JPH09138977A

JPH09138977A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH09138977A
Application number: JP7298596A
Authority: JP
Inventors: Masatoshi Yanagimachi; 昌俊柳町; Sumio Hirose; 純夫広瀬; Yoshiteru Taniguchi; 義輝谷口; Hideki Umehara; 英樹梅原
Original assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority date: 1995-11-16
Filing date: 1995-11-16
Publication date: 1997-05-27
Anticipated expiration: 2015-11-16
Also published as: JP3662056B2

Abstract

(57)【要約】【解決手段】予めプリピットが形成されたＲＯＭ領
域とプリグルーブが形成された追記可能なＲＡＭ領域か
らなる基板の上に色素層、反射層、保護層がこの順に設
けられている光記録媒体において、前記ＲＡＭ領域にプ
リグルーブからなるウォブリング・トラックが略正弦曲
線状に形成され、且つ、前記ＲＯＭ領域にはウォブリン
グしていないプリピットのトラック上に重ねてプリピッ
トよりも浅いプリグルーブからなるウォブリング・トラ
ックが略正弦曲線状に形成されている光記録媒体。【効果】ＲＯＭ領域にプリピット・トラックとそれ
に重ねて特定の形状のウォブリング・プリグルーブを設
け、且つ、ＲＡＭ領域に特定の形状のウォブリング・プ
リグルーブを設けることによりオレンジブック（ＣＤ−
Ｒ）規格を満足する良好な信号特性を有するハイブリッ
ドディスクの提供が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光による情
報の記録及び再生が可能な光記録媒体であって、特に基
板上に設けられたプリピット部及びプリグルーブ部から
なる光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板上に予めプリピットが形成されたＲ
ＯＭ領域と、プリグルーブが形成された追記可能なＲＡ
Ｍ領域とからなる光記録媒体（ハイブリッドディスク）
については、例えば、特開平４−２４３０１９や特開平
５−３６０８７に記載されている。上記公報に記載され
ているように、ＲＯＭ領域におけるプリピット列からな
るトラックと、ＲＡＭ領域におけるプリグルーブとから
なるトラックは、絶対時間情報等を記録しておくために
周波数変調したウォブリング・トラックになっている。

【０００３】ハイブリッドディスクの記録装置は、この
絶対時間情報（ＡＴＩＰと呼ぶ）を読み取り、追記可能
領域の記録開始位置から記録を行うしくみになってい
る。従って、前記ハイブリッドディスクにおいてはＲＯ
Ｍ領域でも追記可能なＲＡＭ領域でも同様にＡＴＩＰ情
報を読み取れるようにしなければならない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プリピ
ット領域ではウォブルが断続的であるために、記録可能
領域と同じだけウォブリングさせても追記可能領域と同
様なＣ／Ｎが得られずに、ＡＴＩＰ情報の読み取りエラ
ーが生じるといった問題があり、解決が望まれていた。
その目的のためにいくつかの提案がされている。

【０００５】例えば、特開平４−２４３０１９では、プ
リピット列のトラックのウォブリング振幅をプリグルー
ブのトラックのウォブリング振幅よりも大きく設定する
ことによりＣ／Ｎを向上させ、ＡＴＩＰ情報の読み取り
エラーをなくすとする。また、特開平５−３６０８７で
は、ＲＯＭ領域のプリピット列のウォブリングトラック
に沿って、プリピットより浅いウォブリング・プリグル
ーブを設けることによりＣ／Ｎを向上させている。

【０００６】即ち、両提案はいずれもプリピットをウォ
ブリングさせていることに特徴がある。しかしながら、
再生用の光ヘッドはウォブリング・プリピットのうねり
（一般に２２．０５ｋＨｚ）に追従できず、まっすぐに
進むことことにより、ウォブリング・プリピットを斜め
に横切ったりするために、再生信号に時間軸方向のゆら
ぎを生じさせてしまうといった欠点がある。通常、この
時間軸方向のゆらぎのことをジッターと呼んでおり、ジ
ッターが大きいと、再生信号のデータ読み取りエラーが
生じてしまい、最悪の場合、再生不能になる恐れがあ
る。そこで、プリピット領域でのＡＴＩＰ情報が読み取
れて、且つ、信号のジッターが低く、データ読み取りエ
ラーの小さいハイブリッドディスクが望まれているので
ある。本発明は前記問題点を解決するものであり、ＲＯ
Ｍ領域のＡＴＩＰ信号のＣ／Ｎを向上させるとともにプ
リピット部のジッターを低く抑えたハイブリッドディス
クを提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、以
下の技術的事項により特定される。（１）予めプリピットが形成されたＲＯＭ領域と、プ
リグルーブが形成された追記可能なＲＡＭ領域とからな
る基板の上に、色素層、反射層、保護層がこの順に設け
られている光記録媒体において、前記ＲＡＭ領域にプリ
グルーブからなるウォブリング・トラックが略正弦曲線
状に形成され、且つ、前記ＲＯＭ領域には、ウォブリン
グしていないプリピットのトラック上に重ねて該プリピ
ットよりも浅いプリグルーブからなるウォブリング・ト
ラックが略正弦曲線状に形成されていることを特徴とす
る光記録媒体。（２）ＲＯＭ領域のプリピットの半価幅が０．４μｍ
以上０．７μｍ以下、深さが２００ｎｍ以上４５０ｎｍ
以下、プリグルーブの半価幅が０．２μｍ以上０．６μ
ｍ以下、深さが５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であり、Ｒ
ＡＭ領域のプリグルーブの半価幅が０．３μｍ以上０．
７μｍ以下、深さが１７０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であ
る（１）記載の光記録媒体。（３）ＲＯＭ領域のプリグルーブのウォブリング・ト
ラックの振幅が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、Ｒ
ＡＭ領域のプリグルーブのウォブリング・トラックの振
幅が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とす
る（１）または（２）記載の光記録媒体。（４）色素層がフタロシアニン色素よりなる（１）〜
（３）の何れかに記載の光記録媒体。（５）反射層がＡｕを主成分とする金属からなる
（１）〜（４）の何れかに記載の光記録媒体。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明に従えば、プリピット部と
プリグルーブ部のウォブリング再生信号のＣ／Ｎが均一
で、且つ、プリピット部の再生信号のジッターが低いハ
イブリッドディスクを提供することが可能となる。

