JPH10148801A - 外部変調方式による光変調装置 - Google Patents
外部変調方式による光変調装置Info
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- JPH10148801A JPH10148801A JP8310512A JP31051296A JPH10148801A JP H10148801 A JPH10148801 A JP H10148801A JP 8310512 A JP8310512 A JP 8310512A JP 31051296 A JP31051296 A JP 31051296A JP H10148801 A JPH10148801 A JP H10148801A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0121—Operation of devices; Circuit arrangements, not otherwise provided for in this subclass
- G02F1/0123—Circuits for the control or stabilisation of the bias voltage, e.g. automatic bias control [ABC] feedback loops
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Abstract
(57)【要約】
【課題】伝送特性の低下を引き起すことのない外部変調
方式による光変調装置を簡単な構成で提供することを可
能とする。 【解決手段】波長の異なるLD21とLED22の出力
光を波長多重カプラ23で結合しMZ光変調器24に与
え、その出力からLED22の波長成分を分岐して取り
出し、PD211で光電変換する。LED22の出力光
には予め低周波で強度変調をかけておき、PD211で
光電変換された電気信号を利得調整回路212で利得調
整して差動増幅器213に入力する一方、低周波発振器
26の出力を移相器214にて位相調整して差動増幅器
213に入力して両者の差を出力し、これを同期検波回
路215にて同期検波してその低周波成分によりバイア
ス電圧を制御するようにした。
方式による光変調装置を簡単な構成で提供することを可
能とする。 【解決手段】波長の異なるLD21とLED22の出力
光を波長多重カプラ23で結合しMZ光変調器24に与
え、その出力からLED22の波長成分を分岐して取り
出し、PD211で光電変換する。LED22の出力光
には予め低周波で強度変調をかけておき、PD211で
光電変換された電気信号を利得調整回路212で利得調
整して差動増幅器213に入力する一方、低周波発振器
26の出力を移相器214にて位相調整して差動増幅器
213に入力して両者の差を出力し、これを同期検波回
路215にて同期検波してその低周波成分によりバイア
ス電圧を制御するようにした。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システムの
光送信装置や光中継器等に用いられ、光出力波形を良好
な状態に維持できる外部変調方式による光変調装置に関
する。
光送信装置や光中継器等に用いられ、光出力波形を良好
な状態に維持できる外部変調方式による光変調装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】周知のように、光通信システムにあって
は、近年の情報量の増大に伴い、通信容量の飛躍的な増
大が望まれており、10Gbpsでの伝送実験も行われ
ている。一方、回線コストの低下を図る面から、中継間
隔の増大が図られており、100km程度の無中継伝送
が実験により確かめられている。
は、近年の情報量の増大に伴い、通信容量の飛躍的な増
大が望まれており、10Gbpsでの伝送実験も行われ
ている。一方、回線コストの低下を図る面から、中継間
隔の増大が図られており、100km程度の無中継伝送
が実験により確かめられている。
【0003】このような長距離大容量の光通信システム
において、レーザを直接変調する方法では、チャーピン
グとして知られるレーザ発振波長の変化とファイバの波
長分散の影響により、受信端での光波形が劣化する。こ
のため、チャーピングの影響の少ない外部変調器を用い
た光伝送が検討されている。
において、レーザを直接変調する方法では、チャーピン
グとして知られるレーザ発振波長の変化とファイバの波
長分散の影響により、受信端での光波形が劣化する。こ
のため、チャーピングの影響の少ない外部変調器を用い
た光伝送が検討されている。
【0004】外部変調器としては、ニオブ酸リチウムを
用いたマッハツェンダ(MZ)型の光変調器が良く知ら
れている。このMZ光変調器の入出力特性を図8(a)
に示し、この変調器に図8(b)に示す電気信号を入力
したときの出力光信号を図8(c)に示す。
用いたマッハツェンダ(MZ)型の光変調器が良く知ら
れている。このMZ光変調器の入出力特性を図8(a)
に示し、この変調器に図8(b)に示す電気信号を入力
したときの出力光信号を図8(c)に示す。
【0005】図8(a)において、Pmax は変調器から
出力される光の最大値で、入力光より変調器の損失分だ
け小さい値となる。理想的なMZ光変調器では、電圧が
入力されていないときにほぼPmax が得られる。変調器
に半波長電圧(図8(a)ではVπで示す)を入力した
場合、図に示すように光はほとんど出力されない。
出力される光の最大値で、入力光より変調器の損失分だ
け小さい値となる。理想的なMZ光変調器では、電圧が
入力されていないときにほぼPmax が得られる。変調器
に半波長電圧(図8(a)ではVπで示す)を入力した
場合、図に示すように光はほとんど出力されない。
【0006】入力信号として図8(b)に示すような電
気信号を加えた場合、図8(c)に示すような光信号が
出力される。すなわち、このような光信号を得るために
は電圧信号にDC成分(バイアス電圧Vb)が必要とな
る。
気信号を加えた場合、図8(c)に示すような光信号が
出力される。すなわち、このような光信号を得るために
は電圧信号にDC成分(バイアス電圧Vb)が必要とな
る。
【0007】ニオブ酸リチウムを利用したMZ光変調器
では、温度や湿度、変調器に加わる電圧、歪等によりそ
の入出力特性がドリフトする。例えば、入出力特性が図
9(a)に示すようにドリフトした場合、図9(b)に
示す電気信号を加えると、図9(c)に示すように、光
信号の出力波形に折返しが見られるようになる。このた
め、入出力特性のドリフトを補償するために、バイアス
電圧をシフトする必要がある。
では、温度や湿度、変調器に加わる電圧、歪等によりそ
の入出力特性がドリフトする。例えば、入出力特性が図
9(a)に示すようにドリフトした場合、図9(b)に
示す電気信号を加えると、図9(c)に示すように、光
信号の出力波形に折返しが見られるようになる。このた
め、入出力特性のドリフトを補償するために、バイアス
電圧をシフトする必要がある。
