JPH09210632A

JPH09210632A - カラーフィルタの突起の高さ計測方法

Info

Publication number: JPH09210632A
Application number: JP8040464A
Authority: JP
Inventors: Kenji Aiko; 健二愛甲; Tsutomu Takahashi; 勉高橋; Rei Teranishi; 玲寺西; Meiwa Akiyama; 芽和秋山; Mitsuyoshi Koizumi; 光義小泉
Original assignee: Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Current assignee: Hitachi High Tech Corp
Priority date: 1996-02-02
Filing date: 1996-02-02
Publication date: 1997-08-12

Abstract

(57)【要約】【課題】カラーフィルタに存在する突起の高さを高精
度で計測する。【解決手段】［Ｓ］偏光のレーザビームＬ_T を、カラ
ーフィルタ１の表面Ｂに対して投射角θ_T で投射し、カ
ラーフィルタ１をΔｘづつステップ移動し、ステップ移
動ごとに、表面Ｂの反射光Ｓ_B と突起Ｔの散乱光Ｓ_T と
を、受光角θ_R(＝θ_T)をなす受光系の［Ｐ］偏光板に入
射して［Ｐ］偏光成分を選択し、結像レンズにより、表
面Ｂと突起Ｔの稜線Ｒとの画像をＣＣＤイメージセンサ
に順次に結像し、両画像を処理して表面Ｂのベース線
Ｂ’と稜線Ｒの輪郭線とをそれぞれ抽出して、ベース線
Ｂ’に対する各稜線Ｒの高さｈを逐次に算出し、各高さ
ｈの最大値ｈ_max を求めて突起Ｔの高さとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、カラーフィルタ
の表面に存在する突起の高さを計測する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】カラー用液晶パネルに使用されるカラー
フィルタは、異物などの欠陥が存在すると品質が低下す
るので、異物検査装置により検査されている。図７は、
カラーフィルタ１の断面と平面を示す。カラーフィルタ
１は、ガラス基板11の表面に、厚さが数μｍ以下の３原
色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の画素12を、適当な間隔でマトリック
ス状に配列したもので、さらにその上面に透明な保護膜
13をコーティングする場合もある。図８は、カラーフィ
ルタ１に存在する異物ｉのモデルを示す。(a) は保護膜
13をコーティングする前の断面を示し、異物ｉ_a は隣接
する画素12の間に付着または固着して存在する。異物ｉ
_b は画素12の内部に埋没しており、画素12は、図示のよ
うに山形に盛り上って突起Ｔ_b が生ずる。異物ｉ_c は下
部が画素12に埋没し、上部が突起Ｔ_c をなしている。
(b) は保護膜13がコーティングされた状態を示し、異物
ｉ_b,ｉ_c により保護膜13には突起Ｔ_b'，Ｔ_c'がそれぞれ
***している。また、異物ｉ_d は保護膜13のコーティン
グ後に、表面に付着したものである。各異物ｉの形状は
さまざまであるが、突起Ｔの形状は相似形の山形が多
い。上記の付着異物ｉ_d は洗浄により除去できる場合が
あるので、比較的重要とされないが、突起Ｔは高さｈが
ある程度、例えば数μｍ以上に高いと、これがカラーフ
ィルタ１に重ね合わされるＴＦＴ基板を損傷させるの
で、高さｈの高い突起Ｔはとくに危険な欠陥である。こ
のような突起Ｔを検出して高さｈを計測する方法が考案
され、この発明の出願人により、特願平６−１６２８５
３号「カラーフィルタの異物突起検出方法および突起検
査装置」が特許出願されており、これをこの発明の先行
技術として、その概要を図９により説明する。