【０００９】以下、本発明の実施の形態について説明す
る。本発明の光記録媒体は、基本的に、ウォブリングし
ていないプリピットのトラック上に重ねてプリグルーブ
からなるウォブリング・トラックが形成されているＲＯ
Ｍ領域と、プリグルーブからなるウォブリング・トラッ
クのみが形成されているＲＡＭ領域とが設けられた基板
上に記録層、反射層、保護層がこの順に形成された構造
を有していることを特徴とする。ＲＯＭ領域とＲＡＭ領
域は必要に応じて２つ以上設けてもよく、ＲＯＭ領域が
外周側にＲＡＭ領域が内周側にあってもよい。

【００１０】プリグルーブからなるウォブリング・トラ
ックは周波数変調信号を示すようにウォブリングされて
おり、内周から絶対時間の管理を行うようにしている。

【００１１】本発明におけるＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域
のプリグルーブのウォブリング振幅は特定の条件を満足
することが好ましい。即ち、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域
のプリグルーブのウォブリング振幅は２５ｎｍ以上１０
０ｎｍ以下の範囲にあることである。より好ましくは、
プリグルーブのウォブリング振幅が３０〜８０ｎｍの範
囲にある。さらに好ましくは３０〜４０ｎｍの範囲にあ
る。

【００１２】プリグルーブのウォブリング振幅が２５ｎ
ｍよりあまり小さくなると、再生信号のＣ／Ｎが小さす
ぎて、絶対時間のデータの読み取りエラーが生じ易くな
り、最悪の場合、読み取り不能になる恐れがある。ま
た、プリグルーブのウォブリング振幅が１００ｎｍより
あまり大きくなると、ピット列のうねりが大きいことに
より再生信号のジッターが大きくなり、データの読み取
りエラーが発生し、最悪の場合、信号再生不能になる恐
れがある。

【００１３】本発明におけるプリピット及びプリグルー
ブは、特定の形状を有するものであることが好ましい。
即ち、ＲＯＭ領域のプリピットの半価幅（ピット深さの
１／２の深さにおけるピットの幅）が０．４μｍ以上
０．７μｍ以下、深さが２００ｎｍ以上４５０ｎｍ以
下、プリグルーブの半価幅が０．２μｍ以上０．６μｍ
以下、深さが５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であるものが
好ましく、ＲＡＭ領域のプリグルーブの半価幅が０．３
μｍ以上０．７μｍ以下、深さが１７０ｎｍ以上２５０
ｎｍ以下であるものが好ましい。より好ましくは、ＲＯ
Ｍ領域のプリピットの半価幅が０．５μｍ以上０．６μ
ｍ以下、深さが２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、プリグ
ルーブの半価幅が０．２μｍ以上０．３μｍ以下、深さ
が５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＲＡＭ領域のプ
リグルーブの半価幅が０．４μｍ以上０．６μｍ以下、
深さが１８０ｎｍ以上２３０ｎｍ以下である。プリグル
ーブの半価幅や深さが上記範囲外であるとプリピットと
同様に変調度やサーボ信号が小さくなり、オレンジブッ
ク規格を満足できない場合がある。

【００１４】上記プリピットの断面形状は略台形である
ことが望ましい。これは上記プリグルーブより深くなる
ためレジスト膜厚でプリピットの深さの設定が可能であ
り、スタンパー製造が容易なことによる。一方、上記プ
リグルーブの断面形状は略Ｖ字形であることが望まし
い。これはプリグルーブが深溝であるとオレンジブック
規格を満足する反射率が得られないため、プリピットの
深さよりも浅くする必要がある。そのため、スタンパー
製造上、プリグルーブ形状は略Ｖ字形であることが好ま
しい。

