JPH0917827A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH0917827A JPH0917827A JP16422595A JP16422595A JPH0917827A JP H0917827 A JPH0917827 A JP H0917827A JP 16422595 A JP16422595 A JP 16422595A JP 16422595 A JP16422595 A JP 16422595A JP H0917827 A JPH0917827 A JP H0917827A
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- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は半導体チップを基板にフリップチップ
実装する半導体装置に関し、製品コストの低減を図ると
共に実装時の信頼性及び放熱効率の向上を図ることを目
的とする。 【構成】半導体チップ21と、この半導体チップがフリッ
プチップボンディング法により実装される基板22と、半
導体チップ21を封止するよう基板22上に配設され封止樹
脂24と、この封止樹脂24上に半導体チップ21と熱的に接
続される構成で配設されたキャップ23とを具備してお
り、半導体チップ21をスペーサとして機能させ、この半
導体チップ21によりキャップ23と基板22との間に介在す
る封止樹脂24の基板23に対する高さを一定に規制する構
成とした。
実装する半導体装置に関し、製品コストの低減を図ると
共に実装時の信頼性及び放熱効率の向上を図ることを目
的とする。 【構成】半導体チップ21と、この半導体チップがフリッ
プチップボンディング法により実装される基板22と、半
導体チップ21を封止するよう基板22上に配設され封止樹
脂24と、この封止樹脂24上に半導体チップ21と熱的に接
続される構成で配設されたキャップ23とを具備してお
り、半導体チップ21をスペーサとして機能させ、この半
導体チップ21によりキャップ23と基板22との間に介在す
る封止樹脂24の基板23に対する高さを一定に規制する構
成とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に係り、特に
半導体チップを基板にフリップチップ実装する半導体装
置に関する。近年の半導体装置においては、半導体チッ
プの動作速度の高速化が益々進み、入出力回路の配線長
による速度遅延が無視できなくなってきている。このた
め、従来の金属ワイヤを用いた接続法に変わる接続法と
して、より配線長の短くなるフリップチップ接続法が実
用されつつある。
半導体チップを基板にフリップチップ実装する半導体装
置に関する。近年の半導体装置においては、半導体チッ
プの動作速度の高速化が益々進み、入出力回路の配線長
による速度遅延が無視できなくなってきている。このた
め、従来の金属ワイヤを用いた接続法に変わる接続法と
して、より配線長の短くなるフリップチップ接続法が実
用されつつある。
【０００２】一方、近年の半導体装置における高速化及
び高密度化に伴い、半導体チップの発熱量は増大する傾
向にあり、よって放熱性の向上を図る必要がある。ま
た、半導体装置の小型化及び実装基板に対する表面実装
化に伴い、実装時における信頼性を向上させる必要もあ
る。
び高密度化に伴い、半導体チップの発熱量は増大する傾
向にあり、よって放熱性の向上を図る必要がある。ま
た、半導体装置の小型化及び実装基板に対する表面実装
化に伴い、実装時における信頼性を向上させる必要もあ
る。
【０００３】よって、上記フリップチップ接続法を用い
た半導体装置においても、放熱性及び実装時における信
頼性を向上させることが望まれている。
た半導体装置においても、放熱性及び実装時における信
頼性を向上させることが望まれている。
【０００４】
【従来の技術】従来におけるフリップチップ接続法を採
用した半導体装置を図１０乃至図１２に示す。図１０に
示す半導体装置１は、半導体チップ２を実装する基板と
して多層セラミック基板３を用いたものである。多層セ
ラミック基板３はその内部に半導体チップ２が収納され
るキャビティ４が形成されている。このキャビティ４の
底部には接続パターン５が形成されており、半導体チッ
プ２の下面に形成された半田バンプ６はこの接続パター
ン５にフリップチップ接続される。
用した半導体装置を図１０乃至図１２に示す。図１０に
示す半導体装置１は、半導体チップ２を実装する基板と
して多層セラミック基板３を用いたものである。多層セ
ラミック基板３はその内部に半導体チップ２が収納され
るキャビティ４が形成されている。このキャビティ４の
底部には接続パターン５が形成されており、半導体チッ
プ２の下面に形成された半田バンプ６はこの接続パター
ン５にフリップチップ接続される。
【０００５】また、多層セラミック基板３の上部には金
属キャップ７が半田等のろう材８により接合され、これ
により半導体チップ２は多層セラミック基板３内に封止
される。更に、多層セラミック基板３の底面には外部接
続端子となるボール９が配設されており、この各ボール
９は多層セラミック基板３の内部配線及び接続パターン
５を介して半導体チップ２と電気的に接続されている。
属キャップ７が半田等のろう材８により接合され、これ
により半導体チップ２は多層セラミック基板３内に封止
される。更に、多層セラミック基板３の底面には外部接
続端子となるボール９が配設されており、この各ボール
９は多層セラミック基板３の内部配線及び接続パターン
５を介して半導体チップ２と電気的に接続されている。
【０００６】一方、図１１に示す半導体装置１０は、半
導体チップ２を実装する基板としてガラス−エポキシ基
板（以下、ガラエポ基板という）１１を用いたものであ
る。ガラエポ基板１１の上面中央部分には接続パターン
１２が形成されており、半導体チップ２の下面に形成さ
れた半田バンプ６はこの接続パターン１２にフリップチ
ップ接続される。
導体チップ２を実装する基板としてガラス−エポキシ基
板（以下、ガラエポ基板という）１１を用いたものであ
る。ガラエポ基板１１の上面中央部分には接続パターン
１２が形成されており、半導体チップ２の下面に形成さ
れた半田バンプ６はこの接続パターン１２にフリップチ
ップ接続される。
【０００７】また、ガラエポ基板１１の外周位置には接
着樹脂１３により枠状のダム１４が配設されている。こ
のガラエポ基板１１及びダム１４により形成されるキャ
ビティ内に封止樹脂１５がポッティングされ半導体装置
１０が封止される構成となっている。また、ガラエポ基
板１１の底面には外部接続端子となるボール１６が配設
されており、この各ボール１６はガラエポ基板１１に形
成されたスルーホール（図示せず）及び接続パターン１