【０００３】図９(a) は、検出光学系の概略の構成を示
し、カラーフィルタ１の表面の検査位置の中心点Ｑに対
して、適当な太さの光束Ｌを低い投射角θ_T で投射し、
中心点Ｑを指向する受光角θ_R の光軸上に結像レンズと
ＣＣＤラインセンサを設ける。カラーフィルタ１をＸ方
向に連続的に移動して突起Ｔが検査位置に来ると、光束
Ｌはまず突起Ｔの区間（ｘ₀ 〜ｘ₁)を照射して散乱し、
その散乱光Ｓ_T1は結像レンズにより集光されて、ＣＣＤ
ラインセンサの受光素子ｅに結像される。この場合、Ｃ
ＣＤラインセンサは、区間（ｘ₀ 〜ｘ₁)の散乱光Ｓ_T を
受光し、この区間以外のものは受光しない幅ｗとされ
る。図９ (b)は、各区間の散乱光Ｓ_T の光量と突起Ｔの
高さの関係を示し、各区間の散乱光Ｓ_T の光量は、各区
間における突起Ｔの高低差ｈに相当するとみなされる。
まず散乱光Ｓ_T1を受光した受光素子ｅには、光量に比例
する電荷が蓄積され、各受光素子ｅを位置ｘ₁ で走査す
ると、電荷に比例した波高値の受光信号が出力され、こ
の波高値はやはり突起Ｔの高低差ｈ₁ に相当する。つづ
くＸ移動により、光束Ｌは区間（ｘ₁ 〜ｘ₂)、（ｘ₂ 〜
ｘ₃)……を順次に照射して、区間（ｘ_n-1 〜ｘ_n)で突起
Ｔの頂点Ｔ_max に到達したとする。受光素子ｅは位置ｘ
₂,ｘ₃……で順次に走査され、これから逐次に出力され
る各受光信号の波高値も同様に、各区間における突起Ｔ
の高低差ｈ₂,ｈ₃,……ｈ_n に相当し、これらの総和Σｈ
_i をとると、(b) に示す頂点Ｔ_max の高さｈ_max 、すな
わち突起の高さが計測される。

【０００４】なお、上記の特許出願にかかる突起検査装
置においては、カラーフィルタ１をＸとＹ方向に交互に
移動して、その全域に存在する突起Ｔの頂点Ｔ_max の高
さｈ_max を逐次に計測し、これらを許容値Ｈ_s に比較
し、これを越えた突起Ｔを不良突起とし、各不良突起の
高さｈ_max データに、それぞれの存在位置を示すＸＹ座
標を付加してメモリに一旦記憶し、カラーフィルタ１の
全面の検査が終了すると、これらがプリンタによりプリ
ントされている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】さて、上記した先行技
術の突起検出方法においては、計測された頂点Ｔ_max の
高さｈ_max には誤差がありうる。その理由は、各区間
（ｘ₀ 〜ｘ₁)，（ｘ₁ 〜ｘ₂)……に対する受光信号の波
高値は、各区間における突起Ｔの高低差ｈ₂,ｈ₃,……に
相当するとみなされているが、突起Ｔの形状にはさまざ
まなものがあり、形状によっては散乱光Ｓ_R の光量が高
低差に正しく相当しない場合がある。例えば、突起Ｔの
斜面が緩やかで、高さｈに比較して面積が広いときは散
乱光Ｓ_R の光量は多く、その反対に斜面が急峻なときは
光量は少ない。また光量は突起Ｔの表面の反射率に依存
して変化する。従って各受光信号の波高値は高低差に正
しく相当せず、これが誤差の原因と考えられる。ただし
前記したように、突起Ｔの形状は通常、相似形の山形
で、その斜面の傾斜角はほぼ一定とみなされ、また保護
膜13がある場合は、その反射率はほぼ一定である、など
により、高さの誤差が小さい場合が多いが、例外的な異
形の突起Ｔや保護膜がない場合では誤差が大きく、実測
データにもこれが認められる。以上に対して、突起Ｔの
形状や保護膜の有無にかかわらず、突起Ｔの高さを可及
的に小さい誤差で正確に計測する方法が望まれている。
これに対して、この発明は、カラーフィルタの突起Ｔの
高さを高精度で計測することを課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決した突起の高さ計測方法であって、［Ｓ］偏光の
レーザビームを、カラーフィルタの表面に対して（３０
±５）°の投射角で投射し、レーザビームの投射方向に
対して対称的な（３０±５）°の受光角をなす受光系を
設ける。カラーフィルタをＸ方向に適当な間隔Δｘづつ
ステップ移動し、ステップ移動ごとに、表面の反射光Ｓ
_B と、表面に存在する突起Ｔの散乱光Ｓ_T とを、受光系
の［Ｐ］偏光板に入射して［Ｐ］偏光成分を選択し、結
像レンズにより、表面と突起ＴのＹ方向の稜線とのそれ
ぞれ画像をＣＣＤイメージセンサに順次に結像する。結
像した両画像を画像処理して、表面ＢのＹ方向のベース
線と稜線の輪郭線とをそれぞれ抽出し、ベース線に対す
る各稜線の高さｈを逐次に算出し、各稜線の高さｈの最
大値ｈ_max を求めて突起Ｔの高さを計測するものであ
る。

