JPH0913175A - ジアミン型生分解性キレート剤を用いた無電解Ｎｉメッキ浴 - Google Patents
ジアミン型生分解性キレート剤を用いた無電解Ｎｉメッキ浴Info
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- JPH0913175A JPH0913175A JP14011095A JP14011095A JPH0913175A JP H0913175 A JPH0913175 A JP H0913175A JP 14011095 A JP14011095 A JP 14011095A JP 14011095 A JP14011095 A JP 14011095A JP H0913175 A JPH0913175 A JP H0913175A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 安定性に優れ、高Ｐ含量のＮｉ被膜を高速度
で与える無電解Ｎｉメッキ浴を提供する。 【構成】 コハク酸、グルタル酸等を基本骨格としたジ
アミン型生分解性キレート剤およびそのアルカリ金属
塩、アンモニウム塩から選ばれた少なくとも一種を有効
成分として含有する無電解Ｎｉメッキ浴。
で与える無電解Ｎｉメッキ浴を提供する。 【構成】 コハク酸、グルタル酸等を基本骨格としたジ
アミン型生分解性キレート剤およびそのアルカリ金属
塩、アンモニウム塩から選ばれた少なくとも一種を有効
成分として含有する無電解Ｎｉメッキ浴。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ジアミン型生分解性キ
レート剤を錯化剤として使用した無電解Ｎｉメッキ浴に
関する。
レート剤を錯化剤として使用した無電解Ｎｉメッキ浴に
関する。
【０００２】ジアミン型生分解性キレート剤を含有する
無電解Ｎｉメッキ浴は、環境への負荷の低減、浴安定性
の向上、メッキ速度の高速化、Ｎｉ被膜中の高Ｐ含量化
などの利点をもつメッキ浴として使用される。特に高Ｐ
含量の無電解Ｎｉメッキは、得られる被膜の非磁性、均
一性、耐食性、光沢性を利用して、電子部品産業におけ
るハードディスク、トランンジスターパッケージ、航空
機および自動車産業における光学部品などに広く用いら
れる。
無電解Ｎｉメッキ浴は、環境への負荷の低減、浴安定性
の向上、メッキ速度の高速化、Ｎｉ被膜中の高Ｐ含量化
などの利点をもつメッキ浴として使用される。特に高Ｐ
含量の無電解Ｎｉメッキは、得られる被膜の非磁性、均
一性、耐食性、光沢性を利用して、電子部品産業におけ
るハードディスク、トランンジスターパッケージ、航空
機および自動車産業における光学部品などに広く用いら
れる。
【０００３】
【従来の技術】無電解Ｎｉメッキ浴に用いられる錯化剤
として、クエン酸、酒石酸、グルコン酸、リンゴ酸、乳
酸、コハク酸などの無窒素型、あるいは、エチレンジア
ミン、ビピリジル、グリシン、アスパラギン酸、エチレ
ンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）などの含窒素型が、従来
より知られている。
として、クエン酸、酒石酸、グルコン酸、リンゴ酸、乳
酸、コハク酸などの無窒素型、あるいは、エチレンジア
ミン、ビピリジル、グリシン、アスパラギン酸、エチレ
ンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）などの含窒素型が、従来
より知られている。
【０００４】しかしながら、クエン酸を代表とする無窒
素型錯化剤を主に用いた無電解Ｎｉメッキ浴は、浴安定
性には優れるが、メッキ速度が速いアルカリ条件下にお
いては、Ｎｉ被膜中のＰ含量が低下する傾向にあり、高
