JPH09232638A - 熱電素子 - Google Patents
熱電素子Info
- Publication number
- JPH09232638A JPH09232638A JP8031934A JP3193496A JPH09232638A JP H09232638 A JPH09232638 A JP H09232638A JP 8031934 A JP8031934 A JP 8031934A JP 3193496 A JP3193496 A JP 3193496A JP H09232638 A JPH09232638 A JP H09232638A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermoelectric element
- temperature end
- element body
- substrate
- bonded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ２枚の基板間に熱電素子素体を配置した熱電
素子において、熱電素子素体の高温端と基板とを容易か
つ効率的に接合することにより、耐熱性、熱伝導性、接
着強度が良好な接合部を形成する。 【解決手段】 両基板３Ａ，３Ｂに導体パターン４Ａ，
４Ｂを形成し、熱電素子素体１の低温端１Ｂの電極２
ａ，２ｂと導体パターン４Ｂとをはんだ５Ｂで接合する
と共に、熱電素子素体１の高温端１Ａに形成した金属膜
７ａ，７ｂと導体パターン４Ａとをはんだ５Ａで接合す
る。 【効果】 熱電素子素体の高温端側と基板も、はんだに
よって接合されているため、この接合部の耐熱性、熱伝
導性、接着強度が高い。高温端側と基板とのはんだによ
る接合は、リフロー炉を通すことにより、低温端側と基
板との接合と同時に行うことができ、生産性が向上す
る。
素子において、熱電素子素体の高温端と基板とを容易か
つ効率的に接合することにより、耐熱性、熱伝導性、接
着強度が良好な接合部を形成する。 【解決手段】 両基板３Ａ，３Ｂに導体パターン４Ａ，
４Ｂを形成し、熱電素子素体１の低温端１Ｂの電極２
ａ，２ｂと導体パターン４Ｂとをはんだ５Ｂで接合する
と共に、熱電素子素体１の高温端１Ａに形成した金属膜
７ａ，７ｂと導体パターン４Ａとをはんだ５Ａで接合す
る。 【効果】 熱電素子素体の高温端側と基板も、はんだに
よって接合されているため、この接合部の耐熱性、熱伝
導性、接着強度が高い。高温端側と基板とのはんだによ
る接合は、リフロー炉を通すことにより、低温端側と基
板との接合と同時に行うことができ、生産性が向上す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は熱電素子に係り、特
に、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する特徴を生
かし、可動部のないジェネレータとして、或いは温度セ
ンサーとして利用される熱電素子の改良に関する。
に、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する特徴を生
かし、可動部のないジェネレータとして、或いは温度セ
ンサーとして利用される熱電素子の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的な熱電素子は、ｐ型半導体のブロ
ック体とｎ型半導体のブロック体とを金属を介して接合
（π型接合）したものであり、この接合部（以下「高温
端」と称する場合がある。）を熱すると、ゼーベック効
果により、高温端とその反対側の半導体端部（以下「低
温端」と称する場合がある。）との温度差に比例した起
電力を発生する。
ック体とｎ型半導体のブロック体とを金属を介して接合
（π型接合）したものであり、この接合部（以下「高温
端」と称する場合がある。）を熱すると、ゼーベック効
果により、高温端とその反対側の半導体端部（以下「低
温端」と称する場合がある。）との温度差に比例した起
電力を発生する。
【０００３】従来、熱電素子はこのような特性を生かし
て、ジェネレータとして、或いは温度センサーとして利
用されている。
て、ジェネレータとして、或いは温度センサーとして利
用されている。
【０００４】ところで、熱電素子は、その実用に際し
て、熱効率を向上させ、かつ、機械的耐久性を上げるた
めに、熱電素子の高温端及び低温端に基板を取り付ける
