JPH09244254A - 液晶用露光装置 - Google Patents

液晶用露光装置

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JPH09244254A
JPH09244254A JP8463296A JP8463296A JPH09244254A JP H09244254 A JPH09244254 A JP H09244254A JP 8463296 A JP8463296 A JP 8463296A JP 8463296 A JP8463296 A JP 8463296A JP H09244254 A JPH09244254 A JP H09244254A
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JP
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wafer
array
mask
liquid crystal
field stop
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Application number
JP8463296A
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English (en)
Inventor
Akihiro Goto
明弘 後藤
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】小型、軽量、低コスト、高解像、広フィールド
の液晶用露光装置を提供する。 【解決手段】ウエハ2に転写しようとするパターン1a
を記録したマスク1の後ろ側に前段マイクロ・レンズ・
アレイ10を配置することによって、該前段マイクロ・
レンズ・アレイ10の配列区域ごとに180°回転した
区域ごと倒立等倍部分パターン像3を結像し、該区域ご
と倒立等倍部分パターン像3の後ろ側に、前段マイクロ
・レンズ・アレイ10の配列と同一の配列よりなる後段
マイクロ・レンズ・アレイ15を配置することによっ
て、ウエハ2上に部分パターンの正立等倍像4を結像
し、マスク1及びウエハ2と、前段及び後段マイクロ・
レンズ・アレイ10,15とを、パターン1aの行方向
xに向って相対的にスキャンし、このスキャンをパター
ンの列方向yに相対的にシフトして繰り返すことによっ
て、ウエハ2上にパターン1aを転写する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は液晶用露光装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】広い露光領域を必要とする液晶用露光装
置の従来技術としては、プロキシミティ型のものが製品
化されている。この技術は図11に示すように、マスク
1とウエハ2とを微小間隔で密着させて、マスク1に記
録されたパターンを等倍にてウエハ2上のレジスト2a
に転写するものである。この技術によれば、マスク1と
同じ大きさの広い露光領域が確保できるが、マスク1と
ウエハ2との密着性には限界があった。
【0003】また上記従来例とは別に、等倍の結像系に
よってマスク上のパターンをウエハに投影し、スキャン
によって露光領域を広げる方式の装置もある。例えば、
オフナー型、ダイソン型、ダブルダイソン型などがあ
る。オフナー型は反射結像系、ダイソン型とダブルダイ
ソン型は反射屈折結像系が使用されている。例えば、図
12はオフナー型の装置を示し、マスク1に線状照明光
を照射し、マスク1からの光をミラー50によって折り
曲げ、凹面鏡51と凸面鏡52によって反射させた後に
ミラー53によって再度折り曲げて、ウエハ2上に結像
させ、マスク1及びウエハ2と結像光学系とを相対的に
移動することにより、マスク1上のパターンの全領域を
カバーするようにスキャンをするものである。これらの
結像系の光学素子の有効径は数100mm程度と大型で
あった。また、光学系の光軸は1つであった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】プロキシミティ型の装
置ではマスク1とウエハ2との密着性が低く、回折によ
る線幅拡がりが起こるため、高い解像度は得られなかっ
た。また、等倍結像スキャン型の装置では結像系によっ
て高い解像度が得られるが、結像系は大型、高価であっ