【0008】入出力特性のドリフトを補償するための方
式として、特公平3−251815号公報に、入力電気
信号に低周波を重畳し、ドリフトを検出する方式が開示
されている。図10にこの方式による外部変調器の制御
装置の構成を示す。
式として、特公平3−251815号公報に、入力電気
信号に低周波を重畳し、ドリフトを検出する方式が開示
されている。図10にこの方式による外部変調器の制御
装置の構成を示す。
【0009】図10において、光源101から送出され
るコヒーレント光は外部変調器(ここではMZ光変調器
を使用している)102に入力される。また、被変調信
号なる入力電気信号は可変利得(AGC)増幅器103
を用いて発振器104からの低周波信号で振幅変調され
る。振幅変調された電気信号は駆動増幅器105に入力
され、外部変調器102の駆動に必要なレベルにまで増
幅された後、コンデンサ106を介して外部変調器10
2に送出される。また、外部変調器102にはバイアス
T107を用いてバイアス電圧が印加される。
るコヒーレント光は外部変調器(ここではMZ光変調器
を使用している)102に入力される。また、被変調信
号なる入力電気信号は可変利得(AGC)増幅器103
を用いて発振器104からの低周波信号で振幅変調され
る。振幅変調された電気信号は駆動増幅器105に入力
され、外部変調器102の駆動に必要なレベルにまで増
幅された後、コンデンサ106を介して外部変調器10
2に送出される。また、外部変調器102にはバイアス
T107を用いてバイアス電圧が印加される。
【0010】外部変調器102からの出力光は、その一
部が光分岐器109で取り出され、光電変換器(フォト
ダイオード)1010で検出される。光電変換器101
0で検出された信号にはAGC増幅器103で重畳され
た低周波信号が含まれている。この検出信号は、低雑音
増幅器1011で増幅された後、位相比較器1012で
発振器104からの参照低周波と混合されて位相検波さ
れる。
部が光分岐器109で取り出され、光電変換器(フォト
ダイオード)1010で検出される。光電変換器101
0で検出された信号にはAGC増幅器103で重畳され
た低周波信号が含まれている。この検出信号は、低雑音
増幅器1011で増幅された後、位相比較器1012で
発振器104からの参照低周波と混合されて位相検波さ
れる。
【0011】この位相検波出力は低域通過フィルタ(L
PF)1013で直流電圧信号に変換され、バイアス制
御回路1014で適宜増幅されて、バイアス電圧として
バイアスT107に送られる。このバイアスT107の
一方の出力端は終端抵抗108を介して接地されてお
り、他方の出力端より外部変調器102にバイアス電圧
を与えている。
PF)1013で直流電圧信号に変換され、バイアス制
御回路1014で適宜増幅されて、バイアス電圧として
バイアスT107に送られる。このバイアスT107の
一方の出力端は終端抵抗108を介して接地されてお
り、他方の出力端より外部変調器102にバイアス電圧
を与えている。
【0012】上記構成において、図11(a)に示す入
出力特性(ドリフトが発生していない状態)を有する外
部変調器102に最適なバイアス電圧が与えられている
ものとすると、図11(b)に示す低周波信号(周波数
f0 )が重畳された電気信号を入力した場合、出力光信
号は図11(c)に示すようになり、2倍の周波数2*
f0 が重畳されている。
出力特性(ドリフトが発生していない状態)を有する外
部変調器102に最適なバイアス電圧が与えられている
ものとすると、図11(b)に示す低周波信号(周波数
f0 )が重畳された電気信号を入力した場合、出力光信
号は図11(c)に示すようになり、2倍の周波数2*
f0 が重畳されている。
【0013】ここで、外部変調器102の入出力特性
が、図12(a)に示すように、正常状態AからB,C
のようにドリフトしたとすると、図12(b)に示す入
力電気信号に対し、その出力光信号にはドリフト方向に
応じて図12(c)、図12(d)に示すように互いに
位相の反転した周波数f0 の低周波成分が現れる。
が、図12(a)に示すように、正常状態AからB,C
のようにドリフトしたとすると、図12(b)に示す入
力電気信号に対し、その出力光信号にはドリフト方向に
応じて図12(c)、図12(d)に示すように互いに
位相の反転した周波数f0 の低周波成分が現れる。
【0014】このことから、光電変換器1010で変換
された電気信号からは、最適のバイアス電圧が供給され
ている時には周波数f0 の信号は検出されず、入出力特
性のドリフトが発生すると周波数f0 の信号が検出さ
れ、その検出信号はドリフト方向の違いにより位相が反
転する。この電気信号をもとの低周波信号により位相検
波し、この位相検波結果が零になるようにバイアス電圧
を制御することで、入出力特性のドリフトを補償するこ
とができる。
された電気信号からは、最適のバイアス電圧が供給され
ている時には周波数f0 の信号は検出されず、入出力特
性のドリフトが発生すると周波数f0 の信号が検出さ
れ、その検出信号はドリフト方向の違いにより位相が反
転する。この電気信号をもとの低周波信号により位相検
波し、この位相検波結果が零になるようにバイアス電圧
を制御することで、入出力特性のドリフトを補償するこ
とができる。
【0015】ところが、上記装置には以下に示す欠点が
ある。まず第1に、上記装置は低周波を重畳した電気信
号を外部変調器102に入力しているため、出力される
光信号に対しても同様の低周波強度変調がかかってしま
う。このため、伝送特性の低下が引き起こされる。
ある。まず第1に、上記装置は低周波を重畳した電気信
号を外部変調器102に入力しているため、出力される
光信号に対しても同様の低周波強度変調がかかってしま
う。このため、伝送特性の低下が引き起こされる。
【0016】第2に、可変利得(AGC)増幅器103
及び駆動増幅器105は、入力電気信号のビットレート
以上の広帯域特性を有する必要があるが、これに加え、
低周波信号を重畳することが可能な物を実現することは
非常に困難である。特に駆動増幅器105は光変調器を
駆動するため大振幅動作を行う必要があり、その実現を
益々困難なものにしていた。
及び駆動増幅器105は、入力電気信号のビットレート
以上の広帯域特性を有する必要があるが、これに加え、
低周波信号を重畳することが可能な物を実現することは
非常に困難である。特に駆動増幅器105は光変調器を
駆動するため大振幅動作を行う必要があり、その実現を
益々困難なものにしていた。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように従来
の光変調装置は、入力電気信号に低周波を重畳する方式
であるため伝送特性の低下を引き起こし、また外部変調
器を駆動するための可変利得(AGC)増幅器及び駆動
増幅器に高ビットレート特性が要求されるため、実現が
非常に困難であるという問題点を有していた。
の光変調装置は、入力電気信号に低周波を重畳する方式
であるため伝送特性の低下を引き起こし、また外部変調
器を駆動するための可変利得(AGC)増幅器及び駆動
