JPH09246440A - パッケージの製造方法 - Google Patents

パッケージの製造方法

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JPH09246440A
JPH09246440A JP5752096A JP5752096A JPH09246440A JP H09246440 A JPH09246440 A JP H09246440A JP 5752096 A JP5752096 A JP 5752096A JP 5752096 A JP5752096 A JP 5752096A JP H09246440 A JPH09246440 A JP H09246440A
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JP
Japan
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case
package
hard
lead
brazing
Prior art date
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Pending
Application number
JP5752096A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Murata
秀明 村田
Kazuto Ono
和人 小野
Takuya Suzuki
卓哉 鈴木
Masayuki Sakamoto
真幸 坂本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 パッケージの底部をなす放熱板の反りを防ぐ
ことができるパッケージの製造方法を提供する。 【解決手段】 放熱板4はNi、Feを含有し、さらに
必要に応じてMoを含有し、残りがWと不可避不純物か
らなる組成を有するW基焼結合金からなるパッケージ1
の製造方法において、ケース2、セラミック端子3およ
びリード5を硬ろう付けする工程と、前記硬ろう付けさ
れたケース2、セラミック端子3およびリード5にAu
/Niめっきを施す工程と、放熱板4にAu/Niめっ
きを施す工程と、前記硬ろう付けされたケース2、セラ
ミック端子3およびリード5と、前記めっきを施された
放熱板4を軟ろう付けする工程とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体を用いた光
モジュールなどのパッケージの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光通信装置などに用いられる光モジュー
ルのパッケージの一例として、図2にバタフライ形光モ
ジュールパッケージを示す。通常、このバタフライ型光
モジュールパッケージ1は主要構成部材として、ケース
2、セラミック端子3、放熱板4、リード5およびシー
ルリング6からなっている。ケース2は、パッケージ1
の外形を形づくり、内部部品格納およびセラミック端子
3や光ファイバーのホルダー(図示されず)との接合の
基材としての役割を有している。放熱板4は、パッケー
ジ1の底部を形づくり、特にパッケージ1の内部で発生
した熱を効率よく外部へ放つ役割を有している。セラミ
ック端子3は、絶縁性のセラミックの上にAu等により
配線が形成されており、パッケージ1の外部から内部へ
電流を導入する役割を有している。セラミック端子3の
各々の配線の一方の端部はパッケージ1の内部に、他方
の端部は外部に位置するように配置されている。リード
5は、通常金属製で、セラミック端子3のパッケージ1
の外部側に接合されている。リード5はプリント基板な
どとの電気的接続に利用される。通常、材質としては、
ケース2はコバール(FeNiCo合金)、放熱板4は
CuW、セラミック端子3はアルミナ、リード5はコバ
ールからなっている。
【0003】パッケージ1の組み立ては、以下のように
して行われる。即ち、 1)先ず、各部材に銀ろう付けの前処理を施す。即ち、
CuWからなる放熱板4にはNiめっきを施す。また、
アルミナからなるセラミック端子3には、WまたはMo
Mnのメタライズ処理とNiめっきを施す。コバールか
らなるケース2とリード5にはNiめっきを施す。 2)次いで、これらの構成部材を、銀ろうとともに組み
立て、加熱して硬ろう付けする。 3)組み立てられたパッケージ1は、通常Au/Niめ
っきが施される。このメッキ処理は、半田材の濡れ性や
ボンディング接合性をよくすためのもので、Auメッキ
層の厚さは1μm以上の厚さとする。 4)さらに、必要に応じて、ケースパイプ部7にはサフ
ァイア等の材質からなるウインドウがろう付けされる場
合がある。この接合方法としては、通常AuGe,Au
Si,AuSn等の軟ろう付け、低融点ガラスによる接
合が用いられる。