た。また結像系の収差のために、露光領域の広域化には
限界があった。すなわち従来技術では、小型、軽量、低
コスト、高解像、広フィールドの液晶用露光装置を構成
することはできなかった。したがって本発明は、小型、
軽量、低コスト、高解像、広フィールドの液晶用露光装
置を提供することを課題とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、結像素子とし
てマイクロ・レンズ・アレイ(以下MLAと記す。)を
用いることにより、上記課題を解決している。MLAと
は、多数の要素レンズを2次元的に配置した結像素子の
ことである。すなわち本発明は、ウエハに転写しようと
するパターンを記録したマスクの後ろ側に前段マイクロ
・レンズ・アレイを配置することによって、該前段マイ
クロ・レンズ・アレイの配列区域ごとに180°回転し
た区域ごと倒立等倍部分パターン像を結像し、該区域ご
と倒立等倍部分パターン像の後ろ側に、前段マイクロ・
レンズ・アレイの配列と同一の配列よりなる後段マイク
ロ・レンズ・アレイを配置することによって、ウエハ上
に部分パターンの正立等倍像を結像し、マスク及びウエ
ハと、前段及び後段マイクロ・レンズ・アレイとを、パ
ターンの行方向に向って相対的にスキャンし、マスク及
びウエハと、前段及び後段マイクロ・レンズ・アレイと
を、パターンの列方向に向って相対的にシフトして、ス
キャンを繰り返すことによって、ウエハ上にパターンを
転写する、液晶用露光装置である。
【0006】本発明の原理を図1によって説明する。同
図ではMLAによる合成結像系によって等倍で正立のマ
スク像を作っており、またMLAの要素レンズが5つの
場合を示している。まず前段MLA10によってマスク
1の倒立等倍像を作っている。この倒立等倍像は、前段
MLA10の配列区域ごとに、光軸zと直交するx−y
面内で180°回転した、区域ごと倒立等倍像3であ
る。この区域ごと倒立等倍像3は、前段MLA10の配
列と同一の配列よりなる後段MLA15によって、区域
ごと等倍正立像4に変換されており、この等倍正立像4
の位置にウエハ2が配置される。
【0007】同図に示すように、両MLA10,15に
よる結像では、それぞれのMLAを構成する要素レンズ
10a,15aごとに光軸zが存在する。したがって区
域ごと倒立等倍像3と区域ごと正立等倍像4の領域、す
なわち視野は、各要素レンズ10a,15aごとに異な
っているが、両MLA10,15によって正立像4を作
ることによって、各要素レンズ10a,15aの像領域
を整合的に合成し、全体として広いフィールドを得てい
る。なお、各区域ごと倒立等倍像3と各区域ごと正立等
倍像4の領域を制限するために、図1に示すようにそれ
ぞれ絞りアレイ5a,5bを配置することが好ましい。
【0008】本発明では、このような両MLA10,1
5にジグザグスキャンを併用しており、したがってさら
に広い露光領域が得られる。図2は、全体の露光領域、
すなわちパターン領域1aよりも狭い露光領域を持つM
LA10,15を用い、ジグザグスキャンによって全体
のパターン領域1aを露光する方法を示している。同図
の配置において、マスク1とウエハ2とを同時にxマイ
ナス方向にスキャンし、このスキャンをy方向にシフト
して繰り返すことによって、マスク1上のパターン領域
1aの部分パターン像4aが、順次ウエハ2に転写され
て行き、最終的に全領域1aをウエハ2に転写すること
ができる。
【0009】しかしてMLAの開口数は0.5くらいま
で製作可能であり、したがって高解像の結像を行なうこ
とができる。また、MLAの結像は要素レンズごとに行
なわれ、各要素レンズの担当するフィールドは、要素レ
ンズの大きさ程度(数100μm程度)に小さい。よっ
て、要素レンズで発生する収差は非常に小さくなる。し
たがって、要素レンズの数を増加しさえすれば、収差の
悪化を招くことなく簡単に広い露光フィールドを得るこ
とができる。また、スキャン光学系とすることによっ
て、更に広い露光領域を得ることができる。
【0010】MLAの製造方法としては、ガラス基板上
にマスクを行ない、イオン交換によって分布屈折レンズ
アレイを作る方法、ガラス基板上にフォトレジストなど
を塗布してエッチングまたは熱溶解する方法、バイナリ
ーオプティカルエレメント等のフレネルレンズなどが知
られており、これらは従来例の結像系に比べて低コスト
である。したがってこのようなMLAを用いることによ
り、小型、軽量、且つ安価な液晶用露光装置を構成する
