JPH0922869A - 露光装置 - Google Patents
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- JPH0922869A JPH0922869A JP7195922A JP19592295A JPH0922869A JP H0922869 A JPH0922869 A JP H0922869A JP 7195922 A JP7195922 A JP 7195922A JP 19592295 A JP19592295 A JP 19592295A JP H0922869 A JPH0922869 A JP H0922869A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光領域内における照度の均一性と開口数の
均一性とを同時に満たすことのできる露光装置を提供す
ること。 【構成】 コンデンサー光学系の焦点距離をＦとし、コ
ンデンサー光学系に対する光線の入射角をθとし、光線
がマスクに入射する位置の光軸からの距離をＹとしたと
き、Ｙ＝Ｆ sinθの条件を実質的に満足し、感光基板上
の照度をほぼ均一にするために、感光基板上で異なる像
高に到達する光束に対して異なる透過率分布を有する照
度分布補正手段が設けられている。
均一性とを同時に満たすことのできる露光装置を提供す
ること。 【構成】 コンデンサー光学系の焦点距離をＦとし、コ
ンデンサー光学系に対する光線の入射角をθとし、光線
がマスクに入射する位置の光軸からの距離をＹとしたと
き、Ｙ＝Ｆ sinθの条件を実質的に満足し、感光基板上
の照度をほぼ均一にするために、感光基板上で異なる像
高に到達する光束に対して異なる透過率分布を有する照
度分布補正手段が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は露光装置に関し、特
に半導体素子または液晶表示素子等を製造するための露
光装置に関する。
に半導体素子または液晶表示素子等を製造するための露
光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば半導体素子または液晶表示素子
等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、マスクと
してのレチクルに形成された転写用のパターンを、投影
光学系を介してウエハのような感光基板に転写する投影
露光装置が使用されている。また、レチクルのパターン
をレチクルに近接して配置された感光基板に直接転写す
るプロキシミティ方式の露光装置が使用されている。以
下、本明細書において、このような投影露光装置および
露光装置を単に「露光装置」と総称する。
等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、マスクと
してのレチクルに形成された転写用のパターンを、投影
光学系を介してウエハのような感光基板に転写する投影
露光装置が使用されている。また、レチクルのパターン
をレチクルに近接して配置された感光基板に直接転写す
るプロキシミティ方式の露光装置が使用されている。以
下、本明細書において、このような投影露光装置および
露光装置を単に「露光装置」と総称する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この種の露光装置で
は、最近の半導体素子等の集積度の向上に対応するため
に、感光基板上の露光領域の全体に亘って極めて高い像
均質性が要求されるようになっている。すなわち、露光
領域内において、照度の均一性および開口数の均一性の
双方が極めて高いレベルで要求されている。
は、最近の半導体素子等の集積度の向上に対応するため
に、感光基板上の露光領域の全体に亘って極めて高い像
均質性が要求されるようになっている。すなわち、露光
領域内において、照度の均一性および開口数の均一性の
双方が極めて高いレベルで要求されている。
【０００４】露光領域内における照度が均一でない場
合、すなわち照度が露光領域内の位置に依存して変化す
る場合、露光量が不均一になり、その結果感光基板上に
形成されるパターンの線幅が不均一になる。また、露光
領域内における開口数が均一でない場合、すなわち開口
数が露光領域内の位置に依存して変化する場合、空間コ
ヒーレンスが不均一になり、その結果感光基板上に形成
されるパターンの線幅が不均一になる。
合、すなわち照度が露光領域内の位置に依存して変化す
る場合、露光量が不均一になり、その結果感光基板上に
形成されるパターンの線幅が不均一になる。また、露光
領域内における開口数が均一でない場合、すなわち開口
数が露光領域内の位置に依存して変化する場合、空間コ
ヒーレンスが不均一になり、その結果感光基板上に形成
されるパターンの線幅が不均一になる。
【０００５】従来の露光装置では、露光領域内において
照度の均一性と開口数の均一性とを同時に満たしていな
かった。その結果、感光基板上に形成されるパターンの
線幅が不均一になるという不都合があった。本発明は、
前述の課題に鑑みてなされたものであり、露光領域内に
おける照度の均一性と開口数の均一性とを同時に満たす
ことのできる露光装置を提供することを目的とする。
照度の均一性と開口数の均一性とを同時に満たしていな
かった。その結果、感光基板上に形成されるパターンの
線幅が不均一になるという不都合があった。本発明は、
前述の課題に鑑みてなされたものであり、露光領域内に
おける照度の均一性と開口数の均一性とを同時に満たす
ことのできる露光装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、第１の発明においては、照明光を供給するための光
源手段と、該光源手段からの光束に基づいて複数の光源
像を形成するための多光源像形成手段と、前記複数の光
源像からの光束を集光して所定のパターンが形成された
マスクを重畳的に照明するためのコンデンサー光学系と
を備え、前記マスクのパターン像を感光基板上に形成す
る露光装置において、前記コンデンサー光学系の焦点距
離をＦとし、前記コンデンサー光学系に対する光線の入
射角をθとし、前記光線が前記マスクに入射する位置の
前記光軸からの距離をＹとしたとき、 Ｙ＝Ｆ sinθ の条件を実質的に満足し、前記感光基板上の照度をほぼ
均一にするために、前記感光基板と光学的にほぼ共役な
位置には、位置により透過率が連続的に異なる透過率分
布を有する照度分布補正手段が設けられていることを特
徴とする露光装置を提供する。
に、第１の発明においては、照明光を供給するための光
源手段と、該光源手段からの光束に基づいて複数の光源
像を形成するための多光源像形成手段と、前記複数の光
源像からの光束を集光して所定のパターンが形成された
マスクを重畳的に照明するためのコンデンサー光学系と
を備え、前記マスクのパターン像を感光基板上に形成す
る露光装置において、前記コンデンサー光学系の焦点距
離をＦとし、前記コンデンサー光学系に対する光線の入
射角をθとし、前記光線が前記マスクに入射する位置の
前記光軸からの距離をＹとしたとき、 Ｙ＝Ｆ sinθ の条件を実質的に満足し、前記感光基板上の照度をほぼ
均一にするために、前記感光基板と光学的にほぼ共役な
位置には、位置により透過率が連続的に異なる透過率分
布を有する照度分布補正手段が設けられていることを特
徴とする露光装置を提供する。
【０００７】第１の発明の好ましい態様によれば、前記
照度分布補正手段は、透過率が前記光軸から離れるにつ
れて増大するような透過率分布を有する透過フィルター
である。ここで、前記照度分布補正手段は、前記マスク
の近傍または前記マスクと共役な位置に配置された視野
絞りの近傍に配置されることが望ましい。また、前記多
光源像形成手段は、複数の単レンズエレメントからなり
且つ入射面が前記感光基板と光学的にほぼ共役な位置に
位置決めされたフライアイレンズであることが望まし
く、前記照度分布補正手段は、前記フライアイレンズの
前記入射面の近傍に位置決めされているのが好ましい。
また、前記照度分布補正手段は、前記フライアイレンズ
の前記入射面上に設けられても良い。
照度分布補正手段は、透過率が前記光軸から離れるにつ
れて増大するような透過率分布を有する透過フィルター
である。ここで、前記照度分布補正手段は、前記マスク
の近傍または前記マスクと共役な位置に配置された視野
絞りの近傍に配置されることが望ましい。また、前記多
光源像形成手段は、複数の単レンズエレメントからなり
且つ入射面が前記感光基板と光学的にほぼ共役な位置に
位置決めされたフライアイレンズであることが望まし
く、前記照度分布補正手段は、前記フライアイレンズの
前記入射面の近傍に位置決めされているのが好ましい。
また、前記照度分布補正手段は、前記フライアイレンズ
の前記入射面上に設けられても良い。
【０００８】また、前記課題を解決するために、第２の
発明においては、照明光を供給するための光源手段と、
該光源手段からの光束に基づいて複数の光源像を形成す
るための多光源像形成手段と、前記複数の光源像からの
光束を集光して所定のパターンが形成されたマスクを重
畳的に照明するためのコンデンサー光学系とを備え、前
記マスクのパターン像を感光基板上に形成する露光装置
において、前記コンデンサー光学系の焦点距離をＦと
し、前記複数の光源像からの光線の光軸に対する射出角
をθとし、前記光線が前記マスクに入射する位置の前記
光軸からの距離をＹとしたとき、 Ｙ＝Ｆ sinθ の条件を実質的に満足し、前記感光基板上の照度をほぼ
均一にするために、前記感光基板上において一点に集光
する光線群が実質的に平行になる位置には、光線の入射
