JPH09246633A - 光通信用光源装置 - Google Patents
光通信用光源装置Info
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- JPH09246633A JPH09246633A JP4865896A JP4865896A JPH09246633A JP H09246633 A JPH09246633 A JP H09246633A JP 4865896 A JP4865896 A JP 4865896A JP 4865896 A JP4865896 A JP 4865896A JP H09246633 A JPH09246633 A JP H09246633A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0121—Operation of devices; Circuit arrangements, not otherwise provided for in this subclass
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 入力された電気信号を忠実に光信号に変換
し、光信号を送信すること。 【解決手段】 電気信号に応じて光を強度変調する手段
として電界吸収型光変調器2を用いる光通信用光源装置
において、電界吸収型光変調器2への電気信号入力回路
に、インダクタンスを有する回路5とレジスタンスを有
する回路6を並列に接続したインピーダンス整合回路7
を設ける。
し、光信号を送信すること。 【解決手段】 電気信号に応じて光を強度変調する手段
として電界吸収型光変調器2を用いる光通信用光源装置
において、電界吸収型光変調器2への電気信号入力回路
に、インダクタンスを有する回路5とレジスタンスを有
する回路6を並列に接続したインピーダンス整合回路7
を設ける。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、電気信号を光信
号に変換して光信号を伝送する光通信用光源装置に関
し、特に電界吸収型光変調器を使用する型式の光通信用
光源装置に関するものである。
号に変換して光信号を伝送する光通信用光源装置に関
し、特に電界吸収型光変調器を使用する型式の光通信用
光源装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電界吸収型光変調器を用いた直接変調方
式の光通信用光源装置として、特開平7−74420号
公報に示されているようなものが知られている。図22
は特開平7−74420号公報に示されている光通信用
光源装置の等価回路である。この光通信用光源装置は、
半導体レーザダイオード54と、電界吸収型光変調器5
5と、半導体レーザダイオード54を発光させるための
定電流源56と、電界吸収型光変調器55に印加する電
圧を発生するための終端抵抗57とを具備している。
式の光通信用光源装置として、特開平7−74420号
公報に示されているようなものが知られている。図22
は特開平7−74420号公報に示されている光通信用
光源装置の等価回路である。この光通信用光源装置は、
半導体レーザダイオード54と、電界吸収型光変調器5
5と、半導体レーザダイオード54を発光させるための
定電流源56と、電界吸収型光変調器55に印加する電
圧を発生するための終端抵抗57とを具備している。
【0003】この光通信用光源装置では、信号入力端子
に入力された電気信号を終端抵抗57によって終端し、
終端抵抗57の両端に発生した電圧を電界吸収型光変調
器55に印加し、電界吸収型光変調器55の光吸収量を
変えて、定電流源56による電流によって発光した半導
体レーザダイオード54からの入射光を強度変調するこ
とで電気信号を光信号に変換し、光信号を送信する。
に入力された電気信号を終端抵抗57によって終端し、
終端抵抗57の両端に発生した電圧を電界吸収型光変調
器55に印加し、電界吸収型光変調器55の光吸収量を
変えて、定電流源56による電流によって発光した半導
体レーザダイオード54からの入射光を強度変調するこ
とで電気信号を光信号に変換し、光信号を送信する。
【0004】図23は特開平7−74420号公報に示
された光通信用光源装置の実装の様子を示している。素
子マウント58上に半導体レーザダイオード54と電界
吸収型光変調器55とがマウントされている。素子マウ
ント58上には電極60が形成されており、電極60
は、ボンディングワイヤ60a、60bによって電気信
号伝送ライン59と電界吸収型光変調器55の電極61
とに導通接続され、電気信号伝送ライン59より電界吸
収型光変調器55に導く電気信号を中継する。
された光通信用光源装置の実装の様子を示している。素
子マウント58上に半導体レーザダイオード54と電界
吸収型光変調器55とがマウントされている。素子マウ
ント58上には電極60が形成されており、電極60
は、ボンディングワイヤ60a、60bによって電気信
号伝送ライン59と電界吸収型光変調器55の電極61
とに導通接続され、電気信号伝送ライン59より電界吸
収型光変調器55に導く電気信号を中継する。
【0005】素子マウント58上の電極60および電界
吸収型光変調器55の電極61の電極面積は、寄生容量
低減のため、なるべく小さくなるように設計される。
吸収型光変調器55の電極61の電極面積は、寄生容量
低減のため、なるべく小さくなるように設計される。
【0006】外部変調器を用いた光通信用光源装置とし
て、特開平4−215486号公報に示されているよう
にものが知られている。図24は特開平4−21548
6号公報に示されている光通信用光源装置である。この
光通信用光源装置は、外部変調器55aへの入力電気信
号の時間微分信号を生成する微分回路62を含んでい
る。
て、特開平4−215486号公報に示されているよう
にものが知られている。図24は特開平4−21548
6号公報に示されている光通信用光源装置である。この
光通信用光源装置は、外部変調器55aへの入力電気信
号の時間微分信号を生成する微分回路62を含んでい
る。
【0007】外部変調器55aは、強度変調を行う際
に、出射光出力の変化に比例した光周波数変化(波長変
化)を生じる特性を有しているから、入力電流に応じて
波長が変化する半導体レーザダイオードに微分回路62
により生成した入力電気信号の時間微分信号を入力して
外部変調器55aによる波長変化を打ち消し、光通信用
光源装置からの出射光の波長広がりを低減している。微
分回路62は、CRによる微分回路構成、あるいは、1
ビット以下の遅延時間を与えて差をとる構成になってい
る。
に、出射光出力の変化に比例した光周波数変化(波長変
化)を生じる特性を有しているから、入力電流に応じて
波長が変化する半導体レーザダイオードに微分回路62
により生成した入力電気信号の時間微分信号を入力して
外部変調器55aによる波長変化を打ち消し、光通信用
光源装置からの出射光の波長広がりを低減している。微
分回路62は、CRによる微分回路構成、あるいは、1
ビット以下の遅延時間を与えて差をとる構成になってい
る。
【0008】図25は、T. Iwai らによって、JOURNAL
OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, VOL. 13, NO. 8, pp1606-16
12, 1995に示された電界吸収型光変調器を用いた光アナ
ログ通信用光源装置である。この光アナログ通信用光源
装置は、半導体レーザダイオード54と、電界吸収型光
変調器55と、アナログ電気信号を発生する信号源63
と、アナログ電気信号を増幅する増幅器64と、増幅器
64からの電気信号を分配する分配器65と、電界吸収
型光変調器55の出射光を分岐する分波器66と、分波
器66により分岐された光を電気信号に変換する光電気
変換器67と、光電気変換器67により変換された電気
信号と分配器65により分配された電気信号から電界吸
収型光変調器55で発生した歪み成分を取り出す減算器
68と、減算器68で取り出した歪み成分に相当する光
を発生する半導体レーザダイオード69と、半導体レー
ザダイオード69で発生した歪み成分に相当する光を逆
相で主信号に合波する合波器70とにより構成されてい
る。
OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, VOL. 13, NO. 8, pp1606-16
12, 1995に示された電界吸収型光変調器を用いた光アナ
ログ通信用光源装置である。この光アナログ通信用光源
装置は、半導体レーザダイオード54と、電界吸収型光
変調器55と、アナログ電気信号を発生する信号源63
と、アナログ電気信号を増幅する増幅器64と、増幅器
64からの電気信号を分配する分配器65と、電界吸収
型光変調器55の出射光を分岐する分波器66と、分波
器66により分岐された光を電気信号に変換する光電気
変換器67と、光電気変換器67により変換された電気
信号と分配器65により分配された電気信号から電界吸
収型光変調器55で発生した歪み成分を取り出す減算器
68と、減算器68で取り出した歪み成分に相当する光
を発生する半導体レーザダイオード69と、半導体レー
ザダイオード69で発生した歪み成分に相当する光を逆
相で主信号に合波する合波器70とにより構成されてい
る。
【0009】この光アナログ通信用光源装置では、アナ
ログ電気信号源63からのアナログ電気信号は、増幅器
64によって増幅され、分配器65により電界吸収型光
変調器55と減算器68とに分配される。電界吸収型光
変調器55によって光アナログ信号に変換された光は、
分波器66により分波され、光電気変換器67により電
気信号に変換される。この電気信号と分配器65により
分配されたアナログ電気信号が減算器68に入力される
ことにより、電界吸収型光変調器55による光信号波形
の歪み成分の取り出しが行われる。
ログ電気信号源63からのアナログ電気信号は、増幅器
64によって増幅され、分配器65により電界吸収型光
変調器55と減算器68とに分配される。電界吸収型光
変調器55によって光アナログ信号に変換された光は、
分波器66により分波され、光電気変換器67により電
気信号に変換される。この電気信号と分配器65により
分配されたアナログ電気信号が減算器68に入力される
ことにより、電界吸収型光変調器55による光信号波形
の歪み成分の取り出しが行われる。
【0010】この歪み成分に相当する電流により半導体
レーザダイオード69が駆動され、半導体レーザダイオ
ード69が発生する補償用の光が合波器70によって主
信号に逆相で合波することにより、電界吸収型光変調器
55による変調歪みが補償され、変調歪みのない光信号
が得られる。
レーザダイオード69が駆動され、半導体レーザダイオ
ード69が発生する補償用の光が合波器70によって主
信号に逆相で合波することにより、電界吸収型光変調器
55による変調歪みが補償され、変調歪みのない光信号
が得られる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】図22に示されている
ような、電界吸収型光変調器を用いた従来の直接変調方
式の光通信用光源装置では、電界吸収型光変調器55は
電気的にコンデンサと等価であるため、電気信号が高周
波になるに従い、電界吸収型光変調器55のインピーダ
ンスが低下し、変調信号が電界吸収型光変調器55を通
過するようになって終端抵抗57を流れる電気信号が少
なくなる。このため電気信号が高周波になるに従い、終
端抵抗57の両端に発生する電圧が小さくなり、十分な
電圧を電界吸収型光変調器55に印加することができな
くなると云う問題点がある。
ような、電界吸収型光変調器を用いた従来の直接変調方
式の光通信用光源装置では、電界吸収型光変調器55は
電気的にコンデンサと等価であるため、電気信号が高周
波になるに従い、電界吸収型光変調器55のインピーダ
ンスが低下し、変調信号が電界吸収型光変調器55を通
過するようになって終端抵抗57を流れる電気信号が少
なくなる。このため電気信号が高周波になるに従い、終
端抵抗57の両端に発生する電圧が小さくなり、十分な
電圧を電界吸収型光変調器55に印加することができな
くなると云う問題点がある。
【0012】また、従来の光通信用光源装置は、図23
に示されているように構成されているため、電気信号伝
送ライン59と素子マウント58の電極60との間のボ
ンディングワイヤ60a、あるいは素子マウント58の
電極60と光変調器55の電極61との間のボンディン
グワイヤ60bを短くすることができず、電気信号が高
周波になるに従って、ボンディングワイヤ60a、60
bのインダクタンスの影響により、周波数応答特性が劣
化してくると云う問題点がある。また、素子マウント5
8の電極60と光変調器55の電極61の寄生容量も、
可及的に小さく設計されるものの全くなくすことはでき
ず、周波数応答特性を劣化する原因になる。
に示されているように構成されているため、電気信号伝
送ライン59と素子マウント58の電極60との間のボ
ンディングワイヤ60a、あるいは素子マウント58の
電極60と光変調器55の電極61との間のボンディン
グワイヤ60bを短くすることができず、電気信号が高
周波になるに従って、ボンディングワイヤ60a、60
bのインダクタンスの影響により、周波数応答特性が劣