Ｐ含量のＮｉ被膜を効率的に生産するには適さない。ま
た、酒石酸、グルコン酸などは、浴組成中に大量に使用
された場合、ｐＨ条件により不溶性の塩を形成して沈殿
することがあり、第一錯化剤としての利用には限界があ
る。
素型錯化剤を主に用いた無電解Ｎｉメッキ浴は、浴安定
性には優れるが、メッキ速度が速いアルカリ条件下にお
いては、Ｎｉ被膜中のＰ含量が低下する傾向にあり、高
Ｐ含量のＮｉ被膜を効率的に生産するには適さない。ま
た、酒石酸、グルコン酸などは、浴組成中に大量に使用
された場合、ｐＨ条件により不溶性の塩を形成して沈殿
することがあり、第一錯化剤としての利用には限界があ
る。
【０００５】一方、含窒素型錯化剤を主に用いたＮｉメ
ッキ浴は、錯化力が強力すぎてメッキ速度が著しく低下
する場合と、錯化力が弱すぎて浴安定性に著しく乏しい
場合とがほとんどであり、適切な錯化力を持つ化合物は
少ない。また、エチレンジアミン、ＥＤＴＡなどは、非
生分解性であり、今後、環境問題の見地から使用が避け
られるべきである。特に１９９５年以降は、ロンドン・
ダンピング条約による海洋投棄が禁止されるため、早急
な代替品が望まれる。
ッキ浴は、錯化力が強力すぎてメッキ速度が著しく低下
する場合と、錯化力が弱すぎて浴安定性に著しく乏しい
場合とがほとんどであり、適切な錯化力を持つ化合物は
少ない。また、エチレンジアミン、ＥＤＴＡなどは、非
生分解性であり、今後、環境問題の見地から使用が避け
られるべきである。特に１９９５年以降は、ロンドン・
ダンピング条約による海洋投棄が禁止されるため、早急
な代替品が望まれる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術の
問題点を解決すべくなされたもので、ジアミン型生分解
性キレート剤から選ばれた少なくとも一種を有効成分と
して含有する安定性に優れた無電解Ｎｉメッキ浴を提供
することにある。
問題点を解決すべくなされたもので、ジアミン型生分解
性キレート剤から選ばれた少なくとも一種を有効成分と
して含有する安定性に優れた無電解Ｎｉメッキ浴を提供
することにある。
【０００７】また、本発明は、クエン酸などの従来の錯
化剤では実現不可能であった高速度でしかも高Ｐ含量の
Ｎｉメッキを実現するメッキ浴を提供することにある。
化剤では実現不可能であった高速度でしかも高Ｐ含量の
Ｎｉメッキを実現するメッキ浴を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究の結果、コハク酸、グルタル酸等
を基本骨格としたジアミン型生分解性キレート剤が、無
電解Ｎｉメッキ浴の錯化剤として適切なキレート力を有
することを見いだした。
を解決すべく鋭意研究の結果、コハク酸、グルタル酸等
を基本骨格としたジアミン型生分解性キレート剤が、無
電解Ｎｉメッキ浴の錯化剤として適切なキレート力を有
することを見いだした。
【０００９】更に、本発明者らは、ジアミン型生分解性
キレート剤を錯化剤として用いた無電解Ｎｉメッキ浴
が、浴の安定性、メッキ速度、形成されたＮｉ皮膜の性
状、および被膜中のＰ含量の各見地から優れた浴である
こと等を見いだして本発明に到達したものである。
キレート剤を錯化剤として用いた無電解Ｎｉメッキ浴
が、浴の安定性、メッキ速度、形成されたＮｉ皮膜の性
状、および被膜中のＰ含量の各見地から優れた浴である
こと等を見いだして本発明に到達したものである。
【００１０】すなわち、本発明は、下記一般式［１］で
表されるジアミン型生分解性キレート剤から選ばれた少
なくとも一種を有効成分として含有することを特徴とす
る無電解Ｎｉメッキ浴に関する。
表されるジアミン型生分解性キレート剤から選ばれた少
なくとも一種を有効成分として含有することを特徴とす
