JPH09198731A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH09198731A JPH09198731A JP8267566A JP26756696A JPH09198731A JP H09198731 A JPH09198731 A JP H09198731A JP 8267566 A JP8267566 A JP 8267566A JP 26756696 A JP26756696 A JP 26756696A JP H09198731 A JPH09198731 A JP H09198731A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- G11B11/10593—Details for improving read-out properties, e.g. polarisation of light
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- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光磁気ディスクから、短いマークを再生した
ときでも、良好なＣＮＲを得ることができ、記録密度を
高めることができるようにする。 【解決手段】 光磁気ディスクは、情報をマークとして
記録する記録層５と、記録層５に積層され、記録層５と
静磁的に結合して交換結合はしていない、高温時に記録
層５の磁化が転写される再生層３とが設けられている。
再生時に光ビームにより作られた温度分布を利用して情
報が読み出される。記録層５の、再生層３が設けられて
いない側の面に、強磁性材料からなる軟磁性体である裏
打ち層７が設けられている。
ときでも、良好なＣＮＲを得ることができ、記録密度を
高めることができるようにする。 【解決手段】 光磁気ディスクは、情報をマークとして
記録する記録層５と、記録層５に積層され、記録層５と
静磁的に結合して交換結合はしていない、高温時に記録
層５の磁化が転写される再生層３とが設けられている。
再生時に光ビームにより作られた温度分布を利用して情
報が読み出される。記録層５の、再生層３が設けられて
いない側の面に、強磁性材料からなる軟磁性体である裏
打ち層７が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録再生装
置に適用される、光磁気ディスク等の光磁気記録媒体に
関するものである。
置に適用される、光磁気ディスク等の光磁気記録媒体に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体のひとつである光磁気デ
ィスクは、既にコンピューター用の外部メモリとして実
用化がなされている。このように、光磁気記録媒体で
は、光を利用して再生を行うため、磁気ヘッドを用いた
フロッピーディスクあるいはハードディスクに比べて、
大記録容量を実現できる。
ィスクは、既にコンピューター用の外部メモリとして実
用化がなされている。このように、光磁気記録媒体で
は、光を利用して再生を行うため、磁気ヘッドを用いた
フロッピーディスクあるいはハードディスクに比べて、
大記録容量を実現できる。
【０００３】光磁気ディスクの記録密度は、光磁気ディ
スク上の光ビームスポットの大きさに制約を受ける。つ
まり、記録ビット径および記録ビット間隔が光ビームス
ポットの大きさに比べて小さくなると、光ビームスポッ
トの中に複数のビットが入るため、各記録ビットを分離
して再生することができなくなる。記録密度を向上させ
るために光ビームスポットの大きさを小さくするには、
レーザー光の波長を短くすることが有効であるが、現在
市販されている半導体レーザーは６８０ｎｍの波長のも
のが最短であり、より短波長を有する半導体レーザー
は、いまだ開発途上にある。したがって、現在市販され
ている長い波長のレーザーを用いて光磁気ディスクの記
録密度をさらに大きくすることは困難である。
スク上の光ビームスポットの大きさに制約を受ける。つ
まり、記録ビット径および記録ビット間隔が光ビームス
ポットの大きさに比べて小さくなると、光ビームスポッ
トの中に複数のビットが入るため、各記録ビットを分離
して再生することができなくなる。記録密度を向上させ
るために光ビームスポットの大きさを小さくするには、
レーザー光の波長を短くすることが有効であるが、現在
市販されている半導体レーザーは６８０ｎｍの波長のも
のが最短であり、より短波長を有する半導体レーザー
は、いまだ開発途上にある。したがって、現在市販され
ている長い波長のレーザーを用いて光磁気ディスクの記
録密度をさらに大きくすることは困難である。
【０００４】これに対して、例えば、Journal of The M
agnetics Society of Japan, Vol.19, Supplement, No.
S1(1995), p.421-424 には、静磁結合した２つの磁性膜
より構成された光磁気記録媒体と光ビームスポット中の
温度分布を利用して再生分解能を向上させて、記録密度
を向上させる方法、すなわち静磁結合を利用した磁気的
超解像技術が示されている。
agnetics Society of Japan, Vol.19, Supplement, No.
S1(1995), p.421-424 には、静磁結合した２つの磁性膜
より構成された光磁気記録媒体と光ビームスポット中の
温度分布を利用して再生分解能を向上させて、記録密度
を向上させる方法、すなわち静磁結合を利用した磁気的
超解像技術が示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
静磁結合を利用した磁気的超解像技術で検出された信号
は、磁気的超解像を用いない方法に比べて小さなマーク
長で良好な信号品質（ＣＮＲ）を持ち、高密度化を可能
としているが、この方法では、０．５μｍマーク長が可
能な最短マーク長である。つまり、例えば０．２５μｍ
マーク長のように、さらなる高密度化を図った場合に、
十分なＣＮＲが得られないという問題がある。
静磁結合を利用した磁気的超解像技術で検出された信号
は、磁気的超解像を用いない方法に比べて小さなマーク
長で良好な信号品質（ＣＮＲ）を持ち、高密度化を可能
としているが、この方法では、０．５μｍマーク長が可