角に依存して透過率が変化する角度特性を有する照度分
布補正手段が設けられていることを特徴とする露光装置
を提供する。
発明においては、照明光を供給するための光源手段と、
該光源手段からの光束に基づいて複数の光源像を形成す
るための多光源像形成手段と、前記複数の光源像からの
光束を集光して所定のパターンが形成されたマスクを重
畳的に照明するためのコンデンサー光学系とを備え、前
記マスクのパターン像を感光基板上に形成する露光装置
において、前記コンデンサー光学系の焦点距離をＦと
し、前記複数の光源像からの光線の光軸に対する射出角
をθとし、前記光線が前記マスクに入射する位置の前記
光軸からの距離をＹとしたとき、 Ｙ＝Ｆ sinθ の条件を実質的に満足し、前記感光基板上の照度をほぼ
均一にするために、前記感光基板上において一点に集光
する光線群が実質的に平行になる位置には、光線の入射
角に依存して透過率が変化する角度特性を有する照度分
布補正手段が設けられていることを特徴とする露光装置
を提供する。
【０００９】第２の発明の好ましい態様によれば、前記
照度分布補正手段は、光束の入射角が大きくなるにつれ
て透過率が増大するような角度特性を有する透過フィル
ターである。また、前記多光源像形成手段は、複数の単
レンズエレメントからなり且つ入射面が前記感光基板と
光学的にほぼ共役な位置に位置決めされたフライアイレ
ンズであり、前記照度分布補正手段は、前記多光源像形
成手段と前記コンデンサー光学系との間の光路中に配置
されているのが好ましい。
照度分布補正手段は、光束の入射角が大きくなるにつれ
て透過率が増大するような角度特性を有する透過フィル
ターである。また、前記多光源像形成手段は、複数の単
レンズエレメントからなり且つ入射面が前記感光基板と
光学的にほぼ共役な位置に位置決めされたフライアイレ
ンズであり、前記照度分布補正手段は、前記多光源像形
成手段と前記コンデンサー光学系との間の光路中に配置
されているのが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】まず、開口数の均一性を満足する
ための条件は、コンデンサー光学系の焦点距離をＦと
し、コンデンサー光学系に対する光線の入射角をθとし
たとき、マスクに入射する位置の光軸からの距離（像
高）Ｙが次の式（１）で示す射影関係を満足することで
ある。 Ｙ＝Ｆ sinθ （１）
ための条件は、コンデンサー光学系の焦点距離をＦと
し、コンデンサー光学系に対する光線の入射角をθとし
たとき、マスクに入射する位置の光軸からの距離（像
高）Ｙが次の式（１）で示す射影関係を満足することで
ある。 Ｙ＝Ｆ sinθ （１）
【００１１】以下、開口数の均一性を満足するための条
件は、コンデンサー光学系が式（１）を満足することで
あることを説明する。一般に、図７に示すように、ある
程度収差の補正された光学系Ｌに対して光学的に共役な
２つの点の間において、以下の式（２）に示す関係が成
立する。 ｎo 2 cosθo ｄΩo ｄＡo ＝ｎi 2 cosθi ｄΩi ｄＡi （２）
件は、コンデンサー光学系が式（１）を満足することで
あることを説明する。一般に、図７に示すように、ある
程度収差の補正された光学系Ｌに対して光学的に共役な
２つの点の間において、以下の式（２）に示す関係が成
立する。 ｎo 2 cosθo ｄΩo ｄＡo ＝ｎi 2 cosθi ｄΩi ｄＡi （２）
【００１２】ここで、 ｎo ：物体側の屈折率 θo ：物体面の法線と主光線とがなす角度 ｄΩo ：物体側の光束の微小立体角 ｄＡo ：物体面の微小面積
【００１３】ｎi ：像側の屈折率 θi ：像面の法線と主光線とがなす角度 ｄΩi ：像側の光束の微小立体角 ｄＡi ：像面の微小面積 なお、式（２）に示す関係は、クラジウスの関係と呼ば
れる（鶴田匡夫：応用光学Ｉ、培風館、１９９０年を参
照）。
れる（鶴田匡夫：応用光学Ｉ、培風館、１９９０年を参
照）。
【００１４】ここで、図８に示す光学系について考え
る。図８において、光軸（Ｘ軸）からＹ方向に距離Ｙo
だけ離れた物点Ａからの光が、開口絞り１４および光学
系１３を介して光軸からＹ方向に距離Ｙi だけ離れた像
点Ａ’に集光する。なお、光学系１３よりも像側におい
て主光線αは光軸と平行である。図８において、光学系
１３の焦点距離をＦc とし、光学系１３に対する光線の
入射角をθmeとしたとき、像高Ｙi が次の式（３）で示
す射影関係を満足するものとする。 Ｙi ＝Ｆc Ｊ（θme） （３） なお、Ｊ（θme）はθmeの関数を表している。
る。図８において、光軸（Ｘ軸）からＹ方向に距離Ｙo
だけ離れた物点Ａからの光が、開口絞り１４および光学
系１３を介して光軸からＹ方向に距離Ｙi だけ離れた像
点Ａ’に集光する。なお、光学系１３よりも像側におい
て主光線αは光軸と平行である。図８において、光学系
１３の焦点距離をＦc とし、光学系１３に対する光線の
入射角をθmeとしたとき、像高Ｙi が次の式（３）で示
す射影関係を満足するものとする。 Ｙi ＝Ｆc Ｊ（θme） （３） なお、Ｊ（θme）はθmeの関数を表している。
【００１５】そして、Ｘ軸に関する回転量をφとして、
上述の式（２）に示す関係を図８の光学系について適用
すると、次の式（４）に示す関係が得られる。
上述の式（２）に示す関係を図８の光学系について適用
すると、次の式（４）に示す関係が得られる。
【数１】 cosθme｛πdry drz cos θme／（ｓ／ cosθme）2 ｝Ｙo ｄφｄＹo ＝πｄνｄμＦc 2 Ｊ（θme）ｄφ｛ｄＪ（θme）／ｄθme｝ｄθme （４）
【００１６】ここで、 dry , drz ：開口絞り１４の開口の半径であり、物点Ａ
から開口までの距離に対して微小量であるものとする ｓ ：物点Ａから開口までの光軸に沿った距離 ｄφ ：φの微小量 ｄＹo ：Ｙo の微小量 ｄν ：像点Ａ’に入射する光束の主光線に対するメリ
ディオナル方向最大入射角であり、ｄν≒ sinｄνが成
り立つ程度の微小量であるものとする ｄμ ：像点Ａ’に入射する光束の主光線に対するサジ
タル方向最大入射角であり、ｄμ≒ sinｄμが成り立つ
程度の微小量であるものとする ｄθme：θmeの微小量 π ：円周率 なお、ｄＪ（θme）／ｄθmeは、Ｊ（θme）のθmeにつ
いての微分である。
から開口までの距離に対して微小量であるものとする ｓ ：物点Ａから開口までの光軸に沿った距離 ｄφ ：φの微小量 ｄＹo ：Ｙo の微小量 ｄν ：像点Ａ’に入射する光束の主光線に対するメリ
ディオナル方向最大入射角であり、ｄν≒ sinｄνが成
り立つ程度の微小量であるものとする ｄμ ：像点Ａ’に入射する光束の主光線に対するサジ
タル方向最大入射角であり、ｄμ≒ sinｄμが成り立つ
程度の微小量であるものとする ｄθme：θmeの微小量 π ：円周率 なお、ｄＪ（θme）／ｄθmeは、Ｊ（θme）のθmeにつ
いての微分である。
【００１７】式（４）をメリディオナル方向（ＸＹ平面
方向）に関する成分とサジタル方向（ＸＺ平面方向）に
関する成分とに分けると、メリディオナル方向に関して
次の式（５）に示す関係を、サジタル方向に関して次の
式（６）に示す関係を得ることができる。
方向）に関する成分とサジタル方向（ＸＺ平面方向）に
関する成分とに分けると、メリディオナル方向に関して
次の式（５）に示す関係を、サジタル方向に関して次の
式（６）に示す関係を得ることができる。
【数２】 cosθme｛dry cos θme／（ｓ／ cosθme）｝ｄＹo ＝ｄνＦc ｛ｄＪ（θme）／ｄθme｝ｄθme （５）
【００１８】
【数３】 ｛drz ／（ｓ／ cosθme）｝Ｙo ｄφ ＝ｄμＦc Ｊ（θme）ｄφ （６）
【００１９】ここで、Ｙo ＝ｓ tanθmeおよびｄＹo ／
ｄθme＝ｓ／cos2θmeの関係により、式（５）および
（６）をそれぞれ次の式（７）および（８）のように表
すことができる。 ｄν＝dry cos θme／｛Ｆc ｄＪ（θme）／ｄθme｝ （７） ｄμ＝drz sin θme／｛Ｆc Ｊ（θme）｝ （８）
ｄθme＝ｓ／cos2θmeの関係により、式（５）および
（６）をそれぞれ次の式（７）および（８）のように表
すことができる。 ｄν＝dry cos θme／｛Ｆc ｄＪ（θme）／ｄθme｝ （７） ｄμ＝drz sin θme／｛Ｆc Ｊ（θme）｝ （８）
【００２０】テレセントリックな照明光について、その
メリディオナル方向の開口数ＮＡmおよびサジタル方向
の開口数ＮＡs は、式（７）および（８）をそれぞれ積
分することにより求めることができる。図８において、
入射角θmeが変化し物点Ａおよび像点Ａ’の位置が光軸
に対して垂直に移動しても、収差が発生しなければ、光
学的に共役な２つの点ＡとＡ’との間は正弦条件を満た
しているはずである。
メリディオナル方向の開口数ＮＡmおよびサジタル方向
の開口数ＮＡs は、式（７）および（８）をそれぞれ積
分することにより求めることができる。図８において、
入射角θmeが変化し物点Ａおよび像点Ａ’の位置が光軸
に対して垂直に移動しても、収差が発生しなければ、光
学的に共役な２つの点ＡとＡ’との間は正弦条件を満た
しているはずである。
【００２１】したがって、式（７）および（８）をそれ
ぞれ積分することにより、メリディオナル方向の開口数
ＮＡm およびサジタル方向の開口数ＮＡs は、次の式
（９）および（10）で表される。 ＮＡm ＝ｒy cos θme／｛Ｆc ｄＪ（θme）／ｄθme｝ （９） ＮＡs ＝ｒz sin θme／｛Ｆc Ｊ（θme）｝ （10）
ぞれ積分することにより、メリディオナル方向の開口数
ＮＡm およびサジタル方向の開口数ＮＡs は、次の式
