JP2008042149A - 大電流高効率の表面実装型発光ダイオードランプおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回路基板と、該回路基板上の熱伝導性の金属製電極層に、集積して実装された発光ダイオードチップと、該発光ダイオードチップ上にモールド形成された光抽出部と、前記発光ダイオードチップが実装された前記電極層の底面の少なくとも一部を露出させた熱放出用露出構造、または該電極層を上下方向に略貫通する貫通孔を有してなる熱放出用柱構造の少なくとも一方からなる熱放出部を具備する、発光ダイオードランプ。
【選択図】図6
Description
すなわち、本発明は、回路基板と、該回路基板上の熱伝導性の金属製電極層に、集積して実装された発光ダイオードチップと、該発光ダイオードチップ上にモールド形成された光抽出部と、前記発光ダイオードチップが実装された前記電極層の底面の少なくとも一部を露出させた熱放出用露出構造、または該電極層を上下方向に略貫通する貫通孔を有してなる熱放出用柱構造の少なくとも一方からなる熱放出部を具備する、発光ダイオードランプに関する。
さらに、本発明は、第三工程が、第二工程でモールドした後に、ラッピングまたはエッチングにより電極の金属層の底面全体を露出させることを含む、上記製造方法に関する。
さらに、本発明は、第三工程が、第二工程でモールドした後に、ダイシングにより直線状に延在する凹み部を形成して、電極の金属層の底面の一部を露出させることを含む、上記製造方法に関する。
また、本発明は、電極層がモールド形成された光抽出部によって支持されるように、回路基板の絶縁体層を除去することを含む、上記製造方法に関する。
また、本発明は、第二工程が、貫通孔を設けた後、熱伝導性材料で該貫通孔の内面をメッキ加工することによって、または貫通孔に熱伝導性材料を充填することによって、熱放出用柱構造を形成する工程を含む、上記製造方法に関する。
さらに、本発明は、第一工程において、20μm〜800μmの厚さを有し、CuまたはAlを含む電極の第一の金属層を形成すること、該金属層の下に(FR−4)エポキシ樹脂からなる200μm〜800μmの厚さの絶縁体層を形成すること、および該絶縁体層の下に20μm〜3000μmの厚さの第二の金属層を形成することを含む、上記製造方法に関する。
さらに、本発明は、反射構造が2種以上の曲率半径を有するように形成する、上記製造方法に関する。
さらに、本発明は、光抽出部をモールド形成する際に、屈折率が1.4〜2.5の範囲の材料でモールド形成することを含む、上記製造方法に関する。
さらにまた、本発明は、光抽出部をシリコーンまたはエポキシ材料から200μm〜1000μmの厚さに形成し、回路基板およびエッチングによりP型領域とN型領域に分離された電極の金属層を支持可能とすることを含む、上記製造方法に関する。
さらに、レンズの光効率を向上させるために屈折率が異なる層を形成したり、光の反射や誘導などを目的として、光透過性樹脂に蛍光体などの各種添加剤を混合して、レンズ部(二次樹脂層)を形成してもよい。また、モールドの代わりにフィルムを接着させることも可能である。
これらの問題を解決するため、本発明では、反射効率、指向特性その他の光利用効率を向上させるため、すなわち、側面および下面に入射する光の反射を誘導して光の抽出効率を高めるために、抽出された光が再度チップに入射し、再吸収されないように反射板および反射構造を設けることができる。
LEDチップ20からの放出光に指向特性を持たせるために、光ガイド62をチップ20の周辺に設置することができる。レンズ部28の内面、側面の周りにテーピングすることによって固定したり、反射率が高い樹脂材料を用いて型成形することができる。この場合、反射面が一定な傾斜面を持つように形成することもできる。図9、図10に上記態様を示す。
12 電極層
14 絶縁体層
16 銅製パッド
18 はんだ層
20 LEDチップ
22 銅製パッド
24 プリント基板
26 一次樹脂層(光抽出部)
28 二次樹脂層(レンズ部)
30 凹部
52 貫通孔
62 光ガイド
82 反射構造
84 貫通孔
Claims (12)
- 回路基板と、
該回路基板上の熱伝導性の金属製電極層に、集積して実装された発光ダイオードチップと、
該発光ダイオードチップ上にモールド形成された光抽出部と、
前記発光ダイオードチップが実装された前記電極層の底面の少なくとも一部を露出させた熱放出用露出構造、または該電極層を上下方向に略貫通する貫通孔を有してなる熱放出用柱構造の少なくとも一方からなる熱放出部
を具備する、発光ダイオードランプ。 - 発光ダイオードチップを集積して実装可能な回路基板を用意する第一工程、
前記回路基板上の熱伝導性の金属製電極層に発光ダイオードチップを集積して実装し、モールドして光抽出部を形成する第二工程、
熱放出部として、前記発光ダイオードチップを実装させた前記電極の金属層の少なくとも一部を露出させて熱放出用露出構造を形成する第三工程、
各発光ダイオード素子を分離する第四工程
を含む、発光ダイオードランプの製造方法。 - 第三工程が、第二工程でモールドした後に、ラッピングまたはエッチングにより電極の金属層の底面全体を露出させることを含む、請求項2に記載の方法。
- 第三工程が、第二工程でモールドした後に、ダイシングにより直線状に延在する凹み部を形成して、電極の金属層の底面の一部を露出させることを含む、請求項2に記載の方法。
- 発光ダイオードチップを集積して実装可能な回路基板を用意する第一工程、
熱放出部として、前記回路基板上の熱伝導性の金属製電極層を上下方向に略貫通する貫通孔を形成して熱放出用柱構造を形成する第二工程、
前記金属製電極層に発光ダイオードチップを集積して実装し、モールドして光抽出部を形成する第三工程、
各発光ダイオード素子を分離する第四工程
を含む、発光ダイオードランプの製造方法。 - 電極層がモールド形成された光抽出部によって支持されるように、回路基板の絶縁体層を除去することを含む、請求項2〜5のいずれかに記載の方法。
- 第二工程が、貫通孔を設けた後、熱伝導性材料で該貫通孔の内面をメッキ加工することによって、または貫通孔に熱伝導性材料を充填することによって、熱放出用柱構造を形成する工程を含む、請求項5に記載の方法。
- 第一工程において、20μm〜800μmの厚さを有し、CuまたはAlを含む電極の第一の金属層を形成すること、該金属層の下に(FR−4)エポキシ樹脂からなる200μm〜800μmの厚さの絶縁体層を形成すること、および該絶縁体層の下に20μm〜3000μmの厚さの第二の金属層を形成することを含む、請求項2〜7のいずれかに記載の方法。
- 第一の金属層を形成する際に、
エッチングによりP型領域とN型領域に分離すること、および
エッチングした後、Agで第一の金属層の表面をメッキ加工することにより反射構造を設けることを含む、請求項8に記載の方法。 - 反射構造が2種以上の曲率半径を有するように形成する、請求項9に記載の方法。
- 光抽出部をモールド形成する際に、屈折率が1.4〜2.5の範囲の材料でモールド形成することを含む、請求項2〜10のいずれかに記載の方法。
- 光抽出部をシリコーンまたはエポキシ材料から200μm〜1000μmの厚さに形成し、回路基板およびエッチングによりP型領域とN型領域に分離された電極の金属層を支持可能とすることを含む、請求項11に記載の方法。
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