JPH08296049A - モノアミン型生分解性キレート剤を用いた無電解Ｎｉメッキ浴 - Google Patents
モノアミン型生分解性キレート剤を用いた無電解Ｎｉメッキ浴Info
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- JPH08296049A JPH08296049A JP12046795A JP12046795A JPH08296049A JP H08296049 A JPH08296049 A JP H08296049A JP 12046795 A JP12046795 A JP 12046795A JP 12046795 A JP12046795 A JP 12046795A JP H08296049 A JPH08296049 A JP H08296049A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 安定性に優れ、高Ｐ含量のＮｉ被膜を高速度
で与える無電解Ｎｉメッキ浴を提供する。 【構成】 アスパラギン酸、グルタミン酸、およびイミ
ノ二酢酸等を基本骨格としたモノアミン型生分解性キレ
ート剤およびそのアルカリ金属塩、アンモニウム塩から
選ばれた少なくとも一種を有効成分として含有する無電
解Ｎｉメッキ浴。
で与える無電解Ｎｉメッキ浴を提供する。 【構成】 アスパラギン酸、グルタミン酸、およびイミ
ノ二酢酸等を基本骨格としたモノアミン型生分解性キレ
ート剤およびそのアルカリ金属塩、アンモニウム塩から
選ばれた少なくとも一種を有効成分として含有する無電
解Ｎｉメッキ浴。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、モノアミン型生分解性
キレート剤を錯化剤として使用した無電解Ｎｉメッキ浴
に関し、更に詳しくは、アスパラギン酸、グルタミン
酸、およびイミノ二酢酸等を基本骨格としたモノアミン
型生分解性キレート剤およびそのアルカリ金属塩を錯化
剤として使用した無電解Ｎｉメッキ浴に関する。
キレート剤を錯化剤として使用した無電解Ｎｉメッキ浴
に関し、更に詳しくは、アスパラギン酸、グルタミン
酸、およびイミノ二酢酸等を基本骨格としたモノアミン
型生分解性キレート剤およびそのアルカリ金属塩を錯化
剤として使用した無電解Ｎｉメッキ浴に関する。
【０００２】モノアミン型生分解性キレート剤を含有す
る無電解Ｎｉメッキ浴は、環境への負荷の低減、浴安定
性の向上、メッキ速度の高速化、Ｎｉ被膜中の高Ｐ含量
化などの利点をもつメッキ浴として使用される。特に高
Ｐ含量の無電解Ｎｉメッキは、得られる被膜の非磁性、
均一性、耐食性、光沢性を利用して、電子部品産業にお
けるハードデイスク、トランンジスターパッケージ、航
空機および自動車産業における光学部品などに広く用い
られる。
る無電解Ｎｉメッキ浴は、環境への負荷の低減、浴安定
性の向上、メッキ速度の高速化、Ｎｉ被膜中の高Ｐ含量
化などの利点をもつメッキ浴として使用される。特に高
Ｐ含量の無電解Ｎｉメッキは、得られる被膜の非磁性、
均一性、耐食性、光沢性を利用して、電子部品産業にお
けるハードデイスク、トランンジスターパッケージ、航
空機および自動車産業における光学部品などに広く用い
られる。
【０００３】
【従来の技術】無電解Ｎｉメッキ浴に用いられる錯化剤
としては、クエン酸、酒石酸、グルコン酸、リンゴ酸、
乳酸、コハク酸などの無窒素型、あるいは、エチレンジ
アミン、ビピリジル、グリシン、アスパラギン酸、エチ
レンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）などの含窒素型が従来
より知られている。
としては、クエン酸、酒石酸、グルコン酸、リンゴ酸、
乳酸、コハク酸などの無窒素型、あるいは、エチレンジ
アミン、ビピリジル、グリシン、アスパラギン酸、エチ
レンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）などの含窒素型が従来
より知られている。
【０００４】しかしながら、クエン酸を代表とする無窒
素型錯化剤を主に用いた無電解Ｎｉメッキ浴は、浴安定
性には優れているが、メッキ速度が速いアルカリ条件下
においてＮｉ被膜中のＰ含量が低下する傾向にあり、高
