JPH09232551A - 光電変換装置 - Google Patents
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- JPH09232551A JPH09232551A JP8037922A JP3792296A JPH09232551A JP H09232551 A JPH09232551 A JP H09232551A JP 8037922 A JP8037922 A JP 8037922A JP 3792296 A JP3792296 A JP 3792296A JP H09232551 A JPH09232551 A JP H09232551A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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Abstract
(57)【要約】
【課題】異方性導電ペーストや導電ペースト等がイメー
ジエリヤに流れ込んで、画像不良を発生しないようにす
る。 【解決手段】ＣＣＤチップ３の受光面に位置して配置さ
れたカラーフィルタ５ａ上に形成したマイクロレンズ５
ｂの一部のマイクロレンズ列を除去し、配線基板１との
接続に用いた異方性導電ペースト４がカラーフィルタ５
ａ上に位置するマイクロレンズ５ｂに流れ込まないよう
にした。
ジエリヤに流れ込んで、画像不良を発生しないようにす
る。 【解決手段】ＣＣＤチップ３の受光面に位置して配置さ
れたカラーフィルタ５ａ上に形成したマイクロレンズ５
ｂの一部のマイクロレンズ列を除去し、配線基板１との
接続に用いた異方性導電ペースト４がカラーフィルタ５
ａ上に位置するマイクロレンズ５ｂに流れ込まないよう
にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＣＣＤ（固体撮
像素子）を用いた光電変換装置に関する。
像素子）を用いた光電変換装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気素子を小型パッケージ内に収納した
電子部品は産業用に幅広く使用されている。就中、ＣＣ
Ｄはカメラ等の応用範囲が広い。このようなＣＣＤは、
産業用として小型化の要求が特に強く、軽薄短小化の開
発に各社が凌ぎを削っている。このＣＣＤの実装方法に
関しては、特開平7-099214号、特開平7-153796号が知ら
れている。
電子部品は産業用に幅広く使用されている。就中、ＣＣ
Ｄはカメラ等の応用範囲が広い。このようなＣＣＤは、
産業用として小型化の要求が特に強く、軽薄短小化の開
発に各社が凌ぎを削っている。このＣＣＤの実装方法に
関しては、特開平7-099214号、特開平7-153796号が知ら
れている。
【０００３】以下、従来の光電変換装置について図面を
参照して説明する。図９はパッケージを構成する部材と
製造プロセスを示す。配線基板１、光学ガラス２それに
ＣＣＤチップ３とから構成される。まず、図９（ａ）
で、光学ガラス２と配線基板１とを接着する。配線基板
１は絶縁性基材１ａと電極パターン１ｂからなり中央開
口部１ｃを有する。接着剤は、例えば紫外線硬化性接着
剤を用いて絶縁性基材１ａの裏面に塗布する。次に、図
９（ｂ）にて電極パターン１ｂの周囲に、異方性導電ペ
ースト４や導電接着剤を形成する。図９（ｃ）におい
て、ＣＣＤチップ３を異方性導電ペースト４上から熱圧
着により電極パターン１ｂに電気的に接続する。
参照して説明する。図９はパッケージを構成する部材と
製造プロセスを示す。配線基板１、光学ガラス２それに
ＣＣＤチップ３とから構成される。まず、図９（ａ）
で、光学ガラス２と配線基板１とを接着する。配線基板
１は絶縁性基材１ａと電極パターン１ｂからなり中央開
口部１ｃを有する。接着剤は、例えば紫外線硬化性接着
剤を用いて絶縁性基材１ａの裏面に塗布する。次に、図
９（ｂ）にて電極パターン１ｂの周囲に、異方性導電ペ
ースト４や導電接着剤を形成する。図９（ｃ）におい
て、ＣＣＤチップ３を異方性導電ペースト４上から熱圧
着により電極パターン１ｂに電気的に接続する。
【０００４】図１０は、完成したパッケージを断面構造
で示したものである。このとき、ＣＣＤチップ３の画素
に相当するパッケージ内は、中空構造（キャビティｐ）
であり、ＣＣＤチップ３の表面に形成されたマイクロレ
ンズ５による集光効果を生かす構造にしてある。
で示したものである。このとき、ＣＣＤチップ３の画素
に相当するパッケージ内は、中空構造（キャビティｐ）
であり、ＣＣＤチップ３の表面に形成されたマイクロレ
ンズ５による集光効果を生かす構造にしてある。