能な最短マーク長である。つまり、例えば０．２５μｍ
マーク長のように、さらなる高密度化を図った場合に、
十分なＣＮＲが得られないという問題がある。
【０００６】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
であり、その目的は、短いマークを再生したときでも、
良好なＣＮＲを得ることができ、記録密度を高めること
ができる光磁気記録媒体を提供することにある。
であり、その目的は、短いマークを再生したときでも、
良好なＣＮＲを得ることができ、記録密度を高めること
ができる光磁気記録媒体を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項１記載の光磁気記録媒体は、情報をマークと
して記録する記録層と、記録層に積層され、高温時に記
録層の磁化が転写される再生層とが設けられた光磁気記
録媒体であって、記録層の、再生層が設けられていない
側の面に、軟磁性体である裏打ち層が設けられているこ
とを特徴としている。
め、請求項１記載の光磁気記録媒体は、情報をマークと
して記録する記録層と、記録層に積層され、高温時に記
録層の磁化が転写される再生層とが設けられた光磁気記
録媒体であって、記録層の、再生層が設けられていない
側の面に、軟磁性体である裏打ち層が設けられているこ
とを特徴としている。
【０００８】上記の構成により、再生時、記録層の磁化
を再生層に転写するために、光ビームが外部から照射さ
れて再生層が昇温する。このとき、裏打ち層が軟磁性体
であるので、記録層の磁力線が裏打ち層にほぼ垂直に入
射する。このため、記録層の磁力線が遠くまで到達す
る。
を再生層に転写するために、光ビームが外部から照射さ
れて再生層が昇温する。このとき、裏打ち層が軟磁性体
であるので、記録層の磁力線が裏打ち層にほぼ垂直に入
射する。このため、記録層の磁力線が遠くまで到達す
る。
【０００９】したがって、記録層の磁気モーメントが再
生層の位置に作る磁界が大きくなるので、記録層の磁気
モーメントの向きと同一の向きを向いた再生層の磁気モ
ーメントを持った部分の面積が大きくなる。
生層の位置に作る磁界が大きくなるので、記録層の磁気
モーメントの向きと同一の向きを向いた再生層の磁気モ
ーメントを持った部分の面積が大きくなる。
【００１０】それによって、例えば０．２５μｍのよう
な短いマークを再生したときでも、良好なＣＮＲを得る
ことができ、記録密度を高めることができる。
な短いマークを再生したときでも、良好なＣＮＲを得る
ことができ、記録密度を高めることができる。
【００１１】請求項２記載の光磁気記録媒体は、請求項
１記載の構成に加えて、再生層に面した透明誘電体層
と、記録層に面した非磁性金属膜層とから成る、非磁性
層が、再生層と記録層との間に設けられていることを特
徴としている。
１記載の構成に加えて、再生層に面した透明誘電体層
と、記録層に面した非磁性金属膜層とから成る、非磁性
層が、再生層と記録層との間に設けられていることを特
徴としている。
【００１２】上記の構成により、再生用の光ビームが照
射されたとき、上記非磁性層において、この光ビームを
再生層側へ反射する。
射されたとき、上記非磁性層において、この光ビームを
再生層側へ反射する。
【００１３】したがって、再生用の光ビームの強度が大
きくなるので、再生出力を大きくすることができる。そ
れによって、さらに良好なＣＮＲを得ることができ、記
録密度を高めることができる。
きくなるので、再生出力を大きくすることができる。そ
れによって、さらに良好なＣＮＲを得ることができ、記
録密度を高めることができる。
【００１４】請求項３記載の光磁気記録媒体は、請求項
１または２記載の構成に加えて、膜厚が１０ｎｍ以上２
０ｎｍ以下である第１非磁性層が再生層と記録層との間
に設けられ、膜厚が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である第２
非磁性層が記録層と裏打ち層との間に設けられたことを
特徴としている。
１または２記載の構成に加えて、膜厚が１０ｎｍ以上２
０ｎｍ以下である第１非磁性層が再生層と記録層との間
に設けられ、膜厚が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である第２
非磁性層が記録層と裏打ち層との間に設けられたことを
特徴としている。
【００１５】すなわち、請求項３記載の光磁気記録媒体
は、請求項１または２に記載の光磁気記録媒体の再生
層、記録層、および裏打ち層の間に挟まれる非磁性層の
好ましい膜厚を示したものである。これら非磁性層の膜
厚を上記の構成のような範囲に設定することで、非常に
良好なＣＮＲを得ることができ、記録密度を最も高める
ことが可能となる。
は、請求項１または２に記載の光磁気記録媒体の再生
層、記録層、および裏打ち層の間に挟まれる非磁性層の
好ましい膜厚を示したものである。これら非磁性層の膜
厚を上記の構成のような範囲に設定することで、非常に
良好なＣＮＲを得ることができ、記録密度を最も高める
ことが可能となる。
【００１６】
〔実施の形態１〕本発明の実施の一形態について図１な
いし図１１に基づいて説明すれば、以下の通りである。
まず、比較用の、従来の静磁結合を用いた磁気的超解像
ディスクについて説明する。この比較用の光磁気ディス
クは、図２に示すように、基板１、透明誘電体層２、再
生層３、非磁性層（第１非磁性層）４、記録層５、保護
層８、およびオーバーコート層９がこの順に積層された
構成を有している。光ビーム１０が対物レンズ１１によ
り透明誘電体層２から保護層８までの層に絞り込まれ、
外部磁界１２の下、記録再生が行われるようになってい
る。このとき、温度分布１３が生じるとともに、記録層
５のマーク（記録ビット）から漏洩磁界の磁束１４が漏
れる。
いし図１１に基づいて説明すれば、以下の通りである。
まず、比較用の、従来の静磁結合を用いた磁気的超解像
ディスクについて説明する。この比較用の光磁気ディス
クは、図２に示すように、基板１、透明誘電体層２、再
生層３、非磁性層（第１非磁性層）４、記録層５、保護
層８、およびオーバーコート層９がこの順に積層された
構成を有している。光ビーム１０が対物レンズ１１によ
り透明誘電体層２から保護層８までの層に絞り込まれ、
外部磁界１２の下、記録再生が行われるようになってい
る。このとき、温度分布１３が生じるとともに、記録層
