JPH09181195A - 静電気保護素子 - Google Patents
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Abstract
ャネルMOS素子の静電気保護効率が低下する問題を解
決することを目的とする。 【解決手段】 本発明の静電気保護素子はMOS素子の
ゲート42をソース44に接地させるのではなく、内部
ウェル抵抗22を通じて接地するようにして、トリガ電
圧が低くなるようにしてあるので、梯子構造を持つNチ
ャネルMOS素子のウェルコンタク部46、47から遠
く離れたドレイン40で発生する電流密集現像を防止す
ることができることを特徴とし、静電気保護性能を向上
させている。
Description
ものであり、具体的にはNチャネルMOS素子を利用す
る静電気保護素子に関するものである。
り、特性も良いCMOS回路の静電気保護素子はNチャ
ネルMOS素子である。
ードに比べて漏泄電流の点で大変な問題点を持っている
が、トリガ電圧(a triggering volt
age)、スナップ−バック電圧(a snap−ba
ck voltage)、動的な抵抗(a dynam
ic resistance)等においてはダイオード
に比べて優秀な特性を持っている。
効率を高めるために必要な大きく形成したゲート幅(g
ate width)を持ち、そしてドレインと同一な
導電型を持つイオンを高エネルギーで注入するプラグ
(plug)工程が実施される。
護効率はそのゲート幅に比例するため、ゲートの幅を広
げることが必要である。しかし、チップサイズ(chi
psize)あるいは回路配置のため、NチャネルMO
S素子においてゲート幅を一つの方向に広げられない場
合には、ゲートのフィンガ(finger)を並列的に
配列する梯子構造(a ladder structu
re or a finger stucture)を
適用するべきである。
であるNチャネルMOS素子はゲート12のフィンガが
並列に配置されている梯子構造を有しており、ゲートの
フィンガの間にはドレイン10が並列に配置されてお
り、普通に基板とゲートが接地(grounded s
ubstrate and/or groundedg
ate)されている。
斜線部分18、すなわちゲート12のフィンガの間に挿
入されているドレイン10の部分で、電流密集現像(c
urrent loalization)が発生する。
その理由はp+ 形ウェルコンタク部(well con
tac)16とソースコンタク部(source co
ntact)との間の距離差に基因するウェル抵抗(w
ell resistance)のためである。
ドレイン接合部から発生した正孔の大部分がウェルコン
タク部16に抜け出て、トリガ(triggerin
g)が発生するのが遅く、これに対して、前記の距離差
が大きな位置ではドレイン接合部から発生したさまざま
な正孔はウェルコンタク部に抜け出たり、ソース接合部
の下に蓄積したりして素子のトリガの発生を早くする。
つまり、衝撃イオン化(impact ionizat
ion)によって各ドレインから発生した電子−正孔対
(electron−hole pairs)の中で大
部分の正孔は前記のp+ 型ウェルコンタク部16に抜け
出るか、あるいはn+ 型ソース接合部に蓄積して、ソー
スに対してウェルの電位を増加させる作用をする。その
結果、ソースがターンオンされる。
16から遠く離れたソースではウェル抵抗の増加によっ
て多く発生することになる。従って、図6に示されたよ
うに、斜線部分18、すなわち、前記のウェルコンタク
部16から一番遠く離れているドレインで、ソースのタ
ーンオン現像の発生が早いために電流が密集し、梯子構
造を持つNチャネルMOS素子の静電気保護効率が低下
する問題が発生する。
したような問題を解決するために提案されたもので、M
OS素子のゲートとソースを直接に接地させるのではな
く、ウェル抵抗を経て接地するようにして、静電気保護
性能を向上させた静電気保護素子を提供することを目的
とする。
ために本発明の静電気保護素子は、第1の電源電圧源
(Vdd)と第2の電源電圧源(Vss)の間にある内部回
路24の入出力端に接続され、外部からの静電気が前記
内部回路に印加されることを防止する静電気保護素子に
おいて、前記静電気保護素子は、ウェル領域上に形成さ
れ前記内部回路24の入出力端に接続され前記第1の電
源電圧源(Vdd)の印加されたドレインと、前記第2の
電源電圧源(Vss)と前記ウェル領域に共通に接続され
たソースと、ウェルコンタク部47に接続されたゲート
を持つMOS素子20と、前記ウェルコンタク部47を
通じて前記MOS素子20のゲートに接続された内部抵
抗22とを具備することを特徴とする 。
ル抵抗である。
から数百Ωの範囲を有する。
チャネル導電型MOSトランジスターである。
ド)と、前記入出力PADと外部から第1の電源電圧源
(Vdd)と第2の電源電圧源(Vss)の印加された内部
回路24の間に連結された静電気保護素子において、ウ
ェル領域上に形成され前記内部回路24の入出力端に連
結され前記第1の電源電圧源(Vdd)の印加されるドレ
インと、ウェル領域上に形成され第2の電源電圧源(V
ss)の印加されるソースと、ウェルコンタク部47に接
続されたゲートとを具備するMOS素子20と、前記ゲ
ートと前記第2の電源電圧源(Vss)の間に形成された
内部抵抗22を具備して、ドレイン電圧のトリガリング
電圧を減少させることを特徴とすることもできるこの素
子において、前記のMOS素子はNチャネル導電型MO
Sトランジスターである。
ル抵抗である。
から数百Ωの範囲を有する。
(Vdd)と第2の電源電圧源(Vss)間にある内部回路
24の入出力端に接続され、外部からの静電気が前記内