【０００５】また、異方性導電ペースト４は、ＣＣＤチ
ップ３と配線基板１の間に完全に充填されており、ＣＣ
Ｄチップ３の外周は全て外気から遮断、すなわち気密封
止構造が図られている。
ップ３と配線基板１の間に完全に充填されており、ＣＣ
Ｄチップ３の外周は全て外気から遮断、すなわち気密封
止構造が図られている。
【０００６】以上説明した構造により、簡単な製造プロ
セスで、超小形化の実現を可能とするＣＣＤパッケージ
を得ることができる。
セスで、超小形化の実現を可能とするＣＣＤパッケージ
を得ることができる。
【０００７】ところで、ＣＣＤチップ３の表面には、図
１１（ａ）に示すように、ボンディングパッド３ａが両
サイドに形成され、光電変換部には、カラーフィルタ５
ａとマイクロレンズ５ｂとの形成エリヤ３ｂがある。カ
ラーフィルタ５ａはシアン・マゼンダ・イエローの補色
構成の４層で厚みは５μｍ程度、またマイクロレンズ５
ａは、径２μｍ〜３μｍで高さ１．５μｍ〜２．０μｍ
である。それらは、共にアクリル樹脂で構成される。ま
た、製造クリアランスの確保のため、図１１（ｂ）のよ
うに、イメージエリヤ３ｃに対し、カラーフィルタ５ａ
とマイクロレンズ５ｂの形成エリヤ３ｂが、５０μｍ〜
２００μｍ程度大きく設計してある。
１１（ａ）に示すように、ボンディングパッド３ａが両
サイドに形成され、光電変換部には、カラーフィルタ５
ａとマイクロレンズ５ｂとの形成エリヤ３ｂがある。カ
ラーフィルタ５ａはシアン・マゼンダ・イエローの補色
構成の４層で厚みは５μｍ程度、またマイクロレンズ５
ａは、径２μｍ〜３μｍで高さ１．５μｍ〜２．０μｍ
である。それらは、共にアクリル樹脂で構成される。ま
た、製造クリアランスの確保のため、図１１（ｂ）のよ
うに、イメージエリヤ３ｃに対し、カラーフィルタ５ａ
とマイクロレンズ５ｂの形成エリヤ３ｂが、５０μｍ〜
２００μｍ程度大きく設計してある。
【０００８】ここで、図１２を用いて、現行の実装方法
における問題点を説明する。図１２（ａ）にて、ＣＣＤ
チップ３と配線基板１を異方性導電ペースト４を介して
接合するときに、異方性導電ペースト４の一部が、ＣＣ
Ｄチップ３のイメージエリア３ｃ内に侵入し、図１２
（ｂ）のように、異方性導電ペースト４の滲みだし不良
（画像不良）Ｅが発生する。これは異方性導電ペースト
４は粘性のあるペースト状のため、異方性導電ペースト
４の一部の成分が熱圧着のときに、ＣＣＤチップ３のカ
ラーフィルタ５ａやマイクロレンズ５ｂ上に流れ出して
にじむ現象である。以下、この不良を「滲みだし不良」
という。
における問題点を説明する。図１２（ａ）にて、ＣＣＤ
チップ３と配線基板１を異方性導電ペースト４を介して
接合するときに、異方性導電ペースト４の一部が、ＣＣ
Ｄチップ３のイメージエリア３ｃ内に侵入し、図１２
（ｂ）のように、異方性導電ペースト４の滲みだし不良
（画像不良）Ｅが発生する。これは異方性導電ペースト
４は粘性のあるペースト状のため、異方性導電ペースト
４の一部の成分が熱圧着のときに、ＣＣＤチップ３のカ
ラーフィルタ５ａやマイクロレンズ５ｂ上に流れ出して
にじむ現象である。以下、この不良を「滲みだし不良」
という。
【０００９】この「滲みだし不良」について調査した結
果、隣り合う半球上のマイクロレンズ間にできた１μｍ
程度の隙間に同上の異方性導電ペーストが侵入し、異方
性導電ペースト４中の低粘度成分が、イメージエリヤ３
ｃ内に毛細管現象的に侵入して「滲みだし不良」が発生
すると推定される。
果、隣り合う半球上のマイクロレンズ間にできた１μｍ
程度の隙間に同上の異方性導電ペーストが侵入し、異方
性導電ペースト４中の低粘度成分が、イメージエリヤ３
ｃ内に毛細管現象的に侵入して「滲みだし不良」が発生
すると推定される。
【００１０】通常は、イメージエリヤ３ｃに侵入しない
マージンをもって配線基板の設計を行っているが、異方
性導電ペースト４のロットばらつきや、粘度の掲示変化
により「滲みだし不良」となるのが発生していた。
マージンをもって配線基板の設計を行っているが、異方
性導電ペースト４のロットばらつきや、粘度の掲示変化
により「滲みだし不良」となるのが発生していた。
【００１１】さらに実験した結果によると、異方性導電
ペースト４は、ＣＣＤチップ３上では、カラーフィルタ
５ａ層よりマイクロレンズ５ｂ形成層で異方性導電ペー
スト４の滲みだしが加速することがわかっている。
ペースト４は、ＣＣＤチップ３上では、カラーフィルタ
５ａ層よりマイクロレンズ５ｂ形成層で異方性導電ペー
スト４の滲みだしが加速することがわかっている。
【００１２】図１３を用い、イメージエリヤ外のマイク
ロレンズのスペースマージンＳＭを狭くした場合の滲み