化してくると云う問題点がある。また、素子マウント5
8の電極60と光変調器55の電極61の寄生容量も、
可及的に小さく設計されるものの全くなくすことはでき
ず、周波数応答特性を劣化する原因になる。
【0013】図24に示されているような外部変調器5
5aを用いた従来の光通信用光源装置では、微分回路が
CRによる構成あるいは1ビット以下の遅延時間を与え
て差をとる構成になっているので、回路が複雑になると
云う問題点がある。
5aを用いた従来の光通信用光源装置では、微分回路が
CRによる構成あるいは1ビット以下の遅延時間を与え
て差をとる構成になっているので、回路が複雑になると
云う問題点がある。
【0014】図25に示されているような電界吸収型光
変調器を用いた従来の光アナログ通信用光源装置は、上
述のように構成されているため、ある周波数範囲の信号
に対しては主信号と歪み成分の信号の位相を所定の関係
に合わせることができるが、広帯域な信号に対しては信
号線路での位相変化が異なるため、十分な変調歪み補償
効果が得られないと云う問題点がある。また、光アナロ
グ信号を電気信号に変換しているため、信号の周波数が
高くなると、歪み補償回路を作ることが難しいと云う問
題点がある。
変調器を用いた従来の光アナログ通信用光源装置は、上
述のように構成されているため、ある周波数範囲の信号
に対しては主信号と歪み成分の信号の位相を所定の関係
に合わせることができるが、広帯域な信号に対しては信
号線路での位相変化が異なるため、十分な変調歪み補償
効果が得られないと云う問題点がある。また、光アナロ
グ信号を電気信号に変換しているため、信号の周波数が
高くなると、歪み補償回路を作ることが難しいと云う問
題点がある。
【0015】この発明は、従来の光通信用光源装置に於
ける上述の如き問題点に着目してなされたものであり、
高周波でのインピーダンス低下を防止し、電気信号が高
周波化されても十分な電圧を電界吸収型光変調器に印加
して電気信号を光信号に忠実に変換でき、またボンディ
ングワイヤのインダクタンスの影響による周波数応答特
性の劣化が少ないことによっても電気信号を光信号に忠
実に変換でき、外部変調器の場合には特別な回路を使用
することなく光信号の波長変化を回避でき、また広帯域
な信号に対して変調歪みの少ない良好な光信号を得るこ
とができる光通信用光源装置を得ることを目的としてい
る。
ける上述の如き問題点に着目してなされたものであり、
高周波でのインピーダンス低下を防止し、電気信号が高
周波化されても十分な電圧を電界吸収型光変調器に印加
して電気信号を光信号に忠実に変換でき、またボンディ
ングワイヤのインダクタンスの影響による周波数応答特
性の劣化が少ないことによっても電気信号を光信号に忠
実に変換でき、外部変調器の場合には特別な回路を使用
することなく光信号の波長変化を回避でき、また広帯域
な信号に対して変調歪みの少ない良好な光信号を得るこ
とができる光通信用光源装置を得ることを目的としてい
る。
【0016】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、この発明による光通信用光源装置は、電気信号に
応じて光を強度変調する手段として電界吸収型光変調器
を用いる光通信用光源装置において、前記電界吸収型光
変調器への電気信号の入力回路に、インダクタンスを有
する回路とレジスタンスを有する回路を並列に接続した
インピーダンス整合回路を有しているものである。
めに、この発明による光通信用光源装置は、電気信号に
応じて光を強度変調する手段として電界吸収型光変調器
を用いる光通信用光源装置において、前記電界吸収型光
変調器への電気信号の入力回路に、インダクタンスを有
する回路とレジスタンスを有する回路を並列に接続した
インピーダンス整合回路を有しているものである。
【0017】この発明による光通信用光源装置では、イ
ンピーダンス整合回路のインピーダンス/周波数特性に
より電界吸収型光変調器の高調波でのインピーダンスの
低下が補償される。
ンピーダンス整合回路のインピーダンス/周波数特性に
より電界吸収型光変調器の高調波でのインピーダンスの
低下が補償される。
【0018】つぎの発明による光通信用光源装置は、前
記インピーダンス整合回路の、前記インダクタンスを有
する回路はワイヤまたはリボンまたは基板上の金属パタ
ーンであり、前記レジスタンスを有する回路が抵抗であ
るものである。
記インピーダンス整合回路の、前記インダクタンスを有
する回路はワイヤまたはリボンまたは基板上の金属パタ
ーンであり、前記レジスタンスを有する回路が抵抗であ
るものである。
【0019】この発明による光通信用光源装置では、イ
ンピーダンス整合回路のインダクタンスを有する回路と
してワイヤまたはリボンまたは基板上の金属パターン
を、またレジスタンスを有する回路として抵抗をそれぞ
れ用いるため、低周波ではワイヤまたはリボンまたは基
板上の金属パターンによりインピーダンスが0となり、
高周波になるに従いインダクタンスの影響により徐々に
インピーダンスが大きくなり、電界吸収型光変調器の高
調波でのインピーダンスの低下が補償される。
ンピーダンス整合回路のインダクタンスを有する回路と
してワイヤまたはリボンまたは基板上の金属パターン
を、またレジスタンスを有する回路として抵抗をそれぞ
れ用いるため、低周波ではワイヤまたはリボンまたは基
板上の金属パターンによりインピーダンスが0となり、
高周波になるに従いインダクタンスの影響により徐々に
インピーダンスが大きくなり、電界吸収型光変調器の高
調波でのインピーダンスの低下が補償される。
【0020】つぎの発明による光通信用光源装置は、前
記電気信号の情報伝送速度をRbビット/秒としたとき
に、前記インピーダンス整合回路が前記電界吸収型光変
調器からRbヘルツの正弦波の電気長の半分以下の距離
に設けられているものである。
記電気信号の情報伝送速度をRbビット/秒としたとき
に、前記インピーダンス整合回路が前記電界吸収型光変
調器からRbヘルツの正弦波の電気長の半分以下の距離
に設けられているものである。
【0021】この発明による光通信用光源装置では、イ
ンピーダンス整合回路を、電界吸収型光変調器から伝送
速度で決まる電気長の半分以下の距離に設けるため、電
気信号にとって、インピーダンス整合回路と電界吸収型
光変調器を一つの回路と見なすことができ、電気信号の
反射を低減することができる。
ンピーダンス整合回路を、電界吸収型光変調器から伝送
速度で決まる電気長の半分以下の距離に設けるため、電
気信号にとって、インピーダンス整合回路と電界吸収型
光変調器を一つの回路と見なすことができ、電気信号の
反射を低減することができる。
【0022】つぎの発明による光通信用光源装置は、電
気信号に応じた光信号を発生する光半導体素子を搭載す
る素子マウントにおいて、前記素子マウントに搭載した
前記光半導体素子の電極の高さ位置と、前記素子マウン
トに設けられて前記光半導体素子の電極とワイヤボンデ
ィングされる電極の高さ位置とが互いに等しいものであ
る。
気信号に応じた光信号を発生する光半導体素子を搭載す
る素子マウントにおいて、前記素子マウントに搭載した
前記光半導体素子の電極の高さ位置と、前記素子マウン
トに設けられて前記光半導体素子の電極とワイヤボンデ
ィングされる電極の高さ位置とが互いに等しいものであ
る。
【0023】この発明による光通信用光源装置では、素
子マウントに搭載した光半導体素子の電極の高さ位置
と、素子マウントの電極の高さ位置とが等しいため、光
半導体素子の電極と素子マウントの電極とを接続するボ
ンディングワイヤの長さを最小にすることができる。
子マウントに搭載した光半導体素子の電極の高さ位置
と、素子マウントの電極の高さ位置とが等しいため、光
半導体素子の電極と素子マウントの電極とを接続するボ
ンディングワイヤの長さを最小にすることができる。
【0024】つぎの発明による光通信用光源装置は、電
気信号を伝送するラインの電極の高さ位置と、前記光半
導体素子の電極の高さ位置とが互いに等しいものであ
る。
気信号を伝送するラインの電極の高さ位置と、前記光半
導体素子の電極の高さ位置とが互いに等しいものであ
る。
【0025】この発明による光通信用光源装置では、素
子マウントに電気信号を入力する電気信号入力ラインの
電極の高さ位置と光半導体素子の電極の高さ位置とを等
しくしているため、電気信号入力ラインの電極と光半導
体素子の電極とを接続するボンディングワイヤの長さを
最小にすることができる。
子マウントに電気信号を入力する電気信号入力ラインの
電極の高さ位置と光半導体素子の電極の高さ位置とを等
しくしているため、電気信号入力ラインの電極と光半導
体素子の電極とを接続するボンディングワイヤの長さを
最小にすることができる。
【0026】つぎの発明による光通信用光源装置は、電
気信号に応じた光信号を発生する光半導体素子を搭載す
る素子マウントにおいて、前記電気信号を伝送するライ
ンの電極の特性インピーダンスと前記素子マウントの電
極の特性インピーダンスとが等しいものである。
気信号に応じた光信号を発生する光半導体素子を搭載す
る素子マウントにおいて、前記電気信号を伝送するライ
ンの電極の特性インピーダンスと前記素子マウントの電
極の特性インピーダンスとが等しいものである。
【0027】この発明による光通信用光源装置では、電
気信号伝送ラインの特性インピーダンスと、素子マウン
トの電極の特性インピーダンスを等しくしているため、
電気信号伝送ラインと素子マウントの接続点での反射を
低減することができ、また、素子マウントの電極が電気
信号伝送ラインの一部と見なすことができ、素子マウン
トの電極による寄生容量の問題点を無視することができ
る。
気信号伝送ラインの特性インピーダンスと、素子マウン
トの電極の特性インピーダンスを等しくしているため、
電気信号伝送ラインと素子マウントの接続点での反射を
低減することができ、また、素子マウントの電極が電気
信号伝送ラインの一部と見なすことができ、素子マウン
トの電極による寄生容量の問題点を無視することができ
る。
【0028】つぎの発明による光通信用光源装置は、電
気信号に応じた光信号を発生する光半導体素子におい
て、前記電気信号を伝送するラインの電極の特性インピ
ーダンスと前記光半導体素子の電極の特性インピーダン
スとが等しいものである。
気信号に応じた光信号を発生する光半導体素子におい
て、前記電気信号を伝送するラインの電極の特性インピ
ーダンスと前記光半導体素子の電極の特性インピーダン
スとが等しいものである。
【0029】この発明による光通信用光源装置では、電
気信号伝送ラインの特性インピーダンスと、光半導体素
子の電極の特性インピーダンスを等しくしているため、
電気信号伝送ラインと光半導体素子の接続点での反射を
低減することができ、また、光半導体素子の電極を電気
信号伝送ラインの一部と見なすことができ、光半導体素
子の電極による寄生容量の問題点を無視することができ
る。
気信号伝送ラインの特性インピーダンスと、光半導体素
子の電極の特性インピーダンスを等しくしているため、
電気信号伝送ラインと光半導体素子の接続点での反射を
低減することができ、また、光半導体素子の電極を電気
信号伝送ラインの一部と見なすことができ、光半導体素
子の電極による寄生容量の問題点を無視することができ
る。
【0030】つぎの発明による光通信用光源装置は、電
気信号に応じて光源よりの入射光を強度変調する外部変
調器と、前記電気信号の時間微分信号に応じて光周波数
を変調する光周波数変調手段とを有する光通信用光源装
置において、前記時間微分信号を生成する微分回路が前
記外部変調器に電気信号を導く伝送ラインと、前記伝送
ラインとの電気的な結合により前記電気信号より高周波
成分を取り出して前記光周波数変調手段に導く伝送ライ
ンとにより構成されているものである。
気信号に応じて光源よりの入射光を強度変調する外部変
調器と、前記電気信号の時間微分信号に応じて光周波数
を変調する光周波数変調手段とを有する光通信用光源装
置において、前記時間微分信号を生成する微分回路が前
記外部変調器に電気信号を導く伝送ラインと、前記伝送
ラインとの電気的な結合により前記電気信号より高周波
成分を取り出して前記光周波数変調手段に導く伝送ライ
ンとにより構成されているものである。
【0031】この発明による光通信用光源装置では、電
気信号の微分回路に、外部変調器への電気信号伝送ライ
ンと光周波数変調手段への伝送ラインとの電気的な結合
を用いているため、電気信号の高周波成分のみが光周波
数変調手段への伝送ラインに結合し、外部変調器によっ
て生じる波長変化を打ち消すように、周波数変調手段に
より光周波数(波長)を変化させることができる。
気信号の微分回路に、外部変調器への電気信号伝送ライ
ンと光周波数変調手段への伝送ラインとの電気的な結合
を用いているため、電気信号の高周波成分のみが光周波
数変調手段への伝送ラインに結合し、外部変調器によっ
て生じる波長変化を打ち消すように、周波数変調手段に
より光周波数(波長)を変化させることができる。
【0032】つぎの発明による光通信用光源装置は、電
気信号を増幅する増幅器と、光源と、電気信号に応じて
前記光源からの入射光を強度変調する電界吸収型光変調
器からなる光アナログ通信用光源装置において、前記増
幅器の変調歪みのレベルあるいは前記電界吸収型光変調
器のバイアス電圧あるいは前記光源の出射光の波長の少
なくとも何れか一つを調整し、前記電界吸収型光変調器
