JPH09129948A - 複数の波長信号を一括して増幅する多波長一括光増幅器 - Google Patents
複数の波長信号を一括して増幅する多波長一括光増幅器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】1dBm以上のより大きい範囲での利得制御を
可能とする多波長信号を一括増幅する光増幅器を提供す
る。 【解決手段】エルビウムドープファイバを用いた複数波
長の光信号を一括して増幅する光増幅器であって、エル
ビウムドープファイバがその断面方向において、エルビ
ウムがドープされているガラス材料として複数種類で構
成し、且つ励起光波長帯も該複数種類のガラス材料に対
応して複数種類として構成される。
可能とする多波長信号を一括増幅する光増幅器を提供す
る。 【解決手段】エルビウムドープファイバを用いた複数波
長の光信号を一括して増幅する光増幅器であって、エル
ビウムドープファイバがその断面方向において、エルビ
ウムがドープされているガラス材料として複数種類で構
成し、且つ励起光波長帯も該複数種類のガラス材料に対
応して複数種類として構成される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、エルビウム(E
r)をドープした光ファイバによる光増幅器、特に複数
の波長信号を一括して増幅する多波長一括光増幅器に関
する。
r)をドープした光ファイバによる光増幅器、特に複数
の波長信号を一括して増幅する多波長一括光増幅器に関
する。
【0002】
【従来の技術】エルビウム(Er)をドープした光ファ
イバによる光増幅器が光通信に採用され、更に近年光通
信システムの大容量化に対応として、複数波長の信号を
一括して増幅することの開発が進められている。かかる
複数波長の信号を一括して増幅により、エルビウムドー
プファイバを用いた光増幅器を単一で済ませることが可
能であり、経済的利点が大きい。
イバによる光増幅器が光通信に採用され、更に近年光通
信システムの大容量化に対応として、複数波長の信号を
一括して増幅することの開発が進められている。かかる
複数波長の信号を一括して増幅により、エルビウムドー
プファイバを用いた光増幅器を単一で済ませることが可
能であり、経済的利点が大きい。
【0003】しかし、このような多波長一括光増幅器に
対する課題として個々の信号光出力の利得制御性があ
る。利得制御の手法として先に本発明者等により0.9
8μmと1.48μmの2波長励起の方法が提案されて
いる(例えば、電子通信学会予稿集論文「0.98μm
と1.48μm帯両波長励起によるEDFAの多波長一
括増幅特性」95年3月10日発行)。
対する課題として個々の信号光出力の利得制御性があ
る。利得制御の手法として先に本発明者等により0.9
8μmと1.48μmの2波長励起の方法が提案されて
いる(例えば、電子通信学会予稿集論文「0.98μm
と1.48μm帯両波長励起によるEDFAの多波長一
括増幅特性」95年3月10日発行)。
【0004】かかる論文の図3は、本発明者等により測
定した0.98μmと1.48μmの2波長励起におけ
るそれぞれの励起光パワと総出力の関係を示している。
これを図10に拡大して示すと、図10において、横軸
に0.98μm帯励起光パワ、縦軸に1.48μm帯励
起光パワを示し、2つの信号光出力の和としての総出力
がプロットされている。
定した0.98μmと1.48μmの2波長励起におけ
るそれぞれの励起光パワと総出力の関係を示している。
これを図10に拡大して示すと、図10において、横軸
に0.98μm帯励起光パワ、縦軸に1.48μm帯励
起光パワを示し、2つの信号光出力の和としての総出力
がプロットされている。
【0005】図において、例として0.98μm帯励起
光パワを12.5mW、1.48μm帯励起光パワを2
2.5mWとする時、総出力11dBmが得られる。図
10は、この様な関係を測定してプロットしたものであ
る。
光パワを12.5mW、1.48μm帯励起光パワを2
2.5mWとする時、総出力11dBmが得られる。図
10は、この様な関係を測定してプロットしたものであ
る。
【0006】一方、多波長一括増幅器において、それぞ
れの波長に対し、利得が一定即ち、複数波長間で利得差
がないことが望ましい。図10において、ΔG=0は、
0.98μmと1.48μmの2波長間で利得差が無い
点をプロットして得られる特性線である。
れの波長に対し、利得が一定即ち、複数波長間で利得差
がないことが望ましい。図10において、ΔG=0は、
0.98μmと1.48μmの2波長間で利得差が無い
点をプロットして得られる特性線である。
【0007】したがって、図10において、利得差ΔG
=0の線上で0.98μm帯励起光パワを22mWから
50mWまで変化させることにより、光出力を12.5
dBmから13.7dBmまで約1dBmの範囲で制御
できることが読み取れる。
=0の線上で0.98μm帯励起光パワを22mWから
