JPH09166715A - 薄膜光回路装置 - Google Patents
薄膜光回路装置Info
- Publication number
- JPH09166715A JPH09166715A JP32929095A JP32929095A JPH09166715A JP H09166715 A JPH09166715 A JP H09166715A JP 32929095 A JP32929095 A JP 32929095A JP 32929095 A JP32929095 A JP 32929095A JP H09166715 A JPH09166715 A JP H09166715A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- optical element
- substrate
- face
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 導波路と光素子とを光学的に結合させる新た
な構成の薄膜光回路装置を提供する。 【解決手段】 基板の一方の表面上に形成された導波路
であって、該導波路の一方の端面が、該導波路を伝搬し
て来た光を基板側へ反射するように斜めに形成されてい
る前記導波路と、前記基板の他方の表面側に取り付けら
れ、前記端面で光が反射することにより前記導波路と光
学的に結合する光素子とを有する。
な構成の薄膜光回路装置を提供する。 【解決手段】 基板の一方の表面上に形成された導波路
であって、該導波路の一方の端面が、該導波路を伝搬し
て来た光を基板側へ反射するように斜めに形成されてい
る前記導波路と、前記基板の他方の表面側に取り付けら
れ、前記端面で光が反射することにより前記導波路と光
学的に結合する光素子とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路と光素子
とを光学的に接続した薄膜光回路装置に関する。
とを光学的に接続した薄膜光回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光導波路と光素子を光学的に接続した薄
膜光回路装置の構成例が、エティンネ．Ｅ．Ｌ．フリー
ドリッヒ（Etienne E.L. Friedrich）らによってジャー
ナル・オブ・ライトウェーブ・テクノロジ第１０巻３号
（JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, VOL.10, NO.3 ）
（１９９２年３月）の３３６〜３３９ページに開示され
ている。
膜光回路装置の構成例が、エティンネ．Ｅ．Ｌ．フリー
ドリッヒ（Etienne E.L. Friedrich）らによってジャー
ナル・オブ・ライトウェーブ・テクノロジ第１０巻３号
（JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, VOL.10, NO.3 ）
（１９９２年３月）の３３６〜３３９ページに開示され
ている。
【０００３】この薄膜光回路においては、シリコン基板
の表面上に導波路を形成し、この導波路の一部を横切る
領域に凹部を形成し、凹部の側面に導波路の端面を露出
させる。この凹部内に光素子を配置し、導波路の露出し
た端面を介して導波路と光素子とを光学的に結合させ
る。
の表面上に導波路を形成し、この導波路の一部を横切る
領域に凹部を形成し、凹部の側面に導波路の端面を露出
させる。この凹部内に光素子を配置し、導波路の露出し
た端面を介して導波路と光素子とを光学的に結合させ
る。
【０００４】また、薄膜光回路の他の構成例が、山田ら
によってエレクトロニクス・レターズ第２９巻５号（EL
ECTRONICS LETTERS, VOL.29, NO.5 ）（１９９３年３月
４日）の４４４〜４４６ページに開示されている。
によってエレクトロニクス・レターズ第２９巻５号（EL
ECTRONICS LETTERS, VOL.29, NO.5 ）（１９９３年３月
４日）の４４４〜４４６ページに開示されている。
【０００５】この薄膜光回路に使用されるシリコン基板
表面は、平坦なテラスが形成されたテラス領域とテラス
よりも低いグランド面が形成されたグランド領域を有す
る。グランド領域に、テラスとほぼ面一の表面を有する
下側クラッド層が形成され、その上に導波路が形成され
ている。テラス上に光素子を配置して導波路と光素子と
を光学的に結合させる。
表面は、平坦なテラスが形成されたテラス領域とテラス
よりも低いグランド面が形成されたグランド領域を有す
る。グランド領域に、テラスとほぼ面一の表面を有する
下側クラッド層が形成され、その上に導波路が形成され
ている。テラス上に光素子を配置して導波路と光素子と
を光学的に結合させる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】導波路と光素子とを光
学的に結合させる薄膜光回路の構成が種々提案されてい
るが、未だ実用化されていない。
学的に結合させる薄膜光回路の構成が種々提案されてい
るが、未だ実用化されていない。
【０００７】本発明の目的は、導波路と光素子とを光学
的に結合させる新たな構成の薄膜光回路装置を提供する
ことである。
的に結合させる新たな構成の薄膜光回路装置を提供する
ことである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、基板の一方の表面上に形成された導波路であって、
該導波路の一方の端面が、該導波路を伝搬して来た光を
基板側へ反射するように斜めに形成されている前記導波
路と、前記基板の他方の表面側に取り付けられ、前記端
面で光が反射することにより前記導波路と光学的に結合
する光素子とを有する薄膜光回路装置が提供される。光
素子から放出された光が導波路の端面に照射され、端面
で反射して導波路内を伝搬する。
と、基板の一方の表面上に形成された導波路であって、
該導波路の一方の端面が、該導波路を伝搬して来た光を
基板側へ反射するように斜めに形成されている前記導波