【０００７】

【発明の実施の形態】図１〜図３により、この発明の突
起高さ計測方法の要点を説明する。図１は、この発明に
おける計測光学系の要部の構成を示す。カラーフィルタ
１の表面をＢとし、表面Ｂには山形の突起Ｔが存在し、
その稜線をＲとする。表面Ｂに対して（３０±５）°の
投射角θ_T で、［Ｓ］偏光のレーザビームＬ_T を投射す
る。レーザビームＬ_T の中心線Ｃの投射点をＱとし、投
射点Ｑを指向する（３０±５）°の受光角θ_R の光軸上
に、［Ｐ］偏光板，結像レンズ，ＣＣＤイメージセンサ
よりなる受光系を設ける。突起Ｔの散乱光Ｓ_T と、表面
Ｂの反射光Ｓ_B は、ともに［Ｓ］偏光と［Ｐ］偏光の両
成分を有し、これらは［Ｐ］偏光板に入射して［Ｐ］偏
光成分が選択され、結像レンズにより集束されてＣＣＤ
イメージセンサに受光され、その各受光素子ｅに表面Ｂ
と突起ＴのＹ方向の稜線Ｒの画像がそれぞれ結像され
る。カラーフィルタ１をΔｘの間隔でステップ移動し
て、突起Ｔの部分ｘ₀,ｘ₁,ｘ₂ ……を順次に投射点Ｑの
位置に停止する。ＣＣＤイメージセンサの各受光素子ｅ
には、ステップ移動ごとに突起Ｔの稜線Ｒの画像が各受
光素子ｅに結像され、これが走査されて画像信号が出力
される。ただし、レーザビームＬ_T にはある程度の幅ま
たは直径があるため、各画像中の稜線Ｒと表面Ｂは明確
でないので、次に説明する方法により、稜線Ｒの輪郭線
と、表面Ｂを基準とする稜線Ｒの高さ計測に必要なＹ方
向に対するベース線Ｂ’と抽出する。

【０００８】一般的にレーザビームの強度分布は、その
中心線の強度が最大で、周辺になるに従って１／ｅ² に
比例して減少する、いわゆるガウス分布するもので、こ
の場合のレーザビームＬ_T も同様である。図２は図１に
対するＸＺ断面を示し、ＫをレーザビームＬ_T の強度曲
線とする。中心線Ｃの強度ｋ_m は最大で、その表面Ｂに
よる反射光Ｓ_B はＣＣＤイメージセンサの受光素子ｅ_c
に、両側の弱い強度ｋ_U の最外周線ｕの散乱光は受光素
子ｅ_U,ｅ_U にそれぞれ結像され、各受光素子ｅの受光量
は、上記の強度曲線Ｋに対応した分布曲線Ｋ’に従って
分布する。そこで分布曲線Ｋ’のピーク点を抽出し、Ｙ
方向についても同様に各ベース点を抽出して、これらを
連結するとＹ方向のベース線Ｂ’がえられる。稜線Ｒの
場合（図示省略）も上記と同様で、稜線Ｒに投射された
レーザビームＬ_T は、中心線Ｃが最も強い散乱光Ｓ_T を
散乱し、周辺になるに従って弱く散乱するので、各受光
素子ｅの受光量は、表面Ｂの場合と同様の分布曲線Ｋ’
に従って分布し、光量が最大となる点より稜線Ｒの輪郭
線が抽出される。

