JPH09162233A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH09162233A JPH09162233A JP7320505A JP32050595A JPH09162233A JP H09162233 A JPH09162233 A JP H09162233A JP 7320505 A JP7320505 A JP 7320505A JP 32050595 A JP32050595 A JP 32050595A JP H09162233 A JPH09162233 A JP H09162233A
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- semiconductor chip
- semiconductor device
- resin
- tape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子の高性能化と小型・軽量化を同時
に達成可能な放熱手段を有した半導体装置を提供するこ
とにある。 【解決手段】 半導体チップ１のバンプ電極１ａの形成
面と反対側の面には放熱板６が接着剤７により固定され
ている。半導体チップ１および放熱板６は封止樹脂４に
より、放熱板６の半導体チップ１と接着されている面と
反対側の面を除き、被覆されている。さらに、封止樹脂
４はデバイスホール２ａ内を埋めると共に、可撓性樹脂
テープ２の配線リード３の形成されていない面をその四
辺端部近傍まで放熱板６の前記露出面８を除き均一な厚
さで被覆している。このとき、放熱板６の側面を封止樹
脂４で覆い、樹脂面と放熱板６の表面は略同一の高さで
ある。
に達成可能な放熱手段を有した半導体装置を提供するこ
とにある。 【解決手段】 半導体チップ１のバンプ電極１ａの形成
面と反対側の面には放熱板６が接着剤７により固定され
ている。半導体チップ１および放熱板６は封止樹脂４に
より、放熱板６の半導体チップ１と接着されている面と
反対側の面を除き、被覆されている。さらに、封止樹脂
４はデバイスホール２ａ内を埋めると共に、可撓性樹脂
テープ２の配線リード３の形成されていない面をその四
辺端部近傍まで放熱板６の前記露出面８を除き均一な厚
さで被覆している。このとき、放熱板６の側面を封止樹
脂４で覆い、樹脂面と放熱板６の表面は略同一の高さで
ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特にテープキャリアを用いた表面実装用半導体装置の中
でテープＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージの放熱
構造に関する。
特にテープキャリアを用いた表面実装用半導体装置の中
でテープＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージの放熱
構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】テープキャリアとは、中央にデバイスホ
ールを開口した可撓性樹脂テープの一面に金属箔を接着
し、この金属箔にエッチング等を行って所定の導電パタ
ーンを形成しつつ前記デバイスホール内に導体リードを
突出させ、この導体リードに対し半導体チップの電極パ
ッドを接続した半導体装置であって、連続的に回路基板
への実装を可能とする技術である。また、半導体チップ
を樹脂等で封止したものをテープキャリアパッケージ
（ＴＣＰ）と呼ばれている。
ールを開口した可撓性樹脂テープの一面に金属箔を接着
し、この金属箔にエッチング等を行って所定の導電パタ
ーンを形成しつつ前記デバイスホール内に導体リードを
突出させ、この導体リードに対し半導体チップの電極パ
ッドを接続した半導体装置であって、連続的に回路基板
への実装を可能とする技術である。また、半導体チップ
を樹脂等で封止したものをテープキャリアパッケージ
（ＴＣＰ）と呼ばれている。
【０００３】また、ＴＣＰ技術を用い、半導体装置側に
回路基板と接続するための半田ボールを形成し、回路基
板への実装性を向上させた新パッケージとしてＢＧＡが
提案され、半導体装置側基材としてガラスエポキシ基板
を用いたプラスチックＢＧＡ、可撓性樹脂テープを用い
たテープＢＧＡが実用化されて来ている。
回路基板と接続するための半田ボールを形成し、回路基
板への実装性を向上させた新パッケージとしてＢＧＡが
提案され、半導体装置側基材としてガラスエポキシ基板
を用いたプラスチックＢＧＡ、可撓性樹脂テープを用い
たテープＢＧＡが実用化されて来ている。
【０００４】ＴＣＰ方式における放熱手段として、例え
ば実開平３−８８３５０号公報に開示されているよう