る無電解Ｎｉメッキ浴に関する。
【００１１】一般式［１］ （式中、Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 およびＡ4 は、水素、ＣＯＯ
Ｍ、ＳＯ3 Ｍ、ＰＯ3 Ｍ2 を表し、Ａ5 は炭素数１〜８
の直鎖、分岐鎖あるいは環を形成していてもよいアルキ
レン基を表し、鎖中にエ−テル結合−Ｏ−、エステル結
合−ＣＯＯ−、アミド結合−ＣＯＮＨ−を含んでいても
よい。Ｍは水素、アルカリ金属、アンモニウム基を表
し、ｎおよびｍは、１〜８の整数を表す。）
Ｍ、ＳＯ3 Ｍ、ＰＯ3 Ｍ2 を表し、Ａ5 は炭素数１〜８
の直鎖、分岐鎖あるいは環を形成していてもよいアルキ
レン基を表し、鎖中にエ−テル結合−Ｏ−、エステル結
合−ＣＯＯ−、アミド結合−ＣＯＮＨ−を含んでいても
よい。Ｍは水素、アルカリ金属、アンモニウム基を表
し、ｎおよびｍは、１〜８の整数を表す。）
【００１２】以下に本発明を詳細に説明する。本発明の
一般式［１］の化合物の具体例としては、以下の構造式
で示す化合物あるいはこれらのアルカリ金属塩またはア
ンモニウム塩が挙げられる。
一般式［１］の化合物の具体例としては、以下の構造式
で示す化合物あるいはこれらのアルカリ金属塩またはア
ンモニウム塩が挙げられる。
【００１３】（１）エチレンジアミンジコハク酸（ＥＤ
ＤＳ）
ＤＳ）
【００１４】（２）１，３−プロパンジアミンジコハク
酸（ＰＤＤＳ）
酸（ＰＤＤＳ）
【００１５】（３）エチレンジアミンジグルタル酸（Ｅ
ＤＤＧ）
ＤＤＧ）
【００１６】（４）１，３−プロパンジアミンジグルタ
ル酸（ＰＤＤＧ）
ル酸（ＰＤＤＧ）
【００１７】（５）２−ヒドロキシ−１，３−プロパン
ジアミンジコハク酸（ＰＤＤＳ−ＯＨ）
ジアミンジコハク酸（ＰＤＤＳ−ＯＨ）
【００１８】（６）２−ヒドロキシ−１，３−プロパン
ジアミンジグルタル酸（ＰＤＤＧ−ＯＨ）
ジアミンジグルタル酸（ＰＤＤＧ−ＯＨ）
【００１９】（７）１，２−プロパンジアミンジコハク
酸
酸
【００２０】（８）２−メチル−１，３−プロパンジア
ミンジコハク酸
ミンジコハク酸
【００２１】（９）１，３−ブタンジアミンジコハク酸
【００２２】（１０）
【００２３】（１１）
【００２４】（１２）
【００２５】（１３）
【００２６】（１４）
【００２７】（１５）１，２−シクロヘキサンジアミン
ジコハク酸
ジコハク酸
【００２８】（１６）１，３−シクロヘキサンジアミン
ジコハク酸
ジコハク酸
【００２９】（１７）
【００３０】（１８）
【００３１】（１９）
【００３２】（２０）
【００３３】生分解性の観点から好ましい本発明の一般
式［１］の化合物としては、エチレンジアミンジコハク
酸、１，３−プロパンジアミンジコハク酸、（Ｓ，Ｓ）
−エチレンジアミンジグルタル酸、１，３−プロパンジ
アミンジグルタル酸、２−ヒドロキシ−１，３−プロパ
ンジアミンジコハク酸、２−ヒドロキシ−１，３−プロ
パンジアミンジグルタル酸あるいはこれらのアルカリ金
属塩またはアンモニウム塩が挙げられる。
式［１］の化合物としては、エチレンジアミンジコハク
酸、１，３−プロパンジアミンジコハク酸、（Ｓ，Ｓ）
−エチレンジアミンジグルタル酸、１，３−プロパンジ
アミンジグルタル酸、２−ヒドロキシ−１，３−プロパ
ンジアミンジコハク酸、２−ヒドロキシ−１，３−プロ
パンジアミンジグルタル酸あるいはこれらのアルカリ金
属塩またはアンモニウム塩が挙げられる。
【００３４】生分解性の観点からさらに好ましい本発明
の一般式［１］の化合物としては、（Ｓ，Ｓ）−エチレ
ンジアミンジコハク酸、（Ｓ，Ｓ）−１，３−プロパン
ジアミンジコハク酸、（Ｓ，Ｓ）−エチレンジアミンジ
グルタル酸、（Ｓ，Ｓ）−１，３−プロパンジアミンジ
