JPH0915074A - 半導体圧力検出装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体圧力検出装置及びその製造方法Info
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- JPH0915074A JPH0915074A JP7160435A JP16043595A JPH0915074A JP H0915074 A JPH0915074 A JP H0915074A JP 7160435 A JP7160435 A JP 7160435A JP 16043595 A JP16043595 A JP 16043595A JP H0915074 A JPH0915074 A JP H0915074A
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体圧力検出装置のダイヤフラム部へのモ
ールド樹脂の付着を防止することができ、さらにはシリ
コン樹脂の流れ込み等に起因するボンディング強度の低
下を防止することができる手段を得る。 【構成】 圧力センサ素子２を台座８に接合し、続いて
圧力センサ素子２を伴った台座８をステム１に接着し、
次にワイヤ５をインナリード３と圧力センサ素子２とに
ボンディングし、この後圧力センサ素子２の外側表面全
体にシリコン樹脂４をポッティングする。この後、ダイ
ヤフラム部９上のシリコン樹脂４をモールド金型７の当
接部７ａで押圧しつつモールド成形を行い、ダイヤフラ
ム部９へのモールド樹脂の付着がなく、かつボンディン
グ強度の高い半導体圧力検出装置を得る。
ールド樹脂の付着を防止することができ、さらにはシリ
コン樹脂の流れ込み等に起因するボンディング強度の低
下を防止することができる手段を得る。 【構成】 圧力センサ素子２を台座８に接合し、続いて
圧力センサ素子２を伴った台座８をステム１に接着し、
次にワイヤ５をインナリード３と圧力センサ素子２とに
ボンディングし、この後圧力センサ素子２の外側表面全
体にシリコン樹脂４をポッティングする。この後、ダイ
ヤフラム部９上のシリコン樹脂４をモールド金型７の当
接部７ａで押圧しつつモールド成形を行い、ダイヤフラ
ム部９へのモールド樹脂の付着がなく、かつボンディン
グ強度の高い半導体圧力検出装置を得る。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、圧力センサ素子をモー
ルド樹脂によって成形してなる半導体圧力検出装置及び
その製造方法に関するものである。
ルド樹脂によって成形してなる半導体圧力検出装置及び
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体（例えば、シリコン）からなる圧
力センサ素子のダイヤフラム部に生じる歪みに起因する
電気抵抗の変化に基づいて、該ダイヤフラムに接する流
体等の圧力を検出するようにした半導体圧力検出装置は
従来より知られている。例えば、図８及び図９に示すよ
うに、従来の半導体圧力検出装置においては、ステム１
の上に、圧力センサ素子２とインナリード３とワイヤ５
と台座８とがモールド樹脂６でモールドされてなるセン
サ本体が配置されている。ここで、圧力センサ素子２の
中央部にはダイヤフラム部９が形成され、このダイヤフ
ラム部９の外側表面はモールドされず、外部に露出され
ている。そして、外部の圧力がダイヤフラム部９に作用
すると、該圧力の大きさに応じてダイヤフラム部９に歪
みが生じ、該歪みによってダイヤフラム部９の電気抵抗
が変化し、この電気抵抗値から上記圧力が検出されるよ
うになっている。
力センサ素子のダイヤフラム部に生じる歪みに起因する
電気抵抗の変化に基づいて、該ダイヤフラムに接する流
体等の圧力を検出するようにした半導体圧力検出装置は
従来より知られている。例えば、図８及び図９に示すよ
うに、従来の半導体圧力検出装置においては、ステム１
の上に、圧力センサ素子２とインナリード３とワイヤ５
と台座８とがモールド樹脂６でモールドされてなるセン
サ本体が配置されている。ここで、圧力センサ素子２の
中央部にはダイヤフラム部９が形成され、このダイヤフ
ラム部９の外側表面はモールドされず、外部に露出され
ている。そして、外部の圧力がダイヤフラム部９に作用
すると、該圧力の大きさに応じてダイヤフラム部９に歪
みが生じ、該歪みによってダイヤフラム部９の電気抵抗
が変化し、この電気抵抗値から上記圧力が検出されるよ
うになっている。
【０００３】かかる半導体圧力検出装置の従来の製造方
法は、およそ次のとおりである。すなわち、図１０に示
すように、まず台座８の上にダイヤフラム部９を備えた
圧力センサ素子２を配置し、これをインナリード３を備
えたステム１の上に配置する。ここで、圧力センサ素子
２の外側表面には、予め環形のシリコン樹脂１３が印刷
されている。この環形のシリコン樹脂１３は、ダイヤフ
ラム部９の周縁部付近を覆うような形状ないしは寸法を
備えている。このシリコン樹脂１３は、後で説明するよ
うに、モールド成形時にダイヤフラム部９にモールド樹
脂６が流れ込むのを防止するために設けられている。
法は、およそ次のとおりである。すなわち、図１０に示
すように、まず台座８の上にダイヤフラム部９を備えた
圧力センサ素子２を配置し、これをインナリード３を備
えたステム１の上に配置する。ここで、圧力センサ素子
２の外側表面には、予め環形のシリコン樹脂１３が印刷
されている。この環形のシリコン樹脂１３は、ダイヤフ
ラム部９の周縁部付近を覆うような形状ないしは寸法を
備えている。このシリコン樹脂１３は、後で説明するよ
うに、モールド成形時にダイヤフラム部９にモールド樹
脂６が流れ込むのを防止するために設けられている。
【０００４】続いて、ワイヤ５を、圧力センサ素子２と
インナリード３とに接続する。そして、ステム１の上
に、当接部７ａを備えたモールド金型７を、圧力センサ
素子２とインナリード３とワイヤ５と台座８とを覆うよ
うにして配置する。この状態においては、モールド金型
７の当接部７ａの下面は環形のシリコン樹脂１３に当接
する。つまり、当接部７ａと圧力センサ素子２のダイヤ
フラム部９とは、シリコン樹脂１３を介して係合してい
る。
インナリード３とに接続する。そして、ステム１の上
に、当接部７ａを備えたモールド金型７を、圧力センサ
素子２とインナリード３とワイヤ５と台座８とを覆うよ
うにして配置する。この状態においては、モールド金型
７の当接部７ａの下面は環形のシリコン樹脂１３に当接
する。つまり、当接部７ａと圧力センサ素子２のダイヤ
フラム部９とは、シリコン樹脂１３を介して係合してい
る。
【０００５】次に、モールド金型７とステム１との間に
形成された空間部１６に溶融状態にあるモールド樹脂６
を注入する。ここで、モールド金型７の当接部７ａと圧
力センサ素子２との間にはシリコン樹脂１３が介設され
ているので、ダイヤフラム部９にはモールド樹脂６が流
れ込まない。そして、空間部１６内のモールド樹脂６が
凝固した後、モールド金型７を取り外し、図８及び図９
に示すような半導体圧力検出装置を得る。
形成された空間部１６に溶融状態にあるモールド樹脂６
を注入する。ここで、モールド金型７の当接部７ａと圧
力センサ素子２との間にはシリコン樹脂１３が介設され
ているので、ダイヤフラム部９にはモールド樹脂６が流
れ込まない。そして、空間部１６内のモールド樹脂６が
凝固した後、モールド金型７を取り外し、図８及び図９
に示すような半導体圧力検出装置を得る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の製造方法においては、次のような問題がある。す
なわち、一般に圧力センサ素子２は、１つのウエハが切
断等により分割されて形成されるが、シリコン樹脂１３
はウエハ単位で印刷される。すなわち、各個の圧力セン
サ素子２に分割される前のウエハに対して一括的に印刷
される。このため、各個の圧力センサ素子２においては
シリコン樹脂１３が正規の位置に配置されず、シリコン
樹脂１３がモールド金型７の当接部７ａに対して位置ず
れを起こすことがある。また、圧力センサ素子２と台座