だしについて説明する。ボンディングパッド３ａからイ
メージエリヤ３ｃまでの距離Ｌは、１００μｍ程度であ
る。チップ接合用には異方性導電ペースト４が塗布さ
れ、一部の異方性導電ペースト４がイメージエリヤ３ｃ
に向かって侵入する。異方性導電ペースト４の侵入方向
はＦから開始し、ＤおよびＥの方向にイメージエリヤ３
ｃ内に扇上に拡散していく。Ｆはカラーフィルタ５ａ上
の拡散で、このときの拡散速度は、ＶF0であり比較的低
速である。また、異方性導電ペーストがマイクロレンズ
に接触すると、隣接するマイクロレンズ間の谷間で毛細
管現象的に拡散作用は加速し、ＶF0の拡散速度は、Ｄお
よびＥではそれぞれＶD0およびＶE0の拡散速度に変化す
る。拡散速度ＶF0に対し、拡散速度ＶD0およびＶE0はそ
れぞれ数倍の速度が早い。その拡散スピード差は１０倍
程度になる。従って、異方性導電ペーストが加熱硬化す
る迄に、イメージエリヤ内に到達する時間は短くなる。
ロレンズのスペースマージンＳＭを狭くした場合の滲み
だしについて説明する。ボンディングパッド３ａからイ
メージエリヤ３ｃまでの距離Ｌは、１００μｍ程度であ
る。チップ接合用には異方性導電ペースト４が塗布さ
れ、一部の異方性導電ペースト４がイメージエリヤ３ｃ
に向かって侵入する。異方性導電ペースト４の侵入方向
はＦから開始し、ＤおよびＥの方向にイメージエリヤ３
ｃ内に扇上に拡散していく。Ｆはカラーフィルタ５ａ上
の拡散で、このときの拡散速度は、ＶF0であり比較的低
速である。また、異方性導電ペーストがマイクロレンズ
に接触すると、隣接するマイクロレンズ間の谷間で毛細
管現象的に拡散作用は加速し、ＶF0の拡散速度は、Ｄお
よびＥではそれぞれＶD0およびＶE0の拡散速度に変化す
る。拡散速度ＶF0に対し、拡散速度ＶD0およびＶE0はそ
れぞれ数倍の速度が早い。その拡散スピード差は１０倍
程度になる。従って、異方性導電ペーストが加熱硬化す
る迄に、イメージエリヤ内に到達する時間は短くなる。
【００１３】そこで、同一出願人は特願平7-155865号に
て、マイクロレンズ５ｂの形成位置に関して、配線基板
１の開口部１ｃの内側にマイクロレンズ５ｂを配置する
構造を提案している。
て、マイクロレンズ５ｂの形成位置に関して、配線基板
１の開口部１ｃの内側にマイクロレンズ５ｂを配置する
構造を提案している。
【００１４】これは、図１４に示すように、配線基板１
の端部より内側にカラーフィルタ５ａを含むマイクロレ
ンズ５ｂを配置するもので、これにより、異方性導電ペ
ースト４の滲みだし不良が飛躍的に回避できることがわ
かった。
の端部より内側にカラーフィルタ５ａを含むマイクロレ
ンズ５ｂを配置するもので、これにより、異方性導電ペ
ースト４の滲みだし不良が飛躍的に回避できることがわ
かった。
【００１５】しかし、この不良は完全に回避することは
できず、さらなる不良防止対策が望まれていた。また、
図１４の現行法では、カラーフィルタ５ａとマイクロレ
ンズ５ｂの形成端から、ボンディングパッド３ａまで１
００μｍ〜２００μｍ程度の大きい距離をとる必要があ
り、ＣＣＤチップ３の小型化には限界がある。
できず、さらなる不良防止対策が望まれていた。また、
図１４の現行法では、カラーフィルタ５ａとマイクロレ
ンズ５ｂの形成端から、ボンディングパッド３ａまで１
００μｍ〜２００μｍ程度の大きい距離をとる必要があ
り、ＣＣＤチップ３の小型化には限界がある。
【００１６】さらに変形例として、異方性導電ペースト
４の滲みだしを防止する「ダム枠形成」についても同一
出願人が先に出願している。これは、図１５（ａ），
（ｂ）に示したように、ＣＣＤチップ３若しくは配線基
板１の少なくとも何れか一方の、ボンディングパッド３
ａとイメージエリヤ３ｃの間に、ダム枠６ａ，６ｂを形
成する手段である。これは、構造的に異方性導電ペース
ト４の侵入する膜厚より高い土手を設けるのが主眼であ
った。これにより、異方性導電ペースト４がダム枠を越
えてイメージエリヤ３ｃ内に侵入し、画像不良になるこ
とを阻止できる効果が期待できた。
４の滲みだしを防止する「ダム枠形成」についても同一
出願人が先に出願している。これは、図１５（ａ），
（ｂ）に示したように、ＣＣＤチップ３若しくは配線基
板１の少なくとも何れか一方の、ボンディングパッド３
ａとイメージエリヤ３ｃの間に、ダム枠６ａ，６ｂを形
成する手段である。これは、構造的に異方性導電ペース
ト４の侵入する膜厚より高い土手を設けるのが主眼であ
った。これにより、異方性導電ペースト４がダム枠を越
えてイメージエリヤ３ｃ内に侵入し、画像不良になるこ
とを阻止できる効果が期待できた。
【００１７】しかしながら、図１５のダム枠形成技術で
は、別材料と別工程の付与が必要となり形成が極めて繁