部回路に印加されることを防止する静電気保護素子にお
いて、前記入出力端にドレイン40が接続され、ゲート
42が並列に配置されており、前記ゲート42の間に前
記ドレイン40が配置された梯子構造を持つMOS素子
20と、前記梯子構造の外部に形成されている第1のウ
ェルコンタク部46と、前記梯子構造の中央に位置する
第2のウェルコンタク部47を具備することを特徴とす
る。
ンタク部はゲートコンタク部を通じて前記のゲートと電
気的に接続される。
チャネル導電型MOSトランジスターである。
ートをソースに接地させるのではなく、内部ウェル抵抗
を通じて接地するようにして、トリガ電圧が低くなるよ
うにしてあるので、ウェルコンタク部から遠く離れたド
レインで発生する電流密集現像を防止することができ、
静電気保護性能を向上させている。
図5を参照して詳細に説明する。
加える第1の電源電圧源(VDD)とソースに加える第2
の電源電圧源(Vss)の間にある内部回路24の入出力
端に接続された梯子構造を有している。
実施例を示す等価回路図である。
(Vss)間にある内部回路24の入出力端に接続された
NチャネルMOS素子20と、内部ウェル抵抗22とか
ら構成されている。MOS素子のゲートをソースに接地
させるのではなく、内部ウェル抵抗を通じて接地するよ
うに構成したことで、トリガ電圧を低くすることができ
る。前記のウェル抵抗22は数Ωから数百Ωの範囲を持
つウェル抵抗である。また、静電気保護素子30は上述
した静電気保護素子と同一な構成を持つ保護素子である
か、あるいは従来の保護素子と同一な構成を持つ保護素
子である場合もある。
て、放電電流が増加することによって、前記のNチャネ
ルMOS素子20のゲート電圧(V′)が増加する。そ
のとき、前記のゲート電圧の増加によって、ドレイン電
圧(VD )のトリガ電圧が低くなって、NチャネルMO
S素子を構成する全てのフィンガがターンオンされる。
記の静電気保護素子の破壊電圧(breakdown
voltage)であるトリガ電圧(Vbr)が低下する
現像を示すグラフである。
ゲートバイアスの函数によって、前記のNチャネルMO
S素子の破壊電圧の曲線が図示されている。この図面か
ら分かるように、前記の素子のゲート電圧がスレッショ
ルド電圧(Vt )より小さい領域では、ゲート電圧が増
加すればするほど破壊電圧は低下する。
ド電圧(Vt )より大きくなると、垂直電界の増加によ
る散乱率増加によって、ドレイン接合部からの衝撃イオ
ン化率が減少する。これによって、前記の基板電流は減
少し、その破壊電圧は図2に図示したように少しづつ増
加しはじめる。
構造を示す平面図である。
素子であるNチャネルMOS素子は、ゲート42が並列
に配置されている梯子構造を持ち、ゲート42の間には
ドレイン40が並列に配置されており、基板とゲート4
2はウェル抵抗22で機能するウェルコンタク部47に
共通に接続されている。前記のウェルコンタク部47は
ゲートコンタク部48を通じてゲート42に接続されて
いる。前記の梯子構造の中間に形成されている前記のウ
ェルコンタク部47は以下で第2のウェルコンタク部と
呼び、前記の梯子構造の外部に形成されているウェルコ
ンタク部46は通常あるように形成されているので、第
1のウェルコンタク部と呼ぶ。
の断面構造を示すための図3のX−X’線での垂直断面
図である。
ンガのターンオン電圧(すなわち、ドレイン電圧)は、
初期放電特性によって、ゲート端子が第2の電源電圧
(Vss)に接続された従来の静電気保護素子と同じく、
Vbr(図5に表示される曲線S1を参照)であるが、一
端放電が始まると、ゲートバイアスが増加(放電電流I
×ウェル抵抗Rwell)する。これと同時に、ターンオン
されていないその他のフィンガのターンオン電圧が主放
電特性によって、Vbr′(図5に示した曲線S2を参
照)と低くて、早く全てのフィンガをターンオンさせる
ことができる。
ば、NチャネルMOS素子のゲートをソースに直接に接
地させるのではなく、ウェル抵抗を通じて接地するよう
にしたので、コンタク部が遠く離れたドレインで発生す
る電流密集現像を防止することができ、静電気保護性能
を向上させることができる。
路図である。
スの増加によって前記の静電気保護素子の破壊電圧が低
下する現像を示すグラフである。
アウト(I/O layout)を示す平面図である。
構造を示す垂直断面図である。
び主放電による素子動作特性を示すグラフである。
ウト(I/O layout)を示す平面図である。
Claims (11)
- 【請求項1】 第1の電源電圧源と第2の電源電圧源の
間にある内部回路の入出力端に接続され、外部からの静
電気が前記内部回路に印加されることを防止する静電気
保護素子において、 前記静電気保護素子は、ウェル領域上に形成されて前記
内部回路の入出力端に接続され前記第1の電源電圧源の
印加されたドレインと、前記第2の電源電圧源と前記ウ
ェル領域に共通に接続されたソースと、ウェルコンタク
部に接続されたゲートを持つMOS素子と、 前記ウェルコンタク部を通じて前記MOS素子のゲート
に接続された内部抵抗とを具備することを特徴とする静
電気保護素子。 - 【請求項2】 前記内部抵抗はウェル抵抗であることを
特徴とする請求項1記載の静電気保護素子。 - 【請求項3】 前記内部抵抗は数Ωから数百Ωであるこ
とを特徴とする請求項1記載の静電気保護素子。 - 【請求項4】 前記MOS素子はNチャネル導電型MO
Sトランジスターであることを特徴とする請求項1記載
の静電気保護素子。 - 【請求項5】 入出力PADと、前記入出力PADと外
部から第1の電源電圧源と第2の電源電圧源の印加され
た内部回路の間に連結された静電気保護素子において、 ウェル領域上に形成され前記内部回路の入出力端に連結
され前記第1の電源電圧源の印加されるドレインと、ウ