８とをダイボンドする際に両者間に位置ずれが生じ、こ
れによってシリコン樹脂１３がモールド金型７の当接部
７ａに対して位置ずれを起こすことがある。そして、こ
のようにシリコン樹脂１３が位置ずれを起こし、当接部
７ａがシリコン樹脂１３に当接しない場合は、モールド
成形時にモールド樹脂６がダイヤフラム部９に流れ込
む。この場合、ダイヤフラム部９の外側表面にモールド
樹脂６が付着し、このため圧力検出の精度が低下すると
いった問題がある。
従来の製造方法においては、次のような問題がある。す
なわち、一般に圧力センサ素子２は、１つのウエハが切
断等により分割されて形成されるが、シリコン樹脂１３
はウエハ単位で印刷される。すなわち、各個の圧力セン
サ素子２に分割される前のウエハに対して一括的に印刷
される。このため、各個の圧力センサ素子２においては
シリコン樹脂１３が正規の位置に配置されず、シリコン
樹脂１３がモールド金型７の当接部７ａに対して位置ず
れを起こすことがある。また、圧力センサ素子２と台座
８とをダイボンドする際に両者間に位置ずれが生じ、こ
れによってシリコン樹脂１３がモールド金型７の当接部
７ａに対して位置ずれを起こすことがある。そして、こ
のようにシリコン樹脂１３が位置ずれを起こし、当接部
７ａがシリコン樹脂１３に当接しない場合は、モールド
成形時にモールド樹脂６がダイヤフラム部９に流れ込
む。この場合、ダイヤフラム部９の外側表面にモールド
樹脂６が付着し、このため圧力検出の精度が低下すると
いった問題がある。
【０００７】また、シリコン樹脂１３を印刷する際に、
ウエハの位置ずれあるいはシリコン樹脂１３のたれに起
因して、圧力センサ素子２のボンディングパッドにシリ
コン樹脂１３が流れ込み、これによってワイヤー５と圧
力センサ素子２との間のボンディング強度が低下するこ
とがあるといった問題がある。
ウエハの位置ずれあるいはシリコン樹脂１３のたれに起
因して、圧力センサ素子２のボンディングパッドにシリ
コン樹脂１３が流れ込み、これによってワイヤー５と圧
力センサ素子２との間のボンディング強度が低下するこ
とがあるといった問題がある。
【０００８】本発明は、上記従来の問題点を解決するた
めになされたものであって、半導体圧力検出装置のダイ
ヤフラム部へのモールド樹脂の付着を有効に防止するこ
とができる手段を得ることを目的とする。さらには、シ
リコン樹脂の流れ込み等に起因するボンディング強度の
低下を有効に防止することができる手段を得ることを目
的とする。
めになされたものであって、半導体圧力検出装置のダイ
ヤフラム部へのモールド樹脂の付着を有効に防止するこ
とができる手段を得ることを目的とする。さらには、シ
リコン樹脂の流れ込み等に起因するボンディング強度の
低下を有効に防止することができる手段を得ることを目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達すべくな
された本発明の第１の態様は、半導体からなるダイヤフ
ラム部を備えた圧力センサ素子と、該圧力センサ素子を
保持する台座と、上記圧力センサ素子に接続されたワイ
ヤとが、上記ダイヤフラム部がモールドされないように
してモールド樹脂でモールド成形されている半導体圧力
検出装置であって、上記圧力センサ素子の外側表面全体
にシリコン樹脂がつけられていることを特徴とするもの
である。
された本発明の第１の態様は、半導体からなるダイヤフ
ラム部を備えた圧力センサ素子と、該圧力センサ素子を
保持する台座と、上記圧力センサ素子に接続されたワイ
ヤとが、上記ダイヤフラム部がモールドされないように
してモールド樹脂でモールド成形されている半導体圧力
検出装置であって、上記圧力センサ素子の外側表面全体
にシリコン樹脂がつけられていることを特徴とするもの
である。
【００１０】本発明の第２の態様は、半導体からなるダ
イヤフラム部を備えた圧力センサ素子と、該圧力センサ
素子を保持する台座と、上記圧力センサ素子に接続され
たワイヤとが、上記ダイヤフラム部がモールドされない
ようにしてモールド樹脂でモールド成形されている半導
体圧力検出装置であって、上記ダイヤフラム部の外側表
面にシリコン樹脂がつけられていることを特徴とするも
のである。
イヤフラム部を備えた圧力センサ素子と、該圧力センサ
素子を保持する台座と、上記圧力センサ素子に接続され
たワイヤとが、上記ダイヤフラム部がモールドされない
ようにしてモールド樹脂でモールド成形されている半導
体圧力検出装置であって、上記ダイヤフラム部の外側表
面にシリコン樹脂がつけられていることを特徴とするも
のである。
【００１１】本発明の第３の態様は、本発明の第２の態
様にかかる半導体圧力検出装置において、上記圧力セン
サ素子の、上記ダイヤフラム部以外の部分の外側表面に
コーティングが施されていることを特徴とするものであ
る。
様にかかる半導体圧力検出装置において、上記圧力セン
サ素子の、上記ダイヤフラム部以外の部分の外側表面に
コーティングが施されていることを特徴とするものであ
る。
【００１２】本発明の第４の態様は、本発明の第３の態
様にかかる半導体圧力検出装置において、上記コーティ
ングがガラスコーティングであることを特徴とするもの
である。
様にかかる半導体圧力検出装置において、上記コーティ
ングがガラスコーティングであることを特徴とするもの
である。
【００１３】本発明の第５の態様は、半導体圧力検出装
置の製造方法であって、半導体からなるダイヤフラム部
を備えた圧力センサ素子を台座の上に配置する圧力セン
サ素子配置工程と、上記圧力センサ素子にワイヤを接続
するワイヤ接続工程と、上記のワイヤが接続された圧力
センサ素子の外側表面全体にシリコン樹脂を付着させる
シリコン樹脂付着工程と、モールド成形時に上記圧力セ
ンサ素子のダイヤフラム部に対応する部分に当接する当
接部を備えたモールド金型を用いて、上記部分がモール
ドされないようにして、上記圧力センサ素子と上記ワイ
ヤと上記台座とをモールド樹脂でモールド成形するモー
ルド成形工程とを含むことを特徴とするものである。
置の製造方法であって、半導体からなるダイヤフラム部
を備えた圧力センサ素子を台座の上に配置する圧力セン
サ素子配置工程と、上記圧力センサ素子にワイヤを接続
するワイヤ接続工程と、上記のワイヤが接続された圧力
センサ素子の外側表面全体にシリコン樹脂を付着させる
シリコン樹脂付着工程と、モールド成形時に上記圧力セ
ンサ素子のダイヤフラム部に対応する部分に当接する当
接部を備えたモールド金型を用いて、上記部分がモール
ドされないようにして、上記圧力センサ素子と上記ワイ
ヤと上記台座とをモールド樹脂でモールド成形するモー
ルド成形工程とを含むことを特徴とするものである。
【００１４】本発明の第６の態様は、半導体圧力検出装
置の製造方法であって、半導体からなるダイヤフラム部
を備えた圧力センサ素子を台座の上に配置する圧力セン
サ素子配置工程と、圧力センサ素子にワイヤを接続する
とともに、上記ダイヤフラム部の外側表面にシリコン樹
脂を付着させるシリコン樹脂付着工程と、モールド成形
時に上記圧力センサ素子のダイヤフラム部に対応する部
分に当接する当接部を備えたモールド金型を用いて、上
記部分がモールドされないようにして、上記圧力センサ
素子と上記ワイヤと上記台座とをモールド樹脂でモール
ド成形するモールド成形工程とを含むことを特徴とする
ものである。
置の製造方法であって、半導体からなるダイヤフラム部
を備えた圧力センサ素子を台座の上に配置する圧力セン
サ素子配置工程と、圧力センサ素子にワイヤを接続する
とともに、上記ダイヤフラム部の外側表面にシリコン樹
脂を付着させるシリコン樹脂付着工程と、モールド成形
時に上記圧力センサ素子のダイヤフラム部に対応する部
分に当接する当接部を備えたモールド金型を用いて、上
記部分がモールドされないようにして、上記圧力センサ
素子と上記ワイヤと上記台座とをモールド樹脂でモール
ド成形するモールド成形工程とを含むことを特徴とする
ものである。
【００１５】本発明の第７の態様は、本発明の第６の態
様にかかる半導体圧力検出装置の製造方法において、上
記圧力センサ素子製造のウエハプロセス工程で、上記圧
力センサ素子の上記ダイヤフラム部以外の部分にコーテ
