JPH0918234A - 温度補償圧電発振器 - Google Patents

温度補償圧電発振器

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JPH0918234A
JPH0918234A JP8061493A JP6149396A JPH0918234A JP H0918234 A JPH0918234 A JP H0918234A JP 8061493 A JP8061493 A JP 8061493A JP 6149396 A JP6149396 A JP 6149396A JP H0918234 A JPH0918234 A JP H0918234A
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temperature
circuit
frequency
power supply
piezoelectric oscillator
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Manabu Oka
学 岡
Kazunari Ichise
和成 市瀬
Masayuki Kikushima
正幸 菊島
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
    • H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
    • H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
    • H03L1/026—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature by using a memory for digitally storing correction values
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＩＣ化および製造後の調整作業が容易で、か
つ、可変リアクタンス素子などを外付けすることなく周
波数温度特性を補償することができる、温度補償圧電発
振器を提供する。 【解決手段】 温度補償圧電発振器１は、周波数温度特
性を有する圧電振動子９と、圧電振動子９を発振させる
とともに、印加電源電圧ＶＤＤ（Ｔ）の変化に応じて発
振周波数を変化させる発振回路８と、圧電振動子９の周
囲温度Ｔを検出する温度検出回路２と、温度検出回路２
の検出温度に応じて、周波数温度特性を変化させる印加
電源電圧ＶＤＤ（Ｔ）を、発振回路８に供給する可変電
源回路１５と、を備えていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、通信機器等の周波
数基準源に用いられる温度補償圧電発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、温度による周波数変化を補償する
圧電発振回路として、図２２（ａ）に示すようなアナロ
グ型の温度補償圧電発振器が用いられてきた。このよう
な回路構成のものは、例えば特公昭６４−１９６９に開
示されている。同図に示すように、この温度補償圧電発
振器１００は、圧電振動子９と、圧電振動子９を発振さ
せるコルピッツ型発振回路１０８と、その周波数温度特
性を補償する温度補償回路網１０１とを備えている。
【０００３】温度補償回路網１０１は、同図（ｂ）に示
すように、高温温度補償回路１０１ａと、低温温度補償
回路１０１ｂとを直列に接続して構成される。高温温度
補償回路１０１ａは、サーミスタＲTH（T） と高温側温
度特性調整用抵抗ＲCHとを直列に接続し、これらに並列
にコンデンサＣH を接続して構成され、また、低温温度
補償回路１０１ｂは、サーミスタＲTL（T） 、低温側温
度特性調整用抵抗ＲCLおよびコンデンサＣL を並列に接
続して構成される。これらの構成により、温度補償回路
網１０１は、圧電振動子９の持つ周波数温度特性、例え
ばＡＴカット水晶振動子の３次特性（図３参照）を補償
するように、コルピッツ型発振回路１０８のリアクタン
ス特性を変化させ、圧電振動子９の周波数温度特性を相
殺することによって、コルピッツ型発振回路１０８の出
力ｆout の周波数、すなわち温度補償圧電発振器１００
の発振周波数を所定範囲内に維持している。そして、こ
れらの回路は、図２３に示すように、回路基板１４３の
表裏に半田付けされ、樹脂ベース１４４に搭載されて、
金属カバー１４５により封入される。
【０００４】図２４は、従来の温度補償圧電発振器の他
の一例を示しており、発振器の温度による周波数変化の
補償をディジタル的に行う温度補償圧電発振器の構成を
示すものである。同図に示すように、この温度補償圧電
発振器２００は、周囲（環境）温度Ｔを検出してその検
出温度に対応した電圧Ｖsens(T) を出力する温度検出回
路２と、電圧Ｖsens(T) をディジタル値の温度データに
変換するＡ／Ｄ変換器５２と、その温度データに対応し
た温度特性補償データを出力するデータ記憶回路２０４
と、温度特性補償データを制御電圧Ｖcont(T) に変換し
て出力するＤ／Ａ変換器２５３と、発振回路１１９とを
備え、周囲温度Ｔに応じた制御電圧Ｖcont(T) が発振回
路１１９に入力されるように構成されている。温度特性
補償データは、温度補償圧電発振器２００の製造後の調
整作業時に、外部から接続されるｆ０・温度特性調整回
路１１と、内部のデータ入出力回路１０とを介して、デ
ータ記憶回路２０４内に予め記憶される。
【０００５】図２４および図２５に示すように、発振回
路１１９には、さらに、圧電振動子９と、定電圧回路３
と、ｆ０調整回路７と、可変リアクタンス素子２０２
と、出力バッファ１２が接続されている。ｆ０調整回路
７は、データ記憶回路２０４内の周波数設定データに基
づき基準周波数ｆ０を調整するための回路であり、その
周波数設定データは、圧電振動子９の製造ばらつきによ