で発生する変調歪みのレベルと前記増幅器の変調歪みの
レベルとを等しくする調整・制御手段を有しているもの
である。
気信号を増幅する増幅器と、光源と、電気信号に応じて
前記光源からの入射光を強度変調する電界吸収型光変調
器からなる光アナログ通信用光源装置において、前記増
幅器の変調歪みのレベルあるいは前記電界吸収型光変調
器のバイアス電圧あるいは前記光源の出射光の波長の少
なくとも何れか一つを調整し、前記電界吸収型光変調器
で発生する変調歪みのレベルと前記増幅器の変調歪みの
レベルとを等しくする調整・制御手段を有しているもの
である。
【0033】この光通信用光源装置では、増幅器の変調
歪みのレベルを調整する手段を設けているため、増幅器
の変調歪みのレベルを電界吸収型光変調器で発生する変
調歪みのレベルと等しくすることができる。また、光源
の波長、電界吸収型光変調器のバイアス電圧を変えるこ
とによって電界吸収型光変調器で発生する変調歪みのレ
ベルを調整し、この変調歪みのレベルと増幅器の変調歪
みのレベルとを等しくすることもできる。増幅器の変調
歪みと電界吸収型光変調器で発生する変調歪みとは逆特
性を持っているため、互いの歪みレベルを合わせること
によって、歪みを相殺補償することができる。
歪みのレベルを調整する手段を設けているため、増幅器
の変調歪みのレベルを電界吸収型光変調器で発生する変
調歪みのレベルと等しくすることができる。また、光源
の波長、電界吸収型光変調器のバイアス電圧を変えるこ
とによって電界吸収型光変調器で発生する変調歪みのレ
ベルを調整し、この変調歪みのレベルと増幅器の変調歪
みのレベルとを等しくすることもできる。増幅器の変調
歪みと電界吸収型光変調器で発生する変調歪みとは逆特
性を持っているため、互いの歪みレベルを合わせること
によって、歪みを相殺補償することができる。
【0034】つぎの発明による光通信用光源装置は、電
気信号を増幅する増幅器と、光源と、電気信号に応じて
前記光源からの入射光を強度変調する電界吸収型光変調
器からなる光アナログ通信用光源装置において、前記増
幅器の入力電気信号に合波する歪み監視用変調波を発生
する歪み監視用変調波発生手段と、前記歪み監視用変調
波により前記電界吸収型光変調器の電極に発生する電気
信号の歪みレベルを検出する歪みレベル検出手段と、歪
みレベル検出手段で検出される歪みが小さくなるように
前記増幅器の変調歪みのレベルあるいは前記電界吸収型
光変調器のバイアス電圧あるいは前記光源の出射光の波
長の少なくとも何れか一つを調整する調整・制御手段を
有しているものである。
気信号を増幅する増幅器と、光源と、電気信号に応じて
前記光源からの入射光を強度変調する電界吸収型光変調
器からなる光アナログ通信用光源装置において、前記増
幅器の入力電気信号に合波する歪み監視用変調波を発生
する歪み監視用変調波発生手段と、前記歪み監視用変調
波により前記電界吸収型光変調器の電極に発生する電気
信号の歪みレベルを検出する歪みレベル検出手段と、歪
みレベル検出手段で検出される歪みが小さくなるように
前記増幅器の変調歪みのレベルあるいは前記電界吸収型
光変調器のバイアス電圧あるいは前記光源の出射光の波
長の少なくとも何れか一つを調整する調整・制御手段を
有しているものである。
【0035】この発明による光通信用光源装置では、増
幅器の入力電気信号に歪み監視用変調波を合波し、歪み
監視用変調波によって電界吸収型光変調器の電極に発生
する電気信号の歪みレベルを歪みレベル検出手段により
検出し、歪み監視用変調波による変調歪みが小さくなる
ように、増幅器の変調歪みのレベルを調整、または/お
よびレーザ光源の波長、電界吸収型光変調器のバイアス
電圧の少なくとも一つを変えて電界吸収型光変調器で発
生する変調歪みのレベルを調整するため、常に変調歪み
が最小になるようにすることができる。
幅器の入力電気信号に歪み監視用変調波を合波し、歪み
監視用変調波によって電界吸収型光変調器の電極に発生
する電気信号の歪みレベルを歪みレベル検出手段により
検出し、歪み監視用変調波による変調歪みが小さくなる
ように、増幅器の変調歪みのレベルを調整、または/お
よびレーザ光源の波長、電界吸収型光変調器のバイアス
電圧の少なくとも一つを変えて電界吸収型光変調器で発
生する変調歪みのレベルを調整するため、常に変調歪み
が最小になるようにすることができる。
【0036】つぎの発明による光通信用光源装置は、電
気信号を増幅する増幅器と、光源と、電気信号に応じて
前記光源からの入射光を強度変調する電界吸収型光変調
器からなる光アナログ通信用光源装置において、前記増
幅器の入力電気信号に合波する歪み監視用変調波を発生
する歪み監視用変調波発生手段と、前記電界吸収型光変
調器の電極に発生する電気信号の歪みの位相を検出する
位相検出手段と、前記位相検出手段によって検出される
歪みの位相が前記歪み監視用変調波に対して直交するよ
うに前記増幅器の変調歪みのレベルあるいは前記電界吸
収型光変調器のバイアス電圧あるいは前記光源の出射光
の波長の少なくとも何れか一つを調整する調整・制御手
段を有しているものである。
気信号を増幅する増幅器と、光源と、電気信号に応じて
前記光源からの入射光を強度変調する電界吸収型光変調
器からなる光アナログ通信用光源装置において、前記増
幅器の入力電気信号に合波する歪み監視用変調波を発生
する歪み監視用変調波発生手段と、前記電界吸収型光変
調器の電極に発生する電気信号の歪みの位相を検出する
位相検出手段と、前記位相検出手段によって検出される
歪みの位相が前記歪み監視用変調波に対して直交するよ
うに前記増幅器の変調歪みのレベルあるいは前記電界吸
収型光変調器のバイアス電圧あるいは前記光源の出射光
の波長の少なくとも何れか一つを調整する調整・制御手
段を有しているものである。
【0037】この発明による光通信用光源装置では、増
幅器の入力電気信号に歪み監視用変調波を合波し、歪み
監視用変調波により電界吸収型光変調器の電極に発生す
る電気信号の歪みの位相を位相検出手段により検出し、
歪み監視用変調波に対する歪み監視用変調波による変調
歪みの位相が直交するように、増幅器の変調歪みのレベ
ルを調整、または/およびレーザ光源の波長、電界吸収
型光変調器のバイアス電圧の少なくとも一つを変えて電
界吸収型光変調器で発生する変調歪みのレベルを調整す
るため、常に変調歪みが最小になるようにすることがで
きる。
幅器の入力電気信号に歪み監視用変調波を合波し、歪み
監視用変調波により電界吸収型光変調器の電極に発生す
る電気信号の歪みの位相を位相検出手段により検出し、
歪み監視用変調波に対する歪み監視用変調波による変調
歪みの位相が直交するように、増幅器の変調歪みのレベ
ルを調整、または/およびレーザ光源の波長、電界吸収
型光変調器のバイアス電圧の少なくとも一つを変えて電
界吸収型光変調器で発生する変調歪みのレベルを調整す
るため、常に変調歪みが最小になるようにすることがで
きる。
【0038】
(実施の形態1)図1はこの発明による光通信用光源装
置の実施の形態1を示している。この光通信用光源装置
は、半導体レーザダイオード1と、電界吸収型光変調器
2と、半導体レーザダイオード1を発光させるための定
電流源3と、電界吸収型光変調器2に印加する電圧を発
生するための終端抵抗4と、電界吸収型光変調器2と直
列に接続されたインピーダンス整合回路7とを有してい
る。
置の実施の形態1を示している。この光通信用光源装置
は、半導体レーザダイオード1と、電界吸収型光変調器
2と、半導体レーザダイオード1を発光させるための定
電流源3と、電界吸収型光変調器2に印加する電圧を発
生するための終端抵抗4と、電界吸収型光変調器2と直
列に接続されたインピーダンス整合回路7とを有してい
る。
【0039】インピーダンス整合回路7は、インダクタ
ンスを有する回路5と、レジスタンスを有する回路6と
を並列に接続してなる回路であり、図2に符号Aで示さ
れているように、高周波になるに従いインピーダンスが
大きくなる特性を有する。
ンスを有する回路5と、レジスタンスを有する回路6と
を並列に接続してなる回路であり、図2に符号Aで示さ
れているように、高周波になるに従いインピーダンスが
大きくなる特性を有する。
【0040】なお、図2において、符号Aはインピーダ
ンス整合回路7のインピーダンス/周波数特性を、符号
Bは電界吸収型光変調器2のインピーダンス/周波数特
性を、各々示しており、インピーダンス整合回路7のイ
ンピーダンス/周波数特性Aは電界吸収型光変調器2の
インピーダンス/周波数特性Bと相反する特性に設定さ
れている。
ンス整合回路7のインピーダンス/周波数特性を、符号
Bは電界吸収型光変調器2のインピーダンス/周波数特
性を、各々示しており、インピーダンス整合回路7のイ
ンピーダンス/周波数特性Aは電界吸収型光変調器2の
インピーダンス/周波数特性Bと相反する特性に設定さ
れている。
【0041】次に動作について説明する。
【0042】半導体レーザダイオード1は定電流源3に
よる電流によって一定の光出力で発光する。電界吸収型
光変調器2は印加された電圧に応じて光吸収量を変化す
る特性を有しており、電界吸収型光変調器2に対する印
加電圧は、入力された電気信号を電界吸収型光変調器2
と並列に接続された終端抵抗4により終端させることに
よって発生させている。
よる電流によって一定の光出力で発光する。電界吸収型
光変調器2は印加された電圧に応じて光吸収量を変化す
る特性を有しており、電界吸収型光変調器2に対する印
加電圧は、入力された電気信号を電界吸収型光変調器2
と並列に接続された終端抵抗4により終端させることに
よって発生させている。
【0043】この光通信光源装置では、電界吸収型光変
調器2と直列にインピーダンス整合回路7が接続されて
いるから、電気信号の高周波数化に伴う電界吸収型光変
調器2のインピーダンス低下がインピーダンス整合回路
7のインピーダンスによって補償される。
調器2と直列にインピーダンス整合回路7が接続されて
いるから、電気信号の高周波数化に伴う電界吸収型光変
調器2のインピーダンス低下がインピーダンス整合回路
7のインピーダンスによって補償される。
【0044】これにより電気信号入力回路におけるイン
ピーダンスの変化が小さくなり、高周波の電気信号の場
合においても、所要のインピーダンスが確保され、入力
電気信号に応じた印加電圧を発生することができ、電気
的な反射も少なくなる。
ピーダンスの変化が小さくなり、高周波の電気信号の場
合においても、所要のインピーダンスが確保され、入力
電気信号に応じた印加電圧を発生することができ、電気
的な反射も少なくなる。
【0045】これらのことから、入力電気信号に忠実に
電圧を電界吸収型光変調器2に印加することができるよ
うになり、電気信号を光信号に忠実に変換して送信する
ことができる。
電圧を電界吸収型光変調器2に印加することができるよ
うになり、電気信号を光信号に忠実に変換して送信する
ことができる。
【0046】次に、インピーダンス整合回路7の動作に
ついて詳細に説明する。
ついて詳細に説明する。
【0047】電界吸収型光変調器2は、電気的にはコン
デンサと等価であるため、図2に符号Bで示されている
ように、高周波になるに従いインピーダンスが低下す
る。一方、インピーダンス整合回路7のインピーダンス
Impは、インダクタンスを有する回路5のインダクタ
ンスをL、レジスタンスを有する回路6のレジスタンス
をR、電気信号の角周波数をωとすると、次式のように
表される。すなわち、 Imp=jωL・R/jωL+R である。
デンサと等価であるため、図2に符号Bで示されている
ように、高周波になるに従いインピーダンスが低下す
る。一方、インピーダンス整合回路7のインピーダンス
Impは、インダクタンスを有する回路5のインダクタ
ンスをL、レジスタンスを有する回路6のレジスタンス
をR、電気信号の角周波数をωとすると、次式のように
表される。すなわち、 Imp=jωL・R/jωL+R である。
【0048】この式より、インピーダンス整合回路7の
インピーダンスは、低周波では0、高周波では回路6の
レジスタンスRと等値になることがわかる。すなわち、
インピーダンス整合回路7は、図2に符号Aで示されて
いるように、高周波になるに従いインピーダンスが大き
くなる特性を有する。
インピーダンスは、低周波では0、高周波では回路6の
レジスタンスRと等値になることがわかる。すなわち、
インピーダンス整合回路7は、図2に符号Aで示されて
いるように、高周波になるに従いインピーダンスが大き
くなる特性を有する。
【0049】従って、電界吸収型光変調器2に上述のよ
うなインピーダンス整合回路7が直列付加されることに
より、入力電気信号の高周波化に伴う電界吸収型光変調
器2のインピーダンスの低下が補償される。
うなインピーダンス整合回路7が直列付加されることに
より、入力電気信号の高周波化に伴う電界吸収型光変調
器2のインピーダンスの低下が補償される。
【0050】図3に示されているように、インピーダン
ス整合回路7におけるインダクタンスを有する回路5は
ワイヤ10により、レジスタンスを有する回路6は抵抗
11により構成することができ、ワイヤ10のインダク
タンスがL、抵抗11のレジスタンスがRに各々設定さ
れればよい。またインダクタンスを有する回路5はワイ
ヤ10に代えて、リボン、基板上の金属パターンなどに
より構成することもできる。
ス整合回路7におけるインダクタンスを有する回路5は