増幅器に高ビットレート特性が要求されるため、実現が
非常に困難であるという問題点を有していた。
【0018】本発明は上記事情に着目してなされたもの
で、その目的とするところは、比較的簡単な構成で伝送
特性の低下を引き起すことのない外部変調方式による光
変調装置を提供することにある。
で、その目的とするところは、比較的簡単な構成で伝送
特性の低下を引き起すことのない外部変調方式による光
変調装置を提供することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、以下の(1)乃至(6)に示す手段を用い
ている。 (1)上記目的を達成するために本発明は、搬送光信号
を発生する光源と、外部からの電気信号に応じて上記搬
送光信号を強度変調出力する光変調器とを備える外部変
調方式による光変調装置において、上記搬送光信号とは
異なる波長帯の光を出力する発光素子と、上記電気信号
より十分周波数の低い低周波信号を発生する低周波発振
器と、この低周波発振器から出力される低周波信号に応
じて上記発光素子を駆動することで、当該発光素子から
上記低周波信号により強度変調された光信号を発生させ
る発光素子駆動手段と、上記発光素子から出力される強
度変調された光信号を上記搬送光信号に結合し、上記光
変調器に入力する光結合手段と、上記光変調器から出力
される光信号のうち上記発光素子が出力する波長帯の光
成分を分岐して出力する光分岐手段と、この光分岐手段
で分岐された光信号を電気信号に変換する光電変換器
と、この光電変換器から出力される電気信号に含まれる
低周波信号の周波数成分と上記低周波発振器が出力する
低周波信号との位相を比較する位相比較手段と、この位
相比較手段の比較結果に基づいて、上記光変調器を駆動
する光変調器駆動手段とを具備して構成される。
に本発明は、以下の(1)乃至(6)に示す手段を用い
ている。 (1)上記目的を達成するために本発明は、搬送光信号
を発生する光源と、外部からの電気信号に応じて上記搬
送光信号を強度変調出力する光変調器とを備える外部変
調方式による光変調装置において、上記搬送光信号とは
異なる波長帯の光を出力する発光素子と、上記電気信号
より十分周波数の低い低周波信号を発生する低周波発振
器と、この低周波発振器から出力される低周波信号に応
じて上記発光素子を駆動することで、当該発光素子から
上記低周波信号により強度変調された光信号を発生させ
る発光素子駆動手段と、上記発光素子から出力される強
度変調された光信号を上記搬送光信号に結合し、上記光
変調器に入力する光結合手段と、上記光変調器から出力
される光信号のうち上記発光素子が出力する波長帯の光
成分を分岐して出力する光分岐手段と、この光分岐手段
で分岐された光信号を電気信号に変換する光電変換器
と、この光電変換器から出力される電気信号に含まれる
低周波信号の周波数成分と上記低周波発振器が出力する
低周波信号との位相を比較する位相比較手段と、この位
相比較手段の比較結果に基づいて、上記光変調器を駆動
する光変調器駆動手段とを具備して構成される。
【0020】このように構成することで、光変調器に入
力される電気信号に低周波成分が重畳されることがなく
なるので、伝送特性の劣化を招くことがなくなる。 (2)また本発明は、搬送光信号を発生する複数の光源
と、上記複数の光源のそれぞれに対して設けられ、外部
からの電気信号に応じて上記搬送光信号のそれぞれを強
度変調出力する複数の光変調器とを備える外部変調方式
による光変調装置において、上記複数の光源が発生する
搬送光信号の、各々の波長帯のいずれとも異なる波長帯
の光を出力する発光素子と、上記電気信号より十分周波
数の低い低周波信号を出力する低周波発振器と、この低
周波発振器から出力される低周波信号に応じて上記発光
素子を駆動することで、当該発光素子から上記低周波信
号により強度変調された光信号を発生させる発光素子駆
動手段と、上記発光素子から出力される強度変調された
光信号を上記複数個の光源の各々が発生する搬送光信号
の各々と結合し、上記複数の光変調器の各々に入力する
複数の光結合手段と、上記複数の光源の各々に対応して
設けられ、上記複数の光変調器の各々から出力される光
信号のうち、上記発光素子が出力する波長帯の光成分を
分岐して出力する複数の光分岐手段と、この複数の光分
岐手段の各々に対して設けられ、分岐された光信号の各
々を電気信号に変換する複数の光電変換器と、この複数
の光電変換器の各々に対して設けられ、出力された電気
信号に含まれる低周波信号の周波数成分と上記低周波発
振器が出力する低周波信号との位相を比較する複数の位
相比較手段と、上記複数の光変調器の各々に対して設け
られ、上記複数の位相比較手段の各々の比較結果に基づ
いて上記光変調器を駆動する複数の光変調器駆動手段と
を具備して構成される。
力される電気信号に低周波成分が重畳されることがなく
なるので、伝送特性の劣化を招くことがなくなる。 (2)また本発明は、搬送光信号を発生する複数の光源
と、上記複数の光源のそれぞれに対して設けられ、外部
からの電気信号に応じて上記搬送光信号のそれぞれを強
度変調出力する複数の光変調器とを備える外部変調方式
による光変調装置において、上記複数の光源が発生する
搬送光信号の、各々の波長帯のいずれとも異なる波長帯
の光を出力する発光素子と、上記電気信号より十分周波
数の低い低周波信号を出力する低周波発振器と、この低
周波発振器から出力される低周波信号に応じて上記発光
素子を駆動することで、当該発光素子から上記低周波信
号により強度変調された光信号を発生させる発光素子駆
動手段と、上記発光素子から出力される強度変調された
光信号を上記複数個の光源の各々が発生する搬送光信号
の各々と結合し、上記複数の光変調器の各々に入力する
複数の光結合手段と、上記複数の光源の各々に対応して
設けられ、上記複数の光変調器の各々から出力される光
信号のうち、上記発光素子が出力する波長帯の光成分を
分岐して出力する複数の光分岐手段と、この複数の光分
岐手段の各々に対して設けられ、分岐された光信号の各
々を電気信号に変換する複数の光電変換器と、この複数
の光電変換器の各々に対して設けられ、出力された電気
信号に含まれる低周波信号の周波数成分と上記低周波発
振器が出力する低周波信号との位相を比較する複数の位
相比較手段と、上記複数の光変調器の各々に対して設け
られ、上記複数の位相比較手段の各々の比較結果に基づ
いて上記光変調器を駆動する複数の光変調器駆動手段と
を具備して構成される。
【0021】このように構成することで上記(1)に示
した利点を持つに加え、複数の異なる波長を持つ光信号
に対する光変調が行えるので、波長多重システムに対す
る光変調装置を提供できる。
した利点を持つに加え、複数の異なる波長を持つ光信号
に対する光変調が行えるので、波長多重システムに対す
る光変調装置を提供できる。
【0022】(3)また本発明は、上記(1)及び
(2)のいずれかに記載の外部変調方式による光変調装
置において、上記光変調器駆動手段を、上記位相比較手
段の比較結果に基づいて上記光変調器に印加されるバイ
アス電圧の値を変化させるものとした。