２を介して半導体チップ２と電気的に接続されている。
着樹脂１３により枠状のダム１４が配設されている。こ
のガラエポ基板１１及びダム１４により形成されるキャ
ビティ内に封止樹脂１５がポッティングされ半導体装置
１０が封止される構成となっている。また、ガラエポ基
板１１の底面には外部接続端子となるボール１６が配設
されており、この各ボール１６はガラエポ基板１１に形
成されたスルーホール（図示せず）及び接続パターン１
２を介して半導体チップ２と電気的に接続されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、図１０に示
した半導体装置１では、基板として高価な多層セラミッ
ク基板３を用いていたため、半導体装置１の製品コスト
が高くなるという問題点があった。
した半導体装置１では、基板として高価な多層セラミッ
ク基板３を用いていたため、半導体装置１の製品コスト
が高くなるという問題点があった。
【０００９】また、半導体チップ２を気密封止するため
に多層セラミック基板３の上面にろう材８を用いて金属
キャップ７を配設した構成とされたいたため、半導体チ
ップ２は中空封止となる。このため、半導体チップ２で
発生した熱を放熱することができず、半導体チップ２の
放熱効率が悪いという問題点があった。
に多層セラミック基板３の上面にろう材８を用いて金属
キャップ７を配設した構成とされたいたため、半導体チ
ップ２は中空封止となる。このため、半導体チップ２で
発生した熱を放熱することができず、半導体チップ２の
放熱効率が悪いという問題点があった。
【００１０】一方、図１１に示した半導体装置１０で
は、基板としてガラエポ基板１１を用いているため、多
層セラミック基板３を用いた半導体装置１に比べると製
品コストの低減が図れる。しかるに、半導体装置１０
は、ガラエポ基板１１及びダム１４により形成されるキ
ャビティ内に封止樹脂１５をポッティングする構成であ
るため、封止樹脂量のばらつき，ポッティング位置，及
び樹脂の粘性等の種々の条件により、図１２に示すよう
に封止樹脂１５に偏りが発生するおれがある。このよう
に封止樹脂１５に偏りが発生すると、半導体装置１０を
実装基板に実装する際の信頼性が低下してしまう。
は、基板としてガラエポ基板１１を用いているため、多
層セラミック基板３を用いた半導体装置１に比べると製
品コストの低減が図れる。しかるに、半導体装置１０
は、ガラエポ基板１１及びダム１４により形成されるキ
ャビティ内に封止樹脂１５をポッティングする構成であ
るため、封止樹脂量のばらつき，ポッティング位置，及
び樹脂の粘性等の種々の条件により、図１２に示すよう
に封止樹脂１５に偏りが発生するおれがある。このよう
に封止樹脂１５に偏りが発生すると、半導体装置１０を
実装基板に実装する際の信頼性が低下してしまう。
【００１１】即ち、半導体装置１０を実装基板に実装す
る際、一般にハンドリング装置を用いて実装処理を行う
が、上記のように封止樹脂１５に偏りがあるとハンドリ
ング装置の把持部１７が図１２に示すように半導体装置
１０を適宜に把持することができず、偏った状態で把持
することとなる。ハンドリング装置は、この偏った状態
のままで半導体装置１０を実装基板に実装するため、実
装基板上において半導体装置１０は傾いた状態となり、
全てのボール１６を実装基板に対して適宜に半田付けす
ることができなくなる。よって、半導体装置１０と実装
基板との間で接続不良箇所が発生し、従って実装時にお
ける信頼性が低下してしまう。
る際、一般にハンドリング装置を用いて実装処理を行う
が、上記のように封止樹脂１５に偏りがあるとハンドリ
ング装置の把持部１７が図１２に示すように半導体装置
１０を適宜に把持することができず、偏った状態で把持
することとなる。ハンドリング装置は、この偏った状態
のままで半導体装置１０を実装基板に実装するため、実
装基板上において半導体装置１０は傾いた状態となり、
全てのボール１６を実装基板に対して適宜に半田付けす
ることができなくなる。よって、半導体装置１０と実装
基板との間で接続不良箇所が発生し、従って実装時にお
ける信頼性が低下してしまう。
【００１２】更に、図１１に示した半導体装置１０で
は、半導体チップ２が熱伝導性が良好でない封止樹脂１
５により封止されるため、半導体チップ２で発生した熱
を放熱することができず半導体チップ２の放熱効率が悪
いという問題点があった。本発明は上記の点に鑑みてな
されたものであり、製品コストの低減を図ると共に実装
時の信頼性及び放熱効率の向上を図った半導体チップを
提供することを目的とする。
は、半導体チップ２が熱伝導性が良好でない封止樹脂１
５により封止されるため、半導体チップ２で発生した熱
を放熱することができず半導体チップ２の放熱効率が悪
いという問題点があった。本発明は上記の点に鑑みてな
されたものであり、製品コストの低減を図ると共に実装
時の信頼性及び放熱効率の向上を図った半導体チップを
提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題は、下記の手段
を講じることにより解決するこができる。請求項１記載
の発明では、半導体チップと、前記半導体チップがフリ
ップチップボンディング法により実装される基板と、前
記半導体チップを封止するよう前記基板上に配設され封
止樹脂と、前記封止樹脂上に前記半導体チップと熱的に
接続される構成で配設されたキャップとを具備してお
り、前記キャップと前記基板との間にスペーサとして前
記半導体チップを配設し、この半導体チップにより前記
キャップと前記基板との間に介在する封止樹脂の前記基
板に対する高さを一定に規制する構成としたことを特徴
とするものである。
を講じることにより解決するこができる。請求項１記載
の発明では、半導体チップと、前記半導体チップがフリ
ップチップボンディング法により実装される基板と、前
記半導体チップを封止するよう前記基板上に配設され封
止樹脂と、前記封止樹脂上に前記半導体チップと熱的に
接続される構成で配設されたキャップとを具備してお
り、前記キャップと前記基板との間にスペーサとして前
記半導体チップを配設し、この半導体チップにより前記
キャップと前記基板との間に介在する封止樹脂の前記基
板に対する高さを一定に規制する構成としたことを特徴
とするものである。
【００１４】また、請求項２記載の発明では、前記請求
項１記載の半導体装置において、前記基板として樹脂基
板を用いたことを特徴とするものである。また、請求項
３記載の発明では、前記請求項１または２記載の半導体
装置において、前記半導体チップと前記キャップとの間
に熱伝導性の良好なペースト材を介装したことを特徴と
するものである。
項１記載の半導体装置において、前記基板として樹脂基
板を用いたことを特徴とするものである。また、請求項
３記載の発明では、前記請求項１または２記載の半導体
