JPH0915207A - ガスの高感度分析装置 - Google Patents
ガスの高感度分析装置Info
- Publication number
- JPH0915207A JPH0915207A JP7163999A JP16399995A JPH0915207A JP H0915207 A JPH0915207 A JP H0915207A JP 7163999 A JP7163999 A JP 7163999A JP 16399995 A JP16399995 A JP 16399995A JP H0915207 A JPH0915207 A JP H0915207A
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- JP
- Japan
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- gas
- atmospheric pressure
- mass spectrometer
- sensitivity
- line
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- Pending
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- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造に使用される特殊材料ガス中に存
在する微量成分をｐｐｂ単位で分析するための装置を提
供すること。 【構成】 被計測ガスであるサンプルガスから不純物を
分離する機構を備えた高清浄度化を図ったガスクロマト
装置と、ガスクロマト装置と大気圧イオン化質量分析計
を接続する圧力変動を緩和する機構を備えた流路と、大
気圧イオン化質量分析装置へ導入されるガス流量を少量
化する機構を備えた大気圧質量分析装置で構成された微
量成分濃度が１０ｐｐｔ以上の高感度で計測可能である
ことを特徴とする高感度ガス分析装置。
在する微量成分をｐｐｂ単位で分析するための装置を提
供すること。 【構成】 被計測ガスであるサンプルガスから不純物を
分離する機構を備えた高清浄度化を図ったガスクロマト
装置と、ガスクロマト装置と大気圧イオン化質量分析計
を接続する圧力変動を緩和する機構を備えた流路と、大
気圧イオン化質量分析装置へ導入されるガス流量を少量
化する機構を備えた大気圧質量分析装置で構成された微
量成分濃度が１０ｐｐｔ以上の高感度で計測可能である
ことを特徴とする高感度ガス分析装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体特殊材料ガスを
含む各種ガス微量不純物分析装置に関する。半導体デパ
イスの高集積化に伴い成膜、不純物導入、エッチングな
どに用いられる半導体材料ガスの高純度化が不可欠とな
る。これら半導体材料ガスの高純度化に於いては、品質
の現状把握、品質の改良、改良後の品質管理において高
感度分析計が必要となる。今後要求される半導体材料ガ
ス中の不純物濃度は、ｐｐｂ、サブｐｐｂレベルへ推移
していくためサブｐｐｂでの分析技術が必要となる。
含む各種ガス微量不純物分析装置に関する。半導体デパ
イスの高集積化に伴い成膜、不純物導入、エッチングな
どに用いられる半導体材料ガスの高純度化が不可欠とな
る。これら半導体材料ガスの高純度化に於いては、品質
の現状把握、品質の改良、改良後の品質管理において高
感度分析計が必要となる。今後要求される半導体材料ガ
ス中の不純物濃度は、ｐｐｂ、サブｐｐｂレベルへ推移
していくためサブｐｐｂでの分析技術が必要となる。
【０００２】
【従来技術】Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ2 、Ｈ2 ガス中の微量ガス
成分分析計として大気圧イオン化質量分析計が知られて
いる。しかし、半導体産業に使用されるＳ1 Ｈ4 、ＰＨ
3 、ＡｓＨ3 等の特殊材料ガス中に含まれる微量成分を
大気圧イオン化質量分析計で測定しようとすると、これ
らの特殊材料ガスは、イオン化ポテンシャルは低いので
不可能である。すなわち分析を目的とする特殊材料ガス
中の微量成分、例えばＯ2 、Ｈ2 Ｏ、ＣＯ2 、ＣＨ4 等
のイオン化ポテンシャルと特殊材料ガスのイオン化ポテ