５のマーク（記録ビット）から漏洩磁界の磁束１４が漏
れる。
【００１７】再生層３および記録層５は希土類遷移金属
アモルファス合金で構成されている。図２中、白抜きの
矢印は飽和磁化を表し、実線のの矢印は遷移金属の磁化
を表す。
アモルファス合金で構成されている。図２中、白抜きの
矢印は飽和磁化を表し、実線のの矢印は遷移金属の磁化
を表す。
【００１８】この比較用の光磁気ディスクでは、再生層
３の磁化方向を、集光された光ビーム１０により発生す
る温度分布１３に基づき制御している。これによって、
光ビーム１０が照射されている部分のうち高温になって
いる部分の再生層３の磁化を、記録層５に形成されたマ
ークから発生する漏洩磁界の方向に向けている。そし
て、低温になっている部分の再生層３の磁化を外部磁界
１２の方向に向ける。これにより、集光された光ビーム
１０のビーム径よりも小さなピッチで記録された記録層
５の情報の再生を可能にしている。
３の磁化方向を、集光された光ビーム１０により発生す
る温度分布１３に基づき制御している。これによって、
光ビーム１０が照射されている部分のうち高温になって
いる部分の再生層３の磁化を、記録層５に形成されたマ
ークから発生する漏洩磁界の方向に向けている。そし
て、低温になっている部分の再生層３の磁化を外部磁界
１２の方向に向ける。これにより、集光された光ビーム
１０のビーム径よりも小さなピッチで記録された記録層
５の情報の再生を可能にしている。
【００１９】基板１にはポリカーボネート基板を用いて
いる。透明誘電体層２は膜厚７０ｎｍのＡｌＮを用い
た。再生層３は、膜厚３０ｎｍのＧｄＦｅＣｏである。
非磁性層４は、膜厚１５ｎｍのＡｌＮである。記録層５
は膜厚４０ｎｍのＤｙＦｅＣｏである。保護層８は膜厚
３０ｎｍのＡｌＮである。オーバーコート層９として、
５μｍの紫外線硬化樹脂を形成した。
いる。透明誘電体層２は膜厚７０ｎｍのＡｌＮを用い
た。再生層３は、膜厚３０ｎｍのＧｄＦｅＣｏである。
非磁性層４は、膜厚１５ｎｍのＡｌＮである。記録層５
は膜厚４０ｎｍのＤｙＦｅＣｏである。保護層８は膜厚
３０ｎｍのＡｌＮである。オーバーコート層９として、
５μｍの紫外線硬化樹脂を形成した。
【００２０】図３を用いて再生方法について詳しく説明
する。図３は、再生層３および記録層５の飽和磁化（Ｍ
ｓとする）の温度依存性を表したものである。各層は、
希土類遷移金属アモルファス合金により作製されてお
り、フェリ磁性体である。希土類金属の磁化と遷移金属
の磁化とは反平行に結合している。磁化の大きさが互い
に等しいとき、各磁化の和、すなわち飽和磁化は０とな
る。この状態を実現する温度を補償温度、この状態を実
現する組成を補償組成と呼ぶ。
する。図３は、再生層３および記録層５の飽和磁化（Ｍ
ｓとする）の温度依存性を表したものである。各層は、
希土類遷移金属アモルファス合金により作製されてお
り、フェリ磁性体である。希土類金属の磁化と遷移金属
の磁化とは反平行に結合している。磁化の大きさが互い
に等しいとき、各磁化の和、すなわち飽和磁化は０とな
る。この状態を実現する温度を補償温度、この状態を実
現する組成を補償組成と呼ぶ。
【００２１】希土類遷移金属合金では、補償温度より低
い温度では、希土類金属の磁化が遷移金属の磁化よりも
大きくなるため、飽和磁化は希土類金属の磁化の方向を
向く。一方、補償温度よりも高い温度では、希土類金属
の磁化が遷移金属の磁化よりも小さくなるため、飽和磁
化は遷移金属の磁化の方向を向くことになる。以降、希
土類金属の磁化が遷移金属の磁化よりも大きい場合をRa
re-Earth-rich(RE-rich)と呼び、逆の場合をTransition
-Metal-rich(TM-rich)と呼ぶ。
い温度では、希土類金属の磁化が遷移金属の磁化よりも
大きくなるため、飽和磁化は希土類金属の磁化の方向を
向く。一方、補償温度よりも高い温度では、希土類金属
の磁化が遷移金属の磁化よりも小さくなるため、飽和磁
化は遷移金属の磁化の方向を向くことになる。以降、希
土類金属の磁化が遷移金属の磁化よりも大きい場合をRa
re-Earth-rich(RE-rich)と呼び、逆の場合をTransition
-Metal-rich(TM-rich)と呼ぶ。
【００２２】図３では、RE-rich のときの飽和磁化を負
で表し、TM-rich のときの飽和磁化を正で表している。
再生層３は室温でTM-rich の特性を持ち、飽和磁化は10
0(emu/cc) で、キュリー温度は３４０℃である。記録層
５は室温が補償温度であり、１４０℃ではTM-rich で、
100(emu/cc) の飽和磁化を持ち、キュリー温度は２３０
℃である。
で表し、TM-rich のときの飽和磁化を正で表している。
再生層３は室温でTM-rich の特性を持ち、飽和磁化は10
0(emu/cc) で、キュリー温度は３４０℃である。記録層
５は室温が補償温度であり、１４０℃ではTM-rich で、
100(emu/cc) の飽和磁化を持ち、キュリー温度は２３０
℃である。
【００２３】図２において、記録層５のマークのうち、
レーザー光照射により高温になったマークは、図３から
分かるように、飽和磁化を持つことになる。この高温部
に位置する記録層５の飽和磁化からは、図２に示した磁
束１４ａ・１４ｂが発生する。一方、記録層５の低温部
に位置するマークは、温度が室温付近にあるため、飽和
磁化はほぼ０である。したがって、低温部に位置するマ
ークからは磁束は発生しない。
レーザー光照射により高温になったマークは、図３から
分かるように、飽和磁化を持つことになる。この高温部
に位置する記録層５の飽和磁化からは、図２に示した磁
束１４ａ・１４ｂが発生する。一方、記録層５の低温部
に位置するマークは、温度が室温付近にあるため、飽和
磁化はほぼ０である。したがって、低温部に位置するマ
ークからは磁束は発生しない。
【００２４】高温部に位置する記録層５のマークから発
生する磁束のうち、磁束１４ａは、再生層３の飽和磁化
の方向を、高温部に位置する記録層５のマークの飽和磁
化の方向に向ける働きをする。したがって、再生層３の
高温部に位置する部分の飽和磁化は、記録層５の高温部
に位置するマークの飽和磁化の方向に一致する。
生する磁束のうち、磁束１４ａは、再生層３の飽和磁化
の方向を、高温部に位置する記録層５のマークの飽和磁
化の方向に向ける働きをする。したがって、再生層３の
