JPH09174749A - 透明導電性フィルム - Google Patents
透明導電性フィルムInfo
- Publication number
- JPH09174749A JPH09174749A JP7342246A JP34224695A JPH09174749A JP H09174749 A JPH09174749 A JP H09174749A JP 7342246 A JP7342246 A JP 7342246A JP 34224695 A JP34224695 A JP 34224695A JP H09174749 A JPH09174749 A JP H09174749A
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- JP
- Japan
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- film
- thickness
- laminated
- ito film
- ito
- Prior art date
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- Pending
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- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＴＯ膜の比抵抗を下げることにより膜厚を
薄くし透明性や耐久性を損なわずにエッチング性の向上
をはかることで、液晶ディスプレイ等に適した電極材料
を提供することにある。 【解決手段】 高分子からなるフィルム上に厚さ50〜10
0Åの酸化インジウムを主成分とする膜を積層し、さら
にその上にトータル厚さが300〜1600Åになるように酸
化インジウムを主成分とする膜を積層してなる透明導電
性フィルムである。
薄くし透明性や耐久性を損なわずにエッチング性の向上
をはかることで、液晶ディスプレイ等に適した電極材料
を提供することにある。 【解決手段】 高分子からなるフィルム上に厚さ50〜10
0Åの酸化インジウムを主成分とする膜を積層し、さら
にその上にトータル厚さが300〜1600Åになるように酸
化インジウムを主成分とする膜を積層してなる透明導電
性フィルムである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶ディスプレイ等
に用いられる透明導電性フィルムに関し、詳しくは高分
子フィルム上に厚さの異なる２層の酸化インジウムを主
成分とする透明導電膜を積層してなる透明導電性フィル
ムに関する。
に用いられる透明導電性フィルムに関し、詳しくは高分
子フィルム上に厚さの異なる２層の酸化インジウムを主
成分とする透明導電膜を積層してなる透明導電性フィル
ムに関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化インジウムを主成分とする膜(以下
ＩＴＯ膜と記す)からなる透明導電性フィルムは、高導
電性、高透明性の特性を活かし、液晶ディスプレイ等の
電極材料として広く用いられている。これらの電極材料
では多くの場合エッチング処理を伴うので、良好なエッ
チング特性が求められると同時に液晶ディスプレイ等の
組立工程に耐えうる高い耐久性能も求められている。使
用する高分子フィルムとしてはポリエーテルサルホン、
ポリカーボネート等が、液晶ディスプレイ用途として適
切な光学特性を有しているので好ましい。また、ＩＴＯ
膜の成膜には真空蒸着、スパッタリング、イオンプレー
ティング法などが有るが、良好な膜特性が得られるとい
う点で一般的にはスパッタリング法が用いられている。
しかし、これらの方法によるＩＴＯ膜の成膜は真空中で
行われるため、成膜時に高分子フィルムよりガスが発生
し、その影響で成膜したＩＴＯ膜の比抵抗が高くなると
いう問題がある。よって低抵抗なＩＴＯ膜を成膜すると
なると、ＩＴＯ膜厚が2000Å近くになり、ＩＴＯ膜厚の
増加に従って透明性が悪くなりかつエッチングも困難に
なってくる。
ＩＴＯ膜と記す)からなる透明導電性フィルムは、高導
電性、高透明性の特性を活かし、液晶ディスプレイ等の
電極材料として広く用いられている。これらの電極材料
では多くの場合エッチング処理を伴うので、良好なエッ
チング特性が求められると同時に液晶ディスプレイ等の