雑となる点である。また、ダム枠６ａ，６ｂの形成は、
フォトレジスト形成法等の微小幅で形成した、数１０μ
ｍ〜１００μｍ程度の形成スペースが必要となり、その
形成幅を含んだチップサイズの増大は、デバイスサイズ
の小型化を著しく疎外することになる。さらに、先に説
明したバンプ接続によるフェイスダウン実装に影響を与
える可能性がある。そのために、ダム枠の高さ制御が重
要であるが、バンプ高さとダム枠の高さ管理は極めて困
難で、接続の信頼性低下を引起こす懸念がある。
は、別材料と別工程の付与が必要となり形成が極めて繁
雑となる点である。また、ダム枠６ａ，６ｂの形成は、
フォトレジスト形成法等の微小幅で形成した、数１０μ
ｍ〜１００μｍ程度の形成スペースが必要となり、その
形成幅を含んだチップサイズの増大は、デバイスサイズ
の小型化を著しく疎外することになる。さらに、先に説
明したバンプ接続によるフェイスダウン実装に影響を与
える可能性がある。そのために、ダム枠の高さ制御が重
要であるが、バンプ高さとダム枠の高さ管理は極めて困
難で、接続の信頼性低下を引起こす懸念がある。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の光電変
換装置では、フィルタとマイクロレンズの形成端から、
ボンディングパッドまでの距離をとる方法の場合、この
距離を大きくとる必要があり、ＣＣＤチップの小型化に
は限界がある。また、ダム枠を設ける場合、バンプ高さ
とダム枠の高さ管理が極めて困難で、接続の信頼性低下
を引起こす懸念がある。
換装置では、フィルタとマイクロレンズの形成端から、
ボンディングパッドまでの距離をとる方法の場合、この
距離を大きくとる必要があり、ＣＣＤチップの小型化に
は限界がある。また、ダム枠を設ける場合、バンプ高さ
とダム枠の高さ管理が極めて困難で、接続の信頼性低下
を引起こす懸念がある。
【００１９】この発明は、異方性導電ペーストや導電ペ
ースト、さらにはパッケージの機械的強度の向上と封止
性を増すための樹脂封止剤が、イメージエリヤに流れ込
んで、画像不良を発生しない方策を提供する。
ースト、さらにはパッケージの機械的強度の向上と封止
性を増すための樹脂封止剤が、イメージエリヤに流れ込
んで、画像不良を発生しない方策を提供する。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、この発明の光電変換装置は、カラーフィルタ上
に形成されるマイクロレンズの配置構造を変更し、一部
のマイクロレンズ列を除去したものである。
ために、この発明の光電変換装置は、カラーフィルタ上
に形成されるマイクロレンズの配置構造を変更し、一部
のマイクロレンズ列を除去したものである。
【００２１】これより、ＣＣＤチップ内に侵入しようと
する異方性導電ペーストは、イメージエリヤの手前で分
断形成されたマイクロレンズ上で、拡散方向がイメージ
エリヤの外周囲に分散されるために、イメージエリヤに
侵入する拡散量を少なくすることができる。
する異方性導電ペーストは、イメージエリヤの手前で分
断形成されたマイクロレンズ上で、拡散方向がイメージ
エリヤの外周囲に分散されるために、イメージエリヤに
侵入する拡散量を少なくすることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、こ
の発明の第１の実施の形態を説明するための説明図であ
る。この実施の形態と従来の同一の構成部分には同一の
符号を付して説明する。図１（ａ）は、ＣＣＤチップ３
のカラーフィルタ５ａ上に、配置されたマイクロレンズ
５ｂの配置を説明するための正面図、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＡ−Ａ´断面のＣＣＤチップ３と配線基板１と
を、異方性導電ペースト４を介して電気的に接続する状
態を説明するための断面図である。
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、こ
の発明の第１の実施の形態を説明するための説明図であ
る。この実施の形態と従来の同一の構成部分には同一の
符号を付して説明する。図１（ａ）は、ＣＣＤチップ３
のカラーフィルタ５ａ上に、配置されたマイクロレンズ
５ｂの配置を説明するための正面図、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＡ−Ａ´断面のＣＣＤチップ３と配線基板１と
を、異方性導電ペースト４を介して電気的に接続する状
態を説明するための断面図である。
【００２３】すなわち、この実施の形態は、図１（ａ）
に示すように、マイクロレンズ５ｂのＣＣＤチップ３の