(2)のいずれかに記載の外部変調方式による光変調装
置において、上記光変調器駆動手段を、上記位相比較手
段の比較結果に基づいて上記光変調器に印加されるバイ
アス電圧の値を変化させるものとした。
【0023】このように構成することで、例えば温度変
化などの外的要因による上記光変調器の特性のずれを保
証することが可能となる。 (4)また本発明は、上記(1)及び(2)のいずれか
に記載の外部変調方式による光変調装置において、上記
光変調器駆動手段を、上記位相比較手段の比較結果に基
づいて上記光変調器に入力される電気信号の強度方向の
シフト量を変化させるものとした。
化などの外的要因による上記光変調器の特性のずれを保
証することが可能となる。 (4)また本発明は、上記(1)及び(2)のいずれか
に記載の外部変調方式による光変調装置において、上記
光変調器駆動手段を、上記位相比較手段の比較結果に基
づいて上記光変調器に入力される電気信号の強度方向の
シフト量を変化させるものとした。
【0024】このように構成することによっても、上記
(3)と同様の作用効果を奏することが可能である。 (5)また本発明は、上記(1)乃至(4)のいずれか
に記載の外部変調方式による光変調装置において、上記
光結合手段および光分岐手段を波長多重カプラであると
した。
(3)と同様の作用効果を奏することが可能である。 (5)また本発明は、上記(1)乃至(4)のいずれか
に記載の外部変調方式による光変調装置において、上記
光結合手段および光分岐手段を波長多重カプラであると
した。
【0025】このように構成することで、波長多重シス
テムに対して本発明を適用することが可能となる。 (6)また本発明は、上記(1)乃至(5)のいずれか
に記載の外部変調方式による光変調装置において、上記
光変調器をマッハツェンダ型光変調器であるとした。こ
のように構成することで、高ビットレートの入力電気信
号に対する光変調を行うことが可能な光変調装置を提供
できる。
テムに対して本発明を適用することが可能となる。 (6)また本発明は、上記(1)乃至(5)のいずれか
に記載の外部変調方式による光変調装置において、上記
光変調器をマッハツェンダ型光変調器であるとした。こ
のように構成することで、高ビットレートの入力電気信
号に対する光変調を行うことが可能な光変調装置を提供
できる。
【0026】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。 (第1実施形態)図1は本発明に係わる外部変調方式に
よる光変調装置の第1実施形態を示す原理ブロック図で
ある。
施形態を説明する。 (第1実施形態)図1は本発明に係わる外部変調方式に
よる光変調装置の第1実施形態を示す原理ブロック図で
ある。
【0027】図1において、光源11の出力する搬送波
光は光結合器13を介して光変調器14に入力され、入
力データ信号に応じて強度変調されたのち光分岐器18
を介して被変調光として出力される。このとき光結合器
13には発光素子12の出力光が与えられている。発光
素子駆動部15には低周波発振器16の発生する低周波
信号が与えられており、これにより発光素子12の出力
光には上記低周波信号が重畳される。
光は光結合器13を介して光変調器14に入力され、入
力データ信号に応じて強度変調されたのち光分岐器18
を介して被変調光として出力される。このとき光結合器
13には発光素子12の出力光が与えられている。発光
素子駆動部15には低周波発振器16の発生する低周波
信号が与えられており、これにより発光素子12の出力
光には上記低周波信号が重畳される。
【0028】一方、光分岐器18は光変調器14の出力
から発光素子12の出力光波長成分を分岐して取り出す
もので、ここで分岐された光信号は光電変換器19によ
り光電変換されて位相比較部110に入力される。
から発光素子12の出力光波長成分を分岐して取り出す
もので、ここで分岐された光信号は光電変換器19によ
り光電変換されて位相比較部110に入力される。
【0029】この位相比較部110は、上記光電変換さ
れた光信号の低周波成分の位相と、低周波発振器16の
出力する低周波信号の位相とを比較し、これに応じた制
御信号を光変調器駆動部17に与えるものとなってい
る。
れた光信号の低周波成分の位相と、低周波発振器16の
出力する低周波信号の位相とを比較し、これに応じた制
御信号を光変調器駆動部17に与えるものとなってい
る。
【0030】図2は、本発明に係わる外部変調方式によ
る光変調装置の第1実施形態を示す回路ブロック図であ
る。図2において、半導体レーザ(LD)21および発
光ダイオード(LED)22の出力する光信号が波長多
重カプラ23で結合され、MZ光変調器24へと入力さ
れる。LD21は搬送波光を出力するもので、この出力
光波長を1550nmとする。またLED22の出力光
波長を1310nmとする。なお、LED22の代わり
に半導体レーザを用いても良い。
る光変調装置の第1実施形態を示す回路ブロック図であ
る。図2において、半導体レーザ(LD)21および発
光ダイオード(LED)22の出力する光信号が波長多
重カプラ23で結合され、MZ光変調器24へと入力さ
れる。LD21は搬送波光を出力するもので、この出力
光波長を1550nmとする。またLED22の出力光
波長を1310nmとする。なお、LED22の代わり
に半導体レーザを用いても良い。
【0031】LED22を駆動する駆動回路25には、
低周波発振器26の発生する低周波信号が入力される。
この駆動回路25としては、例えば可変利得(AGC)
増幅器が用いられる。
低周波発振器26の発生する低周波信号が入力される。
この駆動回路25としては、例えば可変利得(AGC)
増幅器が用いられる。
【0032】MZ光変調器24の一方の変調入力端子に
はデータ信号が入力され、またMZ光変調器24の他方
の変調入力端子には、直列接続されたローパスフィルタ
(LPF)27、加算器28、およびバイアスT29が
接続される。なお、これらのLPF27、加算器28、
およびバイアスT29がMZ光変調器24の駆動部に相
当する。
はデータ信号が入力され、またMZ光変調器24の他方
の変調入力端子には、直列接続されたローパスフィルタ
(LPF)27、加算器28、およびバイアスT29が
接続される。なお、これらのLPF27、加算器28、
およびバイアスT29がMZ光変調器24の駆動部に相
当する。
【0033】MZ光変調器24はこの駆動部によりバイ
アス制御され、結合された1550nmおよび1310
nmの波長の光信号を入力データ信号に応じて強度変調
して出力する。この強度変調光は、光分岐器としての波
長多重カプラ210に入力される。この波長多重カプラ
210により、MZ光変調器24の出力光から1310
nmの波長の光信号が分岐され、光電変換器としてのフ
ォトダイオード(PD)211へと導かれる。なお、こ
のPD211は入力データ信号のビットレートに対して
十分低速の物を使用して良い。
アス制御され、結合された1550nmおよび1310
nmの波長の光信号を入力データ信号に応じて強度変調