ィングを施すコーティング工程を含むことを特徴とする
ものである。
様にかかる半導体圧力検出装置の製造方法において、上
記圧力センサ素子製造のウエハプロセス工程で、上記圧
力センサ素子の上記ダイヤフラム部以外の部分にコーテ
ィングを施すコーティング工程を含むことを特徴とする
ものである。
【００１６】本発明の第８の態様は、本発明の第７の態
様にかかる半導体圧力検出装置の製造方法において、上
記コーティング工程では、ガラスでコーティングを施す
ようにしたことを特徴とするものである。
様にかかる半導体圧力検出装置の製造方法において、上
記コーティング工程では、ガラスでコーティングを施す
ようにしたことを特徴とするものである。
【００１７】本発明の第９の態様は、本発明の第６の態
様にかかる半導体圧力検出装置の製造方法において、１
つのウエハから複数の圧力センサ素子をつくるように
し、上記シリコン樹脂付着工程で、ウエハ単位で圧力セ
ンサ素子にシリコン樹脂を付着させるようにしたことを
特徴とするものである。
様にかかる半導体圧力検出装置の製造方法において、１
つのウエハから複数の圧力センサ素子をつくるように
し、上記シリコン樹脂付着工程で、ウエハ単位で圧力セ
ンサ素子にシリコン樹脂を付着させるようにしたことを
特徴とするものである。
【００１８】本発明の第１０の態様は、半導体圧力検出
装置の製造方法であって、半導体からなるダイヤフラム
部を備えた圧力センサ素子を台座の上に配置する圧力セ
ンサ素子配置工程と、上記圧力センサ素子にワイヤを接
続するワイヤ接続工程と、モールド成形時に上記ダイヤ
フラム部に係合する係合部を備えるとともに、該係合部
の表面にモールド成形時に上記ダイヤフラム部を押圧す
る弾性体が取り付けられているモールド金型を用いて、
上記ダイヤフラム部がモールドされないようにして、上
記圧力センサ素子と上記ワイヤと上記台座とをモールド
樹脂でモールド成形するモールド成形工程とを含むこと
を特徴とするものである。
装置の製造方法であって、半導体からなるダイヤフラム
部を備えた圧力センサ素子を台座の上に配置する圧力セ
ンサ素子配置工程と、上記圧力センサ素子にワイヤを接
続するワイヤ接続工程と、モールド成形時に上記ダイヤ
フラム部に係合する係合部を備えるとともに、該係合部
の表面にモールド成形時に上記ダイヤフラム部を押圧す
る弾性体が取り付けられているモールド金型を用いて、
上記ダイヤフラム部がモールドされないようにして、上
記圧力センサ素子と上記ワイヤと上記台座とをモールド
樹脂でモールド成形するモールド成形工程とを含むこと
を特徴とするものである。
【００１９】本発明の第１１の態様は、半導体圧力検出
装置の製造方法において、半導体からなるダイヤフラム
部を備えた圧力センサ素子を台座の上に配置する圧力セ
ンサ素子配置工程と、上記圧力センサ素子にワイヤを接
続するワイヤ接続工程と、モールド成形時に上記ダイヤ
フラム部に係合する係合部を備え、該係合部の表面にモ
ールド成形時に上記ダイヤフラム部の外周部を押圧する
Ｏリングが取り付けられているモールド金型を用いて、
上記ダイヤフラム部がモールドされないようにして、上
記圧力センサ素子と上記ワイヤと上記台座とをモールド
樹脂でモールド成形するモールド成形工程とを含むこと
を特徴とするものである。
装置の製造方法において、半導体からなるダイヤフラム
部を備えた圧力センサ素子を台座の上に配置する圧力セ
ンサ素子配置工程と、上記圧力センサ素子にワイヤを接
続するワイヤ接続工程と、モールド成形時に上記ダイヤ
フラム部に係合する係合部を備え、該係合部の表面にモ
ールド成形時に上記ダイヤフラム部の外周部を押圧する
Ｏリングが取り付けられているモールド金型を用いて、
上記ダイヤフラム部がモールドされないようにして、上
記圧力センサ素子と上記ワイヤと上記台座とをモールド
樹脂でモールド成形するモールド成形工程とを含むこと
を特徴とするものである。
【００２０】本発明の第１２の態様は、本発明の第１０
又は第１１の態様にかかる半導体圧力検出装置の製造方
法において、上記弾性体又はＯリングをゴムで形成する
ようにしたことを特徴とするものである。
又は第１１の態様にかかる半導体圧力検出装置の製造方
法において、上記弾性体又はＯリングをゴムで形成する
ようにしたことを特徴とするものである。
【００２１】
【作用】本発明の第１の態様にかかる半導体圧力検出装
置おいては、圧力センサ素子の外側表面全体にシリコン
樹脂がつけられているので、モールド金型の圧力センサ
素子への当接部が該シリコン樹脂に密着し、モールド成
形時に圧力センサ素子のダイヤフラム部に対応する部分
にはモールド樹脂が流入しない。したがって、圧力セン
サ素子のダイヤフラム部に対応する部分にモールド樹脂
が付着しない。また、ボンディング前には圧力センサ素
子のボンディングパッドにシリコン樹脂が流れ込まな
い。
置おいては、圧力センサ素子の外側表面全体にシリコン
樹脂がつけられているので、モールド金型の圧力センサ
素子への当接部が該シリコン樹脂に密着し、モールド成
形時に圧力センサ素子のダイヤフラム部に対応する部分
にはモールド樹脂が流入しない。したがって、圧力セン
サ素子のダイヤフラム部に対応する部分にモールド樹脂
が付着しない。また、ボンディング前には圧力センサ素
子のボンディングパッドにシリコン樹脂が流れ込まな
い。
【００２２】本発明の第２の態様にかかる半導体圧力検
出装置においては、ダイヤフラム部の外側表面にシリコ
ン樹脂がつけられているので、モールド金型の圧力セン
サ素子への当接部が該シリコン樹脂に密着し、モールド
成形時に圧力センサ素子のダイヤフラム部に対応する部
分にはモールド樹脂が流入しない。したがって、圧力セ
ンサ素子のダイヤフラム部に対応する部分にモールド樹
脂が付着しない。また、ボンディング前には圧力センサ
素子のボンディングパッドにシリコン樹脂が流れ込まな
い。
出装置においては、ダイヤフラム部の外側表面にシリコ
ン樹脂がつけられているので、モールド金型の圧力セン
サ素子への当接部が該シリコン樹脂に密着し、モールド
成形時に圧力センサ素子のダイヤフラム部に対応する部
分にはモールド樹脂が流入しない。したがって、圧力セ
ンサ素子のダイヤフラム部に対応する部分にモールド樹
脂が付着しない。また、ボンディング前には圧力センサ
素子のボンディングパッドにシリコン樹脂が流れ込まな
い。
【００２３】本発明の第３の態様にかかる半導体圧力検
出装置においては、基本的には第２の態様にかかる半導
体圧力検出装置の場合と同様の作用が生じる。さらに、
圧力センサ素子の、上記ダイヤフラム部以外の部分の外
側表面にコーティングが施されているので、シリコン樹
脂がダイヤフラム部以外の部分に流れ出ない。
出装置においては、基本的には第２の態様にかかる半導
体圧力検出装置の場合と同様の作用が生じる。さらに、
圧力センサ素子の、上記ダイヤフラム部以外の部分の外
側表面にコーティングが施されているので、シリコン樹
脂がダイヤフラム部以外の部分に流れ出ない。
【００２４】本発明の第４の態様にかかる半導体圧力検
出装置においては、基本的には第３の態様にかかる半導
体圧力検出装置の場合と同様の作用が生じる。さらに、
ガラスでコーティングが行われるので、該コーティング
を容易かつ安価に行うことができる。
出装置においては、基本的には第３の態様にかかる半導
体圧力検出装置の場合と同様の作用が生じる。さらに、
ガラスでコーティングが行われるので、該コーティング
を容易かつ安価に行うことができる。
【００２５】本発明の第５の態様にかかる半導体圧力検
出装置の製造方法においては、モールド成形の前に圧力
センサ素子の外側表面全体にシリコン樹脂を付着させ、
モールド成形時にモールド金型の当接部を該シリコン樹
脂に密着させるようにしているので、モールド成形時に
圧力センサ素子のダイヤフラム部に対応する部分にはモ
ールド樹脂が流入しない。したがって、圧力センサ素子
のダイヤフラム部に対応する部分にモールド樹脂が付着
しない。また、ボンディング前には圧力センサ素子のボ
ンディングパッドにシリコン樹脂が流れ込まない。
出装置の製造方法においては、モールド成形の前に圧力
センサ素子の外側表面全体にシリコン樹脂を付着させ、