場合が多い。図２は、基板を取り付けた従来の熱電素子
を示す断面図であり、図２において、１はｐ型半導体１
ａとｎ型半導体１ｂとを絶縁層１ｃを介して接合した熱
電素子素体であり、この熱電素子素体１の接合部の高温
端１Ａと反対側の低温端１Ｂの板面には電極２ａ，２ｂ
が設けられており、熱電素子素体１の高温端１Ａ及び低
温端１Ｂにはそれぞれ基板３Ａ，３Ｂが取り付けられて
いる。
て、熱効率を向上させ、かつ、機械的耐久性を上げるた
めに、熱電素子の高温端及び低温端に基板を取り付ける
場合が多い。図２は、基板を取り付けた従来の熱電素子
を示す断面図であり、図２において、１はｐ型半導体１
ａとｎ型半導体１ｂとを絶縁層１ｃを介して接合した熱
電素子素体であり、この熱電素子素体１の接合部の高温
端１Ａと反対側の低温端１Ｂの板面には電極２ａ，２ｂ
が設けられており、熱電素子素体１の高温端１Ａ及び低
温端１Ｂにはそれぞれ基板３Ａ，３Ｂが取り付けられて
いる。
【０００５】従来、基板３Ａ，３Ｂとしては、強度や平
滑性やコストの点から、アルミナ基板が広く用いられて
おり、基板３Ａ，３Ｂは次のような手法で熱電素子素体
１に取り付けられている。即ち、熱電素子素体１の低温
端１Ｂ側には電極２ａ，２ｂが形成されているため、基
板３Ｂに導体パターン４Ｂを印刷しておき、リフロー炉
等を用いてはんだ５Ｂで接合する。一方、高温端１Ａと
基板３Ａとは、一般に、有機又は無機の接着剤６で接合
されている。
滑性やコストの点から、アルミナ基板が広く用いられて
おり、基板３Ａ，３Ｂは次のような手法で熱電素子素体
１に取り付けられている。即ち、熱電素子素体１の低温
端１Ｂ側には電極２ａ，２ｂが形成されているため、基
板３Ｂに導体パターン４Ｂを印刷しておき、リフロー炉
等を用いてはんだ５Ｂで接合する。一方、高温端１Ａと
基板３Ａとは、一般に、有機又は無機の接着剤６で接合
されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】熱電素子素体１の高温
端１Ａと基板３Ａとを接着剤で接合する従来の熱電素子
では、次のような問題がある。
端１Ａと基板３Ａとを接着剤で接合する従来の熱電素子
では、次のような問題がある。
【０００７】即ち、接着剤は塗布する際に厚みむらが発
生し易く、精度良く接合することが難しい上に、乾燥硬
化に時間を要し、生産性が悪い。しかも、無機系接着剤
であっても有機系接着剤であっても、各々、欠点を有
し、熱電素子の接合には好適ではない。即ち、アルミナ
セメントなどの無機系接着剤は耐熱性は高いが、熱伝導
率が低いために、応答性低下の原因となる。しかも、接
着強度は有機系接着剤に比べると低い。一方、有機系接
着剤は取り扱いは簡単であるものの、耐熱性及び熱伝導
率が共に低い。
生し易く、精度良く接合することが難しい上に、乾燥硬
化に時間を要し、生産性が悪い。しかも、無機系接着剤
であっても有機系接着剤であっても、各々、欠点を有
し、熱電素子の接合には好適ではない。即ち、アルミナ
セメントなどの無機系接着剤は耐熱性は高いが、熱伝導
率が低いために、応答性低下の原因となる。しかも、接
着強度は有機系接着剤に比べると低い。一方、有機系接
着剤は取り扱いは簡単であるものの、耐熱性及び熱伝導
率が共に低い。
【０００８】熱伝導性の面では金属材料で接合するのが
有利であるが、熱電素子素体には直接はんだ付けするこ
とはできない。また、ろう付けなどの冶金的手法は、高
密度に集積する必要のある熱電素子の接合には不適当で
ある。
有利であるが、熱電素子素体には直接はんだ付けするこ
とはできない。また、ろう付けなどの冶金的手法は、高
密度に集積する必要のある熱電素子の接合には不適当で
ある。
【０００９】本発明は上記従来の問題点を解決し、熱電
素子素体の高温端と基板とを容易かつ効率的に接合する
ことにより、耐熱性、熱伝導性、接着強度が良好な接合
部を形成した熱電素子を提供することを目的とする。
素子素体の高温端と基板とを容易かつ効率的に接合する
ことにより、耐熱性、熱伝導性、接着強度が良好な接合
部を形成した熱電素子を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の熱電素子は、板
面を平行にして対置された第１及び第２のセラミック基
板間に熱電素子素体が配置され、該熱電素子素体の低温
端側が該第１の基板に接合され、高温端側が該第２の基
板に接合されており、該第１の基板の熱電素子素体側の