に、放熱手段がモールド樹脂内に埋め込まれ放熱手段の
表面が外部に露出していない形式のものがある。
ば実開平３−８８３５０号公報に開示されているよう
に、放熱手段がモールド樹脂内に埋め込まれ放熱手段の
表面が外部に露出していない形式のものがある。
【０００５】また、特開平４−２４５４６２号公報に開
示されているような、放熱手段が半導体装置に外付けさ
れ、放熱手段の表面、或は放熱フィンを含む放熱手段が
外部に露出した構造のものも大きなパワーを必要とする
バイポーラ型半導体装置およびパワートランジスタの放
熱手段として一般に使用されている。
示されているような、放熱手段が半導体装置に外付けさ
れ、放熱手段の表面、或は放熱フィンを含む放熱手段が
外部に露出した構造のものも大きなパワーを必要とする
バイポーラ型半導体装置およびパワートランジスタの放
熱手段として一般に使用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したＢＧＡ型もし
くはＴＣＰ（Tape Carrier Package）型の半導体装置
は、高密度実装パッケージとして小型軽量の電子機器に
多く採用されている。
くはＴＣＰ（Tape Carrier Package）型の半導体装置
は、高密度実装パッケージとして小型軽量の電子機器に
多く採用されている。
【０００７】しかしながら、電子機器の高機能、高速化
が進む中で半導体素子への要求仕様はますます厳しくな
り、特に熱特性が半導体素子の高性能化の上で周波数特
性と並び重要な要素となってきている。
が進む中で半導体素子への要求仕様はますます厳しくな
り、特に熱特性が半導体素子の高性能化の上で周波数特
性と並び重要な要素となってきている。
【０００８】このような技術動向の中で前述の放熱手段
においては、 １）放熱手段がモールド樹脂内に埋め込まれているた
め、放熱特性が樹脂の熱伝達特性に大きく影響を受け
て、十分な放熱効果が得にくい。 ２）放熱手段の外形寸法が大きく、電子機器の小型軽量
化ニーズに合わない。 等の問題点が顕在化していた。
においては、 １）放熱手段がモールド樹脂内に埋め込まれているた
め、放熱特性が樹脂の熱伝達特性に大きく影響を受け
て、十分な放熱効果が得にくい。 ２）放熱手段の外形寸法が大きく、電子機器の小型軽量
化ニーズに合わない。 等の問題点が顕在化していた。
【０００９】そこで本発明は、上記従来技術の問題点に
鑑み、半導体素子の高性能化と小型・軽量化を同時に達
成可能な放熱手段を有した高密度実装パッケージである
半導体装置を提供することを目的とする。
鑑み、半導体素子の高性能化と小型・軽量化を同時に達
成可能な放熱手段を有した高密度実装パッケージである
半導体装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の半導体装置は、中央にデバイスホールが開孔
された可撓性樹脂テープと、該可撓性樹脂テープの第１
主面に設けられ、一端が前記デバイスホール内に突出し
てインナーリードになされ他端にランドが形成された配
線リードとを有するテープキャリアと、前記インナーリ
ードに接続された電極端子を有する半導体チップとを有
し、少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を樹
脂封止するとともに、前記可撓性樹脂テープの第２主面
に第１主面のランドに対向する範囲を除きガードリング
を形成し、さらに前記ランド上に導電性バンプを備えた
ことを特徴とする。
に本発明の半導体装置は、中央にデバイスホールが開孔
された可撓性樹脂テープと、該可撓性樹脂テープの第１
主面に設けられ、一端が前記デバイスホール内に突出し
てインナーリードになされ他端にランドが形成された配
線リードとを有するテープキャリアと、前記インナーリ
ードに接続された電極端子を有する半導体チップとを有
し、少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を樹
脂封止するとともに、前記可撓性樹脂テープの第２主面
に第１主面のランドに対向する範囲を除きガードリング
を形成し、さらに前記ランド上に導電性バンプを備えた
ことを特徴とする。
【００１１】そして、前記半導体チップの電極端子形成
面と反対の面を樹脂封止すると共に、この樹脂封止した
部分と前記ガードリングを、前記可撓性樹脂テープの第
１主面のランドに対向する部位を除き、リブを介して接
続したものが装置の平面性を向上させる上で好ましい。
面と反対の面を樹脂封止すると共に、この樹脂封止した
部分と前記ガードリングを、前記可撓性樹脂テープの第
１主面のランドに対向する部位を除き、リブを介して接
続したものが装置の平面性を向上させる上で好ましい。
【００１２】また、前記半導体チップに放熱手段を設置