（９）および（10）で表される。 ＮＡm ＝ｒy cos θme／｛Ｆc ｄＪ（θme）／ｄθme｝ （９） ＮＡs ＝ｒz sin θme／｛Ｆc Ｊ（θme）｝ （10）
【００２２】ここで、Ｊ（θme）＝ sinθme（すなわち
光学系１３の射影関係をＹi ＝Ｆcsinθme）とすれば、
メリディオナル方向の開口数ＮＡm およびサジタル方向
の開口数ＮＡs は入射角θmeに依存することなく、すな
わち像高Ｙi に依存することなく一定となる。こうし
て、開口絞り１４を光源像に光学系１３をコンデンサー
光学系にそれぞれ置き換えてみると、開口数の均一性を
満足するための条件は、コンデンサー光学系が上述の式
（１）を満足することであることがわかる。
光学系１３の射影関係をＹi ＝Ｆcsinθme）とすれば、
メリディオナル方向の開口数ＮＡm およびサジタル方向
の開口数ＮＡs は入射角θmeに依存することなく、すな
わち像高Ｙi に依存することなく一定となる。こうし
て、開口絞り１４を光源像に光学系１３をコンデンサー
光学系にそれぞれ置き換えてみると、開口数の均一性を
満足するための条件は、コンデンサー光学系が上述の式
（１）を満足することであることがわかる。
【００２３】ただし、従来技術にしたがう露光装置で
は、式（１）の射影関係を満たすようなコンデンサー光
学系を用いると、以下の２つの理由により、露光領域内
での照度の均一性を満足することができなかった。
は、式（１）の射影関係を満たすようなコンデンサー光
学系を用いると、以下の２つの理由により、露光領域内
での照度の均一性を満足することができなかった。
【００２４】第１の理由は、コンデンサー光学系および
投影光学系を構成する各レンズに施された反射防止膜の
角度特性に起因する。反射防止膜は、硝子表面に複数枚
の誘電体の薄膜を蒸着して形成され、反射光を振幅分割
して多数の光の位相をずらして干渉させることによって
反射光を消す。位相のずらし方は膜の厚さで制御される
ため、光束の入射角度が異なると反射防止の効果に差異
が発生する。一般に、レンズを使用する光学系では、レ
ンズ周辺を透過する光線ほど大きく折り曲げられ入射角
は大きい。一方、反射防止膜は垂直入射に対して設計さ
れているので、入射角の大きい光ほど反射され易い。そ
の結果、露光装置の場合、露光領域内において像高が大
きいほど、すなわち光軸から離れるにしたがって照度が
低下する傾向となる。
投影光学系を構成する各レンズに施された反射防止膜の
角度特性に起因する。反射防止膜は、硝子表面に複数枚
の誘電体の薄膜を蒸着して形成され、反射光を振幅分割
して多数の光の位相をずらして干渉させることによって
反射光を消す。位相のずらし方は膜の厚さで制御される
ため、光束の入射角度が異なると反射防止の効果に差異
が発生する。一般に、レンズを使用する光学系では、レ
ンズ周辺を透過する光線ほど大きく折り曲げられ入射角
は大きい。一方、反射防止膜は垂直入射に対して設計さ
れているので、入射角の大きい光ほど反射され易い。そ
の結果、露光装置の場合、露光領域内において像高が大
きいほど、すなわち光軸から離れるにしたがって照度が
低下する傾向となる。
【００２５】第２の理由は、多光源像形成手段として用
いられるフライアイレンズの正弦条件違反量に起因す
る。図９は、フライアイレンズの光路図である。図９に
おいて、フライアイレンズを構成する各レンズエレメン
トへの光線の入射高をｙとし、各レンズエレメントの焦
点距離をｆとし、光線の射出角をθとして、次の式（1
1）で示す関係が成立するものとする。 ｙ＝ｆｇ（θ） （11） なお、ｇ（θ）は、光線の射出角θに関する所定の関数
である。
いられるフライアイレンズの正弦条件違反量に起因す
る。図９は、フライアイレンズの光路図である。図９に
おいて、フライアイレンズを構成する各レンズエレメン
トへの光線の入射高をｙとし、各レンズエレメントの焦
点距離をｆとし、光線の射出角をθとして、次の式（1
1）で示す関係が成立するものとする。 ｙ＝ｆｇ（θ） （11） なお、ｇ（θ）は、光線の射出角θに関する所定の関数
である。
【００２６】このとき、フライアイレンズの射出面にお
ける放射輝度分布Ｌ（θ）は、反射防止膜等の影響を無
視すれば、次の式（12）で与えられる。 Ｌ（θ）＝Ｌ（０）ｇ（θ）ｇ’（θ）／（ sinθ cosθ） （12） ここで、ｇ’（θ）はｇ（θ）のθによる微分（ｄｇ
（θ）／ｄθ）である（森 孝司：”ステッパーの照明
光学系”，光アライアンス，vol.5(1994), No.3,P32〜P
35,日本工業出版を参照）。
ける放射輝度分布Ｌ（θ）は、反射防止膜等の影響を無
視すれば、次の式（12）で与えられる。 Ｌ（θ）＝Ｌ（０）ｇ（θ）ｇ’（θ）／（ sinθ cosθ） （12） ここで、ｇ’（θ）はｇ（θ）のθによる微分（ｄｇ
（θ）／ｄθ）である（森 孝司：”ステッパーの照明
光学系”，光アライアンス，vol.5(1994), No.3,P32〜P
35,日本工業出版を参照）。
【００２７】また、コンデンサー光学系の焦点距離をＦ
とし、コンデンサー光学系への光線の入射角をθとし、
その光線の像高をＹとして、次の式（13）で示す射影関
係が成立するものとする。 Ｙ＝ＦＧ（θ） （13） なお、Ｇ（θ）は、光線の入射角θに関する所定の関数
である。
とし、コンデンサー光学系への光線の入射角をθとし、
その光線の像高をＹとして、次の式（13）で示す射影関
係が成立するものとする。 Ｙ＝ＦＧ（θ） （13） なお、Ｇ（θ）は、光線の入射角θに関する所定の関数
である。
【００２８】このとき、被照射面での放射照度Ｅ（Ｙ）
は、反射防止膜等の影響を無視すれば、次の式（14）で
与えられる。 E(Y) ＝E(0)｛L(θ) ／L(0)｝ cosθ sinθ／｛G(θ)G'(θ) ｝ （14） ここで、Ｇ’（θ）はＧ（θ）のθによる微分（ｄＧ
（θ）／ｄθ）である。
は、反射防止膜等の影響を無視すれば、次の式（14）で
与えられる。 E(Y) ＝E(0)｛L(θ) ／L(0)｝ cosθ sinθ／｛G(θ)G'(θ) ｝ （14） ここで、Ｇ’（θ）はＧ（θ）のθによる微分（ｄＧ
（θ）／ｄθ）である。
【００２９】したがって、式（12）の関係を式（14）に
代入することによって、次の式（15）に示す関係が得ら
れる。 Ｅ（Ｙ）＝Ｅ（０）ｇ（θ）ｇ’（θ）／｛Ｇ（θ）Ｇ’（θ）｝（15） 前述したように、開口数の均一性を満足するための条件
として、Ｇ（θ）＝ sinθが成立しているものとする。
したがって、上述の式（15）を、以下の式（16）のよう
に書き換えることができる。 Ｅ（Ｙ）＝Ｅ（０）ｇ（θ）ｇ’（θ）／｛ sinθ cosθ｝ （16）
代入することによって、次の式（15）に示す関係が得ら
れる。 Ｅ（Ｙ）＝Ｅ（０）ｇ（θ）ｇ’（θ）／｛Ｇ（θ）Ｇ’（θ）｝（15） 前述したように、開口数の均一性を満足するための条件
として、Ｇ（θ）＝ sinθが成立しているものとする。
したがって、上述の式（15）を、以下の式（16）のよう
に書き換えることができる。 Ｅ（Ｙ）＝Ｅ（０）ｇ（θ）ｇ’（θ）／｛ sinθ cosθ｝ （16）
【００３０】ここで、ｇ（θ）について考察する。通
常、露光装置に用いられるフライアイレンズは、図９に
示すように、複数の単レンズエレメントからなる。そし
て、各レンズエレメントの対向する屈折面（入射面およ
び射出面）が互いに他方の屈折面の焦点位置にほぼ一致
するように構成されている。すなわち、各レンズエレメ
ントの対向する屈折面が互いに他方のフィールドレンズ
の役割を果たしている。
常、露光装置に用いられるフライアイレンズは、図９に
示すように、複数の単レンズエレメントからなる。そし
て、各レンズエレメントの対向する屈折面（入射面およ
び射出面）が互いに他方の屈折面の焦点位置にほぼ一致
するように構成されている。すなわち、各レンズエレメ
ントの対向する屈折面が互いに他方のフィールドレンズ
の役割を果たしている。
【００３１】したがって、フライアイレンズのパワー
（屈折力：フライアイレンズの焦点距離の逆数）は、各
レンズエレメントの１つの屈折面によって担われてお
り、比較的明るいフライアイレンズでは正弦条件の不満
足量（違反量）を無視することができない。その結果、
露光領域における照度の均一性および開口数の均一性を
同時に満足することができない。
（屈折力：フライアイレンズの焦点距離の逆数）は、各
レンズエレメントの１つの屈折面によって担われてお
り、比較的明るいフライアイレンズでは正弦条件の不満
足量（違反量）を無視することができない。その結果、
露光領域における照度の均一性および開口数の均一性を
同時に満足することができない。
【００３２】フライアイレンズの正弦条件不満足量ＯＳ
Ｃは、次の式（17）に示すように定義することができ
る。 ＯＳＣ＝ｙ／ sinθ−ｆ （17） 式（17）より、像高ｙは次の式（18）で表される。 ｙ＝ｆ（１＋ＯＳＣ／ｆ） sinθ （18）
Ｃは、次の式（17）に示すように定義することができ
る。 ＯＳＣ＝ｙ／ sinθ−ｆ （17） 式（17）より、像高ｙは次の式（18）で表される。 ｙ＝ｆ（１＋ＯＳＣ／ｆ） sinθ （18）
【００３３】したがって、式（11）を参照すると、ｇ
（θ）は次の式（19）で表される。 ｇ（θ）＝（１＋ＯＳＣ／ｆ） sinθ （19） ここで、次の式（20）に示すように、正弦条件不満足量
ＯＳＣに対応する量として関数ＤＳ（θ）を導入する。 ＤＳ（θ）＝ＯＳＣ／ｆ （20）
（θ）は次の式（19）で表される。 ｇ（θ）＝（１＋ＯＳＣ／ｆ） sinθ （19） ここで、次の式（20）に示すように、正弦条件不満足量
ＯＳＣに対応する量として関数ＤＳ（θ）を導入する。 ＤＳ（θ）＝ＯＳＣ／ｆ （20）