Ｐ含量のＮｉ被膜を効率的に生産するには適さない。ま
た、酒石酸、グルコン酸などは、浴組成中に大量に使用
された場合、ｐＨ条件により不溶性の塩を形成して沈殿
することがあり、第一錯化剤としての利用には限界があ
る。
素型錯化剤を主に用いた無電解Ｎｉメッキ浴は、浴安定
性には優れているが、メッキ速度が速いアルカリ条件下
においてＮｉ被膜中のＰ含量が低下する傾向にあり、高
Ｐ含量のＮｉ被膜を効率的に生産するには適さない。ま
た、酒石酸、グルコン酸などは、浴組成中に大量に使用
された場合、ｐＨ条件により不溶性の塩を形成して沈殿
することがあり、第一錯化剤としての利用には限界があ
る。
【０００５】一方、含窒素型錯化剤を主に用いたＮｉメ
ッキ浴は、錯化力が強力すぎてメッキ速度が著しく低下
する場合と、錯化力が弱すぎて浴安定性に著しく乏しい
場合とがほとんどであり、適切な錯化力を持つ化合物は
少ない。また、エチレンジアミン、ＥＤＴＡなどは、非
生分解性であり、今後、環境問題の見地から使用が避け
られるべきである。特に１９９５年以降は、ロンドン・
ダンピング条約による海洋投棄が禁止されるため、早急
な代替品が望まれる。
ッキ浴は、錯化力が強力すぎてメッキ速度が著しく低下
する場合と、錯化力が弱すぎて浴安定性に著しく乏しい
場合とがほとんどであり、適切な錯化力を持つ化合物は
少ない。また、エチレンジアミン、ＥＤＴＡなどは、非
生分解性であり、今後、環境問題の見地から使用が避け
られるべきである。特に１９９５年以降は、ロンドン・
ダンピング条約による海洋投棄が禁止されるため、早急
な代替品が望まれる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術の
問題点を解決すべくなされたもので、安定性に優れ、か
つ、クエン酸などの従来の錯化剤では実現不可能であっ
た、高速度でしかも高Ｐ含量のＮｉメッキを実現するメ
ッキ浴を提供することにある。
問題点を解決すべくなされたもので、安定性に優れ、か
つ、クエン酸などの従来の錯化剤では実現不可能であっ
た、高速度でしかも高Ｐ含量のＮｉメッキを実現するメ
ッキ浴を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究の結果、アスパラギン酸、グルタ
ミン酸、およびイミノ二酢酸等を基本骨格としたモノア
ミン型生分解性キレート剤が、無電解Ｎｉメッキ浴の錯
化剤として適切なキレート力を有することを見いだし
た。
を解決すべく鋭意研究の結果、アスパラギン酸、グルタ
ミン酸、およびイミノ二酢酸等を基本骨格としたモノア
ミン型生分解性キレート剤が、無電解Ｎｉメッキ浴の錯
化剤として適切なキレート力を有することを見いだし
た。
【０００８】更に、本発明者らは、モノアミン型生分解
性キレート剤を錯化剤として用いた無電解Ｎｉメッキ浴
が、浴の安定性、メッキ速度、形成されたＮｉ皮膜の性
状、および被膜中のＰ含量の各見地から優れた浴である
こと等を見いだして本発明に到達したものである。
性キレート剤を錯化剤として用いた無電解Ｎｉメッキ浴
が、浴の安定性、メッキ速度、形成されたＮｉ皮膜の性
状、および被膜中のＰ含量の各見地から優れた浴である
こと等を見いだして本発明に到達したものである。
【０００９】すなわち、本発明は、一般式［１］で表さ
れるモノアミン型生分解性キレート剤から選ばれた少な
くとも一種を有効成分として含有する無電解Ｎｉメッキ
浴に関する。
れるモノアミン型生分解性キレート剤から選ばれた少な
くとも一種を有効成分として含有する無電解Ｎｉメッキ
浴に関する。
【００１０】一般式［１］ （式中、Ｒ1 は、水素あるいは炭素数１〜１０の無置換
または置換炭化水素基で、置換基として、−ＯＨ、−Ｃ
ＯＯＭ、−ＳＯ3 Ｍ、−ＰＯ3 Ｍ2 、−ＮＨ2 、−ＣＯ
ＮＨ2 、−ＮＨＣ（＝ＮＨ）ＮＨ2 あるいは−ＳＨを１
つ以上含んでいてもよい。Ｒ2 及びＲ3 は、水素あるい
は炭素数１〜８の無置換または置換炭化水素基で、置換
基として、−ＯＨ、−ＣＯＯＭ、−ＳＯ3 Ｍあるいは−
ＰＯ3 Ｍ2を１つ以上含んでいてもよい。Ｒ4 は、水
素、−ＣＯＯＭ、−ＳＯ3 Ｍあるいは−ＰＯ3 Ｍ2 を表
す。また、Ｒ1 とＲ2 の間で環を形成していてもよい。
Ｍは水素、アルカリ金属またはアンモニウム基を表
