt), der wie nachfolgend beschrieben von oberhalb der Ausnehmung 13B des oberen Schleifsteins 13 geschaffen wird, keine Biegung in einem Träger 14 auf. Ferner ist das Gewicht des oberen Abstandsstücks 13A derart ausgebildet, daß es keine Behinderung für die nachfolgend beschriebene Satellitenbewegung der Träger 14 bewirkt.The reference number 12 C denotes a lower spacer, which is attached to the top of the spacer and support element 21 a, the edges of each carrier 14 , which are located in the vicinity of the sun gear 12 A, at the top of this lower spacer 12 C. In addition, an upper spacer 13 A, which has substantially the same shape as the lower spacer 12 C, runs over the lower spacer 13 C, and by means of the weight of this upper spacer 13 A, a structure is formed in which the edge of each Carrier 14 , which is closest to the sun gear 12 A, is held and supported by the upper spacer 13 A and the lower spacer 12 C. Furthermore, each of the spacers 12 C and 13 A on the sun gear 12 A is freely rotatable. According to this configuration, due to the pressure of the grinding fluid (shown by the thick arrows in FIGS. 2 and 5), which is created as described below from above the recess 13 B of the upper grinding stone 13 , no bending occurs in a carrier 14 . Furthermore, the weight of the upper spacer 13 A is designed such that it does not interfere with the satellite movement of the carrier 14 described below.

Wie erwähnt, ist der obere Schleifstein 13 derart vorgesehen, daß er frei auf und ab bewegt werden kann, und es ermöglicht wird, daß er auf die Siliziumscheiben 1, die in den Trägern 14 gehalten werden, mit einer vorbestimmten Last nach unten auf den unteren Schleifstein 12 drückt. Ferner ist von einer Richtung oberhalb des oberen Schleifsteins 13 zu der Ausnehmung 13B eine (in den Figuren nicht gezeigte) Einrichtung zum Zuführen von Schleifflüssigkeit, wie z. B. eine Düse vorgesehen, die in der durch die Pfeile in Fig. 2 gezeigten Art Schleifflüssigkeit (z. B. Reinwasser) zuführt.As mentioned, the upper grindstone 13 is provided so that it can be freely moved up and down, and is allowed to be down on the silicon wafers 1 held in the carriers 14 with a predetermined load Grinding stone 12 presses. Furthermore, from a direction above the upper grinding stone 13 to the recess 13 B, a device (not shown in the figures) for supplying grinding liquid, such as. B. a nozzle is provided which in the manner shown by the arrows in Fig. 2 type grinding liquid (z. B. pure water).

Der Raum, der durch eine jede der inneren Randflächen des Abstandsstücks 6 für den oberen Schleifstein, des oberen Schleifsteins 13, des Trägers 11, und des Abstandselements 24; sowie der oberen Fläche der unteren Antriebswellenplatte 5; und den äußeren Randflächen der Abstands- und Stützeinrichtung 21a, und einem jeden der oberen und unteren Abstandsstücke 13A und 12C umgeben ist, legt eine Wasserpfanne W mit einer festgelegten Kapazität fest.The space defined by each of the inner peripheral surfaces of the spacer 6 for the upper grindstone, the upper grindstone 13 , the carrier 11 , and the spacer 24 ; and the upper surface of the lower drive shaft plate 5 ; and the outer edge surfaces of the spacer and support device 21 a, and each of the upper and lower spacers 13 A and 12 C is surrounded by a water pan W with a fixed capacity.

Nachfolgend werden im einzelnen die Struktur des Abstandsstücks 6 des oberen Schleifsteins und des oberen und des unteren Schleifsteins 13 und 12 mit Betonung auf den Durchgängen für die Schleifflüssigkeit erklärt.Hereinafter, the structure of the spacer 6 of the upper grindstone and the upper and lower grindstones 13 and 12 will be explained in detail with emphasis on the passages for the grinding liquid.

Zunächst sind, wie in Fig. 1 gezeigt, mehrere durchgehende Ausnehmungen 18 (in den Zeichnungen sind nur zwei gezeigt), die vertikal durchgehend ausgebildet sind, regelmäßig (bei der vorliegenden Ausführungsform sind sie gleich beabstandet) und in Umfangsrichtung in dem oberen Abstandselement 6 ausgebildet.First, as shown in FIG. 1, a plurality of continuous recesses 18 (only two are shown in the drawings) that are vertically continuous are regular (in the present embodiment, they are equally spaced) and formed circumferentially in the upper spacer 6 .

Wie in den Fig. 1 und 6 gezeigt, ist in der Innenrandseite der oberen Fläche des oberen Schleifsteins 13 eine ringförmige Ringnut 19 ausgebildet. Diese Ringnut 19 ist in einer Position ausgebildet, die mit der Position der durchgehenden Ausnehmungen 18 des Abstandselements 6 für den oberen Schleifstein zusammenfällt. Zusätzlich sind in der oberen Fläche des oberen Schleifsteins 13 mehrere (bei der vorliegenden Ausführungsform acht) sich strahlenförmig ausbreitende Nuten 20 ausgebildet, die sich in etwa bis zur Mitte des oberen Schleifsteins 13 radial nach außen erstrecken, ausgebildet. Die jeweiligen Enden dieser sich strahlenförmig ausbreitenden Nuten 20 stehen mit der Ringnut 19 in Verbindung. Die anderen Enden dieser sich strahlenförmig ausbreitenden Nuten 20 stehen jeweils mit durchgehenden Aussparungen 21 in Verbindung, die vertikal durch den oberen Schleifstein 13 gehen.As shown in FIGS. 1 and 6, an annular ring groove 19 is formed in the inner edge side of the upper surface of the upper grindstone 13 . This annular groove 19 is formed in a position that coincides with the position of the continuous recesses 18 of the spacer 6 for the upper grindstone. In addition, in the upper surface of the upper grindstone 13, a plurality (in the present embodiment, eight) of radially extending grooves 20 are formed, which extend approximately to the center of the upper grindstone 13 radially outward. The respective ends of these radially spreading grooves 20 are connected to the annular groove 19 . The other ends of these radially spreading grooves 20 are each connected to continuous recesses 21 which go vertically through the upper grindstone 13 .