【００１５】このような基板を作製するためのスタンパ
ー製造におけるスタンパー原盤は次のように作るのが望
ましい。即ち、ガラス基板上にフォトレジスト膜をプリ
ピットの深さに相当する厚さに形成する。これにレーザ
ー光を露光することによりプリピットまたはプリグルー
ブをカッティングする。プリピットのカッティングにお
いてはフォトレジスト膜の厚さ方向全部に照射されるよ
うに強いレーザーパワーで露光する。一方、プリグルー
ブのカッティングにおいてはプリグルーブの深さに対応
するようにフォトレジスト膜の厚さ方向の途中まででレ
ーザー光強度が減衰してしまうように弱いパワーで露光
を行う。露光後、現像を行うことによりプリピットはガ
ラス基板面が露出し、断面形状が略台形をしており、プ
リグルーブはガラス基板面まで現像されず、レーザービ
ームの強度分布に対応した断面形状が略Ｖ字形になって
いる。

【００１６】また、ＲＯＭ領域においてプリピットのト
ラック上にプリグルーブからなるウォブリング・トラッ
クを設けるには２つの露光用レーザービームを用いる。
即ち、プリピットをカッティングするための強いパワー
のレーザービーム (１) とウォブリング・プリグルーブ
をカッティングするための弱いパワーのレーザービーム
(２) をスタンパー原盤露光面上で重ねるように光学系
を調整し、レーザービーム (２) をＲＯＭ領域及びＲＡ
Ｍ領域の全域にわたってウォブリングさせながら連続照
射することによりプリグルーブを形成し、ＲＯＭ領域に
おいてはプリグルーブに重ねてレーザービーム (１) を
ＥＦＭ変調に対応してパルス照射することによりプリピ
ットを形成する。このようなスタンパーのカッティング
方法はそれ自身既に技術的には確立されているものであ
る。

【００１７】基板の材質としては、基本的には記録光及
び再生光の波長で透明なものであればよい。例えば、ポ
リカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル
酸メチル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキ
シ樹脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用され
る。これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基
板に成形される。透明性や基板成形性などを考慮すると
ポリカーボネート樹脂が最も適している。

【００１８】基板の上には膜厚１０〜２００ｎｍの記録
層を形成する。本発明における記録層はプリピット部及
びプリグルーブ部において特定の形状を有するものであ
る。以下に図１を用いて詳しく説明する。図１において
プラスチックからなる基板１の表面に色素からなる色素
層２が形成され、色素層２の上に金属からなる反射層
３、さらに反射層３の上に保護層４が形成されている。
基板１上にはプリピット６及びプリグルーブ５が形成さ
れている。色素層２は通常色素を有機溶剤に溶解して調
製した色素塗布溶液をスピンコーティング法により塗布
し乾燥することにより形成されたものである。前述した
ように色素溶液を塗布する方法を用いるとプリピット６
及びプリグルーブ５に色素が埋まるためにプリピット６
のピット底部７の色素層２の膜厚ｔ_pは基板１のプリピ
ット間部８の色素層２の膜厚ｔ_plよりも大きくなってい
る。プリピットの深さをｄ_pとすると反射層３と色素層
２の界面におけるプリピットの深さδ_pは、以下〔数
１〕のように表される。

【００１９】

【数１】δ_p＝ｄ_p＋ｔ_pl−ｔ_p プリピット底部７とプリピット間部８での光路長の差
（Ｌ_p）は、以下の式〔数２〕で表される。

【００２０】

【数２】Ｌ_p＝ｎ_sｄ_p＋ｎ_d（ｔ_pl−ｔ_p）＝ｎ_sｄ_p＋ｎ_d（δ_p−ｄ_p）但し、ｎ_sは基板１の屈折率であり、ｎ_dは色素層２の屈
折率である。

【００２１】通常、色素層の屈折率（ｎ_d）は基板の屈
折率（ｎ_s）より大きく、プリピットの深さ（ｄ_p）が
従来のものよりも深くなるため、プリピット底部７とプ
リピット間部８での光路長の差（Ｌ_p）は大きくなる。

【００２２】本発明における光記録媒体では、プリピッ
ト底部７とプリピット間部８での光路長の差（Ｌ_p）
は、０．２０λ以上０．４０λ以下、好ましくは０．２
５λ以上０．３５λ以下になるように構成されている。
Ｌ_pが小さすぎ０．２０λ未満ではピット底部とピット
間部の光路長差が小さすぎ、また、Ｌ_pが大きすぎて
０．４０λを越えると逆にピット底部とピット間部の光
路長差が大きすぎて、変調度が小さくなりオレンジブッ
ク（ＣＤ−Ｒ）規格を満足する良好な信号特性が得られ
ない。