す。）
または置換炭化水素基で、置換基として、−ＯＨ、−Ｃ
ＯＯＭ、−ＳＯ3 Ｍ、−ＰＯ3 Ｍ2 、−ＮＨ2 、−ＣＯ
ＮＨ2 、−ＮＨＣ（＝ＮＨ）ＮＨ2 あるいは−ＳＨを１
つ以上含んでいてもよい。Ｒ2 及びＲ3 は、水素あるい
は炭素数１〜８の無置換または置換炭化水素基で、置換
基として、−ＯＨ、−ＣＯＯＭ、−ＳＯ3 Ｍあるいは−
ＰＯ3 Ｍ2を１つ以上含んでいてもよい。Ｒ4 は、水
素、−ＣＯＯＭ、−ＳＯ3 Ｍあるいは−ＰＯ3 Ｍ2 を表
す。また、Ｒ1 とＲ2 の間で環を形成していてもよい。
Ｍは水素、アルカリ金属またはアンモニウム基を表
す。）
【００１1 】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１２】本発明の一般式［１］の化合物の具体例と
しては、アスパラギン酸一酢酸（ＡＳＭＡ）、アスパラ
ギン酸二酢酸（ＡＳＤＡ）、アスパラギン酸一プロピオ
ン酸（ＡＳＭＰ）、イミノジコハク酸（ＩＤＳＡ）、２
−スルホメチルアスパラギン酸（ＳＭＡＳ）、２−スル
ホエチルアスパラギン酸（ＳＥＡＳ）、グルタミン酸二
酢酸（ＧＬＤＡ）、２−スルホメチルグルタミン酸（Ｓ
ＭＧＬ）、２−スルホエチルグルタミン酸（ＳＥＧ
Ｌ）、イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、ニトリロ三酢酸（ＮＴ
Ａ）、メチルイミノ二酢酸（ＭＩＤＡ）、α−アラニン
二酢酸（α−ＡＬＤＡ）、β−アラニン二酢酸（β−Ａ
ＬＤＡ）、セリン二酢酸（ＳＥＤＡ）、イソセリン二酢
酸（ＩＳＤＡ）、フェニルアラニン二酢酸（ＰＨＤ
Ａ）、アントラニル酸二酢酸（ＡＮＤＡ）、スルファニ
ル酸二酢酸（ＳＬＤＡ）、タウリン二酢酸（ＴＵＤ
Ａ）、スルホメチル二酢酸（ＳＭＤＡ）あるいはこれら
のアルカリ金属塩またはアンモニウム塩が挙げられる。
しては、アスパラギン酸一酢酸（ＡＳＭＡ）、アスパラ
ギン酸二酢酸（ＡＳＤＡ）、アスパラギン酸一プロピオ
ン酸（ＡＳＭＰ）、イミノジコハク酸（ＩＤＳＡ）、２
−スルホメチルアスパラギン酸（ＳＭＡＳ）、２−スル
ホエチルアスパラギン酸（ＳＥＡＳ）、グルタミン酸二
酢酸（ＧＬＤＡ）、２−スルホメチルグルタミン酸（Ｓ
ＭＧＬ）、２−スルホエチルグルタミン酸（ＳＥＧ
Ｌ）、イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、ニトリロ三酢酸（ＮＴ
Ａ）、メチルイミノ二酢酸（ＭＩＤＡ）、α−アラニン
二酢酸（α−ＡＬＤＡ）、β−アラニン二酢酸（β−Ａ
ＬＤＡ）、セリン二酢酸（ＳＥＤＡ）、イソセリン二酢
酸（ＩＳＤＡ）、フェニルアラニン二酢酸（ＰＨＤ
Ａ）、アントラニル酸二酢酸（ＡＮＤＡ）、スルファニ
ル酸二酢酸（ＳＬＤＡ）、タウリン二酢酸（ＴＵＤ
Ａ）、スルホメチル二酢酸（ＳＭＤＡ）あるいはこれら
のアルカリ金属塩またはアンモニウム塩が挙げられる。
【００１３】生分解性の観点から好ましい本発明の一般
式［１］としては、（Ｓ）−アスパラギン酸一酢酸、
（Ｓ）−アスパラギン酸二酢酸、（Ｓ）−アスパラギン
酸一プロピオン酸、（Ｓ，Ｓ）−イミノジコハク酸、
（Ｓ，Ｒ）−イミノジコハク酸、（Ｓ）−２−スルホメ
チルアスパラギン酸、（Ｓ）−２−スルホエチルアスパ
ラギン酸，（Ｓ）−グルタミン酸二酢酸、（Ｓ）−２−
スルホメチルグルタミン酸、（Ｓ）−２−スルホエチル
グルタミン酸、（Ｓ）−α−アラニン二酢酸、（Ｓ）−
セリン二酢酸、（Ｓ）−フェニルアラニン二酢酸あるい
はこれらのアルカリ金属塩またはアンモニウム塩が挙げ
られる。
式［１］としては、（Ｓ）−アスパラギン酸一酢酸、
（Ｓ）−アスパラギン酸二酢酸、（Ｓ）−アスパラギン
酸一プロピオン酸、（Ｓ，Ｓ）−イミノジコハク酸、
（Ｓ，Ｒ）−イミノジコハク酸、（Ｓ）−２−スルホメ
チルアスパラギン酸、（Ｓ）−２−スルホエチルアスパ
ラギン酸，（Ｓ）−グルタミン酸二酢酸、（Ｓ）−２−
スルホメチルグルタミン酸、（Ｓ）−２−スルホエチル
グルタミン酸、（Ｓ）−α−アラニン二酢酸、（Ｓ）−
セリン二酢酸、（Ｓ）−フェニルアラニン二酢酸あるい
はこれらのアルカリ金属塩またはアンモニウム塩が挙げ
られる。
【００１４】被メッキ素材には、金属、非金属を種々用
いることが出来る。一般構造用圧延鋼材、機械構造用炭