ことができる。
【0011】なお像区域の間に間隙があっても、行方向
の隙間は行方向のスキャンによって当然に埋め尽くさ
れ、列方向の隙間もスキャンによって埋め尽くすことが
できる。したがって像区域は、必ずしも平面的に連続し
て配置する必要がなく、すなわち平面的に離散的に配置
することができる。像区域を平面的に離散的に配置する
構成としては、行方向から見た像区域を、列方向に完全
に分離して、単に列方向に線接触するように構成するこ
ともできる。しかし行方向から見た像区域を、列方向に
オーバーラップするように配置する方がより好ましい。
またスキャンによる積分露光量は、列方向に一様とする
ことが好ましい。
【0012】また像区域を離散的に配置した場合におい
て、像区域に対するマスク上での共役区域のすべてをカ
バーする領域をケーラ照明することもできる。しかしな
がら離散的な像区域に対するマスク上での離散的な共役
区域のみを離散的に、且つその離散的な共役区域内では
一様に照明する方が、迷光が防止されて好ましい。また
離散的な共役区域のみを照明するときには、離散的な照
明光絞りアレイをマスクに密着して配置することもでき
るが、離散的な照明光絞りアレイの結像によってマスク
を照明することがより好ましい。
【0013】
【発明の実施の形態】図3にMLAを用いたジグザグス
キャン型の液晶用露光装置の一実施例を示す。光源6、
照明光学系7、及びMLAによる結像光学系8は、相対
的にアライメントして固定されている。マスク1とウエ
ハ2は、それぞれx、y、z方向に移動できる可動ステ
ージ1b,2bによって保持されている。各可動ステー
ジ1b,2bの各移動軸には、それぞれ干渉計(図示せ
ず)が設置され、マスク1とウエハ2の位置計測ができ
るようになっている。光源6は高圧水銀ランプであり、
光源6からの光を照明光学系7によって整形してマスク
1を照明している。使用波長はg線(436nm)であ
る。マスクパターン1aは、結像光学系8によってウエ
ハ2上に等倍の正立像として結像している。マスク1の
パターン領域1aは300mm×200mmであり、3
00mmの辺をx軸、200mmの辺をy軸方向として
いる。
【0014】マスク1と結像光学系8との間隔と、ウエ
ハ2と結像光学系8との間隔は、ともに像面位置の70
0μmに設定してある。結像光学系8の周囲には複数の
ギャプセンサー1c,2cが配置してあり、スキャン中
のマスク1と結像光学系8との間隔、及びウエハ2と結
像光学系8との間隔が正確に保たれるように、z軸方向
の移動モータ(図示せず)に対してフィードバックを行
なっている。この配置においてマスク1とウエハ2とを
連動してx方向に定速にてスキャンし、この定速スキャ
ン後にy方向に定幅だけシフトするという動作を繰り返
すジグザグスキャンによって、マスク1上のパターン1
aの全体をウエハ2に転写することができる。スキャン
とシフトとの詳細については後述する。
【0015】次に結像光学系8の詳細について説明す
る。図4はz軸方向から見た結像光学系8の構造を示
し、結像光学系8は、20mm×20mmの金属ホルダ
ー24で支持されており、その中央は10mm×10m
mの開口となっている。図5は結像光学系8をx方向か
ら見た構造を示す。同図に示すように、結像光学系8
は、4つの平板MLA11,12,16,17と、2つ
の開口絞りアレイ20,21と、1つの視野絞りアレイ
22から構成されている。これらの素子は、マスク1側
からウエハ2側に向けて、前段第1平板MLA11、前
段開口絞りアレイ20、前段第2平板MLA12、視野
絞りアレイ22、後段第1平板MLA16、後段開口絞
りアレイ21、及び後段第2平板MLA17の順に配置
されている。また、前段第1平板MLA11と後段第1
平板MLA16は、基板表面をウエハ1に向けて配置さ
れ、前段第2平板MLA12と後段第2平板MLA17
は、基板裏面をウエハ1に向けて配置されている。
【0016】各平板MLA11,12,16,17の厚
みtはt=0.9mm、基板表面から表面側焦点位置ま
でのバックフォーカスf1はf1=700μm、基板裏面
から裏面側焦点位置までのバックフォーカスf2はf2
200μmである。各開口絞りアレイ20,21と視野
絞りアレイ22の厚みは、いずれも20μmである。マ
スク1、前段開口絞りアレイ20、視野絞りアレイ2
2、後段開口絞りアレイ21及びウエハ2は、それぞれ
該当する平板MLA11,12,16,17の表面側バ
