JPH09205329A - 低雑音増幅器 - Google Patents
低雑音増幅器Info
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- JPH09205329A JPH09205329A JP8011471A JP1147196A JPH09205329A JP H09205329 A JPH09205329 A JP H09205329A JP 8011471 A JP8011471 A JP 8011471A JP 1147196 A JP1147196 A JP 1147196A JP H09205329 A JPH09205329 A JP H09205329A
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- noise amplifier
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 広帯域にわたりＫファクタを１より大きくし
ようとすると所定周波数帯域にてＮＦが劣化すること。 【解決手段】 ＨＥＭＴ５０と入力回路５１間に、所定
周波数２ＧＨｚで共振するコンデンサ１とコイル２とか
らなる直列回路と、この直列回路と並列に抵抗器５３を
接続する。この直列回路は２ＧＨｚにて共振するためＨ
ＥＭＴ５０と入力回路５１間が高周波的に直結となり、
２ＧＨｚ以外では高周波的に両者間に抵抗器５３が接続
されたことになる。 【効果】 両者間直結により良好なＮＦが得られ、両者
間に抵抗器５３が接続されることで広帯域にわたりＫフ
ァクタが１より大きくなる。
ようとすると所定周波数帯域にてＮＦが劣化すること。 【解決手段】 ＨＥＭＴ５０と入力回路５１間に、所定
周波数２ＧＨｚで共振するコンデンサ１とコイル２とか
らなる直列回路と、この直列回路と並列に抵抗器５３を
接続する。この直列回路は２ＧＨｚにて共振するためＨ
ＥＭＴ５０と入力回路５１間が高周波的に直結となり、
２ＧＨｚ以外では高周波的に両者間に抵抗器５３が接続
されたことになる。 【効果】 両者間直結により良好なＮＦが得られ、両者
間に抵抗器５３が接続されることで広帯域にわたりＫフ
ァクタが１より大きくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は低雑音増幅器に関
し、とくにマイクロ波帯用の低雑音増幅器に関する。
し、とくにマイクロ波帯用の低雑音増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】２端子対回路網の安定性を示す指数とし
て、ＲｏｌｌｅｔのＫファクタ（安定指数Ｋ）が知られ
ている。このＫファクタについては、（１）Ｊ．Ｍ．Ｒ
ｏｌｌｅｔ著”Ｓｔａｂｉｌｉｔｙ ａｎｄ Ｐｏｗｅ
ｒ Ｇａｉｎ Ｉｎｖａｒｉａｎｔｅ ｏｆ Ｌｉｎｅ
ａｒ Ｔｗｏｐｏｒｔｓ”（ＩＲＥ ＣＴ−９，ｐｐ２
９−３２，Ｍａｒ．１９６２）および（２）Ｄ．Ｗｏｏ
ｄｓ著”Ｒｅａｐｐｒａｉｓａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｕｎ
ｃｏｎｄｉｔｉｏｎａｌ ＳｔａｂｉｌｉｔｙＣｒｉｔ
ｅｒｉａ ｆｏｒ Ａｃｔｉｖｅ ２−ｐｏｒｔ Ｎｅ
ｔｗｏｒｋｓｉｎ Ｔｅｒｍ ｏｆ Ｓ−ｐａｒａｍｅ
ｔｅｒｓ”（ＩＥＥＥ，ＣＡＳ−２３，ｐｐ７３−８
１，Ｆｅｂ．１９７６）に記載されている。
て、ＲｏｌｌｅｔのＫファクタ（安定指数Ｋ）が知られ
ている。このＫファクタについては、（１）Ｊ．Ｍ．Ｒ
ｏｌｌｅｔ著”Ｓｔａｂｉｌｉｔｙ ａｎｄ Ｐｏｗｅ
ｒ Ｇａｉｎ Ｉｎｖａｒｉａｎｔｅ ｏｆ Ｌｉｎｅ
ａｒ Ｔｗｏｐｏｒｔｓ”（ＩＲＥ ＣＴ−９，ｐｐ２
９−３２，Ｍａｒ．１９６２）および（２）Ｄ．Ｗｏｏ
ｄｓ著”Ｒｅａｐｐｒａｉｓａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｕｎ
ｃｏｎｄｉｔｉｏｎａｌ ＳｔａｂｉｌｉｔｙＣｒｉｔ
ｅｒｉａ ｆｏｒ Ａｃｔｉｖｅ ２−ｐｏｒｔ Ｎｅ
ｔｗｏｒｋｓｉｎ Ｔｅｒｍ ｏｆ Ｓ−ｐａｒａｍｅ
ｔｅｒｓ”（ＩＥＥＥ，ＣＡＳ−２３，ｐｐ７３−８
１，Ｆｅｂ．１９７６）に記載されている。
【０００３】これらの文献（１），（２）によれば、Ｓ