路と、前記基板の他方の表面側に取り付けられ、前記端
面で光が反射することにより前記導波路と光学的に結合
する光素子とを有する薄膜光回路装置が提供される。光
素子から放出された光が導波路の端面に照射され、端面
で反射して導波路内を伝搬する。
【０００９】本発明の他の観点によると、前記基板が、
その前記他方の表面側に、前記他方の表面に対して垂直
な平面からなる第１の側面を含んで構成される凹部を有
し、さらに、前記基板の前記他方の表面上に密着する上
面を有する光素子固定部材であって、該上面上に、該上
面に対して垂直な平面からなり前記第１の側面上に密接
する第２の側面を含んで構成される凸状部を有し、該上
面側の面に前記光素子を固定する前記光素子固定部材を
有する薄膜光回路装置が提供される。
その前記他方の表面側に、前記他方の表面に対して垂直
な平面からなる第１の側面を含んで構成される凹部を有
し、さらに、前記基板の前記他方の表面上に密着する上
面を有する光素子固定部材であって、該上面上に、該上
面に対して垂直な平面からなり前記第１の側面上に密接
する第２の側面を含んで構成される凸状部を有し、該上
面側の面に前記光素子を固定する前記光素子固定部材を
有する薄膜光回路装置が提供される。
【００１０】基板面に対して垂直な面同士を密接させる
ことにより、その面の法線方向の相対位置を固定するこ
とができる。
ことにより、その面の法線方向の相対位置を固定するこ
とができる。
【００１１】本発明の他の観点によると、前記基板が、
さらに、その前記他方の表面上に、前記他方の表面に対
して垂直であり、かつ前記第１の側面に対して平行では
ない第３の側面を含んで構成される他の凹部を有し、前
記光素子固定部材が、さらに、その前記上面上に、該上
面に対して垂直であり、かつ前記第３の側面に密接する
第４の側面を含んで構成される他の凸状部を有する薄膜
光回路装置が提供される。
さらに、その前記他方の表面上に、前記他方の表面に対
して垂直であり、かつ前記第１の側面に対して平行では
ない第３の側面を含んで構成される他の凹部を有し、前
記光素子固定部材が、さらに、その前記上面上に、該上
面に対して垂直であり、かつ前記第３の側面に密接する
第４の側面を含んで構成される他の凸状部を有する薄膜
光回路装置が提供される。
【００１２】相互に交わる２つの面同士を共に密接させ
ることにより、基板面内の相対位置を固定することがで
きる。
ることにより、基板面内の相対位置を固定することがで
きる。
【００１３】本発明の他の観点によると、前記基板が
｛１１０｝面の表出したシリコン基板であり、前記第１
の側面が〔１１２〕方向と平行な｛１１１｝面である薄
膜光回路装置が提供される。
｛１１０｝面の表出したシリコン基板であり、前記第１
の側面が〔１１２〕方向と平行な｛１１１｝面である薄
膜光回路装置が提供される。
【００１４】〔１１２〕方向と平行な｛１１１｝面は、
｛１１０｝面と垂直に交わる。シリコン基板の結晶面同
士を密接させることにより、正確な位置決めが可能にな
る。本発明の他の観点によると、前記導波路の前記端面
が、前記光素子側に凹面を向けた曲面である薄膜光回路
装置が提供される。
｛１１０｝面と垂直に交わる。シリコン基板の結晶面同
士を密接させることにより、正確な位置決めが可能にな
る。本発明の他の観点によると、前記導波路の前記端面
が、前記光素子側に凹面を向けた曲面である薄膜光回路
装置が提供される。
【００１５】光素子側に凹面を向けた曲面により反射さ
れた光は、導波路に向かって集束される。このため、光
素子から放出された光を効率的に導波路に導入すること
ができる。
れた光は、導波路に向かって集束される。このため、光
素子から放出された光を効率的に導波路に導入すること
ができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１〜図４を参照して、本発明の
第１の実施例による薄膜光回路装置について説明する。
第１の実施例による薄膜光回路装置について説明する。
【００１７】図１（Ａ）に示すように、（１１０）面が
表出した厚さ約１ｍｍのシリコン基板１の表面上に、下
側クラッド層２、コア３及び上側クラッド層４からなる
導波路層５を形成する。例えば、クラッド層２、４は、
ＳｉＯ2 により形成され、コア３は、ＴｉＯ2 がドープ
されたＳｉＯ2 により形成される。下側クラッド層２の
厚さは約１５μｍ、コア３の厚さは約９μｍ、上側クラ
ッド層４の厚さは約２０μｍである。
表出した厚さ約１ｍｍのシリコン基板１の表面上に、下
側クラッド層２、コア３及び上側クラッド層４からなる
導波路層５を形成する。例えば、クラッド層２、４は、
ＳｉＯ2 により形成され、コア３は、ＴｉＯ2 がドープ
されたＳｉＯ2 により形成される。下側クラッド層２の
厚さは約１５μｍ、コア３の厚さは約９μｍ、上側クラ
ッド層４の厚さは約２０μｍである。
【００１８】シリコン基板１の導波路層５とは反対側の
面（以下、裏面と呼ぶ。）上に、原料ガスとしてＮ
Ｈ3 、ＳｉＨ4 及びＮ2 を用い、成長温度を８００〜１
０００℃とした化学気相成長（ＣＶＤ）により、厚さ約
１μｍのＳｉＮ膜６を形成する。ＳｉＮ膜６の表面上に
電子ビーム蒸着等によりＴｉ／Ａｕの２層からなる導電
層を形成する。この導電層をパターニングして、図のほ
ぼ中央の非配線領域８から左右にそれぞれ延在する配線
７Ａ及び７Ｂを形成する。ＳｉＮ膜６及び配線７Ａ、７
Ｂの表面を覆うように厚さ約５μｍのＳｉＯ2 膜９をＣ
ＶＤにより形成する。
面（以下、裏面と呼ぶ。）上に、原料ガスとしてＮ
Ｈ3 、ＳｉＨ4 及びＮ2 を用い、成長温度を８００〜１
０００℃とした化学気相成長（ＣＶＤ）により、厚さ約
１μｍのＳｉＮ膜６を形成する。ＳｉＮ膜６の表面上に
電子ビーム蒸着等によりＴｉ／Ａｕの２層からなる導電
層を形成する。この導電層をパターニングして、図のほ
ぼ中央の非配線領域８から左右にそれぞれ延在する配線
７Ａ及び７Ｂを形成する。ＳｉＮ膜６及び配線７Ａ、７
Ｂの表面を覆うように厚さ約５μｍのＳｉＯ2 膜９をＣ
ＶＤにより形成する。
【００１９】図１（Ｂ）に示すように、ＳｉＮ膜６及び
