JPH0917634A - 積層型インダクタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 インダクタンス値が大きく、かつＱ特性が優
れた小型の積層型インダクタを得る。 【構成】 絶縁性基板１の上面にコイル導体２，３及び
低誘電率絶縁膜８をフォトリソグラフィの手段にて交互
に形成する。低誘電率絶縁膜８の材料としては、ポリイ
ミド樹脂等が使用される。コイル導体２，３は、低誘電
率絶縁膜８に設けた窓８ａを介して電気的に直列に接続
され、コイルを構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、積層型インダクタ、特
に、高周波空芯コイル等として使用される積層型インダ
クタに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のインダクタとしては、図
１５に示すように、絶縁性基板７０の上面に渦巻状コイ
ル導体７１を設けたものが知られている。このコイル導
体７１の一方の端部７１ａは絶縁性基板７０の左端部に
設けた外部電極７６に電気的に接続している。他方の端
部７１ｂは、引出し電極７３を介して、絶縁性基板７０
の右端部に設けた外部電極７７に電気的に接続してい
る。引出し電極７３は絶縁被膜７２を介してコイル導体
７１と交差している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来のインダクタにあ
っては、絶縁性基板７１のサイズを大きくすることな
く、インダクタンス値を大きくする場合、コイル導体７
１の線幅を細くして巻回数を多くする必要がある。とこ
ろが、線幅を細くすると、コイル導体の抵抗が大きくな
り、高周波域でのインダクタのＱ特性が悪くなるという
問題点があった。

【０００４】そこで、本発明の目的は、インダクタンス
値が大きく、かつＱ特性が優れた小型の積層型インダク
タを提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、絶縁性基板の表面に、フォトリソグラフィの手段に
てそれぞれ形成したコイル導体と低誘電率絶縁膜とを交
互に積層し、前記低誘電率絶縁膜に設けた窓部にて前記
コイル導体相互が層間接続していることを特徴とする。

【０００６】

【作用】以上の構成により、コイル導体は絶縁性基板上
に積層され、各コイル導体は低誘電率絶縁膜に設けた窓
部にて電気的に直列に接続されコイルを構成する。構成
されたコイルは、インダクタンス値を大きくする場合、
コイル導体の積層数を多くしてコイルの線長を長くすれ
ばよく、線幅を細くしたり、絶縁性基板を大きくしたり
する必要がなくなる。

【０００７】

【実施例】以下、本発明に係る積層型インダクタの実施
例について、その製造方法と共に添付図面を参照して説
明する。 ［第１実施例、図１〜図６］図１に示すように、絶縁性
基板１の上面にコイル導体２を形成する。コイル導体２
の一方の端部２ａは絶縁性基板１の左辺に露出してい
る。コイル導体２はフォトリソグラフィの手段にて形成
されている。すなわち、スパッタリング、蒸着等のドラ
イメッキ方法等にてＡｇ，Ａｕ，Ｃｕ等の金属膜を絶縁
性基板１の上面全面に形成する。次に、金属膜表面に感
光性レジスト膜を塗布、乾燥した後、この感光性レジス
ト膜にマスクフィルムを当てて所望の部分を露光する。
次に、感光性レジスト膜を現像し、金属膜の不要な部分
を感光性レジスト膜から露出させる。次に、この露出し
た部分の金属膜をエッチングにて除去した後、感光性レ
ジスト膜を剥離して所望のコイル導体２を形成する。

【０００８】次に、図２に示すように、絶縁性基板１の
上面にフォトリソグラフィの手段にて低誘電率絶縁膜８
を形成する。この低誘電率絶縁膜８は、コイル導体２の
他方の端部２ｂを露出させるための窓部８ａを有してい
る。低誘電率絶縁膜８の材料としては、ポリイミド樹脂
等が採用される。さらに、図３に示すように、低誘電率
絶縁膜８の上面にコイル導体３をフォトリソグラフィの
手段にて形成する。コイル導体３の一方の端部３ａは、
窓部８ａに露出しているコイル導体２の端部２ｂに電気
的に接続している。