Andererseits sind, wie gezeigt in den Fig. 1 und 7, mehrere sich radial von der Innenwand des unteren Schleifsteins 12 erstreckende, sich strahlenförmig ausbreitende Nuten 23 in der unteren Fläche des unteren Schleifsteins 12 ausgebildet. Jede Strahlnut 23 erstreckt sich von dem inneren Umfangsrand des unteren Schleifsteins 12 in etwa bis zur Mitte des unteren Schleifsteins 12 radial nach außen, und das Ende einer jeden Strahlnut 23 steht jeweils mit einer von mehreren durchgehenden Aussparungen 22 in Verbindung, die vertikal durch den unteren Schleifstein 12 gehen.On the other hand, as shown in FIGS. 1 and 7, several, to radiate propagating grooves formed in the lower surface of the lower grindstone 12 radially extending from the inner wall of the lower grindstone 12 23. Each blasting groove 23 extends radially outward from the inner peripheral edge of the lower grindstone 12 to approximately the center of the lower grindstone 12 , and the end of each blasting groove 23 communicates with one of a plurality of continuous recesses 22 which extend vertically through the lower one Go grindstone 12 .

In den Fig. 2 und 5 zeigen dicke Pfeile das Fließmuster der Schleifflüssigkeit an. Es wird nämlich Schleifflüssigkeit, die zu der Wasserpfanne W von oberhalb des oberen Schleifsteins 13 zugeführt wird, zu der oberen und der unteren Fläche der Siliziumscheiben 1 von der Außenrandseite der Siliziumscheiben 1, die sich zwischen dem oberen und dem unteren Schleifstein 13 und 12 befinden, zugeführt; mittels der Zentrifugalkraft, die durch die Drehung des oberen und des unteren Schleifsteins 13 und 12 in der horizontalen Ebene entsteht, wird die zugeführte Schleifflüssigkeit dann zu der äußeren Randseite des oberen und des unteren Schleifsteins 13 und 12 geführt. Auf diese Weise wird die Schleifflüssigkeit zu der gesamten oberen und unteren Fläche einer jeden Siliziumscheibe 1 zugeführt.In FIGS. 2 and 5 thick arrows show the flow pattern of the abrasive fluid. Namely, grinding fluid supplied to the water pan W from above the upper grindstone 13 becomes the upper and lower surfaces of the silicon wafers 1 from the outer peripheral side of the silicon wafers 1 located between the upper and lower grindstones 13 and 12 . fed; by means of the centrifugal force caused by the rotation of the upper and lower grindstones 13 and 12 in the horizontal plane, the supplied grinding fluid is then guided to the outer edge side of the upper and lower grindstones 13 and 12 . In this way, the grinding liquid is supplied to the entire upper and lower surface of each silicon wafer 1 .

Andererseits wird Schleifflüssigkeit ferner zu den mehreren durchgehenden Aussparungen 18 des Abstandselements 6 für den oberen Schleifstein zugeführt; diese zugeführte Schleifflüssigkeit tritt durch die Ringnut 19 des oberen Schleifsteins 13, die Strahlnuten 20 und die durchgehenden Aussparungen 21, und wird in etwa zur Mitte der oberen Fläche einer jeder Siliziumscheibe 1 zugeführt. Ferner tritt die Schleifflüssigkeit, die zu der Wasserpfanne W zugeführt wird, durch die Strahlnuten 23 in dem unteren Schleifstein 12 und die durchgehenden Aussparungen 22, und wird in etwa bis zur Mitte der unteren Fläche einer jeden Siliziumscheibe 1 zugeführt. Auf diese Weise kann die Temperatur der gesamten Oberfläche einer jeden Siliziumscheibe 1 mit hoher Sicherheit gesteuert werden.On the other hand, grinding fluid is further supplied to the plurality of through recesses 18 of the spacer 6 for the upper grindstone; this supplied grinding fluid passes through the annular groove 19 of the upper grinding stone 13 , the jet grooves 20 and the continuous recesses 21 , and is supplied approximately to the middle of the upper surface of each silicon wafer 1 . Further, the grinding liquid supplied to the water pan W passes through the jet grooves 23 in the lower grinding stone 12 and the continuous recesses 22 , and is supplied approximately to the center of the lower surface of each silicon wafer 1 . In this way, the temperature of the entire surface of each silicon wafer 1 can be controlled with a high degree of certainty.