【００３４】こうして、ｇ（θ）およびｇ’（θ）は、
それぞれ次の（21）および（22）で表される。 ｇ（θ）＝｛１＋ＤＳ（θ）｝ sinθ （21） ｇ’（θ）＝ sinθＤＳ’（θ）＋｛１＋ＤＳ（θ）｝ cosθ （22） ここで、ＤＳ’（θ）はＤＳ（θ）のθによる微分（ｄ
ＤＳ（θ）／ｄθ）である。
それぞれ次の（21）および（22）で表される。 ｇ（θ）＝｛１＋ＤＳ（θ）｝ sinθ （21） ｇ’（θ）＝ sinθＤＳ’（θ）＋｛１＋ＤＳ（θ）｝ cosθ （22） ここで、ＤＳ’（θ）はＤＳ（θ）のθによる微分（ｄ
ＤＳ（θ）／ｄθ）である。
【００３５】なお、三次収差の範囲内においては、関数
ＤＳ（θ）を次の式（23）のように表すことができる。 ＤＳ（θ）＝Ｋsin2θ （23） ここで、Ｋは定数である。
ＤＳ（θ）を次の式（23）のように表すことができる。 ＤＳ（θ）＝Ｋsin2θ （23） ここで、Ｋは定数である。
【００３６】こうして、ｇ（θ）およびｇ’（θ）は、
それぞれ次の式（24）および（25）で表される。 ｇ（θ）＝（１＋Ｋsin2θ） sinθ （24） ｇ’（θ）＝ sinθ２Ｋ sinθ cosθ＋（１＋Ｋsin2θ） cosθ （25） 式（24）および（25）の関係を式（16）に代入して、次
の式（26）に示すような関係が得られる。 Ｅ（Ｙ）＝Ｅ（０）（１＋Ｋsin2θ）（１＋３Ｋsin2θ） （26）
それぞれ次の式（24）および（25）で表される。 ｇ（θ）＝（１＋Ｋsin2θ） sinθ （24） ｇ’（θ）＝ sinθ２Ｋ sinθ cosθ＋（１＋Ｋsin2θ） cosθ （25） 式（24）および（25）の関係を式（16）に代入して、次
の式（26）に示すような関係が得られる。 Ｅ（Ｙ）＝Ｅ（０）（１＋Ｋsin2θ）（１＋３Ｋsin2θ） （26）
【００３７】図１０は、図９のフライアイレンズの正弦
条件不満足量の一例を示す図である。図１０では、正弦
条件不満足量ＯＳＣに対応する量を表す関数ＤＳ（θ）
（＝ＯＳＣ／ｆ）を縦軸に、２ｙ／ｆ（＝１／ＦNO，ｙ
＝ｆｇ（θ））を横軸に示している。すなわち、図１０
は、レンズエレメントの屈折率ｎが１．４、１．５、
１．６および１．７の場合について、関数ＤＳ（θ）の
変化をレンズエレメントのＦナンバー（ＦNO）の逆数の
関数として示している。
条件不満足量の一例を示す図である。図１０では、正弦
条件不満足量ＯＳＣに対応する量を表す関数ＤＳ（θ）
（＝ＯＳＣ／ｆ）を縦軸に、２ｙ／ｆ（＝１／ＦNO，ｙ
＝ｆｇ（θ））を横軸に示している。すなわち、図１０
は、レンズエレメントの屈折率ｎが１．４、１．５、
１．６および１．７の場合について、関数ＤＳ（θ）の
変化をレンズエレメントのＦナンバー（ＦNO）の逆数の
関数として示している。
【００３８】図１０から明らかなように、フライアイレ
ンズの屈折率が高くなるにつれて、正弦条件不満足量Ｏ
ＳＣに対応する量ＤＳ（θ）が小さくなることがわか
る。しかしながら、半導体露光装置で使用される紫外線
領域の露光光に対して、透過率および紫外線耐性に優れ
た高屈折材料を得ることは容易ではなく、実際には屈折
率ｎが１．４〜１．７程度の光学材料に限定されてしま
う。このため、定数Ｋの値は、約−０．４５になる。
ンズの屈折率が高くなるにつれて、正弦条件不満足量Ｏ
ＳＣに対応する量ＤＳ（θ）が小さくなることがわか
る。しかしながら、半導体露光装置で使用される紫外線
領域の露光光に対して、透過率および紫外線耐性に優れ
た高屈折材料を得ることは容易ではなく、実際には屈折
率ｎが１．４〜１．７程度の光学材料に限定されてしま
う。このため、定数Ｋの値は、約−０．４５になる。
【００３９】このように、露光装置において通常使用さ
れるフライアイレンズでは、定数Ｋは少なくとも負の値
である。したがって、上述の式（26）を参照すると、コ
ンデンサー光学系の射影関係が前述の式（１）を満足し
ていると、露光領域内において光軸から離れるにしたが
って照度が低下する傾向があることがわかる。
れるフライアイレンズでは、定数Ｋは少なくとも負の値
である。したがって、上述の式（26）を参照すると、コ
ンデンサー光学系の射影関係が前述の式（１）を満足し
ていると、露光領域内において光軸から離れるにしたが
って照度が低下する傾向があることがわかる。
【００４０】以上より、式（１）に示す射影関係を満足
するコンデンサー光学系を用いて開口数の均一性を確保
しても、露光領域内の中央では照度が高く周辺では照度
の低い照度むらが発生し、照度の均一性を確保すること
ができないことがわかる。そこで、本発明の第１発明で
は、感光基板上の露光領域内の照度をほぼ均一にするた
めに、感光基板と光学的にほぼ共役な位置に、たとえば
光軸からの距離に依存して変化する透過率分布を有する
透過フィルターを照度分布補正手段として設けている。
するコンデンサー光学系を用いて開口数の均一性を確保
しても、露光領域内の中央では照度が高く周辺では照度
の低い照度むらが発生し、照度の均一性を確保すること
ができないことがわかる。そこで、本発明の第１発明で
は、感光基板上の露光領域内の照度をほぼ均一にするた
めに、感光基板と光学的にほぼ共役な位置に、たとえば
光軸からの距離に依存して変化する透過率分布を有する
透過フィルターを照度分布補正手段として設けている。
【００４１】前述したように、コンデンサーレンズの射
影関係が式（１）を満足する露光装置においては、何ら
対策を講じなければ、露光領域内において光軸から離れ
るにしたがって照度が低下する傾向がある。すなわち、
コンデンサーレンズの射影関係が式（１）を満足する露
光装置では、通常、図１１に示すように、露光領域内の
各位置における照度が光軸から離れるにしたがって低下
するようなほぼ回転対称の照度分布を有する。この場
合、図１２に示すように、中心から離れるにつれて透過
率が増大するような透過フィルターをたとえばマスク近
傍に配置することによって、露光領域内の照度を均一に
する。こうして、第１発明において、露光領域内におい
て、開口数の均一性に加えて照度の均一性も同時に確保
することができる。
影関係が式（１）を満足する露光装置においては、何ら
対策を講じなければ、露光領域内において光軸から離れ
るにしたがって照度が低下する傾向がある。すなわち、
コンデンサーレンズの射影関係が式（１）を満足する露
光装置では、通常、図１１に示すように、露光領域内の
各位置における照度が光軸から離れるにしたがって低下
するようなほぼ回転対称の照度分布を有する。この場
合、図１２に示すように、中心から離れるにつれて透過
率が増大するような透過フィルターをたとえばマスク近
傍に配置することによって、露光領域内の照度を均一に
する。こうして、第１発明において、露光領域内におい
て、開口数の均一性に加えて照度の均一性も同時に確保
することができる。
【００４２】このように、中心からの距離に依存して変
化する透過率分布を有する透過フィルターを使用する方
法では、透過率分布に応じて各露光位置の照度を変化さ
せることができる。換言すれば、反射防止膜の角度特性
およびフライアイレンズの正弦条件不満足量以外の要因
（たとえば製造誤差）に起因するような照度むらも補正
することができる。なお、以下の理由により、感光基板
と光学的にほぼ共役な位置として、特にフライアイレン
ズの入射面の近傍に上述の透過フィルターを設けるのが
好ましい。
化する透過率分布を有する透過フィルターを使用する方
法では、透過率分布に応じて各露光位置の照度を変化さ
せることができる。換言すれば、反射防止膜の角度特性
およびフライアイレンズの正弦条件不満足量以外の要因
（たとえば製造誤差）に起因するような照度むらも補正
することができる。なお、以下の理由により、感光基板
と光学的にほぼ共役な位置として、特にフライアイレン
ズの入射面の近傍に上述の透過フィルターを設けるのが
好ましい。
【００４３】まず、フライアイレンズの入射面において
入射光束が波面分割されマスク上において重畳される。
したがって、フライアイレンズの複数のレンズエレメン
トのうちたとえば１つのレンズエレメントの入射面の近
傍に透過フィルターを配置しても、マスク上における照
度分布の変化に対する効きが弱いので微調整が可能にな
る。
入射光束が波面分割されマスク上において重畳される。
したがって、フライアイレンズの複数のレンズエレメン
トのうちたとえば１つのレンズエレメントの入射面の近
傍に透過フィルターを配置しても、マスク上における照
度分布の変化に対する効きが弱いので微調整が可能にな
る。
【００４４】また、フライアイレンズの各レンズエレメ
ントが単レンズであるため、大きな収差が発生する。し
たがって、図１３に示すように、透過フィルターの透過
率が階段状の分布を有する場合にも、マスク上ひいては
感光基板上においては連続で滑らかに変化する照度分布
を得ることができる。また、フライアイレンズを構成す
るすべてのレンズエレメントに対して透過率を補正する
ような透過フィルターを使用すれば、前述した微調整が
可能であるというメリットはなくなるものの、近年標準
的な技術となりつつある露光装置照明系の開口絞りの切
り換えに対しても、開口絞りを異なる形状のものに切り
換えた時に照度均一性を保つことができる。
ントが単レンズであるため、大きな収差が発生する。し
たがって、図１３に示すように、透過フィルターの透過
率が階段状の分布を有する場合にも、マスク上ひいては
感光基板上においては連続で滑らかに変化する照度分布
を得ることができる。また、フライアイレンズを構成す
るすべてのレンズエレメントに対して透過率を補正する
ような透過フィルターを使用すれば、前述した微調整が
可能であるというメリットはなくなるものの、近年標準