し、該放熱手段の端面を封止樹脂より露出させたものも
本発明の特徴である。
し、該放熱手段の端面を封止樹脂より露出させたものも
本発明の特徴である。
【００１３】すなわち、前記半導体チップの電極端子形
成面と反対の面に接着層を介して放熱手段が接合され、
かつ、該放熱手段の半導体チップと接合された面と反対
の面と同一面になるように前記可撓性樹脂テープの第２
主面側が樹脂封止され、前記放熱手段表面が封止樹脂面
から露出しているものや、前記半導体チップの電極端子
形成面に接着層を介して放熱手段が接合され、かつ、該
放熱手段の半導体チップと接合された面と反対の面が前
記可撓性樹脂テープの配線リード形成面より突出し、突
出し量が前記配線リード形成面より大きく前記導電性バ
ンプ先端より少ない露出高さであるものが考えられる。 （作用）上記のとおりの発明では、テープキャリアに半
導体チップを実装したいわゆるＴＣＰ構造において、少
なくとも半導体チップの電極端子形成面を樹脂封止する
とともに、可撓性樹脂テープの第２主面（配線リード及
びランドの形成面と反対の面）の外側端部にガードリン
グを配置することにより、可撓性樹脂テープの平面性が
向上し、ランド上に形成したバンプのコプラナリティが
均一化することに伴い、回路基板への実装歩留りが向上
する。
成面と反対の面に接着層を介して放熱手段が接合され、
かつ、該放熱手段の半導体チップと接合された面と反対
の面と同一面になるように前記可撓性樹脂テープの第２
主面側が樹脂封止され、前記放熱手段表面が封止樹脂面
から露出しているものや、前記半導体チップの電極端子
形成面に接着層を介して放熱手段が接合され、かつ、該
放熱手段の半導体チップと接合された面と反対の面が前
記可撓性樹脂テープの配線リード形成面より突出し、突
出し量が前記配線リード形成面より大きく前記導電性バ
ンプ先端より少ない露出高さであるものが考えられる。 （作用）上記のとおりの発明では、テープキャリアに半
導体チップを実装したいわゆるＴＣＰ構造において、少
なくとも半導体チップの電極端子形成面を樹脂封止する
とともに、可撓性樹脂テープの第２主面（配線リード及
びランドの形成面と反対の面）の外側端部にガードリン
グを配置することにより、可撓性樹脂テープの平面性が
向上し、ランド上に形成したバンプのコプラナリティが
均一化することに伴い、回路基板への実装歩留りが向上
する。
【００１４】そして、第２主面に形成するガードリング
は第１主面のランドに対向する範囲を除いて配置される
ことで、ランドとバンプおよびバンプと回路基板との接
続状態を可撓性樹脂テープの第２主面側からの透過光を
使い、目視により接続外観検査が可能となる。
は第１主面のランドに対向する範囲を除いて配置される
ことで、ランドとバンプおよびバンプと回路基板との接
続状態を可撓性樹脂テープの第２主面側からの透過光を
使い、目視により接続外観検査が可能となる。
【００１５】加えて、半導体チップに放熱板を直接接合
し、放熱板の端面を封止樹脂より露出させた構造を採る
ことにより、半導体チップより発生した熱を極めて効率
良く装置外へ放熱させることが可能となる。
し、放熱板の端面を封止樹脂より露出させた構造を採る
ことにより、半導体チップより発生した熱を極めて効率
良く装置外へ放熱させることが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１７】（第１の実施形態）図１は本発明に係る半
導体装置の第１の実施形態を説明するための図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示した半導体装置の
断面図である。
導体装置の第１の実施形態を説明するための図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示した半導体装置の
断面図である。
【００１８】本形態の半導体装置は、図１に示すよう
に、中央部にデバイスホール２ａが開孔された、ポリイ
ミドフィルム等からなる可撓性樹脂テープ２の表面に銅
箔を接着し、デバイスホール２ａ内に突出するようにパ
ターニングされた配線リード３を持つテープキャリアが
パッケージ基板として用いられている。
に、中央部にデバイスホール２ａが開孔された、ポリイ
ミドフィルム等からなる可撓性樹脂テープ２の表面に銅
箔を接着し、デバイスホール２ａ内に突出するようにパ
ターニングされた配線リード３を持つテープキャリアが
パッケージ基板として用いられている。
【００１９】配線リード３のデバイスホール２の内への
突出部はインナーリード３ａとなされており、また配線
リード３はインナーリード３ａの反対側の端部またはそ
の途中において他の部分より幅広にされたランド３ｂを