Als nächstes werden, um die Vorder- und Rückseite einer jeden Siliziumscheibe 1 unter Verwendung der Schleifeinrichtung für zwei Seiten zu schleifen, die geschnittenen Siliziumscheiben in die Aufnahmeaussparungen 15 eines jeden Trägers 14 eingeführt, und eine jede Siliziumscheibe 1 wird zwischen dem oberen Schleifstein 13 und dem unteren Schleifstein 12 gehalten, und der obere Schleifstein 13 und der untere Schleifstein 12 werden in einer horizontalen Ebene bei jeweiligen bestimmten Geschwindigkeiten gedreht. Zu diesem Zeitpunkt wird der obere Schleifstein 13 um ein bestimmtes Maß (z. B. 100 µm) gesenkt, während er auf die Siliziumscheiben 1 mit einer bestimmten Last nach unten drückt. Zusätzlich wird zu diesem Zeitpunkt kontinuierlich von oberhalb des oberen Schleifsteins 13 Schleifflüssigkeit zugeführt, und die Temperatur der Siliziumscheiben 1 wird gesteuert und bei einem vorbestimmten Niveau (z. B. 25°C) gehalten. Die Schleifflüssigkeit fließt entlang der Nuten (der Radial- und der Umfangsnuten) einer jeden Schleifoberfläche von der Wasserpfanne W, und wird kontinuierlich zu dem mittleren Bereich einer jeden Siliziumscheibe 1 zugeführt. Auf diese Weise kann die Temperatur der Mitte einer jeden Siliziumscheibe 1 ebenso gesteuert und bei einem bestimmten Niveau gehalten werden. Wie aus der obigen Beschreibung deutlich wird, wird die Temperatursteuereinrichtung mittels der genannten Zuführeinrichtung für Schleifflüssigkeit (wie z. B. eine Düse etc.), die erwähnten Durchgänge für die Schleifflüssigkeit und die Wasserpfanne W gebildet.Next, in order to grind the front and back of each silicon wafer 1 using the two-sided grinder, the cut silicon wafers are inserted into the receiving recesses 15 of each carrier 14 , and each silicon wafer 1 is inserted between the upper grindstone 13 and the held lower grindstone 12 , and the upper grindstone 13 and the lower grindstone 12 are rotated in a horizontal plane at respective particular speeds. At this time, the upper grindstone 13 is lowered by a certain amount (e.g., 100 µm) while pressing down on the silicon wafers 1 with a certain load. In addition, grinding liquid is continuously supplied from above the upper grindstone 13 at this time, and the temperature of the silicon wafers 1 is controlled and maintained at a predetermined level (e.g., 25 ° C). The grinding liquid flows along the grooves (the radial and the circumferential grooves) of each grinding surface from the water pan W, and is continuously supplied to the central area of each silicon wafer 1 . In this way, the temperature of the center of each silicon wafer 1 can also be controlled and kept at a certain level. As is clear from the above description, the temperature control device is formed by means of the abrasive liquid supply device (such as a nozzle, etc.), the abrasive liquid passages and the water pan W mentioned.

Im einzelnen wird zunächst eine Siliziumscheibe 1 in die Aufnahmeaussparung 15 eines jeden Trägers 14 eingelegt, die Träger 14, die jeweils eine Siliziumscheibe 1 tragen, werden an der Oberseite des unteren Schleifsteins 12 angebracht, und der obere Schleifstein 13 drückt von oben derart nach unten, daß er in Berührung mit der oberen Fläche einer jeden Siliziumscheibe 1 kommt. Als nächstes wird, wie erwähnt, während der Zuführung von Schleifflüssigkeit zu der oberen und der unteren Seite einer jeden Siliziumscheibe 1 das Sonnenrad 12A und die ringförmige Innenrand-Verzahnung 17 jeweils in der durch die Pfeile in Fig. 4 angedeuteten Richtung gedreht, und ein jeder der Träger 14 dreht sich in der durch die Pfeile in Fig. 4 angedeuteten Richtung um sich selbst. Im Ergebnis wird, während die Siliziumscheiben 1 Satellitenbahnen in der horizontalen Ebene oberhalb des unteren Schleifsteins 12 beschreiben, die untere Seite einer jeden Siliziumscheibe 1 gerieben und durch die obere Fläche (die Schleiffläche) des unteren Schleifsteins 12 geschliffen. Ferner wird durch die Drehung des oberen Schleifsteins 13 in einer Richtung entgegensetzt zu dem unteren Schleifstein 12 die obere Fläche einer jeden Siliziumscheibe 1 gerieben und durch die untere Fläche (die Schleiffläche) des oberen Schleifsteins 13 geschliffen.Specifically, a silicon wafer 1 is first inserted into the receiving recess 15 of each carrier 14 , the carriers 14 , each carrying a silicon wafer 1 , are attached to the top of the lower grinding stone 12 , and the upper grinding stone 13 presses downwards from above, that it comes into contact with the upper surface of each silicon wafer 1 . Next, as mentioned, during the supply of grinding liquid to the upper and lower sides of each silicon wafer 1, the sun gear 12 A and the ring-shaped inner edge toothing 17 are respectively rotated in the direction indicated by the arrows in FIG. 4, and on each of the carriers 14 rotates about itself in the direction indicated by the arrows in FIG. 4. As a result, while the silicon wafers 1 describe satellite orbits in the horizontal plane above the lower grindstone 12 , the lower side of each silicon wafer 1 is rubbed and ground through the upper surface (the grinding surface) of the lower grindstone 12 . Further, by rotating the upper grindstone 13 in a direction opposite to the lower grindstone 12, the upper surface of each silicon wafer 1 is rubbed and ground by the lower surface (the grind surface) of the upper grindstone 13 .

Wie aus der Erklärung deutlich wird, wird die jeweilige Antriebseinrichtung durch das Sonnenrad 12A, die Sonnenrad-An­ triebswelle 4, die ringförmige Innenrand-Verzahnung 17 und den Antriebsmotor 8 gebildet. Zusätzlich wird die Schleifeinrichtung für zwei Seiten durch diese jeweiligen Antriebseinrichtungen, den oberen Schleifstein 13 und den unteren Schleifstein 12, etc. gebildet. As is clear from the explanation, the respective drive device is formed by the sun gear 12 A, the sun gear drive shaft 4 , the annular inner-edge toothing 17 and the drive motor 8 . In addition, the grinder for two sides is formed by these respective driving devices, the upper grindstone 13 and the lower grindstone 12 , etc.

Die Fig. 9A und 9B sind Flußdiagramme zur Erklärung der Herstellungsschritte gemäß dem Stand der Technik bzw. der Schritte gemäß der vorliegenden Erfindung. FIGS. 9A and 9B are flow charts for explaining the manufacturing steps according to prior art and the steps of the present invention.