パラメータ（Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２）で表さ
れる２端子対回路網の場合、Ｋファクタは、Ｋ＝（１−
｜Ｓ１１｜2 −｜Ｓ２２｜2 ＋｜Δ｜2 ）／（２・｜Ｓ
１２｜・｜Ｓ２１｜）、ただし、｜Δ｜＝｜Ｓ１１・Ｓ
２２−Ｓ２１・Ｓ１２｜で表される。
パラメータ（Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２）で表さ
れる２端子対回路網の場合、Ｋファクタは、Ｋ＝（１−
｜Ｓ１１｜2 −｜Ｓ２２｜2 ＋｜Δ｜2 ）／（２・｜Ｓ
１２｜・｜Ｓ２１｜）、ただし、｜Δ｜＝｜Ｓ１１・Ｓ
２２−Ｓ２１・Ｓ１２｜で表される。
【０００４】ここに、２端子対回路網が無条件に安定で
ある条件、すなわち、入力端子および出力端子に接続さ
れるいかなるインピーダンスに対しても安定である条件
は、Ｋ＞１かつ｜Δ｜＜１である。
ある条件、すなわち、入力端子および出力端子に接続さ
れるいかなるインピーダンスに対しても安定である条件
は、Ｋ＞１かつ｜Δ｜＜１である。
【０００５】ところで、トランジスタ等の３端子素子は
通常｜Δ｜＜１であるから、安定性はＫファクタの値で
判断することができる。
通常｜Δ｜＜１であるから、安定性はＫファクタの値で
判断することができる。
【０００６】すなわち、Ｋ＞１のときは無条件に安定で
あり、トランジスタの入出力にいかなるインピーダンス
素子が接続されても異常発振を起こさないということで
ある。Ｋ＞１でないときは、条件付きの安定であり、入
出力に接続されるインピーダンス素子により異常発振等
の回路的不安定が生じる可能性があることを示してい
る。
あり、トランジスタの入出力にいかなるインピーダンス
素子が接続されても異常発振を起こさないということで
ある。Ｋ＞１でないときは、条件付きの安定であり、入
出力に接続されるインピーダンス素子により異常発振等
の回路的不安定が生じる可能性があることを示してい
る。
【０００７】一方、最近の高周波トランジスタの中で、
ＭＥＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｓｅｍ
ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ＦＥＴ）あるいはＨＥＭＴ（Ｈ
ｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａ
ｎｓｉｓｔｏｒ）は、遮断周波数（ｆT ）が５０〜８０
ＧＨｚと非常に高く、低い周波数、たとえば１０ＧＨｚ
以下では、Ｋファクタは１以下であり、素子として不安
定な状態にある。
ＭＥＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｓｅｍ
ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ＦＥＴ）あるいはＨＥＭＴ（Ｈ
ｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａ
ｎｓｉｓｔｏｒ）は、遮断周波数（ｆT ）が５０〜８０
ＧＨｚと非常に高く、低い周波数、たとえば１０ＧＨｚ
以下では、Ｋファクタは１以下であり、素子として不安
定な状態にある。
【０００８】次に、従来の低雑音増幅器について説明す
る。図３は従来の低雑音増幅器の一例の回路図である。
る。図３は従来の低雑音増幅器の一例の回路図である。
【０００９】従来の低雑音増幅器は、たとえば低雑音用
ＨＥＭＴ５０と、その入力側に接続された入力インピー
ダンス整合用の入力回路５１と、その出力側に接続され
た出力インピーダンス整合用の出力回路５２とからな
る。
ＨＥＭＴ５０と、その入力側に接続された入力インピー
ダンス整合用の入力回路５１と、その出力側に接続され
た出力インピーダンス整合用の出力回路５２とからな
る。
【００１０】また、入力端子Ｐ１および出力端子Ｐ２に
おけるインピーダンスは一例として５０Ωとし、入力回
路５１および出力回路５２により低雑音用ＨＥＭＴ５０
の入力および出力インピーダンスとの整合をとる。たと
えば、入力端子Ｐ１にはアイソレータまたはアンテナを
直接接続する。また、この低雑音増幅器は一例として２
ＧＨｚ用に設計されている。
おけるインピーダンスは一例として５０Ωとし、入力回