る周波数偏差を調節するためのデータとして、温度特性
補償データと同様に、ｆ０・温度特性調整回路１１とデ
ータ入出力回路１０により、データ記憶回路２０４内に
予め記憶される。可変リアクタンス素子２０２は、制御
電圧Ｖcont(T) によりリアクタンス特性を変化させ、圧
電振動子９の持つ周波数温度特性を相殺するための素子
であり、温度補償圧電発振器２００の発振周波数は、こ
の可変リアクタンス素子２０２の作用によって所定範囲
内に維持される。そして、この温度補償圧電発振器２０
０は、図２６に示すように、圧電振動子９と、可変リア
クタンス素子２０２と、これら以外の回路をＩＣ化した
温度補償発振器ＩＣ２４１のみの構成とすることがで
き、この３個の部品を、リードフレーム２４２上に搭載
して、プラスチック一体モールド２４０とすることもで
きる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の温度補償圧電発
振器１００や温度補償圧電発振器２００では、周波数温
度特性の補償のために、すなわち、高精度の周波数特性
を得るために、周囲温度Ｔに応じてリアクタンスを精度
良く変化させる必要があり、そのための回路または素子
を、発振回路１０８または１１９に外付けしている。
【０００７】一般に、上記の温度補償圧電発振器１００
では、ＣＭＯＳと比べて広い周波数特性を得られるバイ
ポーラトランジスタが用いられ、それに合わせて、抵抗
値が大きくかつ高精度の抵抗やサーミスタ、および、容
量が大きくかつ高精度のコンデンサなどが用いられる。
しかし、これらは一般にＩＣ化が困難な部品であるた
め、温度補償圧電発振器１００では、これらの部品とし
て個別の部品を使用せざるを得ず、これにより、部品点
数が多くなってしまい、小型化できないという欠点があ
る。また、各部品を回路基板１４３に半田付けするた
め、リフロー実装などは不可能である。さらに、温度特
性の調整を行う際には、温度特性調整用抵抗ＲCH，ＲCL
を仮付けし、個々の製品について温度特性を確認後、補
償の度合いに応じた温度特性調整用抵抗ＲCHおよびＲCL
に付け替える必要があるため、調整作業が極めて煩雑で
あり、このことが、生産性を低下させコストを上昇させ
る一因となっている。
【０００８】一方、温度補償圧電発振器２００では、デ
ータ記憶回路２０４内に温度特性補償データや周波数設
定データを予め記憶させることによって、周波数特性の
調整作業が容易であり、また、圧電振動子９と、可変リ
アクタンス素子２０２と、温度補償発振器ＩＣ２４１の
みの構成とすることができ、ある程度の小型化は可能で
ある。しかしながら、この温度補償圧電発振器２００に
おいても、バリキャップダイオードなどに代表される可
変リアクタンス素子２０２が必要とされ、この可変リア
クタンス素子も、上記の温度補償圧電発振器１００の各
部品と同様に、一般にＣＭＯＳ＿ＩＣ内に構成すること
は困難であり、また、無理に構成しても、外付けの可変
リアクタンス素子に比べ、直線性や可変範囲などの特性
が大きく劣るため、周波数温度特性を精度良く補償する
ことは困難である。
【０００９】また、ｆ０調整回路７と同等の回路を、可
変リアクタンス素子２０２の代用とすることも考えられ
るが、初期設定となる素子のばらつきの補償と異なり、
検出された周囲温度Ｔに応じて変化すると、温度特性補
償データのビットの過渡的な変化によるノイズが発生し
てしまうため、実用的ではない。すなわち、温度補償圧
電発振器２００では、外付けの可変リアクタンス素子２
０２が必須の構成要素となってしまい、その分だけ、小
型化が進まず、部品及び実装コストがかかる原因となっ
ている。
【００１０】本発明は、以上のような課題を解決するた
めになされたものであり、ＩＣ化および製造後の調整作
業が容易で、かつ、可変リアクタンス素子などを外付け
することなく周波数温度特性を補償することができる、
温度補償圧電発振器を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の温度補償圧電
発振器は、周波数温度特性を有する圧電振動子と、前記
圧電振動子を発振させるとともに、印加電源電圧の変化
に応じて発振周波数を変化させる発振回路と、前記圧電
振動子の周囲温度を検出する温度検出回路と、前記温度
検出回路の検出温度に応じて、前記周波数温度特性を変
化させる前記印加電源電圧を、前記発振回路に供給する
可変電源回路と、を備えていることを特徴とする。
【００１２】この構成によれば、周囲温度に応じて圧電
振動子の発振周波数が変化しても、その周囲温度に応じ
て発振回路に供給する印加電源電圧を変化させ、その印
加電源電圧の変化に応じて発振周波数を変化させること
ができるため、圧電振動子の周波数温度特性を相殺する
ように変化させることによって、発振器全体としての発
振周波数を所定範囲内に維持することができる。また、
印加電源電圧を変化させることによって、周波数温度特
性を補償するため、従来のような可変リアクタンス素子
などを発振回路に外付けする必要がなくなる。したがっ
て、温度補償圧電発振器内の各回路素子をＣＭＯＳプロ
セス等で構成し易くなり、この結果、ＩＣ化が容易にな
る。
【００１３】請求項１の温度補償圧電発振器において、
前記可変電源回路は、前記周波数温度特性を相殺するた
めの温度特性補償データを、周囲温度に対応して記憶す
るデータ記憶手段を有し、前記データ記憶手段から前記
検出温度に応じて読みだした該当する温度特性補償デー
タに基づいて、前記印加電源電圧を変化させることが、
好ましい。
【００１４】この構成によれば、検出した周囲温度に応
じて温度特性補償データを読み出し、その温度特性補償
データに基づいて印加電源電圧を変化させることができ
るため、圧電振動子の周波数温度特性を相殺するための
印加電源電圧を、容易に生成することができる。
【００１５】請求項１の温度補償圧電発振器において、
前記可変電源回路は、前記周波数温度特性が、周囲温度
Ｔ、１次係数Ａ、２次係数Ｂ、および３次係数Ｃを用い
て、関数ｆ（Ｔ）＝Ａ（Ｔ−２５）＋Ｂ（Ｔ−２５）2