ＳｉＯ2 膜９の非配線領域８内に、フォトリソグラフィ
技術を用いて四角形の開口を形成する。ＳｉＮ膜６及び
ＳｉＯ2 膜９のエッチングは、例えばエッチングガスと
してＣＦ4 とＯ2 を用いたプラズマエッチングにより行
う。
ＳｉＯ2 膜９の非配線領域８内に、フォトリソグラフィ
技術を用いて四角形の開口を形成する。ＳｉＮ膜６及び
ＳｉＯ2 膜９のエッチングは、例えばエッチングガスと
してＣＦ4 とＯ2 を用いたプラズマエッチングにより行
う。
【００２０】図１（Ｃ）は、シリコン基板１の底面図を
示す。非配線領域８内に、５００μｍ×６００μｍ程度
の大きさの長方形の開口１１が形成されている。図１
（Ｃ）の一点鎖線Ｂ１−Ｂ１における断面図が図１
（Ｂ）に相当する。開口１１の短辺が〔１−１２〕方向
と平行に、長辺が〔−１１１〕方向と平行に配置されて
いる。なお、結晶軸方向を表す数字に付された負の記号
は、ミラー指数の当該数字が負であることを表す。
示す。非配線領域８内に、５００μｍ×６００μｍ程度
の大きさの長方形の開口１１が形成されている。図１
（Ｃ）の一点鎖線Ｂ１−Ｂ１における断面図が図１
（Ｂ）に相当する。開口１１の短辺が〔１−１２〕方向
と平行に、長辺が〔−１１１〕方向と平行に配置されて
いる。なお、結晶軸方向を表す数字に付された負の記号
は、ミラー指数の当該数字が負であることを表す。
【００２１】図１（Ｄ）に示すように、ＳｉＯ2 膜９を
エッチングマスクとし、異方性エッチング液を用いて開
口１１からシリコン基板１をエッチングして、深さ約５
００〜６００μｍ程度の凹部１２を形成する。異方性エ
ッチング液としては、例えばＫＯＨ水溶液、またはエチ
レンジアミンとピロカテコールの水溶液等を使用する。
異方性エッチング液は、シリコンの｛１１１｝面をほと
んどエッチングしないため、凹部１２の内面に｛１１
１｝面が現れる。
エッチングマスクとし、異方性エッチング液を用いて開
口１１からシリコン基板１をエッチングして、深さ約５
００〜６００μｍ程度の凹部１２を形成する。異方性エ
ッチング液としては、例えばＫＯＨ水溶液、またはエチ
レンジアミンとピロカテコールの水溶液等を使用する。
異方性エッチング液は、シリコンの｛１１１｝面をほと
んどエッチングしないため、凹部１２の内面に｛１１
１｝面が現れる。
【００２２】図７は、（１１０）面のシリコン基板を異
方性エッチングしたときの凹部の形状を表す。シリコン
基板１００の（１１０）面上にＳｉＯ2 膜１０１が形成
され、ＳｉＯ2 膜１０１に長方形の開口１０２が設けら
れている。開口１０２の相互に平行な一組の辺は、〔１
−１２〕方向と平行であり、他の辺は、〔−１１１〕方
向と平行である。
方性エッチングしたときの凹部の形状を表す。シリコン
基板１００の（１１０）面上にＳｉＯ2 膜１０１が形成
され、ＳｉＯ2 膜１０１に長方形の開口１０２が設けら
れている。開口１０２の相互に平行な一組の辺は、〔１
−１２〕方向と平行であり、他の辺は、〔−１１１〕方
向と平行である。
【００２３】この開口１０２からシリコン基板１００を
異方性エッチングすると、〔１−１２〕方向と平行な辺
に対応する側面には、シリコン基板表面に対して垂直な
｛１１１｝面が現れる。〔−１１１〕方向と平行な辺に
対応する側面においては、サイドエッチングが進み、
〔−１１２〕方向と〔１−１０〕方向に対してそれぞれ
平行な２つの｛１１１｝面が現れる。〔−１１２〕方向
と平行な｛１１１｝面はシリコン基板表面に対して垂直
であり、〔−１１０〕方向と平行な｛１１１｝面はシリ
コン基板表面に対して斜めになる。
異方性エッチングすると、〔１−１２〕方向と平行な辺
に対応する側面には、シリコン基板表面に対して垂直な
｛１１１｝面が現れる。〔−１１１〕方向と平行な辺に
対応する側面においては、サイドエッチングが進み、
〔−１１２〕方向と〔１−１０〕方向に対してそれぞれ
平行な２つの｛１１１｝面が現れる。〔−１１２〕方向
と平行な｛１１１｝面はシリコン基板表面に対して垂直
であり、〔−１１０〕方向と平行な｛１１１｝面はシリ
コン基板表面に対して斜めになる。
【００２４】図１（Ｄ）に戻って、凹部１２の側面のう
ち〔１−１２〕方向と平行な辺に対応する側面は、図７
で説明したようにシリコン基板表面に対して垂直にな
る。凹部１２を形成した後、上側クラッド層４の表面を
レジスト層で覆い、バッファード弗酸（ＮＨ4 Ｆ：ＨＦ
＝１０：１）を用いて裏面のＳｉＯ2 膜９を除去する。
その後、表面のレジスト膜を除去する。
ち〔１−１２〕方向と平行な辺に対応する側面は、図７
で説明したようにシリコン基板表面に対して垂直にな
る。凹部１２を形成した後、上側クラッド層４の表面を
レジスト層で覆い、バッファード弗酸（ＮＨ4 Ｆ：ＨＦ
＝１０：１）を用いて裏面のＳｉＯ2 膜９を除去する。
その後、表面のレジスト膜を除去する。
【００２５】図２（Ａ）に示すように、導波路層５に、
シリコン基板表面に対して斜めの側面を有する凹部２０
を形成する。まず、上側クラッド層４の表面上にレジス
ト層２１を塗布し、裏面に形成されている凹部１２に対
応する領域に〔１−１２〕方向と平行な直線状の開口２
２を形成する。バッファード弗酸を用いた等方性のウェ
ットエッチングにより、開口２２を通して導波路層５を
エッチングし、凹部２０を形成する。導波路層５のエッ
チング時裏面はレジスト、ワックス等で覆っておく。
シリコン基板表面に対して斜めの側面を有する凹部２０
を形成する。まず、上側クラッド層４の表面上にレジス
ト層２１を塗布し、裏面に形成されている凹部１２に対
応する領域に〔１−１２〕方向と平行な直線状の開口２
２を形成する。バッファード弗酸を用いた等方性のウェ
ットエッチングにより、開口２２を通して導波路層５を
エッチングし、凹部２０を形成する。導波路層５のエッ
チング時裏面はレジスト、ワックス等で覆っておく。
【００２６】導波路層５のエッチング時にサイドエッチ
ングも進むため、凹部２２の側面は斜面になる。なお、
バッファード弗酸を用いたウェットエッチングの代わり
に、ＣＦ4 ガス等を用いたドライエッチング等を用いて
もよい。