的な技術となりつつある露光装置照明系の開口絞りの切
り換えに対しても、開口絞りを異なる形状のものに切り
換えた時に照度均一性を保つことができる。
【００４５】また、本発明の第２発明では、感光基板上
の露光領域内の照度をほぼ均一にするために、感光基板
上において一点に集光する光線群がほぼ平行になる位置
に、光線の入射角に依存して透過率が変化する角度特性
を有する透過フィルターを照度分布補正手段として設け
ている。この透過フィルターは、図１４に示すように、
垂直入射光に対する透過率が最も小さく、入射角が大き
くなるにつれて透過率が増大するような角度特性を有す
る。一般に、露光装置では、フライアイレンズのような
多光源像形成手段とコンデンサー光学系との間の光路中
で、感光基板上において一点に集光する光線群がほぼ平
行になる。
の露光領域内の照度をほぼ均一にするために、感光基板
上において一点に集光する光線群がほぼ平行になる位置
に、光線の入射角に依存して透過率が変化する角度特性
を有する透過フィルターを照度分布補正手段として設け
ている。この透過フィルターは、図１４に示すように、
垂直入射光に対する透過率が最も小さく、入射角が大き
くなるにつれて透過率が増大するような角度特性を有す
る。一般に、露光装置では、フライアイレンズのような
多光源像形成手段とコンデンサー光学系との間の光路中
で、感光基板上において一点に集光する光線群がほぼ平
行になる。
【００４６】なお、フライアイレンズとコンデンサー光
学系との間の光路中に透過フィルターを配置した場合、
感光基板上において露光領域の周辺に集光する光ほど透
過フィルターへの入射角は大きい。したがって、小さな
入射角で透過フィルターを通過して露光領域の中央に集
光する光に対する透過率は小さく、大きな入射角で透過
フィルターを通過して露光領域の周辺に集光する光に対
する透過率は大きい。すなわち、露光領域の周辺よりも
中央に集光する光の光量を減じることにより、露光領領
域内において均一な照度分布を得ることができる。こう
して、第２発明においても、露光領域内において、開口
数の均一性に加えて照度の均一性も同時に確保すること
ができる。
学系との間の光路中に透過フィルターを配置した場合、
感光基板上において露光領域の周辺に集光する光ほど透
過フィルターへの入射角は大きい。したがって、小さな
入射角で透過フィルターを通過して露光領域の中央に集
光する光に対する透過率は小さく、大きな入射角で透過
フィルターを通過して露光領域の周辺に集光する光に対
する透過率は大きい。すなわち、露光領域の周辺よりも
中央に集光する光の光量を減じることにより、露光領領
域内において均一な照度分布を得ることができる。こう
して、第２発明においても、露光領域内において、開口
数の均一性に加えて照度の均一性も同時に確保すること
ができる。
【００４７】本発明の実施例を、添付図面に基づいて説
明する。図１は、本発明の第１実施例にかかる露光装置
の構成を概略的に示す図である。図示の露光装置は、た
とえば超高圧水銀ランプからなる光源１を備えている。
光源１は、回転楕円面からなる反射面を有する集光鏡
（楕円鏡）２の第１焦点位置２１に位置決めされてい
る。したがって、光源１から射出された照明光束は、楕
円鏡２の第２焦点位置２２に光源像（二次光源）を形成
する。
明する。図１は、本発明の第１実施例にかかる露光装置
の構成を概略的に示す図である。図示の露光装置は、た
とえば超高圧水銀ランプからなる光源１を備えている。
光源１は、回転楕円面からなる反射面を有する集光鏡
（楕円鏡）２の第１焦点位置２１に位置決めされてい
る。したがって、光源１から射出された照明光束は、楕
円鏡２の第２焦点位置２２に光源像（二次光源）を形成
する。
【００４８】この光源像からの光束は、コリメートレン
ズ３によりほぼ平行な光束に変換された後、バンドパス
透過フィルター４に入射する。バンドパス透過フィルタ
ー４では、露光波長（水銀の輝線436nm （ｇ線）、365n
m （ｉ線）等）の照明光が選択され、フライアイレンズ
５に入射する。
ズ３によりほぼ平行な光束に変換された後、バンドパス
透過フィルター４に入射する。バンドパス透過フィルタ
ー４では、露光波長（水銀の輝線436nm （ｇ線）、365n
m （ｉ線）等）の照明光が選択され、フライアイレンズ
５に入射する。
【００４９】フライアイレンズ５に入射した光束は、フ
ライアイレンズ５を構成する複数のレンズエレメントに
より二次元的に分割され、フライアイレンズ５の後側焦
点位置（すなわち射出面近傍）に複数の光源像（三次光
源）を形成する。このように、フライアイレンズ５は、
光源１からの光束に基づいて複数の光源像を形成する多
光源像形成手段を構成している。
ライアイレンズ５を構成する複数のレンズエレメントに
より二次元的に分割され、フライアイレンズ５の後側焦
点位置（すなわち射出面近傍）に複数の光源像（三次光
源）を形成する。このように、フライアイレンズ５は、
光源１からの光束に基づいて複数の光源像を形成する多
光源像形成手段を構成している。
【００５０】複数の光源像からの光束は、フライアイレ
ンズ５の射出面５２に配置された開口絞り６により制限
された後、コンデンサーレンズ７に入射する。コンデン
サーレンズ７を介して集光された光は、投影露光用のパ
ターンが形成されたマスク８を重畳的に均一に照明す
る。
ンズ５の射出面５２に配置された開口絞り６により制限
された後、コンデンサーレンズ７に入射する。コンデン
サーレンズ７を介して集光された光は、投影露光用のパ
ターンが形成されたマスク８を重畳的に均一に照明す
る。
【００５１】マスク８を透過した光束は、投影光学系９
を介して、感光基板であるウエハ１０に達する。こうし
て、ウエハ１０上には、マスク８のパターン像が形成さ
れる。ウエハ１０は、投影光学系９の光軸ＡＸに対して
垂直な平面内において二次元的に移動可能なウエハステ
ージ（不図示）上に支持されている。したがって、ウエ
ハ１０を二次元的に移動させながら露光を行うことによ
り、ウエハ１０の各露光領域にマスク８のパターンを逐
次転写することができる。
を介して、感光基板であるウエハ１０に達する。こうし
て、ウエハ１０上には、マスク８のパターン像が形成さ
れる。ウエハ１０は、投影光学系９の光軸ＡＸに対して
垂直な平面内において二次元的に移動可能なウエハステ
ージ（不図示）上に支持されている。したがって、ウエ
ハ１０を二次元的に移動させながら露光を行うことによ
り、ウエハ１０の各露光領域にマスク８のパターンを逐
次転写することができる。
【００５２】図２は、図１のフライアイレンズ５の構成
を概略的に示す図であって、（ａ）はフライアイレンズ
５を光軸ＡＸに沿ってみた図であり、（ｂ）はフライア
イレンズ５の側面図である。図５（ａ）および（ｂ）に
示すように、フライアイレンズ５は、光軸ＡＸに垂直な
平面内において矩形の断面形状を有する多数のレンズエ
レメント５ａを縦横に且つ稠密に配列することによって
構成されている。そして、図５（ａ）中実線の円で示す
ように、開口絞り６の最大開口が、フライアイレンズ５
の全断面外形の内側に収まるように寸法決めている。
を概略的に示す図であって、（ａ）はフライアイレンズ
５を光軸ＡＸに沿ってみた図であり、（ｂ）はフライア
イレンズ５の側面図である。図５（ａ）および（ｂ）に
示すように、フライアイレンズ５は、光軸ＡＸに垂直な
平面内において矩形の断面形状を有する多数のレンズエ
レメント５ａを縦横に且つ稠密に配列することによって
構成されている。そして、図５（ａ）中実線の円で示す
ように、開口絞り６の最大開口が、フライアイレンズ５
の全断面外形の内側に収まるように寸法決めている。
【００５３】図１の露光装置では、被照射面（マスク８
ひいてはウエハ１０）の照明開口数は、フライアイレン
ズ５の射出面５２に配置された開口絞り６の開口径によ
って規定される。照明開口数は、投影像の解像力、焦点
深度、像質等に大きな影響を与えるため、投影光学系９
の開口数、パターン寸法に応じて最適な値に設定されな
ければならない。
ひいてはウエハ１０）の照明開口数は、フライアイレン
ズ５の射出面５２に配置された開口絞り６の開口径によ
って規定される。照明開口数は、投影像の解像力、焦点
深度、像質等に大きな影響を与えるため、投影光学系９
の開口数、パターン寸法に応じて最適な値に設定されな
ければならない。
【００５４】なお、ウエハ１０の露光面は、マスク８の
パターン面およびフライアイレンズ５の入射面５１と光
学的に共役である。そして、フライアイレンズ５を構成
する各レンズエレメント５ａの入射面がそれぞれ視野絞
りとなり、この視野絞りで制限された光束がコンデンサ
ーレンズ７を介してマスク８上ひいてはウエハ１０上で
重畳される。
パターン面およびフライアイレンズ５の入射面５１と光
学的に共役である。そして、フライアイレンズ５を構成
する各レンズエレメント５ａの入射面がそれぞれ視野絞
りとなり、この視野絞りで制限された光束がコンデンサ
ーレンズ７を介してマスク８上ひいてはウエハ１０上で
重畳される。
【００５５】したがって、フライアイレンズ５を構成す
る各レンズエレメント５ａの断面形状は、マスク８上の
照明領域と相似な形状となるように規定されている。一
般に、半導体露光装置では、マスク８上において矩形状
のパターン領域に転写用のパターンが形成されているの
で、マスク８上の照明領域も矩形状となる。したがっ
て、上述したように、フライアイレンズ５は、断面が矩
形状のレンズエレメント５ａを稠密に組み立てて構成さ
れ、その全断面の外形は開口絞り６の最大開口を含む広
がりを有する。
る各レンズエレメント５ａの断面形状は、マスク８上の
照明領域と相似な形状となるように規定されている。一
般に、半導体露光装置では、マスク８上において矩形状