【０００９】図３は、ステップ移動ごとにＣＣＤイメー
ジセンサに結像された各画像を、画像処理して抽出した
ベース線Ｂ’と稜線Ｒの輪郭線を、突起Ｔの部分ｘ₀,ｘ
₁,ｘ₂ ……ｘ_n の順序に並べたもので、部分ｘ₀ ではベ
ース線Ｂ’のみであるが、ｘ₁ ではベース線Ｂ’の上に
稜線Ｒが現れている。ｘ₂ では稜線Ｒはやや上昇し、さ
らに漸次に上昇して例えばｘ_P が最高となり、以後漸次
に低下してｘ_n は０となる。これらの各画像を処理し
て、ベース線Ｂ’に対する各稜線Ｒの高さｈ₁ 〜ｈ_n-1
をそれぞれ算出し、これらのうちの最大値ｈ_max を求め
ると、これがすなわち突起Ｔの高さである。

【００１０】上記において、投射角θ_T と受光角θ_R
を、ほぼ等しい（３０±５）°とする理由を述べると、
通常の異物検出ではレーザビームＬ_T の表面Ｂによる反
射光Ｓ_B はノイズとなるので、投射角θ_T と受光角θ_R
を等しくしないか、または反射光Ｓ_B を遮断する方法が
とられているが、この発明においては、稜線Ｒの高さは
表面Ｂを基準とするので、基準用のベース線Ｂ’を求め
るために、投射角θ_T と受光角θ_R をほぼ等しくして、
反射光Ｓ_B をＣＣＤラインセンサに結像するわけであ
る。

【００１１】

【実施例】図４および図５は、この発明を適用した突起
計測装置の一実施例を示し、図４は計測光学系３の構成
図、図５は画像処理部４のブロック構成図である。なお
この実施例は、前記した先行技術の突起検査装置によ
り、予め検出されてＸＹ座標値が特定された突起Ｔを対
象とする。図４において、ＸＹステージ２にはカラーフ
ィルタ１が載置され、制御回路２a によりＸ方向にΔｘ
（例えば５μｍ）づつステップ移動する。計測光学系３
は投光系31と受光系32よりなる。投光系31においては、
レーザダイオード（ＬＤ）311 が発振する［Ｓ］偏光の
レーザビームＬ_T は、集束レンズ312 によりＸＹ方向、
ついでシリンドリカルレンズ313 によりＹ方向が順次に
集束されて、カラーフィルタ１の表面Ｂに対して（３０
±５）°の投射角θ_T で方形の投射エリアＬ_B に投射さ
れる。投射エリアＬ_B の範囲は突起Ｔより十分大きい、
例えばＸ方向の長さｘ_d を１０μｍ、Ｙ方向の長さｙ_d
を２．２ｍｍとする。投射エリアＬ_B 内のレーザ強度は
ＸＹの両方向ともガウス分布する。受光系32は受光角θ
_R を（３０±５）°とし、集光レンズ321 により表面Ｂ
の反射光Ｓ_B と突起Ｔの散乱光Ｓ_T とを効率的に集光
し、［Ｐ］偏光板322 により［Ｐ］偏光成分を選択して
結像レンズ323 により集束し、表面Ｂと突起Ｔの画像を
ＴＶカメラ324 に入射して、その内部のＣＣＤイメージ
センサ324aの受光素子ｅに結像する。なお、ＣＣＤイメ
ージセンサ324aの受光範囲は投射エリアＬ_B に一致させ
る。

【００１２】図５において、画像処理部４は、画像メモ
リ41と、ＭＰＵ42、バッファメモリ43、プリンタ44、お
よび突起座標メモリ45よりなる。ＭＰＵ42には、輪郭抽
出プログラムＰＧ１、ｈ_n 算出プログラムＰＧ２、ステ
ップ移動プログラムＰＧ３、ｈ_max 選択プログラムＰＧ
４、良否判定プログラムＰＧ５、ＸＹ移動プログラムＰ
Ｇ６が設定される。ＰＧ５には高さの許容値Ｈ_s が設定
され、突起座標メモリ45には、前記した先行技術の突起
検査装置により検出され、良否が未だ判定されないすべ
て突起ＴのＸＹ座標値が記憶される。

【００１３】突起の高さ計測においては、ＰＧ６により
突起座標メモリ45のＸＹ座標値を読出し、これを制御回
路２a に渡してＸＹステージ２を駆動し、突起Ｔを検査
エリアＬ_B 内に位置決めする。ついで、カラーフィルタ
１を検査エリアＬ_B の一端からΔｘづつステップ移動し
て突起Ｔが検出される位置に停止し、ＣＣＤイメージセ
ンサの各受光素子ｅに表面Ｂと稜線Ｒの画像を結像し、
これを走査して出力される画像信号を画像メモリ41に記
憶する。