素鋼材、ニッケルなどの触媒活性素材は、脱脂やエッチ
ング処理の後、直接メッキを施すことが可能である。ま
た、ステンレス鋼、モリブデン鋼、チタン、タングステ
ン、モリブデン、タンタル、銅、銀、金、アルミニウ
ム、マグネシウム、鉛、はんだ、ビスマス、アンチモ
ン、ＩＴＯなどの特殊金属、あるいはプラスチック、セ
ラミックスなどの非金属に対しても、それぞれの特徴に
応じた前処理と活性化を行うことにより、Ｎｉメッキが
可能である。
いることが出来る。一般構造用圧延鋼材、機械構造用炭
素鋼材、ニッケルなどの触媒活性素材は、脱脂やエッチ
ング処理の後、直接メッキを施すことが可能である。ま
た、ステンレス鋼、モリブデン鋼、チタン、タングステ
ン、モリブデン、タンタル、銅、銀、金、アルミニウ
ム、マグネシウム、鉛、はんだ、ビスマス、アンチモ
ン、ＩＴＯなどの特殊金属、あるいはプラスチック、セ
ラミックスなどの非金属に対しても、それぞれの特徴に
応じた前処理と活性化を行うことにより、Ｎｉメッキが
可能である。
【００１５】メッキ浴は、Ｎｉ++イオン供給剤、還元
剤、そして錯化剤の三成分を基本組成とする。Ｎｉ++イ
オン供給剤としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、硝
酸ニッケル等が用いられ、好ましくは、硫酸ニッケルが
よい。 還元剤としては、次亜燐酸ナトリウムなどのホ
スフィン酸塩、およびナトリウムボロハイドライド、ジ
メチルアミンボラン、ピリジンボランなどのホウ素水素
化物が用いられる。Ｎｉ−Ｐ合金メッキを目的とする場
合は、ホスフィン酸塩が用いられ、好ましくは次亜燐酸
ナトリウムがよい。また、本発明において用いられる錯
化剤は、種々モノアミン型生分解性キレート剤の中から
選択されるが、一種類の化合物を単独で用いても、複数
の化合物を配合して用いてもよい。
剤、そして錯化剤の三成分を基本組成とする。Ｎｉ++イ
オン供給剤としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、硝
酸ニッケル等が用いられ、好ましくは、硫酸ニッケルが
よい。 還元剤としては、次亜燐酸ナトリウムなどのホ
スフィン酸塩、およびナトリウムボロハイドライド、ジ
メチルアミンボラン、ピリジンボランなどのホウ素水素
化物が用いられる。Ｎｉ−Ｐ合金メッキを目的とする場
合は、ホスフィン酸塩が用いられ、好ましくは次亜燐酸
ナトリウムがよい。また、本発明において用いられる錯
化剤は、種々モノアミン型生分解性キレート剤の中から
選択されるが、一種類の化合物を単独で用いても、複数
の化合物を配合して用いてもよい。
【００１６】本発明において錯化剤として使用されるモ
ノアミン型生分解性キレート剤は、錯化力によって異な
るが、濃度５〜５００ｍＭのＮｉ++イオンに対し、０．
２〜３０倍モル、好ましくは、０．５〜２．０倍モル、
特に好ましくは、０．７〜１．２倍モル量用いられる。
ノアミン型生分解性キレート剤は、錯化力によって異な
るが、濃度５〜５００ｍＭのＮｉ++イオンに対し、０．
２〜３０倍モル、好ましくは、０．５〜２．０倍モル、
特に好ましくは、０．７〜１．２倍モル量用いられる。
【００１７】また、本発明において錯化剤として使用さ
れるモノアミン型生分解性キレート剤は、強い緩衝力を
持つため、それ自身が緩衝剤としてｐＨ調節機能を果た
す。酸性浴でのｐＨ調節には、硫酸、塩酸、硝酸などの
鉱酸類や酢酸、コハク酸などの錯化力の小さい有機酸を
用いることができる。また、アルカリ浴でのｐＨ調節に
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウ
ム、炭酸ナトリウムなどの無機塩基やアンモニア、エチ
レンジアミン、トリエタノールアミンなどの錯化力の小
さい含窒素塩基を用いることができる。
れるモノアミン型生分解性キレート剤は、強い緩衝力を
持つため、それ自身が緩衝剤としてｐＨ調節機能を果た
す。酸性浴でのｐＨ調節には、硫酸、塩酸、硝酸などの
鉱酸類や酢酸、コハク酸などの錯化力の小さい有機酸を
用いることができる。また、アルカリ浴でのｐＨ調節に
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウ
ム、炭酸ナトリウムなどの無機塩基やアンモニア、エチ
レンジアミン、トリエタノールアミンなどの錯化力の小
さい含窒素塩基を用いることができる。
【００１８】浴のｐＨは、３〜１２の幅広い領域が採用
され、好ましくはｐＨ４〜１０の範囲内で、メッキが実
施される。還元剤にホスフィン酸塩を用いた場合は、Ｎ
ｉ−Ｐ合金メッキが可能であるが、高速度で高Ｐ含量の
Ｎｉ被膜を得ようとする場合は、ｐＨ４〜１０の範囲
で、好ましくは、ｐＨ５〜９の範囲で実施される。
され、好ましくはｐＨ４〜１０の範囲内で、メッキが実
施される。還元剤にホスフィン酸塩を用いた場合は、Ｎ
ｉ−Ｐ合金メッキが可能であるが、高速度で高Ｐ含量の
Ｎｉ被膜を得ようとする場合は、ｐＨ４〜１０の範囲
で、好ましくは、ｐＨ５〜９の範囲で実施される。
【００１９】浴の温度は、６０〜９８℃の範囲が採用さ
れ、好ましくは８０〜９５℃の範囲で実施される。
れ、好ましくは８０〜９５℃の範囲で実施される。
【００２０】本発明のモノアミン型生分解性キレート剤
を錯化剤とした無電解Ｎｉメッキ浴は、通常、均一性、
密着性、光沢性、ぬれ性に優れた被膜を、高い浴安定性
下、高いターン数で与えるが、被膜の性状、浴安定性、
液寿命を更に向上させるため、界面活性剤、チオウレ
ア、鉛塩類などを微量添加することも有効な手段であ
る。
を錯化剤とした無電解Ｎｉメッキ浴は、通常、均一性、
密着性、光沢性、ぬれ性に優れた被膜を、高い浴安定性
下、高いターン数で与えるが、被膜の性状、浴安定性、
液寿命を更に向上させるため、界面活性剤、チオウレ
ア、鉛塩類などを微量添加することも有効な手段であ
る。
【００２１】本発明のモノアミン型生分解性キレート剤
を錯化剤とした無電解Ｎｉメッキ浴は、廃液処理におい
て重金属および次亜燐酸塩等の除去を行う必要がある
が、錯化剤を含む廃液は、自然環境中で速やかに分解さ
れるため一般排水として処理することが可能である。
を錯化剤とした無電解Ｎｉメッキ浴は、廃液処理におい
て重金属および次亜燐酸塩等の除去を行う必要がある
が、錯化剤を含む廃液は、自然環境中で速やかに分解さ
れるため一般排水として処理することが可能である。
【００２２】本発明において錯化剤として使用されるモ
ノアミン型生分解性キレート剤の生分解性、錯化力、お
よび製造方法について、例えば、ＡＳＤＡ（特願平５−
２５３５８４号）、ＡＳＭＰ（特願平６−３５２２９
号）、ＡＳＭＡ（特願平５−２５３５８４号）、ＩＤＳ
Ａ（特願平６−１６４７９１号）、ＳＭＡＳ（特願平６
−２５４１３２号）、ＳＥＡＳ（特願平６−２５４１３
２号）、ＳＥＧＬ（特願平６−２５４１３２号）、ＡＬ
ＤＡ（特願平６−５８３００号）、ＳＬＵＤＡ（特願平
６−１９１２１３号），ＴＵＤＡ（特願平６−１９１２
１３号）、およびＳＭＤＡ（特願平６−１９１２１３
号）などが開示されている。
ノアミン型生分解性キレート剤の生分解性、錯化力、お
よび製造方法について、例えば、ＡＳＤＡ（特願平５−
２５３５８４号）、ＡＳＭＰ（特願平６−３５２２９
号）、ＡＳＭＡ（特願平５−２５３５８４号）、ＩＤＳ
Ａ（特願平６−１６４７９１号）、ＳＭＡＳ（特願平６
−２５４１３２号）、ＳＥＡＳ（特願平６−２５４１３
２号）、ＳＥＧＬ（特願平６−２５４１３２号）、ＡＬ
ＤＡ（特願平６−５８３００号）、ＳＬＵＤＡ（特願平
６−１９１２１３号），ＴＵＤＡ（特願平６−１９１２
１３号）、およびＳＭＤＡ（特願平６−１９１２１３
号）などが開示されている。
【００２３】本発明のモノアミン型生分解性キレート剤
は、目的に応じ錯化力を勘案して選択される。例えば、
キレート力が比較的強力な、ＡＳＤＡ、ＧＬＤＡは、浴
の安定性の保持の見地から極めて有利なキレート剤とし
て選択される。一方、キレート力が比較的ソフトなＡＳ
ＭＰ、ＡＳＭＡ、ＩＤＳＡは、メッキ速度の見地から極
めて有利なキレート剤として選択される。
は、目的に応じ錯化力を勘案して選択される。例えば、
キレート力が比較的強力な、ＡＳＤＡ、ＧＬＤＡは、浴
の安定性の保持の見地から極めて有利なキレート剤とし
て選択される。一方、キレート力が比較的ソフトなＡＳ
ＭＰ、ＡＳＭＡ、ＩＤＳＡは、メッキ速度の見地から極
めて有利なキレート剤として選択される。
【００２４】本発明におけるモノアミン型生分解性キレ
ート剤の最大の特徴は、いずれの錯化剤を用いた場合で