のパターン領域に転写用のパターンが形成されているの
で、マスク８上の照明領域も矩形状となる。したがっ
て、上述したように、フライアイレンズ５は、断面が矩
形状のレンズエレメント５ａを稠密に組み立てて構成さ
れ、その全断面の外形は開口絞り６の最大開口を含む広
がりを有する。
【００５６】ここで、コンデンサーレンズ７は、本発明
の作用において説明した式（１）の射影関係を満足して
いる。その結果、ウエハ１０上の露光領域内では、その
位置に依存することなく開口数が一定であり、いわゆる
開口数の均一性が確保されている。
の作用において説明した式（１）の射影関係を満足して
いる。その結果、ウエハ１０上の露光領域内では、その
位置に依存することなく開口数が一定であり、いわゆる
開口数の均一性が確保されている。
【００５７】さらに、図１に示すように、ウエハ１０の
露光面と光学的に共役なマスク８のパターン面の近傍に
は、照度分布補正手段として透過フィルター１１ａが配
置されている。図３は、透過フィルター１１ａの透過特
性を示す図であり、（ａ）は等透過率曲線ｉ1 〜ｉ7 を
示し、（ｂ）は線Ａ−Ａに沿った断面方向における透過
率分布を示している。このように、透過フィルター１１
ａは、中心（光軸ＡＸに一致するように位置決めされ
る）から離れるにつれて透過率が増大するような透過率
分布を有する。
露光面と光学的に共役なマスク８のパターン面の近傍に
は、照度分布補正手段として透過フィルター１１ａが配
置されている。図３は、透過フィルター１１ａの透過特
性を示す図であり、（ａ）は等透過率曲線ｉ1 〜ｉ7 を
示し、（ｂ）は線Ａ−Ａに沿った断面方向における透過
率分布を示している。このように、透過フィルター１１
ａは、中心（光軸ＡＸに一致するように位置決めされ
る）から離れるにつれて透過率が増大するような透過率
分布を有する。
【００５８】前述したように、反射防止膜の角度特性お
よびフライアイレンズの正弦条件不満足量に起因して、
ウエハ１０の露光領域内では光軸ＡＸから離れるにした
がって照度が低下する傾向がある。そこで、光軸ＡＸ
（中心）から離れるにつれて透過率が増大するような透
過率分布を有する透過フィルター１１ａを用いることに
より、ウエハ１０の露光領域内においてほぼ均一は照度
を確保することができる。こうして、第１実施例では、
ウエハ１０の露光領域内において、開口数の均一性に加
えて照度の均一性も同時に確保することができる。
よびフライアイレンズの正弦条件不満足量に起因して、
ウエハ１０の露光領域内では光軸ＡＸから離れるにした
がって照度が低下する傾向がある。そこで、光軸ＡＸ
（中心）から離れるにつれて透過率が増大するような透
過率分布を有する透過フィルター１１ａを用いることに
より、ウエハ１０の露光領域内においてほぼ均一は照度
を確保することができる。こうして、第１実施例では、
ウエハ１０の露光領域内において、開口数の均一性に加
えて照度の均一性も同時に確保することができる。
【００５９】図４は、本発明の第２実施例にかかる露光
装置の構成を概略的に示す図である。第２実施例の露光
装置の構成は、第１実施例の構成と類似している。しか
しながら、第１実施例では照度分布補正手段としての透
過フィルターがマスク８の近傍に配置されているのに対
し、第２実施例ではフライアイレンズ５の入射面近傍に
配置されている点だけが相違する。したがって、図４に
おいて、第１実施例の要素と同様の機能を有する構成要
素には同じ参照符号を付している。以下、第１実施例と
の相違点に着目して第２実施例を説明する。
装置の構成を概略的に示す図である。第２実施例の露光
装置の構成は、第１実施例の構成と類似している。しか
しながら、第１実施例では照度分布補正手段としての透
過フィルターがマスク８の近傍に配置されているのに対
し、第２実施例ではフライアイレンズ５の入射面近傍に
配置されている点だけが相違する。したがって、図４に
おいて、第１実施例の要素と同様の機能を有する構成要
素には同じ参照符号を付している。以下、第１実施例と
の相違点に着目して第２実施例を説明する。
【００６０】図４に示すように、第２実施例では、フラ
イアイレンズ５の入射面近傍に照度分布補正手段として
の透過フィルター１１ｂが配置されている。図５は、透
過フィルター１１ｂの透過特性を示す図であり、（ａ）
は等透過率曲線ｉ1 〜ｉ9 を示し、（ｂ）は線Ｂ−Ｂに
沿った断面方向における透過率分布を示している。
イアイレンズ５の入射面近傍に照度分布補正手段として
の透過フィルター１１ｂが配置されている。図５は、透
過フィルター１１ｂの透過特性を示す図であり、（ａ）
は等透過率曲線ｉ1 〜ｉ9 を示し、（ｂ）は線Ｂ−Ｂに
沿った断面方向における透過率分布を示している。
【００６１】図５において破線で示すように、透過フィ
ルター１１ｂは、フライアイレンズ５の各レンズエレメ
ント５ａの入射面に対応する複数の分割領域を仮想的に
有する。そして、フライアイレンズ５の中央のレンズエ
レメントの入射面に対応する所定領域だけが透過率分布
を有するように構成されてている。すなわち、この所定
領域においては、対応する中央レンズエレメントの中心
軸線（この場合光軸ＡＸと一致する）から離れるにつれ
て透過率が増大するような透過率分布を有する。
ルター１１ｂは、フライアイレンズ５の各レンズエレメ
ント５ａの入射面に対応する複数の分割領域を仮想的に
有する。そして、フライアイレンズ５の中央のレンズエ
レメントの入射面に対応する所定領域だけが透過率分布
を有するように構成されてている。すなわち、この所定
領域においては、対応する中央レンズエレメントの中心
軸線（この場合光軸ＡＸと一致する）から離れるにつれ
て透過率が増大するような透過率分布を有する。
【００６２】したがって、ウエハ１０の露光領域内にお
いて光軸ＡＸから離れるにしたがって照度が低下する傾
向があっても、透過フィルター１１ｂを用いることによ
り、ウエハ１０の露光領域内においてほぼ均一な照度を
確保することができる。こうして、第２実施例において
も、ウエハ１０の露光領域内において、開口数の均一性
に加えて照度の均一性も同時に確保することができる。
いて光軸ＡＸから離れるにしたがって照度が低下する傾
向があっても、透過フィルター１１ｂを用いることによ
り、ウエハ１０の露光領域内においてほぼ均一な照度を
確保することができる。こうして、第２実施例において
も、ウエハ１０の露光領域内において、開口数の均一性
に加えて照度の均一性も同時に確保することができる。
【００６３】なお、上述の第１実施例および第２実施例
において、透過フィルター１１ａおよび１１ｂの透過率
分布が図１３に示すように階段状の分布を有する場合が
ある。この場合には、透過フィルターの透過率段差の境
界線が露光面において解像されることがないように、透
過フィルターを共役面（すなわちマスク面またはフライ
アイレンズ入射面）から光軸ＡＸに沿って移動させてい
わゆるデフォーカス状態を形成するのが好ましい。ここ
で、透過フィルターが共役面から外れた（デフォーカス
させた）位置とは、透過率段差の境界面が露光面におい
て解像されない位置から透過フィルターによる補正効果
が存在するまでの位置を指す。
において、透過フィルター１１ａおよび１１ｂの透過率
分布が図１３に示すように階段状の分布を有する場合が
ある。この場合には、透過フィルターの透過率段差の境
界線が露光面において解像されることがないように、透
過フィルターを共役面（すなわちマスク面またはフライ
アイレンズ入射面）から光軸ＡＸに沿って移動させてい
わゆるデフォーカス状態を形成するのが好ましい。ここ
で、透過フィルターが共役面から外れた（デフォーカス
させた）位置とは、透過率段差の境界面が露光面におい
て解像されない位置から透過フィルターによる補正効果
が存在するまでの位置を指す。
【００６４】また、第２実施例では、フライアイレンズ
５を構成する複数のレンズエレメントのうち中央のレン
ズエレメントに入射する光だけに所定分布の透過率を作
用させている。しかしながら、複数のレンズエレメント
のうち他の位置にある１つのレンズエレメントまたは複
数のレンズエレメントあるいはすべてのレンズエレメン
トに入射する光に、それぞれ所定分布の透過率を作用さ
せてもよい。この場合、各レンズエレメントに対する透
過率分布は一定でもよいし、互いに異なっていてもよ
い。
５を構成する複数のレンズエレメントのうち中央のレン
ズエレメントに入射する光だけに所定分布の透過率を作
用させている。しかしながら、複数のレンズエレメント
のうち他の位置にある１つのレンズエレメントまたは複
数のレンズエレメントあるいはすべてのレンズエレメン
トに入射する光に、それぞれ所定分布の透過率を作用さ
せてもよい。この場合、各レンズエレメントに対する透
過率分布は一定でもよいし、互いに異なっていてもよ
い。
【００６５】なお、上述の第１および第２実施例におい
て、フライアイレンズを構成するレンズエレメントの各
々に対して、所定の透過率分布を有する透過フィルター
を設けてもよい。これにより、近年において標準的な技
術となりつつある露光装置の照明系の開口絞りを異なる
形状に切り換える技術を用いたとしても、照明光が通過
するレンズエレメントの各々において照度が補正される
ため、被露光面上での照度均一性を維持することができ
る。
て、フライアイレンズを構成するレンズエレメントの各
々に対して、所定の透過率分布を有する透過フィルター
を設けてもよい。これにより、近年において標準的な技
術となりつつある露光装置の照明系の開口絞りを異なる
形状に切り換える技術を用いたとしても、照明光が通過
するレンズエレメントの各々において照度が補正される
ため、被露光面上での照度均一性を維持することができ
る。