有している。さらに、ランド３ｂ上には導電性バンプ５
が形成されている。
突出部はインナーリード３ａとなされており、また配線
リード３はインナーリード３ａの反対側の端部またはそ
の途中において他の部分より幅広にされたランド３ｂを
有している。さらに、ランド３ｂ上には導電性バンプ５
が形成されている。
【００２０】インナーリード３ａには半導体チップ１の
バンプ電極１ａがボンディングされている。半導体チッ
プ１のバンプ電極１ａの形成面と反対側の面には放熱板
６が接着剤７により固定されている。
バンプ電極１ａがボンディングされている。半導体チッ
プ１のバンプ電極１ａの形成面と反対側の面には放熱板
６が接着剤７により固定されている。
【００２１】半導体チップ１および放熱板６はモールド
樹脂である封止樹脂４により、放熱板６の半導体チップ
１と接着されている面と反対側の面を除き、被覆されて
いる。さらに、封止樹脂４はデバイスホール２ａ内を埋
めると共に、可撓性樹脂テープ２の配線リード３の形成
されていない面をその四辺端部近傍まで放熱板６の前記
露出面８を除き均一な厚さで被覆している。このとき、
図１に示すように放熱板６の側面を封止樹脂４で覆い、
樹脂面と放熱板６の表面は略同一の高さとすることで、
放熱板６と樹脂の間に不用意に力が入らず、亀裂が生じ
て外れる等の不良が生じにくい。
樹脂である封止樹脂４により、放熱板６の半導体チップ
１と接着されている面と反対側の面を除き、被覆されて
いる。さらに、封止樹脂４はデバイスホール２ａ内を埋
めると共に、可撓性樹脂テープ２の配線リード３の形成
されていない面をその四辺端部近傍まで放熱板６の前記
露出面８を除き均一な厚さで被覆している。このとき、
図１に示すように放熱板６の側面を封止樹脂４で覆い、
樹脂面と放熱板６の表面は略同一の高さとすることで、
放熱板６と樹脂の間に不用意に力が入らず、亀裂が生じ
て外れる等の不良が生じにくい。
【００２２】本形態の半導体装置では、上述した封止樹
脂の強度により剛性が与えられており、補強材等の別部
品を配置することなく、単純な構造でテープキャリアの
変形防止が可能となる。
脂の強度により剛性が与えられており、補強材等の別部
品を配置することなく、単純な構造でテープキャリアの
変形防止が可能となる。
【００２３】また、放熱板６が半導体チップ１と接着さ
れると共に、半導体チップ１と接着されていない反対側
の面が封止樹脂より露出した露出面８となっているた
め、半導体チップ１の動作により発生した熱を極めて効
率的に放熱することが可能である。
れると共に、半導体チップ１と接着されていない反対側
の面が封止樹脂より露出した露出面８となっているた
め、半導体チップ１の動作により発生した熱を極めて効
率的に放熱することが可能である。
【００２４】（第２の実施形態）図２は本発明に係る半
導体装置の第２の実施形態を説明するための図である。
図２では図１に示した第１の実施形態と同一の構成要素
に同一符号が付してあり、ここでは第１の実施形態と重
複する説明は省略することとする。
導体装置の第２の実施形態を説明するための図である。
図２では図１に示した第１の実施形態と同一の構成要素
に同一符号が付してあり、ここでは第１の実施形態と重
複する説明は省略することとする。
【００２５】本形態の半導体装置は、図２に示すよう
に、第１の実施形態と同様のテープキャリアがパッケー
ジ基板として用いられている。そして、第１の実施形態
と同様に配線リード３のインナーリードとバンプ電極１
ａを介して接続された半導体チップ１がデバイスホール
に配置されている。
に、第１の実施形態と同様のテープキャリアがパッケー
ジ基板として用いられている。そして、第１の実施形態
と同様に配線リード３のインナーリードとバンプ電極１
ａを介して接続された半導体チップ１がデバイスホール
に配置されている。
【００２６】半導体チップ１のパンプ電極１ａが形成さ
れている面には、その電極を除いて接着層９が形成さ
れ、この接着層９により放熱板１０が装着されている。
れている面には、その電極を除いて接着層９が形成さ
れ、この接着層９により放熱板１０が装着されている。
【００２７】半導体チップ１および放熱板１０はモール
ド樹脂である封止樹脂４により、放熱板１０の半導体チ
ップ１と接着されている面と反対側の面を除き、被覆さ
れている。そして、放熱板１０の接着層９と接着した面
と反対側の面は封止樹脂４の表面から突出させ、その突
出寸法は配線リード３の面より大きく、かつ導電性バン
プ５の先端より低い露出高さを有している。さらに、封
止樹脂４は放熱板１０を囲むようにデバイスホール内を
埋めると共に、可撓性樹脂テープ２の配線リード３の形
成されていない面をその四辺端部近傍まで均一な厚さで
被覆している。
ド樹脂である封止樹脂４により、放熱板１０の半導体チ