【００２３】一方、プリグルーブ底部９とプリグルーブ
間部１０での光路長の差（Ｌ_g）は以下の式〔数３〕で
表される。

【００２４】

【数３】Ｌ_g＝ｎ_sｄ_g＋ｎ_d（ｔ_gl−ｔ_g）＝ｎ_sｄ_g＋ｎ_d（δ_g−ｄ_g）但し、ｄ_gはプリグルーブの深さ、δ_gは反射層３と色素
層２の界面におけるプリグルーブの深さ（δ_g＝ｄ_g＋ｔ
_gl−ｔ_g）、ｔ_glはプリグルーブ間部１０での色素層２
の膜厚、ｔ_gはプリグルーブ底部９での色素層２の膜厚
である。

【００２５】本発明における光記録媒体では、プリグル
ーブ底部９とプリグルーブ間部１０での光路長の差（Ｌ
_g）は、０．１５λ以下、好ましくは０．１０λ以下小
さくなるように構成されている。Ｌ_gが大きすぎて０．
１５λを越えると光路長が大きすぎて、反射率が低下
し、オレンジブック（ＣＤ−Ｒ）規格を満足することが
できない。

【００２６】本発明における記録層は、フタロシアニン
色素、特に置換基を有し、中心に金属原子をもつ有機溶
媒に可溶なフタロシアニン色素を用いることが好まし
い。この置換基としては、水素や塩素、臭素、ヨウ素等
のハロゲン、置換または無置換のアルキル基、アリール
基、不飽和アルキル基、アルコキシル基、アリールオキ
シ基、不飽和アルコキシル基、アルキルチオ基、アリー
ルチオ基、不飽和アルキルチオ基、カルボン酸エステル
基、カルボン酸アミド基、シリル基、アミノ基等が挙げ
られる。これらは、対応するフタロジニトリル誘導体を
有機溶媒中で対応する中心金属化合物とそれ自体公知の
方法により反応させて得られる。

【００２７】前記置換基のより具体的な例としては、ア
ルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ネ
オペンチル基、イソアミル基、２−メチルブチル基、ｎ
−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペン
チル基、４−メチルペンチル基、２−エチルブチル基、
ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘ
キシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル
基、２−エチルヘキシル基、３−エチルペンチル基、ｎ
−オクチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプ
チル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル
基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、ｎ
−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基等の一級ア
ルキル基；イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、１−エ
チルプロピル基、１−メチルブチル基、１，２−ジメチ
ルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルブチ
ル基、１，３−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブ
チル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、１−メチ
ルヘキシル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピルブ
チル基、１−イソプロピル−２−メチルプロピル基、１
−エチル−２−メチルブチル基、１−プロピル−２−メ
チルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルヘ
キシル基、１−プロピルペンチル基、１−イソプロピル
ペンチル基、１−イソプロピル−２−メチルブチル基、
１−イソプロピル−３−メチルブチル基、１−メチルオ
クチル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピルヘキシ
ル基、１−イソブチル−３−メチルブチル基等の二級ア
ルキル基；ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル
基、ｔｅｒｔ−アミノ基、ｔｅｒｔ−オクチル基等の三
級アルキル基；シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘ
キシル基、４−エチルシクロヘキシル基、４−ｔｅｒｔ
−ブチルシクロヘキシル基、４−（２−エチルヘキシ
ル）シクロヘキシル基、ボルニル基、イソブルニル基、
アダマンタン基等のシクロアルキル基等が；アリール基
としては、フェニル基、エチルフェニル基、ブチルフェ
ニル基、ノニルフェニル基、ナフチル基、ブチルナフチ
ル基、ノニルナフチル基等が；また、不飽和アルキル基
としては、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘ
キセン基、オクテン基、ドデセン基、シクロヘキセン
基、ブチルヘキセン基等が挙げられる。

【００２８】なお、これらのアルキル基、アリール基、
不飽和アルキル基はヒドロキシル基やハロゲン基等で置
換されてもよく、また、酸素、硫黄、窒素等の原子を介
して前記アルキル基、アリール基で置換されても良い。
酸素を介して置換されているアルキル基やアリール基と
しては、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキ
シメチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、エ
トキシエトキシエチル基、フェノキシエチル基、メトキ
シプロピル基、エトキシプロピル基、メトキシフェニル
基、ブトキシフェニル基、ポリオキシエチレン基、ポリ
オキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基等が；硫黄
を介して置換されているアルキル基やアリール基として
はメチルチオエチル基、エチルチオエチル基、エチルチ
オプロピル基、フェニルチオエチル基、メチルチオフェ
ニル基、ブチルチオフェニル基等が；窒素を介して置換
されているアルキル基やアリール基としてはジメチルア
ミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジエチルアミ
ノプロピル基、ジメチルアミノフェニル基、ジブチルア
ミノフェニル基等が挙げられる。

【００２９】一方、フタロシアニン色素の中心金属とし
ては、２価の金属が好ましく、具体的には、Ｃａ、Ｍ
ｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｃｏ、Ｐ
ｔ、Ｃｄ、Ｒｕ等が挙げられる。

【００３０】また、上記フタロシアニン色素は必要に応
じて、該フタロシアニンの作用を害しない範囲におい
て、２種類以上のフタロシアニン色素を混合して用いて
もよく、同じく、光吸収剤や燃焼促進剤、消光剤、紫外
線吸収剤、接着剤、樹脂バインダー等の添加剤を混合あ
るいは置換基として導入してもよい。