組立工程に耐えうる高い耐久性能も求められている。使
用する高分子フィルムとしてはポリエーテルサルホン、
ポリカーボネート等が、液晶ディスプレイ用途として適
切な光学特性を有しているので好ましい。また、ＩＴＯ
膜の成膜には真空蒸着、スパッタリング、イオンプレー
ティング法などが有るが、良好な膜特性が得られるとい
う点で一般的にはスパッタリング法が用いられている。
しかし、これらの方法によるＩＴＯ膜の成膜は真空中で
行われるため、成膜時に高分子フィルムよりガスが発生
し、その影響で成膜したＩＴＯ膜の比抵抗が高くなると
いう問題がある。よって低抵抗なＩＴＯ膜を成膜すると
なると、ＩＴＯ膜厚が2000Å近くになり、ＩＴＯ膜厚の
増加に従って透明性が悪くなりかつエッチングも困難に
なってくる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ＩＴ
Ｏ膜の比抵抗を下げることにより膜厚を薄くし透明性や
耐久性を損なわずにエッチング性の向上をはかること
で、液晶ディスプレイ等に適した電極材料を提供するこ
とにある。
Ｏ膜の比抵抗を下げることにより膜厚を薄くし透明性や
耐久性を損なわずにエッチング性の向上をはかること
で、液晶ディスプレイ等に適した電極材料を提供するこ
とにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】高分子からなるフィルム
上に厚さ50〜100Åの酸化インジウムを主成分とする膜
を積層し、さらにその上にトータル厚さが300〜1600Å
になるように酸化インジウムを主成分とする膜を積層し
た透明導電性フィルム。
上に厚さ50〜100Åの酸化インジウムを主成分とする膜
を積層し、さらにその上にトータル厚さが300〜1600Å
になるように酸化インジウムを主成分とする膜を積層し
た透明導電性フィルム。
【０００５】
【発明の実施の形態】真空中におけるＩＴＯ膜の成膜に
おいて、一度にＩＴＯ膜を成膜すると、フィルムから出
てくるガスによって比抵抗が高くなる。これを防ぐた
め、フィルム上に厚さ50〜100Åの酸化インジウムを主
成分とする膜を積層し（ＩＴＯ膜下層）、さらにその上
に厚さ250〜1500Åの酸化インジウムを主成分とする膜
を積層する（ＩＴＯ膜上層）ことによって、ＩＴＯ膜上
層を成膜するときにフィルムから出てくるガスを下層の
ＩＴＯ膜が減少させ、上層のＩＴＯ膜の比抵抗が高くな
ることを阻止できる。同じシート抵抗値を狙うならば比
抵抗の低い方が膜厚を薄くできるので、この薄い膜厚に
より透明性およびエッチング性の良好なＩＴＯ膜が得ら
れることになる。
おいて、一度にＩＴＯ膜を成膜すると、フィルムから出
てくるガスによって比抵抗が高くなる。これを防ぐた
め、フィルム上に厚さ50〜100Åの酸化インジウムを主
成分とする膜を積層し（ＩＴＯ膜下層）、さらにその上
に厚さ250〜1500Åの酸化インジウムを主成分とする膜
を積層する（ＩＴＯ膜上層）ことによって、ＩＴＯ膜上
層を成膜するときにフィルムから出てくるガスを下層の
ＩＴＯ膜が減少させ、上層のＩＴＯ膜の比抵抗が高くな
ることを阻止できる。同じシート抵抗値を狙うならば比
抵抗の低い方が膜厚を薄くできるので、この薄い膜厚に
より透明性およびエッチング性の良好なＩＴＯ膜が得ら
れることになる。
【０００６】ＩＴＯ膜下層の厚みが50〜100Åなのは、5
0Å以下だとフィルムからのガスを押さえる効果が無
い。下層は比抵抗の高い膜なので、ガス防止効果の有る
範囲で出来るだけ薄い膜の方がよい。また、100Åを越
えるとそれ以上のガス防止効果の向上は期待できないの
で100Å以下が望ましい。よって、下層は50〜100Åの範
囲内でなければ、本発明の意図するところの十分な効果
は望めない。また、トータル厚みが300Å以上でなけれ
ば本発明の効果は発揮できないので上層は250Å以上が
望ましく、トータル厚みが2000Å近くなると光線透過率
の低下や液晶用途としてパターン加工した場合にパター
ンが見えてしまうなどの光学的問題が発生するため1600
Å以下が望ましい。
0Å以下だとフィルムからのガスを押さえる効果が無
い。下層は比抵抗の高い膜なので、ガス防止効果の有る
範囲で出来るだけ薄い膜の方がよい。また、100Åを越
えるとそれ以上のガス防止効果の向上は期待できないの
で100Å以下が望ましい。よって、下層は50〜100Åの範
囲内でなければ、本発明の意図するところの十分な効果