装置において、前記半導体チップと前記キャップとの間
に熱伝導性の良好なペースト材を介装したことを特徴と
するものである。
【００１５】また、請求項４記載の発明では、前記請求
項３記載のにおいて、前記ペースト材として、金属フィ
ラー入り樹脂ペースト，非金属系フィラー入り樹脂ペー
スト，又はろう材のいずれかを用いたことを特徴とする
ものである。
項３記載のにおいて、前記ペースト材として、金属フィ
ラー入り樹脂ペースト，非金属系フィラー入り樹脂ペー
スト，又はろう材のいずれかを用いたことを特徴とする
ものである。
【００１６】また、請求項５記載の発明では、前記請求
項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置において、前
記キャップに放熱フィンを設けたことを特徴とするもの
である。また、請求項６記載の発明では、前記請求項１
乃至４のいずれかに記載の半導体装置において、前記キ
ャップの前記半導体チップと対向する位置に、前記半導
体チップと熱的に接続される放熱部材が配設される開口
部を形成したことを特徴とするものである。
項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置において、前
記キャップに放熱フィンを設けたことを特徴とするもの
である。また、請求項６記載の発明では、前記請求項１
乃至４のいずれかに記載の半導体装置において、前記キ
ャップの前記半導体チップと対向する位置に、前記半導
体チップと熱的に接続される放熱部材が配設される開口
部を形成したことを特徴とするものである。
【００１７】また、請求項７記載の発明では、前記請求
項６記載の半導体装置において、前記開口部内に熱伝導
性の良好なペースト材を介装したことを特徴とするもの
である。
項６記載の半導体装置において、前記開口部内に熱伝導
性の良好なペースト材を介装したことを特徴とするもの
である。
【００１８】更に、請求項８記載の発明では、前記請求
項７記載のにおいて、前記ペースト材として、金属フィ
ラー入り樹脂ペースト，非金属系フィラー入り樹脂ペー
スト，又はろう材のいずれかを用いたことを特徴とする
ものである。
項７記載のにおいて、前記ペースト材として、金属フィ
ラー入り樹脂ペースト，非金属系フィラー入り樹脂ペー
スト，又はろう材のいずれかを用いたことを特徴とする
ものである。
【００１９】
【作用】上記の各手段は、次のように作用する。請求項
１記載の発明によれば、キャップと基板との間にスペー
サを配設し、このスペーサによりキャップと基板との間
に介在する封止樹脂の基板に対する高さを一定に規制す
る構成としたことにより、半導体装置の上面は基板に対
して均一な高さとなり、偏りの発生を防止することがで
きる。よって、半導体装置を実装基板に実装する際、半
導体装置が傾いて実装されることを防止できる。これに
より、実装基板に対して半導体装置を確実に実装するこ
とができ、実装時における信頼性を向上させることがで
きる。また、スペーサとして半導体チップを用いたこと
により、別個にスペーサとなる部材を配設する構成に比
べて組み立て性の向上及び製品コストの低減を図ること
ができる。
１記載の発明によれば、キャップと基板との間にスペー
サを配設し、このスペーサによりキャップと基板との間
に介在する封止樹脂の基板に対する高さを一定に規制す
る構成としたことにより、半導体装置の上面は基板に対
して均一な高さとなり、偏りの発生を防止することがで
きる。よって、半導体装置を実装基板に実装する際、半
導体装置が傾いて実装されることを防止できる。これに
より、実装基板に対して半導体装置を確実に実装するこ
とができ、実装時における信頼性を向上させることがで
きる。また、スペーサとして半導体チップを用いたこと
により、別個にスペーサとなる部材を配設する構成に比
べて組み立て性の向上及び製品コストの低減を図ること
ができる。
【００２０】また、請求項２記載の発明によれば、基板
としてセラミック基板等に比べて安価な樹脂基板を用い
たことにより、製品コストの低減を図ることができる。
また、請求項３及び７記載の発明によれば、半導体チッ
プとキャップとの間に熱伝導性の良好なペースト材を介
装したことにより、半導体チップで発生した熱はペース
ト材を介してキャップに熱伝導し放熱されるため、放熱
効率を向上させることができる。
としてセラミック基板等に比べて安価な樹脂基板を用い
たことにより、製品コストの低減を図ることができる。
また、請求項３及び７記載の発明によれば、半導体チッ
プとキャップとの間に熱伝導性の良好なペースト材を介
装したことにより、半導体チップで発生した熱はペース
ト材を介してキャップに熱伝導し放熱されるため、放熱
効率を向上させることができる。
【００２１】また、請求項４及び８記載の発明によれ
ば、ペースト材として金属フィラー入り樹脂ペースト，
非金属系フィラー入り樹脂ペースト，又はろう材のいず
れかを用いたことにより、半導体チップとキャップとの
熱的接合性及び機械的接合性を共に向上でき、放熱性及
び半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
ば、ペースト材として金属フィラー入り樹脂ペースト，
非金属系フィラー入り樹脂ペースト，又はろう材のいず
れかを用いたことにより、半導体チップとキャップとの
熱的接合性及び機械的接合性を共に向上でき、放熱性及
び半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
【００２２】また、請求項５記載の発明によれば、キャ
ップに放熱フィンを設けたことにより、更に半導体チッ
プで発生する熱の放熱効率を向上させることができる。
更に、請求項６記載の発明によれば、キャップの半導体
チップと対向する位置に、半導体チップと熱的に接続さ
れる放熱部材が配設される開口部を形成したことによ
り、放熱部材を配設しない状態で半導体装置を実装基板
に実装し、その後に放熱部材を半導体装置に配設するこ
とが可能となる。よって、一般に形状の大きな放熱部材
をいわゆる後付けすることができるため、これによって
も半導体装置の実装性を向上させることができる。
ップに放熱フィンを設けたことにより、更に半導体チッ
プで発生する熱の放熱効率を向上させることができる。
更に、請求項６記載の発明によれば、キャップの半導体
チップと対向する位置に、半導体チップと熱的に接続さ
れる放熱部材が配設される開口部を形成したことによ
り、放熱部材を配設しない状態で半導体装置を実装基板
に実装し、その後に放熱部材を半導体装置に配設するこ
とが可能となる。よって、一般に形状の大きな放熱部材
をいわゆる後付けすることができるため、これによって
も半導体装置の実装性を向上させることができる。
【００２３】