ンシャルとがほぼ等しいため、大気圧イオン化質量分析
計では、微量成分は精度良く分析できなかった。
成分分析計として大気圧イオン化質量分析計が知られて
いる。しかし、半導体産業に使用されるＳ1 Ｈ4 、ＰＨ
3 、ＡｓＨ3 等の特殊材料ガス中に含まれる微量成分を
大気圧イオン化質量分析計で測定しようとすると、これ
らの特殊材料ガスは、イオン化ポテンシャルは低いので
不可能である。すなわち分析を目的とする特殊材料ガス
中の微量成分、例えばＯ2 、Ｈ2 Ｏ、ＣＯ2 、ＣＨ4 等
のイオン化ポテンシャルと特殊材料ガスのイオン化ポテ
ンシャルとがほぼ等しいため、大気圧イオン化質量分析
計では、微量成分は精度良く分析できなかった。
【０００３】さらにＨｅ、Ａｒ、Ｎ2 、Ｈ2 の計測にお
いても微量成分間で電荷交換反応やクラスター化が発生
し、混入している微量成分やその濃度により正確な分析
値を得ることが困難になる場合がある。また半導体特殊
材料ガスの微量成分分析装置としてＨＩＤやＧＣ−ＭＳ
が知られているが、微量成分の検出下限界値は約数１０
ｐｐｂ程度であり、更なる高感度化が求められる。
いても微量成分間で電荷交換反応やクラスター化が発生
し、混入している微量成分やその濃度により正確な分析
値を得ることが困難になる場合がある。また半導体特殊
材料ガスの微量成分分析装置としてＨＩＤやＧＣ−ＭＳ
が知られているが、微量成分の検出下限界値は約数１０
ｐｐｂ程度であり、更なる高感度化が求められる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、幅広い研究
の結果、ガスクロマトグラフ装置と大気圧イオン化質量
分析計を組合せると、半導体特殊材料ガスを含む各種の
ガス中に存在する微量成分の定量分析が可能となった。
の結果、ガスクロマトグラフ装置と大気圧イオン化質量
分析計を組合せると、半導体特殊材料ガスを含む各種の
ガス中に存在する微量成分の定量分析が可能となった。
【０００５】本発明は、微量ガス成分分析計の代表であ
る大気圧イオン化質量分析計とガスクロマト装置を合体
させ、大気圧イオン化質量分析計では計測不可能であっ
た半導体材料ガス中の微量成分を計測可能にせしめ、且
つ従来のガスクロマトグラフ検出器より高感度な分析を
可能にせしめたものである。また大気圧イオン化質量分
析計で高感度に計測するため、ガスクロマト装置の高清
浄度化、圧力変動緩和機構、大気圧質量分析装置へのキ
ャリア流量を低減せしめるための機構を備えたことを特
徴とする。
る大気圧イオン化質量分析計とガスクロマト装置を合体
させ、大気圧イオン化質量分析計では計測不可能であっ
た半導体材料ガス中の微量成分を計測可能にせしめ、且
つ従来のガスクロマトグラフ検出器より高感度な分析を
可能にせしめたものである。また大気圧イオン化質量分
析計で高感度に計測するため、ガスクロマト装置の高清
浄度化、圧力変動緩和機構、大気圧質量分析装置へのキ
ャリア流量を低減せしめるための機構を備えたことを特
徴とする。
【０００６】本発明の態様 （１）被計測ガスであるサンプルガスから不純物を分離
する機構を備えた高清浄度化を図ったガスクロマト装置
と、ガスクロマト装置と大気圧イオン化質量分析計を接
続する圧力変動を緩和する機構を備えた流路と、大気圧
イオン化質量分析装置へ導入されるガス流量を少量化す
る機構を備えた大気圧質量分析装置で構成された微量成
分濃度が１０ｐｐｔ以上の高感度で計測可能であること
を特徴とする高感度ガス分析装置。
する機構を備えた高清浄度化を図ったガスクロマト装置
と、ガスクロマト装置と大気圧イオン化質量分析計を接
続する圧力変動を緩和する機構を備えた流路と、大気圧
イオン化質量分析装置へ導入されるガス流量を少量化す
る機構を備えた大気圧質量分析装置で構成された微量成
分濃度が１０ｐｐｔ以上の高感度で計測可能であること
を特徴とする高感度ガス分析装置。
【０００７】（２）（高清浄化／２成分） ガスクロマト装置は接ガス部の放出ガス低減、滞留部の
低減、低放出ガス部品の採用し高清浄度化を図り、キャ
リアガスにイオン化エネルギーの高い超高純度不活性ガ
スを用いることで、単位時間当たりに大気圧イオン化質
量分析装置に導入されるガス成分をキャリアガスとカラ
ム分離された単一微量不純物の２成分にすることで微量
成分のイオン化効率を向上させ高感度分析を可能とさせ