ングも進むため、凹部２２の側面は斜面になる。なお、
バッファード弗酸を用いたウェットエッチングの代わり
に、ＣＦ4 ガス等を用いたドライエッチング等を用いて
もよい。
【００２７】図２（Ｂ）に示すように、レジスト層２１
を除去し、凹部２０の内面を含む導波路層５の表面上に
アルミニウム等の金属膜を蒸着し、パターニングして凹
部２０の内面及びその近傍に金属パターン２３を形成す
る。
を除去し、凹部２０の内面を含む導波路層５の表面上に
アルミニウム等の金属膜を蒸着し、パターニングして凹
部２０の内面及びその近傍に金属パターン２３を形成す
る。
【００２８】次に、図３を参照して、光素子固定部材の
作製方法を説明する。図３（Ａ）に示すように、（１１
０）面の表出したシリコン基板３０の表面上に相互に平
行な２つの｛１１１｝面を一組の側面とし、高さ２００
〜５００μｍ程度の凸状部３１を形成する。まず、シリ
コン基板３０の表面上にＳｉＯ2 膜を形成し、このＳｉ
Ｏ2 膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニング
して〔１−１２〕方向と平行な辺を有する長方形のパタ
ーンを残す。このＳｉＯ2 パターンをエッチングマスク
とし、異方性エッチング液を用いてシリコン基板をエッ
チングする。
作製方法を説明する。図３（Ａ）に示すように、（１１
０）面の表出したシリコン基板３０の表面上に相互に平
行な２つの｛１１１｝面を一組の側面とし、高さ２００
〜５００μｍ程度の凸状部３１を形成する。まず、シリ
コン基板３０の表面上にＳｉＯ2 膜を形成し、このＳｉ
Ｏ2 膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニング
して〔１−１２〕方向と平行な辺を有する長方形のパタ
ーンを残す。このＳｉＯ2 パターンをエッチングマスク
とし、異方性エッチング液を用いてシリコン基板をエッ
チングする。
【００２９】図７で説明したように、〔１−１２〕方向
と平行な辺に対応する側面には、シリコン基板３０の表
面に対して垂直な｛１１１｝面が現れる。他の一組の辺
に対応する側面においてはサイドエッチングが進み、側
面に複数の｛１１１｝面が現れる。エッチング後、凸状
部３１の一組の平行な側面間の距離が約３００μｍ、そ
れに直交する方向の側面間の最大距離が３００μｍ以下
になるようにＳｉＯ2パターンを形成しておく。
と平行な辺に対応する側面には、シリコン基板３０の表
面に対して垂直な｛１１１｝面が現れる。他の一組の辺
に対応する側面においてはサイドエッチングが進み、側
面に複数の｛１１１｝面が現れる。エッチング後、凸状
部３１の一組の平行な側面間の距離が約３００μｍ、そ
れに直交する方向の側面間の最大距離が３００μｍ以下
になるようにＳｉＯ2パターンを形成しておく。
【００３０】異方性エッチング時のマスクとして使用し
たＳｉＯ2 パターンを除去し、シリコン基板３０の表面
全面に熱酸化により厚さ約１μｍのＳｉＯ2 膜３２を形
成する。ＳｉＯ2 膜３２の表面上にＴｉ／Ｐｔ／ＡｕＳ
ｎの多層膜からなる導電層３３を蒸着する。
たＳｉＯ2 パターンを除去し、シリコン基板３０の表面
全面に熱酸化により厚さ約１μｍのＳｉＯ2 膜３２を形
成する。ＳｉＯ2 膜３２の表面上にＴｉ／Ｐｔ／ＡｕＳ
ｎの多層膜からなる導電層３３を蒸着する。
【００３１】図３（Ｂ）に示すように、凸状部３１の近
傍に、ダイシングソーを使用して〔１−１２〕方向と平
行な深さ約１０μｍの溝３５を形成する。溝３５によっ
て、導電層３３が凸状部３１を有する表面領域を覆う導
電層３３Ｂと、溝３５に関して凸状部３１と反対側の表
面領域を覆う導電層３３Ａとに分離される。
傍に、ダイシングソーを使用して〔１−１２〕方向と平
行な深さ約１０μｍの溝３５を形成する。溝３５によっ
て、導電層３３が凸状部３１を有する表面領域を覆う導
電層３３Ｂと、溝３５に関して凸状部３１と反対側の表
面領域を覆う導電層３３Ａとに分離される。
【００３２】レーザダイオード４０を、凸状部３１の溝
３５側の側面に、レーザダイオード４０の活性層に近い
方の電極が導電層３３Ｂに接続される向きに熱ボンディ
ングする。凸状部３１の高さ方向に関しては、例えばレ
ーザダイオード４０の端部を凸状部３１の上面または底
面に合わせることにより、位置決めする。紙面に対して
垂直な方向に関しては、例えばシリコン基板３０の上面
に予め直線状パターンを形成しておき、このパターンと
レーザダイオード４０の端部を合わせることにより位置
決めする。レーザダイオード４０の他方の電極は、リー
ド線４１により導電層３３Ａに接続する。
３５側の側面に、レーザダイオード４０の活性層に近い
方の電極が導電層３３Ｂに接続される向きに熱ボンディ
ングする。凸状部３１の高さ方向に関しては、例えばレ
ーザダイオード４０の端部を凸状部３１の上面または底
面に合わせることにより、位置決めする。紙面に対して
垂直な方向に関しては、例えばシリコン基板３０の上面
に予め直線状パターンを形成しておき、このパターンと
レーザダイオード４０の端部を合わせることにより位置
決めする。レーザダイオード４０の他方の電極は、リー
ド線４１により導電層３３Ａに接続する。
【００３３】図４に示すように、凸状部３１を凹部１２
内に挿入し、凸状部３１のレーザダイオード４０が取り
付けられている側面と反対側の側面を凹部１２の一方の
側面に密着させる。この状態で導電層３３Ａを配線７Ａ
に、導電層３３Ｂを配線７Ｂに熱ボンディングする。
内に挿入し、凸状部３１のレーザダイオード４０が取り
付けられている側面と反対側の側面を凹部１２の一方の
側面に密着させる。この状態で導電層３３Ａを配線７Ａ
に、導電層３３Ｂを配線７Ｂに熱ボンディングする。
【００３４】このとき、レーザダイオード４０から図の
上方に放出されたレーザ光が凹部２０の斜めの側面によ
り画定されたコア３の端面に照射されるように、予め凹
部１２と２０の相対位置、凸状部３１の大きさを設定し
ておく。このように、各部の相対位置と大きさを設定し
ておくことにより、コア３の端面と光素子４０との図の