ップ１と接着されている面と反対側の面を除き、被覆さ
れている。そして、放熱板１０の接着層９と接着した面
と反対側の面は封止樹脂４の表面から突出させ、その突
出寸法は配線リード３の面より大きく、かつ導電性バン
プ５の先端より低い露出高さを有している。さらに、封
止樹脂４は放熱板１０を囲むようにデバイスホール内を
埋めると共に、可撓性樹脂テープ２の配線リード３の形
成されていない面をその四辺端部近傍まで均一な厚さで
被覆している。
【００２８】ここで接着層９の材質は絶縁性を有してい
るとともに極めて不純的濃度が低いことは言うまでもな
く、半導体素子の高性能化を達成する上で重要な要素の
一つであり、半導体チップの動作によりデンドライトの
発生がない材質を選択することが重要である。
るとともに極めて不純的濃度が低いことは言うまでもな
く、半導体素子の高性能化を達成する上で重要な要素の
一つであり、半導体チップの動作によりデンドライトの
発生がない材質を選択することが重要である。
【００２９】また、本形態の半導体装置を回路基板に実
装した場合は、バンプ５の変形により放熱板１０が回路
基板と接触し、その部分を通じてさらに効率良く半導体
チップを放熱させることが可能である。
装した場合は、バンプ５の変形により放熱板１０が回路
基板と接触し、その部分を通じてさらに効率良く半導体
チップを放熱させることが可能である。
【００３０】（第３の実施形態）図３は本発明に係る半
導体装置の第３の実施形態を説明するための図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示した半導体装置の
断面図である。この図でも図１に示した第１の実施形態
と同一の構成要素に同一符号が付してあり、ここでは第
１の実施形態と重複する説明は省略することとする。
導体装置の第３の実施形態を説明するための図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示した半導体装置の
断面図である。この図でも図１に示した第１の実施形態
と同一の構成要素に同一符号が付してあり、ここでは第
１の実施形態と重複する説明は省略することとする。
【００３１】本形態の半導体装置は、図３に示すよう
に、デバイスホール２ａおよび半導体チップ１の外周を
封止樹脂４により覆うと共に可撓性樹脂テープ２の変形
を防止するためガードリング１１を設置したものであ
る。ガードリング１１は可撓性樹脂テープ２の配線リー
ド３やランド３ｂを形成した第１主面と反対側の第２主
面の領域を除く範囲に設置されている。すなわち、可撓
性樹脂テープ２の第２主面の外周端部にガードリング１
１が設置されている。
に、デバイスホール２ａおよび半導体チップ１の外周を
封止樹脂４により覆うと共に可撓性樹脂テープ２の変形
を防止するためガードリング１１を設置したものであ
る。ガードリング１１は可撓性樹脂テープ２の配線リー
ド３やランド３ｂを形成した第１主面と反対側の第２主
面の領域を除く範囲に設置されている。すなわち、可撓
性樹脂テープ２の第２主面の外周端部にガードリング１
１が設置されている。
【００３２】この様に、ガードリング１１を設置して可
撓性樹脂テープ２を補強すると共に、ランド３ｂをガー
ドリング１１により遮光しないため、ランド３ｂとバン
プ５およびバンプ５と回路基板（図示せず）との接続状
態を可撓性樹脂テープ２の第２主面側からの透過光（例
えばポリイミドテープを適用する場合など光の透過性を
利用する）を使い、目視により接続外観検査が可能とな
る。
撓性樹脂テープ２を補強すると共に、ランド３ｂをガー
ドリング１１により遮光しないため、ランド３ｂとバン
プ５およびバンプ５と回路基板（図示せず）との接続状
態を可撓性樹脂テープ２の第２主面側からの透過光（例
えばポリイミドテープを適用する場合など光の透過性を
利用する）を使い、目視により接続外観検査が可能とな
る。
【００３３】（第４の実施形態）図４は本発明に係る半
導体装置の第４の実施形態を示す平面図である。この図
でも図１に示した第１の実施形態と同一の構成要素に同
一符号が付してあり、ここでは第１の実施形態と重複す
る説明は省略することとする。
導体装置の第４の実施形態を示す平面図である。この図
でも図１に示した第１の実施形態と同一の構成要素に同
一符号が付してあり、ここでは第１の実施形態と重複す
る説明は省略することとする。
【００３４】本形態の半導体装置は、図４に示すよう
に、第３の実施形態のガードリング１１の構造に加え、
可撓性樹脂テープ２の第２主面側にてガードリング１２
と封止樹脂４の部分をリブ１２を介し接続することによ
り更に可撓性樹脂テープ２の変形が防止され回路基板へ
の実装性が向上する。また、リブ１２は第３の実施形態
と同様に目視による接続外観検査を可能にするため、可