Bei den Herstellungsverfahren für Siliziumscheiben gemäß der herkömmlichen Technik (Fig. 9A) wird zunächst ein Einkristall-Siliziumbarren geschnitten (Schritt S1), und die geschnittene Scheibe wird abgerundet (Schritt S2). Die Mehrheit der auf diese Weise erhaltenen Siliziumscheiben werden dann anhand ihrer jeweiligen Dicke in Klassen eingeteilt (Gattieren, Schritt S3). Der Grund für diese Art von Gattierung liegt darin, daß die Bearbeitungszeit für das Läppen, wie nachfolgend erwähnt, gemäß dem Ausmaß der Ähnlichkeit bezüglich der Dicken der Siliziumscheiben verringert wird. Die anhand ihrer Dicke gattierten Siliziumscheiben werden gleichzeitig in Gruppen gemäß ihrer Dicke geläppt (Schritt S4) und dann nach dem Läppen gewaschen (Schritt S5). Dieses Waschen ist ein kräftiges Waschen für die Entfernung großer Mengen Eisen und Eisenionen, die während des Läppens durch Abrieb durch Läppmittel und ähnliches des oberen und des unteren Schleifsteins erzeugt werden, die aus gegossenem Eisen, das mit Graphitkörnern verstärkt ist, gefertigt sind. Danach wird die Siliziumscheibe mit einem alkalischen, auf die Oberfläche wirkenden Mittel (Schritt S6) gewaschen. Ferner wird die beim Abrunden erzeugte Beschädigung durch chemisches Kantenrunden entfernt. Danach wird ein Waschen, und dann ein Ätzen durchgeführt.In the manufacturing method for silicon wafers according to the conventional technique ( FIG. 9A), a single crystal silicon ingot is first cut (step S1), and the cut wafer is rounded (step S2). The majority of the silicon wafers obtained in this way are then divided into classes on the basis of their respective thickness (generation, step S3). The reason for this type of type is that the processing time for lapping, as mentioned below, is reduced according to the degree of similarity in the thicknesses of the silicon wafers. The silicon wafers gated on the basis of their thickness are simultaneously lapped in groups according to their thickness (step S4) and then washed after the lapping (step S5). This washing is a vigorous washing for the removal of large amounts of iron and iron ions generated during lapping by abrasion by lapping agents and the like of the upper and lower grindstones made of cast iron reinforced with graphite grains. The silicon wafer is then washed with an alkaline agent acting on the surface (step S6). Furthermore, the damage caused by rounding off is removed by chemical edge rounding. After that, washing and then etching are carried out.

Im Gegensatz dazu werden die Siliziumscheiben 1, wie gezeigt in Fig. 9B, gemäß der vorliegenden Erfindung nach dem Schneiden (Schritt S10), z. B. mittels einer Drahtsäge, und dem Abrunden (Schritt S11) unter Verwendung des gleichzeitigen Schleifens zweier Seiten (Schritt S12) ohne die Durchführung eines Gattierungsschrittes wie dem oben erwähnten geschliffen. Der Grund dafür, daß es nicht erforderlich ist, ein Gattieren durchzuführen, liegt darin, daß, da beim gleichzeitigen Schleifen zweier Seiten beide Seiten der Siliziumscheibe gleichzeitig geschliffen werden, es möglich ist, Siliziumscheiben mit parallelen Flächen in einer kurzen Zeit zu erzeugen.In contrast, the silicon wafers 1 , as shown in Fig. 9B, according to the present invention after cutting (step S10), e.g. B. using a wire saw, and rounding (step S11) using the simultaneous grinding of two sides (step S12) without performing a generic step such as that mentioned above. The reason why it is not necessary to perform the embossing is that since both sides of the silicon wafer are ground simultaneously when two sides are ground simultaneously, it is possible to produce silicon wafers with parallel faces in a short time.

Nachdem kein Läppmittel verwendet wird, ist es nicht erforderlich, nach dem Läppen ein Waschen, wie oben erwähnt, durchzuführen. Nachfolgend werden nach einem Waschen (Schritt 13) ein chemisches Kantenrunden und Waschen durchgeführt. Ferner wird durch ein Verfahren, bei dem die Rückseite einer Siliziumscheibe 1 grob poliert wird, oder durch ein Verfahren, bei dem beide Seiten der Siliziumscheibe gleichzeitig chemomechanisch poliert werden, die beim Schleifen entstandene Beschädigungsschicht entfernt. Dieses gleichzeitige chemomechanische Polieren zweier Flächen wird mittels eines Paars von Oberflächenplatten durchgeführt, die jeweils anstelle des oberen Schleifsteins und des unteren Schleifsteins bei der Schleifeinrichtung für das gleichzeitige Schleifen zweier Flächen Poliergewebe aufweisen. Ohne den Ätzschritt und den Läppschritt gemäß der herkömmlichen Technik kann die Siliziumscheibe mit einem hohen Genauigkeitsgrad durch Durchführung eines Grobpolierens nur der Rückseite oder ein gleichzeitiges Polieren zweier Seiten bearbeitet werden.Since no lapping agent is used, it is not necessary to carry out washing as mentioned above after lapping. Subsequently, a chemical edge rounding and washing are carried out after a wash (step 13). Furthermore, by a method in which the back of a silicon wafer 1 is roughly polished, or by a method in which both sides of the silicon wafer are polished chemomechanically at the same time, the damage layer produced during grinding is removed. This simultaneous chemomechanical polishing of two surfaces is carried out by means of a pair of surface plates, each of which has polishing cloth instead of the upper grinding stone and the lower grinding stone in the grinding device for the simultaneous grinding of two surfaces. Without the etching step and the lapping step according to the conventional technique, the silicon wafer can be machined with a high degree of accuracy by roughly polishing only the back or simultaneously polishing two sides.

Ferner ist die vorliegende Erfindung nicht auf ein Herstellungsverfahren beschränkt, das den erwähnten Ätzschritt nicht vorsieht. Die dem Waschen (Schritt S13) folgenden Vorgänge können die gleichen sein wie die Vorgänge gemäß der herkömmlichen Technik.Furthermore, the present invention is not limited to one Manufacturing process limited to those mentioned Does not provide for an etching step. The washing (step S13) Subsequent operations can be the same as the operations according to the conventional technique.