【００３１】光吸収剤は、記録光の波長に吸収があり、
フタロシアニン色素膜の感度を高めるためのものであ
り、有機色素が望ましい。例えば、ナフタロシアニン系
色素、ポルフィリン系色素、アゾ系色素、ペンタメチン
シアニン系色素、スクアリリウム系色素、ピリリウム系
色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、ナ
フトキノン系色素、アントラキノン系色素、インドフェ
ノール系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン
系色素、インダンスレン系色素、インジゴ系色素、チオ
インジゴ系色素、メロシアニン系色素、チアジン系色
素、アクリジン系色素、オキサジン系色素などがよく用
いられているが、中でもナフタロシアニン系色素、は吸
収波長領域の面から特に望ましい。これらの色素は、さ
らに複数混合して用いることも可能である。

【００３２】燃焼促進剤の例としては、金属系アンチノ
ッキング剤である四エチル鉛、四メチル鉛などの鉛系化
合物やシマントレン（Ｍｎ（Ｃ₅Ｈ₅）（ＣＯ）₃）など
のＭｎ系化合物、また、メタロセン化合物である鉄ビス
シクロペンタジエニル錯体（フェロセン）をはじめ、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｚｒ、Ｌｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｙなどのビ
スシクロペンタジエニル金属錯体が挙げられる。中でも
フェロセン、ルテノセン、オスモセン、ニッケロセン、
チタノセン及びそれらの誘導体は良好な燃焼促進効果が
ある。鉄系金属化合物としては、メタロセンの他にギ酸
鉄、シュウ酸鉄、ラウリル酸鉄、ナフテン酸鉄、ステア
リン酸鉄、酪酸鉄などの有機酸鉄化合物、アセチルアセ
トナート鉄錯体、フェナントロリン鉄錯体、ビスピリジ
ン鉄錯体、エチレンジアミン鉄錯体、エチレンジアミン
四酢酸鉄錯体、ジエチレントリアミン鉄錯体、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル鉄錯体、ジホスフィノ鉄
錯体、ジメチルグリオキシマート鉄錯体などのキレート
鉄錯体、カルボニル鉄錯体、シアノ鉄錯体、アンミン鉄
錯体などの鉄錯体、塩化第一、第二鉄、臭化第一、第二
鉄などのハロゲン化鉄、あるいは、硝酸鉄、硫酸鉄など
の無機鉄塩類、さらには、酸化鉄などが挙げられる。こ
こで用いる鉄系金属化合物は有機溶剤に可溶で、且つ、
耐湿熱性及び耐光性の良好なものが望ましい。特にアセ
チルアセトナート鉄錯体や鉄カルボニル錯体などは良好
な溶解性が得られるという点で非常に好ましい。上記燃
焼促進剤は、必要に応じて置換基を導入したり、複数混
合したり、バインダー等の添加物質を加えてもよい。こ
れらの色素はスピンコート法やキャスト法等の塗布法や
スパッタ法や化学蒸着法、真空蒸着法等によって基板上
に成膜される。本発明において、ピット部及びグルーブ
部において特定の形状の色素膜を形成するためにはスピ
ンコート法が最も適している。

【００３３】スピンコート法においては色素を溶解ある
いは分散させた塗布溶液を用いるが、この際溶媒は基板
にダメージを与えないものを選ばなくてはならない。例
えば、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、イソオクタン等の
脂肪族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロ
ヘキサン、エチルシクロヘキサン、プロピルシクロヘキ
サン、ジメチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサ
ン等の環状炭化水素系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシ
レン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；クロ
ロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタン、２，２，３，
３−テトラフロロ−１−プロパノール等のハロゲン化炭
化水素系溶媒；メタノール、エタノール、１−プロパノ
ール、２−プロパノール、ジアセトンアルコール等のア
ルコール系溶媒；ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジ
エチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエ
ーテル等のエーテル系溶媒；メチルセロソルブ、エチル
セロソルブ等のセロソルブ系溶媒；アセトン、メチルイ
ソブチルケトン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸メ
チル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒などが挙げられ
る。これらの有機溶剤は単独でも、あるいは２種類以上
混合して用いてもよいことはもちろんである。

【００３４】フタロシアニン系色素膜の形成において
は、上記塗布溶媒の中では、ｎ−オクタン、エチルシク
ロヘキサン、ジメチルシクロヘキサンなど、沸点が１２
０〜１４０℃程度の有機溶媒を単独で用いたり、あるい
はこれらにジオキサンやキシレン、トルエン、プロピル
シクロヘキサンなどを体積比率で０．１〜１０％程度混
合した塗布溶剤が好ましく用いられる。