【０００９】次に、図４に示すように、絶縁性基板１の
上面にフォトリソグラフィの手段にて低誘電率絶縁膜９
を形成する。この低誘電率絶縁膜９は、コイル導体３の
他方の端部３ｂを露出させるための窓部９ａを有してい
る。さらに、図５に示すように、低誘電率絶縁膜９の上
面にコイル導体４をフォトリソグラフィの手段にて形成
する。コイル導体４の一方の端部４ａは、窓部９ａに露
出しているコイル導体３の端部３ｂに電気的に接続して
いる。コイル導体４の他方の端部４ｂは絶縁性基板１の
右辺に露出している。

【００１０】次に、図６に示すように、絶縁性基板１の
左右の両端部に外部電極１５，１６をスパッタリング、
蒸着あるいは印刷焼付等にて形成する。外部電極１５は
コイル導体２の端部２ａに電気的に接続し、外部電極１
６はコイル導体４の端部４ｂに電気的に接続している。

【００１１】こうして得られた積層型インダクタは、コ
イル導体２〜４相互が、低誘電率絶縁膜８，９にそれぞ
れ設けた窓部８ａ，９ａにて電気的に直列に接続され、
コイルを構成する。このコイルは、そのインダクタンス
値を大きくするには、コイル導体の積層数を多くしてコ
イルの線長を長くすればよく、線幅を細くしたり、絶縁
性基板１を大きくしたりする必要はない。従って、Ｑ特
性が良く、かつ小型の積層型インダクタンスが得られ
る。また、低誘電率絶縁膜８，９を使用しているので、
コイル導体２〜４が重なって形成されたとしても、その
間の浮遊容量を小さくすることができ、自己共振周波数
の向上を図ることができる。さらに、コイル導体２〜４
をフォトリソグラフィの手段にて形成しているので、線
幅の仕上がり精度が高く、コイルのインダクタンス値の
狭偏差化が可能となる。

【００１２】［第２実施例、図７〜図１３］図７に示す
ように、絶縁性基板２１の上面に渦巻状コイル導体２２
をフォトリソグラフィの手段にて形成する。コイル導体
２２の一方の端部２２ａは絶縁性基板２１の左辺に露出
している。次に、図８に示すように、絶縁性基板２１の
上面にフォトリソグラフィの手段にて低誘電率絶縁膜２
８を形成する。この低誘電率絶縁膜２８は、コイル導体
２２の他方の端部２２ｂを露出させるための窓部２８ａ
を有している。次に、低誘電率絶縁膜２８の上面にコイ
ル導体２３をフォトリソグラフィの手段にて形成する。
コイル導体２３の一方の端部２３ａは、窓部２８ａに露
出しているコイル導体２２の端部２２ｂに電気的に接続
している。

【００１３】次に、図９に示すように、絶縁性基板２１
の上面にフォトリソグラフィの手段にて低誘電率絶縁膜
２９を形成する。この低誘電率絶縁膜２９は、コイル導
体２３の他方の端部２３ｂを露出させるための窓部２９
ａを有している。次に、図１０に示すように、低誘電率
絶縁膜２９の上面に渦巻状コイル導体２４をフォトリソ
グラフィの手段にて形成する。コイル導体２４の一方の
端部２４ａは、窓部２９ａに露出しているコイル導体２
３の端部２３ｂに電気的に接続している。

【００１４】次に、図１１に示すように、絶縁性基板２
１の上面にフォトリソグラフィの手段にて低誘電率絶縁
膜３０を形成する。この低誘電率絶縁膜３０はコイル導
体２４の他方の端部２４ｂを露出させるための窓部３０
ａを有している。次に、図１２に示すように、低誘電率
絶縁膜３０の上面にコイル導体２５をフォトリソグラフ
ィの手段にて形成する。コイル導体２５の一方の端部２
５ａは、窓部３０ａに露出しているコイル導体２４の端
部２４ｂに電気的に接続している。コイル導体２５の他
方の端部２５ｂは絶縁性基板２１の右辺に露出してい
る。

【００１５】さらに、絶縁性基板２１の左右の両端部に
外部電極３５，３６をスパッタリング、蒸着あるいは印
刷焼付等にて形成する。外部電極３５はコイル導体２２
の端部２２ａに電気的に接続し、外部電極３６はコイル
導体２５の端部２５ｂに電気的に接続している。コイル
導体２２〜２５は、低誘電率絶縁膜２８，２９，３０に
それぞれ設けた窓部２８ａ，２９ａ，３０ａにて電気的
に直列に接続され、コイルを構成する。