ワイヤ10により、レジスタンスを有する回路6は抵抗
11により構成することができ、ワイヤ10のインダク
タンスがL、抵抗11のレジスタンスがRに各々設定さ
れればよい。またインダクタンスを有する回路5はワイ
ヤ10に代えて、リボン、基板上の金属パターンなどに
より構成することもできる。
【0051】(実施の形態2)図4はこの発明による光
通信用光源装置の実施の形態2を示している。尚、図4
に於いて、図1に対応する部分は図1に付した符号と同
一の符号を付けてその説明を省略する。
通信用光源装置の実施の形態2を示している。尚、図4
に於いて、図1に対応する部分は図1に付した符号と同
一の符号を付けてその説明を省略する。
【0052】この実施の形態では、電界吸収型光変調器
2と終端抵抗4との並列回路より電気信号の入力端子側
にインピーダンス整合回路7が、これらの並列回路に対
して直列に接続されている。
2と終端抵抗4との並列回路より電気信号の入力端子側
にインピーダンス整合回路7が、これらの並列回路に対
して直列に接続されている。
【0053】この光通信用光源装置でも、電界吸収型光
変調器2と終端抵抗4の並列回路のインピーダンスは、
電気信号が高周波になるに従い低下するが、インピーダ
ンス整合回路7が接続されているため、インピーダンス
の変化が小さく、電気的な反射が少ない。
変調器2と終端抵抗4の並列回路のインピーダンスは、
電気信号が高周波になるに従い低下するが、インピーダ
ンス整合回路7が接続されているため、インピーダンス
の変化が小さく、電気的な反射が少ない。
【0054】このように入力電気信号の反射を少なくで
きるため、電気信号を光信号に忠実に変換して送信する
ことができる。
きるため、電気信号を光信号に忠実に変換して送信する
ことができる。
【0055】(実施の形態3)図5はこの発明による光
通信用光源装置の実施の形態3を示している。尚、図5
に於いて、図1に対応する部分は図1に付した符号と同
一の符号を付けてその説明を省略する。
通信用光源装置の実施の形態3を示している。尚、図5
に於いて、図1に対応する部分は図1に付した符号と同
一の符号を付けてその説明を省略する。
【0056】この実施の形態では、電界吸収型光変調器
2からインピーダンス整合回路7までの距離xを定義し
ている。この距離xは、電気信号の情報伝達速度をRb
ビット/秒とすると、Rbヘルツの正弦波の電気長の半
分以下の距離に設定されている。
2からインピーダンス整合回路7までの距離xを定義し
ている。この距離xは、電気信号の情報伝達速度をRb
ビット/秒とすると、Rbヘルツの正弦波の電気長の半
分以下の距離に設定されている。
【0057】次に動作について説明する。
【0058】この実施の形態でも、半導体レーザダイオ
ード1は定電流源3による電流によって一定の光出力で
発光し、入力電気信号を電界吸収型光変調器2と並列に
接続された終端抵抗4により終端させ、入力電気信号に
応じた印加電圧を電界吸収型光変調器2に印加して直接
変調を行う。
ード1は定電流源3による電流によって一定の光出力で
発光し、入力電気信号を電界吸収型光変調器2と並列に
接続された終端抵抗4により終端させ、入力電気信号に
応じた印加電圧を電界吸収型光変調器2に印加して直接
変調を行う。
【0059】ここで、電気信号の情報伝達速度をRbビ
ット/秒とした場合、インピーダンス整合回路7を、電
界吸収型光変調器2から、Rbヘルツの正弦波の電気長
の半分以下の距離xに設けているため、電気回路にとっ
て、インピーダンス整合回路7と電界吸収型光変調器2
とを一つの回路と見なすことができ、電気信号の反射を
更に低減することができる。
ット/秒とした場合、インピーダンス整合回路7を、電
界吸収型光変調器2から、Rbヘルツの正弦波の電気長
の半分以下の距離xに設けているため、電気回路にとっ
て、インピーダンス整合回路7と電界吸収型光変調器2
とを一つの回路と見なすことができ、電気信号の反射を
更に低減することができる。
【0060】これにより入力電気信号に忠実に電圧が電
界吸収型光変調器2に印加されるようになり、電気信号
を光信号に忠実に変換して送信することができる。
界吸収型光変調器2に印加されるようになり、電気信号
を光信号に忠実に変換して送信することができる。
【0061】(実施の形態4)図6はこの発明による光
通信用光源装置の実施の形態4を示している。
通信用光源装置の実施の形態4を示している。
【0062】図6において、14は電気信号に応じて光
信号を発生する直接変調式の光半導体素子を、15は光
半導体素子14の電極を、16は光半導体素子14をマ
ウントする素子マウントを、17は素子マウント16の
電極を、18は光半導体素子14に電気信号を伝送する
電気信号伝送ラインを、19は電気信号伝送ライン18
の電極を、20は光半導体素子14の電極15と素子マ
ウント16の電極17とを電気的に接続するワイヤを、
21は素子マウント16の電極17と電気信号伝送ライ
ン18の電極19とを電気的に接続するワイヤを示して
いる。
信号を発生する直接変調式の光半導体素子を、15は光
半導体素子14の電極を、16は光半導体素子14をマ
ウントする素子マウントを、17は素子マウント16の
電極を、18は光半導体素子14に電気信号を伝送する
電気信号伝送ラインを、19は電気信号伝送ライン18
の電極を、20は光半導体素子14の電極15と素子マ
ウント16の電極17とを電気的に接続するワイヤを、
21は素子マウント16の電極17と電気信号伝送ライ
ン18の電極19とを電気的に接続するワイヤを示して
いる。
【0063】この実施の形態では、素子マウント16に
搭載した光半導体素子14の電極15と素子マウント1
6の電極17とが同じ高さ位置に位置するように、素子
マウント16の形状、この場合、素子マウント16の電
極17の高さ位置が選定されている。
搭載した光半導体素子14の電極15と素子マウント1
6の電極17とが同じ高さ位置に位置するように、素子
マウント16の形状、この場合、素子マウント16の電
極17の高さ位置が選定されている。
【0064】次に動作について説明する。
【0065】電気信号は電気信号伝送ライン18に伝送
され、素子マウント16の電極17を介して光半導体素
子14に導かれる。
され、素子マウント16の電極17を介して光半導体素
子14に導かれる。
【0066】電気信号伝送ライン18と素子マウント1
6の電極17との電気的接続は、電気信号伝送ライン1
8上の電極19と素子マウント16上の電極17とをワ
イヤ21でボンディングして行なわれ、また素子マウン
ト16の電極17と光半導体素子14との電気的接続
は、素子マウント16上の電極17と光半導体素子14
上の電極15とをワイヤ20でボンディングして行なわ
れる。
6の電極17との電気的接続は、電気信号伝送ライン1
8上の電極19と素子マウント16上の電極17とをワ
イヤ21でボンディングして行なわれ、また素子マウン
ト16の電極17と光半導体素子14との電気的接続
は、素子マウント16上の電極17と光半導体素子14
上の電極15とをワイヤ20でボンディングして行なわ
れる。
【0067】素子マウント16上の電極17と光半導体
素子14上の電極15の高さ位置が同じ高さ位置に合わ
せてあるため、ワイヤ20は短い距離でボンディングす
ることができ、ワイヤ20のインダクタンスの影響を最
小にすることができる。
素子14上の電極15の高さ位置が同じ高さ位置に合わ
せてあるため、ワイヤ20は短い距離でボンディングす
ることができ、ワイヤ20のインダクタンスの影響を最
小にすることができる。
【0068】このため、高周波の電気信号を忠実に光半
導体素子14に導くことができる。光半導体素子14
は、導かれた電気信号に応じた光信号を発生する特性を
有するため、入力された電気信号を忠実に光信号に変換
し、送信することができる。
導体素子14に導くことができる。光半導体素子14
は、導かれた電気信号に応じた光信号を発生する特性を
有するため、入力された電気信号を忠実に光信号に変換
し、送信することができる。
【0069】(実施の形態5)図7はこの発明による光
通信用光源装置の実施の形態5を示している。尚、図7
に於いて、図6に対応する部分は図6に付した符号と同
一の符号を付けてその説明を省略する。
通信用光源装置の実施の形態5を示している。尚、図7
に於いて、図6に対応する部分は図6に付した符号と同
一の符号を付けてその説明を省略する。
【0070】この実施の形態では、電気信号伝送ライン
18上の電極19と光半導体素子14上の電極15なら
びに素子マウント16上の電極17とが同じ高さ位置に
位置するように、素子マウント14の形状、電気信号伝
送ライン18の高さ寸法が選定されている。
18上の電極19と光半導体素子14上の電極15なら
びに素子マウント16上の電極17とが同じ高さ位置に
位置するように、素子マウント14の形状、電気信号伝
送ライン18の高さ寸法が選定されている。
【0071】この実施の形態では、光半導体素子14上
の電極15と電気信号伝送ライン18上の電極19と素
子マウント16上の電極17の高さ位置が同じ高さ位置
に合わせてあるため、ワイヤ20に加えてワイヤ21も
短い距離でボンディングすることができ、ワイヤ21の
インダクタンスの影響を最小にすることができる。
の電極15と電気信号伝送ライン18上の電極19と素
子マウント16上の電極17の高さ位置が同じ高さ位置
に合わせてあるため、ワイヤ20に加えてワイヤ21も
短い距離でボンディングすることができ、ワイヤ21の
インダクタンスの影響を最小にすることができる。
【0072】このため、高周波の電気信号を忠実に光半
導体素子14に導くことができる。光半導体素子14
は、導かれた電気信号に応じた光信号を発生する特性を
有するため、入力された電気信号を忠実に光信号に変換
し、送信することができる。
導体素子14に導くことができる。光半導体素子14
は、導かれた電気信号に応じた光信号を発生する特性を
有するため、入力された電気信号を忠実に光信号に変換
し、送信することができる。
【0073】(実施の形態6)図8はこの発明による光
通信用光源装置の実施の形態6を示している。尚、図8
に於いて、図6に対応する部分は図6に付した符号と同
一の符号を付けてその説明を省略する。
通信用光源装置の実施の形態6を示している。尚、図8
に於いて、図6に対応する部分は図6に付した符号と同
一の符号を付けてその説明を省略する。
【0074】この実施の形態では、素子マウント16に
おいて、電気信号伝送ライン18の電極19の特性イン
ピーダンスと、素子マウント16の電極17の特性イン
ピーダンスとが互いに等しい。
おいて、電気信号伝送ライン18の電極19の特性イン
ピーダンスと、素子マウント16の電極17の特性イン
ピーダンスとが互いに等しい。
【0075】素子マウント16において、電気信号伝送
ライン18の電極19の特性インピーダンスと、素子マ
ウント16の電極17の特性インピーダンスとが相等し
いため、電気信号伝送ライン18と素子マウントの接続
点での電気信号の反射を低減することができ、また、素
子マウント16の電極17を電気信号伝送ライン18の
一部と見なすことができ、素子マウント16の電極17
による寄生容量の問題点を無視することができる。
ライン18の電極19の特性インピーダンスと、素子マ
ウント16の電極17の特性インピーダンスとが相等し
いため、電気信号伝送ライン18と素子マウントの接続
点での電気信号の反射を低減することができ、また、素
子マウント16の電極17を電気信号伝送ライン18の
一部と見なすことができ、素子マウント16の電極17
による寄生容量の問題点を無視することができる。
【0076】このため、高周波の電気信号を忠実に光半
導体素子14に導くことができる。この場合も、光半導
体素子14は、導かれた電気信号に応じた光信号を発生
する特性を有するため、入力された電気信号を忠実に光
信号に変換し、送信することができる。
導体素子14に導くことができる。この場合も、光半導
体素子14は、導かれた電気信号に応じた光信号を発生
する特性を有するため、入力された電気信号を忠実に光
信号に変換し、送信することができる。
【0077】(実施の形態7)図9はこの発明による光
通信用光源装置の実施の形態7を示している。尚、図9
に於いても、図6に対応する部分は図6に付した符号と
同一の符号を付けてその説明を省略する。
通信用光源装置の実施の形態7を示している。尚、図9
に於いても、図6に対応する部分は図6に付した符号と
同一の符号を付けてその説明を省略する。
【0078】この実施の形態では、光半導体素子14に
おいて、電気信号伝送ライン18の電極19の特性イン
ピーダンスと、光半導体素子14の電極15の特性イン
ピーダンスとが互いに等しい。
おいて、電気信号伝送ライン18の電極19の特性イン
ピーダンスと、光半導体素子14の電極15の特性イン
ピーダンスとが互いに等しい。
【0079】光半導体素子14において、電気信号伝送
ラインの電極19の特性インピーダンスと、光半導体素
子14の電極15の特性インピーダンスが相等しいた
め、電気信号伝送ライン14と光半導体素子14の接続
点での電気信号の反射を低減することができ、また、光
半導体素子14の電極15を電気信号伝送ライン18の
一部と見なすことができ、光半導体素子の電極による寄
生容量の問題点を無視することができる。
ラインの電極19の特性インピーダンスと、光半導体素