モールド成形時にモールド金型の当接部を該シリコン樹
脂に密着させるようにしているので、モールド成形時に
圧力センサ素子のダイヤフラム部に対応する部分にはモ
ールド樹脂が流入しない。したがって、圧力センサ素子
のダイヤフラム部に対応する部分にモールド樹脂が付着
しない。また、ボンディング前には圧力センサ素子のボ
ンディングパッドにシリコン樹脂が流れ込まない。
【００２６】本発明の第６の態様にかかる半導体圧力検
出装置の製造方法においては、モールド成形の前に圧力
センサ素子のダイヤフラム部の外側表面にシリコン樹脂
を付着させ、モールド成形時にモールド金型の当接部を
該シリコン樹脂に密着させるようにしているので、モー
ルド成形時に圧力センサ素子のダイヤフラム部に対応す
る部分にはモールド樹脂が流入しない。したがって、圧
力センサ素子のダイヤフラム部に対応する部分にモール
ド樹脂が付着しない。また、ボンディング前には圧力セ
ンサ素子のボンディングパッドにシリコン樹脂が流れ込
まない。
出装置の製造方法においては、モールド成形の前に圧力
センサ素子のダイヤフラム部の外側表面にシリコン樹脂
を付着させ、モールド成形時にモールド金型の当接部を
該シリコン樹脂に密着させるようにしているので、モー
ルド成形時に圧力センサ素子のダイヤフラム部に対応す
る部分にはモールド樹脂が流入しない。したがって、圧
力センサ素子のダイヤフラム部に対応する部分にモール
ド樹脂が付着しない。また、ボンディング前には圧力セ
ンサ素子のボンディングパッドにシリコン樹脂が流れ込
まない。
【００２７】本発明の第７の態様にかかる半導体圧力検
出装置の製造方法においては、基本的には第６の態様に
かかる半導体圧力検出装置の製造方法の場合と同様の作
用が生じる。さらに、圧力センサ素子の、上記ダイヤフ
ラム部以外の部分の外側表面にコーティングを施すよう
にしているので、シリコン樹脂がダイヤフラム部以外の
部分に流れ出ない。
出装置の製造方法においては、基本的には第６の態様に
かかる半導体圧力検出装置の製造方法の場合と同様の作
用が生じる。さらに、圧力センサ素子の、上記ダイヤフ
ラム部以外の部分の外側表面にコーティングを施すよう
にしているので、シリコン樹脂がダイヤフラム部以外の
部分に流れ出ない。
【００２８】本発明の第８の態様にかかる半導体圧力検
出装置の製造方法においては、基本的には第７の態様に
かかる半導体圧力検出装置の製造方法の場合と同様の作
用が生じる。さらに、ガラスでコーティングを行うよう
にしているので、該コーティングを容易かつ安価に行う
ことができる。
出装置の製造方法においては、基本的には第７の態様に
かかる半導体圧力検出装置の製造方法の場合と同様の作
用が生じる。さらに、ガラスでコーティングを行うよう
にしているので、該コーティングを容易かつ安価に行う
ことができる。
【００２９】本発明の第９の態様にかかる半導体圧力検
出装置の製造方法においては、基本的には第６の態様に
かかる半導体圧力検出装置の製造方法の場合と同様の作
用が生じる。さらに、１つのウエハから複数の圧力セン
サ素子をつくるようにし、シリコン樹脂付着工程で、ウ
エハ単位で圧力センサ素子に一括的にシリコン樹脂を付
着させるようにしているので、半導体圧力検出装置の生
産性が高められる。
出装置の製造方法においては、基本的には第６の態様に
かかる半導体圧力検出装置の製造方法の場合と同様の作
用が生じる。さらに、１つのウエハから複数の圧力セン
サ素子をつくるようにし、シリコン樹脂付着工程で、ウ
エハ単位で圧力センサ素子に一括的にシリコン樹脂を付
着させるようにしているので、半導体圧力検出装置の生
産性が高められる。
【００３０】本発明の第１０の態様にかかる半導体圧力
検出装置の製造方法においては、モールド成形時にモー
ルド金型の係合部と圧力センサ素子との間に弾性体が介
在するので、両者間のシール性が良くなり、モールド成
形時に圧力センサ素子のダイヤフラム部に対応する部分
にはモールド樹脂が流入しない。したがって、圧力セン
サ素子のダイヤフラム部に対応する部分にモールド樹脂
が付着しない。また、ボンディング前には圧力センサ素
子のボンディングパッドにシリコン樹脂が流れ込まな
い。
検出装置の製造方法においては、モールド成形時にモー
ルド金型の係合部と圧力センサ素子との間に弾性体が介
在するので、両者間のシール性が良くなり、モールド成
形時に圧力センサ素子のダイヤフラム部に対応する部分
にはモールド樹脂が流入しない。したがって、圧力セン
サ素子のダイヤフラム部に対応する部分にモールド樹脂
が付着しない。また、ボンディング前には圧力センサ素
子のボンディングパッドにシリコン樹脂が流れ込まな
い。
【００３１】本発明の第１１の態様にかかる半導体圧力
検出装置の製造方法においては、モールド成形時にモー
ルド金型の係合部と圧力センサ素子との間にＯリングが
介在するので、両者間のシール性が良くなり、モールド
成形時に圧力センサ素子のダイヤフラム部に対応する部
分にはモールド樹脂が流入しない。したがって、圧力セ
ンサ素子のダイヤフラム部に対応する部分にモールド樹
脂が付着しない。また、ボンディング前には圧力センサ
素子のボンディングパッドにシリコン樹脂が流れ込まな
い。
検出装置の製造方法においては、モールド成形時にモー
ルド金型の係合部と圧力センサ素子との間にＯリングが
介在するので、両者間のシール性が良くなり、モールド
成形時に圧力センサ素子のダイヤフラム部に対応する部
分にはモールド樹脂が流入しない。したがって、圧力セ
ンサ素子のダイヤフラム部に対応する部分にモールド樹
脂が付着しない。また、ボンディング前には圧力センサ
素子のボンディングパッドにシリコン樹脂が流れ込まな
い。
【００３２】本発明の第１２の態様にかかる半導体圧力
検出装置の製造方法においては、基本的には第１０又は
第１１の態様にかかる半導体圧力検出装置の製造方法の
場合と同様の作用が生じる。さらに、弾性体又はＯリン
グをゴムで形成するようにしているので、該弾性体又は
Ｏリングを容易かつ安価につくることができる。
検出装置の製造方法においては、基本的には第１０又は
第１１の態様にかかる半導体圧力検出装置の製造方法の
場合と同様の作用が生じる。さらに、弾性体又はＯリン
グをゴムで形成するようにしているので、該弾性体又は
Ｏリングを容易かつ安価につくることができる。
【００３３】
【実施例】以下、本発明の実施例を具体的に説明する。
なお、以下の各実施例においては、説明の重複を避ける
ため図８〜図１０に示す従来の半導体圧力検出装置と共
通する各部材には図８〜図１０の場合と同一の番号を付
し、その説明を省略する。また、各実施例における半導
体圧力検出装置の製造方法において、以下にとくに記載
していない事項は、前記の「従来の技術」で説明した従
来の製造方法の場合と同様である。
なお、以下の各実施例においては、説明の重複を避ける
ため図８〜図１０に示す従来の半導体圧力検出装置と共
通する各部材には図８〜図１０の場合と同一の番号を付
し、その説明を省略する。また、各実施例における半導
体圧力検出装置の製造方法において、以下にとくに記載
していない事項は、前記の「従来の技術」で説明した従
来の製造方法の場合と同様である。
【００３４】＜第１実施例＞図１（ａ）及び図１（ｂ）
に示すように、第１実施例における半導体圧力検出装置
の製造方法においては、まず圧力センサ素子２を台座８
に接合する。続いて、圧力センサ素子２を伴った台座８
をステム１に接着する。次に、ワイヤ５をインナリード
３と圧力センサ素子２とにボンディングし、この後圧力
センサ素子２の外側表面全体にシリコン樹脂４をポッテ
ィングする（付着させる）。このシリコン樹脂４は、圧
力検出への影響を防止して半導体圧力検出装置の検出精
度を高めるために、弾力性のあるものを使用するのが好
ましい。該製造工程の最終工程であるモールド成形工程
においては、ダイヤフラム部９上のシリコン樹脂４がモ
ールド金型７の当接部７ａで押圧され、モールド樹脂６
のダイヤフラム９への流れ込みが防止される。したがっ
て、圧力センサ素子２のダイヤフラム部９に対応する部
分にはモールド樹脂６が付着しない。
に示すように、第１実施例における半導体圧力検出装置