して出力する。この強度変調光は、光分岐器としての波
長多重カプラ210に入力される。この波長多重カプラ
210により、MZ光変調器24の出力光から1310
nmの波長の光信号が分岐され、光電変換器としてのフ
ォトダイオード(PD)211へと導かれる。なお、こ
のPD211は入力データ信号のビットレートに対して
十分低速の物を使用して良い。
【0034】このPD211の出力は、利得調整回路2
12を介して差動増幅器213の一方の入力端子へと入
力される。また、差動増幅器213の他方の入力端子へ
は、低周波発振器26の発生する低周波信号が移相器2
14を介して入力される。さらに、差動増幅器213の
出力は、移相器214を介した低周波信号と共に同期検
波回路215へと入力される。
12を介して差動増幅器213の一方の入力端子へと入
力される。また、差動増幅器213の他方の入力端子へ
は、低周波発振器26の発生する低周波信号が移相器2
14を介して入力される。さらに、差動増幅器213の
出力は、移相器214を介した低周波信号と共に同期検
波回路215へと入力される。
【0035】利得調整回路212は、最適バイアス点に
おいてPD211の出力と移相器214との出力振幅と
を互いに等しくするために挿入され、また移相器214
は、バイアス制御ループの時間遅れを補償するために設
けられている。なお、これらの利得調整回路212、差
動増幅器213、移相器214および同期検波回路21
5が、位相比較部110に相当する。
おいてPD211の出力と移相器214との出力振幅と
を互いに等しくするために挿入され、また移相器214
は、バイアス制御ループの時間遅れを補償するために設
けられている。なお、これらの利得調整回路212、差
動増幅器213、移相器214および同期検波回路21
5が、位相比較部110に相当する。
【0036】同期検波回路215の出力はLPF27を
介して加算器28へと入力され、予め設定された初期設
定電圧と加算されたのちバイアスT29を介してMZ光
変調器24の上記他方の変調入力端子へと入力される。
介して加算器28へと入力され、予め設定された初期設
定電圧と加算されたのちバイアスT29を介してMZ光
変調器24の上記他方の変調入力端子へと入力される。
【0037】なお、図2において利得調整回路212お
よび移相器214を設ける位置は必ずしもこの通りであ
る必要はなく、例えば利得調整回路212と移相器21
4とを直列に接続してPD211の出力側に、あるいは
低周波発振器26の出力に対して設けるようにしても良
い。またLPF27を加算器28の出力段に設けるよう
にしても良い。
よび移相器214を設ける位置は必ずしもこの通りであ
る必要はなく、例えば利得調整回路212と移相器21
4とを直列に接続してPD211の出力側に、あるいは
低周波発振器26の出力に対して設けるようにしても良
い。またLPF27を加算器28の出力段に設けるよう
にしても良い。
【0038】上記構成において、以下にその動作を説明
する。まず、LD21の出力光(波長1550nm)と
LED22の出力光(波長1310nm)とを波長多重
カプラ23で結合し、MZ光変調器24へと入力する。
ここでは、LED22の出力光は無変調であると仮定す
る。
する。まず、LD21の出力光(波長1550nm)と
LED22の出力光(波長1310nm)とを波長多重
カプラ23で結合し、MZ光変調器24へと入力する。
ここでは、LED22の出力光は無変調であると仮定す
る。
【0039】図3に、入力光波長に対するMZ光変調器
24の印加電圧−透過率特性を示す。図3において、点
線が1550nmの波長の光信号に対する印加電圧−透
過率特性を示し、実線が1310nmの波長の光信号に
対する印加電圧−透過率特性を示す。なお、図3におい
ては印加電圧−透過率特性に対するドリフトは発生して
いないものとする一般に、MZ光変調器においては印加
電圧に対する透過率特性は周期的に変化するが、この周
期は入力される光信号の波長に比例したものとなってい
る。すなわち1550nmの波長の光信号に対する半波
長電圧をVπとすれば、1310nmの波長の光信号に
対する半波長電圧はVπ×(1310÷1550)とな
る。
24の印加電圧−透過率特性を示す。図3において、点
線が1550nmの波長の光信号に対する印加電圧−透
過率特性を示し、実線が1310nmの波長の光信号に
対する印加電圧−透過率特性を示す。なお、図3におい
ては印加電圧−透過率特性に対するドリフトは発生して
いないものとする一般に、MZ光変調器においては印加
電圧に対する透過率特性は周期的に変化するが、この周
期は入力される光信号の波長に比例したものとなってい
る。すなわち1550nmの波長の光信号に対する半波
長電圧をVπとすれば、1310nmの波長の光信号に
対する半波長電圧はVπ×(1310÷1550)とな
る。
【0040】このような特性を持つMZ光変調器24に
対して一方の変調入力端子からデータ信号を入力する。
この入力データ信号に応じて、1550nmおよび13
10nmの波長光が変調出力される。尚、ここでは入力
データ信号を図3に示すような正弦波の高周波電圧と仮
定するが、これが2値のパルス信号である場合にも以下
と同様の議論が展開できる。この高周波電圧Vを表す式
は、ドリフトが発生していないとする仮定から電圧振幅
及びバイアス電圧値がそれぞれVπ/2であるので、
対して一方の変調入力端子からデータ信号を入力する。
この入力データ信号に応じて、1550nmおよび13
10nmの波長光が変調出力される。尚、ここでは入力
データ信号を図3に示すような正弦波の高周波電圧と仮
定するが、これが2値のパルス信号である場合にも以下
と同様の議論が展開できる。この高周波電圧Vを表す式
は、ドリフトが発生していないとする仮定から電圧振幅
及びバイアス電圧値がそれぞれVπ/2であるので、
【0041】
【数1】 となる。よって、1310nmの波長の光信号に対する
MZ光変調器24からの光出力Iout は、
MZ光変調器24からの光出力Iout は、
【0042】
【数2】 と表される。なお、上式(2)において、
【0043】
【数3】 であり、Iinは入力光信号強度、ωは高周波電圧Vの角
周波数である。またαは、MZ光変調器24にドリフト
が生じていない場合の1310nmの波長光に対するバ
イアス点であり、ドリフトが生じるに伴い変化する変数
である。
周波数である。またαは、MZ光変調器24にドリフト
が生じていない場合の1310nmの波長光に対するバ
イアス点であり、ドリフトが生じるに伴い変化する変数
である。
【0044】MZ光変調器24において変調を受けた光
信号は波長多重カプラ210にて分岐され、1550n
mの波長光は伝送路へ、一方1310nmの波長光はP
D211へと入力される。ここで光電変換される光信号
の低周波成分Ioutav は、上記(3)をω一周期分にわ
たり積分することにより得られ、
信号は波長多重カプラ210にて分岐され、1550n
mの波長光は伝送路へ、一方1310nmの波長光はP
D211へと入力される。ここで光電変換される光信号