グルタル酸、（Ｓ，Ｓ）−２−ヒドロキシ−１，３−プ
ロパンジアミンジコハク酸、（Ｓ，Ｓ）−２−ヒドロキ
シ−１，３−プロパンジアミンジグルタル酸あるいはこ
れらのアルカリ金属塩またはアンモニウム塩が挙げられ
る。
の一般式［１］の化合物としては、（Ｓ，Ｓ）−エチレ
ンジアミンジコハク酸、（Ｓ，Ｓ）−１，３−プロパン
ジアミンジコハク酸、（Ｓ，Ｓ）−エチレンジアミンジ
グルタル酸、（Ｓ，Ｓ）−１，３−プロパンジアミンジ
グルタル酸、（Ｓ，Ｓ）−２−ヒドロキシ−１，３−プ
ロパンジアミンジコハク酸、（Ｓ，Ｓ）−２−ヒドロキ
シ−１，３−プロパンジアミンジグルタル酸あるいはこ
れらのアルカリ金属塩またはアンモニウム塩が挙げられ
る。
【００３５】本発明の被メッキ素材には、金属、非金属
を種々用いることが出来る。一般構造用圧延鋼材、機械
構造用炭素鋼材、ニッケルなどの触媒活性素材は、脱脂
やエッチング処理の後、直接メッキを施すことが可能で
ある。また、ステンレス鋼、モリブデン鋼、チタン、タ
ングステン、モリブデン、タンタル、銅、銀、金、アル
ミニウム、マグネシウム、鉛、はんだ、ビスマス、アン
チモン、ＩＴＯなどの特殊金属、あるいはプラスチッ
ク、セラミックスなどの非金属に対しても、それぞれの
特徴に応じた前処理と活性化を行うことにより、Ｎｉメ
ッキが可能である。
を種々用いることが出来る。一般構造用圧延鋼材、機械
構造用炭素鋼材、ニッケルなどの触媒活性素材は、脱脂
やエッチング処理の後、直接メッキを施すことが可能で
ある。また、ステンレス鋼、モリブデン鋼、チタン、タ
ングステン、モリブデン、タンタル、銅、銀、金、アル
ミニウム、マグネシウム、鉛、はんだ、ビスマス、アン
チモン、ＩＴＯなどの特殊金属、あるいはプラスチッ
ク、セラミックスなどの非金属に対しても、それぞれの
特徴に応じた前処理と活性化を行うことにより、Ｎｉメ
ッキが可能である。
【００３６】本発明のメッキ浴は、Ｎｉ++イオン供給
剤、還元剤、そして錯化剤の三成分を基本組成とする。
Ｎｉ++イオン供給剤としては、硫酸ニッケル、塩化ニッ
ケル、硝酸ニッケル等が用いられ、好ましくは、硫酸ニ
ッケルがよい。還元剤としては、次亜燐酸ナトリウムな
どのホスフィン酸塩、およびナトリウムボロハイドライ
ドなどのホウ素水素化物が用いられる。Ｎｉ−Ｐ合金メ
ッキを目的とする場合は、ホスフィン酸塩が用いられ、
好ましくは次亜燐酸ナトリウムがよい。
剤、還元剤、そして錯化剤の三成分を基本組成とする。
Ｎｉ++イオン供給剤としては、硫酸ニッケル、塩化ニッ
ケル、硝酸ニッケル等が用いられ、好ましくは、硫酸ニ
ッケルがよい。還元剤としては、次亜燐酸ナトリウムな
どのホスフィン酸塩、およびナトリウムボロハイドライ
ドなどのホウ素水素化物が用いられる。Ｎｉ−Ｐ合金メ
ッキを目的とする場合は、ホスフィン酸塩が用いられ、
好ましくは次亜燐酸ナトリウムがよい。
【００３７】また、本発明において用いられる錯化剤
は、種々のジアミン型生分解性キレート剤の中から選択
されるが、一種類の化合物を単独で用いても、複数の化
合物を配合して用いてもよい。
は、種々のジアミン型生分解性キレート剤の中から選択
されるが、一種類の化合物を単独で用いても、複数の化
合物を配合して用いてもよい。
【００３８】本発明において錯化剤として使用されるジ
アミン型生分解性キレート剤の量は、錯化力によって異
なるが、濃度５〜５００ｍＭのＮｉ++イオンに対し、
０．２〜３０倍モル、好ましくは、０．５〜２．０倍モ
ル、特に好ましくは、０．７〜１．２倍モル量用いられ
る。
アミン型生分解性キレート剤の量は、錯化力によって異
なるが、濃度５〜５００ｍＭのＮｉ++イオンに対し、
０．２〜３０倍モル、好ましくは、０．５〜２．０倍モ