子14の電極15の特性インピーダンスが相等しいた
め、電気信号伝送ライン14と光半導体素子14の接続
点での電気信号の反射を低減することができ、また、光
半導体素子14の電極15を電気信号伝送ライン18の
一部と見なすことができ、光半導体素子の電極による寄
生容量の問題点を無視することができる。
【0080】このため、高周波の電気信号を忠実に光半
導体素子14に導くことができる。この場合も、光半導
体素子14は、導かれた電気信号に応じた光信号を発生
する特性を有するため、入力された電気信号を忠実に光
信号に変換し、送信することができる。
導体素子14に導くことができる。この場合も、光半導
体素子14は、導かれた電気信号に応じた光信号を発生
する特性を有するため、入力された電気信号を忠実に光
信号に変換し、送信することができる。
【0081】(実施の形態8)図10はこの発明による
光通信用光源装置の実施の形態8を示している。
光通信用光源装置の実施の形態8を示している。
【0082】この光通信用光源装置は、一定の光出力で
発光する光源であって入力された電気信号に応じて光周
波数を変調する半導体レーザダイオード22と、電気信
号に応じて強度変調する外部変調器23と、外部変調器
23に電気信号を導く伝送ライン24と、伝送ライン2
4との電気的な結合により入力電気信号の高周波成分の
みを取り出して半導体レーザダイオード22に導く伝送
ライン25とを有している。ここでは、半導体レーザダ
イオード22が光周波数変調手段をなす。
発光する光源であって入力された電気信号に応じて光周
波数を変調する半導体レーザダイオード22と、電気信
号に応じて強度変調する外部変調器23と、外部変調器
23に電気信号を導く伝送ライン24と、伝送ライン2
4との電気的な結合により入力電気信号の高周波成分の
みを取り出して半導体レーザダイオード22に導く伝送
ライン25とを有している。ここでは、半導体レーザダ
イオード22が光周波数変調手段をなす。
【0083】なお、符号Saは伝送ライン24を伝搬す
る電気信号を、符号Sbは伝送ライン24との電気的な
結合により伝送ライン25を伝搬する高周波の電気信号
である。
る電気信号を、符号Sbは伝送ライン24との電気的な
結合により伝送ライン25を伝搬する高周波の電気信号
である。
【0084】次に動作について説明する。
【0085】光通信用光源装置に入力された電気信号
は、伝送ライン24と伝送ライン25との電気的な結合
によって、半導体レーザダイオード22と外部変調器2
3とに分岐される。
は、伝送ライン24と伝送ライン25との電気的な結合
によって、半導体レーザダイオード22と外部変調器2
3とに分岐される。
【0086】半導体レーザダイオード22へ分岐された
電気信号は、伝送ライン24と伝送ライン25との電気
的な結合によって分岐されるため、図11に示されてい
るように、低周波数成分を遮断されて高周波成分のみで
あり、半導体レーザダイオード22に入力され、半導体
レーザダイオード22の出射光の光周波数を変調する。
電気信号は、伝送ライン24と伝送ライン25との電気
的な結合によって分岐されるため、図11に示されてい
るように、低周波数成分を遮断されて高周波成分のみで
あり、半導体レーザダイオード22に入力され、半導体
レーザダイオード22の出射光の光周波数を変調する。
【0087】低周波数成分を遮断された電気信号は、入
力電気信号の変化する部分のみが通過した電気信号、す
なわち入力電気信号の時間微分信号となる。もう一方の
電気信号は、外部変調器23に入力され、半導体レーザ
ダイオード22からの光を強度変調する。
力電気信号の変化する部分のみが通過した電気信号、す
なわち入力電気信号の時間微分信号となる。もう一方の
電気信号は、外部変調器23に入力され、半導体レーザ
ダイオード22からの光を強度変調する。
【0088】このように、伝送ライン24と伝送ライン
25の電気的な結合を用いることによって特別な回路を
用意せず、容易に微分回路を構成することができる。
25の電気的な結合を用いることによって特別な回路を
用意せず、容易に微分回路を構成することができる。
【0089】ところで光通信によく用いられる光ファイ
バは1.3umに零分散波長を有するが、1.55um
において伝搬損失が最小となるため、長距離伝送を行う
場合には、零分散波長とは異なる1.55um帯の光信
号が用いられる。1.3um零分散光ファイバの群遅延
特性は、図12に示されるように、15.5um帯で
は、光周波数が低いほど伝搬速度が遅く、光周波数が高
いほど伝搬速度が速くなっている。
バは1.3umに零分散波長を有するが、1.55um
において伝搬損失が最小となるため、長距離伝送を行う
場合には、零分散波長とは異なる1.55um帯の光信
号が用いられる。1.3um零分散光ファイバの群遅延
特性は、図12に示されるように、15.5um帯で
は、光周波数が低いほど伝搬速度が遅く、光周波数が高
いほど伝搬速度が速くなっている。
【0090】外部変調器23は、図13(a)〜(c)
に示されているように、入力電気信号(a)に応じて光
強度(b)を変調するが、同時に、光周波数(c)にも
変調をかけてしまう。特に、電界吸収型光変調器やある
種のマッハツェンダ型変調器では、図13に示すよう
に、光信号の立上がり部(信号の先頭部)では光周波数
が高い方にシフトし、光信号の立下がり部(信号の後尾
部)では光周波数が低い方にシフトする特性を持ってい
る。このような光周波数の変化は、図12からわかるよ
うに、光信号の波長を広げるため望ましくない。
に示されているように、入力電気信号(a)に応じて光
強度(b)を変調するが、同時に、光周波数(c)にも
変調をかけてしまう。特に、電界吸収型光変調器やある
種のマッハツェンダ型変調器では、図13に示すよう
に、光信号の立上がり部(信号の先頭部)では光周波数
が高い方にシフトし、光信号の立下がり部(信号の後尾
部)では光周波数が低い方にシフトする特性を持ってい
る。このような光周波数の変化は、図12からわかるよ
うに、光信号の波長を広げるため望ましくない。
【0091】そこで、上述のような光周波数変調によっ
て、図14(a)(b)に示されるように入力信号の立
上がり部で光周波数が低い方にシフトし、立下がり部で
光周波数が高い方にシフトするように、半導体レーザダ
イオード22の出射光の光周波数に変換をかけることに
よって、図14(c)に示されているように、光周波数
変化がない光信号、または、光信号の立上がり部で光周
波数が低い方にシフトし、立下がり部で光周波数が低い
方にシフトするような光信号を発生することができる。
て、図14(a)(b)に示されるように入力信号の立
上がり部で光周波数が低い方にシフトし、立下がり部で
光周波数が高い方にシフトするように、半導体レーザダ
イオード22の出射光の光周波数に変換をかけることに
よって、図14(c)に示されているように、光周波数
変化がない光信号、または、光信号の立上がり部で光周
波数が低い方にシフトし、立下がり部で光周波数が低い
方にシフトするような光信号を発生することができる。
【0092】このような光信号は、図12に示されてい
る光ファイバの群遅延特性より明らかなように、波長の
広がりを抑えられ、誤りのない長距離伝送を可能にす
る。
る光ファイバの群遅延特性より明らかなように、波長の
広がりを抑えられ、誤りのない長距離伝送を可能にす
る。
【0093】なお、伝送ライン24と伝送ライン25の
電気的結合部の後段に、電気的な結合によって分岐され
た信号の振幅、位相、極性を調整する調整回路を設けて
もよい。また、ここでの電気的な結合とは、相互インダ
クタンスなどによる結合であり、導体の物理的な接触を
伴わない結合である。
電気的結合部の後段に、電気的な結合によって分岐され
た信号の振幅、位相、極性を調整する調整回路を設けて
もよい。また、ここでの電気的な結合とは、相互インダ
クタンスなどによる結合であり、導体の物理的な接触を
伴わない結合である。
【0094】(実施の形態9)図15はこの発明による
光通信用光源装置の実施の形態9を示している。
光通信用光源装置の実施の形態9を示している。
【0095】この光通信用光源装置は、光アナログ通信
用光源装置であり、入力電気信号を増幅する増幅器36
と、増幅器36の変調歪みのレベルを調整する変調歪み
調整手段37と、出射光の波長を変えることのできるレ
ーザ光源などによる波長可変光源38と、入力電気信号
に応じて波長可変光源38からの光を強度変調する電界
吸収型光変調器39とを有している。
用光源装置であり、入力電気信号を増幅する増幅器36
と、増幅器36の変調歪みのレベルを調整する変調歪み
調整手段37と、出射光の波長を変えることのできるレ
ーザ光源などによる波長可変光源38と、入力電気信号
に応じて波長可変光源38からの光を強度変調する電界
吸収型光変調器39とを有している。
【0096】変調歪み調整手段37は、増幅器36の変
調歪みのレベルを電界吸収型光変調器39で発生する変
調歪みのレベルと等値に設定する。
調歪みのレベルを電界吸収型光変調器39で発生する変
調歪みのレベルと等値に設定する。
【0097】次に動作について説明する。
【0098】光通信用光源装置に入力された電気信号は
増幅器36により増幅される。増幅器36の入出力特性
は、図16に示されているように、入力電力が大きくな
るに従い、徐々に入力電力に対する出力電力の割合(利
得)が小さくなる傾向を示す。
増幅器36により増幅される。増幅器36の入出力特性
は、図16に示されているように、入力電力が大きくな
るに従い、徐々に入力電力に対する出力電力の割合(利
得)が小さくなる傾向を示す。
【0099】このため、図17に示されているように、
入力信号電力が大きくなるに従って変調歪みeaが大き
くなり、増幅器36からの出力電気信号は、増幅された
電気信号Sampに増幅器36により発生した歪み信号
eaを含むものになる。
入力信号電力が大きくなるに従って変調歪みeaが大き
くなり、増幅器36からの出力電気信号は、増幅された
電気信号Sampに増幅器36により発生した歪み信号
eaを含むものになる。
【0100】増幅器36からの出力電気信号は、電界吸
収型光変調器39に入力され、電界吸収型光変調器39
により、波長可変光源38からの光を入力電気信号に応
じて強度変調し、入力電気信号を光信号に変調して光信
号を送信する。
収型光変調器39に入力され、電界吸収型光変調器39
により、波長可変光源38からの光を入力電気信号に応
じて強度変調し、入力電気信号を光信号に変調して光信
号を送信する。
【0101】電界吸収型光変調器39の入出力特性は、
図18に示されているように、印加電圧に対して指数関
数状に光出力が少なくなる特性を有しているため、入力
信号電力が大きくなるに従い、入力信号電力に対する出
力光の信号電力の割合が大きくなる傾向を示す。
図18に示されているように、印加電圧に対して指数関
数状に光出力が少なくなる特性を有しているため、入力
信号電力が大きくなるに従い、入力信号電力に対する出
力光の信号電力の割合が大きくなる傾向を示す。
【0102】なお、図18において、符号C、Dは波長
が互いに異なる入射光についての電界吸収型光変調器3
9の印加電力に対する光出力特性を、符号E、Fは電界
吸収型光変調器39のバイアス電圧を示しており、電界
吸収型光変調器39の入出力特性は、入射光の波長や電
界吸収型光変調器39のバイアス電圧によって変わる。
このように、増幅器36と電界吸収型光変調器39は逆
の入出力特性を有している。
が互いに異なる入射光についての電界吸収型光変調器3
9の印加電力に対する光出力特性を、符号E、Fは電界
吸収型光変調器39のバイアス電圧を示しており、電界
吸収型光変調器39の入出力特性は、入射光の波長や電
界吸収型光変調器39のバイアス電圧によって変わる。
このように、増幅器36と電界吸収型光変調器39は逆
の入出力特性を有している。
【0103】また電界吸収型光変調器39においても、
図19に示されているように、入力電気信号の電力が大
きくなるに従って出力光の変調歪みemが大きくなる。
なお、図19において、Smadは入力信号電力に対す
る出力光の信号電力特性を示している。
図19に示されているように、入力電気信号の電力が大
きくなるに従って出力光の変調歪みemが大きくなる。
なお、図19において、Smadは入力信号電力に対す
る出力光の信号電力特性を示している。
【0104】電界吸収型光変調器39は、増幅器36に
より増幅された電気信号Sampに応じて強度変調をか
けると共に増幅器36により発生した歪み信号eaによ
っても強度変調をかける。
より増幅された電気信号Sampに応じて強度変調をか
けると共に増幅器36により発生した歪み信号eaによ
っても強度変調をかける。
【0105】このため、電界吸収型光変調器39の出射
光の変調歪みは、電界吸収型光変調器39において発生
した変調歪みemと、増幅器36により発生した歪み信
号maが電界吸収型光変調器39により強度変調された
変調歪みの2種類を含む。
光の変調歪みは、電界吸収型光変調器39において発生
した変調歪みemと、増幅器36により発生した歪み信
号maが電界吸収型光変調器39により強度変調された
変調歪みの2種類を含む。
【0106】ここで、変調歪み調整手段37により、こ
の2つの変調歪みが同じレベルになるように、増幅器3
6の変調歪みレベルが調整されていることにより、先に