50mWまで変化させることにより、光出力を12.5
dBmから13.7dBmまで約1dBmの範囲で制御
できることが読み取れる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近年更に、利
得の制御範囲を拡大できる、例えば6dBm程度の範囲
を利得制御できるシステムの提供が望まれている。
得の制御範囲を拡大できる、例えば6dBm程度の範囲
を利得制御できるシステムの提供が望まれている。
【0009】このような要求に対して、先に本発明者等
が提案した方式では、必ずしも未だ十分ではない。した
がって、本発明の目的は、1dBm以上のより大きい範
囲での利得制御を可能とする多波長信号を一括増幅する
光増幅器を提供することにある。
が提案した方式では、必ずしも未だ十分ではない。した
がって、本発明の目的は、1dBm以上のより大きい範
囲での利得制御を可能とする多波長信号を一括増幅する
光増幅器を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の課題を解
決する光増幅器は、基本構成として第一にエルビウムド
ープファイバを用いた複数波長の光信号を一括して増幅
する光増幅器であって、エルビウムドープファイバがそ
の断面方向において、エルビウムがドープされているガ
ラス材料として複数種類で構成され、同時に励起波長帯
も複数種類である。
決する光増幅器は、基本構成として第一にエルビウムド
ープファイバを用いた複数波長の光信号を一括して増幅
する光増幅器であって、エルビウムドープファイバがそ
の断面方向において、エルビウムがドープされているガ
ラス材料として複数種類で構成され、同時に励起波長帯
も複数種類である。
【0011】あるいは、エルビウムドープファイバがそ
の断面方向において、エルビウムの吸収及び放射の波長
特性が異なる複数のドープ領域を有し、同時に励起波長
帯も複数種類である。
の断面方向において、エルビウムの吸収及び放射の波長
特性が異なる複数のドープ領域を有し、同時に励起波長
帯も複数種類である。
【0012】かかる構成は、従来例においては、エルビ
ウムがドープされているガラス材料が均一であることに
起因し、利得制御の範囲が大きくとれないという本発明
者の認識に基づき、エルビウムがドープされているガラ
ス材料を少なくとも2種類以上とし、あるいは、エルビ
ウムの異なる濃度のドープ領域を複数有するようにし、
且つ励起波長帯も複数種類とするものであり、これによ
り、制御範囲を大きくすることを可能としたものであ
る。
ウムがドープされているガラス材料が均一であることに
起因し、利得制御の範囲が大きくとれないという本発明
者の認識に基づき、エルビウムがドープされているガラ
ス材料を少なくとも2種類以上とし、あるいは、エルビ
ウムの異なる濃度のドープ領域を複数有するようにし、
且つ励起波長帯も複数種類とするものであり、これによ
り、制御範囲を大きくすることを可能としたものであ
る。
【0013】即ち、エルビウムがドープされているガラ
ス材料として複数種類又は、複数のドープ領域を有し、
それらのドープ濃度を異ならしめることにより、ガラス
材料が均一であることを回避して利得制御の範囲を大き
くしている。
ス材料として複数種類又は、複数のドープ領域を有し、
それらのドープ濃度を異ならしめることにより、ガラス
材料が均一であることを回避して利得制御の範囲を大き
くしている。
【0014】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を図にし
たがって、説明する。尚、図において同一及び類似のも
のには、同一の参照番号及び記号を付して説明する。こ
こで本発明の実施の形態を説明するに当たって、先ず従
来の光増幅器の特性を検討しながら本発明の原理につい
て説明する。
たがって、説明する。尚、図において同一及び類似のも
のには、同一の参照番号及び記号を付して説明する。こ
こで本発明の実施の形態を説明するに当たって、先ず従
来の光増幅器の特性を検討しながら本発明の原理につい
て説明する。
【0015】光増幅器の利得の波長特性は、マクロ的に
見ると図2に示されるように、エルビウムドープファイ
バの励起率で決まる。ここで励起率は、次のように定義
される。
見ると図2に示されるように、エルビウムドープファイ
バの励起率で決まる。ここで励起率は、次のように定義
される。
【0016】即ち、ドープされているエルビウムが励起
光の注入に対し、エネルギ順位N1からそれより高いエ
ネルギ順位N2 移る場合は、励起光の吸収が行われる。
一方、エネルギ順位N2 にあるエルビウム電子が、励起
光によりエネルギ順位N1 に落ちる時は、光の放射が行
われる。したがって、エネルギ順位N2 にある量N2に
対するエネルギ順位N1 及びエネルギ順位N2 にある量
の和(N1 +N2 )との比を励起率と呼んでいる。
光の注入に対し、エネルギ順位N1からそれより高いエ