板面に導体膜が形成され、熱電素子素体の低温端側に電
極膜が形成され、該導体膜と電極膜とがはんだによって
接合されている熱電素子において、該第２の基板の熱電
素子素体側の板面と該熱電素子素体の高温端側とにそれ
ぞれ金属膜が設けられ、これらの金属膜同士がはんだに
よって接合されていることを特徴とする。
面を平行にして対置された第１及び第２のセラミック基
板間に熱電素子素体が配置され、該熱電素子素体の低温
端側が該第１の基板に接合され、高温端側が該第２の基
板に接合されており、該第１の基板の熱電素子素体側の
板面に導体膜が形成され、熱電素子素体の低温端側に電
極膜が形成され、該導体膜と電極膜とがはんだによって
接合されている熱電素子において、該第２の基板の熱電
素子素体側の板面と該熱電素子素体の高温端側とにそれ
ぞれ金属膜が設けられ、これらの金属膜同士がはんだに
よって接合されていることを特徴とする。
【００１１】本発明の熱電素子では、熱電素子素体の高
温端側と基板も、はんだによって接合されているため、
この接合部の耐熱性、熱伝導性、接着強度が高い。しか
も、高温端側と基板とのはんだによる接合は、リフロー
炉を通すことにより、低温端側と基板との接合と同時に
行うことができ、生産性が向上する。
温端側と基板も、はんだによって接合されているため、
この接合部の耐熱性、熱伝導性、接着強度が高い。しか
も、高温端側と基板とのはんだによる接合は、リフロー
炉を通すことにより、低温端側と基板との接合と同時に
行うことができ、生産性が向上する。
【００１２】本発明においては、特に、熱電素子の高温
端側の金属膜及び電極膜を共にめっき膜とすることによ
り、生産性の向上及び製造コストの低減を図ることがで
きる。
端側の金属膜及び電極膜を共にめっき膜とすることによ
り、生産性の向上及び製造コストの低減を図ることがで
きる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００１４】図１は本発明の熱電素子の一実施例を示す
断面図であり、図１において、図２に示す部材と同一機
能を奏する部材には同一符号を付してある。
断面図であり、図１において、図２に示す部材と同一機
能を奏する部材には同一符号を付してある。
【００１５】本実施例の熱電素子においては、熱電素子
素体１の低温端１Ｂ側と基板３Ｂとの接合状態は図２に
示す従来の熱電素子と同様の構成とされている。
素体１の低温端１Ｂ側と基板３Ｂとの接合状態は図２に
示す従来の熱電素子と同様の構成とされている。
【００１６】本実施例において、熱電素子素体１の高温
端１Ａ側の板面には、金属膜７ａ，７ｂが設けられてお
り、一方、基板３Ａの熱電素子素体１側の板面には導体
パターン４Ａが形成されており、この導体パターン４Ａ
と熱電素子素体１の高温端１Ａの金属膜７ａ，７ｂとが
はんだ５Ａで接合されている。
端１Ａ側の板面には、金属膜７ａ，７ｂが設けられてお
り、一方、基板３Ａの熱電素子素体１側の板面には導体
パターン４Ａが形成されており、この導体パターン４Ａ
と熱電素子素体１の高温端１Ａの金属膜７ａ，７ｂとが
はんだ５Ａで接合されている。
【００１７】本実施例において、熱電素子素体１の高温
端１Ａ側の金属膜７ａ，７ｂは、低温端１Ｂ側の電極２
ａ，２ｂと同様の構成とされており、従って、一般には
めっき法により、高温端１Ａ側の金属膜７ａ，７ｂと低
温端１Ｂ側の電極２ａ，２ｂとを同時に形成することが
できる。
端１Ａ側の金属膜７ａ，７ｂは、低温端１Ｂ側の電極２
ａ，２ｂと同様の構成とされており、従って、一般には
めっき法により、高温端１Ａ側の金属膜７ａ，７ｂと低
温端１Ｂ側の電極２ａ，２ｂとを同時に形成することが
できる。
【００１８】また、このようにして形成した金属膜（め
っき膜）７ａ，７ｂと基板３Ａの導体パターン４Ａとの
はんだによる接合も、リフロー炉を用いて、電極（めっ
き膜）２ａ，２ｂと基板３Ｂの導体パターン４Ｂとのは
んだによる接合と同時に行うことができる。
っき膜）７ａ，７ｂと基板３Ａの導体パターン４Ａとの
はんだによる接合も、リフロー炉を用いて、電極（めっ
き膜）２ａ，２ｂと基板３Ｂの導体パターン４Ｂとのは
んだによる接合と同時に行うことができる。
【００１９】なお、熱電素子素体１の高温端１Ａ側の金
属膜７ａ，７ｂを低温端１Ｂ側の電極２ａ，２ｂと同様
の構成とする場合、厚さ１〜２μｍのニッケル膜と厚さ
５〜１０μｍのはんだ膜との２層構造とするのが好まし
い。