撓性樹脂テープ２の第１主面のランドに対向する部位を
除いて配設されている。
に、第３の実施形態のガードリング１１の構造に加え、
可撓性樹脂テープ２の第２主面側にてガードリング１２
と封止樹脂４の部分をリブ１２を介し接続することによ
り更に可撓性樹脂テープ２の変形が防止され回路基板へ
の実装性が向上する。また、リブ１２は第３の実施形態
と同様に目視による接続外観検査を可能にするため、可
撓性樹脂テープ２の第１主面のランドに対向する部位を
除いて配設されている。
【００３５】また、上述の第３および第４の実施形態に
おいて、第１および第２の実施形態に示すように放熱板
を半導体チップと接着した面と反対側の面をパッケージ
表面に露出するように設置し、電気的および熱的特性を
向上させることも十分可能である。
おいて、第１および第２の実施形態に示すように放熱板
を半導体チップと接着した面と反対側の面をパッケージ
表面に露出するように設置し、電気的および熱的特性を
向上させることも十分可能である。
【００３６】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成される
ので、以下に記載する効果を奏する。
ので、以下に記載する効果を奏する。
【００３７】請求項１に記載の発明は、中央にデバイス
ホールを持つ可撓性樹脂テープの第１主面に、一端が前
記デバイスホール内に突出するインナーリードとされ他
端がランドを持つように配線リードを形成したテープキ
ャリアと、前記インナーリードに接続された電極端子を
有する半導体チップとを含み、少なくとも前記半導体チ
ップの電極端子形成面を樹脂封止するとともに、前記可
撓性樹脂テープの第２主面に第１主面のランドに対向す
る範囲を除きガードリングを形成し、さらに前記ランド
上に導電性バンプを備えた半導体装置であるので、前記
樹脂テープ面の平面性が向上し、バンプのコプラナリテ
ィが均一化することに伴い、プリント回路基板への実装
歩留りが向上する等の効果が得られる。また、ガードリ
ングは第１主面のランドに対向する範囲を除いて形成さ
れているので、ランドとバンプおよびバンプと回路基板
との接続状態を可撓性樹脂テープの第２主面側からの透
過光を使い、目視により接続外観検査が可能となる。
ホールを持つ可撓性樹脂テープの第１主面に、一端が前
記デバイスホール内に突出するインナーリードとされ他
端がランドを持つように配線リードを形成したテープキ
ャリアと、前記インナーリードに接続された電極端子を
有する半導体チップとを含み、少なくとも前記半導体チ
ップの電極端子形成面を樹脂封止するとともに、前記可
撓性樹脂テープの第２主面に第１主面のランドに対向す
る範囲を除きガードリングを形成し、さらに前記ランド
上に導電性バンプを備えた半導体装置であるので、前記
樹脂テープ面の平面性が向上し、バンプのコプラナリテ
ィが均一化することに伴い、プリント回路基板への実装
歩留りが向上する等の効果が得られる。また、ガードリ
ングは第１主面のランドに対向する範囲を除いて形成さ
れているので、ランドとバンプおよびバンプと回路基板
との接続状態を可撓性樹脂テープの第２主面側からの透
過光を使い、目視により接続外観検査が可能となる。
【００３８】請求項２に記載の発明は、前記半導体チッ
プの電極端子形成面と反対の面を樹脂封止すると共に、
この樹脂封止した部分と前記ガードリングを、前記可撓
性樹脂テープの第１主面のランドに対向する部位を除
き、リブを介して接続したことにより、可撓性樹脂テー
プの変形がさらに防止され回路基板への実装性が向上す
る。
プの電極端子形成面と反対の面を樹脂封止すると共に、
この樹脂封止した部分と前記ガードリングを、前記可撓
性樹脂テープの第１主面のランドに対向する部位を除
き、リブを介して接続したことにより、可撓性樹脂テー
プの変形がさらに防止され回路基板への実装性が向上す
る。
【００３９】請求項３に記載の発明は、請求項１又は２
に記載の発明に加え、前記半導体チップに放熱手段を設
置し、該放熱手段の端面を封止樹脂より露出させたこと
により、半導体チップで発生した熱を極めて効率的に半
導体パッケージ外へ放熱させることができ、高速動作の
安定が可能となる。また、放熱板の一部は半導体装置内
に封止樹脂より内包された構造となるため、放熱効果を
高めながら半導体装置の小型化が同時に達成されるとい
う利点も有している。
に記載の発明に加え、前記半導体チップに放熱手段を設
置し、該放熱手段の端面を封止樹脂より露出させたこと
により、半導体チップで発生した熱を極めて効率的に半
導体パッケージ外へ放熱させることができ、高速動作の
安定が可能となる。また、放熱板の一部は半導体装置内
に封止樹脂より内包された構造となるため、放熱効果を