ネルギ順位N2 移る場合は、励起光の吸収が行われる。
一方、エネルギ順位N2 にあるエルビウム電子が、励起
光によりエネルギ順位N1 に落ちる時は、光の放射が行
われる。したがって、エネルギ順位N2 にある量N2に
対するエネルギ順位N1 及びエネルギ順位N2 にある量
の和(N1 +N2 )との比を励起率と呼んでいる。
【0017】したがって、エルビウムドープファイバの
励起率が一定であれば、これに対応して図2に示すよう
に利得が決められてしますことが知られている。
励起率が一定であれば、これに対応して図2に示すよう
に利得が決められてしますことが知られている。
【0018】これに対し、本発明者は、図3の(A)〜
(C)に例示するように、エルビウムドープファイバの
ガラス材料により吸収及び放射の断面積特性(励起光の
吸収、放射の割合が、吸収及び放射の断面積に対応す
る)が異なる、これにより励起率が同じであっても利得
の波長依存性が異なることに注目した。
(C)に例示するように、エルビウムドープファイバの
ガラス材料により吸収及び放射の断面積特性(励起光の
吸収、放射の割合が、吸収及び放射の断面積に対応す
る)が異なる、これにより励起率が同じであっても利得
の波長依存性が異なることに注目した。
【0019】図3(A)〜C)は、それぞれGe02 −
SiO2 ガラス、Al2 O3 −Ge02 −SiO2 ガラ
ス、Al2 O3 −SiO2 ガラスの吸収及び放射の断面
積特性を示している。
SiO2 ガラス、Al2 O3 −Ge02 −SiO2 ガラ
ス、Al2 O3 −SiO2 ガラスの吸収及び放射の断面
積特性を示している。
【0020】図1は、本発明者による上記の認識に基づ
く、本発明の複数波長光信号を一括して増幅する光増幅
器の原理構成図である。
く、本発明の複数波長光信号を一括して増幅する光増幅
器の原理構成図である。
【0021】図1において、(1)はエルビウムドープ
ファイバ1の断面を示す図であり、コア30を含む光導
波部10とその周囲に形成されるクラッド部20を有す
る。
ファイバ1の断面を示す図であり、コア30を含む光導
波部10とその周囲に形成されるクラッド部20を有す
る。
【0022】図1(2)は、光導波部10の拡大図であ
り、その中心部にエルビウムがドープされたガラス材I
の層とその周囲のリング部のエルビウムがドープされた
ガラス材IIの層を有する。更に、ガラス材IIの層の外周
の層IIIは、エルビウムがドープされいない、例えばシ
リカガラスで形成される。
り、その中心部にエルビウムがドープされたガラス材I
の層とその周囲のリング部のエルビウムがドープされた
ガラス材IIの層を有する。更に、ガラス材IIの層の外周
の層IIIは、エルビウムがドープされいない、例えばシ
リカガラスで形成される。
【0023】上記のガラス材Iとガラス材IIは異なる材
料で形成される。即ち、図3について説明したような、
それぞれ励起光の吸収/放射特性の異なるエルビウムが
ドープされたガラス材が選択される。
料で形成される。即ち、図3について説明したような、
それぞれ励起光の吸収/放射特性の異なるエルビウムが
ドープされたガラス材が選択される。
【0024】更に、本発明にしたがう多波長一括光増幅
器は、図1に示す原理構成のエルビウムドープファイバ
を用い、図4の原理図に示されるように、エルビウムド
ープファイバに供給される複数種(図4では2種)の波
長帯の励起光の光パワーを独立して制御可能に構成され
る。
器は、図1に示す原理構成のエルビウムドープファイバ
を用い、図4の原理図に示されるように、エルビウムド
ープファイバに供給される複数種(図4では2種)の波
長帯の励起光の光パワーを独立して制御可能に構成され
る。
【0025】即ち、図4において、1は図1に示すエル
ビウムドープファイバ、21、26はアイソレータ、2
2、24は波長多重化部、23は0.98μmまたは
0.51μmの励起光の発生部、25は1.48μmの
励起光の発生部である。
ビウムドープファイバ、21、26はアイソレータ、2
2、24は波長多重化部、23は0.98μmまたは
0.51μmの励起光の発生部、25は1.48μmの
励起光の発生部である。
【0026】第一の波長多重化部22で0.98μmあ
るいは0.5μmの励起光を前方向にエルビウムドープ
ファイバ1に送り、第二の波長多重化部24で1.48
μmの励起光を後方向にエルビウムドープファイバ1に
送りドープされたエルビウムを励起する。
るいは0.5μmの励起光を前方向にエルビウムドープ
ファイバ1に送り、第二の波長多重化部24で1.48
μmの励起光を後方向にエルビウムドープファイバ1に
送りドープされたエルビウムを励起する。
【0027】更に後に実施例において説明するようにエ
ルビウムドープファイバ1において波長帯によりモード
フィールド径が異なる。例えば0.98μm帯波長ある
いは0.5μm帯波長は、1.48μm帯波長と比較し