は望めない。また、トータル厚みが300Å以上でなけれ
ば本発明の効果は発揮できないので上層は250Å以上が
望ましく、トータル厚みが2000Å近くなると光線透過率
の低下や液晶用途としてパターン加工した場合にパター
ンが見えてしまうなどの光学的問題が発生するため1600
Å以下が望ましい。
【０００７】
＜実施例１＞本発明の実施例としては幅300mm、厚さ100
μｍのポリエーテルサルホンフィルムを図３で示すＤＣ
マグネトロンスパッタリング装置にセットした。真空ポ
ンプ(5)で真空槽(1)内を減圧し、5×10-6mbar台まで排
気した。その後、アルゴンと酸素の混合ガス(Ａｒ:Ｏ2=
5:1)を導入し、真空度を6×10-3mbarに保った。また、
基板温度をを50℃に保ちつつ、ITOターゲット(相対密度
90％)を用いて反応性スパッタリングを行い膜厚が60Å
になるようにフィルム速度を調整した。その後さらに同
スパッタ装置を用いて同一条件にてトータル厚さ500Å
のＩＴＯ膜の成膜を行った。このときのシート抵抗値は
100Ω／□だった。ＩＴＯ膜厚は簡易エッチングを行い
精密段差計にて確認した。 ＜実施例２＞幅300mm、厚さ100μｍのポリエーテルサル
ホンフィルム上にスパッタリング装置を用いて実施例１
と同一条件にて下層の厚さが60Å、トータルの膜厚が15
00ÅのＩＴＯ膜を成膜した。このときのシート抵抗値は
36Ω／□だった。 ＜実施例３＞幅300mm、厚さ100μｍのポリエーテルサル
ホンフィルム上にスパッタリング装置を用いて実施例１
と同一条件にて下層の厚さが90Å、トータルの膜厚が15
00ÅのＩＴＯ膜を成膜した。このときのシート抵抗値は
34Ω／□だった。
μｍのポリエーテルサルホンフィルムを図３で示すＤＣ
マグネトロンスパッタリング装置にセットした。真空ポ
ンプ(5)で真空槽(1)内を減圧し、5×10-6mbar台まで排
気した。その後、アルゴンと酸素の混合ガス(Ａｒ:Ｏ2=
5:1)を導入し、真空度を6×10-3mbarに保った。また、
基板温度をを50℃に保ちつつ、ITOターゲット(相対密度
90％)を用いて反応性スパッタリングを行い膜厚が60Å
になるようにフィルム速度を調整した。その後さらに同
スパッタ装置を用いて同一条件にてトータル厚さ500Å
のＩＴＯ膜の成膜を行った。このときのシート抵抗値は
100Ω／□だった。ＩＴＯ膜厚は簡易エッチングを行い
精密段差計にて確認した。 ＜実施例２＞幅300mm、厚さ100μｍのポリエーテルサル
ホンフィルム上にスパッタリング装置を用いて実施例１
と同一条件にて下層の厚さが60Å、トータルの膜厚が15
00ÅのＩＴＯ膜を成膜した。このときのシート抵抗値は
36Ω／□だった。 ＜実施例３＞幅300mm、厚さ100μｍのポリエーテルサル
ホンフィルム上にスパッタリング装置を用いて実施例１
と同一条件にて下層の厚さが90Å、トータルの膜厚が15
00ÅのＩＴＯ膜を成膜した。このときのシート抵抗値は
34Ω／□だった。
【０００８】＜比較例１＞幅300mm、厚さ100μｍのポリ
エーテルサルホンフィルム上にスパッタリング装置を用
いて実施例１と同一条件にて厚さ500ÅのＩＴＯ膜を一
度に成膜した。このときのシート抵抗値は160Ω／□だ
った。 ＜比較例２＞幅300mm、厚さ100μｍのポリエーテルサル
ホンフィルム上にスパッタリング装置を用いて実施例１
と同一条件にて厚さ1500ÅのＩＴＯ膜を一度に成膜し
た。このときのシート抵抗値は75Ω／□だった。 ＜比較例３＞幅300mm、厚さ100μｍのポリエーテルサル
ホンフィルム上にスパッタリング装置を用いて実施例１
と同一条件にて下層の厚さが20Å、トータルの膜厚が15
00ÅのＩＴＯ膜を成膜した。このときのシート抵抗値は
70Ω／□だった。 ＜比較例４＞幅300mm、厚さ100μｍのポリエーテルサル
ホンフィルム上にスパッタリング装置を用いて実施例１
と同一条件にて下層の厚さが150Å、トータルの膜厚が5
00ÅのＩＴＯ膜を成膜した。このときのシート抵抗値は
145Ω／□だった。 ＜比較例５＞幅300mm、厚さ100μｍのポリエーテルサル
ホンフィルム上にスパッタリング装置を用いて実施例１
と同一条件にて下層の厚さが90Å、トータルの膜厚が30
00ÅのＩＴＯ膜を成膜した。このときのシート抵抗値は
35Ω／□だった。
エーテルサルホンフィルム上にスパッタリング装置を用
いて実施例１と同一条件にて厚さ500ÅのＩＴＯ膜を一