高めながら半導体装置の小型化が同時に達成されるとい
う利点も有している。
【００４０】請求項４に記載の発明は、請求項１又は２
に記載の発明に加え、前記半導体チップの電極端子形成
面と反対の面に接着層を介して放熱手段が接合され、か
つ、該放熱手段の半導体チップと接合された面と反対の
面と同一面になるように前記可撓性樹脂テープの第２主
面側が樹脂封止され、前記放熱手段表面が封止樹脂面か
ら露出していることにより、放熱板と樹脂の間に不用意
に力が入らず、亀裂が生じて外れる等の不良が生じにく
い。また、封止樹脂の強度により剛性が与えられてお
り、補強材等の別部品を配置することなく、単純な構造
でテープキャリアの変形防止が可能となる。
に記載の発明に加え、前記半導体チップの電極端子形成
面と反対の面に接着層を介して放熱手段が接合され、か
つ、該放熱手段の半導体チップと接合された面と反対の
面と同一面になるように前記可撓性樹脂テープの第２主
面側が樹脂封止され、前記放熱手段表面が封止樹脂面か
ら露出していることにより、放熱板と樹脂の間に不用意
に力が入らず、亀裂が生じて外れる等の不良が生じにく
い。また、封止樹脂の強度により剛性が与えられてお
り、補強材等の別部品を配置することなく、単純な構造
でテープキャリアの変形防止が可能となる。
【００４１】請求項５に記載の発明は、請求項１又は２
に記載の発明に加え、前記半導体チップの電極端子形成
面に接着層を介して放熱手段が接合され、かつ、該放熱
手段の半導体チップと接合された面と反対の面が前記可
撓性樹脂テープの配線リード形成面より突出し、突出し
量が前記配線リード形成面より大きく前記導電性バンプ
先端より少ない露出高さであるので、半導体装置を基板
実装した場合、バンプの変形に伴い放熱板が実装基板に
接触し、その部分を通しさらに効率よく実装基板への放
熱が可能となる。
に記載の発明に加え、前記半導体チップの電極端子形成
面に接着層を介して放熱手段が接合され、かつ、該放熱
手段の半導体チップと接合された面と反対の面が前記可
撓性樹脂テープの配線リード形成面より突出し、突出し
量が前記配線リード形成面より大きく前記導電性バンプ
先端より少ない露出高さであるので、半導体装置を基板
実装した場合、バンプの変形に伴い放熱板が実装基板に
接触し、その部分を通しさらに効率よく実装基板への放
熱が可能となる。
【図１】本発明に係る半導体装置の第１の実施形態を説
明するための図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）に示した半導体装置の断面図である。
明するための図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）に示した半導体装置の断面図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の第２の実施形態を説
明するための図である。
明するための図である。
【図３】本発明に係る半導体装置の第３の実施形態を説
明するための図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）に示した半導体装置の断面図である。
明するための図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）に示した半導体装置の断面図である。
【図４】本発明に係る半導体装置の第４の実施形態を示
す平面図である。
す平面図である。
１ 半導体チップ １ａ バンプ電極 ２ 可撓性樹脂テープ ２ａ デバイスホール ３ 配線リード ３ａ インナーリード ３ｂ ランド ４ 封止樹脂 ５ バンプ ６ 放熱板 ７，９ 接着層 ８ 露出面 １０ 放熱板 １１ ガードリング １２ リブ
Claims (5)
- 【請求項１】 中央にデバイスホールが開孔された可撓
性樹脂テープと、該可撓性樹脂テープの第１主面に設け
られ、一端が前記デバイスホール内に突出してインナー
リードになされ他端にランドが形成された配線リードと
を有するテープキャリアと、 前記インナーリードに接続された電極端子を有する半導
体チップとを有し、 少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を樹脂封
止するとともに、前記可撓性樹脂テープの第２主面に第
１主面のランドに対向する範囲を除きガードリングを形
成し、さらに前記ランド上に導電性バンプを備えた半導
体装置。 - 【請求項２】 前記半導体チップの電極端子形成面と反
対の面を樹脂封止すると共に、この樹脂封止した部分と
前記ガードリングを、前記可撓性樹脂テープの第１主面
のランドに対向する部位を除き、リブを介して接続した
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記半導体チップに放熱手段を設置し、