属膜７ａ，７ｂを低温端１Ｂ側の電極２ａ，２ｂと同様
の構成とする場合、厚さ１〜２μｍのニッケル膜と厚さ
５〜１０μｍのはんだ膜との２層構造とするのが好まし
い。
【００２０】一方、基板３Ａ側の導体パターン４Ａも、
基板３Ｂ側の導体パターン４Ｂと同様に常法に従って形
成することができ、通常の場合、厚さ１０〜３０μｍ程
度の銀等の導体膜が形成される。
基板３Ｂ側の導体パターン４Ｂと同様に常法に従って形
成することができ、通常の場合、厚さ１０〜３０μｍ程
度の銀等の導体膜が形成される。
【００２１】
【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明をより具体的
に説明する。
に説明する。
【００２２】実施例１ 以下に示す方法により、図１に示す本発明の熱電素子を
製作した。
製作した。
【００２３】まず、ＦｅＳｉ2 系熱電素子素体をシート
積層法により作製した。
積層法により作製した。
【００２４】ｐ型鉄珪化物系半導体材料としてＦｅＳｉ
2 にＣｒＳｉ2 を２モル％添加したものを、また、ｎ型
鉄珪化物系半導体材料としてＦｅＳｉ2 にＣｏＳｉ2 を
２モル％添加したものを用いた。また、絶縁材料として
ＺｒＯ2 粉にガラス粉（組成（重量％）：ＳｉＯ2 ＝６
０，Ｂ2 Ｏ3 ＝１５，Ａｌ2 Ｏ3 ＝１０，アルカリ土類
金属酸化物＝１５）を４０重量％加えたものを用いた。
上記３種類の材料に、各々、結合剤としてポリビニルブ
チラール、可塑剤としてフタル酸ジブチル、分散剤とし
てエーテル型非イオン界面活性剤「ＧＡＦＡＣ」（東邦
化学社製商品名）、溶剤としてエタノール及びトルエン
を加えてスラリー化し、ドクターブレード法によりグリ
ーンシート化した。これらをｐ型鉄珪化物系半導体シー
ト、絶縁シート、ｎ型鉄珪化物系半導体シートの順に一
端がｐ−ｎ接合となるように積層後、熱圧着した。これ
を、大気中で４００℃、２時間の脱脂工程により結合
剤、可塑剤、分散剤及び溶剤を除去し、その後、真空中
で１２００℃、４時間の焼結工程、大気中で８５０℃、
５０時間のアニール工程を行った。このアニール処理に
より素子表面に非導電層が形成される。
2 にＣｒＳｉ2 を２モル％添加したものを、また、ｎ型
鉄珪化物系半導体材料としてＦｅＳｉ2 にＣｏＳｉ2 を
２モル％添加したものを用いた。また、絶縁材料として
ＺｒＯ2 粉にガラス粉（組成（重量％）：ＳｉＯ2 ＝６
０，Ｂ2 Ｏ3 ＝１５，Ａｌ2 Ｏ3 ＝１０，アルカリ土類
金属酸化物＝１５）を４０重量％加えたものを用いた。
上記３種類の材料に、各々、結合剤としてポリビニルブ
チラール、可塑剤としてフタル酸ジブチル、分散剤とし
てエーテル型非イオン界面活性剤「ＧＡＦＡＣ」（東邦
化学社製商品名）、溶剤としてエタノール及びトルエン
を加えてスラリー化し、ドクターブレード法によりグリ
ーンシート化した。これらをｐ型鉄珪化物系半導体シー
ト、絶縁シート、ｎ型鉄珪化物系半導体シートの順に一
端がｐ−ｎ接合となるように積層後、熱圧着した。これ
を、大気中で４００℃、２時間の脱脂工程により結合
剤、可塑剤、分散剤及び溶剤を除去し、その後、真空中
で１２００℃、４時間の焼結工程、大気中で８５０℃、
５０時間のアニール工程を行った。このアニール処理に
より素子表面に非導電層が形成される。
【００２５】次に、高温端及び低温端の金属膜及び電極
膜形成予定箇所をグラインダー等で研磨し、該箇所以外
にシールテープを巻いてマスクした。この後、電気めっ
き法によりニッケル膜を０．５〜１μｍの厚みに形成
し、同様に電気めっき法ではんだ膜を５〜１０μｍの厚
みに形成した。最後にマスクテープを取り除き、余分に
析出しためっきをグラインダーで削り落とした。
膜形成予定箇所をグラインダー等で研磨し、該箇所以外
にシールテープを巻いてマスクした。この後、電気めっ
き法によりニッケル膜を０．５〜１μｍの厚みに形成
し、同様に電気めっき法ではんだ膜を５〜１０μｍの厚
みに形成した。最後にマスクテープを取り除き、余分に
析出しためっきをグラインダーで削り落とした。
【００２６】予め、銀ペーストによる導体パターン（厚
さ２０μｍ）を印刷した２枚のアルミナ基板と上記手法
で作製した熱電素子素体を有機系接着剤で仮固定し、３
２０℃のリフロー炉を通してはんだを溶融させアルミナ
基板と熱電素子素体のはんだ膜とを接合した。
さ２０μｍ）を印刷した２枚のアルミナ基板と上記手法
で作製した熱電素子素体を有機系接着剤で仮固定し、３