路５１および出力回路５２により低雑音用ＨＥＭＴ５０
の入力および出力インピーダンスとの整合をとる。たと
えば、入力端子Ｐ１にはアイソレータまたはアンテナを
直接接続する。また、この低雑音増幅器は一例として２
ＧＨｚ用に設計されている。
【００１１】図４はこの低雑音用ＨＥＭＴのＫファクタ
対周波数特性図である。同図に示すように、この低雑音
用ＨＥＭＴのＫファクタは１ＧＨｚから１０ＧＨｚにわ
たり１より小さい。
対周波数特性図である。同図に示すように、この低雑音
用ＨＥＭＴのＫファクタは１ＧＨｚから１０ＧＨｚにわ
たり１より小さい。
【００１２】図５はこの低雑音増幅器のＫファクタ、Ｎ
Ｆ（雑音指数）およびゲイン（利得）対周波数特性図で
ある。
Ｆ（雑音指数）およびゲイン（利得）対周波数特性図で
ある。
【００１３】同図によれば、２ＧＨｚにおいて、ＮＦ＝
０．６ｄＢ、ゲイン＝１４ｄＢが得られているが、Ｋフ
ァクタは２ＧＨｚを含め１〜１０ＧＨｚの全周波数帯域
において１より小さく、増幅器として不安定要素がある
ことを示している。
０．６ｄＢ、ゲイン＝１４ｄＢが得られているが、Ｋフ
ァクタは２ＧＨｚを含め１〜１０ＧＨｚの全周波数帯域
において１より小さく、増幅器として不安定要素がある
ことを示している。
【００１４】しかし、２ＧＨｚでは低雑音増幅器の入出
力インピーダンスは５０Ωに整合がとれている。したが
って、Ｋファクタが１以下であっても、入出力端子Ｐ
１，Ｐ２に接続されるもののインピーダンスが５０Ωで
あれば、２ＧＨｚでは安定に動作することになる。
力インピーダンスは５０Ωに整合がとれている。したが
って、Ｋファクタが１以下であっても、入出力端子Ｐ
１，Ｐ２に接続されるもののインピーダンスが５０Ωで
あれば、２ＧＨｚでは安定に動作することになる。
【００１５】問題なのは２ＧＨｚ以外の周波数における
安定性である。ＭＥＳＦＥＴあるいはＨＥＭＴが低い周
波数で不安定な理由は、利得が高く、それに見合うアイ
ソレーションがないことはもちろんであるが、このＭＥ
ＳＦＥＴあるいはＨＥＭＴの入力回路を等価回路で表す
と、小さい抵抗と小さい容量の直列回路となり、いずれ
も小さいため回路のＱが非常に高いためといえる。
安定性である。ＭＥＳＦＥＴあるいはＨＥＭＴが低い周
波数で不安定な理由は、利得が高く、それに見合うアイ
ソレーションがないことはもちろんであるが、このＭＥ
ＳＦＥＴあるいはＨＥＭＴの入力回路を等価回路で表す
と、小さい抵抗と小さい容量の直列回路となり、いずれ
も小さいため回路のＱが非常に高いためといえる。
【００１６】図６は従来の低雑音増幅器の他の一例の回
路図である。なお、前述の従来例と同様の構成部分には
同一番号を付し、その説明を省略する。
路図である。なお、前述の従来例と同様の構成部分には
同一番号を付し、その説明を省略する。
【００１７】この低雑音増幅器は、低雑音用ＨＥＭＴ５
０の入力側と入力回路５１との間に抵抗器５３を接続し
たものである。
０の入力側と入力回路５１との間に抵抗器５３を接続し
たものである。
【００１８】図７はこの低雑音増幅器の他の一例のＫフ
ァクタ、ＮＦおよびゲイン対周波数特性図である。
ァクタ、ＮＦおよびゲイン対周波数特性図である。
【００１９】同図は抵抗器５３として２４Ωの抵抗器を
低雑音用ＨＥＭＴ５０の入力側と入力回路５１との間に
接続した場合の特性を示す。同図によれば、Ｋファクタ
は１〜１０ＧＨｚの全周波数帯域にわたり１以上とな
り、無条件に安定状態となることが分かる。したがっ
て、この場合は入力端子Ｐ１および出力端子Ｐ２にいか
なるインピーダンスが接続されても安定状態となる。
低雑音用ＨＥＭＴ５０の入力側と入力回路５１との間に
接続した場合の特性を示す。同図によれば、Ｋファクタ
は１〜１０ＧＨｚの全周波数帯域にわたり１以上とな
り、無条件に安定状態となることが分かる。したがっ
て、この場合は入力端子Ｐ１および出力端子Ｐ２にいか
なるインピーダンスが接続されても安定状態となる。
【００２０】また、（１）特開平２−１１００５号公報
に全周波数帯域にわたりＫファクタを１以上にする前置
増幅器が開示され、（２）特開平３−１０１３０５号公
報に抵抗器、コイルおよびコンデンサからなる回路を設
けることにより、所望周波数および他の１周波数で共振
させ、離れた複数の周波数帯域で所定の高利得を得る増
幅器が開示されている。