【００１４】ＭＰＵ42においては、画像メモリ41に記憶
された画像信号をＰＧ１により読出して、Ｙ方向のベー
ス線Ｂ’と稜線Ｒの輪郭線とをそれぞれ抽出し、ＰＧ２
によりベース線Ｂ’に対する稜線Ｒの高さｈ₁ を算出し
てバッファメモリ43に記憶する。ついで、ＰＧ３よりス
テージ移動指令が制御回路２a に与えられて、突起Ｔを
ステップ移動し、ＰＧ２により稜線Ｒの高さｈ₂ を算出
してバッファメモリ43に記憶し、以下同様に、ステップ
移動ごとに稜線Ｒの高さｈ₃,ｈ₄ ……ｈ_n を逐次に算出
して、それぞれを記憶する。これが終了すると、バッフ
ァメモリ43の全ての高さデータをＰＧ４により読出し
て、その最大値ｈ_max を求めて、これをＰＧ５により許
容値Ｈ_s に比較して、許容値Ｈ_s を越えた突起Ｔを不良
と判定し、その高さｈ_max のデータがプリンタ44により
プリントされる。なお、この実施例の突起計測装置によ
る計測時間は、各投射エリアＬ_B 内の突起Ｔに対して約
３０秒である。

【００１５】図６は、保護膜のないものと、あるものの
各５個の突起Ｔのサンプルを使用し、それぞれの高さを
顕微鏡により実測したデータと、この発明の突起計測装
置による計測データとの比較表を示す。突起Ｔには４５
°線に乗るものと、やや外れたものがあるが、いずれも
±１．５μｍの範囲内にあり、突起Ｔの高さがかなりの
高精度で計測できることが理解される。

【００１６】上記の実施例に対して付言すると、この実
施例では、前記した先行技術によりすでに高さが計測さ
れた突起Ｔを対象とするが、その理由は、先行技術の突
起検査装置はＸ方向に比較的に速く連続移動するので、
例えば３００×４００ｍｍのカラーフィルタの場合、検
査は１分以内で終了する。ただし前記したように誤差が
ままある。一方この実施例の計測時間は、前記したよう
に１検査エリアＬ_B ごとに約３０秒を要し、カラーフィ
ルタ１の全面をステップ移動し、突起Ｔの存在位置に投
射エリアＬ_B を設定して高さ計測するときは、極めて長
時間が必要である。そこでこの実施例においては、先行
技術により検出済みの突起Ｔを対象とし、改めてその高
さを高精度に計測するもので、これにより先行技術によ
る誤差がチェックされ、また高精度の高さデータは突起
の精密な解析などに役立つものである。

【００１７】

【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明の高さ計
測方法は、カラーフィルタの表面に存在する突起の高さ
を高精度で計測するもので、これを高さ許容値に比較し
てその良否を正しく判定することができ、カラーフィル
タの品質向上に寄与する効果にはすぐれたものがある。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、この発明の要点を説明する計測光学
系の要部の斜視図である。