Fig. 10 zeigt die Beziehung zwischen der Rate einer nach unten gerichteten Bewegung des oberen Schleifsteins (Ausmaß der nach unten gerichteten Bewegung des oberen Schleifsteins zur Bearbeitungszeit) und der Last über dieser Zeit. Die Drehgeschwindigkeit des unteren Schleifsteins 12 und des oberen Schleifsteins 13 betrug zu diesem Zeitpunkt z. B. 77 Umdrehungen pro Minute bzw. 51 Umdrehungen pro Minute. Wenn die Last klein war (in den Figuren z. B. 120 + 30 kgf; durch Kreise markiert) war für das Abschleifen einer bestimmten Menge mehr Zeit erforderlich. Wenn die Last in einem mittleren Bereich war (165 + 30 kgf; durch Dreiecke markiert) und wenn die Last groß war (210 + 30 kgf; durch Vierecke markiert), war die Schleifzeit passend. Jedoch wird in der Siliziumscheibe, wenn die Last über das erwähnte Beispiel einer großen Last erhöht wird, bei diesen Drehgeschwindigkeiten und -bedingungen die Ausbildung von Rissen erzeugt werden. Fig. 10 shows the relationship between the rate of downward movement of the upper grindstone (amount of downward movement of the upper grindstone at machining time) and the load over that time. The speed of rotation of the lower grindstone 12 and the upper grindstone 13 was z. B. 77 revolutions per minute or 51 revolutions per minute. If the load was small (e.g. 120 + 30 kgf; marked by circles in the figures), more time was required to grind a certain amount. If the load was in a medium range (165 + 30 kgf; marked by triangles) and if the load was large (210 + 30 kgf; marked by quadrilaterals), the grinding time was appropriate. However, in the silicon wafer, if the load is increased over the above-mentioned example of a large load, cracks will be generated at these rotational speeds and conditions.

Fig. 11 zeigt die Ergebnisse eines Schleifens zweier Seiten unter Verwendung der gleichen Vorrichtung, einer bestimmten Last (165 + 30 kgf) und verschiedenen Drehgeschwindigkeiten des oberen Schleifsteins 13 und des unteren Schleifsteins 12. Bezüglich der Drehgeschwindigkeiten des unteren Schleifsteins 12 und des oberen Schleifsteins 13 ist mit hohlen Kreisen die Situation gezeigt, bei der die Geschwindigkeit des unteren Schleifsteins 12 45 Umdrehungen pro Minute, und die Geschwindigkeit des oberen Schleifsteins 13 28 Umdrehungen pro Minute betrug; ausgefüllte Kreise zeigen die Situation, bei der die Geschwindigkeit des unteren Schleifsteins 12 60 Umdrehungen pro Minute, und die Geschwindigkeit des oberen Schleifsteins 13 38 Umdrehungen pro Minute betrug; hohle Dreiecke zeigen die Situation, bei der die Geschwindigkeit des unteren Schleifsteins 12 77 Umdrehungen pro Minute und die Geschwindigkeit des oberen Schleifsteins 13 51 Umdrehungen pro Minute betrug; ferner zeigen ausgefüllte Dreiecke die Situation, bei der die Geschwindigkeit des unteren Schleifsteins 12 87 Umdrehungen pro Minute, und die Geschwindigkeit des oberen Schleifsteins 13 57 Umdrehungen pro Minute betrugen. Unter dem Gesichtspunkt der Rißbildung und der für das Schleifen erforderlichen Zeit zeigen ausgefüllte Kreise und hohle Dreiecke gute Ergebnisse. Fig. 11 shows the results of grinding two sides using the same device, a certain load (165 + 30 kgf) and different rotational speeds of the upper grindstone 13 and the lower grindstone 12 . Concerning the rotational speeds of the lower grindstone 12 and the upper grindstone 13 , the situation is shown with hollow circles, in which the speed of the lower grindstone 12 was 45 revolutions per minute and the speed of the upper grindstone 13 was 28 revolutions per minute; solid circles indicate the situation where the speed of the lower grindstone 12 was 60 revolutions per minute and the speed of the upper grindstone 13 was 38 revolutions per minute; hollow triangles show the situation where the speed of the lower grindstone was 12 77 revolutions per minute and the speed of the upper grindstone 13 was 51 revolutions per minute; solid triangles also show the situation where the speed of the lower grindstone 12 was 87 revolutions per minute and the speed of the upper grindstone 13 was 57 revolutions per minute. From the point of view of cracking and the time required for grinding, solid circles and hollow triangles show good results.

Auf die beschriebene Weise werden gemäß dem Schleifverfahren für zwei Seiten der vorliegenden Ausführungsform Siliziumscheiben erhalten, die verglichen mit durch Läppen bearbeiteten Siliziumscheiben Flächen aufweisen, die in hohem Maße parallel sind. Wie Fig. 12 zeigt, ist es z. B. möglich, ein TTV von 0,66 µm (elektrostatisches Kapazitanzinstrument zum Messen der Flächenebenheit = (ADE) Meßwert) zu erhalten. Im Ergebnis wird verglichen mit einer geläppten Scheibe die abgeätzte Menge verringert, z. B. kann sie auf 2 µm verringert werden. Zusätzlich kann verglichen mit einer Situation, bei der eine Läppbearbeitung durchgeführt wird, die Unebenheit der geätzten Fläche z. B. auf 0,1 µm verringert werden. Ferner kann der letztere Poliervorgang bei einer Verringerung der erforderlichen Poliermenge auf etwa 2 µm durchgeführt werden, und es kann leicht ein SFQD von 0,1 mm erreicht werden.In the manner described, according to the grinding method for two sides of the present embodiment, silicon wafers are obtained which have surfaces which are highly parallel as compared with lapping processed silicon wafers. As Fig. 12 shows, it is e.g. B. possible to obtain a TTV of 0.66 µm (electrostatic capacitance instrument for measuring the flatness = (ADE) measured value). As a result, the etched amount is reduced compared to a lapped disk, e.g. B. it can be reduced to 2 µm. In addition, compared to a situation in which lapping is performed, the unevenness of the etched surface may e.g. B. reduced to 0.1 microns. Furthermore, the latter polishing operation can be performed by reducing the amount of polishing required to about 2 µm, and an SFQD of 0.1 mm can be easily achieved.

