JPH09197615A - メモリ−素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】簡単な構成でかつ薄いメモリー素子を得る。 【解決手段】基板上に一般式［１］または［２］で示さ
れる構造を有する記憶媒体があることを特徴とするメモ
リ−素子。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、メモリ−素子に関
するものであり、さらに詳しくは、電子線、光、電気信
号などにより記憶が読み書きできる新規なメモリ−素子
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】これまでメモリ−素子は、電気信号によ
り情報の読み書きを行っていた半導体素子、磁気により
読み書きを行っていた磁気ディスク、光により読み書き
を行っていたコンパクトディスクなどが知られている。

【０００３】しかし、近来のメモリ−素子に対する大容
量のデ−タの読み書きに対しては、その記憶容量が不足
する事態が予測され、大容量のメモリ−素子の開発が望
まれていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の諸欠点に鑑み創案されたもので、本発明の目的は、
単純な構造で、小形化でき電気信号で読み書きできる大
容量のメモリ−素子を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
以下の構成を採ることにより達成される。

【０００６】（１）基板上に一般式［１］または［２］
で示される構造を有する記憶媒体があることを特徴とす
るメモリ−素子。

【０００７】

【化２】 （２）前記（１）において、基板と記憶媒体との間に電
極が、記憶媒体の上に電極があることを特徴とするメモ
リ−素子。

【０００８】（３）前記（１）において、基板と記憶媒
体との間に書き込み電極と読み込み電極が、記憶媒体の
上に書き込み電極と読み込み電極があることを特徴とす
るメモリ−素子。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明におけるメモリ−素子は、
基板上に一般式［１］または［２］で表される構造単位
を有する記憶媒体があるものであり、電圧変化で化合物
の中で電子の移動が起り、４００〜７５０ｎｍに新たな
吸収を持ったラジカルイオンの構造になることで色の変
化が起こることや、不対電子が発生することで電気抵抗
が変化することを利用したものである。メモリー素子と
して利用するには、例えば基板と記憶媒体の間に電極
を、記憶媒体の上に電極を設ければよい。好ましくは基
板と記憶媒体の間、記憶媒体の上のそれぞれに書き込み
電極と読み込み電極を設ければよい。

【００１０】本発明にかかるメモリー素子の例を図１〜
図４に示すが、これらに限定されるものではない。図１
は、紫外線、Ｘ線、電子線で書き込み、可視光線で読み
出す場合のメモリー素子の一例である。透明基板１の間
に記憶素子２が存在している。図２は、電気信号で書き
込み、読み出しを行う場合のメモリー素子の一例であ
る。一方の絶縁基板５の上に書き込み電極３と読み出し
電極４が設けられ、他方の絶縁基板５の上にも書き込み
電極３と読み出し電極４が設けられ、これらの間に記憶
素子２が存在している。図３は、紫外線、Ｘ線、電子線
で書き込みを行い、電気信号で読み出す場合のメモリー
素子の一例である。二つの透明基板１の上にそれぞれ読
み出し電極４が設けられ、その間に記憶素子２が存在し
ている。図４は、電気信号で書き込みを行い、可視光線
で読み出しを行う場合のメモリー素子の一例である。二
つの透明基板１の上にそれぞれ書き込み電極３が設けら
れ、その間に記憶素子２が存在している。

【００１１】本発明に用いる基板としては、電気抵抗の
変化を検知する方式の場合、半導体分野でよく使用され
るシリコン、ガラスなど電気抵抗が大きなものであれば
どのようなものでも使用することができる。また、可視
吸収の変化を検知する場合は、ガラス、あるいはポリメ
タクリレ−ト、ポリスチレン、ポリエチレン、ナイロ
ン、ポリエステルなどのプラスティック材料を挙げるこ
とができる。この場合、電極は酸化インジウムなどの可
視光に透明な電極を使用することが望ましい。

【００１２】本発明における、表示材料である構造単位
［１］または［２］で表される化合物は、いわゆるジイ
ミド化合物といわれるもので、この中のテトラカルボン
酸構造の部分が大きな電子吸引性を有しているために光
線照射で電荷移動反応が起こり、ラジカルイオンペア−
を分子内部で形成する。