述べたように、この2つの変調歪みは逆特性を持ってい
るため、互いに打ち消し合い、変調歪みのない良好な光
信号を得ることができる。
の2つの変調歪みが同じレベルになるように、増幅器3
6の変調歪みレベルが調整されていることにより、先に
述べたように、この2つの変調歪みは逆特性を持ってい
るため、互いに打ち消し合い、変調歪みのない良好な光
信号を得ることができる。
【0107】なお、このような増幅器36の変調歪み調
整手段37は、増幅器37のバイアス電圧を調整するこ
とにより飽和レベルを調整すること等によって達成する
ことができる。
整手段37は、増幅器37のバイアス電圧を調整するこ
とにより飽和レベルを調整すること等によって達成する
ことができる。
【0108】また、波長可変光源38の波長を変えるこ
とによって電界吸収型光変調器39で発生する変調歪み
のレベルを調整し、この変調歪みレベルと増幅器36の
変調歪みのレベルとを等しくしてもよく、この場合も、
先に述べたように、この2つの変調歪みは逆特性を持っ
ているため、互いに打ち消し合い、変調歪みのない良好
な光信号を得ることができる。
とによって電界吸収型光変調器39で発生する変調歪み
のレベルを調整し、この変調歪みレベルと増幅器36の
変調歪みのレベルとを等しくしてもよく、この場合も、
先に述べたように、この2つの変調歪みは逆特性を持っ
ているため、互いに打ち消し合い、変調歪みのない良好
な光信号を得ることができる。
【0109】また、電界吸収型光変調器39のバイアス
電圧を変え、電界吸収型光変調器39で発生する変調歪
みのレベルを調整することにより、電界吸収型光変調器
39で発生する変調歪みのレベルと増幅器36の変調歪
みのレベルとを等しくしてもよく、この場合も、先に述
べたように、この2つの変調歪みは逆特性を持っている
ため、互いに打ち消し合い、変調歪みのない良好な光信
号を得ることができる。
電圧を変え、電界吸収型光変調器39で発生する変調歪
みのレベルを調整することにより、電界吸収型光変調器
39で発生する変調歪みのレベルと増幅器36の変調歪
みのレベルとを等しくしてもよく、この場合も、先に述
べたように、この2つの変調歪みは逆特性を持っている
ため、互いに打ち消し合い、変調歪みのない良好な光信
号を得ることができる。
【0110】(実施の形態10)図20はこの発明によ
る光通信用光源装置の実施の形態10を示している。
尚、図20に於いて、図15に対応する部分は図15に
付した符号と同一の符号を付けてその説明を省略する。
る光通信用光源装置の実施の形態10を示している。
尚、図20に於いて、図15に対応する部分は図15に
付した符号と同一の符号を付けてその説明を省略する。
【0111】この実施の形態では、増幅器36の入力電
気信号に合波する歪み監視用変調波を発生する歪み監視
用変調波発生手段47と、電界吸収型光変調器39の電
極に発生する電気信号の歪みレベルを検出する歪みレベ
ル検出手段48とを有し、変調歪み調整手段37は歪み
レベル検出手段48で検出される歪みが小さくなるよう
に増幅器36のバイアス電圧を制御する。
気信号に合波する歪み監視用変調波を発生する歪み監視
用変調波発生手段47と、電界吸収型光変調器39の電
極に発生する電気信号の歪みレベルを検出する歪みレベ
ル検出手段48とを有し、変調歪み調整手段37は歪み
レベル検出手段48で検出される歪みが小さくなるよう
に増幅器36のバイアス電圧を制御する。
【0112】また、歪みレベル検出手段48で検出され
る歪みが小さくなるように電界吸収型光変調器39のバ
イアス電圧を制御するバイアス制御回路49と、歪みレ
ベル検出手段48で検出される歪みが小さくなるように
光源の波長を制御する波長制御回路50も設けられてい
る。
る歪みが小さくなるように電界吸収型光変調器39のバ
イアス電圧を制御するバイアス制御回路49と、歪みレ
ベル検出手段48で検出される歪みが小さくなるように
光源の波長を制御する波長制御回路50も設けられてい
る。
【0113】次に動作について説明する。
【0114】光通信用光源装置に入力された電気信号
は、歪み監視用変調波発生手段47が発生する歪み監視
用の変調波と合波された後、増幅器36により増幅され
る。
は、歪み監視用変調波発生手段47が発生する歪み監視
用の変調波と合波された後、増幅器36により増幅され
る。
【0115】増幅器36の出力電気信号は、電界吸収型
光変調器39に入力され、電界吸収型光変調器39によ
り、波長可変光源38からの光を入力電気信号に応じて
強度変調し、入力電気信号を光信号に変調して光信号を
送信する。
光変調器39に入力され、電界吸収型光変調器39によ
り、波長可変光源38からの光を入力電気信号に応じて
強度変調し、入力電気信号を光信号に変調して光信号を
送信する。
【0116】増幅器36と電界吸収型光変調器39は逆
の入出力特性を有しているから、増幅器の変調歪み調整
手段37、バイアス制御回路49、波長制御回路50な
どにより、増幅器36の変調歪みと電界吸収型光変調器
39の変調レベルとが同じレベルによるように、調整す
れば、この2つの変調歪みは互いに打ち消し合い、変調
歪みのない光信号を得ることができる。
の入出力特性を有しているから、増幅器の変調歪み調整
手段37、バイアス制御回路49、波長制御回路50な
どにより、増幅器36の変調歪みと電界吸収型光変調器
39の変調レベルとが同じレベルによるように、調整す
れば、この2つの変調歪みは互いに打ち消し合い、変調
歪みのない光信号を得ることができる。
【0117】ところで、電界吸収型光変調器39は、電
界を印加されることによって、入射光を吸収し、強度変
調を行うため、電界吸収型光変調器39には、光の吸収
によって生じたフォトカレントが発生する。このフォト
カレントは、電界吸収型光変調器39による強度変調波
形を反映したものとなる。
界を印加されることによって、入射光を吸収し、強度変
調を行うため、電界吸収型光変調器39には、光の吸収
によって生じたフォトカレントが発生する。このフォト
カレントは、電界吸収型光変調器39による強度変調波
形を反映したものとなる。
【0118】すなわち、このフォトカレントによって電
界吸収型光変調器39の電極に発生した電気信号の歪み
を検出することで、電界吸収型光変調器39で生じる歪
みを知ることができる。
界吸収型光変調器39の電極に発生した電気信号の歪み
を検出することで、電界吸収型光変調器39で生じる歪
みを知ることができる。
【0119】そこで、歪み監視用変調波発生手段47に
よる変調波によって電界吸収型光変調器39の電極に発
生した変調歪みを歪みレベル検出手段48を用いて検出
し、検出された変調歪みが常に小さくなるように、増幅
器の変調歪み調整手段37、バイアス制御回路49、波
長制御回路50によって、増幅器36のバイアス電圧、
波長可変光源38の波長、電界吸収型光変調器39のバ
イアス電圧の少なくとも何れか一つを制御することによ
って、常に変調歪みが最小になるように調整され、良好
な光信号を送信することができる。
よる変調波によって電界吸収型光変調器39の電極に発
生した変調歪みを歪みレベル検出手段48を用いて検出
し、検出された変調歪みが常に小さくなるように、増幅
器の変調歪み調整手段37、バイアス制御回路49、波
長制御回路50によって、増幅器36のバイアス電圧、
波長可変光源38の波長、電界吸収型光変調器39のバ
イアス電圧の少なくとも何れか一つを制御することによ
って、常に変調歪みが最小になるように調整され、良好
な光信号を送信することができる。
【0120】(実施の形態11)図21はこの発明によ
る光通信用光源装置の実施の形態11を示している。
尚、図21に於いて、図20に対応する部分は図20に
付した符号と同一の符号を付けてその説明を省略する。
る光通信用光源装置の実施の形態11を示している。
尚、図21に於いて、図20に対応する部分は図20に
付した符号と同一の符号を付けてその説明を省略する。
【0121】この実施の形態では、電界吸収型光変調器
39の電極に発生する電気信号の歪みの位相を検出する
位相検出手段51を有し、変調歪み調整手段37は位相
検出手段51で検出される歪みの位相が歪み監視用変調
波に対して直交するように増幅器36のバイアス電圧を
制御する。
39の電極に発生する電気信号の歪みの位相を検出する
位相検出手段51を有し、変調歪み調整手段37は位相
検出手段51で検出される歪みの位相が歪み監視用変調
波に対して直交するように増幅器36のバイアス電圧を
制御する。
【0122】また、位相検出手段51で検出される歪み
の位相が歪み監視用変調波に対して直交するように電界
吸収型光変調器39のバイアス電圧を制御するバイアス
制御回路52と、位相検出手段51で検出される歪みの
位相が歪み監視用変調波に対して直交するように光源の
波長を制御する波長制御回路53も設けられている。
の位相が歪み監視用変調波に対して直交するように電界
吸収型光変調器39のバイアス電圧を制御するバイアス
制御回路52と、位相検出手段51で検出される歪みの
位相が歪み監視用変調波に対して直交するように光源の
波長を制御する波長制御回路53も設けられている。
【0123】次に動作について説明する。
【0124】光通信用光源装置に入力された電気信号
は、歪み監視用変調波発生手段47にが発生する歪み監
視用の変調波と合波された後、増幅器36により増幅さ
れ、増幅器36の出力電気信号は、電界吸収型光変調器
39に入力され、電界吸収型光変調器39により、波長
可変光源38からの光を入力電気信号に応じて強度変調
し、入力電気信号を光信号に変調して光信号を送信す
る。
は、歪み監視用変調波発生手段47にが発生する歪み監
視用の変調波と合波された後、増幅器36により増幅さ
れ、増幅器36の出力電気信号は、電界吸収型光変調器
39に入力され、電界吸収型光変調器39により、波長
可変光源38からの光を入力電気信号に応じて強度変調
し、入力電気信号を光信号に変調して光信号を送信す
る。
【0125】この場合も、増幅器36と電界吸収型光変
調器39は逆の入出力特性を有しているから、増幅器の
変調歪み調整手段37、バイアス制御回路52、波長制
御回路53などにより、増幅器36の変調歪みと電界吸
収型光変調器39の変調レベルとが同じレベルによるよ
うに、調整すれば、この2つの変調歪みは互いに打ち消
し合い、変調歪みのない光信号を得ることができる。
調器39は逆の入出力特性を有しているから、増幅器の
変調歪み調整手段37、バイアス制御回路52、波長制
御回路53などにより、増幅器36の変調歪みと電界吸
収型光変調器39の変調レベルとが同じレベルによるよ
うに、調整すれば、この2つの変調歪みは互いに打ち消
し合い、変調歪みのない光信号を得ることができる。
【0126】電界吸収型光変調器39の入出力特性は、
図18から分かるように、バイアス電圧によって異な
り、電界吸収型光変調器39で発生する変調歪みの大き
さも異なる。先に示したように、増幅器36の入出力特
性は入力電力が大きくなるに従い飽和する傾向にあるか
ら、増幅器36によって発生した変調歪みの位相は信号
位相に対して逆相(相対位相が180°)であり、ま
た、電界吸収型光変調器39の入出力特性は入力信号電
力が大きくなるに従い出力が大きくなる傾向にあるた
め、電界吸収型光変調器39によって発生した変調歪み
の位相は信号位相に対して同相(相対位相が0°)であ
る。
図18から分かるように、バイアス電圧によって異な
り、電界吸収型光変調器39で発生する変調歪みの大き
さも異なる。先に示したように、増幅器36の入出力特
性は入力電力が大きくなるに従い飽和する傾向にあるか
ら、増幅器36によって発生した変調歪みの位相は信号
位相に対して逆相(相対位相が180°)であり、ま
た、電界吸収型光変調器39の入出力特性は入力信号電
力が大きくなるに従い出力が大きくなる傾向にあるた
め、電界吸収型光変調器39によって発生した変調歪み
の位相は信号位相に対して同相(相対位相が0°)であ
る。
【0127】このため、歪み監視用変調波発生手段47
による変調波により増幅器36および電界吸収型光変調
器39で発生した変調歪みの位相を、電界吸収型光変調
器39の電極に発生した電気信号の歪み位相検出手段5
1によって検出し、検出された変調歪みの位相が歪み監
視用変調波に対して直交するようにすれば、増幅器36
による変調歪みと電界吸収型光変調器39による変調歪
みの大きさが等しくなる。
による変調波により増幅器36および電界吸収型光変調
器39で発生した変調歪みの位相を、電界吸収型光変調
器39の電極に発生した電気信号の歪み位相検出手段5
1によって検出し、検出された変調歪みの位相が歪み監
視用変調波に対して直交するようにすれば、増幅器36
による変調歪みと電界吸収型光変調器39による変調歪
みの大きさが等しくなる。
【0128】電界吸収型光変調器39は、電界を印加さ
れることによって、入射光を吸収し、強度変調を行うた
め、電界吸収型光変調器39には、光の吸収によって生
じたフォトカレントが発生する。
れることによって、入射光を吸収し、強度変調を行うた
め、電界吸収型光変調器39には、光の吸収によって生
じたフォトカレントが発生する。
【0129】このフォトカレントは、電界吸収型光変調
器39による強度変調波形を反映したものとなり、この
フォトカレントによって電界吸収型光変調器39の電極
に発生した電気信号の歪みを検出することで、電界吸収
型光変調器39で生じる歪みを知ることができるから、