の製造方法においては、まず圧力センサ素子２を台座８
に接合する。続いて、圧力センサ素子２を伴った台座８
をステム１に接着する。次に、ワイヤ５をインナリード
３と圧力センサ素子２とにボンディングし、この後圧力
センサ素子２の外側表面全体にシリコン樹脂４をポッテ
ィングする（付着させる）。このシリコン樹脂４は、圧
力検出への影響を防止して半導体圧力検出装置の検出精
度を高めるために、弾力性のあるものを使用するのが好
ましい。該製造工程の最終工程であるモールド成形工程
においては、ダイヤフラム部９上のシリコン樹脂４がモ
ールド金型７の当接部７ａで押圧され、モールド樹脂６
のダイヤフラム９への流れ込みが防止される。したがっ
て、圧力センサ素子２のダイヤフラム部９に対応する部
分にはモールド樹脂６が付着しない。
【００３５】このため、半導体圧力検出装置の圧力検出
精度が高められる。また、ワイヤボンド後にシリコン樹
脂４をポッティングするので、すなわちワイヤボンド前
には圧力センサ素子２のボンディングパッド１４にシリ
コン樹脂が流れ込まないのでワイヤ５と圧力センサ素子
２との間のボンディング強度（接続強度）が高められ、
ポッティング強度の低下が生じない。このように、第１
実施例によれば、ダイヤフラム部９へのモールド樹脂６
の流れ込みが防止され、正確に圧力検出を行うことがで
き、かつボンディング強度の低下を有効に防止すること
ができる。
精度が高められる。また、ワイヤボンド後にシリコン樹
脂４をポッティングするので、すなわちワイヤボンド前
には圧力センサ素子２のボンディングパッド１４にシリ
コン樹脂が流れ込まないのでワイヤ５と圧力センサ素子
２との間のボンディング強度（接続強度）が高められ、
ポッティング強度の低下が生じない。このように、第１
実施例によれば、ダイヤフラム部９へのモールド樹脂６
の流れ込みが防止され、正確に圧力検出を行うことがで
き、かつボンディング強度の低下を有効に防止すること
ができる。
【００３６】＜第２実施例＞図２に示すように、第２本
実施例では、圧力センサ素子２のダイヤフラム部９のみ
にシリコン樹脂４をポッティングするようにしている。
この第２実施例によれば、基本的には第１実施例の場合
と同様の作用・効果が得られるが、圧力センサ素子２の
外側表面の全面にはシリコン樹脂４をポッティングしな
いので、シリコン樹脂４の使用量が低減され、これによ
り半導体圧力検出装置の製造コストが低減される。
実施例では、圧力センサ素子２のダイヤフラム部９のみ
にシリコン樹脂４をポッティングするようにしている。
この第２実施例によれば、基本的には第１実施例の場合
と同様の作用・効果が得られるが、圧力センサ素子２の
外側表面の全面にはシリコン樹脂４をポッティングしな
いので、シリコン樹脂４の使用量が低減され、これによ
り半導体圧力検出装置の製造コストが低減される。
【００３７】＜第３実施例＞図３及び図４に示すよう
に、第３実施例では、圧力センサ素子２のダイヤフラム
部９以外の部分にシリコン樹脂４が流れ出ないように、
ウエハプロセスの段階でダイヤフラム部９以外の部分を
ガラス等を用いてコーティングし、段差をつけるように
している。第３実施例によれば、シリコン樹脂４がダイ
ヤフラム部９以外の部分に流れ出ないので、ワイヤボン
ド工程をシリコン樹脂ポッティング工程の前後のいずれ
で行ってもよく、組み立て工程の自由度が増す。このよ
うに第３実施例では、ダイヤフラム部９へのモールド樹
脂６の流れ込みが防止され、かつワイヤ５と圧力センサ
素子２との間のボンディング強度の低下が防止される。
に、第３実施例では、圧力センサ素子２のダイヤフラム
部９以外の部分にシリコン樹脂４が流れ出ないように、
ウエハプロセスの段階でダイヤフラム部９以外の部分を
ガラス等を用いてコーティングし、段差をつけるように
している。第３実施例によれば、シリコン樹脂４がダイ
ヤフラム部９以外の部分に流れ出ないので、ワイヤボン
ド工程をシリコン樹脂ポッティング工程の前後のいずれ
で行ってもよく、組み立て工程の自由度が増す。このよ
うに第３実施例では、ダイヤフラム部９へのモールド樹
脂６の流れ込みが防止され、かつワイヤ５と圧力センサ
素子２との間のボンディング強度の低下が防止される。
【００３８】＜第４実施例＞図５に示すように、第４実
施例では、ウエハ状態でダイヤフラム部９にシリコン樹
脂４を印刷するようにしている。このようにウエハ単位
で印刷するようにしているので、第１〜第３実施例にか
かる半導体圧力検出装置の製造方法に比べて工程時間を
短縮することができ、半導体圧力検出装置の製造コスト
を低減することができる。
施例では、ウエハ状態でダイヤフラム部９にシリコン樹
脂４を印刷するようにしている。このようにウエハ単位
で印刷するようにしているので、第１〜第３実施例にか
かる半導体圧力検出装置の製造方法に比べて工程時間を
短縮することができ、半導体圧力検出装置の製造コスト
を低減することができる。
【００３９】＜第５実施例＞図６に示すように、第５実
施例では、モールド成形時に使用するモールド金型７の
係合部７ｂ、すなわち圧力センサ素子２のダイヤフラム
部９に接触（係合）する部分に弾性体であるゴム１１を
取り付け、ダイヤフラム部９を押圧するようにしてい
る。これにより、モールド成形時にモールド樹脂６がダ
イヤフラム部９に流れ込むのが有効に防止される。ま
た、圧力センサ素子２上へのシリコン樹脂のポッティン
グを行う必要がなくなる。このように、第５実施例によ
れば、ダイヤフラム部９へのモールド樹脂６の流れ込み
が防止され、正確に圧力検出を行うことができる。ま
た、シリコン樹脂のポッティングを行う必要がなくなる
ので、ポッティングパッド１４へのシリコン樹脂の流れ
込みに起因するボンディング強度の低下が生じない。さ
らに、工数が削減できるので、半導体圧力検出装置の製
造コストが低減される。
施例では、モールド成形時に使用するモールド金型７の
係合部７ｂ、すなわち圧力センサ素子２のダイヤフラム
部９に接触（係合）する部分に弾性体であるゴム１１を
取り付け、ダイヤフラム部９を押圧するようにしてい
る。これにより、モールド成形時にモールド樹脂６がダ
イヤフラム部９に流れ込むのが有効に防止される。ま
た、圧力センサ素子２上へのシリコン樹脂のポッティン
グを行う必要がなくなる。このように、第５実施例によ
れば、ダイヤフラム部９へのモールド樹脂６の流れ込み
が防止され、正確に圧力検出を行うことができる。ま
た、シリコン樹脂のポッティングを行う必要がなくなる
ので、ポッティングパッド１４へのシリコン樹脂の流れ
込みに起因するボンディング強度の低下が生じない。さ
らに、工数が削減できるので、半導体圧力検出装置の製
造コストが低減される。
【００４０】＜第６実施例＞図７に示すように、第６実
施例では、モールド金型７の係合部７ｂの、ダイヤフラ
ム部９の外周部と係合する部分に、弾性体である（弾力
性のある）Ｏリング１２を取り付けるようにしている。
このＯリング１２によって、ダイヤフラム部９内にモー
ルド樹脂６が流れ込むのが防止される。また、このＯリ
ング１２はダイヤフラム部９には接触しないので、接触
によってダイヤフラム部９が損傷を受けるのが防止さ
れ、損傷による圧力検出異常が防止される。このよう
に、第６実施例によれば、モールド樹脂６のダイヤフラ
ム部９への流れ込みが防止されるとともに、ダイヤフラ
ム部９の損傷が防止され、半導体圧力検出装置の品質な
いしは圧力検出精度が高められる。
施例では、モールド金型７の係合部７ｂの、ダイヤフラ
ム部９の外周部と係合する部分に、弾性体である（弾力
性のある）Ｏリング１２を取り付けるようにしている。
このＯリング１２によって、ダイヤフラム部９内にモー
ルド樹脂６が流れ込むのが防止される。また、このＯリ
ング１２はダイヤフラム部９には接触しないので、接触
によってダイヤフラム部９が損傷を受けるのが防止さ
れ、損傷による圧力検出異常が防止される。このよう
に、第６実施例によれば、モールド樹脂６のダイヤフラ
ム部９への流れ込みが防止されるとともに、ダイヤフラ
ム部９の損傷が防止され、半導体圧力検出装置の品質な
いしは圧力検出精度が高められる。
【００４１】
【発明の効果】本発明の第１の態様にかかる半導体圧力