ル、特に好ましくは、０．７〜１．２倍モル量用いられ
る。
【００３９】また、本発明において錯化剤として使用さ
れるジアミン型生分解性キレート剤は、強い緩衝力を持
つため、それ自身が緩衝剤としてｐＨ調節機能を果た
す。酸性浴でのｐＨ調節には、硫酸、塩酸、硝酸などの
鉱酸類や酢酸、コハク酸などの錯化力の小さい有機酸を
用いることができる。また、アルカリ浴でのｐＨ調節に
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウ
ム、炭酸ナトリウムなどの無機塩基やアンモニア、エチ
レンジアミン、トリエタノールアミンなどの錯化力の小
さい含窒素塩基を用いることができる。
れるジアミン型生分解性キレート剤は、強い緩衝力を持
つため、それ自身が緩衝剤としてｐＨ調節機能を果た
す。酸性浴でのｐＨ調節には、硫酸、塩酸、硝酸などの
鉱酸類や酢酸、コハク酸などの錯化力の小さい有機酸を
用いることができる。また、アルカリ浴でのｐＨ調節に
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウ
ム、炭酸ナトリウムなどの無機塩基やアンモニア、エチ
レンジアミン、トリエタノールアミンなどの錯化力の小
さい含窒素塩基を用いることができる。
【００４０】浴のｐＨは、３〜１２の幅広い領域が採用
され、好ましくはｐＨ４〜１０の範囲内で、メッキが実
施される。還元剤にホスフィン酸塩を用いた場合は、Ｎ
ｉ−Ｐ合金メッキが可能であるが、高速度で高Ｐ含量の
Ｎｉ被膜を得ようとする場合は、ｐＨ４〜１０の範囲
で、好ましくは、ｐＨ５〜９の範囲で実施される。
され、好ましくはｐＨ４〜１０の範囲内で、メッキが実
施される。還元剤にホスフィン酸塩を用いた場合は、Ｎ
ｉ−Ｐ合金メッキが可能であるが、高速度で高Ｐ含量の
Ｎｉ被膜を得ようとする場合は、ｐＨ４〜１０の範囲
で、好ましくは、ｐＨ５〜９の範囲で実施される。
【００４１】浴の温度は、６０〜９８℃の範囲が採用さ
れ、好ましくは８０〜９５℃の範囲で実施される。
れ、好ましくは８０〜９５℃の範囲で実施される。
【００４２】本発明におけるジアミン型生分解性キレー
ト剤を錯化剤とした無電解Ｎｉメッキ浴は、通常、均一
性、密着性、光沢性、ぬれ性に優れた被膜を、高い浴安
定性下、高いターン数で与えるが、被膜の性状、浴安定
性、液寿命を更に向上させるため、界面活性剤、チオウ
レア、鉛塩類などを微量添加することも有効な手段であ
る。
ト剤を錯化剤とした無電解Ｎｉメッキ浴は、通常、均一
性、密着性、光沢性、ぬれ性に優れた被膜を、高い浴安
定性下、高いターン数で与えるが、被膜の性状、浴安定
性、液寿命を更に向上させるため、界面活性剤、チオウ
レア、鉛塩類などを微量添加することも有効な手段であ
る。
【００４３】本発明におけるジアミン型生分解性キレー
ト剤を錯化剤としたの無電解Ｎｉメッキ浴は、廃液処理
において重金属および次亜燐酸塩等の除去を行う必要が
あるが、錯化剤を含む廃液は、自然環境中で速やかに分
解されるため一般排水として処理することが可能であ
る。
ト剤を錯化剤としたの無電解Ｎｉメッキ浴は、廃液処理
において重金属および次亜燐酸塩等の除去を行う必要が
あるが、錯化剤を含む廃液は、自然環境中で速やかに分
解されるため一般排水として処理することが可能であ
る。
【００４４】本発明におけるジアミン型生分解性キレー
ト剤は、目的に応じ錯化力を勘案して選択される。例え
ば、キレート力が比較的強力なＥＤＤＳは、浴の安定性
の保持の見地から極めて有利なキレート剤として選択さ
れる。一方、キレート力が比較的ソフトなＰＤＤＳ、Ｐ
ＤＤＳ−ＯＨは、メッキ速度の見地から極めて有利なキ
レート剤として選択される。
ト剤は、目的に応じ錯化力を勘案して選択される。例え