＋Ｃ（Ｔ−２５）3で近似できるときに、前記１次係数
Ａ、前記２次係数Ｂおよび前記３次係数Ｃに係る周波数
の変化のうち、少なくとも１つの周波数の変化を相殺す
るように設定された温度特性補償データを記憶するデー
タ記憶手段を有し、前記データ記憶手段から読みだした
前記温度特性補償データに基づいて、前記関数ｆ（Ｔ）
に従った周波数の変化を相殺するように、前記印加電源
電圧を変化させることが、好ましい。
【００１６】この構成によれば、温度特性補償データを
読み出し、その温度特性補償データに基づいて、１次係
数Ａ、２次係数Ｂ、および３次係数Ｃに係る周波数の変
化のうち、少なくとも１つの周波数の変化を相殺するよ
うな印加電源電圧を、容易に生成することができる。
【００１７】請求項３の温度補償圧電発振器において、
前記温度特性補償データは、前記周辺温度Ｔ、乗算係数
Ｇおよび加算係数Ｈから成る一次関数Ｖ（Ｔ）＝Ｇ
（Ｔ）＋Ｈの、前記乗算係数Ｇおよび前記加算係数Ｈを
有し、前記可変電源回路は、前記乗算係数Ｇおよび前記
加算係数Ｈを読み出すとともに、前記一次関数Ｖ（Ｔ）
に基づいて、前記１次係数Ａに係る周波数の変化を相殺
するように、前記印加電源電圧を変化させることが、好
ましい。
【００１８】この構成によれば、温度特性補償データと
して記憶された乗算係数Ｇと加算係数Ｈを読み出し、そ
の乗算係数Ｇおよび加算係数Ｈに基づいて、１次係数Ａ
に係る周波数の変化を相殺するような印加電源電圧を、
容易に生成することができる。また、この場合、データ
記憶手段に記憶する温度特性補償データは、最低限、乗
算係数Ｇと加算係数Ｈだけですむため、記憶容量の少な
いデータ記憶手段を使用することができ、これにより、
温度補償圧電発振器を、より小型化することが可能にな
る。
【００１９】請求項２ないし４のいずれかの温度補償圧
電発振器において、前記データ記憶手段に対して、当該
温度補償圧電発振器の外部からデータを入力可能なデー
タ入力手段を、さらに備えていることが好ましい。
【００２０】この構成によれば、温度補償圧電発振器の
製造後に、温度特性補償データなどのデータを外部から
入力することができるため、内部の各回路素子を入れ換
えること無く、製造ばらつきなどによる回路特性の違い
を個別に調整することができる。すなわち、温度補償圧
電発振器をＩＣ化して大量生産等が可能になり、低コス
ト化が図れるとともに、製造後の調整作業を容易に行う
ことができる。
【００２１】請求項２ないし５のいずれかの温度補償圧
電発振器において、前記データ記憶手段は、前記圧電振
動子の基準温度における基準発振周波数を補正するよう
に設定された周波数設定データを、さらに有し、前記可
変電源回路は、前記データ記憶手段から読みだした周波
数設定データに基づいて、前記基準発振周波数を補正す
ることが、好ましい。
【００２２】例えば、製造ばらつきなどにより、温度補
償圧電発振器に使用された圧電振動子の基準発振周波数
がずれている場合がある。この構成によれば、そのよう
な場合にも、その圧電振動子の特性に応じた周波数設定
データに基づいて、基準発振周波数のズレを容易に補正
することができ、これにより、発振周波数の精度を高く
することができる。また、温度補償圧電発振器の製造後
に、この周波数設定データを変更できるようにすれば、
ＩＣ化して大量生産した場合でも、製造後の発振周波数
の調整作業を容易に行うことができる。
【００２３】請求項１または４の温度補償圧電発振器に
おいて、前記可変電源回路は、前記検出温度の上昇に応
じて、前記印加電源電圧を上昇させることが、好まし
い。
【００２４】一般に、発振回路は、高温において発振余
裕度が減少し、発振停止電圧が上昇する傾向がある。こ
の構成によれば、周囲温度の上昇に応じて、印加電源電
圧を上昇させるので、高温においても発振余裕度を確保
することが可能になる。
【００２５】請求項１ないし７のいずれかの温度補償圧
電発振器において、前記可変電源回路は、前記印加電源
電圧の変化範囲を制限するリミッタ回路を、さらに備え
ていることが好ましい。
【００２６】この構成によれば、リミッタ回路によっ
て、発振回路に供給する印加電源電圧を所定の変化範囲
内に制限することができる。
【００２７】請求項８の温度補償圧電発振器において、
前記変化範囲は、上限が、当該温度補償圧電発振器自体
に供給される電源電圧より低い電圧に設定されているこ
とが、好ましい。
【００２８】この構成によれば、リミッタ回路によっ
て、発振回路に供給する印加電源電圧を、温度補償圧電
発振器の電源電圧より低い電圧に制限するため、この温
度補償圧電発振器の電源電圧の変動に対して強い、より
安定化した発振器とすることができる。
【００２９】請求項８または９の温度補償圧電発振器に
おいて、前記変化範囲は、下限が、前記発振回路の発振
停止電圧より高い電圧に設定されていることが、好まし
い。この構成によれば、リミッタ回路によって、発振回
路に供給する印加電源電圧を発振停止電圧より高い 電
圧に制限するため、発振が停止することのない安定した
温度補償圧電発振器とすることができる。
【００３０】請求項１ないし１０のいずれかの温度補償
圧電発振器において、前記圧電振動子を除く構成部品
が、ワンチップＩＣ化されていることが好ましい。
【００３１】この構成によれば、温度補償圧電発振器を
小型化することができ、大量生産が可能になる。
【００３２】請求項１１の温度補償圧電発振器におい
て、前記ワンチップＩＣが、前記圧電振動子と共にモー
ルドされていることが、好ましい。
【００３３】この構成によれば、温度補償圧電発振器全
体を、例えば、プラスティックなどの樹脂で一体モール
ドすることによって、より全体を小型化し易く、大量生
産ができるとともに、取扱いの容易な温度補償圧電発振
器とすることができる。
【００３４】請求項１１の温度補償圧電発振器におい
て、前記ワンチップＩＣが、前記圧電振動子と共にパッ
ケージに収納されていることが、好ましい。
【００３５】この構成によれば、例えば、セラミックな
どのパッケージに温度補償圧電発振器全体を収納するこ