検出装置によれば、モールド成形時に圧力センサ素子の
ダイヤフラム部に対応する部分にはモールド樹脂が流入
せず、したがって圧力センサ素子のダイヤフラム部に対
応する部分にモールド樹脂が付着しないので、半導体圧
力検出装置の圧力検出精度が高められる。また、ボンデ
ィング前には圧力センサ素子のボンディングパッドにシ
リコン樹脂が流れ込まないので、ワイヤと圧力センサ素
子との間のボンディング強度が高められる。
検出装置によれば、モールド成形時に圧力センサ素子の
ダイヤフラム部に対応する部分にはモールド樹脂が流入
せず、したがって圧力センサ素子のダイヤフラム部に対
応する部分にモールド樹脂が付着しないので、半導体圧
力検出装置の圧力検出精度が高められる。また、ボンデ
ィング前には圧力センサ素子のボンディングパッドにシ
リコン樹脂が流れ込まないので、ワイヤと圧力センサ素
子との間のボンディング強度が高められる。
【００４２】本発明の第２の態様にかかる半導体圧力検
出装置によれば、モールド成形時に圧力センサ素子のダ
イヤフラム部に対応する部分にはモールド樹脂が流入せ
ず、したがって圧力センサ素子のダイヤフラム部に対応
する部分にモールド樹脂が付着しないので、シリコン樹
脂の使用量を低減しつつ、半導体圧力検出装置の圧力検
出精度を高めることができる。また、ボンディング前に
は圧力センサ素子のボンディングパッドにシリコン樹脂
が流れ込まないので、ワイヤと圧力センサ素子との間の
ボンディング強度が高められる。
出装置によれば、モールド成形時に圧力センサ素子のダ
イヤフラム部に対応する部分にはモールド樹脂が流入せ
ず、したがって圧力センサ素子のダイヤフラム部に対応
する部分にモールド樹脂が付着しないので、シリコン樹
脂の使用量を低減しつつ、半導体圧力検出装置の圧力検
出精度を高めることができる。また、ボンディング前に
は圧力センサ素子のボンディングパッドにシリコン樹脂
が流れ込まないので、ワイヤと圧力センサ素子との間の
ボンディング強度が高められる。
【００４３】本発明の第３の態様にかかる半導体圧力検
出装置によれば、基本的には第２の態様にかかる半導体
圧力検出装置の場合と同様の効果が得られる。さらに、
シリコン樹脂がダイヤフラム部以外の部分に流れ出ない
ので、シリコン樹脂の使用量が低減され、半導体圧力検
出装置の製造コストが低減される。
出装置によれば、基本的には第２の態様にかかる半導体
圧力検出装置の場合と同様の効果が得られる。さらに、
シリコン樹脂がダイヤフラム部以外の部分に流れ出ない
ので、シリコン樹脂の使用量が低減され、半導体圧力検
出装置の製造コストが低減される。
【００４４】本発明の第４の態様にかかる半導体圧力検
出装置によれば、基本的には第３の態様にかかる半導体
圧力検出装置の場合と同様の効果が得られる。さらに、
ガラスでコーティングが行われ、該コーティングを容易
かつ安価に行うことができるので、半導体圧力検出装置
の製造コストが低減される。
出装置によれば、基本的には第３の態様にかかる半導体
圧力検出装置の場合と同様の効果が得られる。さらに、
ガラスでコーティングが行われ、該コーティングを容易
かつ安価に行うことができるので、半導体圧力検出装置
の製造コストが低減される。
【００４５】本発明の第５の態様にかかる半導体圧力検
出装置の製造方法によれば、モールド成形時に圧力セン
サ素子のダイヤフラム部に対応する部分にはモールド樹
脂が流入せず、したがって圧力センサ素子のダイヤフラ
ム部に対応する部分にモールド樹脂が付着しないで、半
導体圧力検出装置の圧力検出精度が高められる。また、
ボンディング前には圧力センサ素子のボンディングパッ
ドにシリコン樹脂が流れ込まないので、ボンディング強
度が高められる。
出装置の製造方法によれば、モールド成形時に圧力セン
サ素子のダイヤフラム部に対応する部分にはモールド樹
脂が流入せず、したがって圧力センサ素子のダイヤフラ
ム部に対応する部分にモールド樹脂が付着しないで、半
導体圧力検出装置の圧力検出精度が高められる。また、
ボンディング前には圧力センサ素子のボンディングパッ
ドにシリコン樹脂が流れ込まないので、ボンディング強
度が高められる。
【００４６】本発明の第６の態様にかかる半導体圧力検
出装置の製造方法によれば、モールド成形時に圧力セン
サ素子のダイヤフラム部に対応する部分にはモールド樹
脂が流入せず、したがって圧力センサ素子のダイヤフラ
ム部に対応する部分にモールド樹脂が付着しないので、
半導体圧力検出装置の圧力検出精度が高められる。ま
た、ボンディング前には圧力センサ素子のボンディング
パッドにシリコン樹脂が流れ込まないので、ボンディン
グ強度が高められる。
出装置の製造方法によれば、モールド成形時に圧力セン
サ素子のダイヤフラム部に対応する部分にはモールド樹
脂が流入せず、したがって圧力センサ素子のダイヤフラ
ム部に対応する部分にモールド樹脂が付着しないので、
半導体圧力検出装置の圧力検出精度が高められる。ま
た、ボンディング前には圧力センサ素子のボンディング
パッドにシリコン樹脂が流れ込まないので、ボンディン
グ強度が高められる。
【００４７】本発明の第７の態様にかかる半導体圧力検
出装置の製造方法によれば、基本的には第６の態様にか
かる半導体圧力検出装置の製造方法の場合と同様の効果
が得られる。さらに、シリコン樹脂がダイヤフラム部以
外の部分に流れ出ないので、シリコン樹脂の使用量が低
減され、半導体圧力検出装置の製造コストが低減され
る。
出装置の製造方法によれば、基本的には第６の態様にか
かる半導体圧力検出装置の製造方法の場合と同様の効果
が得られる。さらに、シリコン樹脂がダイヤフラム部以
外の部分に流れ出ないので、シリコン樹脂の使用量が低
減され、半導体圧力検出装置の製造コストが低減され
る。
【００４８】本発明の第８の態様にかかる半導体圧力検
出装置の製造方法によれば、基本的には第７の態様にか
かる半導体圧力検出装置の製造方法の場合と同様の効果
が得られる。さらに、ガラスでコーティングを行うよう
にしているので、該コーティングを容易かつ安価に行う
ことができ、半導体圧力検出装置の製造コストが低減さ
れる。
出装置の製造方法によれば、基本的には第７の態様にか
かる半導体圧力検出装置の製造方法の場合と同様の効果
が得られる。さらに、ガラスでコーティングを行うよう
にしているので、該コーティングを容易かつ安価に行う
ことができ、半導体圧力検出装置の製造コストが低減さ
れる。
【００４９】本発明の第９の態様にかかる半導体圧力検
出装置の製造方法によれば、基本的には第６の態様にか
かる半導体圧力検出装置の製造方法の場合と同様の効果
が得られる。さらに、ウエハ単位で圧力センサ素子に一
括的にシリコン樹脂を付着させるようにしているので、
半導体圧力検出装置の生産性が高められ、その製造コス
トが低減される。
出装置の製造方法によれば、基本的には第６の態様にか
かる半導体圧力検出装置の製造方法の場合と同様の効果
が得られる。さらに、ウエハ単位で圧力センサ素子に一
括的にシリコン樹脂を付着させるようにしているので、
半導体圧力検出装置の生産性が高められ、その製造コス
トが低減される。
【００５０】本発明の第１０の態様にかかる半導体圧力
検出装置の製造方法においては、圧力センサ素子のダイ
ヤフラム部に対応する部分にはモールド樹脂が流入せ
ず、したがって圧力センサ素子のダイヤフラム部に対応
する部分にモールド樹脂が付着しないので、半導体圧力
検出装置の圧力検出精度が高められる。また、ボンディ
ング前には圧力センサ素子のボンディングパッドにシリ
コン樹脂が流れ込まないので、ボンディング強度が高め
られる。
検出装置の製造方法においては、圧力センサ素子のダイ
ヤフラム部に対応する部分にはモールド樹脂が流入せ
ず、したがって圧力センサ素子のダイヤフラム部に対応
する部分にモールド樹脂が付着しないので、半導体圧力
検出装置の圧力検出精度が高められる。また、ボンディ
ング前には圧力センサ素子のボンディングパッドにシリ
コン樹脂が流れ込まないので、ボンディング強度が高め
られる。
【００５１】本発明の第１１の態様にかかる半導体圧力
検出装置の製造方法によれば、モールド成形時に圧力セ
ンサ素子のダイヤフラム部に対応する部分にはモールド