に全周波数帯域にわたりＫファクタを１以上にする前置
増幅器が開示され、（２）特開平３−１０１３０５号公
報に抵抗器、コイルおよびコンデンサからなる回路を設
けることにより、所望周波数および他の１周波数で共振
させ、離れた複数の周波数帯域で所定の高利得を得る増
幅器が開示されている。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図７の特性図
によれば、２ＧＨｚにおいてはＮＦが１．７ｄＢと非常
に大きくなり、低雑音増幅器としては使用が難かしいと
いう欠点があった。
によれば、２ＧＨｚにおいてはＮＦが１．７ｄＢと非常
に大きくなり、低雑音増幅器としては使用が難かしいと
いう欠点があった。
【００２２】また、これを解決する手段は、前述した先
行技術（１），（２）のいずれにも開示されていない。
行技術（１），（２）のいずれにも開示されていない。
【００２３】そこで本発明の目的は、所定周波数におい
てＮＦを劣化させず、かつ広帯域にわたり安定した動作
を得ることができる低雑音増幅器を提供することにあ
る。
てＮＦを劣化させず、かつ広帯域にわたり安定した動作
を得ることができる低雑音増幅器を提供することにあ
る。
【００２４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明は、高周波トランジスタと、この高周波トラン
ジスタの入力側に接続された入力インピーダンス整合手
段と、前記高周波トランジスタの出力側に接続された出
力インピーダンス整合手段とからなる低雑音増幅器であ
って、前記高周波トランジスタの入力側と前記入力イン
ピーダンス整合手段間に、所定周波数帯域の信号に対し
て低インピーダンスとなるインピーダンス手段とこのイ
ンピーダンス手段と並列接続された抵抗器とを接続した
ことを特徴とする。
に本発明は、高周波トランジスタと、この高周波トラン
ジスタの入力側に接続された入力インピーダンス整合手
段と、前記高周波トランジスタの出力側に接続された出
力インピーダンス整合手段とからなる低雑音増幅器であ
って、前記高周波トランジスタの入力側と前記入力イン
ピーダンス整合手段間に、所定周波数帯域の信号に対し
て低インピーダンスとなるインピーダンス手段とこのイ
ンピーダンス手段と並列接続された抵抗器とを接続した
ことを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明によれば、所定周波数にお
いてはインピーダンス手段のインピーダンスが低くなる
ため高周波トランジスタの入力側と入力インピーダンス
整合手段間は高周波的に直結したのと同等となる。一
方、所定周波数以外においてはインピーダンス手段のイ
ンピーダンスが高くなるため高周波トランジスタの入力
側と入力インピーダンス整合手段間には高周波的に抵抗
器が接続されたのと同等となる。
いてはインピーダンス手段のインピーダンスが低くなる
ため高周波トランジスタの入力側と入力インピーダンス
整合手段間は高周波的に直結したのと同等となる。一
方、所定周波数以外においてはインピーダンス手段のイ
ンピーダンスが高くなるため高周波トランジスタの入力
側と入力インピーダンス整合手段間には高周波的に抵抗
器が接続されたのと同等となる。
【００２６】以下、本発明の実施例について添付図面を
参照しながら説明する。図１は本発明に係る低雑音増幅
器の一実施例の回路図である。なお、従来例と同様の構
成部分には同一番号を付し、その説明を省略する。
参照しながら説明する。図１は本発明に係る低雑音増幅
器の一実施例の回路図である。なお、従来例と同様の構
成部分には同一番号を付し、その説明を省略する。
【００２７】低雑音増幅器は、たとえば低雑音用ＨＥＭ
Ｔ５０と、入力インピーダンス整合用の入力回路５１
と、低雑音用ＨＥＭＴ５０の入力側と入力回路５１間に
接続された、コンデンサ１とコイル２とからなる直列回
路およびこの直列回路と並列接続された抵抗器５３と、
低雑音用ＨＥＭＴ５０の出力側に接続された出力回路５
２とからなる。すなわち、従来の低雑音増幅器の他の一
例の抵抗器５３と並列にコンデンサ１とコイル２とから
なる直列回路を接続したものである。
Ｔ５０と、入力インピーダンス整合用の入力回路５１
と、低雑音用ＨＥＭＴ５０の入力側と入力回路５１間に
接続された、コンデンサ１とコイル２とからなる直列回