歪み監視用変調波発生手段47による変調波によって電
界吸収型光変調器の電極に発生した変調歪みの位相を、
歪みの位相検出手段51を用いて検出し、検出された変
調歪みの位相が常に歪み監視用変調波に対して直交する
ように、増幅器36の変調歪み調整手段37、バイアス
制御回路52、波長制御回路53によって、増幅器36
のバイアス電圧、波長可変光源38の波長、電界吸収型
光変調器39のバイアス電圧の少なくとも何れか一つを
制御することによって、常に変調歪みが最小になるよう
に調整され、良好な光信号を送信することができる。
器39による強度変調波形を反映したものとなり、この
フォトカレントによって電界吸収型光変調器39の電極
に発生した電気信号の歪みを検出することで、電界吸収
型光変調器39で生じる歪みを知ることができるから、
歪み監視用変調波発生手段47による変調波によって電
界吸収型光変調器の電極に発生した変調歪みの位相を、
歪みの位相検出手段51を用いて検出し、検出された変
調歪みの位相が常に歪み監視用変調波に対して直交する
ように、増幅器36の変調歪み調整手段37、バイアス
制御回路52、波長制御回路53によって、増幅器36
のバイアス電圧、波長可変光源38の波長、電界吸収型
光変調器39のバイアス電圧の少なくとも何れか一つを
制御することによって、常に変調歪みが最小になるよう
に調整され、良好な光信号を送信することができる。
【0130】
【発明の効果】以上の説明から理解される如く、この発
明による光通信用光源装置によれば、電気信号の高周波
数化に伴う電界吸収型光変調器のインピーダンス低下が
インピーダンス整合回路のインピーダンスによって補償
され、電気信号回路におけるインピーダンスの変化が小
さくなるから、高周波の電気信号の場合においても、所
要のインピーダンスが確保され、入力電気信号に応じた
印加電圧を発生することができ、電気的な反射も少なく
なる。これらのことから、入力電気信号に忠実に電圧を
電界吸収型光変調器に印加することができるようにな
り、電気信号を光信号に忠実に変換して送信することが
できる。
明による光通信用光源装置によれば、電気信号の高周波
数化に伴う電界吸収型光変調器のインピーダンス低下が
インピーダンス整合回路のインピーダンスによって補償
され、電気信号回路におけるインピーダンスの変化が小
さくなるから、高周波の電気信号の場合においても、所
要のインピーダンスが確保され、入力電気信号に応じた
印加電圧を発生することができ、電気的な反射も少なく
なる。これらのことから、入力電気信号に忠実に電圧を
電界吸収型光変調器に印加することができるようにな
り、電気信号を光信号に忠実に変換して送信することが
できる。
【0131】つぎの発明よる光通信用光源装置によれ
ば、インピーダンス整合回路の、インダクタンスを有す
る回路がワイヤまたはリボンまたは基板上の金属パター
ンであり、レジスタンスを有する回路が抵抗であるた
め、インピーダンス整合回路のインピーダンスは、低周
波では0で、高周波では抵抗に等しくなり、高周波にな
るに従いインピーダンスが大きくなる特性を持つため、
電界吸収型光変調器のインピーダンス低下を補償するこ
とができ、高周波の電気信号の場合においても、入力電
気信号に応じた印加電圧を発生することができ、また電
気的な反射も少なくなり、電気信号を光信号に忠実に変
換して送信することができる。
ば、インピーダンス整合回路の、インダクタンスを有す
る回路がワイヤまたはリボンまたは基板上の金属パター
ンであり、レジスタンスを有する回路が抵抗であるた
め、インピーダンス整合回路のインピーダンスは、低周
波では0で、高周波では抵抗に等しくなり、高周波にな
るに従いインピーダンスが大きくなる特性を持つため、
電界吸収型光変調器のインピーダンス低下を補償するこ
とができ、高周波の電気信号の場合においても、入力電
気信号に応じた印加電圧を発生することができ、また電
気的な反射も少なくなり、電気信号を光信号に忠実に変
換して送信することができる。
【0132】つぎの発明よる光通信用光源装置によれ
ば、電気信号の情報伝送速度はをRbビット/秒とした
ときに、インピーダンス整合回路を、電界吸収型光変調
器から、Rbヘルツの正弦波電気信号の電気長の半分以
下の距離に設けているため、電気信号にとって、インピ
ーダンス整合回路と電界吸収型光変調器が一つの回路と
見なすことができ、電気信号の反射を低減することがで
きる。このため入力電気信号を忠実に電圧を電界吸収型
光変調器に印加することができ、入力された電気信号を
忠実に光信号に変換して送信することができる。
ば、電気信号の情報伝送速度はをRbビット/秒とした
ときに、インピーダンス整合回路を、電界吸収型光変調
器から、Rbヘルツの正弦波電気信号の電気長の半分以
下の距離に設けているため、電気信号にとって、インピ
ーダンス整合回路と電界吸収型光変調器が一つの回路と
見なすことができ、電気信号の反射を低減することがで
きる。このため入力電気信号を忠実に電圧を電界吸収型
光変調器に印加することができ、入力された電気信号を
忠実に光信号に変換して送信することができる。
【0133】つぎの発明よる光通信用光源装置によれ
ば、素子マウントに搭載した光半導体素子の電極の高さ
位置と、素子マウントの電極の高さ位置とが等しいた
め、光半導体素子の電極と素子マウントの電極を接続す
るワイヤを、短い距離でボンディングすることができ、
ワイヤのインダクタンスの影響を最小にすることができ
る。このため、高周波の電気信号を忠実に光半導体素子
に導くことができ、入力された電気信号を忠実に光信号
に変換して送信することができる。
ば、素子マウントに搭載した光半導体素子の電極の高さ
位置と、素子マウントの電極の高さ位置とが等しいた
め、光半導体素子の電極と素子マウントの電極を接続す
るワイヤを、短い距離でボンディングすることができ、
ワイヤのインダクタンスの影響を最小にすることができ
る。このため、高周波の電気信号を忠実に光半導体素子
に導くことができ、入力された電気信号を忠実に光信号
に変換して送信することができる。
【0134】つぎの発明よる光通信用光源装置によれ
ば、素子マウントに電気信号を伝送するラインの電極の
高さ位置と、素子マウントの電極の高さ位置とが等しい
ため、電気信号を伝送するラインの電極と素子マウント
の電極を接続するワイヤを、短い距離でボンディングす
ることができ、ワイヤのインダクタンスの影響を最小に
することができる。このため、高周波の電気信号を忠実
に光半導体素子に導くことができ、入力された電気信号
を忠実に光信号に変換して送信することができる。
ば、素子マウントに電気信号を伝送するラインの電極の
高さ位置と、素子マウントの電極の高さ位置とが等しい
ため、電気信号を伝送するラインの電極と素子マウント
の電極を接続するワイヤを、短い距離でボンディングす
ることができ、ワイヤのインダクタンスの影響を最小に
することができる。このため、高周波の電気信号を忠実
に光半導体素子に導くことができ、入力された電気信号
を忠実に光信号に変換して送信することができる。
【0135】つぎの発明よる光通信用光源装置によれ
ば、電気信号を伝送するラインの特性インピーダンス
と、素子マウントの電極の特性インピーダンスを等しく
するため、電気信号伝送ラインと素子マウントの接続点
での反射を低減することができ、また素子マウントの電
極を電気信号伝送ラインの一部と見なすことができ、素
子マウントの電極による寄生容量の問題点を無視するこ
とができる。このため、高周波の電気信号を忠実に光半
導体素子に導くことができ、入力された電気信号を忠実
に光信号に変換して送信することができる。
ば、電気信号を伝送するラインの特性インピーダンス
と、素子マウントの電極の特性インピーダンスを等しく
するため、電気信号伝送ラインと素子マウントの接続点
での反射を低減することができ、また素子マウントの電
極を電気信号伝送ラインの一部と見なすことができ、素
子マウントの電極による寄生容量の問題点を無視するこ
とができる。このため、高周波の電気信号を忠実に光半
導体素子に導くことができ、入力された電気信号を忠実
に光信号に変換して送信することができる。
【0136】つぎの発明よる光通信用光源装置によれ
ば、電気信号を伝送するラインの特性インピーダンス
と、光半導体素子の電極の特性インピーダンスを等しく
するため、電気信号伝送ラインと光半導体素子の接続点
での反射を低減することができ、また光半導体素子の電
極が電気信号伝送ラインの一部と見なすことができ、光
半導体素子の電極による寄生容量の問題点を無視するこ
とができる。このため、高周波の電気信号を忠実に光半
導体素子に導くことができ、入力された電気信号を忠実
に光信号に変換して送信することができる。
ば、電気信号を伝送するラインの特性インピーダンス
と、光半導体素子の電極の特性インピーダンスを等しく
するため、電気信号伝送ラインと光半導体素子の接続点
での反射を低減することができ、また光半導体素子の電
極が電気信号伝送ラインの一部と見なすことができ、光
半導体素子の電極による寄生容量の問題点を無視するこ
とができる。このため、高周波の電気信号を忠実に光半
導体素子に導くことができ、入力された電気信号を忠実
に光信号に変換して送信することができる。
【0137】つぎの発明よる光通信用光源装置によれ
ば、微分回路が、外部変調器への電気信号伝送ライン
と、光周波数変調手段への伝送ラインとの電気的な結合
で構成されているため、特別な部品を使わず、容易に光
信号の波長広がりを防ぐことができ、誤りのない長距離
伝送が可能になる。
ば、微分回路が、外部変調器への電気信号伝送ライン
と、光周波数変調手段への伝送ラインとの電気的な結合
で構成されているため、特別な部品を使わず、容易に光
信号の波長広がりを防ぐことができ、誤りのない長距離
伝送が可能になる。
【0138】つぎの発明よる光通信用光源装置によれ
ば、増幅器の変調歪みのレベルの調整、または/および
レーザ光源の波長、電界吸収型光変調器のバイアス電圧
を変えて電界吸収型光変調器で発生する変調歪みのレベ
ルを調整し、増幅器の変調歪みのレベルと電界吸収型光
変調器で発生する変調歪みのレベルとを等しくするた
め、増幅器の変調歪みと電界吸収型光変調器の変調歪み
が互いに打ち消し合い、変調歪みの少ない良好な光信号
を得ることができる。
ば、増幅器の変調歪みのレベルの調整、または/および
レーザ光源の波長、電界吸収型光変調器のバイアス電圧
を変えて電界吸収型光変調器で発生する変調歪みのレベ
ルを調整し、増幅器の変調歪みのレベルと電界吸収型光
変調器で発生する変調歪みのレベルとを等しくするた
め、増幅器の変調歪みと電界吸収型光変調器の変調歪み
が互いに打ち消し合い、変調歪みの少ない良好な光信号
を得ることができる。
【0139】つぎの発明よる光通信用光源装置によれ
ば、増幅器の入力電気信号に歪み監視用変調波を合波
し、歪み監視用変調波により電界吸収型光変調器の電極
に発生する電気信号を検出し、歪み監視用変調波による
変調歪みが小さくなるように、増幅器の変調歪みのレベ
ル、または/および光源の波長、電界吸収型光変調器へ
のバイアス電圧を調整するため、変調歪みが最小になる
ように制御され、良好な光信号を送信することができ
る。
ば、増幅器の入力電気信号に歪み監視用変調波を合波
し、歪み監視用変調波により電界吸収型光変調器の電極
に発生する電気信号を検出し、歪み監視用変調波による
変調歪みが小さくなるように、増幅器の変調歪みのレベ
ル、または/および光源の波長、電界吸収型光変調器へ
のバイアス電圧を調整するため、変調歪みが最小になる
ように制御され、良好な光信号を送信することができ
る。
【0140】つぎの発明による光通信用光源装置によれ
ば、増幅器の入力電気信号に歪み監視用変調波を合波
し、歪み監視用変調波により電界吸収型光変調器の電極
に発生する電気信号を検出し、歪み監視用変調波による
変調歪みの位相が歪み監視用変調波に対して直交するよ
うに、増幅器の変調歪みのレベル、または/および光源
の波長、電界吸収型光変調器へのバイアス電圧を調整す
るため、変調歪みが最小になるように制御され、良好な
光信号を送信することができる。
ば、増幅器の入力電気信号に歪み監視用変調波を合波
し、歪み監視用変調波により電界吸収型光変調器の電極
に発生する電気信号を検出し、歪み監視用変調波による
変調歪みの位相が歪み監視用変調波に対して直交するよ
うに、増幅器の変調歪みのレベル、または/および光源
の波長、電界吸収型光変調器へのバイアス電圧を調整す
るため、変調歪みが最小になるように制御され、良好な
光信号を送信することができる。
【図1】 この発明による光通信用光源装置の実施の形
態1を示す構成図である。
態1を示す構成図である。
【図2】 電界吸収型光変調器とインピーダンス整合回
路のインピーダンスの周波数特性を示すグラフである。
路のインピーダンスの周波数特性を示すグラフである。
【図3】 実施の形態1の光通信用光源装置におけるイ
ンピーダンス整合回路の具体例を示す構成図である。
ンピーダンス整合回路の具体例を示す構成図である。
【図4】 この発明による光通信用光源装置の実施の形
態2を示す構成図である。
態2を示す構成図である。
【図5】 この発明による光通信用光源装置の実施の形
態3を示す構成図である。
態3を示す構成図である。
【図6】 この発明による光通信用光源装置の実施の形
態4を示す構成図である。
態4を示す構成図である。
【図7】 この発明による光通信用光源装置の実施の形