２０℃のリフロー炉を通してはんだを溶融させアルミナ
基板と熱電素子素体のはんだ膜とを接合した。
【００２７】この結果、熱電素子素体と２枚の基板とを
一度に接合することができ、生産性が向上し、製造コス
トが低減した。しかも、得られた熱電素子は、接合部の
耐熱性、熱伝導性、接合強度が高いため、熱電素子とし
ての耐久性、応答性にも優れるものであった。
一度に接合することができ、生産性が向上し、製造コス
トが低減した。しかも、得られた熱電素子は、接合部の
耐熱性、熱伝導性、接合強度が高いため、熱電素子とし
ての耐久性、応答性にも優れるものであった。
【００２８】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の熱電素子に
よれば、接合部の耐熱性、熱伝導性、接合強度が高く、
耐久性、応答性等に優れた熱電素子を容易かつ効率的に
低コストで製造することが可能となる。
よれば、接合部の耐熱性、熱伝導性、接合強度が高く、
耐久性、応答性等に優れた熱電素子を容易かつ効率的に
低コストで製造することが可能となる。
【図１】本発明の熱電素子の一実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】従来の熱電素子を示す断面図である。
１ 熱電素子素体 １Ａ 高温端 １Ｂ 低温端 ２ａ，２ｂ 電極 ３Ａ，３Ｂ 基板 ４Ａ，４Ｂ 導体パターン ５Ａ，５Ｂ はんだ ７ａ，７ｂ 金属膜
Claims (2)
- 【請求項１】 板面を平行にして対置された第１及び第
２のセラミック基板間に熱電素子素体が配置され、 該熱電素子素体の低温端側が該第１の基板に接合され、
高温端側が該第２の基板に接合されており、 該第１の基板の熱電素子素体側の板面に導体膜が形成さ
れ、熱電素子素体の低温端側に電極膜が形成され、該導
体膜と電極膜とがはんだによって接合されている熱電素
子において、 該第２の基板の熱電素子素体側の板面と該熱電素子素体
の高温端側とにそれぞれ金属膜が設けられ、これらの金
属膜同士がはんだによって接合されていることを特徴と
する熱電素子。 - 【請求項２】 請求項１において、前記熱電素子素体の
高温端側の金属膜及び前記電極膜はいずれもめっき膜で
あることを特徴とする熱電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8031934A JPH09232638A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | 熱電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8031934A JPH09232638A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | 熱電素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232638A true JPH09232638A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12344809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8031934A Withdrawn JPH09232638A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | 熱電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232638A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009200507A (ja) * | 2009-04-13 | 2009-09-03 | Kelk Ltd | ペルチェ素子熱電変換モジュール、ペルチェ素子熱電変換モジュールの製造方法および光通信モジュール |
| CN104576463A (zh) * | 2015-01-22 | 2015-04-29 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种快速降温热处理*** |
| CN111595475A (zh) * | 2020-05-22 | 2020-08-28 | 华中科技大学 | 用于瞬态温度测量的可更新轴状薄膜热电偶及其制作方法 |