横方向の位置決めを容易に行うことができる。
上方に放出されたレーザ光が凹部２０の斜めの側面によ
り画定されたコア３の端面に照射されるように、予め凹
部１２と２０の相対位置、凸状部３１の大きさを設定し
ておく。このように、各部の相対位置と大きさを設定し
ておくことにより、コア３の端面と光素子４０との図の
横方向の位置決めを容易に行うことができる。
【００３５】また、紙面に対して垂直な方向に関して
は、例えばＳｉＮ膜６の表面上とＳｉＯ2 膜３２の表面
上にアライメントマークを設けて位置決めを行う。レー
ザダイオード４０から放射されたレーザ光は、コア３の
端面で反射し、コア３の中を図の左方へ向かって伝搬す
る。このようにして、薄膜導波路とレーザダイオードと
を光学的に結合させることができる。光素子固定部材
は、ヒートシンクの役割を果たす。
は、例えばＳｉＮ膜６の表面上とＳｉＯ2 膜３２の表面
上にアライメントマークを設けて位置決めを行う。レー
ザダイオード４０から放射されたレーザ光は、コア３の
端面で反射し、コア３の中を図の左方へ向かって伝搬す
る。このようにして、薄膜導波路とレーザダイオードと
を光学的に結合させることができる。光素子固定部材
は、ヒートシンクの役割を果たす。
【００３６】図４では、エッジ放射型のレーザダイオー
ドを用いた場合を説明したが、面発光型の発光ダイオー
ドを用いてもよい。この場合には、発光ダイオードを凸
状部３１の上面に固着する。
ドを用いた場合を説明したが、面発光型の発光ダイオー
ドを用いてもよい。この場合には、発光ダイオードを凸
状部３１の上面に固着する。
【００３７】次に、図５、図６を参照して、第２の実施
例について説明する。まず、第１の実施例の図１（Ａ）
と同様の基板を作製する。図５（Ａ）に示すように、基
板の裏面に形成されたＳｉＮ膜６及びＳｉＯ2 膜９（図
１（Ａ））に開口１１、４５及び４７を形成する。開口
１１は、図１（Ｃ）に示す開口１１と同様の形状及び配
置である。開口４５は、開口１１の図の右方に配置さ
れ、一組の辺が〔１−１２〕方向と平行な長方形状を有
する。開口４７は、開口１１の図の下方に配置され、一
組の辺が〔−１１２〕方向と平行な長方形状を有する。
例について説明する。まず、第１の実施例の図１（Ａ）
と同様の基板を作製する。図５（Ａ）に示すように、基
板の裏面に形成されたＳｉＮ膜６及びＳｉＯ2 膜９（図
１（Ａ））に開口１１、４５及び４７を形成する。開口
１１は、図１（Ｃ）に示す開口１１と同様の形状及び配
置である。開口４５は、開口１１の図の右方に配置さ
れ、一組の辺が〔１−１２〕方向と平行な長方形状を有
する。開口４７は、開口１１の図の下方に配置され、一
組の辺が〔−１１２〕方向と平行な長方形状を有する。
【００３８】開口１１の右方に開口４５が配置されてい
るため、配線７Ｂが開口４５の手前で図の上方に折れ曲
がった形状とされている。なお、図５（Ａ）では、開口
４５と４７を、それぞれ開口１１の図の右方と下方に配
置した場合を説明したが、必ずしも右方と下方に配置す
る必要はなく、開口１１のその他の近傍領域に配置して
もよい。
るため、配線７Ｂが開口４５の手前で図の上方に折れ曲
がった形状とされている。なお、図５（Ａ）では、開口
４５と４７を、それぞれ開口１１の図の右方と下方に配
置した場合を説明したが、必ずしも右方と下方に配置す
る必要はなく、開口１１のその他の近傍領域に配置して
もよい。
【００３９】次に、第１の実施例の図１（Ｄ）と同様
に、開口１１、４５及び４７を通してシリコン基板を異
方性エッチングし、凹部１２、４６及び４８を形成す
る。各開口１１、４５及び４７の〔１−１２〕及び〔−
１１２〕方向と平行な辺に対応する側面には、シリコン
基板表面に対して垂直な｛１１１｝面が現れる。その他
の辺に対応する側面においてはサイドエッチングが進
み、図の破線で示すような｛１１１｝面が現れる。
に、開口１１、４５及び４７を通してシリコン基板を異
方性エッチングし、凹部１２、４６及び４８を形成す
る。各開口１１、４５及び４７の〔１−１２〕及び〔−
１１２〕方向と平行な辺に対応する側面には、シリコン
基板表面に対して垂直な｛１１１｝面が現れる。その他
の辺に対応する側面においてはサイドエッチングが進
み、図の破線で示すような｛１１１｝面が現れる。
【００４０】次に、第１の実施例の図２（Ａ）、（Ｂ）
と同様に、導波路層５に凹部２０を形成し、その上に金
属パターン２３を形成する。図５（Ｂ）は、第１の実施
例の図３（Ａ）に対応する光素子固定部材の平面図を示
す。光素子固定部材の表面上に、導波路層側基板の凹部
１２、４６及び４８に対応して、それぞれ凸状部３１、
４９及び５１が形成されている。
と同様に、導波路層５に凹部２０を形成し、その上に金
属パターン２３を形成する。図５（Ｂ）は、第１の実施
例の図３（Ａ）に対応する光素子固定部材の平面図を示
す。光素子固定部材の表面上に、導波路層側基板の凹部
１２、４６及び４８に対応して、それぞれ凸状部３１、
４９及び５１が形成されている。
【００４１】凸状部３１、４９及び５１は、それぞれＳ
ｉＯ2 からなるエッチングマスク３６、５０及び５２を
用いた異方性エッチングにより形成される。エッチング
マスク３６及び５０は、一組の辺が〔１−１２〕方向と
平行な長方形状であり、エッチングマスク５２は、一組
の辺が〔−１１２〕方向と平行な長方形状である。
ｉＯ2 からなるエッチングマスク３６、５０及び５２を
用いた異方性エッチングにより形成される。エッチング
マスク３６及び５０は、一組の辺が〔１−１２〕方向と
平行な長方形状であり、エッチングマスク５２は、一組
の辺が〔−１１２〕方向と平行な長方形状である。
【００４２】凸状部３１及び４９は、共に、〔１−１
２〕方向と平行な｛１１１｝面で構成される一組の側面
を有し、凸状部５１は、〔−１１２〕方向と平行な｛１
１１｝面で構成される一組の側面を有する。これらの側
面に隣接する側面においてはサイドエッチングが進み、
複数の｛１１１｝面が現れる。
２〕方向と平行な｛１１１｝面で構成される一組の側面
を有し、凸状部５１は、〔−１１２〕方向と平行な｛１