とによって、請求項１２の温度補償圧電発振器と同様
に、より小型化、大量生産化できるとともに、取扱いの
容易な温度補償圧電発振器とすることができる。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の一実施形態に係る温度補償圧電発振器について説明
する。
【００３７】図１は、本実施形態の温度補償圧電発振器
を示すブロック図であり、この温度補償圧電発振器１
は、同図に示すように、温度検出回路２と、発振回路８
と、圧電振動子９と、出力バッファ１２と、可変電源回
路１５と、データ入出力回路（データ入力手段）１０と
を備え、温度補償圧電発振器１の製造後の調整作業時
に、ｆ０・温度特性調整回路１１と接続できるように構
成されている。
【００３８】圧電振動子９は、図２に示すように、その
両面の電極が、発振回路８の接点Ｇおよび接点Ｄ、すな
わち、ＣＭＯＳインバータ３３のゲートおよびドレイン
に接続されている。この圧電振動子９は、一般的なＡＴ
カット水晶振動子から成り、図３のカーブ（ａ）で示さ
れるような周波数−温度特性を有している。この周波数
−温度特性は、多項式の近似により、 △ｆ／ｆ０＝Ａ（Ｔ−２５）＋Ｂ（Ｔ−２５）2 ＋Ｃ（Ｔ−２５）3 …（１） と表される。ここで、Ｔは周囲温度を、ｆ０は２５
［℃］（以下「基準温度」と略称する）における発振周
波数（以下「基準周波数」と略称する）を、△ｆ／ｆ０
は周波数偏差を表している。
【００３９】そこで、以下に説明する温度補償圧電発振
器１の各構成要素は、目標とする周波数−温度特性を、
図３の（ｂ）の枠に示す−１０〜＋６０［℃］の温度範
囲で±２．５［ｐｐｍ］以内（以下「目標範囲内」と略
称する）とするために、式（１）の１次係数Ａによる周
波数偏差△ｆ／ｆ０の変化、すなわち、周囲温度Ｔに対
する周波数偏差△ｆ／ｆ０の目標範囲内での右下がりの
変化、を相殺するように設定される。
【００４０】発振回路８は、図２に示すように、ＣＭＯ
Ｓインバータ３３と、そのドレインからゲートへの負帰
還抵抗Ｒｆと、ＣＭＯＳインバータ３３の入力側、すな
わちゲート側のリアクタンス特性を決定するコンデンサ
Ｃｇと、出力側、すなわちドレイン側のリアクタンス特
性を決定するコンデンサＣｄとを備えている。また、図
１および図２に示すように、ＣＭＯＳインバータ３３に
は、その電源電圧（印加電源電圧）ＶＤＤ（Ｔ）を供給
する、可変電源回路１５の温度関数電源電圧発生回路６
が接続され、そのゲート側の接点Ｇには、基準周波数ｆ
０を調整するｆ０調整回路７が接続され、そのドレイン
側の接点Ｄには、出力の駆動能力を強化し、発振回路８
とのアイソレーションを確保するための出力バッファ１
２が接続されている。
【００４１】この発振回路８では、電源電圧ＶＤＤ
（Ｔ）が変化すると、ＣＭＯＳインバータ３３内部の端
子間容量などの電源依存のリアクタンス成分が変化し、
これにより、発振回路８全体のリアクタンス特性が変化
する。この結果、発振回路８は、図４に示すような周波
数−電源電圧特性を有しており、出力ｆout の周波数偏
差△ｆ／ｆ０は、電源電圧ＶＤＤ（Ｔ）に対して右上が
り、すなわち電源電圧ＶＤＤ（Ｔ）に比例するように変
化する。温度補償圧電発振器１では、この発振回路８の
周波数特性を利用することによって、すなわち、発振回
路８に供給する電源電圧ＶＤＤ（Ｔ）を周囲温度Ｔに比
例して増加させ、圧電振動子９の周波数偏差△ｆ／ｆ０
の右下がりの変化を相殺することによって、温度補償を
行っている。可変電源回路１５は、図１に示すように、
定電圧回路３と、データ記憶回路（データ記憶手段）４
と、関数発生回路５と、温度関数電源電圧発生回路６
と、ｆ０調整回路７とを備えている。定電圧回路３は、
関数発生回路５の基準電圧Ｖreg を発生する回路であ
り、温度補償圧電発振器１の電源電圧による電圧変動の
小さい電圧源で構成される。
【００４２】データ記憶回路４は、ＥＥＰＲＯＭに代表
される不揮発性の半導体メモリから成り、温度補償圧電
発振器１の製造後には、図１に示すように、温度補償圧
電発振器１の外部のｆ０・温度特性調整回路１１が、デ
ータ入出力回路１０を介して接続される。この状態で、
データ記憶回路４には、図５に示すように、圧電振動子
９の周波数−温度特性を変更するためのオフセット設定
データ（加算係数）２１およびゲイン設定データ（乗算
係数）２２から成る温度特性補償データと、基準周波数
ｆ０の調整のための周波数設定データ２３とが書き込ま
れ、格納される。
【００４３】ゲイン設定データ２２は、後述の制御電圧
Ｖcont(T) の、周囲温度Ｔの変化に対する傾きを決定す
るデータであり（図１０参照）、例えば、３ビットの
（０００）2 〜（１１１）2 のいずれかを示すビットデ
ータから成る。また、オフセット設定データ２１は、制
御電圧Ｖcont(T) の、ゲイン、すなわち傾きが変化した
ときの、基準温度における電位のズレを補正するための
データであり、例えば、そのズレを５ビットの分解能で
示すビットデータから成る。そして、周波数設定データ
２３は、発振回路８の基準温度における発振周波数の、
設定すべき基準周波数ｆ０からのズレを補正するための
データであり、後述のスイッチ素子群３２−１〜ｎのス
イッチの数ｎに合わせてｎビットの、例えば、ｎ＝８ビ
ットのビットデータから成る。
【００４４】これらの設定データ２１、２２および２３
は、温度補償圧電発振器１に使用された圧電振動子９の
素子のばらつきによる差分を補正するように、ｆ０・温
度特性調整回路１１によって、それぞれの素子の周波数
温度特性に合わせて設定された後、データ記憶回路４に
格納される。そして、ｆ０・温度特性調整回路１１は、
これらのデータの設定後に、すなわち製造後の調整作業
終了後に、温度補償圧電発振器１との電気的接続を切断
される。
【００４５】ｆ０調整回路７は、図２に示すように、発
振回路８の接点Ｇに接続され、圧電振動子９の基準周波
数ｆ０の製造ばらつきを補正するために、ＣＭＯＳイン
バータ３３のゲート側のコンデンサＣｇによる負荷容量