ば、キレート力が比較的強力なＥＤＤＳは、浴の安定性
の保持の見地から極めて有利なキレート剤として選択さ
れる。一方、キレート力が比較的ソフトなＰＤＤＳ、Ｐ
ＤＤＳ−ＯＨは、メッキ速度の見地から極めて有利なキ
レート剤として選択される。
【００４５】本発明におけるジアミン型生分解性キレー
ト剤の最大の特徴は、いずれの錯化剤を用いた場合で
も、高速度で高Ｐ含量のＮｉ被膜を形成できることであ
る。例えば、ｐＨ８〜１０（アンモニアによるアルカリ
性浴）の高メッキ速度領域において、クエン酸を錯化剤
に用いた場合に得られるＮｉメッキ被膜中のＰ含量は、
４〜５％程度であるが、同条件で本発明におけるジアミ
ン型生分解性キレート剤のいずれかを用いた場合、１０
％以上の高Ｐメッキが可能である。この事実は、本発明
におけるＮｉメッキ浴が、産業上、極めて大きな重要性
をもつことを示している。すなわち、Ｎｉ−Ｐ合金は、
Ｐ含量が８％以上で非晶質の光沢性アモルファスとな
り、更に１０％以上では析出状態に関係なく非磁性の被
膜となるため、本発明における高速度、高Ｐ含量のＮｉ
メッキは、電子部品産業におけるハードデイスク、トラ
ンンジスターパッケージ、航空機および自動車産業にお
ける光学部品などの製造に道を開くものである。
ト剤の最大の特徴は、いずれの錯化剤を用いた場合で
も、高速度で高Ｐ含量のＮｉ被膜を形成できることであ
る。例えば、ｐＨ８〜１０（アンモニアによるアルカリ
性浴）の高メッキ速度領域において、クエン酸を錯化剤
に用いた場合に得られるＮｉメッキ被膜中のＰ含量は、
４〜５％程度であるが、同条件で本発明におけるジアミ
ン型生分解性キレート剤のいずれかを用いた場合、１０
％以上の高Ｐメッキが可能である。この事実は、本発明
におけるＮｉメッキ浴が、産業上、極めて大きな重要性
をもつことを示している。すなわち、Ｎｉ−Ｐ合金は、
Ｐ含量が８％以上で非晶質の光沢性アモルファスとな
り、更に１０％以上では析出状態に関係なく非磁性の被
膜となるため、本発明における高速度、高Ｐ含量のＮｉ
メッキは、電子部品産業におけるハードデイスク、トラ
ンンジスターパッケージ、航空機および自動車産業にお
ける光学部品などの製造に道を開くものである。
【００４６】
【実施例】次に実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４７】実施例１ 本発明におけるジアミン型生分解性キレート剤を錯化剤
に用いた場合の最大メッキ速度を、表１に示す。また、
最大メッキ速度時の浴のｐＨと緩衝力（ｐＨ変化）、Ｐ
含量、浴の安定性についても表１に示す。 （測定条件） Ｎｉ++イオン供給剤濃度：ＮｉＳＯ4 ・６（Ｈ2 ０）と
して０．１０Ｍ 還元剤濃度：ＮａＨ2 ＰＯ2 ・（Ｈ2 ０）として０．２
０Ｍ 錯化剤濃度：０．０７Ｍ メッキ温度：８０℃ ｐＨ調製：Ｈ2 ＳＯ4 とＮＨ4 ＯＨによる
に用いた場合の最大メッキ速度を、表１に示す。また、
最大メッキ速度時の浴のｐＨと緩衝力（ｐＨ変化）、Ｐ
含量、浴の安定性についても表１に示す。 （測定条件） Ｎｉ++イオン供給剤濃度：ＮｉＳＯ4 ・６（Ｈ2 ０）と
して０．１０Ｍ 還元剤濃度：ＮａＨ2 ＰＯ2 ・（Ｈ2 ０）として０．２
０Ｍ 錯化剤濃度：０．０７Ｍ メッキ温度：８０℃ ｐＨ調製：Ｈ2 ＳＯ4 とＮＨ4 ＯＨによる
【００４８】
【表１】
【００４９】ただし、表１における分析条件および記号
は以下の通りである。 （分析条件） ・速度：１０ｃｍ2 の試験板６０分当りのメッキ被膜増
加質量ｍｇ ・ｐＨ変化：ｐＨ４〜１０の領域でメッキ浴のｐＨを
０．５刻みに測定した際の、最大メッキ速度を与えるｐ
Ｈ値および測定終了後のｐＨ ・Ｐ含量：生成したＮｉ−Ｐ合金被膜中のＰ重量％ （記号） ◎：極めて安定 ○：安定 △：やや不安定 ×：不安定、浴分解