【００１３】構造単位［１］または［２］中のＲ１中の
Ｒ４、Ｒ５は、水素または置換基であればよいが、Ｒ
４、Ｒ５の少なくとも一方が、炭素数１〜３０までの炭
化水素基、パーフルオロアルキル基、フェニル基、アル
キル置換フェニル基、ハロゲン置換フェニル基、塩素、
臭素、フッ素、パーフルオロアルキル置換フェニル基、
ナフチル基であることが好ましく、Ｒ４、Ｒ５の両方が
これらの置換基であることがより好ましい。

【００１４】このようなＲ１としては、次のような酸の
残基を挙げることができる。

【００１５】ピロメリット酸、３−フェニルピロメリッ
ト酸、３−トリフルオロメチルピロメリット酸、３−フ
ルオロピロメリット酸、３−クロロピロメリット酸、３
−ブロモピロメリット酸、３−ナフチルピロメリット
酸、３−（２’，３’，４’，５’−テトラフルオロフ
ェニル）ピロメリット酸、３−（２’−トリフルオロメ
チルフェニル）ピロメリット酸、３−（３’−トリフル
オロメチルフェニル）ピロメリット酸、３−（４’−ト
リフルオロメチルフェニル）ピロメリット酸、３−
（３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）
ピロメリット酸、３−（３’−フルオロフェニル）ピロ
メリット酸、３−（４’−フルオロフェニル）ピロメリ
ット酸、３−（３，４’−ジフルオロフェニル）ピロメ
リット酸、３−（３’−メチルフェニル）ピロメリット
酸、３−（４’−メチルフェニル）ピロメリット酸、３
−（３’−エチルフェニル）ピロメリット酸、３−
（４’−エチルフェニル）ピロメリット酸、３−（３’
−クロロフェニル）ピロメリット酸、３−（４’−クロ
ロフェニル）ピロメリット酸、３，６−ジフルオロピロ
メリット酸、３，６−ジクロロピロメリット酸、３，６
−ジフェニルピロメリット酸、３，６−ビス（３’−ト
リフルオロメチルフェニル）ピロメリット酸、３，６−
ビス（４’−トリフルオロメチルフェニル）ピロメリッ
ト酸、３，６−ビス（３’−フルオロフェニル）ピロメ
リット酸、３，６−ビス（４’−フルオロフェニル）ピ
ロメリット酸、３，６−ビス（３’，４’−ジフルオロ
フェニル）ピロメリット酸、３，６−ビス（２’，
３’，４’，５’−テトラフルオロフェニル）ピロメリ
ット酸、３，６−ビス（３’−メチルフェニル）ピロメ
リット酸、３，６−ビス（４’−メチルフェニル）ピロ
メリット酸、３，６−ビス（３’−クロロフェニル）ピ
ロメリット酸、３，６−ビス（４’−クロロフェニル）
ピロメリット酸、３，６−ビス（３’，５’−ビス（ト
リフルオロメチル）フェニル）ピロメリット酸、３，６
−ジナフチルピロメリット酸。

【００１６】本発明におけるポリマーは、Ｒ１がこれら
のうちの１種から構成されていても良いし、２種以上か
ら構成される共重合体であっても構わない。

【００１７】本発明のメモリ−材料である化合物［１］
または［２］は、ジイミド化合物でも、ポリマ−になっ
たものでも良い。以上の化合物は、Ｎ−メチルピロリド
ンなどの溶媒に溶かした状態で透明基板に挟んでも良い
し、フィルム状のものを挟んでも、蒸着などの手法で基
板に堆積しても良い。また、性能を向上させる目的で、
Ｎ−フェニルジエタノ−ルアミン、ミヒラ−ケトンなど
の芳香族アミン、テトラチアフルバレン、テトラシアノ
キノジメタン、テトラシアノエタンなどの電荷移動剤を
全体の１から１０モル％導入することもできる。

【００１８】また、３，３´，４，４´−ビフェニルテ
トラカルボン酸、３，３´，４，４´−ジフェニルエー
テルテトラカルボン酸、３，３´，４，４´−ジフェニ
ルヘキサフルオロプロパンテトラカルボン酸、ピロメリ
ット酸、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸、３，３´，４，４´−ジフェニルスルホンテ
トラカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸、シクロペン
タンテトラカルボン酸などを少量用いてその特性の変化
しない範囲で変性しても良い。