を変化させ、発振回路８のリアクタンス特性を変化させ
ることによって、発振回路８の基準周波数ｆ０の調整を
行う。このｆ０調整回路７は、同図に示すように、複数
のｎ個（例えば、ｎ＝８個）のコンデンサ群３１−１〜
３１−ｎ（３１−８）と、それらに直列にそれぞれ接続
されたスイッチ素子群３２−１〜３２−ｎ（３２−８）
から成り、このスイッチ素子群３２−１〜ｎのＯＮ／Ｏ
ＦＦの状態が、データ記憶回路４の周波数設定データ２
３により制御される。すなわち、周波数設定データ２３
の値に応じて、発振回路８のゲート−接地間（図中のＡ
−Ｂ間）の容量を変化させることにより、発振回路８の
基準周波数ｆ０の調整を行う。
【００４６】温度検出回路２は、半導体のＰ−Ｎ接合の
順方向電圧特性を利用した温度センサを有しており、周
囲温度Ｔを検出して、その検出温度の情報を温度依存電
圧Ｖsens(T) として出力するように構成される。この温
度依存電圧Ｖsens(T) は、図９に示すように、周囲温度
Ｔに対してリニアに変化する特性を有している。
【００４７】関数発生回路５は、図６に示すように、２
つのＤ／Ａ変換器２４および２５と、可変利得増幅器２
０とを備え、定電圧回路３からの基準電圧Ｖreg と、温
度検出回路２からの温度依存電圧Ｖsens（T） と、図４
のデータ記憶回路４のオフセット設定データ２１および
ゲイン設定データ２２に基づいて、制御電圧Ｖcont
（T）を生成し、後述の温度関数電源電圧発生回路６に
出力するように構成される
【００４８】。
【００５０】Ｄ／Ａ変換器２４および２５は、図７に示
すように、Ｒ−２Ｒラダー抵抗型Ｄ／Ａ変換器の構成に
なっていて、データ記憶回路４のオフセット設定データ
２１およびゲイン設定データ２２を、それぞれアナログ
のオフセット設定電圧Ｖｏおよびゲイン設定電圧Ｖｇに
変換して、可変利得増幅器２０に出力する。可変利得増
幅器２０は、図８（ａ）に示すように、定電圧回路３か
らの基準電圧Ｖreg によって動作する差動増幅器の構成
になっていて、温度検出回路２からの温度依存電圧Ｖse
ns（T） の傾きであるゲインを、ゲイン設定電圧Ｖｇに
よって変更するとともに、その基準温度のときの電位が
所定電位となるように、温度依存電圧Ｖsens(T) とオフ
セット設定電圧Ｖｏとの差分によって補正し、制御電圧
Ｖcont（T） として温度関数電源電圧発生回路６に出力
する。
【００４９】温度依存電圧Ｖsens(T) は、前述したよう
に、図９のリニアな特性を有しているため、関数発生回
路５では、図１０に示すように、それぞれにリニアな特
性を有し、基準温度のときの電位が同一で、かつ、相互
にゲイン（傾き）の異なる複数の温度特性のうちの１つ
を、データ記憶回路４の３ビットのゲイン設定データ２
２に従って、制御電圧Ｖcont(T) の温度特性として選択
できるようになっている。すなわち、同図に示すよう
に、ゲイン設定データ２２の設定値が（０００）2 の場
合は、温度に対する制御電圧Ｖcont(T) の温度変化率が
極めて小さく、（００１）2 、……、（１１１） 2と、
ゲイン設定データ２２の設定値が大きくなるのに伴っ
て、制御電圧Ｖcont(T) の温度変化率が増加するため、
データ記憶回路４に格納するゲイン設定データ２２とオ
フセット設定データ２１を変更することによって、出力
電圧Ｖcont(T) の傾きを段階的に変化させることができ
る。
【００５０】温度関数電源電圧発生回路６は、図１１に
示すように、差動増幅器２８および制御トランジスタ２
９と、リミッタ回路３０とを備え、差動増幅器２８と制
御トランジスタ２９により、所定の電圧変化範囲内で、
制御電圧Ｖcont(T) に比例した電源電圧ＶＤＤ（Ｔ）を
生成するとともに、リミッタ回路３０により、電源電圧
ＶＤＤ（Ｔ）が所定変化範囲外まで変化しないように構
成される。このリミッタ回路３０は、電源電圧ＶＤＤ
（Ｔ）の変化範囲を制限することによって、電源電圧Ｖ
ＤＤ（Ｔ）が温度補償圧電発振器１の電源電圧付近まで
上昇したときの、発振回路８の周波数−電源電圧特性の
悪化を防ぐとともに、発振停止電圧まで低下することに
よる発振回路８の発振停止を防止している。
【００５１】これにより、図１０の制御電圧Ｖcont(T)
の温度特性と比べて、電源電圧ＶＤＤ（Ｔ）は、図１２
に示すように、上限電圧および下限電圧でカットされた
ような温度特性を有している。また、一般に、発振回路
８は高温において発振余裕度が減少し、発振停止電圧が
上昇する傾向があるが、電源電圧ＶＤＤ（Ｔ）は、所定
変化範囲内において、制御電圧Ｖcont(T) に比例して変
化するため、低温時より高温時の方が高電圧となり、こ
れにより、高温時の発振回路８の発振余裕度を確保する
ことができる。
【００５２】温度補償圧電発振器１の製造後には、その
調整作業として、前述したように、図５のデータ記憶回
路４内のオフセット設定データ２１、ゲイン設定データ
２２、および周波数設定データ２３の設定が、ｆ０・温
度特性調整回路１１を接続して行われる。この場合、同
一の圧電振動子９に対して、ゲイン設定データ２２の設
定を変更すると、図１２の電源電圧ＶＤＤ（Ｔ）の温度
特性と、前述の図４の発振回路８の周波数特性の組み合
わせにより、温度補償圧電発振器１の出力ｆout の周波
数−温度特性は、図１３に示すように、ゲート設定デー
タ２２の変更に応じて変化する。すなわち、ゲイン設定
データ２２の設定を変更することにより、温度補償圧電
発振器１の周波数−温度特性を変化させることができ
る。
【００５３】したがって、このゲイン設定データ２２を
適切に設定することにより、圧電振動子９の素子のばら
つきによる周波数−温度特性の差異を吸収し、かつ、十
分な温度補償が可能となる。例えば、圧電振動子９が、
図１４のカーブ（ａ）（図２と同一）に示すような周波
数−温度特性を有している場合には、ゲイン設定データ
２２を（１１１）2 と設定することによって、図１２の
（１１１）2 の温度特性の電源電圧ＶＤＤ（Ｔ）が、周
囲温度Ｔに応じて発振回路８に供給される。これによ