イメージエリヤ３ｃの外に配置された一部を、イメージ
エリヤ３ｃを取り囲むように除去してレンズ除去部１１
を形成したものである。このとき、ボンディングパッド
３ａとマイクロレンズ５ｂとの間隔は、従来の場合の間
隔より狭く設定してある。
に示すように、マイクロレンズ５ｂのＣＣＤチップ３の
イメージエリヤ３ｃの外に配置された一部を、イメージ
エリヤ３ｃを取り囲むように除去してレンズ除去部１１
を形成したものである。このとき、ボンディングパッド
３ａとマイクロレンズ５ｂとの間隔は、従来の場合の間
隔より狭く設定してある。
【００２４】ところで、イメージエリヤ３ｃ外のカラー
フィルタ５ａやマイクロレンズ５ｂは、製造上の安定性
を持たせるためのものである。従って、一部を除去して
も特性的に問題とはならない。
フィルタ５ａやマイクロレンズ５ｂは、製造上の安定性
を持たせるためのものである。従って、一部を除去して
も特性的に問題とはならない。
【００２５】図２を用い、レンズ除去部１１の形成例に
ついてさらに説明する。イメージエリヤ３ｃ外のマイク
ロレンズ５の形成された部分であるダミーレンズ形成域
３１は、５０μｍ程度が必要で、画素数では６〜１０画
素分である。この実施の形態でのレンズ除去部１１は、
ダミーレンズ形成域３１の１〜３列分を除去、すなわち
１〜３画素分の除去幅５〜２０μｍ程度とする。
ついてさらに説明する。イメージエリヤ３ｃ外のマイク
ロレンズ５の形成された部分であるダミーレンズ形成域
３１は、５０μｍ程度が必要で、画素数では６〜１０画
素分である。この実施の形態でのレンズ除去部１１は、
ダミーレンズ形成域３１の１〜３列分を除去、すなわち
１〜３画素分の除去幅５〜２０μｍ程度とする。
【００２６】次に、図３を用いてレンズ除去部１１の作
用について説明する。ＣＣＤチップ３は、サイズが２ｍ
ｍ角程度で、１０〜１５万画素程度の極めて小型のＣＣ
Ｄチップを想定している。マイクロレンズ５ｂは、図３
（ａ）に示すように、ボンディングパッド３ａに接近し
て形成してある。従って、図３（ｂ）に示すように、異
方性導電ペースト４が、イメージエリヤ３ｃ外にレンズ
除去部１１を介して島状に分離形成されているマイクロ
レンズ５ｂに、到達する時間は短いものとなる。
用について説明する。ＣＣＤチップ３は、サイズが２ｍ
ｍ角程度で、１０〜１５万画素程度の極めて小型のＣＣ
Ｄチップを想定している。マイクロレンズ５ｂは、図３
（ａ）に示すように、ボンディングパッド３ａに接近し
て形成してある。従って、図３（ｂ）に示すように、異
方性導電ペースト４が、イメージエリヤ３ｃ外にレンズ
除去部１１を介して島状に分離形成されているマイクロ
レンズ５ｂに、到達する時間は短いものとなる。
【００２７】しかし、マイクロレンズ５ｂに到達以降
は、大部分の異方性導電ペースト４が、イメージエリヤ
３ｃの外周部に沿って、図中Ｄ方向に拡散する速度ＶD0
やＥ方向に拡散する速度ＶE0に比べて、イメージエリヤ
３ｃに向かうＦ方向に侵入する拡散速度ＶF1は、レンズ
除去部１１により遅くなる。すなわち、この拡散速度Ｖ
F1と図１３に示す拡散速度ＶF0は、ＶF1<<ＶF0の関係と
なる。
は、大部分の異方性導電ペースト４が、イメージエリヤ
３ｃの外周部に沿って、図中Ｄ方向に拡散する速度ＶD0
やＥ方向に拡散する速度ＶE0に比べて、イメージエリヤ
３ｃに向かうＦ方向に侵入する拡散速度ＶF1は、レンズ
除去部１１により遅くなる。すなわち、この拡散速度Ｖ
F1と図１３に示す拡散速度ＶF0は、ＶF1<<ＶF0の関係と
なる。
【００２８】もし、レンズ除去部１１を介して拡散速度
ＶF1で、イメージエリヤ３ｃの直前のマイクロレンズ５
ｂ群に到達し、ｄ，ｅ方向にそれぞれ流れたとして、異
方性導電ペースト４の拡散量はさらに減少しているた
め、イメージエリヤ３ｃに侵入して画像不良となる確立
はかなり低下する。このとき、ｄ，ｅ方向の拡散速度を
それぞれＶd1，Ｖe1とすると、ＶD0>>Ｖd1（またはＶE0
>>Ｖe1）の関係となる。
ＶF1で、イメージエリヤ３ｃの直前のマイクロレンズ５
ｂ群に到達し、ｄ，ｅ方向にそれぞれ流れたとして、異
方性導電ペースト４の拡散量はさらに減少しているた
め、イメージエリヤ３ｃに侵入して画像不良となる確立
はかなり低下する。このとき、ｄ，ｅ方向の拡散速度を
それぞれＶd1，Ｖe1とすると、ＶD0>>Ｖd1（またはＶE0
>>Ｖe1）の関係となる。
【００２９】この実施の形態では、ＣＣＤチップ３の製
造プロセスや材料を変更することなく、単に、マイクロ
レンズ５ｂを配置しないレンズ除去部１１を設けたこと
により、異方性導電ペースト４のイメージエリヤ３ｃへ
の侵入による、滲みだし不良の回避に寄与でき、製造歩