ックフォーカスf1又は裏面側バックフォーカスf2の位
置に位置するように、スペーサ23によって位置決めさ
れて、金属ホルダー24の中に組み込まれている。また
各素子は、xy方向についても、互いにその開口をアラ
イメントしてある。
【0017】この配置では、前段第1平板MLA11と
前段第2平板MLA12とからなる前段MLA10によ
って、区域ごと倒立中間像が作られ、これを後段第1平
板MLA16と後段第2平板MLA17とからなる後段
MLA15で再び結像することによって、等倍の正立像
を得ている。この配置は、テレセントリックな結像系と
なっている。
【0018】図6はz方向から見た各平板MLA11,
12,16,17の構造を示す。但し各平板MLAの要
素レンズ11a,12a,16a,17aの個数は、下
記するように実際のものではない。h=70μmとし
て、要素レンズの直径は6h(=420μm)である。
要素レンズの配列は、スキャン方向(x方向)から見た
要素レンズごとの像領域が、シフト方向(y方向)にオ
ーバーラップするように定められている。ここでは、2
2個の要素レンズをy方向にすきまなく配列した要素レ
ンズ列を、要素レンズの直径6h(=420μm)分ず
つx方向にずらし、且つ要素レンズの半径3h(=21
0μm)分ずつy方向に交互にずらしながら、22列な
らべたものとした。このとき各平板MLA11,12,
16,17の開口は、9.24mm×9.45mmとな
る。
【0019】この平板MLA11,12,16,17
は、厚さ1.7mmのガラス基板を図6と同じ形の円形
開口アレイでマスクし、開口部分をイオン交換によって
分布屈折率レンズアレイとすることによって製造した。
基板は分布屈折率レンズアレイ形成後に厚みが0.9m
mとなるように研磨した。また、基板の両面には波長4
36nm用の反射防止膜を形成した。
【0020】図7はz方向から見た各開口絞りアレイ2
0,21の構造を示す。1つの開口絞り要素20a,2
1aの直径は140μmであり、xy方向の配列は平板
MLAに合わせてある。ここで、平板MLAの表面側バ
ックフォーカスがf1=700μmであることを考えあ
わせると、結像系の開口数は0.1であるといえる。こ
の開口絞りアレイ20,21は、厚さ20μmのステン
レスを図7の形状にエッチングし、反射率の低いブラッ
クアルマイト・メッキ等を施すことによって製作した。
【0021】図8はz方向から見た視野絞りアレイ22
の構造を示す。xy方向の周期は開口絞りアレイ同様、
平板MLAに合わせてある。視野絞りアレイの視野絞り
要素22aは直径4h(=280μm)の円に内接する
正6角形であり、同図に示す様に、1辺がy方向と平行
となるように配列してある。この視野絞りアレイ22
は、厚さ20μmのステンレスを図8の形状にエッチン
グし、反射率の低いブラックアルマイト・メッキ等を施
すことによって製作した。
【0022】ここで、視野絞り要素22aは直径4h
(=280μm)の円に内接する正6角形であり、且つ
1辺がy方向と平行となっているから、中央の矩形部A
の高さは2h(=140μm)であり、上下の2等辺3
角部BU、BLの高さはそれぞれh(=70μm)であ
る。他方、ある視野絞り要素22aに対してx方向に隣
接する視野絞り要素22bは、y方向に3h(=210
μm)だけずれて配置されているから、両視野絞り要素
22a,22bをx方向から見ると、中央の矩形部Aは
y方向にオーバーラップしないが、上下の2等辺3角部
U、BLについては、一方の要素22aの上部2等辺3
角部BUと、他方の要素22bの下部2等辺3角部BL
が、ちょうどオーバーラップすることとなる。しかも同
一の高さyで見た両2等辺3角部BU、BLのx方向の長
さの和は、どの高さyで見ても、ちょうど矩形部Aでの
x方向の幅と一致する。
【0023】このような構造をとることによって、オー
バーラップのない矩形部Aと、オーバーラップのある2
等辺3角部Bのx方向に関する線積分開口度が等しくな
り、従って、視野(視野は視野絞りアレイ22と同じ形
である)をx方向に定速にてスキャンした場合の領域
A、Bの積分露光量を等しくすることができる。すなわ
ちこのような視野絞りアレイ22を用いることによっ
て、スキャン方向と直交するy方向に関しても、全体像
を滑らかに接合することができる。
【0024】以上のようにしてy方向に滑らかに接合さ
れた視野絞りアレイ22のy方向の視野の大きさK
yは、9.17mmであり、x方向の視野幅Kxは、9.