たことを特徴とする上記１記載の高感度分析装置。
低減、低放出ガス部品の採用し高清浄度化を図り、キャ
リアガスにイオン化エネルギーの高い超高純度不活性ガ
スを用いることで、単位時間当たりに大気圧イオン化質
量分析装置に導入されるガス成分をキャリアガスとカラ
ム分離された単一微量不純物の２成分にすることで微量
成分のイオン化効率を向上させ高感度分析を可能とさせ
たことを特徴とする上記１記載の高感度分析装置。
【０００８】（３）（圧力変動が無く再現性の良い分析
が可） 大気圧イオン化質量分析計へ供給されるサンプルガスを
含むキャリアガス圧力の変動を緩和する機構を備えたこ
とで、安定且つ再現性のある計測を可能にしたことを特
徴とする上記１記載の高感度分析装置。
が可） 大気圧イオン化質量分析計へ供給されるサンプルガスを
含むキャリアガス圧力の変動を緩和する機構を備えたこ
とで、安定且つ再現性のある計測を可能にしたことを特
徴とする上記１記載の高感度分析装置。
【０００９】（４）（圧力変動が無いことによるサンプ
リング量増加効果） 請求項３記載のガスクロマト装置へのサンプルガス導入
により発生する圧力変動を緩和する機構を備えることに
より、被計測ガスであるサンプルガスをより多くサンプ
リングが可能となり、絶対微量成分量が稼げることで高
感度分析を可能とさせることを特徴とする上記１記載の
高感度分析装置。
リング量増加効果） 請求項３記載のガスクロマト装置へのサンプルガス導入
により発生する圧力変動を緩和する機構を備えることに
より、被計測ガスであるサンプルガスをより多くサンプ
リングが可能となり、絶対微量成分量が稼げることで高
感度分析を可能とさせることを特徴とする上記１記載の
高感度分析装置。
【００１０】（５）（希釈率低下のための施策） 大気圧イオン化質量分析計に導入するキャリアガス流量
を、大気圧放電可能な状態で且つ一定流量で質量分析計
差動排気部に導入可能が維持できる程度に最小化する機
能を大気圧放電部出口ならび差動排気入り口に設けるこ
とで高感度分析を可能とさせることを特徴とする上記１
記載の高感度分析装置。
を、大気圧放電可能な状態で且つ一定流量で質量分析計
差動排気部に導入可能が維持できる程度に最小化する機
能を大気圧放電部出口ならび差動排気入り口に設けるこ
とで高感度分析を可能とさせることを特徴とする上記１
記載の高感度分析装置。
【００１１】
【作用】以上のように本発明により、計測不可能であっ
た半導体材料ガス中の微量不純物をサブｐｐｂレベルで
分析可能となった。
た半導体材料ガス中の微量不純物をサブｐｐｂレベルで
分析可能となった。
【００１２】
【実施例】以下に実施例を示して本発明を更に詳しく説
明する。
明する。
【００１３】（実施例１）本実施例は、本発明により開
発された計測装置を説明するものである。図１に装置概
略を示す。評価装置を分類すると、サンプリング系１
ｅ、ガス成分分離部２ｅ、大気圧イオン化質量分析計３
ｅからなる。ガス成分分離部２ｅと恒温槽１ａ内に配置
されている。先ずサンプリング系１ｅ部の機能を説明す
る。評価ガスは、減圧弁等のガスラインを介してライン
１から導入される。前段のガスラインのパージを行う場
合は、バルブＶ−１を用いてライン３を介して排気パー
ジを行う。パージされている間は、ライン２からバルブ
Ｖ−１を用いてライン４を介してガス成分分離部２ｅな
らびに大気圧イオン化質量分析計３ｅへキャリアガスが
供給される。ガスラインを十分パージにより清浄化した
後、サンプルループ管６に評価ガスを導入するため、バ
ルブＶ−１、バルブＶ−４、バルブＶ−３を用いてライ
ン１、ライン４、サンプルループ６、圧力計３ｃを介し
てバルブＶ−３を用いることでライン８から評価ガスで
十分パージした後、バルブＶ−３を閉としサンプルルー
プ６に評価ガスを導入する。評価ガスをサンプルループ
６へ導入している間は、ライン５からバルブＶ−２、Ｖ
−３を用いてキャリアガスをガス成分分離部２ｅ、大気
圧質量分析計３ｅへ供給する。サンプルループ６に評価
ガスを導入した後、ライン５からの系内パージを停止
し、ライン１４からバルブＶ−１４を用いてキャリアガ
スを供給し、サンプルループ６内の評価ガスをガス成分
分離部２ｅに導入する。導入された評価ガスは、カラム
１ｂならびカラム２ｂで各成分における沸点や極性によ