路およびこの直列回路と並列接続された抵抗器５３と、
低雑音用ＨＥＭＴ５０の出力側に接続された出力回路５
２とからなる。すなわち、従来の低雑音増幅器の他の一
例の抵抗器５３と並列にコンデンサ１とコイル２とから
なる直列回路を接続したものである。
【００２８】なお、本実施例では一例としてコンデンサ
１を１．３ｐＦ、コイル２を３ｎＨ、抵抗器５３を従来
例と同様に２４Ωとした。
１を１．３ｐＦ、コイル２を３ｎＨ、抵抗器５３を従来
例と同様に２４Ωとした。
【００２９】このコンデンサ１とコイル２とからなる直
列回路は所定周波数である２ＧＨｚで共振するよう構成
されている。
列回路は所定周波数である２ＧＨｚで共振するよう構成
されている。
【００３０】したがって、周波数が２ＧＨｚの場合はこ
の直列回路のインピーダンスはほぼ０Ωとみなすことが
できるため、この直列回路と並列に抵抗器５３が接続さ
れていても、低雑音用ＨＥＭＴ５０の入力側と入力回路
５１間は高周波的に直結されたのと同等となる。すなわ
ち、低雑音用ＨＥＭＴ５０の入力側と入力回路５１の出
力側間に接続された抵抗器５３は見えなくなる。
の直列回路のインピーダンスはほぼ０Ωとみなすことが
できるため、この直列回路と並列に抵抗器５３が接続さ
れていても、低雑音用ＨＥＭＴ５０の入力側と入力回路
５１間は高周波的に直結されたのと同等となる。すなわ
ち、低雑音用ＨＥＭＴ５０の入力側と入力回路５１の出
力側間に接続された抵抗器５３は見えなくなる。
【００３１】一方、周波数が２ＧＨｚ以外の場合（１Ｇ
Ｈｚ〜１０ＧＨｚにおいて）は直列回路のインピーダン
スは高くなるため、低雑音用ＨＥＭＴ５０の入力側と入
力回路５１間には高周波的に抵抗器５３が接続されたの
と同等となる。すなわち、低雑音用ＨＥＭＴ５０の入力
側と入力回路５１の出力側間に接続された抵抗器５３が
見えることになる。
Ｈｚ〜１０ＧＨｚにおいて）は直列回路のインピーダン
スは高くなるため、低雑音用ＨＥＭＴ５０の入力側と入
力回路５１間には高周波的に抵抗器５３が接続されたの
と同等となる。すなわち、低雑音用ＨＥＭＴ５０の入力
側と入力回路５１の出力側間に接続された抵抗器５３が
見えることになる。
【００３２】図２はこの低雑音増幅器のＫファクタ、Ｎ
Ｆおよびゲイン対周波数特性図である。
Ｆおよびゲイン対周波数特性図である。
【００３３】同図によれば、所定周波数２ＧＨｚでは抵
抗器５３が見えなくなるため、特性は従来例の図５と同
様となる。すなわち、ＮＦ＝０．６ｄＢ，ゲイン＝１４
ｄＢとなり、抵抗器を用いない従来の低雑音増幅器と同
様の良好なＮＦおよびゲインが得られることが分かる。
抗器５３が見えなくなるため、特性は従来例の図５と同
様となる。すなわち、ＮＦ＝０．６ｄＢ，ゲイン＝１４
ｄＢとなり、抵抗器を用いない従来の低雑音増幅器と同
様の良好なＮＦおよびゲインが得られることが分かる。
【００３４】なお、この周波数２ＧＨｚにおいてＫファ
クタは１より小さいが、入力端子Ｐ１および出力端子Ｐ
２に接続されるインピーダンスが５０Ωであればインピ
ーダンス整合がとれるため安定状態となる。
クタは１より小さいが、入力端子Ｐ１および出力端子Ｐ
２に接続されるインピーダンスが５０Ωであればインピ
ーダンス整合がとれるため安定状態となる。
【００３５】一方、周波数が２ＧＨｚ以外の場合（１Ｇ
Ｈｚ〜１０ＧＨｚにおいて）は抵抗器５３が見えるた
め、特性は従来例の図７と同様となる。すなわち、Ｋフ
ァクタは全周波数帯域にわたり１より大きくなるため無
条件に安定状態となる。したがって、入力端子Ｐ１およ
び出力端子Ｐ２に接続されるインピーダンスがいかなる
ものであっても安定状態となる。
Ｈｚ〜１０ＧＨｚにおいて）は抵抗器５３が見えるた
め、特性は従来例の図７と同様となる。すなわち、Ｋフ
ァクタは全周波数帯域にわたり１より大きくなるため無
条件に安定状態となる。したがって、入力端子Ｐ１およ
び出力端子Ｐ２に接続されるインピーダンスがいかなる
ものであっても安定状態となる。
【００３６】なお、本実施例では高周波トランジスタと
してＨＥＭＴを用いたが、これに限定されるものではな
く、たとえばＭＥＳＦＥＴ等のＦＥＴでもよい。さら
に、この帯域（１ＧＨｚ〜１０ＧＨｚ）まで使用が可能
であればバイポーラトランジスタにも適用することがで
きる。
してＨＥＭＴを用いたが、これに限定されるものではな