【0004】ところで、パッケージ1の放熱板4には、
通常パッケージ1をプリント基板などへ固定するための
ネジ穴8が設けられている。ところが、パッケージ1を
ネジ止めする時、CuW材質からなる放熱板4のネジ穴
8またはその付近が折れやすいという欠点があった.こ
れは、放熱板4の材質であるCuWが脆い性質を有する
ために生じている。
【0005】そこで、放熱板4をNi、Feを含有し、
さらに必要に応じてMoを含有し、残りがWと不可避不
純物からなる組成を有するW基焼結合金で構成する技術
が開示されている(特開平3−2265411号公報参
照)。この合金は、CuWと比較して、引張強度が大き
く、伸びも大きく、可撓性がある材料である。また、こ
の合金は、金属射出成形法によって、所望の形状に形成
でき、機械加工を大幅に省略して低コストで加工できる
材料でもある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、放熱板
を上記W基焼結合金で形成すると、以下のような問題が
あった。即ち、この合金は平均熱膨張係数がCuWより
も若干小さく、4〜6×10-6/℃であり、銀ろうなど
の硬ろう付けを行うと、熱応力によって、放熱板が若干
反るという問題があった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決すべくなされたもので、請求項1記載の発明は、放熱
板、ケース、セラミック端子およびリードを有するパッ
ケージの製造方法であって、放熱板はNi、Feを含有
し、さらに必要に応じてMoを含有し、残りがWと不可
避不純物からなる組成を有するW基焼結合金からなるパ
ッケージの製造方法において、ケース、セラミック端子
およびリードを硬ろう付けする工程と、前記硬ろう付け
されたケース、セラミック端子およびリードにAu/N
iめっきを施す工程と、放熱板にAu/Niめっきを施
す工程と、前記硬ろう付けされたケース、セラミック端
子およびリードと、前記めっきを施された放熱板を軟ろ
う付けする工程とを有することを特徴とするものであ
る。
【0008】また、請求項2記載の発明は、放熱板、ケ
ース、セラミック端子およびリードを有するパッケージ
の製造方法であって、放熱板はNi、Feを含有し、さ
らに必要に応じてMoを含有し、残りがWと不可避不純
物からなる組成を有するW基焼結合金からなるパッケー
ジの製造方法において、放熱板、ケース、セラミック端
子およびリードを硬ろう付けする工程と、前記硬ろう付
けされた放熱板、ケース、セラミック端子およびリード
にAu/Niめっきを施す工程と、前記Au/Niめっ
きを施された放熱板の外表面を研削する工程とを有する
ことを特徴とするものである。
【0009】上記請求項1に記載のごとく、ろう付工程
を2段階に分けて、ケース、セラミック端子、リードを
銀ろうなどで硬ろう付けし、上述のW基焼結合金からな
る放熱板をAuGe、AuSi、またはAuSnなどで
軟ろう付けすると、放熱板のろう付け温度は低温になる
ため、放熱板のろう付けにより発生する反りを小さくす
ることができる。
【0010】また、上記請求項2に記載のごとく、硬ろ
う付けされた上述のW基焼結合金からなる放熱板の外表
面を研削すると、硬ろう付けで発生した放熱板の反りを
小さくすることができる。なお、上述のW基焼結合金は
研削加工することが容易であって、研削加工で欠けたり
割れたりすることはない。また、研削加工すると、放熱
板の外表面にはAu/Niめっきがなくなるが、このW
基焼結合金は十分な耐食性を有しているので、腐食によ
るパッケージの損傷の恐れはない。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかるパッケージ
の製造方法の実施の形態を詳細に説明する。先ず、パッ
ケージの部材としてケース(コバール)、セラミック端
子(アルミナ)、シールリング(コバール)、リード
(コバール)、放熱板、ウインドウ(サファイア)を用
意する。ケースは、金属射出成形法と機械加工によって
所望の形状を形成する。セラミック端子は、グリーンシ
ート法によって、内部にWペーストを使用して配線を形
成しつつ、グリーン体を形成して焼成し、両端はさらに
研磨加工して寸法精度を確保し、研磨加工した部分にM
oMnメタライズを施し、Niめっきして、作製する。
シールリングは、コバール板をプレス加工して作製す
る。リードは、コバール板をエッチングして作製する。
ウインドウは、サファイア単結晶を切断研磨し、接合す
る部分にAu/Ni/Crの蒸着メタライズ処理を施
し、また、中央部分に反射防止膜を蒸着して、作製す
る。放熱板は、いずれも平均の粒径が5μm以下のW粉
末、Ni粉末、Fe粉末を金属射出成形法により、射出
成形し、特に1500℃以上の温度で液相焼結して所望
の形状を得る。焼結後にできたWNiFe(Ni3wt%-Fe1.