【００３５】好ましい塗布条件としては、例えば、温度
２４℃±１℃の環境下で最初に低速回転（１００〜１０
００ｒｐｍ）で１〜１０秒間色素溶液を塗布した後、直
ちに高速回転（２０００〜５０００ｒｐｍ）で１０〜６
０秒間乾燥することである。これにより、均一な色素膜
が形成できる。また、必要に応じて記録層は１層だけで
なく複数の色素を多層形成させることもある。

【００３６】記録層の上には厚さ５０〜３００ｎｍ、好
ましくは１００〜１５０ｎｍの反射層を形成する。反射
層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いも
の、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎ
ｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ及びＰｄの金属を単独あるいは合
金にして用いることが可能である。このなかでもＡｕや
Ａｌは反射率が高く反射層の材料として適している。こ
れ以外でも下記のものを含んでいてもよい。例えば、Ｍ
ｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの
金属及び半金属を挙げることができる。また、Ａｕを主
成分としているものは反射率の高い反射層が容易に得ら
れるため好適である。ここで主成分とは、含有率が５０
％以上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と
高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射
層として用いることも可能である。

【００３７】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタリング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げら
れる。中でもスパッタリング法は、最もよく用いられて
いる手法である。また、反射率を高めるためや密着性を
よくするために記録層と反射層の間に反射増幅層や接着
層などの中間層を設けることもできる。

【００３８】中間層に用いられる材料としては再生光の
波長で屈折率が大きいものが望ましい。例えば、無機材
料としては、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳとＳｉ
Ｏ₂の混合物、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＣｅＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃な
どがあり、これらの材料を単独であるいは複数混合して
用いてもよい。有機材料としては、シアニン系色素、フ
タロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、ポルフ
ィリン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、ピ
リリウム系色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム
系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、
インドフェノール系色素、トリフェニルメタン系色素、
キサンテン系色素、インダンスレン系色素、インジゴ系
色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色素、チア
ジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系色素など
の色素やポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアクリル酸
エステル、ポリメタクリル酸エステル、スチレンーアク
リロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルアセタール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホ
ルマール、ポリビニルピロリドン、ポリパラヒドロキシ
スチレンなどの高分子化合物が挙げられる。

【００３９】さらに、反射層の上に保護層を形成させる
こともできる。保護層の材料としては反射層を外力から
保護するものであれば特に限定しない。有機物質として
は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を
挙げることができる。なかでもＵＶ硬化性樹脂が好まし
い。又、無機物質としては、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ₄、ＭｇＦ
₂、ＳｎＯ₂ 等が挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性
樹脂などは適当な溶剤に溶解して塗布液を塗布し、乾燥
することによって形成することができる。ＵＶ硬化性樹
脂は、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を
調製した後にこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬
化させることによって保護層を形成することができる。
ＵＶ硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレー
ト、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート
などのアクリレート樹脂を用いることができる。これら
の材料は単独であるいは混合して用いても良いし、１層
だけでなく多層膜にして用いてもいっこうに差し支えな
い。

【００４０】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、このなかで
もスピンコート法が好ましい。

【００４１】以上のごとくして作製された光記録媒体
は、オレンジブック（ＣＤ−Ｒ）規格を満足する信号特
性が得られ、従来より市販されているＣＤプレーヤーや
ＣＤ−ＲＯＭプレーヤーでも良好に再生することが可能
となる。

【００４２】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明の技
術的範囲はこれによりなんら限定的に解釈されるもので
はない。〔実施例１〕直径４６ｍｍ〜８０ｍｍのＲＯＭ領域にト
ラックピッチ１．６μｍ、プリピット（半価幅
（Ｗ_p）：０．６０μｍ、深さ（ｄ_p）：４００ｎｍ）、
プリピット・トラック上に重ねてウォブリング・プリグ
ルーブ（半価幅（Ｗ_p）：０．３０μｍ、深さ（ｄ_p）：
１００ｎｍ、振幅：３５ｎｍ）が形成され、直径８０ｍ
ｍ〜１１８ｍｍのＲＡＭ領域にトラックピッチ１．６μ
ｍ、ウォブリング・プリグルーブ（半価幅（Ｗ_g）：
０．４０μｍ、深さ（ｄ_g）：２１０ｎｍ、ウォブリン
グ振幅：３０ｎｍ）が形成された円盤状のポリカーボネ
ート基板（外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ、屈折率
（ｎ_s）１．５８）を用いた。

【００４３】一方、下記式（１）〔化１〕に示されるフ
タロシアニン色素( 但し、X=4.0 )０．２５ｇをエチル
シクロヘキサンに３％ｏ−キシレンを添加した塗布溶媒
１０ｍｌに溶解し、色素溶液を調製した。

【００４４】

【化１】この色素溶液を上記基板上にスピンコート法により、基
板の回転数７５０ｒｐｍで５秒間塗布した後、回転数３
０００ｒｐｍで１０秒間乾燥して、色素層を形成した
後、７０℃で２時間加熱乾燥し残留溶媒を除去した。こ
のときの色素膜の屈折率（ｎ_d）は２．２０であった。
このときの色素の平均膜厚は約１００ｎｍであった。