-
1996
- 1996-02-20 JP JP8031934A patent/JPH09232638A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009200507A (ja) * | 2009-04-13 | 2009-09-03 | Kelk Ltd | ペルチェ素子熱電変換モジュール、ペルチェ素子熱電変換モジュールの製造方法および光通信モジュール |
| CN104576463A (zh) * | 2015-01-22 | 2015-04-29 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种快速降温热处理*** |
| CN111595475A (zh) * | 2020-05-22 | 2020-08-28 | 华中科技大学 | 用于瞬态温度测量的可更新轴状薄膜热电偶及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6410840B1 (en) | Thermoelectric conversion device and method of manufacturing the same | |
| JP3927784B2 (ja) | 熱電変換部材の製造方法 | |
| RU2433506C2 (ru) | Способ изготовления модулей пельтье, а также модуль пельтье | |
| KR900001838B1 (ko) | 고열전도성 세라믹스기판 | |
| US20110298080A1 (en) | Method for manufacturing thermoelectric conversion module, and thermoelectric conversion module | |
| US20110284523A1 (en) | Method for manufacturing thermoelectric conversion module | |
| KR102444696B1 (ko) | 열전 변환 모듈, 및 열전 변환 모듈의 제조 방법 | |
| JPH1012935A (ja) | 熱電変換素子の電極接合構造、熱電変換素子の電極接合方法、熱電変換モジュール、及び熱電変換モジュールの製造方法 | |
| US6787706B2 (en) | Ceramic circuit board | |
| JP5158200B2 (ja) | 熱電変換モジュールおよび熱電変換モジュールの製造方法 | |
| JPH09232638A (ja) | 熱電素子 | |
| JPH10144967A (ja) | 冷却用熱電素子モジュール | |
| JPH022836B2 (ja) | ||
| JP2000272977A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| WO1995017020A1 (fr) | Element de conversion thermoelectrique, reseau d'elements de conversion thermoelectrique et convertisseur de deplacement thermique | |
| JPH0992891A (ja) | 熱電素子及び熱電モジュール | |
| JP4849887B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP2009218320A (ja) | 熱発電デバイス素子 | |
| CN111149227A (zh) | 热电转换元件和热电转换元件的制造方法 | |
| JP2000091650A (ja) | 高温度熱電変換素子 | |
| JPH02178958A (ja) | 電子冷却素子とその製造方法 | |
| JP2002145676A (ja) | 陽極接合方法 | |
| JPH05190913A (ja) | 熱発電素子およびその製造方法 | |
| JP2003234515A (ja) | 熱電モジュール | |
| JPS63136485A (ja) | セラミツクヒ−タ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030506 |