高温部に位置する部分の飽和磁化は、記録層５の高温部
に位置するマークの飽和磁化の方向に一致する。
【００２５】これに対して、再生層３の低温部に位置す
る部分の飽和磁化は、同じく低温部に位置する記録層５
のマークから発生する磁束がないため、外部磁界１２の
方向を向くことになる。
る部分の飽和磁化は、同じく低温部に位置する記録層５
のマークから発生する磁束がないため、外部磁界１２の
方向を向くことになる。
【００２６】図４は、この比較用の光磁気ディスクを上
から見た図である。光ビームスポット４０１は、ディス
ク基板上に形成されたトラック４００に沿って矢印４０
３の方向に移動する。光ビームスポット４０１の移動に
伴い、その移動速度に対応して、光磁気ディスクには温
度分布すなわち等温線４０２が発生する。
から見た図である。光ビームスポット４０１は、ディス
ク基板上に形成されたトラック４００に沿って矢印４０
３の方向に移動する。光ビームスポット４０１の移動に
伴い、その移動速度に対応して、光磁気ディスクには温
度分布すなわち等温線４０２が発生する。
【００２７】光ビームスポット４０１が移動することに
より、光磁気ディスクにおいて温度が高くなる部分は、
光ビームスポット４０１の後方に位置することになる。
ここで、等温線４０２のうち、等温線４０２ａは１２０
℃を示す。また、最も温度の高い部位は１４０℃になっ
ている。
より、光磁気ディスクにおいて温度が高くなる部分は、
光ビームスポット４０１の後方に位置することになる。
ここで、等温線４０２のうち、等温線４０２ａは１２０
℃を示す。また、最も温度の高い部位は１４０℃になっ
ている。
【００２８】次に、図５は、図４のようにトラック４０
０に光ビームを照射して読み出し動作を行っているとき
の、トラック４００の断面である。図中、基板１、保護
層８、およびオーバーコート層９の図示は省略してい
る。
０に光ビームを照射して読み出し動作を行っているとき
の、トラック４００の断面である。図中、基板１、保護
層８、およびオーバーコート層９の図示は省略してい
る。
【００２９】図５中、矢印は各層の遷移金属の磁化を示
しており、記録層５には情報が記録されているため、上
下方向の矢印が交互に描かれている。再生層３では、光
ビーム４２０の照射で生じた等温線４０２ａより温度の
高い領域で遷移金属の磁化４２１がその真下の記録層５
の遷移金属の磁化４２２に従って上を向き、温度の低い
領域では外部磁界１２に従って下を向く。
しており、記録層５には情報が記録されているため、上
下方向の矢印が交互に描かれている。再生層３では、光
ビーム４２０の照射で生じた等温線４０２ａより温度の
高い領域で遷移金属の磁化４２１がその真下の記録層５
の遷移金属の磁化４２２に従って上を向き、温度の低い
領域では外部磁界１２に従って下を向く。
【００３０】このとき、図４において光ビームスポット
４０１の中の等温線４０２ａの内側の領域のみから記録
層５の情報が磁化の形で読みだされ、他の領域は常に外
部磁界１２に応じて一方向を向いている。この結果、記
録層５の情報が読みだされる領域が光ビームスポット４
０１の面積よりも小さくなるため、光ビームの回折限界
を越えた分解能で情報を読みだすことができるようにな
る。したがって、通常の、基板上に形成される磁性層が
１層だけの光磁気記録媒体よりも高分解能で読みだせる
こととなり、記録密度を高めることが可能になる。
４０１の中の等温線４０２ａの内側の領域のみから記録
層５の情報が磁化の形で読みだされ、他の領域は常に外
部磁界１２に応じて一方向を向いている。この結果、記
録層５の情報が読みだされる領域が光ビームスポット４
０１の面積よりも小さくなるため、光ビームの回折限界
を越えた分解能で情報を読みだすことができるようにな
る。したがって、通常の、基板上に形成される磁性層が
１層だけの光磁気記録媒体よりも高分解能で読みだせる
こととなり、記録密度を高めることが可能になる。
【００３１】図６は、この比較用の光磁気ディスクを５
ｍ／ｓの線速で波長６８０ｎｍのレーザー光を用い、１
００（Ｏｅ）の外部磁界の下、再生レーザーパワー２．
３ｍＷで再生したときの信号品質ＣＮＲとマーク長との
関係を表すものである。
ｍ／ｓの線速で波長６８０ｎｍのレーザー光を用い、１
００（Ｏｅ）の外部磁界の下、再生レーザーパワー２．
３ｍＷで再生したときの信号品質ＣＮＲとマーク長との
関係を表すものである。
【００３２】図７は、この比較用の光磁気ディスクの非
磁性層４の膜厚を変えて０．３μｍ長のマークを再生し
たときのＣＮＲの変化を表している。測定条件は図６で
の測定条件と同じである。非磁性層４の膜厚が２０ｎｍ
以上の厚さのときは、記録層５が再生層３の位置に作る
磁界が小さくなるため、ＣＮＲは低下する。非磁性層４
の膜厚が５ｎｍ以下のときにＣＮＲが低下している理由
は明らかでないが、おそらく、膜厚が薄すぎることによ
って均一で平滑な膜が出来ていないためと考えられる。
図７から、この比較用の光磁気ディスクの場合、非磁性
層４の膜厚としては１５ｎｍ程度が適当であることが分
かる。
磁性層４の膜厚を変えて０．３μｍ長のマークを再生し
たときのＣＮＲの変化を表している。測定条件は図６で
の測定条件と同じである。非磁性層４の膜厚が２０ｎｍ
以上の厚さのときは、記録層５が再生層３の位置に作る
磁界が小さくなるため、ＣＮＲは低下する。非磁性層４
の膜厚が５ｎｍ以下のときにＣＮＲが低下している理由
は明らかでないが、おそらく、膜厚が薄すぎることによ
って均一で平滑な膜が出来ていないためと考えられる。
図７から、この比較用の光磁気ディスクの場合、非磁性
層４の膜厚としては１５ｎｍ程度が適当であることが分
かる。
【００３３】次に、本発明に係る光磁気記録媒体の例に
ついて説明する。図１に示すように、基板１、透明誘電
体層２、再生層３、非磁性層（第１非磁性層）４、記録
層５、非磁性層（第２非磁性層）６、裏打ち層７、保護
層８、およびオーバーコート層９がこの順に積層された
構成を有する光磁気ディスク（光磁気記録媒体）を作製
した。
ついて説明する。図１に示すように、基板１、透明誘電
体層２、再生層３、非磁性層（第１非磁性層）４、記録
層５、非磁性層（第２非磁性層）６、裏打ち層７、保護
層８、およびオーバーコート層９がこの順に積層された
構成を有する光磁気ディスク（光磁気記録媒体）を作製
した。
【００３４】非磁性層６は膜厚１０ｎｍのＡｌＮであ