り分離される。分離された成分は、ライン１１を介して
供給され、ライン１４のキャリアガスと混合され、ライ
ン１３を流れて大気圧質量分析計３ｅへ導入され計測さ
れる。ライン１３の配管径は、ライン１１の配管径より
大きくし、連続分析を行う場合に生じるサンプリング系
１ｅの圧力変動を緩和するものである。またライン１２
に流れるキャリア流量は、高感度分析を行うために大気
圧質量分析計３ｅにおける放電空間１ｄで大気圧力を維
持できる最少流量とする。容易に放電空間１ｄを定常的
に大気圧としライン１４の流量を最少流量に調整できる
よう、排気ライン１４にはオリフィスが装備されてい
る。またこの最少流量を容易に調整可能とするために放
電電極２ｄによりイオン化された成分は、オリフィス３
ｄを通過し、スリット４ｄを介して４重極質量分析部５
ｄに導入される。
発された計測装置を説明するものである。図１に装置概
略を示す。評価装置を分類すると、サンプリング系１
ｅ、ガス成分分離部２ｅ、大気圧イオン化質量分析計３
ｅからなる。ガス成分分離部２ｅと恒温槽１ａ内に配置
されている。先ずサンプリング系１ｅ部の機能を説明す
る。評価ガスは、減圧弁等のガスラインを介してライン
１から導入される。前段のガスラインのパージを行う場
合は、バルブＶ−１を用いてライン３を介して排気パー
ジを行う。パージされている間は、ライン２からバルブ
Ｖ−１を用いてライン４を介してガス成分分離部２ｅな
らびに大気圧イオン化質量分析計３ｅへキャリアガスが
供給される。ガスラインを十分パージにより清浄化した
後、サンプルループ管６に評価ガスを導入するため、バ
ルブＶ−１、バルブＶ−４、バルブＶ−３を用いてライ
ン１、ライン４、サンプルループ６、圧力計３ｃを介し
てバルブＶ−３を用いることでライン８から評価ガスで
十分パージした後、バルブＶ−３を閉としサンプルルー
プ６に評価ガスを導入する。評価ガスをサンプルループ
６へ導入している間は、ライン５からバルブＶ−２、Ｖ
−３を用いてキャリアガスをガス成分分離部２ｅ、大気
圧質量分析計３ｅへ供給する。サンプルループ６に評価
ガスを導入した後、ライン５からの系内パージを停止
し、ライン１４からバルブＶ−１４を用いてキャリアガ
スを供給し、サンプルループ６内の評価ガスをガス成分
分離部２ｅに導入する。導入された評価ガスは、カラム
１ｂならびカラム２ｂで各成分における沸点や極性によ
り分離される。分離された成分は、ライン１１を介して
供給され、ライン１４のキャリアガスと混合され、ライ
ン１３を流れて大気圧質量分析計３ｅへ導入され計測さ
れる。ライン１３の配管径は、ライン１１の配管径より
大きくし、連続分析を行う場合に生じるサンプリング系
１ｅの圧力変動を緩和するものである。またライン１２
に流れるキャリア流量は、高感度分析を行うために大気
圧質量分析計３ｅにおける放電空間１ｄで大気圧力を維
持できる最少流量とする。容易に放電空間１ｄを定常的
に大気圧としライン１４の流量を最少流量に調整できる
よう、排気ライン１４にはオリフィスが装備されてい
る。またこの最少流量を容易に調整可能とするために放
電電極２ｄによりイオン化された成分は、オリフィス３
ｄを通過し、スリット４ｄを介して４重極質量分析部５
ｄに導入される。
【００１４】（実施例２）本実施例は、アルシン中のゲ
ルマンを計測した結果である。従来用いられていた最高
感度分析装置、ＧＣ−ＭＳならびＨＩＤでは約５〜数１
０ｐｐｂが検出限界であった。本発明を用いてアルシン
中の１ｐｐｂゲルマンを計測した結果を図２に示す。Ｓ
／Ｎ（ｓｉｇｎａｌ ｔｏ ｎｏｌｚｅ ｒａｔｉｏ）
−２で約０．１ｐｐｂが十分計測可能であることがわか
った。
ルマンを計測した結果である。従来用いられていた最高
感度分析装置、ＧＣ−ＭＳならびＨＩＤでは約５〜数１
０ｐｐｂが検出限界であった。本発明を用いてアルシン
中の１ｐｐｂゲルマンを計測した結果を図２に示す。Ｓ
／Ｎ（ｓｉｇｎａｌ ｔｏ ｎｏｌｚｅ ｒａｔｉｏ）
−２で約０．１ｐｐｂが十分計測可能であることがわか
った。
【００１５】（実施例３）本実施例は、実施例１の図１
に示すサンプリング系１ｅの滞留部による計測への影響
を計測し、滞留部を除去することでアルシン中のメタン
を高感度に計測した結果である。ＣＨ4 ５ｐｐｂを含む
ＡｓＨ3 を計測した結果を図３に示す。（ａ）は、図−