樹脂が流入せず、したがって圧力センサ素子のダイヤフ
ラム部に対応する部分にモールド樹脂が付着しないの
で、半導体圧力検出装置の圧力検出精度が高められる。
また、ボンディング前には圧力センサ素子のボンディン
グパッドにシリコン樹脂が流れ込まないので、ボンディ
ング強度が高められる。
検出装置の製造方法によれば、モールド成形時に圧力セ
ンサ素子のダイヤフラム部に対応する部分にはモールド
樹脂が流入せず、したがって圧力センサ素子のダイヤフ
ラム部に対応する部分にモールド樹脂が付着しないの
で、半導体圧力検出装置の圧力検出精度が高められる。
また、ボンディング前には圧力センサ素子のボンディン
グパッドにシリコン樹脂が流れ込まないので、ボンディ
ング強度が高められる。
【００５２】本発明の第１２の態様にかかる半導体圧力
検出装置の製造方法によれば、基本的には第１０又は第
１１の態様にかかる半導体圧力検出装置の製造方法の場
合と同様の効果が得られる。さらに、弾性体又はＯリン
グを容易かつ安価につくることができるので、半導体圧
力検出装置の製造コストを低減することができる。
検出装置の製造方法によれば、基本的には第１０又は第
１１の態様にかかる半導体圧力検出装置の製造方法の場
合と同様の効果が得られる。さらに、弾性体又はＯリン
グを容易かつ安価につくることができるので、半導体圧
力検出装置の製造コストを低減することができる。
【図１】 （ａ）は本発明の第１実施例にかかる半導体
圧力検出装置の平面図（上視）であり、（ｂ）は（ａ）
に示す半導体圧力検出装置の立面断面図である。
圧力検出装置の平面図（上視）であり、（ｂ）は（ａ）
に示す半導体圧力検出装置の立面断面図である。
【図２】 本発明の第２実施例にかかる半導体圧力検出
装置の平面図（上視）である。
装置の平面図（上視）である。
【図３】 本発明の第３実施例にかかる半導体圧力検出
装置の平面図（上視）である。
装置の平面図（上視）である。
【図４】 本発明の第３実施例にかかる半導体圧力検出
装置の立面断面図である。
装置の立面断面図である。
【図５】 本発明の第４実施例にかかる圧力センサ素子
のウエハの平面図である。
のウエハの平面図である。
【図６】 本発明の第５実施例にかかる半導体圧力検出
装置の立面断面図である。
装置の立面断面図である。
【図７】 本発明の第６実施例にかかる半導体圧力検出
装置の立面断面図である。
装置の立面断面図である。
【図８】 従来の半導体圧力検出装置の平面図（上視）
である。
である。
【図９】 図８に示す従来の半導体圧力検出装置の立面
断面図である。
断面図である。
【図１０】 製造途上にある従来の半導体圧力検出装置
及びモールド金型の立面断面図である。
及びモールド金型の立面断面図である。
１ ステム、２ 圧力センサ素子、３ インナリード、
４ シリコン樹脂、５ワイヤ、６ モールド樹脂、７
モールド金型、７ａ 当接部、７ｂ 係合部、８ 台
座、９ ダイヤフラム部、１０ ガラスコート、１１
ゴム、１２ Ｏリング、１３ シリコン樹脂、１４ ボ
ンディングパッド、１６ 空間部。
４ シリコン樹脂、５ワイヤ、６ モールド樹脂、７
モールド金型、７ａ 当接部、７ｂ 係合部、８ 台
座、９ ダイヤフラム部、１０ ガラスコート、１１
ゴム、１２ Ｏリング、１３ シリコン樹脂、１４ ボ
ンディングパッド、１６ 空間部。
Claims (12)
- 【請求項１】 半導体からなるダイヤフラム部を備えた
圧力センサ素子と、該圧力センサ素子を保持する台座
と、上記圧力センサ素子に接続されたワイヤとが、上記
ダイヤフラム部がモールドされないようにしてモールド
樹脂でモールド成形されている半導体圧力検出装置であ
って、 上記圧力センサ素子の外側表面全体にシリコン樹脂がつ
けられていることを特徴とする半導体圧力検出装置。 - 【請求項２】 半導体からなるダイヤフラム部を備えた
圧力センサ素子と、該圧力センサ素子を保持する台座
と、上記圧力センサ素子に接続されたワイヤとが、上記
ダイヤフラム部がモールドされないようにしてモールド
樹脂でモールド成形されている半導体圧力検出装置であ
って、 上記ダイヤフラム部の外側表面にシリコン樹脂がつけら
れていることを特徴とする半導体圧力検出装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載された半導体圧力検出装
置において、 上記圧力センサ素子の、上記ダイヤフラム部以外の部分
の外側表面にコーティングが施されていることを特徴と
する半導体圧力検出装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載された半導体圧力検出装
置において、 上記コーティングがガラスコーティングであることを特
徴とする半導体圧力検出装置。 - 【請求項５】 半導体からなるダイヤフラム部を備えた
圧力センサ素子を台座の上に配置する圧力センサ素子配
置工程と、 上記圧力センサ素子にワイヤを接続するワイヤ接続工程
と、 上記のワイヤが接続された圧力センサ素子の外側表面全
体にシリコン樹脂を付着させるシリコン樹脂付着工程
と、 モールド成形時に上記圧力センサ素子のダイヤフラム部
に対応する部分に当接する当接部を備えたモールド金型
を用いて、上記部分がモールドされないようにして、上
記圧力センサ素子と上記ワイヤと上記台座とをモールド
樹脂でモールド成形するモールド成形工程とを含む半導
体圧力検出装置の製造方法。 - 【請求項６】 半導体からなるダイヤフラム部を備えた
圧力センサ素子を台座の上に配置する圧力センサ素子配
置工程と、 圧力センサ素子にワイヤを接続するとともに、上記ダイ
ヤフラム部の外側表面にシリコン樹脂を付着させるシリ
コン樹脂付着工程と、 モールド成形時に上記圧力センサ素子のダイヤフラム部
に対応する部分に当接する当接部を備えたモールド金型
を用いて、上記部分がモールドされないようにして、上
記圧力センサ素子と上記ワイヤと上記台座とをモールド
樹脂でモールド成形するモールド成形工程とを含む半導
体圧力検出装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載された半導体圧力検出装
置の製造方法において、 上記圧力センサ素子製造のウエハプロセス工程で、上記
圧力センサ素子の上記ダイヤフラム部以外の部分にコー
ティングを施すコーティング工程を含むことを特徴とす
る半導体圧力検出装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項７に記載された半導体圧力検出装
置の製造方法において、 上記コーティング工程では、ガラスでコーティングを施
すようにしたことを特徴とする半導体圧力検出装置の製
造方法。 - 【請求項９】 請求項６に記載された半導体圧力検出装
置の製造方法において、 １つのウエハから複数の圧力センサ素子をつくるように
し、上記シリコン樹脂付着工程で、ウエハ単位で圧力セ
ンサ素子にシリコン樹脂を付着させるようにしたことを
特徴とする半導体圧力検出装置の製造方法。 - 【請求項１０】 半導体からなるダイヤフラム部を備え
た圧力センサ素子を台座の上に配置する圧力センサ素子
配置工程と、 上記圧力センサ素子にワイヤを接続するワイヤ接続工程
と、 モールド成形時に上記ダイヤフラム部に係合する係合部
を備えるとともに、該係合部の表面にモールド成形時に
上記ダイヤフラム部を押圧する弾性体が取り付けられて
いるモールド金型を用いて、上記ダイヤフラム部がモー
ルドされないようにして、上記圧力センサ素子と上記ワ
イヤと上記台座とをモールド樹脂でモールド成形するモ
ールド成形工程とを含む半導体圧力検出装置の製造方
法。 - 【請求項１１】 半導体からなるダイヤフラム部を備え
た圧力センサ素子を台座の上に配置する圧力センサ素子
配置工程と、 上記圧力センサ素子にワイヤを接続するワイヤ接続工程
と、 モールド成形時に上記ダイヤフラム部に係合する係合部
を備え、該係合部の表面にモールド成形時に上記ダイヤ
フラム部の外周部を押圧するＯリングが取り付けられて
いるモールド金型を用いて、上記ダイヤフラム部がモー
ルドされないようにして、上記圧力センサ素子と上記ワ
イヤと上記台座とをモールド樹脂でモールド成形するモ