【００１９】Ｒ２としては、２価の有機基であれば特に
限定されないが、次のようなものが例示される。

【００２０】

【化３】 本発明におけるポリマーは、Ｒ２ がこれらのうちの１
種から構成されていても良いし、２種以上から構成され
る共重合体であっても構わない。

【００２１】さらに、ポリイミド系ポリマーの接着性を
向上させるために、耐熱性を低下させない範囲でＲ２と
して、シロキサン結合を有する脂肪族性の基を共重合す
ることも可能である。好ましい具体例としては、ビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンなど
が挙げられる。

【００２２】本発明におけるポリマーは、一般式［１］
または［２］で表される構造単位のみから成るものであ
っても良いし、他の構造単位との共重合体あるいはブレ
ンド体であっても良い。その際、一般式［１］または
［２］で表される構造単位を９０％以上含有しているこ
とが好ましい。共重合またはブレンドに用いられる構造
単位の種類、量は最終加熱処理によって得られるポリイ
ミド系ポリマーの耐熱性やプリベーク膜のｉ線に対する
透明性を著しく損なわない範囲で選択するのが望まし
い。

【００２３】これらのポリアミド酸およびそのエステル
化合物は公知の方法によって合成される。すなわち、ポ
リアミド酸の場合はテトラカルボン酸２無水物とジアミ
ンとを選択的に組み合わせ、これらをＮ−メチル−２−
ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサ
メチルホスホロトリアミドなどを主成分とする極性溶媒
や、γ−ブチロラクトン中で反応させることによって合
成される。ポリアミド酸のエステル化合物は例えば、特
開昭６１−７２０２２号公報、特開昭５５−３０２０７
号公報に記載されている方法などで合成される。

【００２４】本発明のメモリー素子は、電極等を形成し
た基板上にこれらのポリマーを塗布することにより作製
される。

【００２５】塗布方法としては、スピンナーを用いた回
転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印
刷、ロールコーティングなどの手段が可能である。塗布
膜厚は塗布手段、組成物の固形分濃度、粘度によって調
節することができるが、通常０．１〜１５０μｍの範囲
になるように塗布される。

【００２６】次にポリイミド前駆体組成物あるいはポリ
イミド組成物、ビスイミド組成物を塗布した基板を乾燥
して、ポリイミド前駆体組成物被膜あるいはポリイミド
組成物被膜、ビスイミド組成物被膜を得る。乾燥は、オ
ーブン、ホットプレート、赤外線などを利用し、５０〜
５００℃の範囲で１分〜数時間行うのが好ましい。

【００２７】また、ビスイミド化合物の場合、蒸着など
の手法で基板に堆積することもできる。同様に出発物質
である酸無水物とジアミン化合物をそれぞれ基板に蒸着
させ、基板上でポリイミド化合物に変換することも可能
である。

【００２８】

【実施例】本発明をより詳細に説明するために実施例を
挙げる。

【００２９】［合成例１］ ３、６−ジヨ−ドデュレンの合成 デュレン１３．４ｇ（０．１モル）を酢酸２００ｍｌ、
硫酸１０ｍｌ、水３０ｍｌ中に分散させ液温を７０度に
加熱した。ここにヨウ素３０．７ｇ（０．２４モル）、
過ヨウ素酸２８ｇ（０．１２モル）を加え反応を行っ
た。７０度で３時間後に溶液の色が淡い黄色から無色に
なり、白色の沈殿が生成する。この白色の沈殿を回収
し、トルエンとエタノ−ルの混合溶媒で再結晶を行っ
た。これにより３、６−ジヨ−ドデュレンが２７ｇ
（０．０７モル、７０％）得られる。

【００３０】［合成例２］ ３、６−ビス（ｍ−トリフルオロメチルフェニル）ピロ
メリット酸２無水物の合成 ３００ｍｌテトラヒドロフランに合成例１で得た３、６
−ジヨ−ドデュレン１０ｇ（０．０２６モル）を溶解さ
せた。ここに塩化パラジウム０．３ｇを分散させ、液温
が上昇し過ぎないように、ｍ−トリフルオロメチルフェ
ニルマグネシウムヨウ素が０．０３モル含まれたジエチ
ルエ−テル溶液３０ｍｌを加えていった。この時に反応
が起こり、溶液中にマグネシウムの塩と思われる白色の
沈殿物が生成する。反応終了後、１０％硫酸水溶液１０
０ｍｌをこの溶液中に投入し、不溶性のマグネシウムの
塩を分解した。ここより、ジエチルエ−テルで目的物質
である３、６−ビス（ｍ−トリフルオロメチルフェニ
ル）デュレンを抽出した。エ−テルを風乾後、トルエン
とエタノ−ルの混合溶媒にて再結晶した。