り、図４の電源電圧ＶＤＤ−周波数特性を有する発振回
路８が、圧電振動子９の図１４のカーブ（ａ）の周波数
−温度特性を相殺するように、発振周波数を変化させ
る。この結果、温度補償圧電発振器１全体として、同図
のカーブ（ｃ）に示すような周波数−温度特性となっ
て、同図の（ｂ）の目標範囲内、すなわち、−１０〜＋
６０［℃］で±２．５［ｐｐｍ］以内の周波数−温度特
性とすることができる。この圧電振動子９と異なる周波
数−温度特性を有する圧電振動子に対しても、同様の方
法で、温度補償ができることは言うまでもない。
【００５４】また、この温度補償圧電発振器１の上述し
た各構成要素は、圧電振動子９を除き、全てＩＣ化が容
易な素子で構成されており、これらをまとめて、温度補
償圧電発振器ＩＣ４１とすることができる。さらに、こ
の温度補償圧電発振器ＩＣ４１を、図１５に示すよう
に、圧電振動子９とともに、リードフレーム４２上に搭
載して、プラスチック一体モールド４０とすることもで
きる。これらの場合、温度補償圧電発振器１全体を、よ
り小型化でき、大量生産しやすくなるとともに、取扱い
の容易な温度補償圧電発振器１とすることができる。ま
た、この結果、ＩＣ化による信頼性の向上、および大量
生産による製造コストの削減等を図ることが可能にな
る。
【００５５】以上に詳述したように、温度補償圧電発振
器１では、周囲温度に応じて圧電振動子９の発振周波数
が変化しても、その周囲温度Ｔに応じて電源電圧ＶＤＤ
（Ｔ）を変化させ、その電源電圧ＶＤＤ（Ｔ）の変化に
応じて発振周波数を変化させることができるため、圧電
振動子９の周波数温度特性を相殺して、温度補償圧電発
振器１全体としての発振周波数を所定範囲内に維持する
ことができる。また、電源電圧ＶＤＤ（Ｔ）を変化させ
ることによって、周波数温度特性を補償するため、従来
のような可変リアクタンス素子などを発振回路８に外付
けする必要がなくなる。したがって、温度補償圧電発振
器１内の各回路素子をＣＭＯＳプロセス等で構成し易く
なり、この結果、ＩＣ化が容易になる。
【００５６】また、この温度補償圧電発振器１では、デ
ータ記憶回路４に記憶する設定データとして、温度特性
補償データのゲイン設定データ（乗算係数）２２および
オフセット設定データ（加算係数）と、周波数設定デー
タ２３とを、使用された圧電振動子９の特性に合わせ
て、１組だけ有していればよいので、例えば、それぞ
れ、３ビット、５ビット、８ビットの合計で１６ビット
だけですむため、図２４の従来のディジタル型の温度補
償圧電発振器２００に比べて極めて少なくでき、これに
より、温度補償圧電発振器ＩＣ４１のＩＣチップの小型
化、低コスト化が図れる。
【００５７】また、この温度補償圧電発振器１では、温
度補償圧電発振器１の製造後に、温度特性補償データな
どの設定データを外部から入力することができるため、
内部の各回路素子を入れ換えること無く、製造ばらつき
などによる回路特性の違いを個別に調整することができ
る。これにより、温度補償圧電発振器ＩＣ４１の大量生
産などが可能になり、低コスト化が図れるとともに、製
造後の調整作業を容易に行うことができる。
【００５８】さらに、この温度補償圧電発振器１では、
リミッタ回路３０によって、発振回路８の電源電圧を所
定の変化範囲内に制限することができる。この場合、温
度補償圧電発振器１の電源電圧より低い所定電圧に制限
することにより、温度補償圧電発振器１の電源電圧の変
動に対して強い、より安定化した発振器とすることがで
き、また、発振停止電圧より高い所定電圧に制限するこ
とにより、発振が停止することのない安定した温度補償
圧電発振器１とすることができる。
【００５９】なお、図７および図８（ａ）に示したＤ／
Ａ変換器２５の構成は、Ｒ−２Ｒラダー抵抗型としてい
るが、ゲインを変更する方法としては、Ｄ／Ａ変換器２
５の代わりに、図８（ｂ）の破線内に示す、ディジタル
的に電流値を制御できる電流源群２６−Ｉ１〜ＩｎをＯ
Ｎ／ＯＦＦすることによっても可能である。
【００６０】また、関数発生回路５は、図６で示した構
成の他、図１６に示すように、温度補償圧電発振器１の
外部からの制御電圧Ｖｃによる周波数制御を行うための
回路、例えば、加算器２７を付加しても実現できる。こ
の場合、同図（ａ）の加算器２７は、外部からの制御電
圧Ｖｃを、可変利得増幅器２０へのオフセット設定電圧
Ｖｏに加減算することにより、制御電圧Ｖcont(T) を、
図１７に示すように変化させ、これにより、発振回路８
の周波数−温度特性を全体的に上下に変位させることが
できる。したがって、この構成によれば、外部からの制
御電圧Ｖｃにより、発振回路８の基準周波数ｆ０を調整
することができ、図１および図２のｆ０調整回路７を省
略することができる。さらに、この加算器２７を、図１
６（ｂ）に示すように、可変利得増幅器２０の出力側に
接続しても、同様の作用・効果が得られる。
【００６１】また、本実施形態の温度補償圧電発振器１
では、可変電源回路１５を、圧電振動子９の１次係数Ａ
による周波数偏差△ｆ／ｆ０を補償する構成としたが、
圧電振動子９の２次係数Ｂや３次係数Ｃによる周波数偏
差△ｆ／ｆ０をも含めて、さらに広い周囲温度Ｔの範囲
で高精度な補償をすることも可能である。
【００６２】図１８は、そのような温度補償圧電発振器
の一例を示しており、本発明の別の一実施形態に係る温
度補償圧電発振器を示すブロック図である。この温度補
償圧電発振器５０は、可変電源回路５１の構成が、図１
の温度補償圧電発振器１の可変電源回路１５の構成と異
なっており、その異なった部分の構成が、前述した図２
４の従来の温度補償圧電発振器２００と同様の構成にな
っている。
【００６３】すなわち、可変電源回路５１は、図１８に
示すように、温度検出回路２から入力される温度依存電
圧Ｖsens(T) をディジタル値の温度データに変換するＡ
／Ｄ変換器５２と、その温度データに対応した温度特性
補償データを出力するデータ記憶回路５４と、その温度
特性補償データを制御電圧Ｖcont(T) に変換して出力す
るＤ／Ａ変換器５３と、図１の可変電源回路１５と同