【００４５】この色素層の上にバルザース社製スパッタ
装置（ＣＤＩ−９００）を用いてＡｕをスパッタし、厚
さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスには、
アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワ
ー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．０×１０^-2Ｔｏｒｒ
で行った。さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−１
７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした後、
紫外線照射して厚さ６μｍの保護層を形成した。

【００４６】サンプルのグルーブ部を市販のＣＤライタ
ー（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ
信号を記録した。記録後、７８０ｎｍ赤色半導体レーザ
ーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディスク評価
装置ＤＤＵ−１０００を用いて、信号を再生し、デジタ
ルオシロスコープにより反射率と１１Ｔ信号の変調度を
測定し、ＫＥＮＷＯＯＤ製ＣＤデコーダーを用いて、エ
ラー率を測定した。また、ヒューレット−パッカード社
製タイム・インターバル・アナライザー（ＴＩＡ）を用
いてジッター測定を行った。また、トラッキングエラー
信号をスペクトラム・アナライザーに入力して、ＲＯＭ
領域及びＲＡＭ領域のＣ／Ｎ（Ｃ：キャリヤー、Ｎ：ノ
イズ）を測定した。また、ＫＥＮＷＯＯＤ製ＡＴＩＰデ
コーダーを用いて、絶対時間の読み取りエラー率を測定
した。

【００４７】〔実施例２〕実施例１において、ＲＯＭ領
域のプリピット幅を０．７０μｍ、深さを４５０ｎｍ、
ウォブリング・プリグルーブ幅を０．６０μｍ、深さを
１５０ｎｍにし、ＲＡＭ領域のウォブリング・プリグル
ーブ幅を０．３５μｍ、深さを２２０ｎｍにすること以
外は同様にして媒体を作製し、信号特性評価を行った。
作製したサンプルのプリグルーブ部を市販のＣＤライタ
ー（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ
信号を記録した。記録後、実施例１と同様の方法で、プ
リピット及び記録後のプリグルーブ部の反射率と１１Ｔ
信号の変調度、エラー率、ジッター、ＲＯＭ領域及びＲ
ＡＭ領域の再生信号のＣ／Ｎ及びＷＣＮＲａ、ＡＴＥＲ
を測定した。

【００４８】〔実施例３〕実施例１において、ＲＯＭ領
域のプリピット幅を０．５５μｍ、深さを３５０ｎｍ、
ウォブリング・プリグルーブ幅を０．３０μｍ、深さを
１００ｎｍにし、ＲＡＭ領域のウォブリング・プリグル
ーブ幅を０．３５μｍ、深さを２００ｎｍにすること以
外は同様にして媒体を作製し、信号特性評価を行った。
作製したサンプルのＲＡＭ領域を市販のＣＤライター
（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ信
号を記録した。記録後、実施例１と同様の方法で、ＲＯ
Ｍ領域及びＲＡＭ領域の反射率と１１Ｔ信号の変調度、
エラー率、ジッター、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の再生
信号のＣ／Ｎ及びＷＣＮＲａ、ＡＴＥＲを測定した。

【００４９】〔実施例４〕実施例１において、ＲＯＭ領
域のプリピット幅を０．５０μｍ、深さを３００ｎｍ、
ウォブリング・プリグルーブ幅を０．３０μｍ、深さを
１００ｎｍにし、ＲＡＭ領域のウォブリング・プリグル
ーブ幅を０．３２μｍ、深さを１７０ｎｍにすること以
外は同様にして媒体を作製し、信号特性評価を行った。
作製したサンプルのＲＡＭ領域を市販のＣＤライター
（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ信
号を記録した。記録後、実施例１と同様の方法で、プリ
ピット及び記録後のプリグルーブ部の反射率と１１Ｔ信
号の変調度、エラー率、ジッター、ＲＯＭ領域及びＲＡ
Ｍ領域の再生信号のＣ／Ｎ及びＷＣＮＲａ、ＡＴＥＲを
測定した。

【００５０】〔比較例１〕実施例１において、ＲＯＭ領
域のプリピット幅を０．６０μｍ、深さを４００ｎｍに
し、プリグルーブを設けずにプリピット列を振幅３５ｎ
ｍでウォブリングさせた。また、ＲＡＭ領域のプリグル
ーブ幅を０．３０μｍ、深さを１１０ｎｍにすること以
外は同様にして媒体を作製し、信号特性評価を行った。
作製したサンプルのＲＡＭ領域を市販のＣＤライター
（フィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ信
号を記録した。記録後、実施例１と同様の方法で、ＲＯ
Ｍ領域及びＲＡＭ領域の反射率と１１Ｔ信号の変調度、
エラー率、ジッター、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の再生
信号のＣ／Ｎ及びＷＣＮＲａ、ＡＴＥＲを測定した。