１１｝面で構成される一組の側面を有する。これらの側
面に隣接する側面においてはサイドエッチングが進み、
複数の｛１１１｝面が現れる。
【００４３】次に、第１の実施例の図３（Ａ）及び
（Ｂ）と同様の方法で、シリコン基板３０の表面上にＳ
ｉＯ2 膜３２、金属膜３３を堆積し、溝３５を形成し、
光素子４０を固着する。凸状部４９及び５１をそれぞれ
凹部４６及び４８内に挿入し、配線７Ａと導電層３３
Ａ、配線７Ｂと導電層３３Ｂとを熱ボンディングする。
このとき、凸状部３１が凹部１２内に挿入される。
（Ｂ）と同様の方法で、シリコン基板３０の表面上にＳ
ｉＯ2 膜３２、金属膜３３を堆積し、溝３５を形成し、
光素子４０を固着する。凸状部４９及び５１をそれぞれ
凹部４６及び４８内に挿入し、配線７Ａと導電層３３
Ａ、配線７Ｂと導電層３３Ｂとを熱ボンディングする。
このとき、凸状部３１が凹部１２内に挿入される。
【００４４】図５（Ｃ）は、図５（Ａ）の一点鎖線Ａ５
−Ａ５、図５（Ｂ）の一点鎖線Ｂ５−Ｂ５に対応する断
面図を示す。凹部４６の内面と凸状部４９の側面とが密
接しているため、コア３の端面と光素子４０との図の横
方向の相対位置が固定される。また、図５（Ｃ）には現
れないが、図５（Ａ）の凹部４８の内面と図５（Ｂ）の
凸状部５１の側面とが密接する。このように、相互に交
わる２組の面を密接させることにより、基板面内の相対
位置を固定することができる。
−Ａ５、図５（Ｂ）の一点鎖線Ｂ５−Ｂ５に対応する断
面図を示す。凹部４６の内面と凸状部４９の側面とが密
接しているため、コア３の端面と光素子４０との図の横
方向の相対位置が固定される。また、図５（Ｃ）には現
れないが、図５（Ａ）の凹部４８の内面と図５（Ｂ）の
凸状部５１の側面とが密接する。このように、相互に交
わる２組の面を密接させることにより、基板面内の相対
位置を固定することができる。
【００４５】なお、図５（Ｃ）では、凸状部４９の相互
に平行な一組の側面が、共に、凹部４６の内面に密接す
る場合を示したが、凹部４６の幅を広くして一方の側面
のみが密接するようにしてもよい。
に平行な一組の側面が、共に、凹部４６の内面に密接す
る場合を示したが、凹部４６の幅を広くして一方の側面
のみが密接するようにしてもよい。
【００４６】上記第１及び第２の実施例では、導波路の
端面を等方性エッチング時のサイドエッチングを利用し
て斜めに形成する場合を説明したが、レーザダイオード
から放出されたレーザ光をより効率的に導波路内に導入
するためには、端面形状を放物面状の曲面にすることが
好ましい。
端面を等方性エッチング時のサイドエッチングを利用し
て斜めに形成する場合を説明したが、レーザダイオード
から放出されたレーザ光をより効率的に導波路内に導入
するためには、端面形状を放物面状の曲面にすることが
好ましい。
【００４７】次に、図６を参照して、曲面状の端面を有
する導波路層の形成方法を説明する。図６（Ａ）に示す
ように、シリコン基板１の表面上に、下側クラッド層
２、コア３及び上側クラッド層４を積層する。上側クラ
ッド層４の表面上にポジレジスト（例えば、ヘキスト社
製ＡＺ−４６２０）を塗布し、露光、現像処理を行っ
て、例えば幅３０μｍ、長さ数ｍｍのレジストパターン
を残す。このレジストパターンを２００℃でベーキング
すると、レジストパターンが融け、表面張力により円筒
状表面を有するレジストパターン６０が形成される。レ
ジストパターン６０の高さが導波路層５の厚さとほぼ等
しくなるように、ベーキング前のレジストパターンの厚
さ及び幅を選択しておく。
する導波路層の形成方法を説明する。図６（Ａ）に示す
ように、シリコン基板１の表面上に、下側クラッド層
２、コア３及び上側クラッド層４を積層する。上側クラ
ッド層４の表面上にポジレジスト（例えば、ヘキスト社
製ＡＺ−４６２０）を塗布し、露光、現像処理を行っ
て、例えば幅３０μｍ、長さ数ｍｍのレジストパターン
を残す。このレジストパターンを２００℃でベーキング
すると、レジストパターンが融け、表面張力により円筒
状表面を有するレジストパターン６０が形成される。レ
ジストパターン６０の高さが導波路層５の厚さとほぼ等
しくなるように、ベーキング前のレジストパターンの厚
さ及び幅を選択しておく。
【００４８】次に、シリコン基板表面上に、ネガレジス
トとポジレジストの多層膜６１を、レジストパターン６
０の高さと同程度の厚さになるように塗布する。ネガレ
ジストとポジレジストとの多層膜を用いるのは、一方の
レジスト層のみでは所望の厚さの膜を形成することが困
難だからである。露光、現像処理を行って、レジストパ
ターン６０の頂上に関して一方の側の表面及びその近傍
の上側クラッド層４の表面を露出させる。レジストパタ
ーンの曲率及びエッチング速度とＳｉＯ2 膜のエッチン
グ速度の関係から導波路のエッチング端面が目的の球状
になる条件で、レジストパターン６０、レジストの多層
膜６１及び導波路層５をエッチングする。例えば、入射
角を７０°、加速電圧を５００ＶとしたＡｒイオンビー
ムにより、エッチングする。シリコン基板１の表面が露
出した時点でエッチングを停止する。
トとポジレジストの多層膜６１を、レジストパターン６
０の高さと同程度の厚さになるように塗布する。ネガレ
ジストとポジレジストとの多層膜を用いるのは、一方の
レジスト層のみでは所望の厚さの膜を形成することが困
難だからである。露光、現像処理を行って、レジストパ
ターン６０の頂上に関して一方の側の表面及びその近傍
の上側クラッド層４の表面を露出させる。レジストパタ
ーンの曲率及びエッチング速度とＳｉＯ2 膜のエッチン
グ速度の関係から導波路のエッチング端面が目的の球状
になる条件で、レジストパターン６０、レジストの多層
膜６１及び導波路層５をエッチングする。例えば、入射
角を７０°、加速電圧を５００ＶとしたＡｒイオンビー
ムにより、エッチングする。シリコン基板１の表面が露
出した時点でエッチングを停止する。
【００４９】図６（Ｂ）は、エッチング後の導波路層５
の断面図を示す。レジストパターン６０、６１が形成さ
れていなかった領域に凹部６２が形成される。レジスト
パターンとＳｉＯ2 膜とのエッチング速度がほぼ等しい