て小さいため、0.98μmあるいは0.5μmは中心
部のエルビウムドープ層(ガラス材Iの層)を選択的に
励起可能である。これに対し、1.48μm帯波長は、
外周のリング部のエルビウムドープ層(ガラス材IIの
層)を選択的に励起可能である。
ルビウムドープファイバ1において波長帯によりモード
フィールド径が異なる。例えば0.98μm帯波長ある
いは0.5μm帯波長は、1.48μm帯波長と比較し
て小さいため、0.98μmあるいは0.5μmは中心
部のエルビウムドープ層(ガラス材Iの層)を選択的に
励起可能である。これに対し、1.48μm帯波長は、
外周のリング部のエルビウムドープ層(ガラス材IIの
層)を選択的に励起可能である。
【0028】これにより、中心部とリング部で励起率を
独立に制御することができより広範囲の利得制御が可能
となる。
独立に制御することができより広範囲の利得制御が可能
となる。
【0029】
実施例1 図5に本発明の第一の実施例としてのエルビウムドープ
ファイバ1の光導波部分10の断面構造を示す。図5に
おいて、破線円40内が図1に示す光導波部分10であ
る。図5において、本実施例では、中心部領域41にG
eO2 −SiO 2 のガラス材層が配置されている。42
はリング状に配置されるAl2 O3 −SiO2 のガラス
材層である。
ファイバ1の光導波部分10の断面構造を示す。図5に
おいて、破線円40内が図1に示す光導波部分10であ
る。図5において、本実施例では、中心部領域41にG
eO2 −SiO 2 のガラス材層が配置されている。42
はリング状に配置されるAl2 O3 −SiO2 のガラス
材層である。
【0030】これらガラス材層41及び42にはエルビ
ウムがドープされている。光導波部分10の他の部分は
シリカガラスで構成され、中心部のコア部を生成する領
域には、不純物としてGeがドープされている。
ウムがドープされている。光導波部分10の他の部分は
シリカガラスで構成され、中心部のコア部を生成する領
域には、不純物としてGeがドープされている。
【0031】尚、上記のように、GeO2 −SiO2 を
中心部のガラス材層41とし、Al 2 O3 −SiO
2 を、リング部のガラス材層42としているのは、次の
理由に基づく。
中心部のガラス材層41とし、Al 2 O3 −SiO
2 を、リング部のガラス材層42としているのは、次の
理由に基づく。
【0032】図5に示されるように、屈折率分布の0.
98μm帯励起光のモードフィールド43は、1.48
μm帯励起光のモードフィールド44より狭い。したが
って、0.98μm帯励起光は中心部のエルビウムドー
プのガラス材層41対して、選択的に励起が可能であ
り、1.48μm帯励起光は、リング状のエルビウムド
ープのガラス材層42に対して選択的に励起が可能であ
る。
98μm帯励起光のモードフィールド43は、1.48
μm帯励起光のモードフィールド44より狭い。したが
って、0.98μm帯励起光は中心部のエルビウムドー
プのガラス材層41対して、選択的に励起が可能であ
り、1.48μm帯励起光は、リング状のエルビウムド
ープのガラス材層42に対して選択的に励起が可能であ
る。
【0033】したがって、図5のエルビウムドープファ
イバを利用して構成される光増幅器は、図4の原理構成
図において、エルビウムドープファイバ1を図5に示す
構成とし、更に励起光発生器23から0.98μm帯励
起光を前方向に供給し、励起光発生器25から1.48
μm帯励起光を後方向に供給することにより、それぞれ
の励起光パワをガラス材層41及び42に対して、独立
して制御が可能である。
イバを利用して構成される光増幅器は、図4の原理構成
図において、エルビウムドープファイバ1を図5に示す
構成とし、更に励起光発生器23から0.98μm帯励
起光を前方向に供給し、励起光発生器25から1.48
μm帯励起光を後方向に供給することにより、それぞれ
の励起光パワをガラス材層41及び42に対して、独立
して制御が可能である。
【0034】図6は、上記図5の実施例の効果を説明す
る図である。図6は横軸に信号光入力、縦軸に光出力と
し、2つの波長帯励起光による利得差が無い(ΔG=
0)時の最小利得と最大利得の関係を示すグラフであ
る。
る図である。図6は横軸に信号光入力、縦軸に光出力と
し、2つの波長帯励起光による利得差が無い(ΔG=
0)時の最小利得と最大利得の関係を示すグラフであ
る。
【0035】図6において、(I)は導波部の中心部の
みエルビウムをドープした一種類ののガラス材層からな
る従来のエルビウムドープファイバを用いた光増幅器の
特性である。この特性(I)は、−9〜−6dBmの信
号光入力に対し、利得制御幅は、先に図10において説
明したように約1dBmである。
みエルビウムをドープした一種類ののガラス材層からな
る従来のエルビウムドープファイバを用いた光増幅器の
特性である。この特性(I)は、−9〜−6dBmの信
号光入力に対し、利得制御幅は、先に図10において説