【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。図１は本発明の第１実施例である半導体装置２０
を示している。この半導体装置２０はいわゆるＢＧＡ(B
all Grid Array) タイプの半導体装置であり、大略する
と半導体チップ２１，基板２２，キャップ２３，及び封
止樹脂２４等により構成されている。
する。図１は本発明の第１実施例である半導体装置２０
を示している。この半導体装置２０はいわゆるＢＧＡ(B
all Grid Array) タイプの半導体装置であり、大略する
と半導体チップ２１，基板２２，キャップ２３，及び封
止樹脂２４等により構成されている。
【００２４】半導体チップ２１は、その底面に複数の半
田バンプ２５が形成されており、この半田バンプ２５を
基板２２の上面に形成された接続パターン２６にフリッ
プチップ接続されることにより、半導体チップ２１は基
板２２に搭載される。このように、半田バンプ２５を用
いて半導体チップ２１を基板２２にフリップチップ接続
する構成とすることにより、ワイヤを用いた接続方法に
比べて配線長を短くすることができ、半導体チップ２１
の動作速度が高速化してもこれに対応させることができ
る。
田バンプ２５が形成されており、この半田バンプ２５を
基板２２の上面に形成された接続パターン２６にフリッ
プチップ接続されることにより、半導体チップ２１は基
板２２に搭載される。このように、半田バンプ２５を用
いて半導体チップ２１を基板２２にフリップチップ接続
する構成とすることにより、ワイヤを用いた接続方法に
比べて配線長を短くすることができ、半導体チップ２１
の動作速度が高速化してもこれに対応させることができ
る。
【００２５】基板２２は例えばガラス−エポキシ製の樹
脂製基板であり、図１０に示した従来用いられていた多
層セラミック基板に比べて安価なものである。従って、
基板２２として樹脂製基板を用いることにより半導体装
置２０の製品コストの低減を図ることができる。尚、基
板２２の材料はガラス−エポキシ以外にも他の材質より
なる樹脂製基板を用いることは可能であり、またフレキ
シブル・プリント基板の適用も考えられる。
脂製基板であり、図１０に示した従来用いられていた多
層セラミック基板に比べて安価なものである。従って、
基板２２として樹脂製基板を用いることにより半導体装
置２０の製品コストの低減を図ることができる。尚、基
板２２の材料はガラス−エポキシ以外にも他の材質より
なる樹脂製基板を用いることは可能であり、またフレキ
シブル・プリント基板の適用も考えられる。
【００２６】この基板２２の上面には前述した半導体チ
ップ２１に形成された半田バンプ２５が接合される接続
パターン２６が形成されると共に、下面には接続パッド
２８が形成されている。この接続パッド２８は、外部接
続端子となるボール（半田ボール）２７が配設されてい
る。
ップ２１に形成された半田バンプ２５が接合される接続
パターン２６が形成されると共に、下面には接続パッド
２８が形成されている。この接続パッド２８は、外部接
続端子となるボール（半田ボール）２７が配設されてい
る。
【００２７】また、基板上面に形成された接続パターン
２６と基板下面に形成された接続パッド２８とは、基板
２２を上下に貫通するよう形成されたスルーホール（図
示せず）により電気的に接続された構成とされている。
前述したように、この基板２２には半導体チップ２１が
フリップチップ接続により搭載される。
２６と基板下面に形成された接続パッド２８とは、基板
２２を上下に貫通するよう形成されたスルーホール（図
示せず）により電気的に接続された構成とされている。
前述したように、この基板２２には半導体チップ２１が
フリップチップ接続により搭載される。
【００２８】キャップ２３は平板形状を有しており、例
えばアルミニウム等の熱伝導性の高い金属材料により形
成されている。このキャップ２３は半導体チップ２１の
上部に位置しており、キャップ２３と基板２２との間に
は封止樹脂２４が介装され、またキャップ２３と半導体
チップ２１との間にはペースト材２９が介装された構成
とされている。このキャップ２３は、後述する封止樹脂
２４の高さ位置規制を行う他に、半導体チップ２１で発
生する熱を放熱する放熱板としても機能する。
えばアルミニウム等の熱伝導性の高い金属材料により形
成されている。このキャップ２３は半導体チップ２１の
上部に位置しており、キャップ２３と基板２２との間に
は封止樹脂２４が介装され、またキャップ２３と半導体
チップ２１との間にはペースト材２９が介装された構成
とされている。このキャップ２３は、後述する封止樹脂
２４の高さ位置規制を行う他に、半導体チップ２１で発
生する熱を放熱する放熱板としても機能する。
【００２９】封止樹脂２４は例えば熱硬化性のプラスチ
ックであるエポキシ樹脂であり、この封止樹脂２４によ
り半導体チップ２１は封止され、外部に対し保護された
構成となる。また、ペースト材２９はキャップ２３と半
導体チップ２１とを熱的にかつ機械的に接続させる機能
を奏するものであり、金属フィラー（例えば銀）入り樹
脂ペースト，非金属系フィラー（例えばシリコン）入り
樹脂ペースト，又はろう材（例えば半田）等を用いるこ
とが可能である。
ックであるエポキシ樹脂であり、この封止樹脂２４によ
り半導体チップ２１は封止され、外部に対し保護された
構成となる。また、ペースト材２９はキャップ２３と半
導体チップ２１とを熱的にかつ機械的に接続させる機能
を奏するものであり、金属フィラー（例えば銀）入り樹
脂ペースト，非金属系フィラー（例えばシリコン）入り
樹脂ペースト，又はろう材（例えば半田）等を用いるこ
とが可能である。
【００３０】金属フィラー入り樹脂ペーストは熱伝導性
が高いため、ペースト材２９として金属フィラー入り樹
脂ペーストを用いることにより、半導体チップ２１で発
生した熱を効率よくキャップ２３に熱伝達することが可
能となり、よって放熱特性を向上させることができる。
また、非金属系フィラー入り樹脂ペーストは、金属フィ
ラー入り樹脂ペーストに比べて熱伝導性は劣るものの、
安価であるため半導体装置２０のコスト低減に寄与でき
る。更に、ろう材は、上記した金属フィラー入り樹脂ペ
ースト及び非金属系フィラー入り樹脂ペーストに比べて
配設時における加熱温度が高くなる傾向があるが、安価
でかつ熱伝導性も良好である。
が高いため、ペースト材２９として金属フィラー入り樹
脂ペーストを用いることにより、半導体チップ２１で発
生した熱を効率よくキャップ２３に熱伝達することが可
能となり、よって放熱特性を向上させることができる。
また、非金属系フィラー入り樹脂ペーストは、金属フィ
ラー入り樹脂ペーストに比べて熱伝導性は劣るものの、
安価であるため半導体装置２０のコスト低減に寄与でき
る。更に、ろう材は、上記した金属フィラー入り樹脂ペ
ースト及び非金属系フィラー入り樹脂ペーストに比べて