【００３１】３、６−ビス（ｍ−トリフルオロメチルフ
ェニル）デュレン３ｇ（０．００７モル）をピリジン８
５ｍｌ、水１５ｍｌ中に溶解し溶液の温度を９５度にし
た。ここに過マンガン酸カリウム２ｇ（０．０１２モ
ル）をゆっくりと添加していった。このまま、３０分反
応を続け、生成した黒色の沈殿物を除いた。ろ液は、回
収して溶媒を乾燥したところ、白色固体が得られた。こ
の固体を１０％の水酸化ナトリウム水溶液１００ｍｌに
溶解させて、溶液の温度を１００度にした。ここに過マ
ンガン酸カリウム２ｇを追加し、１００度で２時間反応
を行い、未反応の部分を全て酸化した。

【００３２】反応終了後、ろ過して黒色の二酸化マンガ
ンを除き、得られたろ液に濃塩酸を加えていき、溶液の
ｐＨを酸性にしてテトラカルボン酸を析出させた。これ
をろ過して白色の固体を得た。固体を乾燥後、無水酢酸
にて再結晶とカルボン酸の無水物化を行い、表記の３、
６−ビス（ｍ−トリフルオロメチルフェニル）ピロメリ
ット酸２無水物２ｇを得た（融点３４８−３５０度）。

【００３３】［合成例３］ ３、６−ジフェニルピロメリット酸２無水物の合成 ３００ｍｌテトラヒドロフランに合成例１で得た３、６
−ジヨ−ドデュレン１０ｇ（０．０２６モル）を溶解さ
せた。ここに塩化パラジウム０．３ｇを分散させ、液温
が上昇し過ぎないように、フェニルマグネシウム臭素が
０．０３モル含まれたジエチルエ−テル溶液３０ｍｌを
加えていった。この時に反応が起こり、溶液中にマグネ
シウムの塩と思われる白色の沈殿物が生成する。反応終
了後、１０％硫酸水溶液１００ｍｌをこの溶液中に投入
し、不溶性のマグネシウムの塩を分解した。ここより、
ジエチルエ−テルで目的物質である３、６−ビス（ｍ−
トリフルオロメチルフェニル）デュレンを抽出した。エ
−テルを風乾後、トルエンとエタノ−ルの混合溶媒にて
再結晶した。

【００３４】３、６−ジフェニルデュレン３ｇ（０．０
０７モル）をピリジン８５ｍｌ、水１５ｍｌ中に溶解し
溶液の温度を９５度にした。ここに過マンガン酸カリウ
ム２ｇ（０．０１２モル）をゆっくりと添加していっ
た。このまま、３０分反応を続け、生成した黒色の沈殿
物を除いた。ろ液は、回収して溶媒を乾燥したところ、
白色固体が得られた。この固体を１０％の水酸化ナトリ
ウム水溶液１００ｍｌに溶解させて、溶液の温度を１０
０度にした。ここに過マンガン酸カリウム２ｇを追加
し、１００度で２時間反応を行い、未反応の部分を全て
酸化した。

【００３５】反応終了後、ろ過して黒色の二酸化マンガ
ンを除き、得られたろ液に濃塩酸を加えていき、溶液の
ｐＨを酸性にしてテトラカルボン酸を析出させた。これ
をろ過して白色の固体を得た。固体を乾燥後、無水酢酸
にて再結晶とカルボン酸の無水物化を行い、表記の３、
６−ジフェニルピロメリット酸２無水物３ｇを得た（融
点４００度以上）。