【００６６】図６は、本発明の第３実施例にかかる露光
装置の構成を概略的に示す図である。第３実施例の露光
装置の構成は、第１実施例の構成と類似している。しか
しながら、第１実施例では所定位置からの距離に透過率
が依存して変化する透過フィルターをマスク８の近傍に
配置しているのに対し、第３実施例では光線の入射角度
に依存して透過率が変化する角度特性を有する透過フィ
ルターをフライアイレンズ５とコンデンサーレンズ７と
の間の光路中に配置している点だけが相違する。したが
って、図６において、第１実施例の要素と同様の機能を
有する構成要素には同じ参照符号を付している。以下、
第１実施例との相違点に着目して第３実施例を説明す
る。
装置の構成を概略的に示す図である。第３実施例の露光
装置の構成は、第１実施例の構成と類似している。しか
しながら、第１実施例では所定位置からの距離に透過率
が依存して変化する透過フィルターをマスク８の近傍に
配置しているのに対し、第３実施例では光線の入射角度
に依存して透過率が変化する角度特性を有する透過フィ
ルターをフライアイレンズ５とコンデンサーレンズ７と
の間の光路中に配置している点だけが相違する。したが
って、図６において、第１実施例の要素と同様の機能を
有する構成要素には同じ参照符号を付している。以下、
第１実施例との相違点に着目して第３実施例を説明す
る。
【００６７】図６に示すように、フライアイレンズ５か
ら平行に射出された光束は、マスク８上で一旦集光し、
さらに投影光学系９を介してウエハ１０上に再び集光す
る。そして、ウエハ１０上の露光領域の中央に集光する
光束はコンデンサーレンズ７に対する入射角θが小さ
く、露光領域の周辺に集光する光束はコンデンサーレン
ズ７に対する入射角θが大きい。
ら平行に射出された光束は、マスク８上で一旦集光し、
さらに投影光学系９を介してウエハ１０上に再び集光す
る。そして、ウエハ１０上の露光領域の中央に集光する
光束はコンデンサーレンズ７に対する入射角θが小さ
く、露光領域の周辺に集光する光束はコンデンサーレン
ズ７に対する入射角θが大きい。
【００６８】そこで、第３実施例では、感光基板である
ウエハ１０上において一点に集光する光線群がほぼ平行
になる位置としてフライアイレンズ５とコンデンサーレ
ンズ７との光路中に、光線の入射角θに依存して透過率
が変化する角度特性を有する透過フィルター１１ｃを照
度分布補正手段として設けている。この透過フィルター
１１ｃは、図１４に示すように、垂直入射光に対する透
過率が最も小さく、入射角θが大きくなるにつれて透過
率が増大するような角度特性を有する。
ウエハ１０上において一点に集光する光線群がほぼ平行
になる位置としてフライアイレンズ５とコンデンサーレ
ンズ７との光路中に、光線の入射角θに依存して透過率
が変化する角度特性を有する透過フィルター１１ｃを照
度分布補正手段として設けている。この透過フィルター
１１ｃは、図１４に示すように、垂直入射光に対する透
過率が最も小さく、入射角θが大きくなるにつれて透過
率が増大するような角度特性を有する。
【００６９】すなわち、小さな入射角θで透過フィルタ
ー１１ｃを通過して露光領域の中央に集光する光に対す
る透過率は小さく、大きな入射角θで透過フィルター１
１ｃを通過して露光領域の周辺に集光する光に対する透
過率は大きい。したがって、ウエハ１０の露光領域内に
おいて光軸ＡＸから離れるにしたがって照度が低下する
傾向があっても、透過フィルター１１ｃを用いることに
より、ウエハ１０の露光領域内においてほぼ均一な照度
を確保することができる。こうして、第３実施例におい
ても、ウエハ１０の露光領域内において、開口数の均一
性に加えて照度の均一性も同時に確保することができ
る。
ー１１ｃを通過して露光領域の中央に集光する光に対す
る透過率は小さく、大きな入射角θで透過フィルター１
１ｃを通過して露光領域の周辺に集光する光に対する透
過率は大きい。したがって、ウエハ１０の露光領域内に
おいて光軸ＡＸから離れるにしたがって照度が低下する
傾向があっても、透過フィルター１１ｃを用いることに
より、ウエハ１０の露光領域内においてほぼ均一な照度
を確保することができる。こうして、第３実施例におい
ても、ウエハ１０の露光領域内において、開口数の均一
性に加えて照度の均一性も同時に確保することができ
る。
【００７０】なお、上述の第３実施例では、透過フィル
ター１１ｃの配置位置に関して厳密性が求められていな
いことに注目すべきである。すなわち、透過フィルター
１１ｃは、光軸ＡＸに対する傾きが発生しないように調
整するだけでよく、光軸ＡＸに沿った位置決め精度はあ
まり要求されないので、位置決めを規定する公差は緩や
かなものになるという利点がある。
ター１１ｃの配置位置に関して厳密性が求められていな
いことに注目すべきである。すなわち、透過フィルター
１１ｃは、光軸ＡＸに対する傾きが発生しないように調
整するだけでよく、光軸ＡＸに沿った位置決め精度はあ
まり要求されないので、位置決めを規定する公差は緩や
かなものになるという利点がある。
【００７１】
【効果】以上説明したように、本発明によれば、所定の
射影関係を有するコンデンサー光学系を用いるとともに
照度分布補正手段としてたとえば１枚の透過フィルター
を付設するだけで、露光面において照度の均一性と開口
数の均一性を同時に確保することができる。その結果、
極めて高い像均質性を有する露光装置を実現することが
できる。
射影関係を有するコンデンサー光学系を用いるとともに
照度分布補正手段としてたとえば１枚の透過フィルター
を付設するだけで、露光面において照度の均一性と開口
数の均一性を同時に確保することができる。その結果、
極めて高い像均質性を有する露光装置を実現することが
できる。
【図１】本発明の第１実施例にかかる露光装置の構成を
概略的に示す図である。
概略的に示す図である。
【図２】図１のフライアイレンズ５の構成を概略的に示
す図であって、（ａ）はフライアイレンズ５を光軸に沿
ってみた図であり、（ｂ）はフライアイレンズ５の側面
図である。
す図であって、（ａ）はフライアイレンズ５を光軸に沿
ってみた図であり、（ｂ）はフライアイレンズ５の側面
図である。
【図３】透過フィルター１１ａの透過特性を示す図であ
り、（ａ）は等透過率曲線ｉ1〜ｉ7 を示し、（ｂ）は
線Ａ−Ａに沿った断面方向における透過率分布を示して
いる。
り、（ａ）は等透過率曲線ｉ1〜ｉ7 を示し、（ｂ）は
線Ａ−Ａに沿った断面方向における透過率分布を示して
いる。
【図４】本発明の第２実施例にかかる露光装置の構成を
概略的に示す図である。
概略的に示す図である。
【図５】透過フィルター１１ｂの透過特性を示す図であ
り、（ａ）は等透過率曲線ｉ1〜ｉ9 を示し、（ｂ）は
線Ｂ−Ｂに沿った断面方向における透過率分布を示して
いる。
り、（ａ）は等透過率曲線ｉ1〜ｉ9 を示し、（ｂ）は
線Ｂ−Ｂに沿った断面方向における透過率分布を示して
いる。
【図６】本発明の第３実施例にかかる露光装置の構成を
概略的に示す図である。
概略的に示す図である。
【図７】ある程度収差の補正された光学系Ｌに対して光
学的に共役な２つの点の間において成立するクラジウス
の関係を説明するための図である。
学的に共役な２つの点の間において成立するクラジウス
の関係を説明するための図である。
【図８】本発明におけるコンデンサー光学系の所定の射
影関係を説明するための図である。
影関係を説明するための図である。
【図９】フライアイレンズの光路図である。
【図１０】図９のフライアイレンズの正弦条件不満足量
の一例を示す図である。
の一例を示す図である。
【図１１】各露光位置における照度が光軸から離れるに
したがって低下するようなほぼ回転対称の照度分布を示
す図である。
したがって低下するようなほぼ回転対称の照度分布を示
す図である。
【図１２】位置に依存して変化する透過率分布の一例を
示す図である。
示す図である。
【図１３】階段状に変化する透過率分布の一例を示す図
である。
である。
【図１４】光線の入射角位置に依存して透過率が変化す
る角度特性の一例を示す図である。
る角度特性の一例を示す図である。
１ 光源 ２ 楕円鏡 ３ コリメートレンズ ４ バンドパスフィルター ５ フライアイレンズ ６ 開口絞り ７ コンデンサーレンズ ８ マスク ９ 投影光学系 １０ ウエハ １１ 透過フィルター
Claims (11)
- 【請求項１】 照明光を供給するための光源手段と、該
光源手段からの光束に基づいて複数の光源像を形成する
ための多光源像形成手段と、前記複数の光源像からの光
束を集光して所定のパターンが形成されたマスクを重畳
的に照明するためのコンデンサー光学系とを備え、前記
マスクのパターン像を感光基板上に形成する露光装置に
おいて、 前記コンデンサー光学系の焦点距離をＦとし、前記コン
デンサー光学系に対する光線の入射角をθとし、前記光
線が前記マスクに入射する位置の前記光軸からの距離を
Ｙとしたとき、 Ｙ＝Ｆ sinθ の条件を実質的に満足し、 前記感光基板上の照度をほぼ均一にするために、前記感
光基板と光学的にほぼ共役な位置には、位置により透過
率が連続的に異なる透過率分布を有する照度分布補正手
段が設けられていることを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記照度分布補正手段は、前記マスクの
近傍に位置決めされ且つ透過率が前記光軸から離れるに
つれて増大するような透過率分布を有する透過フィルタ
ーであることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記露光装置は、前記マスクと共役に配
置された視野絞りをさらに有し、 前記照度分布補正手段は、前記視野絞りの近傍に位置決