該放熱手段の端面を封止樹脂より露出させたことを特徴
とする請求項１又は２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記半導体チップの電極端子形成面と反
対の面に接着層を介して放熱手段が接合され、かつ、該
放熱手段の半導体チップと接合された面と反対の面と同
一面になるように前記可撓性樹脂テープの第２主面側が
樹脂封止され、前記放熱手段表面が封止樹脂面から露出
していることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導
体装置。 - 【請求項５】 前記半導体チップの電極端子形成面に接
着層を介して放熱手段が接合され、かつ、該放熱手段の
半導体チップと接合された面と反対の面が前記可撓性樹
脂テープの配線リード形成面より突出し、突出し量が前
記配線リード形成面より大きく前記導電性バンプ先端よ
り少ない露出高さであることを特徴とする請求項１又は
２に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7320505A JP2685039B2 (ja) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7320505A JP2685039B2 (ja) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162233A true JPH09162233A (ja) | 1997-06-20 |
| JP2685039B2 JP2685039B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=18122207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7320505A Expired - Lifetime JP2685039B2 (ja) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2685039B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999056313A1 (fr) * | 1998-04-24 | 1999-11-04 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur et son procede de production |
| US6645794B2 (en) | 2000-10-18 | 2003-11-11 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device by monolithically forming a sealing resin for sealing a chip and a reinforcing frame by transfer molding |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011023463A (ja) | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Denso Corp | 半導体モジュール |
-
1995
- 1995-12-08 JP JP7320505A patent/JP2685039B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999056313A1 (fr) * | 1998-04-24 | 1999-11-04 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur et son procede de production |
| US6645794B2 (en) | 2000-10-18 | 2003-11-11 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device by monolithically forming a sealing resin for sealing a chip and a reinforcing frame by transfer molding |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2685039B2 (ja) | 1997-12-03 |
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