JPH09106967A - 半導体ウェーハ等の凍結切削方法 - Google Patents

半導体ウェーハ等の凍結切削方法

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Publication number
JPH09106967A
JPH09106967A JP28818495A JP28818495A JPH09106967A JP H09106967 A JPH09106967 A JP H09106967A JP 28818495 A JP28818495 A JP 28818495A JP 28818495 A JP28818495 A JP 28818495A JP H09106967 A JPH09106967 A JP H09106967A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
chuck table
work
freeze
freezing
Prior art date
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Pending
Application number
JP28818495A
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English (en)
Inventor
Kazunori Inaba
和徳 稲葉
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Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイサー等での切削時における回転ブレード
の衝撃力を緩和してウェーハ等の表面チッピングを減少
させると共に、ウェーハ等の固定力を増大させて裏面ク
ラックも減少させるようにした、半導体ウェーハ等の凍
結切削方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウェーハ等の被加工物を冷凍チャ
ックテーブル上に載置し凍結固定する工程と、前記被加
工物の切削面に氷結膜を形成する工程と、回転ブレード
で前記氷結膜を介して被加工物を切削する工程とから構
成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ等
の凍結切削方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体ウェーハ等を精密切削す
る切削装置例えばダイサーは、図3に示すようにカセッ
ト載置領域AにカセットCを載置し、このカセットC内
から搬出入手段BによりウェーハW(粘着テープNを介
してフレームFに配設されている)を待機領域Dに搬出
し、そのウェーハWを旋回アームを有する搬送手段Eに
よりチャックテーブルT上に搬送して吸引保持させると
共に、チャックテーブルTをアライメント手段Gに位置
付けてアライメントした後、回転ブレードを有する切削
手段Hで切削する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前記従来のダイサーに
おいては、切削時に図4に示すようにウェーハWの表面
が回転ブレードJの衝撃力を直接受けるので、図5に示
すようにウェーハWの表面にチッピングPが生じる。
又、前記粘着テープNは柔軟でウェーハWの固定力が弱
いため、ウェーハWの裏面にクラックQが生じ易い。本
発明は、このような従来の問題点を解決すべくなされた
もので、切削時における回転ブレードの衝撃力を緩和し
てウェーハの表面チッピングを減少させると共に、ウェ
ーハの固定力を増大してウェーハの裏面クラックも減少
させるようにした、半導体ウェーハ等の凍結切削方法を
提供することを課題とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】前記課題を技術的に解決
するための手段として、本発明は、半導体ウェーハ等の
被加工物を冷凍チャックテーブル上に載置し凍結固定す
る工程と、前記被加工物の切削面に氷結膜を形成する工
程と、回転ブレードで前記氷結膜を介して被加工物を切
削する工程と、から構成される凍結切削方法を要旨とす
る。
【0005】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳説する。図2に示すのは冷凍チャック
テーブルRであり、テーブル本体1と、その下面に配設
されたペルチェ素子等からなるサーモモジュール2と、
このサーモモジュール2の下面に配設された冷却手段例
えば冷却ステージ3とから構成され、サーモモジュール
2に通電してその上面2aから吸熱し、下面2bから放
熱することでテーブル本体1を冷凍出来るようにしてあ
る。前記冷却ステージ3は、導入口3aから冷却流体が
流入され排出口3bから流出される。
【0006】このように形成された冷凍チャックテーブ
ルRは、前記チャックテーブルTに替えてダイサー等に
装着され、テーブル本体1上にウェーハWのみ(粘着テ
ープN及びフレームFは存在しない)載置し且つこれを
凍結固定する。この凍結固定したウェーハWを前記回転
ブレードJで切削する。
【0007】切削方法を工程順に説明すると、先ず被加
工物であるウェーハWを冷凍チャックテーブルR上に載
置し凍結固定する工程を行う。即ち、図1に示すノズル
4からウェーハWの存在しない冷凍チャックテーブルR
上に水又は霧を適量供給し、その上にウェーハWを載置
して水又は霧を冷凍することにより氷結層5を形成して
ウェーハWを固定する。この状態で、冷凍チャックテー
ブルRを前記アライメント手段Gに位置付けてアライメ
ント作業を行う。
【0008】次に、ウェーハWの切削面に氷結膜を形成
する工程を行う。これは図1に示すように前記ノズル4
からウェーハW上に水又は霧を適量供給し、これを冷凍
することによりウェーハWの上面及び側面を覆う氷結膜
6を形成する。
【0009】この後、前記回転ブレードJで前記氷結膜
6を介してウェーハWを切削する工程を行う。氷結膜6
と一緒にウェーハWを切削すると、回転ブレードJの衝
撃力が氷結膜6に吸収され、ウェーハWの表面にチッピ
ングが生じない。又、ウェーハWは氷結層5で強固に固
定されているので、ウェーハWの裏面にクラックも生じ
ない。更に、ウェーハWの側面を覆っている氷結膜6に
よってウェーハWの端縁が保護されるため、切削時での
端縁の欠けを防止することが出来る。
【0010】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体ウェーハ等の被加工物の切削面に氷結膜を形成
し、回転ブレードの衝撃力が直接被加工物に伝わらない
ようにしたので表面ピッチングを減少させる効果を奏す
る。又、被加工物を冷凍チャックテーブルに凍結させて
固定力を増大させることで、被加工物の裏面クラックを
減少させる効果も奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態を示す説明図である。
【図2】 冷凍チャックテーブルの概略断面図である。
【図3】 ダイサーの一例を示す斜視図である。
【図4】 チャックテーブルに固定されたフレーム付き
ウェーハの切削状態を示す説明図である。
【図5】 ウェーハの切削後の状態を示す部分拡大図で
ある。
【符号の説明】
1…テーブル本体 2…サーモモジュール 2a…上面 2b…下面 3…冷凍ステージ 3a…導入口 3b…排出口 J…回転ブレード R…冷凍チャックテーブル T…チャックテーブル W…ウェーハ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウェーハ等の被加工物を冷凍チャ
    ックテーブル上に載置し凍結固定する工程と、前記被加
    工物の切削面に氷結膜を形成する工程と、回転ブレード
    で前記氷結膜を介して被加工物を切削する工程と、から
    構成される半導体ウェーハ等の凍結切削方法。
JP28818495A 1995-10-11 1995-10-11 半導体ウェーハ等の凍結切削方法 Pending JPH09106967A (ja)

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JP28818495A JPH09106967A (ja) 1995-10-11 1995-10-11 半導体ウェーハ等の凍結切削方法

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JPH09106967A true JPH09106967A (ja) 1997-04-22

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JP28818495A Pending JPH09106967A (ja) 1995-10-11 1995-10-11 半導体ウェーハ等の凍結切削方法

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JP (1) JPH09106967A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7767557B2 (en) * 2007-05-11 2010-08-03 Micron Technology, Inc. Chilled wafer dicing
JP2012104607A (ja) * 2010-11-09 2012-05-31 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワークのダイシング装置及びワークのダイシング方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7767557B2 (en) * 2007-05-11 2010-08-03 Micron Technology, Inc. Chilled wafer dicing
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Legal Events

Date Code Title Description
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040224