【図２】図２は、図１に対するＸＺ断面図である。

【図３】図３は、図１のＣＣＤイメージセンサの画像
の説明図である。

【図４】図４は、この発明を適用した突起計測装置の
一実施例における、計測光学系の構成図である。

【図５】図５は、同じく画像処理部のブロック構成図
である。

【図６】図６は、サンプル突起の高さの、顕微鏡によ
る実測データと、この発明による突起計測装置の計測デ
ータとの比較表である。

【図７】図７は、カラーフィルタの説明図である。

【図８】図８は、カラーフィルタに存在する異物のモ
デルの説明図である。

【図９】図９は、先行技術の概要を説明するもので、
(a) は検出光学系の概略の構成図、(b) は散乱光の光量
と突起の高さの関係を示す曲線図である。

【符号の説明】

１…カラーフィルタ、11…ガラス基板、12…３原色の画
素、13…保護膜、２…ＸＹステージ、２a …制御回路、
３…この発明の計測光学系、31…投光系、311 …レーザ
ダイオード（ＬＤ）、312 …集束レンズ、313 …シリン
ドリカルレンズ、32…受光系、321 …集光レンズ、322
…［Ｐ］偏光板、323 …結像レンズ、324 …ＴＶカメ
ラ、324a…ＣＣＤイメージセンサ、４…画像処理部、41
…画像メモリ、42…ＭＰＵ、43…バッファメモリ、44…
プリンタ、45…突起座標メモリ、Ｌ_T …レーザビーム、
Ｃ…中心線、ｕ…最外周線、Ｋ…強度曲線、Ｋ’…光量
の分布曲線、θ_T …投射角、θ_R …受光角、Ｌ_B …投射
エリア、Ｓ_B …表面の反射光、Ｓ_T …突起の散乱光、Ｂ
…カラーフィルタの表面、Ｂ’…Ｙ方向のベース線、ｅ
…受光素子、ｈ₁ 〜ｈ_n …突起Ｔの稜線の高さ、［Ｓ］
…ｓ偏光、［Ｐ］…ｐ偏光。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成８年４月１７日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図２】図２は、図１に対するＸＺ断面図である。

【図６】図６は、サンプル突起の高さの、顕微鏡によ
る実測データと、この発明による突起計測装置の計測デ
ータとの比較図表である。

【図７】図７は、カラーフィルタの説明図である。

【図９】図９は、先行技術の概要を説明するもので、
（ａ）は検出光学系の概略の構成図、（ｂ）は散乱光の
光量と突起の高さの関係を示す曲線図である。

【符号の説明】１…カラーフィルタ、１１…ガラス基板、１２…３原色
の画素、１３…保護膜、２…ＸＹステージ、２ａ…制御
回路、３…この発明の計測光学系、３１…投光系、３１
１…レーザダイオード（ＬＤ）、３１２…集束レンズ、
３１３…シリンドリカルレンズ、３２…受光系、３２１
…集光レンズ、３２２…［Ｐ］偏光板、３２３…結像レ
ンズ、３２４…ＴＶカメラ、３２４ａ…ＣＣＤイメージ
センサ、４…画像処理部、４１…画像メモリ、４２…Ｍ
ＰＵ、４３…バッファメモリ、４４…プリンタ、４５…
突起座標メモリ、Ｌ_Ｔ…レーザビーム、Ｃ…中心線、ｕ
…最外周線、Ｋ…強度曲線、Ｋ’…光量の分布曲線、θ
_Ｔ…投射角、θ_Ｒ…受光角、Ｌ_Ｂ…投射エリア、Ｓ_Ｂ…
表面の反射光、Ｓ_Ｔ…突起の散乱光、Ｂ…カラーフィル
タの表面、Ｂ’…Ｙ方向のベース線、ｅ…受光素子、ｈ
_ｌ〜ｈ_ｎ…突起Ｔの稜線の高さ、［Ｓ］…ｓ偏光、
［Ｐ］…ｐ偏光。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者秋山芽和東京都渋谷区東３丁目16番３号日立電子エンジニアリング株式会社内 (72)発明者小泉光義東京都渋谷区東３丁目16番３号日立電子エンジニアリング株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】［Ｓ］偏光のレーザビームを、カラーフィ
ルタの表面に対して（３０±５）°の投射角で投射し、
該レーザビームの投射方向に対して対称的な（３０±
５）°の受光角をなす受光系を設け、該カラーフィルタ
をＸ方向に適当な間隔Δｘづつステップ移動し、該ステ
ップ移動ごとに、該表面の反射光Ｓ_B と、該表面に存在
する突起Ｔの散乱光Ｓ_T とを、該受光系の［Ｐ］偏光板
に入射して［Ｐ］偏光成分を選択し、結像レンズによ
り、該表面と該突起ＴのＹ方向の稜線とのそれぞれ画像
をＣＣＤイメージセンサに順次に結像し、該結像した両
画像を画像処理して、該表面のベース線と該稜線の輪郭
線とをそれぞれ抽出して、該ベース線に対する該各稜線
の高さｈを逐次に算出し、該各高さｈの最大値ｈ_max を
求めて該突起Ｔの高さを計測することを特徴とする、カ
ラーフィルタの突起の高さ計測方法。