【００３６】わかるように、カップリングするグリニャ
−ル試薬の構造を変えることで、種々の置換したＰＭＤ
Ａが得られる。

【００３７】［合成例４］ ３、６−ジクロロ無水ピロメリット酸の合成 ３、６−ジクロロデュレン５ｇをピリジン８５ｍｌ、水
１５ｍｌ中に溶解し溶液の温度を９５度にした。ここに
過マンガン酸カリウム２ｇ（０．０１２モル）をゆっく
りと添加していった。このまま、３０分反応を続け、生
成した黒色の沈殿物を除いた。ろ液は、回収して溶媒を
乾燥したところ、白色固体が得られた。この固体を１０
％の水酸化ナトリウム水溶液１００ｍｌに溶解させて、
溶液の温度を１００度にした。ここに過マンガン酸カリ
ウム２ｇを追加し、１００度で２時間反応を行い、未反
応の部分を全て酸化した。

【００３８】反応終了後、ろ過して黒色の二酸化マンガ
ンを除き、得られたろ液に濃塩酸を加えていき、溶液の
ｐＨを酸性にしてテトラカルボン酸を析出させた。これ
をろ過して白色の固体を得た。固体を乾燥後、無水酢酸
にて再結晶とカルボン酸の無水物化を行い、表記の３、
６−ジクロロピロメリット酸２無水物３ｇを得た（融点
４００度以上）。

【００３９】実施例１ 窒素気流下、４、４´−ジアミノジフェニルエ−テル
０．５ｇ（０．００５モル）とイソキノリン３滴を２０
ｍｌのメタクレゾ−ルに室温で溶解させ、ここに合成例
で得た３、６−ビス（ｍ−トリフルオロメチルフェニ
ル）ピロメリット酸２無水物１．２８ｇ（０．００２５
モル）を加え、溶媒の沸騰温度である２００度で３時間
反応を行ない、ポリイミド溶液を得た。この溶液を室温
に低下するのを待ち、１ｌのメタノ−ル中に投入しポリ
イミドを沈殿させた。沈殿した白色のポリイミドの沈殿
を濾別し、乾燥後、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭ
Ｐ）３０ｍｌに溶解させ、再度メタノ−ル１中に投入し
て精製した。乾燥終了後、白色のポリイミドをＮＭＰ２
０ｍｌに溶解させポリイミド溶液を得た。

【００４０】ガラス板に、１％の３−アミノプロピルト
リメトキシシランを含むメタノ−ル溶液を噴霧して、１
５０度で３０分乾燥させた。ここに先程のポリイミド溶
液をスピンコ−ト法で厚み１００μｍになるように塗布
した。塗布後、２００度で１時間乾燥させてポリイミド
のフィルムをガラス板上に得た。このガラス板の一部分
に１００Ｗの高圧水銀灯より光線を照射したところ、光
照射された部分のみ、７２２ｎｍに新たな吸収が表れ、
緑色に変化した。また、光線照射を停止すると緑色は消
失した。光線照射による緑色への変化は一度のみではな
く、何度も起こった。

【００４１】実施例２ 実施例１のポリイイミド溶液を、ガラス板上に厚み１ｍ
ｍとなるように挟み込み、ここに１００Ｗの高圧水銀灯
の光線を照射した。光照射された部分のみ、７２２ｎｍ
に新たな吸収が表れ、緑色に変化した。また、光線照射
を停止すると緑色は消失した。光線照射による緑色への
変化は一度のみではなく、何度も起こった。

【００４２】実施例３ ２−トリフルオロメチルアニリンと合成例３の酸無水
物、３滴のイソキノリンンを１０ｍｌのメタクレゾ−ル
に溶解させた。この溶液を２００度にして、３時間反応
を行い、ジジイミド化合物を得た。反応終了後、溶液を
メタノ−ル中に投入した。そこで、得られる白色の固体
をろ別して集めた。この白色粉体を乾燥した後に、ＮＭ
Ｐに固形分０．５％となるように溶解し、この溶液を実
施例２と同様にガラス板に挟み込み、光線照射を行った
ところ、光線照射時に溶液は緑色に変化し、７２２ｎｍ
に新たな吸収が生成した。

【００４３】実施例４ ２，２´−ビス（トリフルオロメチル）−４、４´−ベ
ンチジン１．６ｇ（０．００５モル）をメタクレゾ−ル
１０ｍｌに溶解させ、３滴のイソキノリンと１．４３５
ｇの合成例４の酸無水物（０．００５モル）を２００度
で６時間反応させた。反応終了時には幾分の不溶分が出
てくるが、このまま１ｌのメタノ−ル中に投入した。生
じる沈殿物を濾過で集め、８０度で１晩真空乾燥した。
この沈殿をＮＭＰに固形分０．５％になるように溶解さ
せた。ここで完全には溶解しないため、濾過して可溶分
のみを用いて実施例２と同様にガラス板に挟み込み、光
線照射を行ったところ、光線照射時に溶液は緑色に変化
し、６６０ｎｍに新たな吸収が生成した。