留りが向上する。
造プロセスや材料を変更することなく、単に、マイクロ
レンズ５ｂを配置しないレンズ除去部１１を設けたこと
により、異方性導電ペースト４のイメージエリヤ３ｃへ
の侵入による、滲みだし不良の回避に寄与でき、製造歩
留りが向上する。
【００３０】図４〜図６を用い、この発明の第２〜第４
の実施の形態について説明する。図４〜図６は主要部の
正面図である。
の実施の形態について説明する。図４〜図６は主要部の
正面図である。
【００３１】まず、図４について説明する。イメージエ
リヤ３ｃ外に形成したマイクロレンズの形状を、イメー
ジエリヤ３ｃと同一形状とした。ただし、マイクロレン
ズ５ｂ間の間隙を変えてある。すなわち、イメージエリ
ヤ３ｃに向かう方向のマイクロレンズ５ｂ間の間隙Ｇａ
＞イメージエリヤ３ｃの周囲に沿って配置されたマイク
ロレンズ５ｂ間の間隙Ｇｂとし、Ｇａ＜Ｇｂと設計し
た。
リヤ３ｃ外に形成したマイクロレンズの形状を、イメー
ジエリヤ３ｃと同一形状とした。ただし、マイクロレン
ズ５ｂ間の間隙を変えてある。すなわち、イメージエリ
ヤ３ｃに向かう方向のマイクロレンズ５ｂ間の間隙Ｇａ
＞イメージエリヤ３ｃの周囲に沿って配置されたマイク
ロレンズ５ｂ間の間隙Ｇｂとし、Ｇａ＜Ｇｂと設計し
た。
【００３２】この実施の形態では、毛細管効果をイメー
ジエリヤ３ｃに異方性導電ペースト４が侵入するのを垂
直方向に方向を変換させ、異方性導電ペースト４のイメ
ージエリヤ３ｃへの侵入を防止でき、滲みだし不良を回
避できる。
ジエリヤ３ｃに異方性導電ペースト４が侵入するのを垂
直方向に方向を変換させ、異方性導電ペースト４のイメ
ージエリヤ３ｃへの侵入を防止でき、滲みだし不良を回
避できる。
【００３３】また、図５の実施の形態では、マイクロレ
ンズ５ｂをイメージエリヤ３ｃ内のような整列配置と異
なり、千鳥配置とした。これにより、イメージエリヤ３
ｃに異方性導電ペースト４が侵入する方向に、マイクロ
レンズ５ｂを防御壁として配置し、物理的な侵入防止を
併用できる。
ンズ５ｂをイメージエリヤ３ｃ内のような整列配置と異
なり、千鳥配置とした。これにより、イメージエリヤ３
ｃに異方性導電ペースト４が侵入する方向に、マイクロ
レンズ５ｂを防御壁として配置し、物理的な侵入防止を
併用できる。
【００３４】さらに、図６の実施の形態では、マイクロ
レンズ５ｂの形状を楕円状にし、隣接するマイクロレン
ズ５ｂの長手方向がイメージエリヤ３ｃの周囲に沿って
接触し易い配置とした。これでも、毛細管効果をイメー
ジエリヤに異方性導電ペーストが侵入するのと垂直方向
に方向を変える効果がある。
レンズ５ｂの形状を楕円状にし、隣接するマイクロレン
ズ５ｂの長手方向がイメージエリヤ３ｃの周囲に沿って
接触し易い配置とした。これでも、毛細管効果をイメー
ジエリヤに異方性導電ペーストが侵入するのと垂直方向
に方向を変える効果がある。
【００３５】マイクロレンズ５ｂの形状については、図
４〜図６の各実施の形態で説明した以外にも種々考えら
れる。例えば、マイクロレンズ５ｂの異形状の複合化し
てもよいし、また、マイクロレンズ５ｂをボンディング
パッド３ａの周囲や、ＣＣＤチップ３の外形などにも配
置する変形例も考えられる。
４〜図６の各実施の形態で説明した以外にも種々考えら
れる。例えば、マイクロレンズ５ｂの異形状の複合化し
てもよいし、また、マイクロレンズ５ｂをボンディング
パッド３ａの周囲や、ＣＣＤチップ３の外形などにも配
置する変形例も考えられる。
【００３６】また、イメージエリヤ３ｃの外周部にドー
ナツ状に全て閉路構造にするのが望ましいが、図７のこ
の発明の第５の実施の形態に示すように、イメージエリ
ヤ３ｃの外に位置するマイクロレンズ５ｂを一部を破線
で示すように除去しても同様の効果を得ることができ
る。
ナツ状に全て閉路構造にするのが望ましいが、図７のこ
の発明の第５の実施の形態に示すように、イメージエリ
ヤ３ｃの外に位置するマイクロレンズ５ｂを一部を破線
で示すように除去しても同様の効果を得ることができ
る。
【００３７】さらに、図８はこの発明の第６の実施の形
態である。この実施の形態は、マイクロレンズ５ｂが形
成されないレンズ除去部１１と同位置に、カラーフィル
タ５ａを形成しないフィルタ除去部１２を形成したもの
である。この場合は、フィルタ除去部１２によりイメー
ジエリヤ３ｃが結果的に高くなり、異方性導電ペースト
４の侵入防止の向上が図れる。
態である。この実施の形態は、マイクロレンズ５ｂが形
成されないレンズ除去部１１と同位置に、カラーフィル
タ５ａを形成しないフィルタ除去部１２を形成したもの
である。この場合は、フィルタ除去部１２によりイメー
ジエリヤ３ｃが結果的に高くなり、異方性導電ペースト