度に成膜した。このときのシート抵抗値は160Ω／□だ
った。 ＜比較例２＞幅300mm、厚さ100μｍのポリエーテルサル
ホンフィルム上にスパッタリング装置を用いて実施例１
と同一条件にて厚さ1500ÅのＩＴＯ膜を一度に成膜し
た。このときのシート抵抗値は75Ω／□だった。 ＜比較例３＞幅300mm、厚さ100μｍのポリエーテルサル
ホンフィルム上にスパッタリング装置を用いて実施例１
と同一条件にて下層の厚さが20Å、トータルの膜厚が15
00ÅのＩＴＯ膜を成膜した。このときのシート抵抗値は
70Ω／□だった。 ＜比較例４＞幅300mm、厚さ100μｍのポリエーテルサル
ホンフィルム上にスパッタリング装置を用いて実施例１
と同一条件にて下層の厚さが150Å、トータルの膜厚が5
00ÅのＩＴＯ膜を成膜した。このときのシート抵抗値は
145Ω／□だった。 ＜比較例５＞幅300mm、厚さ100μｍのポリエーテルサル
ホンフィルム上にスパッタリング装置を用いて実施例１
と同一条件にて下層の厚さが90Å、トータルの膜厚が30
00ÅのＩＴＯ膜を成膜した。このときのシート抵抗値は
35Ω／□だった。
【０００９】実施例と比較例によるＩＴＯ膜の評価結果
を表１に示す。
を表１に示す。
【表１】
【００１０】評価方法は次のとおりである。 ・比抵抗はシート抵抗とＩＴＯ膜厚からの計算値。 ・シート抵抗は２極探針測定によるもの。 ・ＩＴＯ膜厚は簡易エッチング後に精密段差計にて測定
したもの。 ・光線透過率は分光透過率計にて測定したもの。 ・エッチング性はＩＴＯ膜が溶けて導電性の無くなるま
での時間。
したもの。 ・光線透過率は分光透過率計にて測定したもの。 ・エッチング性はＩＴＯ膜が溶けて導電性の無くなるま
での時間。
【００１１】
【発明の効果】本発明に従うと、比抵抗の低い膜が得ら
れ液晶ディスプレイ等に適した実用特性を持った電極材
料を提供できる。
れ液晶ディスプレイ等に適した実用特性を持った電極材
料を提供できる。
【図１】本発明の層構成を示す。
【図２】従来品および比較例の層構成を示す。
【図３】実施例、比較例に用いたスパッタリング装置の
構成図。
構成図。
１．ＩＴＯ膜上層 １Ａ．ＩＴＯ膜 ２．ＩＴＯ膜下層 ３．フィルム基板 ４．真空槽 ５．ターゲット ６．巻出しロール ７．巻取りロール ８．蒸着ドラム ９．フィルム基板 10．真空ポンプ 11．スパッタ電源 12．アルゴンガスボンベ 13．酸素ボンベ
Claims (1)
- 【請求項１】 高分子からなるフィルム上に厚さ50〜10
0Åの酸化インジウムを主成分とする膜を積層し、さら
にその上にトータル厚さが300〜1600Åになるように酸
化インジウムを主成分とする膜を積層したことを特徴と
する透明導電性フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7342246A JPH09174749A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 透明導電性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7342246A JPH09174749A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 透明導電性フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09174749A true JPH09174749A (ja) | 1997-07-08 |
Family
ID=18352243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7342246A Pending JPH09174749A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 透明導電性フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09174749A (ja) |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP7342246A patent/JPH09174749A/ja active Pending
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