１に示すバルブＶ−１、Ｖ−２、Ｖ−３、Ｖ−４、Ｖ−
５または配管類の接続部において滞留部の存在するサン
プリング系１ｅを用いた場合の評価結果。（ｂ）は図１
に示すバルブＶ−１、Ｖ−２、Ｖ−３、Ｖ−４、Ｖ−５
に集積化バルブまたは配管類の接続部において滞留部を
排除したサンプリング系１ｅを用いた場合の評価結果。
に示すサンプリング系１ｅの滞留部による計測への影響
を計測し、滞留部を除去することでアルシン中のメタン
を高感度に計測した結果である。ＣＨ4 ５ｐｐｂを含む
ＡｓＨ3 を計測した結果を図３に示す。（ａ）は、図−
１に示すバルブＶ−１、Ｖ−２、Ｖ−３、Ｖ−４、Ｖ−
５または配管類の接続部において滞留部の存在するサン
プリング系１ｅを用いた場合の評価結果。（ｂ）は図１
に示すバルブＶ−１、Ｖ−２、Ｖ−３、Ｖ−４、Ｖ−５
に集積化バルブまたは配管類の接続部において滞留部を
排除したサンプリング系１ｅを用いた場合の評価結果。
【００１６】（実施例４）本実施例は、実施例３（ｂ）
のサンプリング系１ｅに用いられている集積化バルブの
水分を中心とする放出ガスの最大要因であるプラスチッ
クシート材料を排除し、メタルシートに変更しノイズを
低減した結果である。同じくＣＨ4 ５ｐｐｂを含むＡｓ
Ｈ3 を計測した結果を図４に示す。
のサンプリング系１ｅに用いられている集積化バルブの
水分を中心とする放出ガスの最大要因であるプラスチッ
クシート材料を排除し、メタルシートに変更しノイズを
低減した結果である。同じくＣＨ4 ５ｐｐｂを含むＡｓ
Ｈ3 を計測した結果を図４に示す。
【００１７】（実施例５）本実施例は、実施例１の図１
に示したサンプルループ６のサンプル量を利用すること
で更に高感度分析が可能になることを明らかにした結果
である。体積１ｃｃのサンプルループ６に圧力１ｋｇ／
ｃｍ2 導入した場合と、圧力２ｋｇ／ｃｍ2 導入した場
合の比較を行った。評価計測ガスには、Ｃ2 Ｈ6 ５ｐｐ
ｂを含むＰＨ3 を用いた。尚、本評価系は、図１に示す
バルブＶ−１、Ｖ−２、Ｖ−３、Ｖ−４、Ｖ−５にメタ
ルシート製の集積化バルブまた配管類の接続部において
滞留部の排除したサンプリング系１ｅを用いた場合の結
果である。計測結果を図５に示す。図中（ａ）は、圧力
１ｋｇ／ｃｍ2 導入した場合、（ｂ）は圧力２ｋｇ／ｃ
ｍ2 の場合の結果である。圧力変動によるベースの乱れ
（ノイズの増加）は、観測されておらず、サンプリング
圧力の増加にともない信号量の増加が得られた。
に示したサンプルループ６のサンプル量を利用すること
で更に高感度分析が可能になることを明らかにした結果
である。体積１ｃｃのサンプルループ６に圧力１ｋｇ／
ｃｍ2 導入した場合と、圧力２ｋｇ／ｃｍ2 導入した場
合の比較を行った。評価計測ガスには、Ｃ2 Ｈ6 ５ｐｐ
ｂを含むＰＨ3 を用いた。尚、本評価系は、図１に示す
バルブＶ−１、Ｖ−２、Ｖ−３、Ｖ−４、Ｖ−５にメタ
ルシート製の集積化バルブまた配管類の接続部において
滞留部の排除したサンプリング系１ｅを用いた場合の結
果である。計測結果を図５に示す。図中（ａ）は、圧力
１ｋｇ／ｃｍ2 導入した場合、（ｂ）は圧力２ｋｇ／ｃ
ｍ2 の場合の結果である。圧力変動によるベースの乱れ
（ノイズの増加）は、観測されておらず、サンプリング
圧力の増加にともない信号量の増加が得られた。
【００１８】（実施例６）本実施例は、実施例１の図１
に示すライン１４の排気にオリフィスを装備することに
より、ライン１２から補充されるキャリアガスの流量最
小化を図ることで高感度化を図った結果である。評価ガ
スには、Ｃ2 Ｈ6 ５ｐｐｂを含むＰＨ3 を用いた。ライ
ン１２から１００ｃｃ／ｍｉｎ、２００ｃｃ／ｍｉｎ、
３００ｃｃ／ｍｉｎのキャリアガス（高純度Ｈｅ）を供
給した場合のピークを図６に示す。サンプル量は、評価
ガスを１ｃｃのサンプルループに圧力１ｋｇ／ｃｍ2 で
導入したものである。尚、本評価系は、図１に示すバル
ブＶ−１、Ｖ−２、Ｖ−３、Ｖ−４、Ｖ−５にメタルシ
ート製の集積化バルブまた配管類の接続部において滞留
部の排除したサンプリング系１ｅを用いた場合の結果で
ある。図中（ａ）は１００ｃｃ／ｍｉｎ、（ｂ）は２０
０ｃｃ／ｍｉｎ、（ｃ）は３００ｃｃ／ｍｉｎのキャリ
アガスを供給した結果である。
に示すライン１４の排気にオリフィスを装備することに
より、ライン１２から補充されるキャリアガスの流量最