ールド成形工程とを含む半導体圧力検出装置の製造方
法。 - 【請求項１２】 請求項１０又は請求項１１に記載され
た半導体圧力検出装置の製造方法において、 上記弾性体又はＯリングをゴムで形成するようにしたこ
とを特徴とする半導体圧力検出装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7160435A JPH0915074A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | 半導体圧力検出装置及びその製造方法 |
| US08/543,439 US5703393A (en) | 1995-06-27 | 1995-10-16 | Semiconductor pressure detecting device and manufacturing method of the device |
| US08/919,312 US5811321A (en) | 1995-06-27 | 1997-08-28 | Semiconductor pressure detecting device and manufacturing method of the device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7160435A JPH0915074A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | 半導体圧力検出装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0915074A true JPH0915074A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15714878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7160435A Pending JPH0915074A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | 半導体圧力検出装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5703393A (ja) |
| JP (1) | JPH0915074A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19724025A1 (de) * | 1997-06-06 | 1998-12-10 | Siemens Ag | Drucksensor-Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
| US7554167B2 (en) * | 2003-12-29 | 2009-06-30 | Vladimir Vaganov | Three-dimensional analog input control device |
| US7772657B2 (en) * | 2004-12-28 | 2010-08-10 | Vladimir Vaganov | Three-dimensional force input control device and fabrication |
| US8350345B2 (en) | 2003-12-29 | 2013-01-08 | Vladimir Vaganov | Three-dimensional input control device |
| US7476952B2 (en) * | 2004-12-28 | 2009-01-13 | Vladimir Vaganov | Semiconductor input control device |
| US9034666B2 (en) | 2003-12-29 | 2015-05-19 | Vladimir Vaganov | Method of testing of MEMS devices on a wafer level |
| US7880247B2 (en) * | 2003-12-29 | 2011-02-01 | Vladimir Vaganov | Semiconductor input control device |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5544786A (en) * | 1978-09-27 | 1980-03-29 | Hitachi Ltd | Pressure sensor |
| JPS60153180A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| US4843454A (en) * | 1985-11-26 | 1989-06-27 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor pressure transducer |
| US5002901A (en) * | 1986-05-07 | 1991-03-26 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Method of making integral transducer structures employing high conductivity surface features |
| JPH02296373A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| DE4040821A1 (de) * | 1990-12-20 | 1992-06-25 | Bosch Gmbh Robert | Elektronisches bauelement und verfahren zu dessen aufbau |
| JPH05203522A (ja) * | 1992-01-23 | 1993-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | モールドパッケージ半導体圧力センサおよびその製造方法 |
| US5455203A (en) * | 1992-02-20 | 1995-10-03 | Seiko Instruments Inc. | Method of adjusting the pressure detection value of semiconductor pressure switches |
| JP3092307B2 (ja) * | 1992-04-16 | 2000-09-25 | 富士電機株式会社 | 半導体圧力センサ |
| US5459351A (en) * | 1994-06-29 | 1995-10-17 | Honeywell Inc. | Apparatus for mounting an absolute pressure sensor |
| US5528452A (en) * | 1994-11-22 | 1996-06-18 | Case Western Reserve University | Capacitive absolute pressure sensor |
-
1995
- 1995-06-27 JP JP7160435A patent/JPH0915074A/ja active Pending
- 1995-10-16 US US08/543,439 patent/US5703393A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-08-28 US US08/919,312 patent/US5811321A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5703393A (en) | 1997-12-30 |
| US5811321A (en) | 1998-09-22 |
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