Zusätzlich überträgt die vorliegende Erfindung im Gegensatz zu Schleifverfahren, bei denen eine Seite nach der anderen geschliffen wird, Unebenheit nicht von der geschnittenen Fläche zu der Vorderseite der Scheibe. Im Ergebnis ist es nach dem Schleifvorgang möglich, die Siliziumscheibe ohne einen Läppvorgang zu ätzen. Zusätzlich wird, da die verbleibende Beschädigung 1/10 der durch den Läppvorgang erzeugten Beschädigung beträgt, die abgeätzte Menge reduziert, und die Verringerung der Ebenheit durch Ätzen wird erheblich verringert. Ferner weist die vorliegende Ausführungsform den Vorteil auf, daß Bruchstücke in der Schleiffläche mittels der Schleifflüssigkeit entfernt werden können.In addition, the present invention transmits in contrast to grinding processes where one side after the other is sanded, unevenness not from the cut Face to the front of the disc. As a result, it is possible after the grinding process, the silicon wafer without to etch a lapping process. In addition, since the remaining damage 1/10 of the lapping generated damage is the etched amount is reduced, and the flatness is reduced by etching significantly reduced. Furthermore, the present Embodiment the advantage that fragments in the Grinding surface can be removed using the grinding fluid can.

Da die vorliegende Erfindung wie oben beschrieben aufgebaut ist, bietet sie die folgenden Vorteile.Because the present invention is constructed as described above it offers the following advantages.

Bei dem Herstellungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung ist es verglichen mit einem Verfahren, bei dem ein Läppen durchgeführt wird, möglich, eine Siliziumscheibe mit einem Ausmaß an Ebenheit herzustellen, das erforderlich ist, wenn insbesondere hochintegrierte Einheiten mit 1 G bit oder mehr hergestellt werden. Ferner ist es möglich, die abgeätzte Menge zu reduzieren, ebenso wie es möglich ist, die Unebenheit der geätzten Fläche zu reduzieren. Ferner kann der Poliervorgang mit weniger Polieren vollendet werden. Das zeitaufwendige Waschen nach dem Läppen ist nicht notwendig, und es ist nicht notwendig, die Wasch- und Läppschritte durchzuführen, die bei dem Schleifen einer Fläche nach der anderen durchgeführt werden.In the manufacturing process according to the present Invention is compared to a method in which a Lapping is performed, possible using a silicon wafer to produce a level of flatness that is required  if in particular highly integrated units with 1 G bit or be made more. It is also possible to use the etched off Reduce amount as much as it is possible to Reduce unevenness of the etched surface. Furthermore, the Polishing process can be accomplished with less polishing. The time-consuming washing after lapping is not necessary and there is no need for the washing and lapping steps perform that when grinding a surface after the others.

Zusätzlich ist es möglich, Erhöhungen der Temperatur der Siliziumscheibe zu verhindern und gleichmäßig zu steuern. Es ist möglich, die Dicke der Siliziumscheibe und die verbleibende Beschädigung über die gesamte Oberfläche der Siliziumscheibe gleichmäßig zu machen; und es ist möglich, die gesamte Oberfläche der Siliziumscheibe flach zu machen, wodurch Verwerfung verringert wird.In addition, it is possible to increase the temperature of the Prevent silicon wafer and control it evenly. It is possible the thickness of the silicon wafer and the remaining damage over the entire surface of the Make silicon wafer even; and it is possible to make the entire surface of the silicon wafer flat thereby reducing fault.

Ferner ist es, da die Beschädigungsschicht an der Siliziumscheibe nach dem Schleifen beider Seiten klein ist, möglich, die Beschädigungsschicht mittels eines chemomechanischen Polierens mit langsamer Geschwindigkeit zu entfernen, und die Schleifbeschädigung kann durch Grobpolieren der Rückseite oder durch gleichzeitiges Polieren sowohl der Vorder- als auch der Rückseite entfernt werden. Darüber hinaus kann eine Siliziumscheibe mit zwei polierten Flächen bei geringen Kosten hergestellt werden.It is also because the damage layer on the Silicon wafer is small after grinding both sides, possible to damage the layer by means of a chemomechanical polishing at slow speed remove, and the grinding damage can by Roughly polish the back or by polishing at the same time both the front and back are removed. In addition, a silicon wafer can be polished with two Areas can be produced at low cost.

Die Herstellungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung kann das beschriebene Herstellungsverfahren leicht umsetzen, und mittels des Betriebs der jeweiligen Antriebseinrichtung dreht sich der obere Schleifstein und der untere Schleifstein, und darüber hinaus können mittels der Satellitenbewegung der die Siliziumscheiben haltenden Träger beide Seiten der Siliziumscheibe gleichmäßig geschliffen werden, und es ist möglich, eine Schleifvorrichtung mit kleiner Größe auszubilden. The manufacturing apparatus of the present invention can easily implement the manufacturing process described, and by means of the operation of the respective drive device the upper grindstone and the lower grindstone, and In addition, the satellite movement of the Silicon wafers holding both sides of the Silicon wafer to be ground evenly, and it is possible a grinder with small size to train.  