明したように約1dBmである。
【0036】これに対し、本発明の図5にエルビウムド
ープファイバ1を用い、図4のように構成された光増幅
器では、−12〜−6dBmの信号光入力に対し、4〜
7.5dBm(平均約5.8dBm)の利得制御幅を得
ることが出来る。
ープファイバ1を用い、図4のように構成された光増幅
器では、−12〜−6dBmの信号光入力に対し、4〜
7.5dBm(平均約5.8dBm)の利得制御幅を得
ることが出来る。
【0037】実施例2 図5において、中心部のエルビウムをドープしたガラス
材料層41をGeO2−SiO2 からAl2 O2 −Ge
O2 −SiO2 に変え、1.55μm付近での利得をよ
り広帯域とした例である。尚、光増幅器としての全体構
成は実施例1と同様である。広帯域となるのは、図3に
おいて、図3(A)、図3(B)との比較によりGeO
2 −SiO2 の例に対し、Al2 O2 −GeO2 −Si
O2 の方が、吸収/放射断面積の帯域が広がっているた
めである。
材料層41をGeO2−SiO2 からAl2 O2 −Ge
O2 −SiO2 に変え、1.55μm付近での利得をよ
り広帯域とした例である。尚、光増幅器としての全体構
成は実施例1と同様である。広帯域となるのは、図3に
おいて、図3(A)、図3(B)との比較によりGeO
2 −SiO2 の例に対し、Al2 O2 −GeO2 −Si
O2 の方が、吸収/放射断面積の帯域が広がっているた
めである。
【0038】実施例3 図7は、本発明の一実施例として、本発明にしたがう実
施例1のエルビウムドープファイバを用いた光増幅器5
0に、Al2 O3 −GeO2 −SiO2 ガラスにエルビ
ウムをドープしたエルビウムドープファイバを用いた従
来の光増幅器51を縦続したものである。
施例1のエルビウムドープファイバを用いた光増幅器5
0に、Al2 O3 −GeO2 −SiO2 ガラスにエルビ
ウムをドープしたエルビウムドープファイバを用いた従
来の光増幅器51を縦続したものである。
【0039】かかる実施例では、エルビウムドープのG
eO2 −SiO2 ガラス、エルビウムドープのGeO2
−Al2 O3 −SiO2 ガラス及びエルビウムドープの
Al−Siガラスの3つのエルビウムドープ層の吸収/
放射断面積をすべて利得制御に使うようにすることが出
来る。
eO2 −SiO2 ガラス、エルビウムドープのGeO2
−Al2 O3 −SiO2 ガラス及びエルビウムドープの
Al−Siガラスの3つのエルビウムドープ層の吸収/
放射断面積をすべて利得制御に使うようにすることが出
来る。
【0040】実施例4 また、図示省略するが、上記図5に示す例と同様にして
実施例2の光増幅器とGe−Siガラスにエルビウムを
ドープしたエルビウムドープファイバを用いた光増幅器
を縦続して構成することが可能である。この場合にも、
エルビウムドープGe−Siガラス、エルビウムドープ
GeO2 −SiO2 ガラス及びエルビウムドープAl2
O2 −GeO2 −SiO2 ガラスの吸収/放射断面積を
使うようにすることが出来る。
実施例2の光増幅器とGe−Siガラスにエルビウムを
ドープしたエルビウムドープファイバを用いた光増幅器
を縦続して構成することが可能である。この場合にも、
エルビウムドープGe−Siガラス、エルビウムドープ
GeO2 −SiO2 ガラス及びエルビウムドープAl2
O2 −GeO2 −SiO2 ガラスの吸収/放射断面積を
使うようにすることが出来る。
【0041】実施例5 図8、図9は、0.5μm、0.98μm、1.48μ
m帯励起光の3つのモードフィールドの差を利用し、そ
れぞれのモードフィールドの差が大きいところで、ガラ
ス材料を変えてエルビウムをドープしたファイバを適用
する光増幅器の実施例である。
m帯励起光の3つのモードフィールドの差を利用し、そ
れぞれのモードフィールドの差が大きいところで、ガラ
ス材料を変えてエルビウムをドープしたファイバを適用
する光増幅器の実施例である。
【0042】即ち、図8にオイテ、光導波部10の断面
図の60〜62は、それぞれ異なるガラス材料にエルビ
ウムがドープされた領域である。更に、63〜65は、
それぞれ0.5μm、0.98μm、1.48μm帯の
屈折率分布のモードフィールドである。
図の60〜62は、それぞれ異なるガラス材料にエルビ
ウムがドープされた領域である。更に、63〜65は、
それぞれ0.5μm、0.98μm、1.48μm帯の
屈折率分布のモードフィールドである。
【0043】図9は図8のエルビウムドープファイバを
利用する光増幅器の構成であり、他の実施例構成と異な
る点は、カプラ26と励起光発生器27、28を有し、
励起光発生器27、28からのそれぞれ0.5μm帯波
長及び0.98μm帯波長のの励起光を混合し、波長分
割変調器22を通して前方向に、エルビウムドープファ
イバ1に対して供給する構成である。
利用する光増幅器の構成であり、他の実施例構成と異な