配設時における加熱温度が高くなる傾向があるが、安価
でかつ熱伝導性も良好である。
【００３１】ここで、上記構成とされた半導体装置２０
において、封止樹脂２４の基板２２の上面からの高さに
注目し、以下説明する。前記したように、封止樹脂２４
は基板２２の上面とキャップ２３との間に介装されるも
のであるため、その高さ位置はキャップ２３の高さ位置
に規制されることとなる。一方、キャップ２３は半導体
チップ２１の上部にペースト材２９を介して配設される
ものである。ペースト材２９の厚さは、実際は微小な厚
さ寸法（図には明確化するために実際よりも厚く描いて
いる）であるため、実質的にキャップ２３の基板２２か
らの離間距離は半導体チップ２１の高さ寸法により規制
される。
において、封止樹脂２４の基板２２の上面からの高さに
注目し、以下説明する。前記したように、封止樹脂２４
は基板２２の上面とキャップ２３との間に介装されるも
のであるため、その高さ位置はキャップ２３の高さ位置
に規制されることとなる。一方、キャップ２３は半導体
チップ２１の上部にペースト材２９を介して配設される
ものである。ペースト材２９の厚さは、実際は微小な厚
さ寸法（図には明確化するために実際よりも厚く描いて
いる）であるため、実質的にキャップ２３の基板２２か
らの離間距離は半導体チップ２１の高さ寸法により規制
される。
【００３２】即ち、半導体チップ２１はキャップ２３の
基板２２からの離間距離を一定に保つスペーサとして機
能する。このように、半導体チップ２１をスペーサとし
て用い、キャップ２３の基板２２からの離間距離を一定
に保つことにより、キャップ２３と基板２２との間に介
装される封止樹脂２４の高さも偏りのない均一な状態と
なる。
基板２２からの離間距離を一定に保つスペーサとして機
能する。このように、半導体チップ２１をスペーサとし
て用い、キャップ２３の基板２２からの離間距離を一定
に保つことにより、キャップ２３と基板２２との間に介
装される封止樹脂２４の高さも偏りのない均一な状態と
なる。
【００３３】よって、半導体装置２０を実装基板（図示
せず）に実装する際、ハンドリング装置の把持部（図１
２参照）により半導体装置２０を把持しても半導体装置
２０は正規に（傾きなく）把持される。このため、半導
体装置２０は実装基板に対して常に正常な状態（傾きの
ない状態）で実装されるため、ボール２７と実装基板と
の接続不良の発生を防止でき、これにより実装時におけ
る信頼性を向上させることができる。
せず）に実装する際、ハンドリング装置の把持部（図１
２参照）により半導体装置２０を把持しても半導体装置
２０は正規に（傾きなく）把持される。このため、半導
体装置２０は実装基板に対して常に正常な状態（傾きの
ない状態）で実装されるため、ボール２７と実装基板と
の接続不良の発生を防止でき、これにより実装時におけ
る信頼性を向上させることができる。
【００３４】また本実施例の構成では、スペーサとして
半導体チップ２１を用いているため、半導体チップ２１
と別個にスペーサとなる部材を新たに配設する必要はな
い。このため、部品点数の増加を防止でき、組み立て性
の向上及び製品コストの低減を図ることができる。尚、
半導体チップ２１を必ずスペーサとして用いる必要はな
く、上記した第１実施例に比べて組み立て性及び経済性
に劣るものの、スペーサとなる部材を半導体チップ２１
とは別個に設けた構成としてもよい。
半導体チップ２１を用いているため、半導体チップ２１
と別個にスペーサとなる部材を新たに配設する必要はな
い。このため、部品点数の増加を防止でき、組み立て性
の向上及び製品コストの低減を図ることができる。尚、
半導体チップ２１を必ずスペーサとして用いる必要はな
く、上記した第１実施例に比べて組み立て性及び経済性
に劣るものの、スペーサとなる部材を半導体チップ２１
とは別個に設けた構成としてもよい。
【００３５】続いて、上記構成とされた第１実施例に係
る半導体装置２０の製造方法について図２乃至図４を用
いて説明する。尚、図２乃至図４に示す構成において、
図１に示す構成と同一構成については同一符号を附して
説明する。半導体装置２０を製造するには、先ず予め別
工程で製造した半導体チップ２１と基板２２を用意し、
図２に示されるように、半導体チップ２１を基板２２の
上面に形成されている接続パターン２６にフリップチッ
プ接続する。
る半導体装置２０の製造方法について図２乃至図４を用
いて説明する。尚、図２乃至図４に示す構成において、
図１に示す構成と同一構成については同一符号を附して
説明する。半導体装置２０を製造するには、先ず予め別
工程で製造した半導体チップ２１と基板２２を用意し、
図２に示されるように、半導体チップ２１を基板２２の
上面に形成されている接続パターン２６にフリップチッ
プ接続する。
【００３６】続いて、基板２２に搭載された半導体チッ
プ２１の上面にペースト材２９を塗布し、また半導体チ
ップ２１の配設位置を回避して封止樹脂２４をチップ周
囲にポッティング等により配設する。この際、まだペー
スト材２９及び封止樹脂２４は所定の粘度は有している
ものの硬化はしていなため、その上面は図３に示される
ように湾曲或いは偏りを有した状態となっている。
プ２１の上面にペースト材２９を塗布し、また半導体チ
ップ２１の配設位置を回避して封止樹脂２４をチップ周
囲にポッティング等により配設する。この際、まだペー
スト材２９及び封止樹脂２４は所定の粘度は有している
ものの硬化はしていなため、その上面は図３に示される
ように湾曲或いは偏りを有した状態となっている。
【００３７】上記のようにペースト材２９及び封止樹脂
２４が配設されると、続いてペースト材２９及び封止樹
脂２４の上部にキャップ２３を載置し、このキャップ２
３が半導体チップ２１の上面と当接するまで荷重を印加
して押圧する。このように、キャップ２３が半導体チッ
プ２１に向け押圧されることにより、ペースト材２９は
半導体チップ２１の上面で広がり、同様に封止樹脂２４
は基板２２の上面で広がる。
２４が配設されると、続いてペースト材２９及び封止樹
脂２４の上部にキャップ２３を載置し、このキャップ２
３が半導体チップ２１の上面と当接するまで荷重を印加
して押圧する。このように、キャップ２３が半導体チッ
プ２１に向け押圧されることにより、ペースト材２９は
半導体チップ２１の上面で広がり、同様に封止樹脂２４
は基板２２の上面で広がる。
【００３８】そして、キャップ２３が半導体チップ２１
の上面と当接した時点で、スペーサとして機能する半導
体チップ２１によりキャップ２３の基板２２に対する高
さ位置が決まる。また、キャップ２３の基板２２に対す
る高さ位置が決まることにより、キャップ２３と基板２
２との間に介装される封止樹脂２４の高さも規定され
る。このため、封止樹脂２４の高さは、封止樹脂２４の
充填量，充填方法等に拘わらず、偏りのない均一な高さ