ェル領域上に形成され第2の電源電圧源の印加されるソ
ースと、ウェルコンタク部に接続されたゲートとを具備
するMOS素子と、 前記ゲートと前記第2の電源電圧源の間に形成された内
部抵抗を具備して、ドレイン電圧のトリガリング電圧を
減少させることを特徴する静電気保護素子。 - 【請求項6】 前記MOS素子はNチャネル導電型MO
Sトランジスターであることを特徴とする請求項5記載
の静電気保護素子。 - 【請求項7】 前記内部抵抗はウェル抵抗であることを
特徴とする請求項5記載の静電気保護素子。 - 【請求項8】 前記内部抵抗は数Ωから数百Ωの範囲で
あることを特徴とする請求項5記載の静電気保護素子。 - 【請求項9】 第1の電源電圧源と第2の電源電圧源間
にある内部回路の入出力端に接続され、外部からの静電
気が前記内部回路に印加されることを防止する静電気保
護素子において、 前記入出力端にドレインが接続され、ゲートが並列に配
置されており、前記ゲートの間に前記ドレインが配置さ
れた梯子構造を持つMOS素子と、 前記梯子構造の外部に形成されている第1のウェルコン
タク部と、 前記梯子構造の中央に位置する第2のウェルコンタク部
とを具備することを特徴とする静電気保護素子。 - 【請求項10】 前記第2のウェルコンタク部はゲート
コンタク部を通じて前記ゲートと電気的に接続されるこ
とを特徴とする請求項9記載の静電気保護素子。 - 【請求項11】 前記MOS素子はNチャネル導電型M
OSトランジスターであることを特徴とする請求項9記
載の静電気保護素子。
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JP (1) | JP4387468B2 (ja) |
KR (1) | KR100203054B1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6469354B1 (en) | 1998-03-24 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Semiconductor device having a protective circuit |
US6815776B2 (en) | 2000-12-30 | 2004-11-09 | Hynix Semiconductor Inc. | Multi-finger type electrostatic discharge protection circuit |
JP2005354014A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Nec Electronics Corp | 静電気放電保護素子 |
JP2009016736A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Canon Inc | 半導体集積回路 |
JP2011171762A (ja) * | 2011-05-02 | 2011-09-01 | Renesas Electronics Corp | 静電気放電保護素子 |
KR101159426B1 (ko) * | 2010-03-15 | 2012-06-28 | 숭실대학교산학협력단 | 정전기 방지 구조를 가진 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 |
KR20170038020A (ko) | 2014-07-31 | 2017-04-05 | 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤 | Esd 소자를 가지는 반도체 장치 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3090081B2 (ja) * | 1997-03-12 | 2000-09-18 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JP3186701B2 (ja) * | 1998-07-13 | 2001-07-11 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
KR100506970B1 (ko) * | 1998-09-01 | 2005-10-26 | 삼성전자주식회사 | 정전기방전 방지용 반도체장치 |
US5990504A (en) * | 1999-05-18 | 1999-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Finger structured MOSFET |
US6815775B2 (en) | 2001-02-02 | 2004-11-09 | Industrial Technology Research Institute | ESD protection design with turn-on restraining method and structures |
US6448123B1 (en) * | 2001-02-20 | 2002-09-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Low capacitance ESD protection device |
US7005708B2 (en) * | 2001-06-14 | 2006-02-28 | Sarnoff Corporation | Minimum-dimension, fully-silicided MOS driver and ESD protection design for optimized inter-finger coupling |