5wt%) 合金の、Wを主成分とする粒の平均の粒径は15
〜25μmである。さらに、この焼結合金を機械加工し
て、所望の形状の放熱板を得る。このようにして製作し
た部材を以下の実施例に示す方法で組み立てて、パッケ
ージを製作した。
【0012】
【実施例】以下に、上述の部材を用いたパッケージの製
造方法に関し、その組み立て工程を変えた実施例につい
て説明する。 (実施例1)図1は本実施例の製造工程説明図である。
工程1.放熱板4には、Au/Niめっきを施した。得
られた放熱板底面(30mm×12.7mm)は、予め
定盤上でシックネスゲージを用いて検査し、反りが20
μm以下であることを確認した。工程2.ケース2、セ
ラミック端子3、リード5、シールリング6は、接合部
分に銀ろう(BAg−8)の箔を挟んで、カーボン治具
を用いて組み立て、固定保持し、連続式のベルト炉によ
って、約810℃まで加熱して、硬ろう付した。さら
に、この銀ろう付された組立部材に、Au/Niめっき
を施した。工程3.次いで、上記組立部材と放熱板4の
間に、AuGeろう材を挟んで、カーボン治具により保
持固定し、連続式のベルト炉で、約370℃まで加熱し
て、組立部材と放熱板を軟ろう付けした。工程4.さら
に、この後に、ケースのパイプ部7にウインドウ9をA
uSnろう材で軟ろう付けした。
【0013】(実施例2)工程1〜3は実施例1と同一
である。実施例1の工程4を省略し、ウインドウを設け
ない。本実施例は、実施例1と比較して、ウィンドウの
ろう付けの有無が放熱板の反りに及ぼす影響をみるため
に行った。
【0014】(実施例3)工程1、2は実施例1と同一
である。工程3.組立部材と放熱板の間に、AuSiろ
う材を挟んで、カーボン治具により保持固定し、連続式
のベルト炉で、約400℃まで加熱して、組立部材と放
熱板を軟ろう付けした。工程4は実施例1と同一であ
る。本実施例は、実施例1と比較して、放熱板を軟ろう
付けするろう材の違いによる影響をみるために行った。
【0015】(実施例4)工程1、2は実施例1と同一
である。工程3.組立部材と放熱板の間に、AuSiろ
う材を挟んで、組立部材と放熱板を軟ろう付けした。実
施例1の工程4を省略し、ウインドウを設けない。本実
施例は、実施例2と比較して、放熱板の軟ろう付けする
ろう材の違いによる影響をみるために行った。
【0016】(実施例5)工程1、2は実施例1と同一
である。工程3.ケースのパイプ部にウインドウをAu
Geろう材で軟ろう付けした。工程4.工程3で形成さ
れた組み立て部材と放熱板の間に、AuSnろう材を挟
んで、カーボン治具により保持固定し、連続式のベルト
炉で、約300℃まで加熱して、組立部材と放熱板を軟
ろう付けした。本実施例は、ウインドウをろう付けした
後に放熱板をろう付けする点で、実施例1と相違する。
【0017】(実施例6)工程1、2は実施例1と同一
である。工程3.ケースのパイプ部にウインドウをAu
Siろう材軟ろう付した。工程4は実施例5と同一であ
る。本実施例は、ウインドウをろう付けするろう材が実
施例5と異なる。
【0018】(実施例7)本実施例は、実施例5におい
て工程3を除き、ウインドウをろう付けしない点を除
き、実施例5と同様である。
【0019】(実施例8) 工程1.放熱板には、Niめっきを施した。得られた放
熱板底面(30mm×12.7mm)は、予め定盤上で
シックネスゲージを用いて検査し、反りが20μm以下
であることを確認した。 工程2.ケース、セラミック端子、シールリング、リー
ドおよび放熱板は、接合部分に銀ろう(BAg−8)の
箔を挟んで、カーボン治具を用いて組み立て、固定保持
し、連続式のベルト炉によって、約810℃まで加熱し
て、硬ろう付けした。さらに、この硬ろう付けされた組
立部材に、Au/Niめっきを施した。 工程3.放熱板底面を仮基準面として、ケースの上側に
ろう付けされたシールリングを平面研削加工し、さらに
このシールリング面を基準面として放熱板底面を平面研
削加工した。 工程4.ケースパイプ部にウインドウをAuSnで軟ろ
う材けした。
【0020】次に、以下のような比較例を製作した。 工程1.放熱板には、Niめっきを施した。得られた放
熱板底面(30mm×12.7mm)は、予め定盤上で
シックネスゲージを用いて検査し、反りが20μm以下
であることを確認した。 工程2.ケース、セラミック端子、シールリング、リー
ドおよび放熱板は、接合部分に銀ろう(BAg−8)の
箔を挟んで、カーボン治具を用いて組み立て、固定保持
し、連続式のベルト炉によって、約810℃まで加熱し
て、硬ろう付した。さらに、この硬ろう付された組立部