小化を図ることで高感度化を図った結果である。評価ガ
スには、Ｃ2 Ｈ6 ５ｐｐｂを含むＰＨ3 を用いた。ライ
ン１２から１００ｃｃ／ｍｉｎ、２００ｃｃ／ｍｉｎ、
３００ｃｃ／ｍｉｎのキャリアガス（高純度Ｈｅ）を供
給した場合のピークを図６に示す。サンプル量は、評価
ガスを１ｃｃのサンプルループに圧力１ｋｇ／ｃｍ2 で
導入したものである。尚、本評価系は、図１に示すバル
ブＶ−１、Ｖ−２、Ｖ−３、Ｖ−４、Ｖ−５にメタルシ
ート製の集積化バルブまた配管類の接続部において滞留
部の排除したサンプリング系１ｅを用いた場合の結果で
ある。図中（ａ）は１００ｃｃ／ｍｉｎ、（ｂ）は２０
０ｃｃ／ｍｉｎ、（ｃ）は３００ｃｃ／ｍｉｎのキャリ
アガスを供給した結果である。
【００１９】
【発明の効果】本発明は以上の説明のように、従来高感
度での計測不可能であった半導体材料ガス中の不純物を
サブｐｐｂで観測することが初めて可能となった。
度での計測不可能であった半導体材料ガス中の不純物を
サブｐｐｂで観測することが初めて可能となった。
【図１】本発明において製作した高感度ガス分析装置の
概略図。
概略図。
【図２】本発明による高感度分析装置の感度を示す結
果。
果。
【図３】サンプリング系１ｅの滞留部の影響とその改良
効果。
効果。
【図４】サンプリング系１ｅの滞留部の影響、放出ガス
低減対策による改良効果。
低減対策による改良効果。
【図５】高感度化を図るためのサンプリング量の効果。
【図６】大気圧放電を維持するために補充されるキャリ
アガスの少量化による効果。
アガスの少量化による効果。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 来島 貴彦 埼玉県鶴ヶ島市富士見４−14−６ (72)発明者 林 茂樹 大阪府堺市大仙中町２−13−309
Claims (5)
- 【請求項１】 高清浄度化を図ったガスクロマト装置
と、ガスクロマト装置と大気圧イオン化質量分析計を接
続する圧力変動を緩和する機構を備えた流路と、大気圧
質量分析装置で構成された微量成分濃度が１０ｐｐｔ以
上の高感度で計測可能であることを特徴とする高感度ガ
ス分析装置。 - 【請求項２】 ガスクロマト装置は接ガス部の放出ガス
低減、滞留部の低減、低放出ガス部品の採用し高清浄度
化を図り、キャリアガスにイオン化エネルギーの高い超
高純度不活性ガスを用いることで、単位時間当たりに大
気圧イオン化質量分析装置に導入されるガス成分をキャ
リアガスとカラム分離された単一微量不純物の２成分に
することで微量成分のイオン化効率を向上させ高感度分
析を可能とさせたことを特徴とする請求項１記載の高感
度分析装置。 - 【請求項３】 大気圧イオン化質量分析計へ供給される
サンプルガスを含むキャリアガス圧力の変動を緩和する
機構を備えたことで、安定且つ再現性のある計測を可能
にしたことを特徴とする請求項１記載の高感度ガス分析
装置。 - 【請求項４】 請求項３記載のガスクロマト装置へのサ
ンプルガス導入により発生する圧力変動を緩和する機構
を備えることにより、被計測ガスであるサンプルガスを
より多くサンプリングが可能となり、絶対微量成分量が
稼げることで高感度分析を可能とさせることを特徴とす
る請求項１記載の高感度分析装置。 - 【請求項５】 大気圧イオン化質量分析計に導入するキ
ャリアガス流量を、大気圧放電可能な状態で且つ一定流
量で質量分析計差動排気部に導入可能が維持できる程度
に最小化する機能を大気圧放電部出口ならび差動排気入
り口に設けることで高感度分析を可能とさせることを特
徴とする請求項１記載の高感度分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7163999A JPH0915207A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | ガスの高感度分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7163999A JPH0915207A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | ガスの高感度分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0915207A true JPH0915207A (ja) | 1997-01-17 |