り、裏打ち層７は強磁性材料からなる軟磁性体である膜
厚２０ｎｍのパーマロイから成っており、記録層５と静
磁結合している。他の層および基板は、上記比較用の光
磁気ディスクと同じ材料、同じ膜厚からなっている。
り、裏打ち層７は強磁性材料からなる軟磁性体である膜
厚２０ｎｍのパーマロイから成っており、記録層５と静
磁結合している。他の層および基板は、上記比較用の光
磁気ディスクと同じ材料、同じ膜厚からなっている。
【００３５】記録層５は、情報をマーク（記録ビット）
として記録するものである。再生層３は、記録層５に積
層され、記録層５と静磁結合しているが、交換結合はし
ていない。そして再生層３は、再生時に光ビームにより
作られた温度分布を利用して記録層５の磁化が転写さ
れ、記録層５に記録された情報がここから読み出される
ようになっている。
として記録するものである。再生層３は、記録層５に積
層され、記録層５と静磁結合しているが、交換結合はし
ていない。そして再生層３は、再生時に光ビームにより
作られた温度分布を利用して記録層５の磁化が転写さ
れ、記録層５に記録された情報がここから読み出される
ようになっている。
【００３６】図８は、本光磁気ディスクを５ｍ／ｓの線
速で波長６８０ｎｍのレーザー光を用い、かつ、外部磁
界を印加しないで、再生レーザーパワー２．５ｍＷで再
生したときのＣＮＲとマーク長との関係を表すものであ
る。図６と図８とを比較すると、本光磁気ディスクで
は、短いマーク長で、より大きなＣＮＲが得られている
ことが分かる。
速で波長６８０ｎｍのレーザー光を用い、かつ、外部磁
界を印加しないで、再生レーザーパワー２．５ｍＷで再
生したときのＣＮＲとマーク長との関係を表すものであ
る。図６と図８とを比較すると、本光磁気ディスクで
は、短いマーク長で、より大きなＣＮＲが得られている
ことが分かる。
【００３７】通常、再生信号を処理して誤りなく情報を
再生するためには、４５ｄＢ以上のＣＮＲが必要であ
る。図６に示した従来の光磁気ディスクでは、マーク長
０．５μｍ以上で４５ｄＢ以上のＣＮＲが得られている
が、本光磁気ディスクでは、図８から分かるように、
０．２５μｍ以上のマーク長で４５ｄＢ以上のＣＮＲが
得られ、高記録密度化が可能になった。
再生するためには、４５ｄＢ以上のＣＮＲが必要であ
る。図６に示した従来の光磁気ディスクでは、マーク長
０．５μｍ以上で４５ｄＢ以上のＣＮＲが得られている
が、本光磁気ディスクでは、図８から分かるように、
０．２５μｍ以上のマーク長で４５ｄＢ以上のＣＮＲが
得られ、高記録密度化が可能になった。
【００３８】このように短いマーク長でのＣＮＲが向上
する理由を説明する。図９は、図２に示した比較用の光
磁気ディスクの、再生層３、非磁性層４、および記録層
５の部位を拡大して図示したものである。記録層５では
温度の高い部分にあるマークのみが飽和磁化を持つこと
となり、この部分にのみ磁気モーメント８１が発生す
る。この磁気モーメント８１からは磁力線８３が生じ
る。この磁力線８３の密度、すなわち磁界によって、再
生層３の磁気モーメント８２は記録層５の磁気モーメン
ト８１と同じ方向を向くこととなる。
する理由を説明する。図９は、図２に示した比較用の光
磁気ディスクの、再生層３、非磁性層４、および記録層
５の部位を拡大して図示したものである。記録層５では
温度の高い部分にあるマークのみが飽和磁化を持つこと
となり、この部分にのみ磁気モーメント８１が発生す
る。この磁気モーメント８１からは磁力線８３が生じ
る。この磁力線８３の密度、すなわち磁界によって、再
生層３の磁気モーメント８２は記録層５の磁気モーメン
ト８１と同じ方向を向くこととなる。
【００３９】磁気モーメント８２が磁気モーメント８１
と同じ方向を向く際の向きやすさは、磁気モーメント８
１が磁気モーメント８２の位置に作る磁界の大きさに依
存する。この磁界が大きいほど、磁気モーメント８２は
磁気モーメント８１に従いやすくなる。このことは、再
生層３の位置に作られる記録層５からの磁界が大きいほ
ど、再生層３の磁気モーメント８２のうちで記録層５の
磁気モーメント８１に従うものが多くなること、すなわ
ち、再生層３では記録層５の磁気モーメント８１と同じ
方向の磁気モーメントを持った部分の面積が大きくなる
ことを意味する。
と同じ方向を向く際の向きやすさは、磁気モーメント８
１が磁気モーメント８２の位置に作る磁界の大きさに依
存する。この磁界が大きいほど、磁気モーメント８２は
磁気モーメント８１に従いやすくなる。このことは、再
生層３の位置に作られる記録層５からの磁界が大きいほ
ど、再生層３の磁気モーメント８２のうちで記録層５の
磁気モーメント８１に従うものが多くなること、すなわ
ち、再生層３では記録層５の磁気モーメント８１と同じ
方向の磁気モーメントを持った部分の面積が大きくなる
ことを意味する。
【００４０】一般に、マークが小さくなれば、そこから
発生する磁束は少なくなり、作られる磁界も小さくな
る。このことが図６において短いマーク長でＣＮＲが小
さくなる原因である。逆に言うと、小さいマーク長にお
いても、記録層５が再生層３の位置に作る磁界を大きく
すれば、ＣＮＲを大きくすることができる。
発生する磁束は少なくなり、作られる磁界も小さくな
る。このことが図６において短いマーク長でＣＮＲが小
さくなる原因である。逆に言うと、小さいマーク長にお
いても、記録層５が再生層３の位置に作る磁界を大きく
すれば、ＣＮＲを大きくすることができる。
【００４１】図１０は、図１に示した本実施の形態に係
る光磁気ディスクの、再生層３、非磁性層４、記録層
５、非磁性層６、および裏打ち層７の部位を拡大して図
示したものである。記録層５に出来る磁気モーメント９
１により、磁力線９３が生じている。また、再生層３は
磁気モーメント９２を持つ。図９と図１０とを比較する
と分かるように、記録層５の磁気モーメント９１から生
じる磁力線９３の様子が、裏打ち層７の有無により大き
く異なっている。
る光磁気ディスクの、再生層３、非磁性層４、記録層
５、非磁性層６、および裏打ち層７の部位を拡大して図
示したものである。記録層５に出来る磁気モーメント９
１により、磁力線９３が生じている。また、再生層３は
磁気モーメント９２を持つ。図９と図１０とを比較する
と分かるように、記録層５の磁気モーメント９１から生
じる磁力線９３の様子が、裏打ち層７の有無により大き
く異なっている。