の低周波成分Ioutav は、上記(3)をω一周期分にわ
たり積分することにより得られ、
【0045】
【数4】 と表される。なお、J0 (A)とは0次のベッセル関数
であり、ここでは定数となる。
であり、ここでは定数となる。
【0046】上記(4)から判るように、Ioutav はα
に伴って単調増加または単調減少する。従って、このI
outav をモニタすることでαの位置を求めることがで
き、これを基にMZ光変調器24に印加すべきバイアス
電圧を制御することが可能となる。しかしながらIouta
v を直流的にモニタした場合、PD211に流れる暗電
流などにより誤差が伴う。
に伴って単調増加または単調減少する。従って、このI
outav をモニタすることでαの位置を求めることがで
き、これを基にMZ光変調器24に印加すべきバイアス
電圧を制御することが可能となる。しかしながらIouta
v を直流的にモニタした場合、PD211に流れる暗電
流などにより誤差が伴う。
【0047】これを避けるためLED22の出力光、す
なわちIinに低周波の強度変調をかけ、これにより生じ
るPD211の出力の変化をモニタするようにする。こ
れは駆動回路25の増幅利得を低周波発振器26の出力
に応じて変化させることで行われ、こうすることでPD
211からは低周波発振器26の発生する低周波に応じ
て強度変調された電気信号が出力される。このPD21
1からの出力は、利得調整回路212により利得制御さ
れたのち移相器214の出力と共に差動増幅器213に
入力される。
なわちIinに低周波の強度変調をかけ、これにより生じ
るPD211の出力の変化をモニタするようにする。こ
れは駆動回路25の増幅利得を低周波発振器26の出力
に応じて変化させることで行われ、こうすることでPD
211からは低周波発振器26の発生する低周波に応じ
て強度変調された電気信号が出力される。このPD21
1からの出力は、利得調整回路212により利得制御さ
れたのち移相器214の出力と共に差動増幅器213に
入力される。
【0048】このときの利得調整回路212、移相器2
14および差動増幅器213の出力波形は、ドリフトの
発生如何により変化する。その様子を図4に示す。図4
において、(a)が利得調整回路212、(b)が移相
器214、(c)が差動増幅器213のそれぞれの出力
波形を示している。MZ光変調器24にドリフトが発生
していない場合、各出力波形は図中実線で表される。こ
の場合、(a)および(b)の波形が一致するように予
め設定されているので、(c)の波形には低周波成分は
表れない。
14および差動増幅器213の出力波形は、ドリフトの
発生如何により変化する。その様子を図4に示す。図4
において、(a)が利得調整回路212、(b)が移相
器214、(c)が差動増幅器213のそれぞれの出力
波形を示している。MZ光変調器24にドリフトが発生
していない場合、各出力波形は図中実線で表される。こ
の場合、(a)および(b)の波形が一致するように予
め設定されているので、(c)の波形には低周波成分は
表れない。
【0049】一方、図5に示すようにバイアス点がVπ
/2〜Vπの間で大きくなるようなドリフトが発生した
場合、αもそれにつれて大きくなり式(4)からIouta
v は小さくなるように変化する。このため図4の一点鎖
線に示すように(a)の出力の振幅が小さくなり、
(c)の波形には低周波成分が表れる。逆にバイアス点
が小さくなるようなドリフトが発生した場合には、図示
しないが(a)の出力の振幅が大きくなり、(c)の波
形には逆位相の低周波成分が表れる。
/2〜Vπの間で大きくなるようなドリフトが発生した
場合、αもそれにつれて大きくなり式(4)からIouta
v は小さくなるように変化する。このため図4の一点鎖
線に示すように(a)の出力の振幅が小さくなり、
(c)の波形には低周波成分が表れる。逆にバイアス点
が小さくなるようなドリフトが発生した場合には、図示
しないが(a)の出力の振幅が大きくなり、(c)の波
形には逆位相の低周波成分が表れる。
【0050】この(c)において発生する低周波成分を
同期検波回路215にて同期検波し、これにより得られ
る直流電圧をMZ光変調器24にフィードバックするこ
とでバイアス電圧を最適に制御する。同期検波回路21
5およびLPF27の出力波形を図6に示す。
同期検波回路215にて同期検波し、これにより得られ
る直流電圧をMZ光変調器24にフィードバックするこ
とでバイアス電圧を最適に制御する。同期検波回路21
5およびLPF27の出力波形を図6に示す。
【0051】図6(d)に示すように、同期検波回路2
15には移相器214および差動増幅器213の出力が
与えられる。同期検波回路215は例えば乗算器により
入力波形の積を出力するもので、ドリフトの有無により
(e)に示すような波形を出力する。これをLPF27
に入力することで(f)に示すような出力が得られる。
すなわち、ドリフトの程度に応じた直流電圧が得られ
る。これをMZ光変調器24にフィードバックすること
でバイアス電圧を最適に制御することが可能となる。な
お、上記構成においてはLPF27の出力と予め設定さ
れた初期設定電圧とを、加算器28にて加算したうえで
フィードバックするようにしている。こうすることで初
期のMZ光変調器24の動作点を適切に設定することが
可能となる。またバイアス電圧はバイアスT29を介し
てフィードバックされ、入力データ信号を終端できるよ
うにしている。
15には移相器214および差動増幅器213の出力が
与えられる。同期検波回路215は例えば乗算器により
入力波形の積を出力するもので、ドリフトの有無により
(e)に示すような波形を出力する。これをLPF27
に入力することで(f)に示すような出力が得られる。
すなわち、ドリフトの程度に応じた直流電圧が得られ
る。これをMZ光変調器24にフィードバックすること
でバイアス電圧を最適に制御することが可能となる。な
お、上記構成においてはLPF27の出力と予め設定さ
れた初期設定電圧とを、加算器28にて加算したうえで
フィードバックするようにしている。こうすることで初
期のMZ光変調器24の動作点を適切に設定することが
可能となる。またバイアス電圧はバイアスT29を介し
てフィードバックされ、入力データ信号を終端できるよ
うにしている。
【0052】上記したように本実施形態においては、搬
送波光を出力するLD21とは異なる波長の光信号を出
力するLED22を設け、このLED22の出力光を強
度変調するようにしているので入力データ信号に悪影響
を及ぼすことがなく、伝送特性を劣化させる事がない。
またLD21とLED22の出力光波長は互いに異なる
ように設定されているので装置内で干渉を受けることは
ない。またLED22は低周波で変調されるので駆動回
路25は入力データ信号のビットレートに比して十分低
速のもので良く、これにより外部変調方式による光変調
装置を容易に構成することが可能となる。
送波光を出力するLD21とは異なる波長の光信号を出
力するLED22を設け、このLED22の出力光を強
度変調するようにしているので入力データ信号に悪影響