めされ且つ透過率が前記光軸から離れるにつれて増大す
るような透過率分布を有する透過フィルターであること
を特徴とする請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項４】 前記多光源像形成手段は、複数の単レン
ズエレメントからなり且つ入射面が前記感光基板と光学
的にほぼ共役な位置に位置決めされたフライアイレンズ
であり、 前記照度分布補正手段は、前記フライアイレンズの前記
入射面の近傍に位置決めされていることを特徴とする請
求項１に記載の露光装置。 - 【請求項５】 前記多光源像形成手段は、複数の単レン
ズエレメントからなり且つ入射面が前記感光基板と光学
的にほぼ共役な位置に位置決めされたフライアイレンズ
であり、 前記照度分布補正手段は、前記フライアイレンズの前記
入射面上に設けられていることを特徴とする請求項１に
記載の露光装置。 - 【請求項６】 前記照度分布補正手段は、前記フライア
イレンズの複数の単レンズエレメントのうち所定の単レ
ンズエレメントに入射する光に対する透過率が前記所定
の単レンズエレメント各々の中心軸線から離れるにつれ
て増大するような透過率分布を有する透過フィルターで
あることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。 - 【請求項７】 前記照度分布補正手段は、前記フライア
イレンズのすべての単レンズエレメントに入射する光に
対して所定の透過率分布を有する透過フィルターである
ことを特徴とする請求項４または５に記載の露光装置。 - 【請求項８】 前記照度分布補正手段は、前記感光基板
と光学的に共役な位置から外れた位置に配置されている
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載
の露光装置。 - 【請求項９】 照明光を供給するための光源手段と、該
光源手段からの光束に基づいて複数の光源像を形成する
ための多光源像形成手段と、前記複数の光源像からの光
束を集光して所定のパターンが形成されたマスクを重畳
的に照明するためのコンデンサー光学系とを備え、前記
マスクのパターン像を感光基板上に形成する露光装置に
おいて、 前記コンデンサー光学系の焦点距離をＦとし、前記複数
の光源像からの光線の光軸に対する射出角をθとし、前
記光線が前記マスクに入射する位置の前記光軸からの距
離をＹとしたとき、 Ｙ＝Ｆ sinθ の条件を実質的に満足し、 前記感光基板上の照度をほぼ均一にするために、前記感
光基板上において一点に集光する光線群が実質的に平行
になる位置には、光線の入射角に依存して透過率が変化
する角度特性を有する照度分布補正手段が設けられてい
ることを特徴とする露光装置。 - 【請求項１０】 前記照度分布補正手段は、光束の入射
角が大きくなるにつれて透過率が増大するような角度特
性を有する透過フィルターであることを特徴とする請求
項９に記載の露光装置。 - 【請求項１１】 前記多光源像形成手段は、複数の単レ
ンズエレメントからなり且つ入射面が前記感光基板と光
学的にほぼ共役な位置に位置決めされたフライアイレン
ズであり、 前記照度分布補正手段は、前記多光源像形成手段と前記
コンデンサー光学系との間の光路中に配置されているこ
とを特徴とする請求項９または１０に記載の露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7195922A JPH0922869A (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | 露光装置 |
| KR1019960014547A KR970007500A (ko) | 1995-07-07 | 1996-04-30 | 노광장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7195922A JPH0922869A (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0922869A true JPH0922869A (ja) | 1997-01-21 |
Family
ID=16349220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7195922A Pending JPH0922869A (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | 露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0922869A (ja) |
| KR (1) | KR970007500A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11317348A (ja) * | 1998-04-30 | 1999-11-16 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| WO2000057459A1 (fr) * | 1999-03-24 | 2000-09-28 | Nikon Corporation | Méthode d'exposition et dispositif correspondant |
| JP2002093700A (ja) * | 2000-09-02 | 2002-03-29 | Carl Zeiss:Fa | 投影露光装置 |
| US6665052B2 (en) | 1998-01-30 | 2003-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical system and projection exposure apparatus |
| JP2010515089A (ja) * | 2006-12-28 | 2010-05-06 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィのための光学要素及び照明光学系 |
| JP2010192471A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-09-02 | Canon Inc | 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
| KR101408028B1 (ko) * | 2013-10-11 | 2014-06-18 | (주)진테크널러지 | 노광 장비용 콘덴싱 렌즈 어셈블리 및 그에 사용되는 보정 렌즈 |
| US9594240B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-03-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lighting apparatus, and optical inspection apparatus and optical microscope using the lighting apparatus |
| WO2018003418A1 (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-04 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 照度調整フィルタの製造方法、照度調整フィルタ、照明光学系、及び露光装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6404499B1 (en) * | 1998-04-21 | 2002-06-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithography apparatus with filters for optimizing uniformity of an image |
-
1995
- 1995-07-07 JP JP7195922A patent/JPH0922869A/ja active Pending
-
1996
- 1996-04-30 KR KR1019960014547A patent/KR970007500A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6665052B2 (en) | 1998-01-30 | 2003-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical system and projection exposure apparatus |
| JPH11317348A (ja) * | 1998-04-30 | 1999-11-16 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| US6285442B1 (en) | 1998-04-30 | 2001-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method using the exposure apparatus |
| WO2000057459A1 (fr) * | 1999-03-24 | 2000-09-28 | Nikon Corporation | Méthode d'exposition et dispositif correspondant |
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