は以下の通りである。 （分析条件） ・速度：１０ｃｍ2 の試験板６０分当りのメッキ被膜増
加質量ｍｇ ・ｐＨ変化：ｐＨ４〜１０の領域でメッキ浴のｐＨを
０．５刻みに測定した際の、最大メッキ速度を与えるｐ
Ｈ値および測定終了後のｐＨ ・Ｐ含量：生成したＮｉ−Ｐ合金被膜中のＰ重量％ （記号） ◎：極めて安定 ○：安定 △：やや不安定 ×：不安定、浴分解
【００５０】比較例１〜５ 実施例１〜２０と同様の条件で、ジアミン型生分解性キ
レート剤以外の錯化剤を用いた場合の最大メッキ速度
を、表２に示す。また、最大メッキ速度時の浴のｐＨと
緩衝力（ｐＨ変化）、Ｐ含量、浴の安定性についても表
２に示す。
レート剤以外の錯化剤を用いた場合の最大メッキ速度
を、表２に示す。また、最大メッキ速度時の浴のｐＨと
緩衝力（ｐＨ変化）、Ｐ含量、浴の安定性についても表
２に示す。
【００５１】
【表２】
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、無電解Ｎｉメッキ浴に
おいて、アスパラギン酸、およびグルタル酸等を基本骨
格としたジアミン型生分解性キレート剤を、適切なキレ
ート力を有する錯化剤として使用することができる。ま
た、本発明は、以下に示す効果もある。 １）クエン酸などの従来の錯化剤では実現不可能であっ
た高速度でしかも高Ｐ含量のＮｉメッキを作成すること
ができる。 ２）形成されたＮｉ皮膜は、非磁性、均一性、耐食性、
光沢性において優れており、電子部品産業におけるハー
ドデイスク、トランジスターパッケージ、航空機および
自動車産業における光学部品などに広く用いられる。 ３）浴の安定性に極めて優れており、長い液寿命の下、
高いターン数のメッキが実施可能である。
おいて、アスパラギン酸、およびグルタル酸等を基本骨
格としたジアミン型生分解性キレート剤を、適切なキレ
ート力を有する錯化剤として使用することができる。ま
た、本発明は、以下に示す効果もある。 １）クエン酸などの従来の錯化剤では実現不可能であっ
た高速度でしかも高Ｐ含量のＮｉメッキを作成すること
ができる。 ２）形成されたＮｉ皮膜は、非磁性、均一性、耐食性、
光沢性において優れており、電子部品産業におけるハー
ドデイスク、トランジスターパッケージ、航空機および
自動車産業における光学部品などに広く用いられる。 ３）浴の安定性に極めて優れており、長い液寿命の下、
高いターン数のメッキが実施可能である。
Claims (5)
- 【請求項１】 下記一般式［１］で表されるジアミン型
生分解性キレート剤から選ばれた少なくとも一種を有効
成分として含有することを特徴とする無電解Ｎｉメッキ
浴。 一般式［１］ （式中、Ａ1 、Ａ2 、Ａ3 およびＡ4 は、水素、ＣＯＯ
Ｍ、ＳＯ3 Ｍ、ＰＯ3 Ｍ2 を表し、Ａ5 は炭素数１〜８
の直鎖、分岐鎖あるいは環を形成していてもよいアルキ
レン基を表し、鎖中にエ−テル結合−Ｏ−、エステル結
合−ＣＯＯ−、アミド結合−ＣＯＮＨ−を含んでいても
よい。Ｍは水素、アルカリ金属、アンモニウム基を表
し、ｎおよびｍは、１〜８の整数を表す。） - 【請求項２】 一般式［１］で表されるジアミン型生分
解性キレート剤が、エチレンジアミンジコハク酸、１，
３−プロパンジアミンジコハク酸、エチレンジアミンジ
グルタル酸、１，３−プロパンジアミンジグルタル酸、
２−ヒドロキシ−１，３−プロパンジアミンジコハク
酸、２−ヒドロキシ−１，３−プロパンジアミンジグル
タル酸あるいはこれらのアルカリ金属塩またはアンモニ
ウム塩である請求項１記載の無電解Ｎｉメッキ浴。 - 【請求項３】 一般式［１］で表されるジアミン型生分
解性キレート剤が、（Ｓ，Ｓ）−エチレンジアミンジコ