【００４２】すなわち、図１０において、裏打ち層７は
軟磁性体であるパーマロイから成っているため、磁力線
９３は裏打ち層７にほぼ垂直に入射する。このことは、
図９の場合と比べ、図１０の場合では、磁力線９３がよ
り遠くまで達していることを意味する。つまり、記録層
５の磁気モーメント９１が再生層３の位置に作る磁界
は、図９に比べ、図１０のほうが大きくなっていること
になる。このため、再生時の記録層５と再生層３との間
の静磁結合が図９の場合よりも強くなる。
軟磁性体であるパーマロイから成っているため、磁力線
９３は裏打ち層７にほぼ垂直に入射する。このことは、
図９の場合と比べ、図１０の場合では、磁力線９３がよ
り遠くまで達していることを意味する。つまり、記録層
５の磁気モーメント９１が再生層３の位置に作る磁界
は、図９に比べ、図１０のほうが大きくなっていること
になる。このため、再生時の記録層５と再生層３との間
の静磁結合が図９の場合よりも強くなる。
【００４３】よって、裏打ち層７を設けると、上述した
理由から、再生層３では、記録層５の磁気モーメント９
１と同じ方向の磁気モーメントを持った部分の面積が大
きくなる。言い換えれば、再生層３において、記録層５
から記録ビット（マーク）が転写される領域が大きくな
る。したがって、記録層５中の小さな記録ビットが再生
層３中の大きな領域に転写されるため、記録層５中の小
さな記録ビットすなわち短いマークを再生したときでも
ＣＮＲが劣化しにくくなり、良好な信号品質が得られ
る。
理由から、再生層３では、記録層５の磁気モーメント９
１と同じ方向の磁気モーメントを持った部分の面積が大
きくなる。言い換えれば、再生層３において、記録層５
から記録ビット（マーク）が転写される領域が大きくな
る。したがって、記録層５中の小さな記録ビットが再生
層３中の大きな領域に転写されるため、記録層５中の小
さな記録ビットすなわち短いマークを再生したときでも
ＣＮＲが劣化しにくくなり、良好な信号品質が得られ
る。
【００４４】以上が、本実施の形態に係る光磁気ディス
クで短いマーク長でのＣＮＲが向上する理由である。
クで短いマーク長でのＣＮＲが向上する理由である。
【００４５】図１１は、本光磁気ディスクの非磁性層４
の膜厚を変えて、０．３μｍ長のマークを再生したとき
のＣＮＲの変化を表している。測定条件は、図８での測
定条件と同じである。非磁性層４の膜厚とＣＮＲとの関
係は図７で示したものと同様であるが、膜厚を厚くした
ときのＣＮＲの低下が、図７の場合に比べて小さいこと
が分かる。これは、本実施の形態に係る光磁気ディスク
では、記録層５から発生する磁力線が比較用の光磁気デ
ィスクに比べて、より遠くまで達しているためである。
の膜厚を変えて、０．３μｍ長のマークを再生したとき
のＣＮＲの変化を表している。測定条件は、図８での測
定条件と同じである。非磁性層４の膜厚とＣＮＲとの関
係は図７で示したものと同様であるが、膜厚を厚くした
ときのＣＮＲの低下が、図７の場合に比べて小さいこと
が分かる。これは、本実施の形態に係る光磁気ディスク
では、記録層５から発生する磁力線が比較用の光磁気デ
ィスクに比べて、より遠くまで達しているためである。
【００４６】〔実施の形態２〕本発明の他の実施の形態
について、図１、図２、図８、図１２、図１３および図
１５に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、
説明の便宜上、前記の実施の形態の図面に示した部材と
同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記してそ
の説明を省略する。
について、図１、図２、図８、図１２、図１３および図
１５に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、
説明の便宜上、前記の実施の形態の図面に示した部材と
同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記してそ
の説明を省略する。
【００４７】図１２に示すように、基板１、透明誘電体
層２、再生層３、非磁性層（第１非磁性層）２４、記録
層５、非磁性層（第２非磁性層）６、裏打ち層７、保護
層８、オーバーコート層９がこの順に積層された構成を
有する光磁気ディスク（光磁気記録媒体）を作製した。
層２、再生層３、非磁性層（第１非磁性層）２４、記録
層５、非磁性層（第２非磁性層）６、裏打ち層７、保護
層８、オーバーコート層９がこの順に積層された構成を
有する光磁気ディスク（光磁気記録媒体）を作製した。
【００４８】ここで、非磁性層２４は、再生層３に近い
順に、透明誘電体層２４ａと非磁性金属膜層２４ｂとか
ら成っている。
順に、透明誘電体層２４ａと非磁性金属膜層２４ｂとか
ら成っている。
【００４９】再生層３は膜厚２０ｎｍのＧｄＦｅＣｏで
ある。透明誘電体層２４ａは膜厚３０ｎｍのＡｌＮであ
り、非磁性金属膜層２４ｂは膜厚１０ｎｍのＡｌから形
成されている。これら以外の層は実施の形態１で述べた
構成と同じである。
ある。透明誘電体層２４ａは膜厚３０ｎｍのＡｌＮであ
り、非磁性金属膜層２４ｂは膜厚１０ｎｍのＡｌから形
成されている。これら以外の層は実施の形態１で述べた
構成と同じである。
【００５０】図１３は、本光磁気ディスクを５ｍ／ｓの
線速で波長６８０ｎｍのレーザー光を用い、外部磁界を
印加しないで、再生レーザーパワー２．５ｍＷで再生し
たときのＣＮＲとマーク長との関係を表すものである。
図１３から明らかなように、マーク長が０．２μｍとい
った短さのときでも、４５ｄＢ以上の良好なＣＮＲを達
成している。すなわち、図８に示す実施の形態１の場合
と比較すると、本実施の形態２の場合は、短いマーク長
で、実施の形態１よりもさらに大きなＣＮＲが得られ、
さらなる高記録密度化が可能になる。このように、実施
の形態１と比べて実施の形態２のほうがＣＮＲが大きく
なるのは、以下の理由による。
線速で波長６８０ｎｍのレーザー光を用い、外部磁界を
印加しないで、再生レーザーパワー２．５ｍＷで再生し
たときのＣＮＲとマーク長との関係を表すものである。
図１３から明らかなように、マーク長が０．２μｍとい
った短さのときでも、４５ｄＢ以上の良好なＣＮＲを達
成している。すなわち、図８に示す実施の形態１の場合
と比較すると、本実施の形態２の場合は、短いマーク長
で、実施の形態１よりもさらに大きなＣＮＲが得られ、