06mmである。ここでy方向の合成視野Kyは、矩形
部Aの領域と、一対の2等辺3角部BU、BLからなる領
域Bとの合計の長さ、すなわち、結像光学系8aをy方
向にシフトせずに用いた場合でも露光量が等しくなる領
域として定義している。実際には図8に示すように、こ
の合成視野Kyの上部側に露光量が線形に減少する高さ
h(=70μm)の上部接合領域CUがあり、合成視野
yの下部側にも露光量が線形に減少する高さh(=7
0μm)の下部接合領域CLがある。
【0025】すなわち上部接合領域CUと下部接合領域
Lは、視野絞りアレイ22の上下の端部にあり、y方
向にシフトしない場合にはオーバーラップがなく、露光
量が上方及び下方に向って線形に減少してしまう領域で
ある。本実施例では、上部接合領域CUと下部接合領域
Lとが順次オーバーラップするようにy方向にシフト
しながらジグザグスキャンをして、全体の露光領域をカ
バーしている。詳細については後述する。
【0026】次に照明光学系について説明する。図9は
照明光学系の構造を示し、照明光学系7は図4の結像光
学系8の配列に対応しており、結像光学系8の実質的な
露光領域だけを照明する構造になっている。図9では高
圧水銀ランプによる光源6からの光を整形した後、ビー
ムエキスパンダ30によって拡大されて、フライアイ・
レンズアレイ31に入射し、コンデンサーレンズ33に
よって照明光絞りアレイ34を照明している。フライア
イ・レンズアレイ31の焦点位置には、空間コヒーレン
スの絞り32が配置されており、この大きさを調整する
ことによって照明光の空間コヒーレンスを調節すること
ができる。これは半導体製造装置等用いられている一般
的なケーラ照明系であり、照明光絞りアレイ34上の光
強度は高い均一性をもっている。ここで、フライアイ・
レンズアレイ31は10×10要素であり、要素レンズ
の大きさは4mm角、焦点距離は8mmである。またコ
ンデンサーレンズ33の焦点距離は18.6mmであ
る。よって、照明光絞りアレイ34上には約9.3mm
×9.3mmの照明領域が得られる。
【0027】照明光絞りアレイ34は、結像系のMLA
に使用した視野絞りアレイ22と同一の構造のものを用
いる。照明光絞りアレイ34の方向は、結像系のMLA
の視野絞りアレイ22と同方向にアライメントしてあ
る。この照明光絞りアレイ34は、照明用第1平板ML
A35と照明用第2平板MLA36によって、マスク1
面に結像される。照明用第1平板MLA35と照明用第
2平板MLA36は、結像光学系8の前段第1平板ML
A11と前段第2平板MLA12、あるいは後段第1平
板MLA16と後段第2平板MLA17として用いたも
のと同じものである。以上のような光学系により、マス
ク1上には結像光学系8の視野絞りアレイ22と同じ形
状の照明光アレイが生成される。すなわち、この照明光
学系7は結像光学系8のMLAの視野を選択的に照明す
る構造となっている。なお、照明用平板MLA35、3
6による結像系は、倍率を微調整できるようにしてお
き、照明光アレイの要素の領域の大きさを適正値に調節
できるようにしておくことが望ましい。倍率の微調整
は、例えば、平板MLA35と36をその間隔を保った
ままz方向に平行移動できる機構にしておくことによっ
て行うことができる。
【0028】結局、上述したMLAによる結像光学系8
の視野と照明光学系7の照明光アレイは、ともに図8の
形状になっているわけであるが、この両者を正確にアラ
イメントし、その状態でマスク1とウエハ2を連動して
ジグザグスキャンすることによって、マスクパターン1
a全体をウエハ2に転写することができる。ジグザグス
キャンとは定速スキャンと定幅シフトの繰り返しのこと
を指し、本実施例では、定速スキャンをx方向、定幅シ
フトをy方向に行なっている。図10はこの様子を示し