場合、凹部６２の内面がレジストパターンの表面とほぼ
同形状になる。このようにして、導波路層５の端面６３
を、目的の形状とすることができる。
の断面図を示す。レジストパターン６０、６１が形成さ
れていなかった領域に凹部６２が形成される。レジスト
パターンとＳｉＯ2 膜とのエッチング速度がほぼ等しい
場合、凹部６２の内面がレジストパターンの表面とほぼ
同形状になる。このようにして、導波路層５の端面６３
を、目的の形状とすることができる。
【００５０】図６（Ｃ）に示すように、第１の実施例の
図２（Ｂ）と同様に凹部６２の内面に金属パターン２３
を形成する。図６では、導波路層５の端面を円筒状にす
る場合を説明したが、図６（Ａ）のレジストパターン６
０のベーキング前の平面形状を円形もしくは正方形とす
ることにより、球面状の端面を形成することも可能であ
る。また、楕円球面としてもよい。
図２（Ｂ）と同様に凹部６２の内面に金属パターン２３
を形成する。図６では、導波路層５の端面を円筒状にす
る場合を説明したが、図６（Ａ）のレジストパターン６
０のベーキング前の平面形状を円形もしくは正方形とす
ることにより、球面状の端面を形成することも可能であ
る。また、楕円球面としてもよい。
【００５１】導波路層５の端面を円筒状もしくは球面状
等の曲面とすることにより、光素子からの放射光を効率
的にコア３内に導入することが可能になる。上記実施例
では、導波路側の基板と光素子固定部材との相対位置を
固定するための凹部と凸状部とを、異方性エッチング液
を用いたシリコンのエッチングにより形成する場合を説
明したが、ＨＢｒやＣＣｌ4 を用いたプラズマエッチン
グ、またはＹＡＧレーザ等を用いたレーザ加工により形
成してもよい。
等の曲面とすることにより、光素子からの放射光を効率
的にコア３内に導入することが可能になる。上記実施例
では、導波路側の基板と光素子固定部材との相対位置を
固定するための凹部と凸状部とを、異方性エッチング液
を用いたシリコンのエッチングにより形成する場合を説
明したが、ＨＢｒやＣＣｌ4 を用いたプラズマエッチン
グ、またはＹＡＧレーザ等を用いたレーザ加工により形
成してもよい。
【００５２】また、上記実施例では、光素子から放出さ
れた光を導波路に導く場合を説明したが、その逆の構成
としてもよい。例えば、光素子として光センサを用いた
場合には、導波路を伝搬してきた光をその端面で反射し
て、光センサに導くことができる。
れた光を導波路に導く場合を説明したが、その逆の構成
としてもよい。例えば、光素子として光センサを用いた
場合には、導波路を伝搬してきた光をその端面で反射し
て、光センサに導くことができる。
【００５３】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の裏面側に取り付けた光素子と、基板の表面側に形
成された薄膜導波路とを、簡易な方法で光学的に結合さ
せることができる。
基板の裏面側に取り付けた光素子と、基板の表面側に形
成された薄膜導波路とを、簡易な方法で光学的に結合さ
せることができる。
【図１】本発明の第１の実施例による薄膜光回路装置の
製造方法を説明するための薄膜光回路基板の断面図であ
る。
製造方法を説明するための薄膜光回路基板の断面図であ
る。
【図２】本発明の第１の実施例による薄膜光回路装置の
製造方法を説明するための薄膜光回路基板の断面図であ
る。
製造方法を説明するための薄膜光回路基板の断面図であ
る。
【図３】本発明の第１の実施例による薄膜光回路装置の
製造方法を説明するための光素子固定部材の断面図であ
る。
製造方法を説明するための光素子固定部材の断面図であ
る。
【図４】本発明の第１の実施例による薄膜光回路装置の
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明の第２の実施例による薄膜光回路装置の
薄膜光回路基板の底面図、光素子固定部材の平面図、及
び薄膜光回路装置の断面図である。
薄膜光回路基板の底面図、光素子固定部材の平面図、及
び薄膜光回路装置の断面図である。
【図６】円筒状の端面を有する薄膜導波路の作製方法を
説明するための、導波路層の断面図である。
説明するための、導波路層の断面図である。
【図７】シリコン基板を異方性エッチングしたときの凹
部の形状を示す一部断面斜視図である。
部の形状を示す一部断面斜視図である。
１ シリコン基板 ２ 下側クラッド層 ３ コア ４ 上側クラッド層 ５ 導波路層 ６ ＳｉＮ膜 ７Ａ、７Ｂ 配線 ８ 非配線領域 ９ ＳｉＯ2 膜 １１、４５、４７ 開口 １２、２０ 凹部 ２１、６１ レジスト層 ２２ 凹部 ２３ 金属パターン ３０ シリコン基板 ３１、４９、５１ 凸状部 ３２ ＳｉＯ2 膜 ３３ 導電層 ３５ 溝 ３６、５０、５２ 異方性エッチングマスク ４０ 光素子 ４１ リード線 ４６、４８、６２ 凹部 ６０ レジストパターン ６３ 曲面状端面
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の一方の表面上に形成された導波路
であって、該導波路の一方の端面が、該導波路を伝搬し
て来た光を基板側へ反射するように斜めに形成されてい
る前記導波路と、 前記基板の他方の表面側に取り付けられ、前記端面で光
が反射することにより前記導波路と光学的に結合する光
素子とを有する薄膜光回路装置。 - 【請求項２】 前記基板が、その前記他方の表面側に、
前記他方の表面に対して垂直な平面からなる第１の側面
を含んで構成される凹部を有し、 さらに、前記基板の前記他方の表面上に密着する上面及
び該上面上に形成された凸状部を有する光素子固定部材
であって、該凸状部が、該上面に対して垂直な平面から
なり前記第１の側面上に密接する第２の側面を含み、該
上面もしくは該凸状部の表面上に前記光素子を固定する
前記光素子固定部材を有する請求項１に記載の薄膜光回
路装置。 - 【請求項３】 前記基板が、さらに、その前記他方の表
面上に、前記他方の表面に対して垂直であり、かつ前記
第１の側面に対して平行ではない第３の側面を含んで構