４の侵入防止の向上が図れる。
【００３８】この発明は、上記した実施の形態に限定さ
れるものではなく、ＣＣＤチップ３と配線基板１とを接
続する接続部材は異方性導電ペースト４だけではなく、
導電ペーストや接着剤等でもよい。また、パッケージの
機械的強度の向上と封止性を増すための樹脂封止剤が、
イメージエリヤに流れ込んで画像不良を発生しないため
の方策にも適用が可能である。
れるものではなく、ＣＣＤチップ３と配線基板１とを接
続する接続部材は異方性導電ペースト４だけではなく、
導電ペーストや接着剤等でもよい。また、パッケージの
機械的強度の向上と封止性を増すための樹脂封止剤が、
イメージエリヤに流れ込んで画像不良を発生しないため
の方策にも適用が可能である。
【００３９】さらに、紫外線消去型メモリーにも有効で
ある。また、電気素子が、中空構造を必要とする他の素
子、例えば表面弾性波素子であるＳＡＷデバイスや水晶
発振子、さらにはＬＥＤや光ピックアップといった特殊
パッケージにも応用展開が容易であることは言うまでも
ない。
ある。また、電気素子が、中空構造を必要とする他の素
子、例えば表面弾性波素子であるＳＡＷデバイスや水晶
発振子、さらにはＬＥＤや光ピックアップといった特殊
パッケージにも応用展開が容易であることは言うまでも
ない。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の光電変
換装置によれば、ペースト状である接続部材が、光電変
換素子のイメージエリヤ内に侵入して画像不良を発生さ
れることなく形成することができる。
換装置によれば、ペースト状である接続部材が、光電変
換素子のイメージエリヤ内に侵入して画像不良を発生さ
れることなく形成することができる。
【図１】この発明の第１の実施の形態を説明するための
説明図。
説明図。
【図２】この発明の要部を拡大して説明するための断面
図。
図。
【図３】図１の実施の形態の作用について説明するため
の説明図。
の説明図。
【図４】この発明の第２の実施の形態を説明するための
平面図。
平面図。
【図５】この発明の第３の実施の形態を説明するための
平面図。
平面図。
【図６】この発明の第４の実施の形態を説明するための
平面図。
平面図。
【図７】この発明の第５の実施の形態を説明するための
平面図。
平面図。
【図８】この発明の第６の実施の形態を説明するための
断面図。
断面図。
【図９】従来のＣＣＤチップの実装について説明するた
め説明図。
め説明図。
【図１０】図９で製造された状態の断面図。
【図１１】図９で用いるＣＣＤチップについて説明する
ための説明図。
ための説明図。
【図１２】図９の問題点について説明するための説明
図。
図。
【図１３】図９の問題の現象について説明するための説
明図。
明図。
【図１４】他の従来のＣＣＤチップの実装について説明
するための説明図。
するための説明図。
【図１５】もう一つの他の従来のＣＣＤチップの実装に
ついて説明するための説明図。
ついて説明するための説明図。
１…配線基板、３…ＣＣＤチップ、３ａ…ボンディング
パッド、３ｂ…カラーフィルタ５ａとマイクロレンズ５
ｂの形成エリヤ、３ｃ…イメージエリア、４…異方性導
電ペースト、５ａ…カラーフィルム、５ｂ…マイクロレ
ンズ、１１…レンズ除去部、１２…フィルタ除去部。
パッド、３ｂ…カラーフィルタ５ａとマイクロレンズ５
ｂの形成エリヤ、３ｃ…イメージエリア、４…異方性導
電ペースト、５ａ…カラーフィルム、５ｂ…マイクロレ
ンズ、１１…レンズ除去部、１２…フィルタ除去部。
Claims (7)
- 【請求項１】 イメージセンサと、 前記イメージセンサの周辺部に固着し、該イメージセン
サに電気的に接続したボンディングパッドと、 前記イメージセンサのイメージエリヤ（撮像部）内とイ
メージエリヤ外に形成した集光用マイクロレンズとを備
え、 イメージエリヤ外に位置する前記マイクロレンズの配置
と形状のうち、少なくともいずれか一方を変えてなるこ
とを特徴とした光電変換装置。 - 【請求項２】 前記イメージセンサのイメージエリヤ外
に形成した前記マイクロレンズは、イメージエリヤ内に
形成した前記マイクロレンズと間隙を置いて配置してな
ることを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。 - 【請求項３】 前記イメージセンサのイメージエリヤ外
に形成した前記マイクロレンズは、イメージエリヤの外
周部に沿って環状に配置してなることを特徴とする請求
項２記載の光電変換装置。 - 【請求項４】 前記イメージセンサのイメージエリヤ外
に形成した前記マイクロレンズは、イメージエリヤの中