たものである。ただし、図10ではマスク1とウエハ2
を固定して、照明光学系7と結像光学系8を移動したか
のように描いてある。しかしマスク1とウエハ2の運動
は、照明光学系7と結像光学系8に対する相対運動であ
るため、図10では照明光学系7と結像光学系8を固定
して、マスク1とウエハ2を移動したときの露光領域と
等価である。
【0029】図10ではP1から出発してQ1までx方向
に310mmの定速スキャンを行ない、次に、Q1から
2までy方向に9.24mmの定幅シフトを行ない、
そしてふたたびQ2からP2までx方向に定速スキャンを
行ない、・・・・という順番で、P22に至るまで合計2
2回の定速スキャンを行なうことによって、300mm
×200mmのパターン領域1aをカバーしている。こ
のとき、各回の定速スキャンは図8の上部接合領域CU
と下部接合領域CLとがオーバーラップするように行な
っている。これは、各回の定幅シフト量を、MLAのy
方向の合成視野Ky(=9.17mm)に、上部接合領
域CUないしは下部接合領域CLの高さh(=70μm)
を加算した9.24mmにすることによって行なえる。
このようにすることによって、スキャン後の全合成視野
内の各点は等露光量となるのである。
【0030】このとき、1回目の定速スキャンにおける
下部接合領域CLと、22回目(最終)の定速スキャン
における上部接合領域CUとは、どうしてもオーバラッ
プしない露光アンダーの領域となる。従ってこの領域は
全体の露光を通じて不使用領域とする必要がある。結局
22回の定速スキャンによって得られる使用可能なy方
向の最大全合成視野K’yは、Kyの22倍に接合領域C
U、CLの高さhの21倍を加算した203.21mmと
なる。また、x方向の最大合成視野K’xは、定速スキ
ャン距離310mmから、MLAのx方向の視野幅Kx
を差し引いた300.94mmとなる。このようにし
て、300mm×200mmのパターン領域をカバーす
ることができた。
【0031】以上ではウエハ2の膨脹、収縮がない場合
を想定したスキャンの方法を説明した。以下ではウエハ
の膨脹、収縮がある場合にも対応できるような補正スキ
ャンの方法を説明しておく。ウエハの膨脹率をβ(β>
0のとき膨脹)とし、膨脹した場合について考える。こ
のようなウエハの膨脹がある場合には、マスクとウエハ
を完全に同期してスキャンしたのでは、パターンずれを
起こしてしまう。これを防止するためには、マスクとウ
エハの定速スキャン速度と定幅シフト量を完全に同じに
するのではなく、膨脹率βの分だけ異なる値にしてジグ
ザグスキャンすればよい。
【0032】いま、マスクの定速スキャン方向の長さを
Mとし、この距離をスキャン速度vM、t秒間で定速ス
キャンする場合を考えると、 LM=vM・t である。ウエハの膨脹率をβとすると、距離LMに対応
するウエハ上での領域の長さLWは、 LW=(1+β)・LM =(1+β)・vM・t のように長くなっている。したがって、マスクのスキャ
ン速度vMに対して、ウエハのスキャン速度vWを、 vW=(1+β)・vM とすれば、移動時間tの間に丁度マスクとウエハの対応
する領域のスキャンが終わることになる。すなわち、マ
スクパターンとウエハとの対応を保ったまま、定速スキ
ャンを行なうことができるのである。
【0033】定幅シフトについても同様である。マスク
をΔM(=Ky+hとする)だけ定幅シフトするとき、ウ
エハの定幅シフト量を、 ΔW=(1+β)・ΔM としておけば、マスクとウエハとの対応する領域のパタ
ーンずれを補正できる。ただし、この定幅シフト方向の
パターンずれが補正できるためには、MLAのy方向の
視野Kyが適当に小さいことが必要である。それは、各
回の定速シフトではy方向の視野はKyと定まっている