【００４４】実施例５ ２，２´−ビス（トリフルオロメチル）−４、４´−ベ
ンチジン３．２ｇ６（０．０１モル）をメタクレゾ−ル
２０ｍｌに溶解させ、３滴のイソキノリンを加え溶解さ
せた。ここに無水ピロメリット酸１．０９ｇ（０．００
５モル）と３、３´、４、４´−ジフェニルエ−テルテ
トラカルボン酸２無水物１．５５ｇ（０．００５モル）
を１０ｍｌのメタクレゾ−ルとともに加えた。この溶液
を２００度で３時間反応を行ない、ポリイミド溶液を得
た。この溶液が室温に低下するのを待ち、１ｌのメタノ
−ル中に投入しポリイミドを沈殿させた。沈殿した白色
のポリイミドの沈殿を濾別し、乾燥後、ＮＭＰ３０ｍｌ
に溶解させ、再度メタノ−ル１中に投入して精製した。
乾燥終了後、白色のポリイミドをＮＭＰ２０ｍｌに溶解
させポリイミド溶液を得た。この溶液にテトラメチルア
ンモニウム過ヨウ素酸０．１ｇを溶解させた。この溶液
をガラス製の試験管に炭素電極とともに入れた。両電極
に１．５Ｖの電位差をかけると、溶液が緑色に変化し
た。電圧をかけるを停止すると溶液の色は薄い黄色に戻
り、再度電圧を加えると緑色に変化した。

【００４５】実施例６ ４、４´−ジアミノジフェニルエ−テル２．００ｇ
（０．０１モル）をＮＭＰ１０ｍｌに溶解させた。ここ
に無水ピロメリット酸０．４４ｇ（０．００２モル）と
３、３´、４、４´−ジフェニルエ−テルテトラカルボ
ン酸２無水物２．４８ｇ（０．００８モル）をＮＭＰ１
０ｍｌとともに加えた。この溶液を室温で２時間反応を
行い、ポリアミド酸の溶液を得た。この溶液をガラス基
板上に最終の膜厚がおよそ２０μｍとなるようにスピン
コ−トし、８０度で３０分、１５０度で３０分、３５０
度で１時間の熱処理を行い、ポリイミドのフィルムをガ
ラス基板上に得た。このガラス基板を、エリオニオクス
社製電子線露光装置、ＥＲＥ−３０１を用いて加速電圧
２０ｋＶで３０μＣ／ｃｍ２ の電子線をある範囲に照
射した。島津製自記分光光度計ＵＶ−２４０を用いて測
定したところ、照射後、１０分は７２０ｎｍに吸収が検
出されたが、その後消失した。この試料を用いて再度電
子線を照射したところ、７２０ｎｍに同じ吸収が検出さ
れた。

【００４６】比較例１ ２，２´−ビス（トリフルオロメチル）−４、４´−ベ
ンチジン１．６ｇ（０．００５モル）をメタクレゾ−ル
１０ｍｌに溶解させ、３滴のイソキノリンと１、２、
３、４−シクロペンタンテトラカルボン酸２無水物１．
４３５ｇ（０．００５モル）を２００度で４時間反応さ
せた。反応終了後、１ｌのメタノ−ル中に投入した。生
じる沈殿物を濾過で集め、８０度で１晩真空乾燥した。
この沈殿をＮＭＰに固形分０．５％になるように溶解さ
せた。実施例２と同様にガラス板に挟み込み、光線照射
を行ったところ、溶液の色変化はなかった。