さらなる高記録密度化が可能になる。このように、実施
の形態１と比べて実施の形態２のほうがＣＮＲが大きく
なるのは、以下の理由による。
【００５１】図１５は、現在市販されている光磁気ディ
スクの断面図である。基板１３１上に、透明誘電体層１
３２、記録層１３３、透明誘電体層１３４、反射膜層１
３５、およびオーバーコート層１３６が積層された構成
になっている。透明誘電体層１３２および透明誘電体層
１３４にはＡｌＮやＳｉＮが用いられる。記録層１３３
にはＴｂＦｅＣｏやＤｙＦｅＣｏといった希土類遷移金
属アモルファス合金が用いられ、反射膜層１３５にはＡ
ｌ等が用いられる。基板１３１から反射膜層１３５まで
の構造は、反射膜構造と呼ばれ、反射膜層１３５が無い
場合と比べて良好な信号品質が得られる。
スクの断面図である。基板１３１上に、透明誘電体層１
３２、記録層１３３、透明誘電体層１３４、反射膜層１
３５、およびオーバーコート層１３６が積層された構成
になっている。透明誘電体層１３２および透明誘電体層
１３４にはＡｌＮやＳｉＮが用いられる。記録層１３３
にはＴｂＦｅＣｏやＤｙＦｅＣｏといった希土類遷移金
属アモルファス合金が用いられ、反射膜層１３５にはＡ
ｌ等が用いられる。基板１３１から反射膜層１３５まで
の構造は、反射膜構造と呼ばれ、反射膜層１３５が無い
場合と比べて良好な信号品質が得られる。
【００５２】図１２に示すように、本実施の形態に係る
光磁気ディスクにおいて、基板１、透明誘電体層２、再
生層３、透明誘電体層２４ａ、および非磁性金属膜層２
４ｂからなる構造は、まさにこの反射膜構造となってい
る。一方、図１に示すように、実施の形態１に係る光磁
気ディスクにおける基板１から記録層５までの構成は、
記録層５が情報を持っている層であるため、反射膜構造
にはなっていない。このため、本実施の形態に係る光磁
気ディスクでは、実施の形態１の場合よりもさらに大き
なＣＮＲが得られる。
光磁気ディスクにおいて、基板１、透明誘電体層２、再
生層３、透明誘電体層２４ａ、および非磁性金属膜層２
４ｂからなる構造は、まさにこの反射膜構造となってい
る。一方、図１に示すように、実施の形態１に係る光磁
気ディスクにおける基板１から記録層５までの構成は、
記録層５が情報を持っている層であるため、反射膜構造
にはなっていない。このため、本実施の形態に係る光磁
気ディスクでは、実施の形態１の場合よりもさらに大き
なＣＮＲが得られる。
【００５３】なお、図１２に示す本実施の形態に係る光
磁気ディスクの構成から、裏打ち層７を取り除いた構成
の光磁気ディスクにおいては、本質的に、図２に比較用
に示した従来の静磁結合・磁気的超解像ディスクと同様
になり、十分なＣＮＲが得られなくなる。すなわち、裏
打ち層７があるがゆえに、反射膜構造を取ることが可能
となる。
磁気ディスクの構成から、裏打ち層７を取り除いた構成
の光磁気ディスクにおいては、本質的に、図２に比較用
に示した従来の静磁結合・磁気的超解像ディスクと同様
になり、十分なＣＮＲが得られなくなる。すなわち、裏
打ち層７があるがゆえに、反射膜構造を取ることが可能
となる。
【００５４】〔実施の形態３〕本発明の他の実施の形態
について、図１、図１１および図１４に基づいて説明す
れば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の
実施の形態の図面に示した部材と同一の機能を有する部
材には、同一の符号を付記してその説明を省略する。
について、図１、図１１および図１４に基づいて説明す
れば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の
実施の形態の図面に示した部材と同一の機能を有する部
材には、同一の符号を付記してその説明を省略する。
【００５５】図１に示す構成の光磁気ディスク（光磁気
記録媒体）において、非磁性層（第１非磁性層）４は膜
厚１５ｎｍのＡｌＮとし、非磁性層６の膜厚を種々変化
させ、他の層および基板は実施の形態１における本発明
に係る光磁気ディスク（光磁気記録媒体）と同じ材料、
膜厚からなる光磁気ディスクを作製した。
記録媒体）において、非磁性層（第１非磁性層）４は膜
厚１５ｎｍのＡｌＮとし、非磁性層６の膜厚を種々変化
させ、他の層および基板は実施の形態１における本発明
に係る光磁気ディスク（光磁気記録媒体）と同じ材料、
膜厚からなる光磁気ディスクを作製した。
【００５６】図１４は、０．３μｍ長のマークを再生し
たときのＣＮＲと非磁性層６の膜厚との関係を表してい
る。測定条件は図８の測定条件と同じである。図１１の
場合と同様に、非磁性層６の膜厚もＣＮＲに大きく影響
する。
たときのＣＮＲと非磁性層６の膜厚との関係を表してい
る。測定条件は図８の測定条件と同じである。図１１の
場合と同様に、非磁性層６の膜厚もＣＮＲに大きく影響
する。
【００５７】図１１より、４５ｄＢ以上の良好なＣＮＲ
を得るには、磁性層４の膜厚（Ｄ4とする）としては １０ｎｍ≦Ｄ4 ≦２０ｎｍ とすることで大きな効果が得られることが分かる。
を得るには、磁性層４の膜厚（Ｄ4とする）としては １０ｎｍ≦Ｄ4 ≦２０ｎｍ とすることで大きな効果が得られることが分かる。
【００５８】また、図１４より、同様に、非磁性層６の
膜厚（Ｄ6 とする）としては ５ｎｍ≦Ｄ6 ≦２０ｎｍ とすることで、同様に大きな効果が得られることが分か
る。
膜厚（Ｄ6 とする）としては ５ｎｍ≦Ｄ6 ≦２０ｎｍ とすることで、同様に大きな効果が得られることが分か
る。
【００５９】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の光磁気記
録媒体は、情報をマークとして記録する記録層と、記録
層に積層され、高温時に記録層の磁化が転写される再生
層とが設けられた光磁気記録媒体であって、記録層の、
再生層が設けられていない側の面に、軟磁性体である裏
打ち層が設けられている構成である。
録媒体は、情報をマークとして記録する記録層と、記録
層に積層され、高温時に記録層の磁化が転写される再生
層とが設けられた光磁気記録媒体であって、記録層の、
再生層が設けられていない側の面に、軟磁性体である裏
打ち層が設けられている構成である。
【００６０】それゆえ、例えば０．２５μｍのような短
いマークを再生したときでも、良好なＣＮＲを得ること
ができ、記録密度を高めることができるという効果を奏
する。