心部に向かって隣接するマイクロレンズ間の間隔が他の
部分より広く配置してなることを特徴とする請求項１記
載の光電変換装置。 - 【請求項５】 前記イメージセンサのイメージエリヤ外
に形成した前記マイクロレンズは、イメージエリヤの中
心部に向かって千鳥配置してなることを特徴とする請求
項１記載の光電変換装置。 - 【請求項６】 前記マイクロレンズと前記イメージセン
サとの間にカラーフィルタを形成してなることを特徴と
する請求項１記載の光電変換装置。 - 【請求項７】 イメージセンサと、 前記イメージセンサのイメージエリヤ（撮像部）内とイ
メージエリヤ外に形成した集光用のマイクロレンズと、 前記イメージエリヤ内に少なくとも対向配置したカラー
フィルタと、 前記マイクロレンズの配置と形状の少なくともいずれか
一方を変形した変形部と、 前記イメージセンサの周辺部に固着し、該イメージセン
サに電気的に接続したボンディングパッドと、から光電
変換素子を構成し、 前記光電変換素子をフェイスダウンにより配線基板に接
続してなることを特徴とする光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8037922A JPH09232551A (ja) | 1996-02-26 | 1996-02-26 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8037922A JPH09232551A (ja) | 1996-02-26 | 1996-02-26 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232551A true JPH09232551A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12511047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8037922A Withdrawn JPH09232551A (ja) | 1996-02-26 | 1996-02-26 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232551A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001358997A (ja) * | 2000-06-12 | 2001-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| EP1198126A2 (en) * | 2000-10-17 | 2002-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
| JP2002124654A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置 |
| US6467139B1 (en) | 1998-08-03 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Mounting structure and mounting method for surface acoustic wave element |
| EP1434276A3 (en) * | 2002-12-26 | 2004-07-14 | Hua Wei Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd | Image sensor adapted for reduced component chip scale packaging |
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| KR100494666B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2005-06-13 | 동부아남반도체 주식회사 | 씨시디이미지센서장착 씨에스피 반도체 |
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-
1996
- 1996-02-26 JP JP8037922A patent/JPH09232551A/ja not_active Withdrawn
Cited By (22)
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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