【００１６】図１３はこうして得られた積層型インダク
タの断面図であって、コイル導体２２と２４が厚み方向
に略対向して配設されている。この積層型インダクタは
前記第１実施例の積層型インダクタと同様の作用効果を
奏する。

【００１７】［第３実施例、図１４］図１４に示すよう
に、第３実施例の積層型インダクタは、コイル導体２２
と２４が厚み方向に対して垂直な方向にずれていること
以外は、前記第２実施例の積層型インダクタと略同様の
ものであり、同一部品及び同一部分には同じ符号を付し
ている。コイル導体２２と２４をずらせることによっ
て、コイル導体２２と２４の間に発生する浮遊容量を更
に抑えることができ、第２実施例の積層型インダクタの
作用効果に加えて、高周波特性をより向上させることが
できる。

【００１８】［他の実施例］なお、本発明に係る積層型
インダクタは前記実施例に限定するものではなく、その
要旨の範囲内で種々に変更することができる。特に、コ
イル導体の形状、層数等は任意であって、仕様に合わせ
て種々に変更される。また、各実施例の積層型インダク
タにおいて、最外層のコイル導体の表面を絶縁層で覆う
ようなことも任意に行ない得る。

【００１９】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、絶縁性基板上にフォトリソグラフィの手段にて
コイル導体と低誘電率絶縁膜を交互に積層し、各コイル
導体が低誘電率絶縁膜に設けた窓部にて電気的に直列に
接続してコイルを構成するので、インダクタンス値を大
きくする場合、コイル導体の積層数を多くしてコイルの
線長を長くすればよく、従来のように線幅を細くする必
要がない。この結果、インダクタンス値が大きく、かつ
Ｑ特性が優れた小型の積層型インダクタが得られる。

【００２０】また、低誘電率絶縁膜を使用することによ
り、コイル導体間の浮遊容量を小さくすることができ、
自己共振周波数の向上を図ることができる。さらに、隣
接するコイル導体を厚み方向に対して垂直な方向にずら
せて配置することにより、コイル導体間に発生する浮遊
容量を更に抑えることができ、高周波特性をより向上さ
せることができる。

【００２１】また、コイル導体をフォトリソグラフィの
手段にて形成しているので、線幅の仕上がり精度が高
く、コイルのインダクタンス値の狭偏差化が可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る積層型インダクタの第１実施例の
製造手順を示す斜視図。

【図２】図１に続く製造手順を示す斜視図。

【図３】図２に続く製造手順を示す斜視図。

【図４】図３に続く製造手順を示す斜視図。

【図５】図４に続く製造手順を示す斜視図。

【図６】第１実施例の積層型インダクタの外観を示す斜
視図。

【図７】本発明に係る積層型インダクタの第２実施例の
製造手順を示す斜視図。

【図８】図７に続く製造手順を示す斜視図。

【図９】図８に続く製造手順を示す斜視図。

【図１０】図９に続く製造手順を示す斜視図。

【図１１】図１０に続く製造手順を示す斜視図。

【図１２】第２実施例の積層型インダクタの外観を示す
斜視図。

【図１３】図１２のXIII−XIII断面図。

【図１４】本発明に係る積層型インダクタの第３実施例
を示す断面図。

【図１５】従来の積層型インダクタの外観を示す斜視
図。

【符号の説明】

１…絶縁性基板 ２，３，４…コイル導体 ８，９…低誘電率絶縁膜 ８ａ，９ａ…窓部 ２１…絶縁性基板 ２２，２３，２４，２５…コイル導体 ２８，２９，３０…低誘電率絶縁膜 ２８ａ，２９ａ，３０ａ…窓部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性基板の表面に、フォトリソグラフ
   ィの手段にてそれぞれ形成したコイル導体と低誘電率絶
   縁膜とを交互に積層し、前記低誘電率絶縁膜に設けた窓
   部にて前記コイル導体相互が層間接続していることを特
   徴とする積層型インダクタ。