成される他の凹部を有し、 前記光素子固定部材が、さらに、その前記上面上に、該
上面に対して垂直であり、かつ前記第３の側面に密接す
る第４の側面を含んで構成される他の凸状部を有する請
求項２に記載の薄膜光回路装置。 - 【請求項４】 前記基板が｛１１０｝面の表出したシリ
コン基板であり、前記第１の側面が〔１１２〕方向と平
行な｛１１１｝面である請求項１または２に記載の薄膜
光回路装置。 - 【請求項５】 前記導波路の前記端面が、前記光素子側
に凹面を向けた曲面である請求項１〜４のいずれかに記
載の薄膜光回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32929095A JPH09166715A (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 薄膜光回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32929095A JPH09166715A (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 薄膜光回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09166715A true JPH09166715A (ja) | 1997-06-24 |
Family
ID=18219810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32929095A Withdrawn JPH09166715A (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 薄膜光回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09166715A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006284781A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 回路基板 |
| JP2015106142A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-06-08 | 住友ベークライト株式会社 | 光導波路、光電気混載基板および電子機器 |
-
1995
- 1995-12-18 JP JP32929095A patent/JPH09166715A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006284781A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 回路基板 |
| JP2015106142A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-06-08 | 住友ベークライト株式会社 | 光導波路、光電気混載基板および電子機器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100277695B1 (ko) | 에스 오 아이 광도파로를 이용한 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법 | |
| JP5089643B2 (ja) | 光接続要素の製造方法、光伝送基板、光接続部品、接続方法および光伝送システム | |
| KR100456672B1 (ko) | 광도파로 플랫폼 및 그 제조 방법 | |
| KR100427582B1 (ko) | 광도파로 플랫폼 및 그 제조 방법 | |
| JPH08264748A (ja) | 光導波路集積回路装置及びその製造方法 | |
| JP3903606B2 (ja) | 光信号伝送システムおよびその製造方法 | |
| JP4506216B2 (ja) | 光結合装置及びその製造方法 | |
| JPH09166715A (ja) | 薄膜光回路装置 | |
| JPH10170765A (ja) | 光導波路 | |
| JP2005292379A (ja) | 光結合装置及びその製造方法 | |
| KR100353607B1 (ko) | 브이홈기판상에광소자를서로정렬하기위한방법 | |
| JPH06160676A (ja) | 半導体レーザモジュールの製造方法 | |
| JP2001188150A (ja) | 光結合器 | |
| JP4793490B2 (ja) | 光結合装置及びその製造方法 | |
| JP3838718B2 (ja) | 光デバイス実装基板の作製方法および光モジュールの作製方法 | |
| JP3976875B2 (ja) | 半導体レーザ素子とその実装方法 | |
| WO1995025973A1 (fr) | Procede de production d'un dispositif guide d'ondes a reflexion | |
| JP5350859B2 (ja) | 光学部材および光学装置の製造方法と光学装置 | |
| JP2009139413A (ja) | 光学素子及びその製造方法 | |
| JPH10186169A (ja) | 光導波路モジュール | |
| JP4084709B2 (ja) | 面型光素子の製造方法、および、面型光素子実装体の製造方法 | |
| JP2001242349A (ja) | 光部品実装用基板およびそれを用いた光モジュール | |
| JPH0668568B2 (ja) | 光導波路と光フアイバの接続方法 | |
| JPH08264883A (ja) | 半導体レーザ・モジュールとその製造方法 | |
| JPS62211980A (ja) | 半導体レ−ザ−装置の製作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030304 |