る点は、カプラ26と励起光発生器27、28を有し、
励起光発生器27、28からのそれぞれ0.5μm帯波
長及び0.98μm帯波長のの励起光を混合し、波長分
割変調器22を通して前方向に、エルビウムドープファ
イバ1に対して供給する構成である。
【0044】尚、0.5μm帯波長の励起光を発生する
励起光発生器28は、レーザダイオード単体による構成
とせずに、倍波共振レーザSHG(1.064μmのY
AGレーザ出力を倍波長にする装置)により構成するこ
とも可能である。
励起光発生器28は、レーザダイオード単体による構成
とせずに、倍波共振レーザSHG(1.064μmのY
AGレーザ出力を倍波長にする装置)により構成するこ
とも可能である。
【0045】尚、かかる実施例2〜5の場合も、図示は
省略するが実施例1における図6に示した従来装置との
比較における利得制御幅が大きくなると言う本発明の効
果は同様である。
省略するが実施例1における図6に示した従来装置との
比較における利得制御幅が大きくなると言う本発明の効
果は同様である。
【0046】
【発明の効果】以上、図に従い本発明の実施例を説明し
たように、従来の方法では利得制御範囲として1dB程
度でしかなかったが、本発明の適用により大きな範囲の
利得制御が可能である。
たように、従来の方法では利得制御範囲として1dB程
度でしかなかったが、本発明の適用により大きな範囲の
利得制御が可能である。
【0047】また、上記実施例では、異なるエルビウム
がドープされたガラス材料を二種以上使用することによ
り利得を一定に制御することを説明した。しかし、本発
明はこれに限られない。即ち、本発明者によりエルビウ
ムのドープ濃度に比例して励起光の吸収及び放射断面積
が大きくなることが実験により確かめられている。
がドープされたガラス材料を二種以上使用することによ
り利得を一定に制御することを説明した。しかし、本発
明はこれに限られない。即ち、本発明者によりエルビウ
ムのドープ濃度に比例して励起光の吸収及び放射断面積
が大きくなることが実験により確かめられている。
【0048】したがって、ガラス材料を変える代わりに
エルビウムのドープ量を変えることによっても同様に利
得制御の範囲を大きくすることが可能である。
エルビウムのドープ量を変えることによっても同様に利
得制御の範囲を大きくすることが可能である。
【図1】本発明の原理を説明するエルビウムドープファ
イバの断面構成例である。
イバの断面構成例である。
【図2】励起率の変化による利得の依存性変化を説明す
る図である。
る図である。
【図3】ガラス材料による励起光の吸収・放射特性の相
違を説明する図である。
違を説明する図である。
【図4】本発明の原理を説明するエルビウムドープファ
イバを用いた光増幅器の構成例である。
イバを用いた光増幅器の構成例である。
【図5】第1の実施例における光導波部分の断面構造を
示す図である。
示す図である。
【図6】本発明の効果を説明する図である。
【図7】本発明の第3の実施例の構成図である。
【図8】本発明の第5の実施例におけるエルビウムドー
プファイバの光導波部分の断面構成を示す図である。
プファイバの光導波部分の断面構成を示す図である。
【図9】図8のエルビウムドープファイバを用いた光増
幅器の構成例である。
幅器の構成例である。
【図10】0.98μmと1.48μmの2波長励起に
おけるそれぞれの励起光パワと総出力の関係である。
おけるそれぞれの励起光パワと総出力の関係である。
1 エルビウムドープファイバ 10 光導波部 21、26 アイソレータ 22、24 波長多重変調器 23、25 励起光発生部
Claims (13)
- 【請求項1】エルビウムドープファイバを用いた複数波
長の光信号を一括して増幅する光増幅器であって、 励起光波長帯を該複数種類のガラス材料に対応して複数
種類とし、 且つ該エルビウムドープファイバがその断面方向におい
て、エルビウムがドープされているガラス材料として該
複数種類の励起光波長帯に対応する種類以上で構成する
ことを特徴とする光増幅器。 - 【請求項2】請求項1に記載の光増幅器において、 前記複数の励起光波長帯のうち少なくとも一の波長帯が
1.48μm帯であることを特徴とする光増幅器。 - 【請求項3】請求項1に記載の光増幅器において、 前記励起光波長帯を、1.48μm帯と0.98μm帯
の2波長帯とし、且つ前記エルビウムドープファイバの
カットオフ波長を0.98μm以下としたことを特徴と
する光増幅器。 - 【請求項4】請求項3に記載の光増幅器において、 前記エルビウムドープファイバにおいて、その断面方向
に円対称にエルビウムがドープされ、且つ、該エルビウ
ムのドープ領域が2層に分離され、第1の層はコア中心
部に位置し、第2の層はコアの外に位置していることを
特徴とする光増幅器。 - 【請求項5】請求項4に記載の光増幅器において、 前記第2の層のエルビウムのドープ領域を、内径を0.
98μmの光モードフィールドの外側とし、外径を1.