ので、視野周辺ではy方向についてβ・Ky(≒β・
ΔM)のパターンずれが起こるからである。パターンず
れ量には許容限度があるので、これを越えない程度に視
野Kyを小さくしておく必要がある。
【0034】例えば、転写するパターンの最小線幅が3
μm、パターンずれ量の許容値がその10%の0.3μ
m以下であるとすると、 β・Ky<0.3μm となり、β=20ppmとすれば Ky<15mm のようにy方向の視野Kyの上限が定まる。本実施例で
は、 Ky=9.17mm であったので、この条件は満たしていることになる。他
の場合についてもパターンずれ量の許容限度に注意しK
yを設定する必要がある。なお、x方向については連続
的にスキャンするため問題は起こりにくいが、視野幅K
xをあまり大きくすべきでないことはいうまでもない。
【0035】以上、本実施例ではパターン領域を300
mm×200mmとしたが、x方向については定速スキ
ャン距離を長くすることによって、また、y方向につい
ては定幅シフトの回数を増加することによって、より広
い露光領域を露光することが可能となる。また全体のジ
グザグスキャンに要する時間の短縮を図るために、マス
クパターンの長辺側をスキャン方向とし、短辺側をシフ
ト方向とすることが好ましい。
【0036】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、高解像の
大画面液晶露光装置が小型、軽量、安価に構成できた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるマスクパターンの投影原理を示す
断面図
【図2】本発明によるジグザグスキャンを示す斜視図
【図3】露光装置の全体を示す斜視図
【図4】結像光学系を示す平面図
【図5】結像光学系を示す断面図
【図6】結像光学系のMLAを示す平面図
【図7】結像光学系の開口絞りアレイを示す平面図
【図8】結像光学系の視野絞りアレイと、照明光学系の
照明光絞りアレイを示す平面図
【図9】照明光学系を示す断面図
【図10】ジグザグスキャンの手法を示す平面図
【図11】従来技術を示す断面図
【図12】別の従来技術を示す断面図
【符号の説明】
1…マスク 1a…パターン領域 2…ウエハ 2a…レジスト 1b、2b…可動ステージ 1c、2c…ギャプ
センサー 3…区域ごと倒立等倍像 4…等倍正立像 4a…部分パターン像 5a,5b…絞りア
レイ 6…光源 7…照明光学系 8…結像光学系 10…前段MLA 11…前段第1平板
MLA 12…前段第2平板MLA 10a、11a、1
2a…要素レンズ 15…後段MLA 16…後段第1平板
MLA 17…後段第2平板MLA 15a、16a、1
7a…要素レンズ 20…前段開口絞りアレイ 21…後段開口絞り
アレイ 20a,21a…開口絞り要素 22…視野絞りアレイ 22a、22b…視
野絞り要素 23…スペーサ 24…金属ホルダー 30…ビームエキスパンダ 31…フライアイ・
レンズアレイ 32…空間コヒーレンスの絞り 33…コンデンサー
レンズ 34…照明光絞りアレイ 34a、34b…照
明光絞り要素 35…照明用第1平板MLA 36…照明用第2平
板MLA

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ウエハに転写しようとするパターンを記録
    したマスクの後ろ側に前段マイクロ・レンズ・アレイを
    配置することによって、該前段マイクロ・レンズ・アレ
    イの配列区域ごとに180°回転した区域ごと倒立等倍
    部分パターン像を結像し、 該区域ごと倒立等倍部分パターン像の後ろ側に、前記前
    段マイクロ・レンズ・アレイの配列と同一の配列よりな
    る後段マイクロ・レンズ・アレイを配置することによっ