となる。
の上面と当接した時点で、スペーサとして機能する半導
体チップ２１によりキャップ２３の基板２２に対する高
さ位置が決まる。また、キャップ２３の基板２２に対す
る高さ位置が決まることにより、キャップ２３と基板２
２との間に介装される封止樹脂２４の高さも規定され
る。このため、封止樹脂２４の高さは、封止樹脂２４の
充填量，充填方法等に拘わらず、偏りのない均一な高さ
となる。
【００３９】続いて、図４に示されるように、加熱処理
を行い封止樹脂２４及びペースト材２９を熱硬化させ、
これにより図１に示す半導体装置２０が製造される。上
記した半導体装置２０の製造方法は、スペーサとして半
導体チップ２１を用いてるためキャップ２３の高さを規
制するための治具等は不要であり、また従来から用いら
れている製造工程を利用することができるため、半導体
装置２０を容易に製造することができる。
を行い封止樹脂２４及びペースト材２９を熱硬化させ、
これにより図１に示す半導体装置２０が製造される。上
記した半導体装置２０の製造方法は、スペーサとして半
導体チップ２１を用いてるためキャップ２３の高さを規
制するための治具等は不要であり、また従来から用いら
れている製造工程を利用することができるため、半導体
装置２０を容易に製造することができる。
【００４０】続いて、図５乃至図７を用いて本発明の第
２乃至第４実施例について説明する。尚、以下説明する
各実施例において、図１に示した第１実施例に係る半導
体装置２０と対応する構成については、図５乃至図７に
おいて同一符号を附してその説明を省略する。
２乃至第４実施例について説明する。尚、以下説明する
各実施例において、図１に示した第１実施例に係る半導
体装置２０と対応する構成については、図５乃至図７に
おいて同一符号を附してその説明を省略する。
【００４１】図５は、本発明の第２実施例である半導体
装置３０を示している。本実施例に係る半導体装置３０
は、第１実施例に係る半導体装置２０で用いていたペー
スト材２９を用いることなく、半導体チップ２１の上面
に直接キャップ２３を当接させた構成としたことを特徴
とするものである。
装置３０を示している。本実施例に係る半導体装置３０
は、第１実施例に係る半導体装置２０で用いていたペー
スト材２９を用いることなく、半導体チップ２１の上面
に直接キャップ２３を当接させた構成としたことを特徴
とするものである。
【００４２】このように、キャップ２３を半導体チップ
２１に直接当接させる構成としたことにより、部品点数
の削減及び組み立て工数の低減を図ることができ、半導
体装置３０の製品コスト低減を図ることができる。ま
た、ペースト材２９に起因したキャップ２３の傾きの発
生を防止することもできる。
２１に直接当接させる構成としたことにより、部品点数
の削減及び組み立て工数の低減を図ることができ、半導
体装置３０の製品コスト低減を図ることができる。ま
た、ペースト材２９に起因したキャップ２３の傾きの発
生を防止することもできる。
【００４３】尚、本実施例においては、キャップ２３は
封止樹脂２４により接着された構成となるため、封止樹
脂２４の材質をキャップ２３と接着性の良好な材質に選
定する必要がある。図６は、本発明の第３実施例である
半導体装置４０を示している。
封止樹脂２４により接着された構成となるため、封止樹
脂２４の材質をキャップ２３と接着性の良好な材質に選
定する必要がある。図６は、本発明の第３実施例である
半導体装置４０を示している。
【００４４】本実施例に係る半導体装置４０は、第１実
施例に係る半導体装置２０で用いたキャップ２３に放熱
フィン４１を設けたことを特徴とするものである。この
放熱フィン４１はキャップ２３と一体的に形成した構成
としてもよく、またキャップ２３の上部に放熱フィン４
１を取り付けた構成としてもよい。
施例に係る半導体装置２０で用いたキャップ２３に放熱
フィン４１を設けたことを特徴とするものである。この
放熱フィン４１はキャップ２３と一体的に形成した構成
としてもよく、またキャップ２３の上部に放熱フィン４
１を取り付けた構成としてもよい。
【００４５】上記のようにキャップ２３に放熱フィン４
１を設けることにより、外気との接触面積を広くするこ
とができるため、キャップ２３のみで放熱する構成に比
べ、半導体チップ２１で発生した熱をより効率よく放熱
することができる。図７は、本発明の第４実施例である
半導体装置５０を示している。
１を設けることにより、外気との接触面積を広くするこ
とができるため、キャップ２３のみで放熱する構成に比
べ、半導体チップ２１で発生した熱をより効率よく放熱
することができる。図７は、本発明の第４実施例である
半導体装置５０を示している。
【００４６】本実施例に係る半導体装置５０は、キャッ
プ５１の半導体チップ２１と対向する位置の全部或いは
一部に、半導体チップ２１と熱的に接続される放熱部材
５２（本実施例では放熱フィンを例に挙げている）が配
設される開口部５３を形成したことを特徴とするもので
ある。
プ５１の半導体チップ２１と対向する位置の全部或いは
一部に、半導体チップ２１と熱的に接続される放熱部材
５２（本実施例では放熱フィンを例に挙げている）が配
設される開口部５３を形成したことを特徴とするもので
ある。
【００４７】上記のように、半導体チップ２１と熱的に
接続される放熱部材５２が配設される開口部５３をキャ
ップ５１に形成したことにより、放熱部材５２を配設し
ない状態で半導体装置５０を実装基板に実装し、その後
に放熱部材５２を半導体装置５０に配設することが可能
となる。即ち、半導体装置５０の実装後に放熱部材５２
を後付けすることが可能となる。
接続される放熱部材５２が配設される開口部５３をキャ
ップ５１に形成したことにより、放熱部材５２を配設し
ない状態で半導体装置５０を実装基板に実装し、その後
に放熱部材５２を半導体装置５０に配設することが可能
となる。即ち、半導体装置５０の実装後に放熱部材５２
を後付けすることが可能となる。
【００４８】一般に、放熱部材５２は放熱効率を高める
ために大きな形状とされている。従って、形状の大なる
放熱部材５２を半導体装置５０に装着した状態で実装基
板に実装するのは面倒である。また、半導体装置５０を
使用するユーザ側において放熱部材５２の種類を選定す
る場合もある。
ために大きな形状とされている。従って、形状の大なる
放熱部材５２を半導体装置５０に装着した状態で実装基
板に実装するのは面倒である。また、半導体装置５０を
使用するユーザ側において放熱部材５２の種類を選定す
る場合もある。
【００４９】よって、放熱部材５２が配設される開口部
５３をキャップ５１に形成し、放熱部材５２を半導体装
置５０の実装後に後付けできる構成とすることにより、
半導体装置５０の実装作業を容易に行うことができ、ま
たユーザの要求にも答えることが可能となる。