も、高速度で高Ｐ含量のＮｉ被膜を形成できることであ
る。例えは、ｐＨ８〜１０（アンモニアによるアルカリ
性浴）の高メッキ速度領域において、クエン酸を錯化剤
に用いた場合えられるＮｉメッキ被膜中のＰ含量は、４
〜５％程度であるが、同条件で本発明におけるモノアミ
ン型生分解性キレート剤のいずれかを用いた場合、１０
％以上の高Ｐメッキが可能である。この事実は、本発明
におけるＮｉメッキ浴が、産業上、極めて大きな重要性
をもつことを示している。すなわち、Ｎｉ−Ｐ合金は、
Ｐ含量が８％以上で非晶質の光沢性アモルファスとな
り、更に１０％以上では析出状態に関係なく非磁性の被
膜となるため、本発明における高速度、高Ｐ含量のＮｉ
メッキは、電子部品産業におけるハードデイスク、トラ
ンンジスターパッケージ、航空機および自動車産業にお
ける光学部品など製造に道を開くものである。
ート剤の最大の特徴は、いずれの錯化剤を用いた場合で
も、高速度で高Ｐ含量のＮｉ被膜を形成できることであ
る。例えは、ｐＨ８〜１０（アンモニアによるアルカリ
性浴）の高メッキ速度領域において、クエン酸を錯化剤
に用いた場合えられるＮｉメッキ被膜中のＰ含量は、４
〜５％程度であるが、同条件で本発明におけるモノアミ
ン型生分解性キレート剤のいずれかを用いた場合、１０
％以上の高Ｐメッキが可能である。この事実は、本発明
におけるＮｉメッキ浴が、産業上、極めて大きな重要性
をもつことを示している。すなわち、Ｎｉ−Ｐ合金は、
Ｐ含量が８％以上で非晶質の光沢性アモルファスとな
り、更に１０％以上では析出状態に関係なく非磁性の被
膜となるため、本発明における高速度、高Ｐ含量のＮｉ
メッキは、電子部品産業におけるハードデイスク、トラ
ンンジスターパッケージ、航空機および自動車産業にお
ける光学部品など製造に道を開くものである。
【００２５】
【実施例】次に実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００２６】実施例１〜２１ 本発明におけるモノアミン型生分解性キレート剤を錯化
剤に用いた場合の最大メッキ速度を、表１に示す。ま
た、最大メッキ速度時の浴のｐＨと緩衝力（ｐＨ変
化）、Ｐ含量、浴の安定性についても表１に示す。 （測定条件） Ｎｉ++イオン供給剤濃度：ＮｉＳＯ4 ・６（Ｈ2 ０）と
して０．１０Ｍ 還元剤濃度：ＮａＨ2 ＰＯ2 ・（Ｈ2 ０）として０．２
０Ｍ 錯化剤濃度：０．０７Ｍ メッキ温度：８０℃ ｐＨ調製：Ｈ2 ＳＯ4 とＮＨ4 ＯＨによる
剤に用いた場合の最大メッキ速度を、表１に示す。ま
た、最大メッキ速度時の浴のｐＨと緩衝力（ｐＨ変
化）、Ｐ含量、浴の安定性についても表１に示す。 （測定条件） Ｎｉ++イオン供給剤濃度：ＮｉＳＯ4 ・６（Ｈ2 ０）と
して０．１０Ｍ 還元剤濃度：ＮａＨ2 ＰＯ2 ・（Ｈ2 ０）として０．２
０Ｍ 錯化剤濃度：０．０７Ｍ メッキ温度：８０℃ ｐＨ調製：Ｈ2 ＳＯ4 とＮＨ4 ＯＨによる
【００２７】
【表１】
【００２８】ただし、表１における分析条件および記号
は以下の通りである。 （分析条件） 速度：１０ｃｍ2 の試験板６０分当のメッキ被膜増加質
量ｍｇ ｐＨ変化：ｐＨ４〜１０の領域でメッキ浴のｐＨを０．
５刻に測定した際の、最大メッキ速度を与えるｐＨ値お
よび測定終了後のｐＨ Ｐ含量：生成したＮｉ−Ｐ合金被膜中のＰ重量％ （記号） ◎：極めて安定 ○：安定 △：やや不安定 ×：不安定、浴分解
は以下の通りである。 （分析条件） 速度：１０ｃｍ2 の試験板６０分当のメッキ被膜増加質
量ｍｇ ｐＨ変化：ｐＨ４〜１０の領域でメッキ浴のｐＨを０．
５刻に測定した際の、最大メッキ速度を与えるｐＨ値お
よび測定終了後のｐＨ Ｐ含量：生成したＮｉ−Ｐ合金被膜中のＰ重量％ （記号） ◎：極めて安定 ○：安定 △：やや不安定 ×：不安定、浴分解
【００２９】比較例１〜５ 実施例１〜２１と同様の条件で、モノアミン型生分解性
キレート剤以外の錯化剤を用いた場合の最大メッキ速度
を、表２に示す。また、最大メッキ速度時の浴のｐＨと
緩衝力（ｐＨ変化）、Ｐ含量、浴の安定性についても表
２に示す。
キレート剤以外の錯化剤を用いた場合の最大メッキ速度
を、表２に示す。また、最大メッキ速度時の浴のｐＨと
緩衝力（ｐＨ変化）、Ｐ含量、浴の安定性についても表