を及ぼすことがなく、伝送特性を劣化させる事がない。
またLD21とLED22の出力光波長は互いに異なる
ように設定されているので装置内で干渉を受けることは
ない。またLED22は低周波で変調されるので駆動回
路25は入力データ信号のビットレートに比して十分低
速のもので良く、これにより外部変調方式による光変調
装置を容易に構成することが可能となる。
【0053】(第2実施形態)図7は本発明に係わる外
部変調方式による光変調装置の第2実施形態を示す回路
ブロック図である。尚、図7において図2と同一部分に
は同一の符号を付して示し、重複する説明は省略する。
部変調方式による光変調装置の第2実施形態を示す回路
ブロック図である。尚、図7において図2と同一部分に
は同一の符号を付して示し、重複する説明は省略する。
【0054】図7においては、図2に示すLD21、波
長多重カプラ23、MZ光変調器24、波長多重カプラ
210およびバイアス電圧制御に係わる部分(図中点線
部)がn系統に多重化され、それぞれの系統に共通なパ
イロット光源としてLED22、駆動回路25、および
低周波発振器26が設けられたものとなっている。
長多重カプラ23、MZ光変調器24、波長多重カプラ
210およびバイアス電圧制御に係わる部分(図中点線
部)がn系統に多重化され、それぞれの系統に共通なパ
イロット光源としてLED22、駆動回路25、および
低周波発振器26が設けられたものとなっている。
【0055】LD221〜22nの出力光はそれぞれ入
力データ信号71〜7nに応じて変調出力されるが、そ
の際第1実施形態と同様にしてMZ光変調器241〜2
4nのバイアス点が最適に制御される。また、LED2
2、駆動回路25、および低周波発振器26がそれぞれ
の系統に対して共通に設けられている。これにより本実
施系態によれば、本発明を波長多重システムに適用する
にあたり構成を簡易にすることができる効果がある。
力データ信号71〜7nに応じて変調出力されるが、そ
の際第1実施形態と同様にしてMZ光変調器241〜2
4nのバイアス点が最適に制御される。また、LED2
2、駆動回路25、および低周波発振器26がそれぞれ
の系統に対して共通に設けられている。これにより本実
施系態によれば、本発明を波長多重システムに適用する
にあたり構成を簡易にすることができる効果がある。
【0056】なおLD221〜22nの出力光波長は互
いに異なっていても、あるいは同じものがあっても構わ
ないが、それぞれLED22の出力光波長と異なってい
なければならないことは第1実施形態と同様である。
いに異なっていても、あるいは同じものがあっても構わ
ないが、それぞれLED22の出力光波長と異なってい
なければならないことは第1実施形態と同様である。
【0057】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、M
Z光変調器24のドリフトをモニタするための低周波を
LED22の出力に重畳するようにしているので入力デ
ータ信号の波形を変化させることがなく、これにより伝
送特性の劣化を招くことがない。また駆動回路25及び
PD211は入力データ信号のビットレートに比して十
分低速のもので良いので、構成を簡易なものとすること
が可能となる。また本発明を波長多重システムに適用す
る場合にはLED22、駆動回路25、および低周波発
振器26を共通に設けることができるので、これによっ
ても構成を簡易なものとすることが可能となる。
Z光変調器24のドリフトをモニタするための低周波を
LED22の出力に重畳するようにしているので入力デ
ータ信号の波形を変化させることがなく、これにより伝
送特性の劣化を招くことがない。また駆動回路25及び
PD211は入力データ信号のビットレートに比して十
分低速のもので良いので、構成を簡易なものとすること
が可能となる。また本発明を波長多重システムに適用す
る場合にはLED22、駆動回路25、および低周波発
振器26を共通に設けることができるので、これによっ
ても構成を簡易なものとすることが可能となる。
【図1】 本発明に係わる外部変調方式による光変調装
置の第1実施形態を示す原理ブロック図。
置の第1実施形態を示す原理ブロック図。
【図2】 本発明に係わる外部変調方式による光変調装
置の第1実施形態を示す回路ブロック図。
置の第1実施形態を示す回路ブロック図。
【図3】 ドリフトが発生していない場合のMZ光変調
器24の印加電圧−透過率特性を示す図。
器24の印加電圧−透過率特性を示す図。
【図4】 利得調整回路212、移相器214および差
動増幅器213の出力波形を示す図。
動増幅器213の出力波形を示す図。
【図5】 ドリフトが発生した場合のMZ光変調器24
の印加電圧−透過率特性を示す図。
の印加電圧−透過率特性を示す図。
【図6】 同期検波回路215およびLPF27の出力
波形を示す図。
波形を示す図。
【図7】 本発明に係わる外部変調方式による光変調装
置の第2実施形態を示す回路ブロック図。
置の第2実施形態を示す回路ブロック図。
【図8】 外部変調器の入出力特性とその特性が正常な
場合の入出力変化を示す図。
場合の入出力変化を示す図。
【図9】 外部変調器の入出力特性がドリフトした場合
の入出力変化の様子を示す図。
の入出力変化の様子を示す図。
【図10】 従来の外部変調器の制御装置の一例を示す
回路ブロック図。
回路ブロック図。
【図11】 図10の制御装置において、外部変調器に
最適バイアス電圧が与えられている場合の入出力変化を
示す図。
最適バイアス電圧が与えられている場合の入出力変化を
示す図。
【図12】 図10の制御装置において、外部変調器の
入出力特性がドリフトした場合の入出力変化を示す図。
入出力特性がドリフトした場合の入出力変化を示す図。
11…光源 12…発光素子 13…光結合器 14…光変調器 15…発光素子駆動部 16…低周波発振器 17…光変調器駆動部 18…光分岐器 19…光電変換器 110…位相比較部 21…半導体レーザ(LD) 22…発光ダイオード(LED) 23…波長多重カプラ 24…マッハツェンダ光変調器(MZ光変調器) 25…駆動回路 26…低周波発振器 27…ローパスフィルタ(LPF) 28…加算器 29…バイアスT 210…波長多重カプラ 211…フォトダイオード(PD) 212…利得調整回路 213…差動増幅器 214…移相器 215…同期検波回路 221〜22n…半導体レーザ(LD) 231〜23n…波長多重カプラ 241〜24n…マッハツェンダ光変調器(MZ光変調
器) 2101〜210n…波長多重カプラ 71〜7n…入力データ信号
器) 2101〜210n…波長多重カプラ 71〜7n…入力データ信号
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI // H01S 3/18
Claims (6)
- 【請求項1】搬送光信号を発生する光源と、外部からの
電気信号に応じて前記搬送光信号を強度変調出力する光
変調器とを備える外部変調方式による光変調装置におい
て、 前記搬送光信号とは異なる波長帯の光を出力する発光素
子と、 前記電気信号より十分周波数の低い低周波信号を発生す