ハク酸、（Ｓ，Ｓ）−１，３−プロパンジアミンジコハ
ク酸、（Ｓ，Ｓ）−エチレンジアミンジグルタル酸、
（Ｓ，Ｓ）−１，３−プロパンジアミンジグルタル酸、
（Ｓ，Ｓ）−２−ヒドロキシ−１，３−プロパンジアミ
ンジコハク酸、（Ｓ，Ｓ）−２−ヒドロキシ−１，３−
プロパンジアミンジグルタル酸あるいはこれらのアルカ
リ金属塩またはアンモニウム塩である請求項１記載の無
電解Ｎｉメッキ浴。 - 【請求項４】 ＮａＯＨ、ＫＯＨ、ＮＨ4 ＯＨによりア
ルカリ性とした請求項１の無電解Ｎｉメッキ浴。 - 【請求項５】 次亜燐酸ナトリウムを還元剤に用いた高
Ｐ含量のＮｉ被膜を高速度で与える請求項４記載の無電
解Ｎｉメッキ浴。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14011095A JPH0913175A (ja) | 1995-04-24 | 1995-05-16 | ジアミン型生分解性キレート剤を用いた無電解Ｎｉメッキ浴 |
| PCT/JP1996/001105 WO1996034126A1 (fr) | 1995-04-24 | 1996-04-24 | Bain de depot sans apport de courant mettant en ×uvre un agent de chelation |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-120466 | 1995-04-24 | ||
| JP12046695 | 1995-04-24 | ||
| JP14011095A JPH0913175A (ja) | 1995-04-24 | 1995-05-16 | ジアミン型生分解性キレート剤を用いた無電解Ｎｉメッキ浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0913175A true JPH0913175A (ja) | 1997-01-14 |
Family
ID=26458046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14011095A Pending JPH0913175A (ja) | 1995-04-24 | 1995-05-16 | ジアミン型生分解性キレート剤を用いた無電解Ｎｉメッキ浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0913175A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140119712A (ko) * | 2012-02-01 | 2014-10-10 | 아토테크더치랜드게엠베하 | 무전해 니켈 도금욕 |
-
1995
- 1995-05-16 JP JP14011095A patent/JPH0913175A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140119712A (ko) * | 2012-02-01 | 2014-10-10 | 아토테크더치랜드게엠베하 | 무전해 니켈 도금욕 |
| JP2015509146A (ja) * | 2012-02-01 | 2015-03-26 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＡｔｏｔｅｃｈ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ | 無電解ニッケルめっき浴 |
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