【００５１】〔比較例２〕実施例１において、ＲＯＭ領
域のプリピット幅を０．６０μｍ、深さを２００ｎｍ、
ウォブリング・プリグルーブ幅を０．３０μｍ、深さを
１００ｎｍにし、ＲＡＭ領域のウォブリング・プリグル
ーブ幅を０．４０μｍ、深さを８０ｎｍにすること以外
は同様にして媒体を作製し、信号特性評価を行った。作
製したサンプルのＲＡＭ領域を市販のＣＤライター（フ
ィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ信号を
記録した。記録後、実施例１と同様の方法で、ＲＯＭ領
域及びＲＡＭ領域の反射率と１１Ｔ信号の変調度、エラ
ー率、ジッター、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の再生信号
のＣ／Ｎ及びＷＣＮＲａ、ＡＴＥＲを測定した。

【００５２】〔比較例３〕実施例１において、ＲＯＭ領
域のプリピット幅を０．６０μｍ、深さを２００ｎｍに
し、プリグルーブを設けずにプリピット列を振幅３５ｎ
ｍでウォブリングさせた。また、ＲＡＭ領域のプリグル
ーブ幅を０．３５μｍ、深さを５０ｎｍにすること以外
は同様にして媒体を作製し、信号特性評価を行った。作
製したサンプルのＲＡＭ領域を市販のＣＤライター（フ
ィリップス社製ＣＤＤ５２１）を用いて、ＥＦＭ信号を
記録した。記録後、実施例１と同様の方法で、ＲＯＭ領
域及びＲＡＭ領域の反射率と１１Ｔ信号の変調度、エラ
ー率、ジッター、ＲＯＭ領域及びＲＡＭ領域の再生信号
のＣ／Ｎ及びＷＣＮＲａ、ＡＴＥＲを測定した。これら
の結果を〔表１〕にまとめた。

【００５３】

【表１】

【００５４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、予めプリ
ピットが形成されたＲＯＭ領域と、プリグルーブが形成
された追記可能なＲＡＭ領域とからなる基板の上に、色
素層、反射層、保護層がこの順に設けられている光記録
媒体において、前記ＲＡＭ領域にプリグルーブからなる
ウォブリング・トラックが略正弦曲線状に形成され、且
つ、前記ＲＯＭ領域には、ウォブリングしていないプリ
ピットのトラック上に重ねて該プリピットよりも浅いプ
リグルーブからなるウォブリング・トラックが略正弦曲
線状に形成されているものとすることにより、さらに、
より好ましくは、該ＲＯＭ領域のプリピットの半価幅が
０．４μｍ以上０．７μｍ以下、深さが２００ｎｍ以上
４５０ｎｍ以下にし、プリピット・トラック上に重ねて
ウォブリング・プリグルーブの半価幅が０．２μｍ以上
０．６μｍ以下、深さが５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下に
し、該ＲＡＭ領域のウォブリング・プリグルーブの半価
幅を０．３μｍ以上０．７μｍ以下、深さが１７０ｎｍ
以上２５０ｎｍ以下にすることにより、オレンジブック
規格を満足する良好な信号特性を有するハイブリッドデ
ィスクを提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光記録媒体の断面構造図

【符号の説明】

１基板２記録層３反射層４保護層５プリグルーブ６プリピット７プリピット底部８プリピット間部９プリグルーブ底部１０プリグルーブ間部ｄ_p プリピットの深さｔ_p プリピット底部上の色素膜厚ｔ_pl プリピット間部上の色素膜厚 δ_p 反射層３と色素層２の界面におけるプリピットの
深さｄ_g プリグルーブの深さｔ_g プリグルーブ底部上の色素膜厚ｔ_gl プリグルーブ間部上の色素膜厚 δ_g 反射層３と色素層２の界面におけるプリグルーブ
の深さ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者梅原英樹神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】予めプリピットが形成されたＲＯＭ領域
と、プリグルーブが形成された追記可能なＲＡＭ領域と
からなる基板の上に、色素層、反射層、保護層がこの順
に設けられている光記録媒体において、前記ＲＡＭ領域
にプリグルーブからなるウォブリング・トラックが略正
弦曲線状に形成され、且つ、前記ＲＯＭ領域には、ウォ
ブリングしていないプリピットのトラック上に重ねて該
プリピットよりも浅いプリグルーブからなるウォブリン
グ・トラックが略正弦曲線状に形成されていることを特
徴とする光記録媒体。
【請求項２】ＲＯＭ領域のプリピットの半価幅が０．
４μｍ以上０．７μｍ以下、深さが２００ｎｍ以上４５
０ｎｍ以下、プリグルーブの半価幅が０．２μｍ以上
０．６μｍ以下、深さが５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下で
あり、ＲＡＭ領域のプリグルーブの半価幅が０．３μｍ
以上０．７μｍ以下、深さが１７０ｎｍ以上２５０ｎｍ
以下である請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】ＲＯＭ領域のプリグルーブのウォブリン
グ・トラックの振幅が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であ
り、ＲＡＭ領域のプリグルーブのウォブリング・トラッ
クの振幅が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特
徴とする請求項１または２記載の光記録媒体。
【請求項４】色素層がフタロシアニン色素よりなる請
求項１〜３の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項５】反射層がＡｕを主成分とする金属からな
る請求項１〜４の何れかに記載の光記録媒体。