じ、温度関数電源電圧発生回路６およびｆ０調整回路７
と、を備えている。
【００６４】データ記憶回路５４には、図１９に示すよ
うに、圧電振動子９の周波数−温度特性を変更するため
の温度特性補償データ５５と、前述の図５のデータ記憶
回路４と同じ周波数設定データ２３とが格納される。温
度特性補償データ５５は、Ａ／Ｄ変換器５２から入力さ
れる温度データに対応したアドレスに、すなわち、温度
検出回路２の検出温度に対応したアドレスに、周囲温度
Ｔに対応する補償データを並べて構成される。この補償
データは、各アドレスが示す各周囲温度Ｔのときの制御
電圧Ｖcont(T) の値を示しており、温度補償圧電発振器
５０に使用された圧電振動子９の、例えば、図２０に示
すような周波数−温度特性に応じて、各周囲温度Ｔのと
きの周波数偏差△ｆ／ｆ０を相殺し、ゼロに（図中の矢
印方向に）近づけるように、設定される。これらの設定
データ５５および２３の設定時期及び設定方法は、温度
補償圧電発振器１のオフセット設定データ２１などと同
じである。
【００６５】可変電源回路５１では、温度検出回路２の
温度依存電圧Ｖsens(T) に応じて、該当する補償データ
をデータ記憶回路５４から読み出し、その補償データを
Ｄ／Ａ変換器５３で制御電圧Ｖcont(T) に変換し、その
制御電圧Ｖcont(T) に応じて、温度関数電源電圧発生回
路６で電源電圧ＶＤＤ（Ｔ）を変化させる。これによ
り、温度補償圧電発振器５０では、圧電振動子９の周波
数−温度特性を相殺するように、発振回路８のリアクタ
ンス特性を変化させ、発振回路８の周波数−温度特性を
変化させる。例えば、図２０の圧電振動子９の周波数−
温度特性、すなわち−４０℃〜＋８０℃の温度範囲で約
±１８［ｐｐｍ］の周波数偏差△ｆ／ｆ０に対して、図
２１に示すような周波数−温度特性、すなわち同温度範
囲で±０．３［ｐｐｍ］に変化させることができる。
【００６６】したがって、この温度補償圧電発振器５０
では、圧電振動子９の１次係数Ａによる周波数偏差△ｆ
／ｆ０ばかりでなく、２次係数Ｂや３次係数Ｃによる周
波数偏差△ｆ／ｆ０をも含めて、温度補償圧電発振器１
よりさらに広い周囲温度Ｔの範囲で、高精度な補償をす
ることができる。
【００６７】なお、本発明は、上述した実施形態に限定
されることなく、種々の態様で実施することができる。
【００６８】例えば、データ記憶回路４および５４は、
前述のＥＥＰＲＯＭなどの半導体メモリ以外に、一般的
な電気消去タイプや紫外線消去タイプ、ヒューズタイプ
等で構成しても良い。また、データ記憶回路４のオフセ
ット設定データ２１や、データ記憶回路５４の温度補償
データ５５を、圧電振動子９の素子のばらつきによる基
準周波数ｆ０のズレ分をも加味して設定することによ
り、周波数設定データ２３およびｆ０調整回路７を省略
することもできる。また、図２のｆ０調整回路７は、Ｃ
ＭＯＳインバータ３３のＧ（ゲート）側に接続している
が、Ｄ（ドレイン）側に接続しても、同様に、基準周波
数ｆ０を調整できる。
【００６９】また、温度検出回路２に使用する温度セン
サは、温度に対して１次の傾きを持つものならば良く、
例えば、半導体のスレッショルド電圧やＰ−Ｎジャンク
ションの順方向電圧あるいはサーミスタ等が同様に使用
できる。また、プラスチック一体モールド４０の代わり
に、温度補償圧電発振器１や温度補償圧電発振器５０の
全体を、セラミックなどのパッケージに収納することも
でき、小型化や大量生産などの同様の効果が得られる。
さらに、以上に説明した各周波数−温度特性や各設定デ
ータは、あくまで一例であり、圧電振動子の特性や各回
路素子の構成・製造プロセスなどの差異に応じて、所望
の周波数−温度特性が得られるよう、適宜、設定できる
ことは、言うまでもない。
【００７０】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、細部の構成を任意に変更することが可能である。
【００７１】
【発明の効果】以上のように、本発明の温度補償圧電発
振器は、発振回路の電源電圧を周囲温度に応じて変化さ
せることによって、周波数温度特性を補償するため、従
来のような可変リアクタンス素子などを発振回路に外付
けすることなく、周波数温度特性を補償することができ
るとともに、ＩＣ化および製造後の調整作業が容易にな
る、などの効果を有する。また、各請求項に示す構成に
よる効果等については、前述の課題を解決するための手
段の項に示されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る温度補償圧電発振器
を示すブロック図である。
【図２】発振回路の構成とその周辺回路との接続の一例
を示す図である。
【図３】ＡＴカット水晶振動子から成る圧電振動子の周
波数−温度特性の一例を示す図である。
【図４】発振回路の周波数−電源電圧特性の一例を示す
図である。
【図５】データ記憶回路の設定データの一例を示すブロ
ック図である。
【図６】関数発生回路の構成の一例を示すブロック図で
ある。
【図７】Ｄ／Ａ変換器の構成の一例を示す図である。
【図８】可変利得増幅器の回路構成の一例を示す図であ
る。
【図９】温度検出回路の出力電圧−温度特性の一例を示
す図である。
【図１０】関数発生回路の出力電圧−温度特性の一例を
示す図である。
【図１１】温度関数電源電圧発生回路の構成の一例を示
す図である。
【図１２】温度関数電源電圧発生回路の出力電圧−温度
特性の一例を示す図である。
【図１３】ゲイン設定データの設定変更に対応した温度
補償圧電発振器の周波数−温度特性の一例を示す図であ
る。
【図１４】温度補償圧電発振器の温度補償後の周波数−
温度特性の一例を示す図である。
【図１５】温度補償圧電発振器の構造の一例を示す斜視
図である。
【図１６】関数発生回路の構成の別の一例を示すブロッ
ク図である。
【図１７】図１６の関数発生回路の出力電圧−温度特性
の一例を示す図である。
【図１８】本発明の別の一実施形態を示す、図１と同様
の図である。
【図１９】図１８の温度補償圧電発振器に関する、図５