Ferner kann mittels der Temperatursteuerungseinrichtung Schleifflüssigkeit zu der Mitte und den Randflächenseiten der Siliziumscheibe von der inneren Randseite des oberen Schleifsteins und des unteren Schleifsteins und von den Schleifflächen des oberen Schleifsteins bzw. des unteren Schleifsteins zugeführt werden, und dann wird diese Schleifflüssigkeit zu der gesamten oberen und unteren Fläche der Siliziumscheibe mittels der Zentrifugalkraft des oberen Schleifsteins und des unteren Schleifsteins zugeführt. Als Ergebnis dieser Zuführung werden die Vorteile erhalten, daß die Temperatur der gesamten oberen und unteren Fläche der Siliziumscheibe mit hoher Sicherheit gesteuert werden kann, daß die an beiden Flächen verbleibende Beschädigung gleichmäßig ausgebildet wird, und daß Verwerfung verringert wird.Furthermore, by means of the temperature control device Grinding liquid to the middle and the edge sides of the Silicon wafer from the inner edge of the top Grindstone and the lower grindstone and of the Grinding surfaces of the upper grindstone or the lower one Grindstones are fed, and then this Grinding liquid to the entire upper and lower surface the silicon wafer by means of the centrifugal force of the upper one Grindstone and the lower grindstone fed. As As a result of this feeding, the advantages are obtained that the temperature of the entire upper and lower surface of the Silicon wafer can be controlled with high security that the damage remaining on both surfaces is formed evenly, and that warpage is reduced becomes.

Ferner wird eine Biegung des Trägers infolge des Drucks der Schleifflüssigkeit durch das Halten der Ränder des Trägers auf der Seite des Sonnenrades durch das obere und untere Abstandsstück verhindert.Furthermore, bending of the beam due to the pressure of the Grinding fluid by holding the edges of the wearer on the side of the sun gear through the top and bottom Spacer prevented.

Claims (10)