48μmの光のモードフィールドの内側に設定したこと
を特徴とする光増幅器。 - 【請求項6】請求項4に記載の光増幅器において、 前記第1の層のガラス材料をGeO2 −SiO2 ガラス
とし、第2の層のガラス材料をAl2 O3 −SiO2 ガ
ラスとしたことを特徴とする光増幅器。 - 【請求項7】請求項4に記載の光増幅器において、 前記第1の層のガラス材料をGeO2 −Al2 O3 −S
iガラスとし、第2の層のガラス材料をAl2 O3 −S
iO2 ガラスとしたことを特徴とする光増幅器。 - 【請求項8】請求項6に記載の光増幅器に、Al2 O3
−GeO2 −SiO2 ガラスのエルビウムドープファイ
バによる光増幅器をタンデムに接続し、 全体で信号光出力制御を行う構成としたことを特徴とす
る光増幅器。 - 【請求項9】請求項7に記載の光増幅器に、GeO2 −
SiO2 ガラスのエルビウムドープファイバによる光増
幅器をタンデムに接続し、 全体で信号光出力制御を行う構成としたことを特徴とす
る光増幅器。 - 【請求項10】請求項2に記載の光増幅器において、 前記複数の励起波長帯を1.48μm帯、0.5μm帯
及び0.98μm帯の3波長帯とし、 前記エルビウムドープファイバにエルビウムがドープさ
れている領域をファイバ中心から同心円状に3層に分離
して配置し、 最内層は、ファイバ中心に位置し、 第2層は0.5μm帯と0.98μm帯のモードフィー
ルド径の中間付近に位置し、 第3層は、0.98μm帯と1.48μm帯のモードフ
ィールド径の中間付近に位置していることを特徴とする
光増幅器。 - 【請求項11】エルビウムドープファイバを用いた複数
波長の光信号を一括して増幅する光増幅器であって、 該エルビウムドープファイバがその断面方向において、
エルビウムの吸収及び放射の波長特性が異なる複数のド
ープ領域を有し、同時に励起波長帯も複数種類であるこ
とを特徴とする光増幅器。 - 【請求項12】請求項11に記載の光増幅器において、 前記複数の励起波長帯のうち少なくとも一波長帯が1.
48μm帯であることを特徴とする光増幅器。 - 【請求項13】請求項1に記載の光増幅器において、 前記励起波長帯を、1.48μm帯と0.98μm帯の
2波長帯とし、且つ前記エルビウムドープファイバのカ
ットオフ波長を0.98μm以下としたことを特徴とす
る光増幅器。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28118295A JP3556026B2 (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 複数の波長信号を一括して増幅する多波長一括光増幅器 |
GB9622278A GB2306763B (en) | 1995-10-30 | 1996-10-25 | Optical amplifier for wavelength division multiplexed signals |
US08/736,733 US5861973A (en) | 1995-10-30 | 1996-10-25 | Optical amplifier for collectively amplifying optical signals having a plurality of multiplexed wavelengths |
FR9613236A FR2740620B1 (fr) | 1995-10-30 | 1996-10-30 | Amplificateur optique, et ensemble le comportant |
GBGB9923183.9A GB9923183D0 (en) | 1995-10-30 | 1999-09-30 | Optical amplifier for wavelength division multiplexed signals |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09129948A true JPH09129948A (ja) | 1997-05-16 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2366447B (en) * | 1996-12-04 | 2002-04-17 | Southampton Photonics Ltd | Apparatus for Amplifying a Signal Beam having a Normalised Intensity Distribution |
US5926600A (en) * | 1997-05-22 | 1999-07-20 | Litton Systems, Inc. | Optical fiber for reducing optical signal reflections |
JPH11121839A (ja) * | 1997-10-17 | 1999-04-30 | Fujitsu Ltd | 光増幅用ファイバ及び光ファイバ増幅器 |
JP2000252559A (ja) * | 1999-03-01 | 2000-09-14 | Nec Corp | ダブルクラッドファイバおよび光ファイバアンプ |
KR100326119B1 (ko) | 1999-06-23 | 2002-03-07 | 윤종용 | 씨드-빔을 이용한 엘-밴드 광섬유 증폭기 |
KR100334809B1 (ko) | 1999-07-21 | 2002-05-02 | 윤종용 | 씨드-빔을 이용한 광대역 광원 |
KR100334789B1 (ko) * | 1999-07-22 | 2002-05-02 | 윤종용 | 피드 백 루프를 이용한 광학 소자 측정용 광대역 광원 |
JP4269453B2 (ja) * | 1999-12-10 | 2009-05-27 | 住友電気工業株式会社 | 光増幅用光ファイバおよび光ファイバ増幅器 |
GB2363675B (en) | 2000-01-19 | 2004-05-26 | Advantest Corp | Wideband optical amplifier and wideband variable wavelength optical source |
WO2001069734A1 (en) * | 2000-03-10 | 2001-09-20 | Corning Incorporated | Optical fiber with absorbing overclad glass layer |
US6487006B1 (en) * | 2000-05-12 | 2002-11-26 | Jds Uniphase Inc. | Simultaneous single mode and multi-mode propagation of signals in a double clad optical fiber |
US6377396B1 (en) | 2000-09-26 | 2002-04-23 | Onetta, Inc. | Optical amplifiers with variable optical attenuation for use in fiber-optic communications systems |
US6417961B1 (en) | 2000-10-10 | 2002-07-09 | Onetta, Inc. | Optical amplifiers with dispersion compensation |
US6687049B1 (en) | 2001-07-03 | 2004-02-03 | Onetta, Inc. | Optical amplifiers with stable output power under low input power conditions |
ATE251352T1 (de) * | 2001-07-23 | 2003-10-15 | Cit Alcatel | Optischer faserverstärker und kommunikationssystem unter verwendung desselben |