２に示す。
【００３０】
【表２】
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、無電解Ｎｉメッキ浴に
おいて、アスパラギン酸、グルタミン酸、およびイミノ
二酢酸等を基本骨格としたモノアミン型生分解性キレー
ト剤を、適切なキレート力を有する錯化剤として使用す
ることができる。また、本発明は、以下に示す効果もあ
る。 １） クエン酸などの従来の錯化剤では実現不可能であ
った高速度でしかも高Ｐ含量のＮｉメッキを作成するこ
とができる。 ２） 形成されたＮｉ皮膜は、非磁性、均一性、耐食
性、光沢性において優れており、電子部品産業における
ハードデイスク、トランジスターパッケージ、航空機お
よび自動車産業における光学部品などに広く用いられ
る。 ３） 浴の安定性に極めて優れており、長い液寿命の
下、高いターン数のメッキが実施可能である。
おいて、アスパラギン酸、グルタミン酸、およびイミノ
二酢酸等を基本骨格としたモノアミン型生分解性キレー
ト剤を、適切なキレート力を有する錯化剤として使用す
ることができる。また、本発明は、以下に示す効果もあ
る。 １） クエン酸などの従来の錯化剤では実現不可能であ
った高速度でしかも高Ｐ含量のＮｉメッキを作成するこ
とができる。 ２） 形成されたＮｉ皮膜は、非磁性、均一性、耐食
性、光沢性において優れており、電子部品産業における
ハードデイスク、トランジスターパッケージ、航空機お
よび自動車産業における光学部品などに広く用いられ
る。 ３） 浴の安定性に極めて優れており、長い液寿命の
下、高いターン数のメッキが実施可能である。
Claims (5)
- 【請求項１】 下記一般式［１］で表されるモノアミン
型生分解性キレート剤から選ばれた少なくとも一種を有
効成分として含有する無電解Ｎｉメッキ浴。 一般式［１］ （式中、Ｒ1 は、水素あるいは炭素数１〜１０の無置換
または置換炭化水素基で、置換基として、−ＯＨ、−Ｃ
ＯＯＭ、−ＳＯ3 Ｍ、−ＰＯ3 Ｍ2 、−ＮＨ2 、−ＣＯ
ＮＨ2 、−ＮＨＣ（＝ＮＨ）ＮＨ2 あるいは−ＳＨを１
つ以上含んでいてもよい。Ｒ2 及びＲ3 は、水素あるい
は炭素数１〜８の無置換または置換炭化水素基で、置換
基として、−ＯＨ、−ＣＯＯＭ、−ＳＯ3 Ｍあるいは−
ＰＯ3 Ｍ2を１つ以上含んでいてもよい。Ｒ4 は、水
素、−ＣＯＯＭ、−ＳＯ3 Ｍあるいは−ＰＯ3 Ｍ2 を表
す。また、Ｒ1 とＲ2 の間で環を形成していてもよい。
Ｍは水素、アルカリ金属またはアンモニウム基を表
す。） - 【請求項２】 一般式［１］で表されるモノアミン型生
分解性キレート剤が、アスパラギン酸一酢酸、アスパラ
ギン酸二酢酸、アスパラギン酸一プロピオン酸、イミノ
ジコハク酸、２−スルホメチルアスパラギン酸、２−ス
ルホエチルアスパラギン酸，グルタミン酸二酢酸、２−
スルホメチルグルタミン酸、２−スルホエチルグルタミ
ン酸、イミノ二酢酸、ニトリロ三酢酸、メチルイミノ二
酢酸、α−アラニン二酢酸、β−アラニン二酢酸、セリ
ン二酢酸、イソセリン二酢酸、フェニルアラニン二酢
酸、アントラニル酸二酢酸、スルファニル酸二酢酸、タ
ウリン二酢酸、スルホメチル二酢酸あるいはこれらのア
ルカリ金属塩またはアンモニウム塩である請求項１記載
の無電解Ｎｉメッキ浴。 - 【請求項３】 一般式［１］で表されるモノアミン型生
分解性キレート剤が、（Ｓ）−アスパラギン酸一酢酸、
（Ｓ）−アスパラギン酸二酢酸、（Ｓ）−アスパラギン
酸一プロピオン酸、（Ｓ，Ｓ）−イミノジコハク酸、
（Ｓ，Ｒ）−イミノジコハク酸、（Ｓ）−２−スルホメ
チルアスパラギン酸、（Ｓ）−２−スルホエチルアスパ
ラギン酸，（Ｓ）−グルタミン酸二酢酸、（Ｓ）−２−
スルホメチルグルタミン酸、（Ｓ）−２−スルホエチル
グルタミン酸、（Ｓ）−α−アラニン二酢酸、（Ｓ）−
セリン二酢酸、（Ｓ）−フェニルアラニン二酢酸あるい
はこれらのアルカリ金属塩またはアンモニウム塩である
請求項１記載の無電解Ｎｉメッキ浴。 - 【請求項４】 ＮａＯＨ、ＫＯＨ，ＮＨ4 ＯＨによりア
ルカリ性とした請求項１記載の無電解Ｎｉメッキ浴。 - 【請求項５】 次亜燐酸ナトリウムを還元剤に用いた高
Ｐ含量のＮｉ被膜を高速度で与える請求項４記載の無電