く、たとえばＭＥＳＦＥＴ等のＦＥＴでもよい。さら
に、この帯域（１ＧＨｚ〜１０ＧＨｚ）まで使用が可能
であればバイポーラトランジスタにも適用することがで
きる。
【００３７】また、インピーダンス手段としてコンデン
サ１とコイル２とからなる直列共振回路を用いたが、こ
れに限定されるものではなく、たとえば２ＧＨｚを中心
とする一定帯域のみに対して低インピーダンスとなるバ
ンドパスフィルタでインピーダンス手段を構成しても同
様の効果を得ることができる。
サ１とコイル２とからなる直列共振回路を用いたが、こ
れに限定されるものではなく、たとえば２ＧＨｚを中心
とする一定帯域のみに対して低インピーダンスとなるバ
ンドパスフィルタでインピーダンス手段を構成しても同
様の効果を得ることができる。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、高周波トランジスタの
入力側と入力インピーダンス整合手段間に、所定周波数
帯域の信号に対して低インピーダンスとなるインピーダ
ンス手段とこのインピーダンス手段と並列接続された抵
抗器とを接続したため、所定周波数帯域の信号に対して
は高周波トランジスタの入力側と入力インピーダンス整
合手段間が高周波的に直結されたのと同等となり、所定
周波数帯域以外の信号に対しては高周波トランジスタの
入力側と入力インピーダンス整合手段間に高周波的に抵
抗器が接続されたのと同等となる。
入力側と入力インピーダンス整合手段間に、所定周波数
帯域の信号に対して低インピーダンスとなるインピーダ
ンス手段とこのインピーダンス手段と並列接続された抵
抗器とを接続したため、所定周波数帯域の信号に対して
は高周波トランジスタの入力側と入力インピーダンス整
合手段間が高周波的に直結されたのと同等となり、所定
周波数帯域以外の信号に対しては高周波トランジスタの
入力側と入力インピーダンス整合手段間に高周波的に抵
抗器が接続されたのと同等となる。
【００３９】したがって、所定周波数帯域の信号に対し
ては良好なＮＦが得られ、かつ入出力インピーダンスの
整合がとれることから安定した動作が得られる。一方、
所定周波数帯域以外の信号に対しては１より大きなＫフ
ァクタが得られるため、入出力にいかなるインピーダン
スが接続されても安定した動作が得られる。
ては良好なＮＦが得られ、かつ入出力インピーダンスの
整合がとれることから安定した動作が得られる。一方、
所定周波数帯域以外の信号に対しては１より大きなＫフ
ァクタが得られるため、入出力にいかなるインピーダン
スが接続されても安定した動作が得られる。
【図１】本発明に係る低雑音増幅器の一実施例の回路図
である。
である。
【図２】同低雑音増幅器のＫファクタ、ＮＦおよびゲイ
ン対周波数特性図である。
ン対周波数特性図である。
【図３】従来の低雑音増幅器の一例の回路図である。
【図４】同低雑音増幅器の低雑音用ＨＥＭＴのＫファク
タ対周波数特性図である。
タ対周波数特性図である。
【図５】同低雑音増幅器のＫファクタ、ＮＦおよびゲイ
ン対周波数特性図である。
ン対周波数特性図である。
【図６】同低雑音増幅器の他の一例の回路図である。
【図７】同低雑音増幅器の他の一例のＫファクタ、ＮＦ
およびゲイン対周波数特性図である。
およびゲイン対周波数特性図である。
１ コンデンサ ２ コイル ５０ 低雑音用ＨＥＭＴ ５１ 入力回路 ５２ 出力回路 ５３ 抵抗器
Claims (5)
- 【請求項１】 高周波トランジスタと、この高周波トラ
ンジスタの入力側に接続された入力インピーダンス整合
手段と、前記高周波トランジスタの出力側に接続された
出力インピーダンス整合手段とからなる低雑音増幅器で
あって、前記高周波トランジスタの入力側と前記入力イ
ンピーダンス整合手段間に、所定周波数帯域の信号に対
して低インピーダンスとなるインピーダンス手段とこの
インピーダンス手段と並列接続された抵抗器とを接続し
たことを特徴とする低雑音増幅器。 - 【請求項２】 前記インピーダンス手段はコイルとコン
デンサによる直列共振回路であることを特徴とする請求
項１記載の低雑音増幅器。 - 【請求項３】 前記インピーダンス手段はバンドパスフ
ィルタであることを特徴とする請求項１記載の低雑音増
幅器。 - 【請求項４】 前記高周波トランジスタはＭＥＳＦＥＴ
であることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の
低雑音増幅器。 - 【請求項５】 前記高周波トランジスタはＨＥＭＴであ
ることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の低雑
音増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8011471A JPH09205329A (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 低雑音増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8011471A JPH09205329A (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 低雑音増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09205329A true JPH09205329A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=11778998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8011471A Pending JPH09205329A (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 低雑音増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09205329A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144560A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波増幅器 |
| JP2002057535A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-02-22 | Trw Inc | 高ダイナミック・レンジ低雑音増幅器 |
| JP2006108385A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | トランジスタ回路 |
| KR100795891B1 (ko) * | 2005-11-24 | 2008-01-21 | 가부시키가이샤 엔.티.티.도코모 | 안정화 회로, 멀티 밴드 증폭 회로 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS609317U (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-22 | アルプス電気株式会社 | 広帯域高周波増幅器 |
| JPH06188643A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-07-08 | Fukushima Nippon Denki Kk | 高周波低雑音増幅器 |
| JPH09121130A (ja) * | 1995-10-26 | 1997-05-06 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 高周波用電子回路 |
-
1996
- 1996-01-26 JP JP8011471A patent/JPH09205329A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS609317U (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-22 | アルプス電気株式会社 | 広帯域高周波増幅器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040202 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050329 |
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