材に、Au/Niめっきを施した。 工程3.ケースパイプ部にウインドウをAuSnで軟ろ
う材けした。本比較例は、放熱板底面を平面研削加工し
ない点を除き、実施例8と同一である。
【0021】次に、これらの実施例および比較例の製造
方法で、それぞれ40個のパッケージを製作し、反りの
状態を検査した。この検査は、パッケージ底面(すなわ
ち、放熱板底面)を、定盤上でシックネスゲージを用い
て、反りが20μm以下かどうかを調べた。その結果、
実施例1〜8については、すべてのパッケージが20μ
m以下の反りであった。一方、比較例については、40
個のうち、14個が20μmを越える反りを示した。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1のパッケ
ージの製造方法によれば、ケース、セラミック端子およ
びリードを硬ろう付けする工程と、前記硬ろう付けされ
たケース、セラミック端子およびリードにAu/Niめ
っきを施す工程と、放熱板にAu/Niめっきを施す工
程と、前記硬ろう付けされたケース、セラミック端子お
よびリードと、前記めっきを施された放熱板を軟ろう付
けする工程とを有するため、パッケージの底部をなす放
熱板の反りを防ぐことができるという優れた効果があ
る。また、請求項2のパッケージの製造方法によれば、
放熱板、ケース、セラミック端子およびリードを硬ろう
付けする工程と、前記硬ろう付けされた放熱板、ケー
ス、セラミック端子およびリードにAu/Niめっきを
施す工程と、前記Au/Niめっきを施された放熱板の
外表面を研削する工程とを有することを特徴とするた
め、パッケージの底部をなす放熱板の反りを防ぐことが
できるという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るパッケージの製造方法の一実施例
の工程説明図である。
【図2】パッケージの説明図である。
【符号の説明】
1 パッケージ 2 ケース 3 セラミック端子 4 放熱板 5 リード 6 シールリング 7 ケースパイプ部 8 ネジ穴 9 ウインドウ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂本 真幸 東京都千代田区丸の内2丁目6番1号 古 河電気工業株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 放熱板、ケース、セラミック端子および
    リードを有するパッケージの製造方法であって、放熱板
    はNi、Feを含有し、さらに必要に応じてMoを含有
    し、残りがWと不可避不純物からなる組成を有するW基
    焼結合金からなるパッケージの製造方法において、ケー
    ス、セラミック端子およびリードを硬ろう付けする工程
    と、前記硬ろう付けされたケース、セラミック端子およ
    びリードにAu/Niめっきを施す工程と、放熱板にA
    u/Niめっきを施す工程と、前記硬ろう付けされたケ
    ース、セラミック端子およびリードと、前記めっきを施
    された放熱板を軟ろう付けする工程とを有することを特
    徴とするパッケージの製造方法。
  2. 【請求項2】 放熱板、ケース、セラミック端子および
    リードを有するパッケージの製造方法であって、放熱板
    はNi、Feを含有し、さらに必要に応じてMoを含有
    し、残りがWと不可避不純物からなる組成を有するW基
    焼結合金からなるパッケージの製造方法において、放熱
    板、ケース、セラミック端子およびリードを硬ろう付け
    する工程と、前記硬ろう付けされた放熱板、ケース、セ
    ラミック端子およびリードにAu/Niめっきを施す工
    程と、前記Au/Niめっきを施された放熱板の外表面
    を研削する工程とを有することを特徴とするパッケージ
    の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003037247A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP2008306218A (ja) * 2008-09-19 2008-12-18 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体素子用パッケージ
CN113977026A (zh) * 2021-11-05 2022-01-28 西安赛尔电子材料科技有限公司 一种用于提高大功率外壳钎焊可靠性工艺

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