解Ｎｉメッキ浴。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12046795A JPH08296049A (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | モノアミン型生分解性キレート剤を用いた無電解Ｎｉメッキ浴 |
| PCT/JP1996/001105 WO1996034126A1 (fr) | 1995-04-24 | 1996-04-24 | Bain de depot sans apport de courant mettant en ×uvre un agent de chelation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12046795A JPH08296049A (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | モノアミン型生分解性キレート剤を用いた無電解Ｎｉメッキ浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08296049A true JPH08296049A (ja) | 1996-11-12 |
Family
ID=14786899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12046795A Pending JPH08296049A (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | モノアミン型生分解性キレート剤を用いた無電解Ｎｉメッキ浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08296049A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006206985A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解ニッケル−リンめっき皮膜及び無電解ニッケル−リンめっき浴 |
| KR20100017608A (ko) * | 2007-05-03 | 2010-02-16 | 아토테크 도이칠란드 게엠베하 | 비전도성 기판에 금속 코팅하는 방법 |
| JP2011001619A (ja) * | 2009-06-20 | 2011-01-06 | Ritsuhin Ri | 無電解ニッケルめっき浴および無電解ニッケルめっき方法 |
| KR20170093870A (ko) * | 2014-12-16 | 2017-08-16 | 아토테크더치랜드게엠베하 | 금속 및 금속 합금의 무전해 도금을 위한 도금조 조성물 |
-
1995
- 1995-04-24 JP JP12046795A patent/JPH08296049A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006206985A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解ニッケル−リンめっき皮膜及び無電解ニッケル−リンめっき浴 |
| KR20100017608A (ko) * | 2007-05-03 | 2010-02-16 | 아토테크 도이칠란드 게엠베하 | 비전도성 기판에 금속 코팅하는 방법 |
| JP2010526205A (ja) * | 2007-05-03 | 2010-07-29 | アトテック・ドイチュラント・ゲーエムベーハー | 不導性基質へ金属被覆を施す方法 |
| JP2011001619A (ja) * | 2009-06-20 | 2011-01-06 | Ritsuhin Ri | 無電解ニッケルめっき浴および無電解ニッケルめっき方法 |
| KR20170093870A (ko) * | 2014-12-16 | 2017-08-16 | 아토테크더치랜드게엠베하 | 금속 및 금속 합금의 무전해 도금을 위한 도금조 조성물 |
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