５３をキャップ５１に形成し、放熱部材５２を半導体装
置５０の実装後に後付けできる構成とすることにより、
半導体装置５０の実装作業を容易に行うことができ、ま
たユーザの要求にも答えることが可能となる。
【００５０】但し、キャップ５１に開口部５３を形成す
ることにより、先に図３を用いて説明した封止樹脂２４
の配設時に、この封止樹脂２４が半導体チップ２１の上
面に漏出するおそれがある。このため、半導体装置５０
の製造においては、図８及び図９に示す製造方法を行
う。
ることにより、先に図３を用いて説明した封止樹脂２４
の配設時に、この封止樹脂２４が半導体チップ２１の上
面に漏出するおそれがある。このため、半導体装置５０
の製造においては、図８及び図９に示す製造方法を行
う。
【００５１】即ち、キャップ５１を半導体チップ２１に
押圧する際、図８に示すように、予めキャップ５１に形
成された開口部５３にシリコンゴム等のマスク５４を配
設しておく。そして、この開口部５３にマスク５４が配
設されたキャップ５１を半導体チップ２１に押圧するこ
とにより、開口部５３はマスク５４により塞がれている
ため、基板２２上に配設された封止樹脂２４をキャップ
５１により押圧しても、この封止樹脂２４が半導体チッ
プ２１の上面に漏出することを防止することができる。
押圧する際、図８に示すように、予めキャップ５１に形
成された開口部５３にシリコンゴム等のマスク５４を配
設しておく。そして、この開口部５３にマスク５４が配
設されたキャップ５１を半導体チップ２１に押圧するこ
とにより、開口部５３はマスク５４により塞がれている
ため、基板２２上に配設された封止樹脂２４をキャップ
５１により押圧しても、この封止樹脂２４が半導体チッ
プ２１の上面に漏出することを防止することができる。
【００５２】そして、図８に示す状態において、加熱処
理を行い封止樹脂２４を硬化させ、その後にマスク５４
をキャップ５１から取り外す。マスク５４はシリコンゴ
ム等の可撓性を有した材質により形成されているため、
マスク５４をキャップ５１から取り外す作業は容易に行
うことができる。
理を行い封止樹脂２４を硬化させ、その後にマスク５４
をキャップ５１から取り外す。マスク５４はシリコンゴ
ム等の可撓性を有した材質により形成されているため、
マスク５４をキャップ５１から取り外す作業は容易に行
うことができる。
【００５３】続いて、開口部５３内の半導体チップ２１
の上面が露出した部分に、図９に示すようにペースト材
２９を配設し、放熱部材５２が取り付けられる前状態の
半導体装置５０が形成される。尚、上記したように、ユ
ーザ側で放熱部材５２の取付を行う場合には、図９に示
す状態で出荷が行われる。
の上面が露出した部分に、図９に示すようにペースト材
２９を配設し、放熱部材５２が取り付けられる前状態の
半導体装置５０が形成される。尚、上記したように、ユ
ーザ側で放熱部材５２の取付を行う場合には、図９に示
す状態で出荷が行われる。
【００５４】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば下記の種々
の効果を実現することができる。請求項１記載の発明に
よれば、半導体装置の上面は基板に対して均一な高さと
なり偏りの発生を防止することができるため、半導体装
置を実装基板に実装する際に半導体装置が傾いて実装さ
れることを防止できる。これにより、実装基板に対して
半導体装置を確実に実装することができ、実装時におけ
る信頼性を向上させることができる。また、別個にスペ
ーサとなる部材を配設する構成に比べて組み立て性の向
上及び製品コストの低減を図ることができる。
の効果を実現することができる。請求項１記載の発明に
よれば、半導体装置の上面は基板に対して均一な高さと
なり偏りの発生を防止することができるため、半導体装
置を実装基板に実装する際に半導体装置が傾いて実装さ
れることを防止できる。これにより、実装基板に対して
半導体装置を確実に実装することができ、実装時におけ
る信頼性を向上させることができる。また、別個にスペ
ーサとなる部材を配設する構成に比べて組み立て性の向
上及び製品コストの低減を図ることができる。
【００５５】また、請求項２記載の発明によれば、樹脂
基板はセラミック基板等に比べて安価であるため、半導
体装置の製品コストの削減を図ることができる。また、
請求項３及び７記載の発明によれば、半導体チップで発
生した熱はペースト材を介してキャップに熱伝導し放熱
されるため、放熱効率を向上させることができる。
基板はセラミック基板等に比べて安価であるため、半導
体装置の製品コストの削減を図ることができる。また、
請求項３及び７記載の発明によれば、半導体チップで発
生した熱はペースト材を介してキャップに熱伝導し放熱
されるため、放熱効率を向上させることができる。
【００５６】また、請求項４及び８記載の発明によれ
ば、半導体チップとキャップとの熱的接合性及び機械的
接合性を共に向上でき、放熱性及び半導体装置の信頼性
の向上を図ることができる。また、請求項５記載の発明
によれば、更に半導体チップで発生する熱の放熱効率を
向上させることができる。
ば、半導体チップとキャップとの熱的接合性及び機械的
接合性を共に向上でき、放熱性及び半導体装置の信頼性
の向上を図ることができる。また、請求項５記載の発明
によれば、更に半導体チップで発生する熱の放熱効率を
向上させることができる。
【００５７】更に、請求項６記載の発明によれば、一般
に形状の大きな放熱部材をいわゆる後付けすることがで
きるため、これによっても半導体装置の実装性の向上を
図ることができる。
に形状の大きな放熱部材をいわゆる後付けすることがで
きるため、これによっても半導体装置の実装性の向上を
図ることができる。
【図１】本発明の第１実施例である半導体装置を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の第１実施例に係る半導体装置の製造方
法を説明するための図であり、半導体チップを基板に搭
載する工程を示す図である。
法を説明するための図であり、半導体チップを基板に搭
載する工程を示す図である。
【図３】本発明の第１実施例に係る半導体装置の製造方
法を説明するための図であり、配設された樹脂の上面に
キャップを配設する工程を説明する図である。
法を説明するための図であり、配設された樹脂の上面に
キャップを配設する工程を説明する図である。
【図４】本発明の第１実施例に係る半導体装置の製造方
法を説明するための図であり、キャップを配設後に樹脂
を硬化させる工程を説明するめたの図である。
法を説明するための図であり、キャップを配設後に樹脂
を硬化させる工程を説明するめたの図である。
【図５】本発明の第２実施例である半導体装置を示す断
面図である。
面図である。
【図６】本発明の第３実施例である半導体装置を示す断
面図である。
面図である。