る低周波発振器と、 この低周波発振器から出力される低周波信号に応じて前
記発光素子を駆動することで、当該発光素子から前記低
周波信号により強度変調された光信号を発生させる発光
素子駆動手段と、 前記発光素子から出力される強度変調された光信号を前
記搬送光信号に結合し、前記光変調器に入力する光結合
手段と、 前記光変調器から出力される光信号のうち前記発光素子
が出力する波長帯の光成分を分岐して出力する光分岐手
段と、 この光分岐手段で分岐された光信号を電気信号に変換す
る光電変換器と、 この光電変換器から出力される電気信号に含まれる低周
波信号の周波数成分と前記低周波発振器が出力する低周
波信号との位相を比較する位相比較手段と、 この位相比較手段の比較結果に基づいて、前記光変調器
を駆動する光変調器駆動手段とを具備することを特徴と
する外部変調方式による光変調装置。 - 【請求項2】搬送光信号を発生する複数の光源と、前記
複数の光源のそれぞれに対して設けられ、外部からの電
気信号に応じて前記搬送光信号のそれぞれを強度変調出
力する複数の光変調器とを備える外部変調方式による光
変調装置において、 前記複数の光源が発生する搬送光信号の、各々の波長帯
のいずれとも異なる波長帯の光を出力する発光素子と、 前記電気信号より十分周波数の低い低周波信号を出力す
る低周波発振器と、 この低周波発振器から出力される低周波信号に応じて前
記発光素子を駆動することで、当該発光素子から前記低
周波信号により強度変調された光信号を発生させる発光
素子駆動手段と、 前記発光素子から出力される強度変調された光信号を前
記複数個の光源の各々が発生する搬送光信号の各々と結
合し、前記複数の光変調器の各々に入力する複数の光結
合手段と、 前記複数の光源の各々に対応して設けられ、前記複数の
光変調器の各々から出力される光信号のうち、前記発光
素子が出力する波長帯の光成分を分岐して出力する複数
の光分岐手段と、 この複数の光分岐手段の各々に対して設けられ、分岐さ
れた光信号の各々を電気信号に変換する複数の光電変換
器と、 この複数の光電変換器の各々に対して設けられ、出力さ
れた電気信号に含まれる低周波信号の周波数成分と前記
低周波発振器が出力する低周波信号との位相を比較する
複数の位相比較手段と、 前記複数の光変調器の各々に対して設けられ、前記複数
の位相比較手段の各々の比較結果に基づいて前記光変調
器を駆動する複数の光変調器駆動手段とを具備すること
を特徴とする外部変調方式による光変調装置。 - 【請求項3】前記光変調器駆動手段は、前記位相比較手
段の比較結果に基づいて、前記光変調器に印加されるバ
イアス電圧の値を変化させるものであることを特徴とす
る請求項1及び2のいずれかに記載の外部変調方式によ
る光変調装置。 - 【請求項4】前記光変調器駆動手段は、前記位相比較手
段の比較結果に基づいて、前記光変調器に入力される電
気信号の強度方向のシフト量を変化させるものであるこ
とを特徴とする請求項1及び2のいずれかに記載の外部
変調方式による光変調装置。 - 【請求項5】前記光結合手段および光分岐手段は、波長
多重カプラであることを特徴とする請求項1乃至4のい
ずれかに記載の外部変調方式による光変調装置。 - 【請求項6】前記光変調器は、マッハツェンダ型光変調
器であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに
記載の外部変調方式による光変調装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8310512A JPH10148801A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | 外部変調方式による光変調装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8310512A JPH10148801A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | 外部変調方式による光変調装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10148801A true JPH10148801A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=18006127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8310512A Pending JPH10148801A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | 外部変調方式による光変調装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10148801A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003016853A1 (en) * | 2001-08-10 | 2003-02-27 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Method and device for measuring half-wave voltage of mach-zehnder type optical modulator |
JP2004126024A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Anritsu Corp | 光変調器駆動装置及びそれを用いる光伝送装置 |
JP2005326548A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Fujitsu Ltd | 光変調装置、光送信装置及び光変調方法 |
JP2014182233A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光パケット信号生成装置 |
JP2015191130A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 住友大阪セメント株式会社 | 光発生装置、及び光発生装置の制御方法 |
-
1996
- 1996-11-21 JP JP8310512A patent/JPH10148801A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7142309B2 (en) | 2001-08-10 | 2006-11-28 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Method and device for measuring half-wave voltage of Mach-Zehnder type optical modulator |
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