いマークを再生したときでも、良好なＣＮＲを得ること
ができ、記録密度を高めることができるという効果を奏
する。
【００６１】請求項２記載の光磁気記録媒体は、請求項
１の構成に加えて、再生層に面した透明誘電体層と、記
録層に面した非磁性金属膜層とから成る、非磁性層が、
再生層と記録層との間に設けられている構成である。
１の構成に加えて、再生層に面した透明誘電体層と、記
録層に面した非磁性金属膜層とから成る、非磁性層が、
再生層と記録層との間に設けられている構成である。
【００６２】それゆえ、さらに良好なＣＮＲを得ること
ができ、記録密度を高めることができるという効果を奏
する。
ができ、記録密度を高めることができるという効果を奏
する。
【００６３】請求項３記載の光磁気記録媒体は、請求項
１または２記載の構成に加えて、膜厚が１０ｎｍ以上２
０ｎｍ以下である第１非磁性層が再生層と記録層との間
に設けられ、膜厚が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である第２
非磁性層が記録層と裏打ち層との間に設けられたことを
特徴としている。
１または２記載の構成に加えて、膜厚が１０ｎｍ以上２
０ｎｍ以下である第１非磁性層が再生層と記録層との間
に設けられ、膜厚が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である第２
非磁性層が記録層と裏打ち層との間に設けられたことを
特徴としている。
【００６４】すなわち、請求項３記載の光磁気記録媒体
は、請求項１または２に記載の光磁気記録媒体の再生
層、記録層、および裏打ち層の間に挟まれる非磁性層と
して最も効果的な膜厚の非磁性層を持った構成となって
いる。したがって、層の膜厚を上記の構成のような範囲
に設定することで、最も良好なＣＮＲを得ることがで
き、記録密度を高めることができるという効果を奏す
る。
は、請求項１または２に記載の光磁気記録媒体の再生
層、記録層、および裏打ち層の間に挟まれる非磁性層と
して最も効果的な膜厚の非磁性層を持った構成となって
いる。したがって、層の膜厚を上記の構成のような範囲
に設定することで、最も良好なＣＮＲを得ることがで
き、記録密度を高めることができるという効果を奏す
る。
【図１】本発明に係る光磁気ディスクの一構成例を示す
説明図である。
説明図である。
【図２】比較用の光磁気ディスクの一構成例を示す説明
図である。
図である。
【図３】再生層と記録層との飽和磁化の温度依存性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図４】光磁気ディスクを再生する様子を示す説明図で
ある。
ある。
【図５】光磁気ディスクを再生する様子を示す説明図で
ある。
ある。
【図６】比較用の光磁気ディスクの記録マーク長と再生
信号品質ＣＮＲとの関係を示すグラフである。
信号品質ＣＮＲとの関係を示すグラフである。
【図７】比較用の光磁気ディスクの非磁性層の膜厚が再
生信号品質ＣＮＲに及ぼす影響を示すグラフである。
生信号品質ＣＮＲに及ぼす影響を示すグラフである。
【図８】本発明に係る光磁気ディスクの記録マーク長と
再生信号品質ＣＮＲとの関係を示すグラフである。
再生信号品質ＣＮＲとの関係を示すグラフである。
【図９】比較用の光磁気ディスクを再生する際の再生層
と記録層との磁気モーメントおよび磁力線の様子を示す
説明図である。
と記録層との磁気モーメントおよび磁力線の様子を示す
説明図である。
【図１０】本発明に係る光磁気ディスクを再生する際の
再生層と記録層との磁気モーメントおよび磁力線の様子
を示す説明図である。
再生層と記録層との磁気モーメントおよび磁力線の様子
を示す説明図である。
【図１１】本発明に係る光磁気ディスクの非磁性層の膜
厚が再生信号品質ＣＮＲに及ぼす影響を示すグラフであ
る。
厚が再生信号品質ＣＮＲに及ぼす影響を示すグラフであ
る。
【図１２】本発明に係る光磁気ディスクの他の構成例を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図１３】本発明に係る光磁気ディスクの記録マーク長
と再生信号品質ＣＮＲとの関係を示すグラフである。
と再生信号品質ＣＮＲとの関係を示すグラフである。
【図１４】本発明に係る光磁気ディスクの非磁性層の膜
厚が再生信号品質ＣＮＲに及ぼす影響を示すグラフであ
る。
厚が再生信号品質ＣＮＲに及ぼす影響を示すグラフであ
る。
【図１５】従来の光磁気ディスクの構成例を示す説明図
である。
である。
１ 基板 ２ 透明誘電体層 ３ 再生層 ４ 非磁性層 ５ 記録層 ６ 非磁性層 ７ 裏打ち層 ８ 保護層 ９ オーバーコート層 １４ａ 磁束 １４ｂ 磁束 ２４ 非磁性層 ２４ａ 透明誘電体層 ２４ｂ 非磁性金属膜層 ９１ 磁気モーメント ９２ 磁気モーメント ９３ 磁力線 ４００ トラック ４０１ 光ビームスポット ４０２ 等温線 ４０２ａ 等温線 ４２１ 磁化 ４２２ 磁化
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 善照 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】情報をマークとして記録する記録層と、記
録層に積層され、高温時に記録層の磁化が転写される再
生層とが設けられた光磁気記録媒体であって、 記録層の、再生層が設けられていない側の面に、軟磁性
体である裏打ち層が設けられていることを特徴とする光
磁気記録媒体。 - 【請求項２】上記再生層に面した透明誘電体層と、記録
層に面した非磁性金属膜層とを有する、第１非磁性層
が、再生層と記録層との間に設けられていることを特徴
とする請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】膜厚が１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下である第
１非磁性層が再生層と記録層との間に設けられ、 膜厚が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である第２非磁性層が記
録層と裏打ち層との間に設けられたことを特徴とする請
求項１または２記載の光磁気記録媒体。
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