KR20040041149A (ko) | 2001-07-05 | 2004-05-14 | 사르노프 코포레이션 | 멀티 핑거 턴온을 위해 동시에 분배되는 셀프-바이어싱을갖는 정전기 방전(esd)보호 장치 |
KR100431066B1 (ko) * | 2001-09-27 | 2004-05-12 | 삼성전자주식회사 | 정전 방전 보호 기능을 가진 반도체 장치 |
TWI271845B (en) * | 2002-03-28 | 2007-01-21 | Winbond Electronics Corp | Electrostatic discharge protection device |
US7244992B2 (en) * | 2003-07-17 | 2007-07-17 | Ming-Dou Ker | Turn-on-efficient bipolar structures with deep N-well for on-chip ESD protection |
WO2006031777A2 (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Capacitive circuit element and method of using the same |
US7256460B2 (en) * | 2004-11-30 | 2007-08-14 | Texas Instruments Incorporated | Body-biased pMOS protection against electrostatic discharge |
JP2006339444A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその半導体装置の製造方法 |
KR100772097B1 (ko) * | 2005-06-11 | 2007-11-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 회로용 정전기 보호소자 |
US20070007597A1 (en) * | 2005-07-07 | 2007-01-11 | Microchip Technology Incorporated | ESD structure having different thickness gate oxides |
US7352034B2 (en) * | 2005-08-25 | 2008-04-01 | International Business Machines Corporation | Semiconductor structures integrating damascene-body FinFET's and planar devices on a common substrate and methods for forming such semiconductor structures |
TWI269438B (en) * | 2005-09-16 | 2006-12-21 | Powerchip Semiconductor Corp | Semiconductor device and electrostatic discharge protect device |
DE102005046777B4 (de) * | 2005-09-29 | 2013-10-17 | Altis Semiconductor | Halbleiterspeicher-Einrichtung |
JP2008010667A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP5165967B2 (ja) * | 2007-08-22 | 2013-03-21 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置 |
JP5701684B2 (ja) * | 2011-05-23 | 2015-04-15 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 半導体装置 |
JP2013008715A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Semiconductor Components Industries Llc | 半導体装置 |
US9236372B2 (en) * | 2011-07-29 | 2016-01-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Combined output buffer and ESD diode device |
KR102145275B1 (ko) | 2014-01-27 | 2020-08-18 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 |
US10410957B2 (en) * | 2016-03-31 | 2019-09-10 | Skyworks Solutions, Inc. | Body contacts for field-effect transistors |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5276346A (en) * | 1983-12-26 | 1994-01-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device having protective/output elements and internal circuits |