1. Verfahren zur Herstellung einer Siliziumscheibe mit:
einem Schneidvorgang, bei dem durch Schneiden eines Einkristall-Siliziumbarrens eine Siliziumscheibe erhalten wird; und
einem gleichzeitigen Schleifvorgang zweier Flächen, bei dem eine Vorder- und eine Rückseite der Siliziumscheibe gleichzeitig geschliffen werden.1. Method for producing a silicon wafer with:
a cutting operation in which a silicon wafer is obtained by cutting a single crystal silicon ingot; and
a simultaneous grinding process of two surfaces, in which a front and a back of the silicon wafer are ground simultaneously. 2. Verfahren zur Herstellung einer Siliziumscheibe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei dem gleichzeitigen Schleifvorgang zweier Flächen die Siliziumscheibe zwischen einem oberen Schleifstein und einem unteren Schleifstein einer Schleifeinrichtung für zwei Flächen gehalten wird, und daß, wenn sowohl die Vorder- als auch die Rückseite der Siliziumscheibe gleichzeitig geschliffen werden, eine Schleifflüssigkeit zu der Gesamtheit sowohl der Vorder- als auch der Rückseite der Siliziumscheibe zugeführt wird.2. Process for the production of a silicon wafer Claim 1 characterized in that with the simultaneous grinding process of two surfaces Silicon disk between an upper grindstone and a lower grindstone of a grinder for two areas is held, and that if both the Front and back of the silicon wafer be ground at the same time, a grinding fluid to the entirety of both the front and the front Back of the silicon wafer is fed. 3. Verfahren zur Herstellung einer Siliziumscheibe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei dem gleichzeitigen Schleifvorgang zweier Flächen die Temperatur der Vorder- und der Rückseite der Siliziumscheibe gesteuert wird.3. Process for the production of a silicon wafer Claim 1 or 2, characterized in that with the simultaneous grinding process of two surfaces Temperature of the front and back of the Silicon wafer is controlled. 4. Verfahren zur Herstellung einer Siliziumscheibe nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem gleichzeitigen Schleifvorgang zweier Flächen die Siliziumscheibe geätzt wird, um die Schleifbeschädigung zu entfernen, und daß zusätzlich beide Seiten der Siliziumscheibe poliert werden.4. Process for the production of a silicon wafer one of the preceding claims, characterized in that  after the simultaneous grinding process of two surfaces Silicon wafer is etched to prevent grinding damage to remove, and that in addition both sides of the Silicon wafer to be polished. 5. Vorrichtung zur Herstellung einer Siliziumscheibe mit
einer Schleifeinrichtung für zwei Flächen, die eine Siliziumscheibe (1) zwischen einem plattenförmigen oberen Schleifstein (13) und einem plattenförmigen unteren Schleifstein (12) hält und gleichzeitig eine Vorderseite und eine Rückseite der Siliziumscheibe (1) schleift; und
einer Temperatursteuerungseinrichtung, die während des Schleifens die Temperatur der Vorderseite und der Rückseite der Siliziumscheibe (1) steuert.5. Device for producing a silicon wafer
a grinding device for two surfaces, which holds a silicon wafer ( 1 ) between a plate-shaped upper grinding stone ( 13 ) and a plate-shaped lower grinding stone ( 12 ) and simultaneously grinds a front side and a rear side of the silicon wheel ( 1 ); and
a temperature control device which controls the temperature of the front and the back of the silicon wafer ( 1 ) during grinding. 6. Vorrichtung zur Herstellung einer Siliziumscheibe nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatursteuerungseinrichtung die Temperatur der Vorder- und Rückseite der Siliziumscheibe (1) während des Schleifens durch die Schleifeinrichtung für zwei Flächen durch die Zuführung einer Schleifflüssigkeit zu der Gesamtheit der Vorder- und Rückseite der Siliziumscheibe (1) steuert.6. A device for producing a silicon wafer according to claim 5, characterized in that the temperature control device, the temperature of the front and rear of the silicon wafer ( 1 ) during grinding by the grinding device for two surfaces by the supply of a grinding fluid to the entirety of the front and Controls back of the silicon wafer ( 1 ). 7. Vorrichtung zur Herstellung einer Siliziumscheibe nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatursteuerungseinrichtung folgendes aufweist:
eine Wasserpfanne (W), die mittels einer Innenrandfläche des oberen Schleifsteins (13) und des unteren Schleifsteins (12) festgelegt wird;
mehrere Durchgänge für Schleifflüssigkeit, die jeweils in dem oberen Schleifstein (13) und dem unteren Schleifstein (12) zur Zufuhr der Schleifflüssigkeit zu einer jeden der geschliffenen Flächen der Siliziumscheibe (1) ausgebildet sind; und eine Zuführung für Schleifflüssigkeit zum Zuführen von Schleifflüssigkeit zu der Wasserpfanne (W) und den Durchgängen für Schleifflüssigkeit.7. A device for producing a silicon wafer according to claim 6, characterized in that the temperature control device has the following:
a water pan (W) defined by an inner peripheral surface of the upper grindstone ( 13 ) and the lower grindstone ( 12 );
a plurality of grinding liquid passages each formed in the upper grinding stone ( 13 ) and the lower grinding stone ( 12 ) for supplying the grinding liquid to each of the ground surfaces of the silicon wafer ( 1 ); and a grinding liquid supply for supplying grinding liquid to the water pan (W) and the passages for grinding liquid. 8. Vorrichtung zur Herstellung einer Siliziumscheibe nach zumindest einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Schleifeinrichtung für zwei Flächen folgendes aufweist:
einen oberen Schleifstein (13) und einen unteren Schleifstein (12), die horizontal in einer zueinander parallelen Anordnung angeordnet sind, wobei jeweils gegenüberliegende Flächen der Schleifsteine (13, 12) die Schleifflächen darstellen, und wobei jeweils mittels der Schleifflächen die Vorder- und die Rückseite der Siliziumscheibe (1) geschliffen werden;
eine jeweilige Antriebseinrichtung (8, 8a, 10; 25, 26, 12A, 4; 5, 5a) für eine Bewegung des oberen Schleifsteins (13) und der Siliziumscheibe (1) in einer horizontalen Ebene relativ zueinander und für eine Bewegung des unteren Schleifsteins (12) und der Siliziumscheibe (1) in einer horizontalen Ebene relativ zueinander; und
eine Druckeinrichtung (9) zum Drücken des oberen Schleifsteins (13) auf die an den unteren Schleifstein (12) angebrachte Siliziumscheibe (1).8. Device for producing a silicon wafer according to at least one of claims 5 to 7, characterized in that the grinding device has the following for two surfaces:
an upper grindstone ( 13 ) and a lower grindstone ( 12 ), which are arranged horizontally in a mutually parallel arrangement, wherein opposite surfaces of the grindstones ( 13 , 12 ) each represent the grinded surfaces, and wherein the front and the respective Back of the silicon wafer ( 1 ) are ground;
a respective drive device ( 8 , 8 a, 10 ; 25 , 26 , 12 A, 4 ; 5 , 5 a) for movement of the upper grindstone ( 13 ) and the silicon wafer ( 1 ) in a horizontal plane relative to one another and for movement the lower grindstone ( 12 ) and the silicon wafer ( 1 ) in a horizontal plane relative to each other; and
a pressure device ( 9 ) for pressing the upper grindstone ( 13 ) onto the silicon wheel ( 1 ) attached to the lower grindstone ( 12 ). 9. Vorrichtung zur Herstellung einer Siliziumscheibe nach zumindest einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß
die Siliziumscheiben (1) in Trägern (14) gehalten werden, die Außenrand-Getriebeverzahnungen aufweisen; und daß
der obere Schleifstein (13) und der untere Schleifstein (12) eine jeweils in ihren Mitten vorgesehene Ausnehmung (13B, 12B) aufweisen;
und daß die jeweilige Antriebseinrichtung folgendes aufweist:
ein Sonnenrad (12A), das in den Ausnehmungen (13B, 12B) derart vorgesehen ist, daß das Sonnenrad (12A) mit der Außenrand-Getriebeverzahnung des Trägers (14) in Verbindung steht;
ein ringförmiges Innenrand-Zahnrad (17) zum Drehen und Rotieren des Trägers (14) um das Sonnenrad (12A), das an der äußeren Seite des oberen Schleifsteins (13) und des unteren Schleifsteins (12) derart vorgesehen ist, daß das ringförmige Innenrand-Zahnrad (17) mit der Außenrand-Ge­ triebeverzahnung des Trägers (14) in Eingriff steht; und
einen Antriebsmechanismus (4; 25, 26) zum Drehen des Sonnenrades (12A) und des ringförmigen Innenrand-Zahn­ rades (17).9. A device for producing a silicon wafer according to at least one of claims 5 to 8, characterized in that
the silicon wafers ( 1 ) are held in supports ( 14 ) which have external gear teeth; and that
the upper grindstone ( 13 ) and the lower grindstone ( 12 ) each have a recess ( 13 B, 12 B) provided in their centers;
and that the respective drive device has the following:
a sun gear ( 12 A) which is provided in the recesses ( 13 B, 12 B) in such a way that the sun gear ( 12 A) communicates with the outer-edge gear toothing of the carrier ( 14 );
an annular inner edge gear ( 17 ) for rotating and rotating the carrier ( 14 ) around the sun gear ( 12 A), which is provided on the outer side of the upper grindstone ( 13 ) and the lower grindstone ( 12 ) such that the annular Inner edge gear ( 17 ) with the outer edge Ge gear teeth of the carrier ( 14 ) is engaged; and
a drive mechanism ( 4 ; 25 , 26 ) for rotating the sun gear ( 12 A) and the ring-shaped inner rim gear ( 17 ). 10. Vorrichtung zur Herstellung einer Siliziumscheibe nach zumindest einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß ein Paar oberer und unterer Abstandsstücke (13A, 12C) für eine vertikale Stützung und ein Halten des am nächsten an dem Sonnenrad (12A), befindlichen Randes des Trägers (14) vorgesehen sind.10. A device for producing a silicon wafer according to at least one of claims 5 to 9, characterized in that a pair of upper and lower spacers ( 13 A, 12 C) for vertical support and holding the closest to the sun gear ( 12 A) , located edge of the carrier ( 14 ) are provided.