US6577789B1 (en) | 2001-09-26 | 2003-06-10 | Onetta, Inc. | Double-pass optical amplifiers and optical network equipment |
US20030099450A1 (en) * | 2001-11-28 | 2003-05-29 | Huailiang Wei | Profile for limited mode fiber |
US7346258B2 (en) * | 2002-07-09 | 2008-03-18 | Fujikura Ltd. | Optical fiber and optical fiber coupler, erbium-doped optical fiber amplifier, and optical waveguide using the same |
JP5566568B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2014-08-06 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 電源電圧発生回路 |
CN111129927A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-08 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 光纤激光器以及激光发射装置 |
CN112142319B (zh) * | 2020-11-26 | 2021-03-16 | 武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司 | 一种轴向吸收渐变光纤及其制备方法、光纤激光器 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4002369A1 (de) * | 1990-01-27 | 1991-08-01 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Mehrstufiger faseroptischer verstaerker |
JP2856501B2 (ja) * | 1990-04-27 | 1999-02-10 | 株式会社東芝 | 光ファイバ増幅器 |
US5155621A (en) * | 1990-07-31 | 1992-10-13 | Fujitsu Limited | Optical fiber amplifier |
US5058976A (en) * | 1990-08-03 | 1991-10-22 | At&T Bell Laboratories | System comprising Er-doped optical fiber |
US5140456A (en) * | 1991-04-08 | 1992-08-18 | General Instrument Corporation | Low noise high power optical fiber amplifier |
FR2674965B1 (fr) * | 1991-04-08 | 1993-12-31 | Alcatel Nv | Amplificateur optique a fibre optique dopee a l'erbium. |
DK168180B1 (da) * | 1991-07-19 | 1994-02-21 | Lycom As | Fremgangsmåde til at forstærke et optisk signal, optisk forstærker til udøvelse af fremgangsmåden, og anvendelse af en sådan optisk forstærker som lyskilde |
DE4208858A1 (de) * | 1992-03-19 | 1993-09-23 | Sel Alcatel Ag | Faseroptischer verstaerker mit regelung der pumplicht-wellenlaenge |
JP3259105B2 (ja) * | 1992-08-19 | 2002-02-25 | 富士通株式会社 | 光ファイバ増幅器 |
JPH06318754A (ja) * | 1993-05-10 | 1994-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ファイバ増幅器および光信号伝送システム |
JP2636152B2 (ja) * | 1993-11-24 | 1997-07-30 | 住友電気工業株式会社 | 光ファイバ増幅器および光通信システム |
JP3244579B2 (ja) * | 1993-12-17 | 2002-01-07 | 富士通株式会社 | 光ファイバ増幅器 |
FR2715017B1 (fr) * | 1994-01-13 | 1996-02-16 | Alcatel Nv | Procédé de transmission et liaison optique à multiplexage spectral avec amplification. |
JP3379052B2 (ja) * | 1994-09-26 | 2003-02-17 | 富士通株式会社 | 波長多重光増幅装置及び光波長多重伝送システム及び光波長多重伝送方法 |
JP3301275B2 (ja) * | 1994-09-27 | 2002-07-15 | 日本電信電話株式会社 | 光ファイバ増幅器 |
-
1995
- 1995-10-30 JP JP28118295A patent/JP3556026B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1996
- 1996-10-25 US US08/736,733 patent/US5861973A/en not_active Expired - Fee Related
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-
1999
- 1999-09-30 GB GBGB9923183.9A patent/GB9923183D0/en not_active Ceased
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2006112071A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2008-11-27 | 富士通株式会社 | 光ファイバ及びその製造方法並びに光増幅器 |
US7729588B2 (en) | 2005-03-30 | 2010-06-01 | Fujitsu Limited | Optical fiber, manufacturing method of the same, and optical amplifier |
JP4792464B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2011-10-12 | 富士通株式会社 | 光ファイバ及び光増幅器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2306763A (en) | 1997-05-07 |
FR2740620A1 (fr) | 1997-04-30 |
FR2740620B1 (fr) | 1999-08-06 |
JP3556026B2 (ja) | 2004-08-18 |
GB9622278D0 (en) | 1996-12-18 |
GB9923183D0 (en) | 1999-12-01 |
US5861973A (en) | 1999-01-19 |
GB2306763B (en) | 1999-12-01 |
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