    て、ウエハ上に前記部分パターンの正立等倍像を結像
    し、 前記マスク及びウエハと、前記前段及び後段マイクロ・
    レンズ・アレイとを、前記パターンの行方向に向って相
    対的にスキャンし、 前記マスク及びウエハと、前記前段及び後段マイクロ・
    レンズ・アレイとを、前記パターンの列方向に向って相
    対的にシフトして、前記スキャンを繰り返すことによっ
    て、ウエハ上に前記パターンを転写する、液晶用露光装
    置。
  2. 【請求項2】前記前段及び後段マイクロ・レンズ・アレ
    イの各要素レンズを、それぞれ両側テレセントリックと
    なるように構成した、請求項1記載の液晶用露光装置。
  3. 【請求項3】前記マスクのうち、前記ウエハ上に一時に
    結像される露光フィールドを、一様な強度にて照明し
    た、請求項1又は2記載の液晶用露光装置。
  4. 【請求項4】前記区域ごと倒立等倍部分パターン像の結
    像位置に、前記前段及び後段マイクロ・レンズ・アレイ
    と同一の配列よりなる視野絞りアレイを配置した、請求
    項1、2又は3記載の液晶用露光装置。
  5. 【請求項5】前記視野絞りアレイの配列を、前記行方向
    から見て列方向にオーバーラップしつつ連続するように
    配列し、 該視野絞りアレイが、前記行方向から見て列方向にオー
    バーラップしつつ連続するように、前記シフト量を設定
    し、且つ、 前記スキャンに伴う積分露光量が、前記列方向に一様と
    なるように、前記視野絞りアレイとシフト量とを設定し
    た、請求項4記載の液晶用露光装置。
  6. 【請求項6】前記視野絞りアレイの個々の視野絞り要素
    の形状を、前記列方向に平行な辺を有する正6角形状と
    した、請求項4又は5記載の液晶用露光装置。
  7. 【請求項7】前記マスクのうち、前記前段マイクロ・レ
    ンズ・アレイに関して前記視野絞りアレイの個々の視野
    絞り要素と共役な領域を、一様な強度にて照明した、請
    求項4、5又は6記載の液晶用露光装置。
  8. 【請求項8】前記視野絞りアレイと同一の配列よりなる
    照明光絞りアレイを用意して、該照明光絞りアレイを一
    様な強度にて照明し、 該照明光絞りアレイの後ろ側に、前記前段及び後段マイ
    クロ・レンズ・アレイと同一の配列よりなる照明用マイ
    クロ・レンズ・アレイを配置して、前記マスクのうちの
    前記視野絞り要素と共役な領域を照明した、請求項7記
    載の液晶用露光装置。
  9. 【請求項9】前記マスクと前段マイクロ・レンズ・アレ
    イとの間隔を検出する前段ギャップセンサーと、前記後
    段マイクロ・レンズ・アレイとウエハとの間隔を検出す
    る後段ギャップセンサーとを設け、 該前段及び後段ギャップセンサーの出力に基づいて、ス
    キャン時における前記マスクと前段マイクロ・レンズ・
    アレイとの間隔と、前記後段マイクロ・レンズ・アレイ
    とウエハとの間隔とを、それぞれ一定となるように制御
    した、請求項1〜8のいずれか1項記載の液晶用露光装
    置。
  10. 【請求項10】前記ウエハの基準状態からの長さの変化
    に応じて、前記スキャン速度とシフト量とを調節するこ
    とにより、ウエハの長さの前記変化を吸収した、請求項
    1〜9のいずれか1項記載の液晶用露光装置。
  11. 【請求項11】マスクに記録された前記パターンの長辺
    側を前記スキャン方向とし、短辺側を前記シフト方向と
    した、請求項1〜10のいずれか1項記載の液晶用露光
    装置。
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