EP0161983B1 (en) * | 1984-05-03 | 1992-07-01 | Digital Equipment Corporation | Input protection arrangement for vlsi integrated circuit devices |
US4692781B2 (en) * | 1984-06-06 | 1998-01-20 | Texas Instruments Inc | Semiconductor device with electrostatic discharge protection |
US5166089A (en) * | 1986-09-30 | 1992-11-24 | Texas Instruments Incorporated | Method of making electrostatic discharge protection for semiconductor input devices |
JP2679046B2 (ja) * | 1987-05-22 | 1997-11-19 | ソニー株式会社 | メモリ装置 |
US5270565A (en) * | 1989-05-12 | 1993-12-14 | Western Digital Corporation | Electro-static discharge protection circuit with bimodal resistance characteristics |
JP3375659B2 (ja) * | 1991-03-28 | 2003-02-10 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | 静電放電保護回路の形成方法 |
US5229635A (en) * | 1991-08-21 | 1993-07-20 | Vlsi Technology, Inc. | ESD protection circuit and method for power-down application |
US5404041A (en) * | 1993-03-31 | 1995-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Source contact placement for efficient ESD/EOS protection in grounded substrate MOS integrated circuit |
US5450267A (en) * | 1993-03-31 | 1995-09-12 | Texas Instruments Incorporated | ESD/EOS protection circuits for integrated circuits |
-
1995
- 1995-12-02 KR KR1019950046232A patent/KR100203054B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-11-29 JP JP32004296A patent/JP4387468B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-02 US US08/753,939 patent/US5874763A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6469354B1 (en) | 1998-03-24 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Semiconductor device having a protective circuit |
EP0948051A3 (en) * | 1998-03-24 | 2006-04-05 | NEC Electronics Corporation | Semiconductor device having a protective circuit |
US6815776B2 (en) | 2000-12-30 | 2004-11-09 | Hynix Semiconductor Inc. | Multi-finger type electrostatic discharge protection circuit |
JP2005354014A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Nec Electronics Corp | 静電気放電保護素子 |
JP2009016736A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Canon Inc | 半導体集積回路 |
KR101159426B1 (ko) * | 2010-03-15 | 2012-06-28 | 숭실대학교산학협력단 | 정전기 방지 구조를 가진 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 |
JP2011171762A (ja) * | 2011-05-02 | 2011-09-01 | Renesas Electronics Corp | 静電気放電保護素子 |
KR20170038020A (ko) | 2014-07-31 | 2017-04-05 | 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤 | Esd 소자를 가지는 반도체 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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