態5を示す構成図である。
態5を示す構成図である。
【図8】 この発明による光通信用光源装置の実施の形
態6を示す構成図である。
態6を示す構成図である。
【図9】 この発明による光通信用光源装置の実施の形
態7を示す構成図である。
態7を示す構成図である。
【図10】 この発明による光通信用光源装置の実施の
形態8を示す構成図である。
形態8を示す構成図である。
【図11】 実施の形態8の光通信用光源装置における
電気的な結合の周波数特性を示すグラフである。
電気的な結合の周波数特性を示すグラフである。
【図12】 光ファイバの群遅延特性を示すグラフであ
る。
る。
【図13】 (a)は外部変調器への入力電気信号波形
を、(b)は外部変調器により強度変調された光信号の
強度波形を、(c)は外部変調器により強度変調された
光信号の光周波数変化の波形を示すグラフである。
を、(b)は外部変調器により強度変調された光信号の
強度波形を、(c)は外部変調器により強度変調された
光信号の光周波数変化の波形を示すグラフである。
【図14】 (a)は光周波数変調手段への入力電気信
号波形を、(b)は光周波変調の光周波数変化の波形
を、(c)は外部変調器により強度変調された光信号の
強度波形を示すグラフである。
号波形を、(b)は光周波変調の光周波数変化の波形
を、(c)は外部変調器により強度変調された光信号の
強度波形を示すグラフである。
【図15】 この発明による光通信用光源装置の実施の
形態9を示す構成図である。
形態9を示す構成図である。
【図16】 増幅器の入出力特性を示すグラフである。
【図17】 増幅器の信号電力および歪み電力を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図18】 電界吸収型光変調器の入出力特性を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図19】 電界吸収型光変調器の出力光の信号電力お
よび歪み電力を示すグラフである。
よび歪み電力を示すグラフである。
【図20】 この発明による光通信用光源装置の実施の
形態10を示す構成図である。
形態10を示す構成図である。
【図21】 この発明による光通信用光源装置の実施の
形態11を示す構成図である。
形態11を示す構成図である。
【図22】 従来の電界吸収型光変調器を用いた光通信
用光源装置の等価回路を示す説明図である。
用光源装置の等価回路を示す説明図である。
【図23】 従来の電界吸収型光変調器を用いた光通信
用光源装置の実装の様子を示す上面図である。
用光源装置の実装の様子を示す上面図である。
【図24】 従来の外部変調器を用いた光通信用光源装
置の構成図である。
置の構成図である。
【図25】 従来の電界吸収型光変調器を用いた光アナ
ログ通信用光源装置の構成図である。
ログ通信用光源装置の構成図である。
1 半導体レーザダイオード,2 電界吸収型光変調
器,3 定電流源,4終端抵抗,5 インダクタンスを
有する回路,6 レジスタンスを有する回路,7 イン
ピーダンス整合回路,10 ワイヤ,11 抵抗,14
光半導体素子,15 光半導体素子の電極,16 素
子マウント,17 素子マウントの電極,18 電気信
号伝送ライン,19 電気信号伝送ラインの電極,2
0,21ワイヤ,22 半導体レーザダイオード,23
外部変調器,24 伝送ライン,25 伝送ライン,
36 増幅器,37 変調歪み調整手段,38 波長可
変光源,39 電界吸収型光変調器,47 歪み監視用
変調波発生手段,48 歪みレベル検出手段,49 バ
イアス電圧制御回路,50 波長制御回路,51歪みの
位相検出手段,52 バイアス電圧制御回路,53 波
長制御回路
器,3 定電流源,4終端抵抗,5 インダクタンスを
有する回路,6 レジスタンスを有する回路,7 イン
ピーダンス整合回路,10 ワイヤ,11 抵抗,14
光半導体素子,15 光半導体素子の電極,16 素
子マウント,17 素子マウントの電極,18 電気信
号伝送ライン,19 電気信号伝送ラインの電極,2
0,21ワイヤ,22 半導体レーザダイオード,23
外部変調器,24 伝送ライン,25 伝送ライン,
36 増幅器,37 変調歪み調整手段,38 波長可
変光源,39 電界吸収型光変調器,47 歪み監視用
変調波発生手段,48 歪みレベル検出手段,49 バ
イアス電圧制御回路,50 波長制御回路,51歪みの
位相検出手段,52 バイアス電圧制御回路,53 波
長制御回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山下 純一郎 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内
Claims (11)
- 【請求項1】 電気信号に応じて光を強度変調する手段
として電界吸収型光変調器を用いる光通信用光源装置に
おいて、 前記電界吸収型光変調器への電気信号の入力回路に、イ
ンダクタンスを有する回路とレジスタンスを有する回路
を並列に接続したインピーダンス整合回路を有している
ことを特徴とする光通信用光源装置。 - 【請求項2】 前記インピーダンス整合回路の、前記イ
ンダクタンスを有する回路はワイヤまたはリボンまたは
基板上の金属パターンであり、前記レジスタンスを有す
る回路が抵抗であることを特徴とする請求項1に記載の
光通信用光源装置。 - 【請求項3】 前記電気信号の情報伝送速度をRbビッ
ト/秒としたときに、前記インピーダンス整合回路が前
記電界吸収型光変調器からRbヘルツの正弦波の電気長
の半分以下の距離に設けられていることを特徴とする請
求項1または2に記載の光通信用光源装置。 - 【請求項4】 電気信号に応じた光信号を発生する光半
導体素子を搭載する素子マウントにおいて、 前記素子マウントに搭載した前記光半導体素子の電極の
高さ位置と、前記素子マウントに設けられて前記光半導
体素子の電極とワイヤボンディングされる電極の高さ位
置とが互いに等しいことを特徴とする光通信用光源装
置。 - 【請求項5】 電気信号を伝送するラインの電極の高さ
位置と、前記光半導体素子の電極の高さ位置とが互いに
等しいことを特徴とする請求項4に記載の光通信用光源
装置。 - 【請求項6】 電気信号に応じた光信号を発生する光半
導体素子を搭載する素子マウントにおいて、 前記電気信号を伝送するラインの電極の特性インピーダ
ンスと前記素子マウントの電極の特性インピーダンスと
が等しいことを特徴とする光通信用光源装置。 - 【請求項7】 電気信号に応じた光信号を発生する光半
導体素子において、前記電気信号を伝送するラインの電
極の特性インピーダンスと前記光半導体素子の電極の特
性インピーダンスとが等しいことを特徴とする光通信用
光源装置。 - 【請求項8】 電気信号に応じて光源よりの入射光を強
度変調する外部変調器と、前記電気信号の時間微分信号
に応じて光周波数を変調する光周波数変調手段とを有す
る光通信用光源装置において、 前記時間微分信号を生成する微分回路が前記外部変調器
に電気信号を導く伝送ラインと、前記伝送ラインとの電
気的な結合により前記電気信号より高周波成分を取り出
して前記光周波数変調手段に導く伝送ラインとにより構
成されていることを特徴とする光通信用光源装置。 - 【請求項9】 電気信号を増幅する増幅器と、光源と、
電気信号に応じて前記光源からの入射光を強度変調する
電界吸収型光変調器からなる光アナログ通信用光源装置
において、 前記増幅器の変調歪みのレベルあるいは前記電界吸収型
光変調器のバイアス電圧あるいは前記光源の出射光の波
長の少なくとも何れか一つを調整し、前記電界吸収型光
変調器で発生する変調歪みのレベルと前記増幅器の変調
歪みのレベルとを等しくする調整・制御手段を有してい
ることを特徴とする光通信用光源装置。 - 【請求項10】 電気信号を増幅する増幅器と、光源
と、電気信号に応じて前記光源からの入射光を強度変調
する電界吸収型光変調器からなる光アナログ通信用光源
装置において、 前記増幅器の入力電気信号に合波する歪み監視用変調波
を発生する歪み監視用変調波発生手段と、前記歪み監視
用変調波により前記電界吸収型光変調器の電極に発生す
る電気信号の歪みレベルを検出する歪みレベル検出手段
と、前記歪みレベル検出手段で検出される歪みが小さく
なるように前記増幅器の変調歪みのレベルあるいは前記
電界吸収型光変調器のバイアス電圧あるいは前記光源の
出射光の波長の少なくとも何れか一つを調整する調整・
制御手段を有していることを特徴とする光通信用光源装
置。 - 【請求項11】 電気信号を増幅する増幅器と、光源
と、電気信号に応じて前記光源からの入射光を強度変調
する電界吸収型光変調器からなる光アナログ通信用光源
装置において、 前記増幅器の入力電気信号に合波する歪み監視用変調波
を発生する歪み監視用変調波発生手段と、前記電界吸収
型光変調器の電極に発生する電気信号の歪みの位相を検
出する位相検出手段と、前記位相検出手段によって検出
される歪みの位相が前記歪み監視用変調波に対して直交
するように前記増幅器の変調歪みのレベルあるいは前記
電界吸収型光変調器のバイアス電圧あるいは前記光源の
出射光の波長の少なくとも何れか一つを調整する調整・
制御手段を有していることを特徴とする光通信用光源装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4865896A JPH09246633A (ja) | 1996-03-06 | 1996-03-06 | 光通信用光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4865896A JPH09246633A (ja) | 1996-03-06 | 1996-03-06 | 光通信用光源装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09246633A true JPH09246633A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=12809455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4865896A Pending JPH09246633A (ja) | 1996-03-06 | 1996-03-06 | 光通信用光源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09246633A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5930022A (en) * | 1997-10-14 | 1999-07-27 | Fujitsu Limited | Driving circuit for electro-absorption optical modulator |
US6057954A (en) * | 1998-09-18 | 2000-05-02 | Lucent Technologies Inc. | Asymmetric inductive peaking for optoelectronic devices |
KR100322138B1 (ko) * | 2000-03-10 | 2004-09-07 | 삼성전자 주식회사 | 광통신 모듈 |
JP2011159752A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光変調信号生成装置及び光変調信号生成方法 |
EP3496272A1 (en) * | 2017-12-08 | 2019-06-12 | Nxp B.V. | A matching circuit |
-
1996
- 1996-03-06 JP JP4865896A patent/JPH09246633A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5930022A (en) * | 1997-10-14 | 1999-07-27 | Fujitsu Limited | Driving circuit for electro-absorption optical modulator |
US6057954A (en) * | 1998-09-18 | 2000-05-02 | Lucent Technologies Inc. | Asymmetric inductive peaking for optoelectronic devices |
KR100322138B1 (ko) * | 2000-03-10 | 2004-09-07 | 삼성전자 주식회사 | 광통신 모듈 |
JP2011159752A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光変調信号生成装置及び光変調信号生成方法 |
EP3496272A1 (en) * | 2017-12-08 | 2019-06-12 | Nxp B.V. | A matching circuit |
US10742195B2 (en) | 2017-12-08 | 2020-08-11 | Nxp B.V. | Matching circuit |
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