Family
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|---|---|---|---|
| JP7163999A Pending JPH0915207A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | ガスの高感度分析装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0915207A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2347743A (en) * | 1999-01-25 | 2000-09-13 | Nippon Oxygen Co Ltd | Measuring trace impurities in a purified gas |
| US7064320B2 (en) | 2004-09-16 | 2006-06-20 | Hitachi, Ltd. | Mass chromatograph |
| US7375316B2 (en) | 2006-02-08 | 2008-05-20 | Hitachi, Ltd. | Mass spectrometer and mass spectrometry |
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| WO2023128585A1 (ko) * | 2021-12-30 | 2023-07-06 | 홍익대학교 산학협력단 | 기체상 물질의 계측 시스템 |
-
1995
- 1995-06-29 JP JP7163999A patent/JPH0915207A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2347743A (en) * | 1999-01-25 | 2000-09-13 | Nippon Oxygen Co Ltd | Measuring trace impurities in a purified gas |
| GB2347743B (en) * | 1999-01-25 | 2001-12-19 | Nippon Oxygen Co Ltd | A method and an apparatus for analyzing trace impurities in gases |
| US6653144B1 (en) | 1999-01-25 | 2003-11-25 | Nippon Sanso Corporation | Method and an apparatus for analyzing trace impurities in gases |
| US7064320B2 (en) | 2004-09-16 | 2006-06-20 | Hitachi, Ltd. | Mass chromatograph |
| EP1638132A3 (en) * | 2004-09-16 | 2007-03-14 | Hitachi Ltd. | Mass chromatography |
| US7375316B2 (en) | 2006-02-08 | 2008-05-20 | Hitachi, Ltd. | Mass spectrometer and mass spectrometry |
| US7420180B2 (en) | 2006-02-08 | 2008-09-02 | Hitachi, Ltd. | Mass spectrometer and mass spectrometry |
| US8253097B2 (en) | 2007-08-06 | 2012-08-28 | Hitachi, Ltd. | Mass spectrometer and method of mass spectrometry |
| WO2023128585A1 (ko) * | 2021-12-30 | 2023-07-06 | 홍익대학교 산학협력단 | 기체상 물질의 계측 시스템 |
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