【図７】本発明の第４実施例である半導体装置を示す断
面図である。
面図である。
【図８】本発明の第４実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図であり、キャップを配設する工程
を説明するための図である。
法を説明するための図であり、キャップを配設する工程
を説明するための図である。
【図９】本発明の第４実施例である半導体装置の製造方
法を説明するための図であり、ペーストを配設する工程
を説明するための図である。
法を説明するための図であり、ペーストを配設する工程
を説明するための図である。
【図１０】従来の半導体装置の一例を示す図であり、半
導体チップを実装する基板として多層セラミック基板を
用いた例を示す断面図である。
導体チップを実装する基板として多層セラミック基板を
用いた例を示す断面図である。
【図１１】従来の半導体装置の一例を示す図であり、半
導体チップを実装する基板としてガラエポ基板を用いた
例を示す断面図である。
導体チップを実装する基板としてガラエポ基板を用いた
例を示す断面図である。
【図１２】図１１に示す半導体装置の問題点を説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
２０，３０，４０ 半導体装置 ２１ 半導体チップ ２２ 基板 ２３，５１ キャップ ２４ 封止樹脂 ２５ 半田バンプ ２６ 接続パターン ２７ ボール ２９ ペースト材 ４１ 放熱フィン ５２ 放熱部材 ５３ 開口部 ５４ マスク
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体チップと、 前記半導体チップがフリップチップボンディング法によ
り実装される基板と、 前記半導体チップを封止するよう前記基板上に配設され
封止樹脂と、 前記封止樹脂上に前記半導体チップと熱的に接続される
構成で配設されたキャップとを具備しており、 前記キャップと前記基板との間にスペーサとして前記半
導体チップを配設し、前記半導体チップにより前記キャ
ップと前記基板との間に介在する封止樹脂の前記基板に
対する高さを一定に規制する構成としたことを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、 前記基板として樹脂基板を用いたことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置にお
いて、 前記半導体チップと前記キャップとの間に熱伝導性の良
好なペースト材を介装したことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項４】 請求項３記載のにおいて、 前記ペースト材として、金属フィラー入り樹脂ペース
ト，非金属系フィラー入り樹脂ペースト，又はろう材の
いずれかを用いたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の半導
体装置において、 前記キャップに放熱フィンを設けたことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至４のいずれかに記載の半導
体装置において、 前記キャップの前記半導体チップと対向する位置に、前
記半導体チップと熱的に接続される放熱部材が配設され
る開口部を形成したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項７】 請求項６記載の半導体装置において、 前記半導体チップと前記放熱部材との間に熱伝導性の良
好なペースト材を介装したことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項８】 請求項７記載のにおいて、 前記ペースト材として、金属フィラー入り樹脂ペース
ト，非金属系フィラー入り樹脂ペースト，又はろう材の
いずれかを用いたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16422595A JPH0917827A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16422595A JPH0917827A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917827A true JPH0917827A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15789055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16422595A Pending JPH0917827A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0917827A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278771A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2007066401A1 (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-14 | Fujitsu Limited | 電子部品の製造方法および熱伝導部材の製造方法並びに電子部品用熱伝導部材の実装方法 |
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| JP2010283085A (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-16 | Toshiba Corp | 電子機器 |
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| JP5024289B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2012-09-12 | 国産電機株式会社 | 樹脂封止型半導体装置及びこの半導体装置を用いた電子装置 |
| US9780684B2 (en) | 2015-02-26 | 2017-10-03 | Denso Corporation | Power converter |
-
1995
- 1995-06-29 JP JP16422595A patent/JPH0917827A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A02 | Decision of refusal |
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