と同様の図である。
【図２０】図１８の温度補償圧電発振器に関する、図３
と同様の図である。
【図２１】図１８の温度補償圧電発振器に関する、図１
４と同様の図である。
【図２２】従来のアナログ型の温度補償圧電発振器の一
例を示す図である。
【図２３】図２２の温度補償圧電発振器の構造の一例を
示す斜視図である。
【図２４】従来のディジタル型の温度補償圧電発振器の
一例を示すブロック図である。
【図２５】図２４の温度補償圧電発振器の発振回路の構
成とその周辺回路との接続を示す図である。
【図２６】図２４の温度補償圧電発振器の構造の一例を
示す斜視図である。
【符号の説明】
１、５０ …… 温度補償圧電発振器 ２ 温度検出回路 ４、５４ …… データ記憶回路（データ記憶手段） ７ ｆ０調整回路 ８ 発振回路 ９ 圧電振動子 １０ データ入出力回路（データ入力手段） ２１ オフセット設定データ（温度特性補償データ、加
算係数） ２２ ゲイン設定データ（温度特性補償データ、乗算係
数） ２３ 周波数設定データ ３０ リミッタ回路 ４０ プラスチック一体モールド（モールド、パッケー
ジ） ４１ 温度補償圧電発振器ＩＣ（ワンチップＩＣ） ５５ 温度特性補償データ

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 周波数温度特性を有する圧電振動子と、 前記圧電振動子を発振させるとともに、印加電源電圧の
    変化に応じて発振周波数を変化させる発振回路と、 前記圧電振動子の周囲温度を検出する温度検出回路と、 前記温度検出回路の検出温度に応じて、前記周波数温度
    特性を変化させる前記印加電源電圧を、前記発振回路に
    供給する可変電源回路と、を備えていることを特徴とす
    る温度補償圧電発振器。
  2. 【請求項２】 前記可変電源回路は、 前記周波数温度特性を相殺するための温度特性補償デー
    タを、周囲温度に対応して記憶するデータ記憶手段を有
    し、 前記データ記憶手段から前記検出温度に応じて読みだし
    た該当する温度特性補償データに基づいて、前記印加電
    源電圧を変化させることを特徴とする、請求項１に記載
    の温度補償圧電発振器。
  3. 【請求項３】 前記可変電源回路は、 前記周波数温度特性が、周囲温度Ｔ、１次係数Ａ、２次
    係数Ｂ、および３次係数Ｃを用いて、 関数ｆ（Ｔ）＝Ａ（Ｔ−２５）＋Ｂ（Ｔ−２５）2＋Ｃ
    （Ｔ−２５）3 で近似できるときに、 前記１次係数Ａ、前記２次係数Ｂおよび前記３次係数Ｃ
    に係る周波数の変化のうち、少なくとも１つの周波数の
    変化を相殺するように設定された温度特性補償データを
    記憶するデータ記憶手段を有し、 前記データ記憶手段から読みだした前記温度特性補償デ
    ータに基づいて、前記関数ｆ（Ｔ）に従った周波数の変
    化を相殺するように、前記印加電源電圧を変化させるこ
    とを特徴とする、請求項１に記載の温度補償圧電発振
    器。
  4. 【請求項４】 前記温度特性補償データは、 前記周辺温度Ｔ、乗算係数Ｇおよび加算係数Ｈから成る
    一次関数Ｖ（Ｔ）＝Ｇ（Ｔ）＋Ｈの、前記乗算係数Ｇお
    よび前記加算係数Ｈを有し、 前記可変電源回路は、 前記乗算係数Ｇおよび前記加算係数Ｈを読み出すととも
    に、前記一次関数Ｖ（Ｔ）に基づいて、前記１次係数Ａ
    に係る周波数の変化を相殺するように、前記印加電源電
    圧を変化させることを特徴とする、請求項３に記載の温
    度補償圧電発振器。
  5. 【請求項５】 前記データ記憶手段に対して、当該温度
    補償圧電発振器の外部からデータを入力可能なデータ入
    力手段を、さらに備えていることを特徴とする、請求項
    ２ないし４のいずれかに記載の温度補償圧電発振器。
  6. 【請求項６】 前記データ記憶手段は、 前記圧電振動子の基準温度における基準発振周波数を補
    正するように設定された周波数設定データを、さらに有
    し、 前記可変電源回路は、 前記データ記憶手段から読みだした周波数設定データに
    基づいて、前記基準発振周波数を補正することを特徴と
    する、請求項２ないし５のいずれかに記載の温度補償圧
    電発振器。
  7. 【請求項７】 前記可変電源回路は、 前記検出温度の上昇に応じて、前記印加電源電圧を上昇
    させることを特徴とする、請求項１または４に記載の温
    度補償圧電発振器。
  8. 【請求項８】 前記可変電源回路は、 前記印加電源電圧の変化範囲を制限するリミッタ回路
    を、さらに備えていることを特徴とする、請求項１ない
    し７のいずれかに記載の温度補償圧電発振器。
  9. 【請求項９】 前記変化範囲は、 上限が、当該温度補償圧電発振器自体に供給される電源
    電圧より低い電圧に設定されていることを特徴とする、
    請求項８に記載の温度補償圧電発振器。
  10. 【請求項１０】 前記変化範囲は、 下限が、前記発振回路の発振停止電圧より高い電圧に設
    定されていることを特徴とする、請求項８に記載の温度
    補償圧電発振器。
  11. 【請求項１１】 前記圧電振動子を除く構成部品が、ワ
    ンチップＩＣ化されていることを特徴とする、請求項１
    ないし１０のいずれかに記載の温度補償圧電発振器。
  12. 【請求項１２】 前記ワンチップＩＣが、前記圧電振動
    子と共にモールドされていることを特徴とする、請求項
    １１に記載の温度補償圧電発振器。
  13. 【請求項１３】 前記ワンチップＩＣが、前記圧電振動
    子と共にパッケージに収納されていることを特徴とす
    る、請求項１１に記載の温度補償圧電発振器。
JP8061493A 1995-04-27 1996-03-18 温度補償圧電発振器 Withdrawn JPH0918234A (ja)

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