【００４７】比較例２ ４、４´−ジアミノジフェニルエ−テル２．０ｇ（０．
０１モル）をメタクレゾ−ル１０ｍｌに溶解させ、３滴
のイソキノリンと１、２、３、４−ブタンテトラカルボ
ン酸２無水物１．４３５ｇ（０．００５モル）を２００
度で３時間反応させた。反応終了後、１ｌのメタノ−ル
中に投入した。生じる沈殿物を濾過で集め、８０度で１
晩真空乾燥した。この沈殿をＮＭＰに固形分０．５％に
なるように溶解させた。この溶液１０ｍｌにテトラメチ
ルアンモニウム過塩素酸０．３３ｇ（０．１モル／ｌ）
を溶解させた。この溶液をガラス製の試験管に炭素電極
とともに入れた。両電極に１．５Ｖの電位差を加えた
が、溶液の色の変化はなかった。

【００４８】実施例７ ４、４´−ジアミノジフェニルメタン１．８８ｇ（０．
００９５モル）と１、３−ビス （３−アミノプロピ
ル）テトラメチルジシロキサン０．１２ｇ（０．０００
５モル）をメタクレゾール１０ｍｌに溶かし、イソキノ
リンを３滴加えた。この溶液を室温に保ち、３，６−ビ
ス（トリフルオロメチル）ピロメリット酸２無水物３．
５４ｇ（０．０１モル）をメタクレゾール５ｍｌととも
に加えた。この溶液を２００度にして４時間反応させ
た。反応終了後、１ｌのメタノール中に投入した。生じ
る沈殿物を濾過で集め、８０度で１晩真空乾燥を行っ
た。この沈殿をＮＭＰ中に固形分１％になるように溶解
させた。この溶液に紫外線照射したところ、溶液の色が
深緑に変化し６０８ｎｍに新たな吸収が生じた。

【００４９】実施例８ 無水ピロメリット酸２１．８ｇ（０．１モル）をガンマ
ブチロラクトン２００ｍｌに溶解させ、エタノ−ル１０
ｇ（０．２２モル）とピリジン１ｍｌを加えた。溶液を
５０度に保ち、４時間エステル化反応を行った。反応終
了後、反応溶液を水２ｌ中に投入し、白色の沈殿を得
た。この沈殿物を濾過によって集め、水で洗浄した。こ
のものを７０度で１晩真空乾燥した。真空乾燥後のもの
を１０ｇ（（０．０３モル）を塩化チオニル１００ｍｌ
中に分散させ、沸騰温度で１時間、酸クロライド化反応
を行った。反応終了後、余剰の塩化チオニルを蒸留で除
去し、目的物質を得た。この物質３．７９ｇ（０．０１
モル）をテトラヒドリフラン３０ｍｌに溶解させて、ア
ニリン１．８６ｇ（０．０２モル）とテトラヒドロフラ
ン２０ｍｌの溶液を５ｇのトリエチルアミン（０．０５
モル）の存在下、４０度で２時間反応を行った。反応終
了後、この溶液を水２ｌに投入し、白色沈殿を得た。こ
の沈殿を濾過により集め、水とメタノ−ルで洗浄した。
このものを再度ＮＭＰ２０ｍｌに溶解させ、水２ｌに投
入した。この操作を２度繰り返した。このものをＮＭＰ
に固形分０．５％となるように溶解し、この溶液を実施
例２と同様にガラス板に挟み込み、光線照射を行ったと
ころ、光線照射時に溶液は緑色に変化し、７１８ｎｍに
新たな吸収が生成した。

【００５０】

【発明の効果】本発明は上述のごとく構成したので、電
圧、紫外線、Ｘ線、電子線で、書き込み可能で、電気的
あるいは可視光線で読み出しが行えるメモリ−素子を得
ることができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかるメモリー素子の一例を表す。

【図２】本発明にかかるメモリー素子の一例を表す。

【図３】本発明にかかるメモリー素子の一例を表す。

【図４】本発明にかかるメモリー素子の一例を表す。

【符号の説明】

１：透明基板 ２：記憶素子 ３：書き込み電極 ４：読み出し電極 ５：絶縁基板

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に一般式［１］または［２］で示さ
   れる構造を有する記憶媒体があることを特徴とするメモ
   リ−素子。 【化１】
2. 【請求項２】請求項１において、基板と記憶媒体との間
   に電極が、記憶媒体の上に電極があることを特徴とする
   メモリ−素子。
3. 【請求項３】請求項１において、基板と記憶媒体との間
   に書き込み電極と読み込み電極が、記憶媒体の上に書き
   込み電極と読み込み電極があることを特徴とするメモリ
   −素子。