JPH09106967A - Freeze cut method of semiconductor wafer or the like - Google Patents
Freeze cut method of semiconductor wafer or the likeInfo
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- JPH09106967A JPH09106967A JP28818495A JP28818495A JPH09106967A JP H09106967 A JPH09106967 A JP H09106967A JP 28818495 A JP28818495 A JP 28818495A JP 28818495 A JP28818495 A JP 28818495A JP H09106967 A JPH09106967 A JP H09106967A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ等
の凍結切削方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a freeze cutting method for semiconductor wafers and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体ウェーハ等を精密切削す
る切削装置例えばダイサーは、図３に示すようにカセッ
ト載置領域ＡにカセットＣを載置し、このカセットＣ内
から搬出入手段ＢによりウェーハＷ（粘着テープＮを介
してフレームＦに配設されている）を待機領域Ｄに搬出
し、そのウェーハＷを旋回アームを有する搬送手段Ｅに
よりチャックテーブルＴ上に搬送して吸引保持させると
共に、チャックテーブルＴをアライメント手段Ｇに位置
付けてアライメントした後、回転ブレードを有する切削
手段Ｈで切削する。2. Description of the Related Art Generally, a cutting device for precisely cutting a semiconductor wafer or the like, for example, a dicer, places a cassette C in a cassette placement area A as shown in FIG. W (disposed on the frame F via the adhesive tape N) is unloaded to the standby area D, and the wafer W is transferred onto the chuck table T by the transfer means E having a swing arm to be suction-held. After the chuck table T is positioned and aligned with the alignment means G, it is cut by the cutting means H having a rotating blade.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】前記従来のダイサーに
おいては、切削時に図４に示すようにウェーハＷの表面
が回転ブレードＪの衝撃力を直接受けるので、図５に示
すようにウェーハＷの表面にチッピングＰが生じる。
又、前記粘着テープＮは柔軟でウェーハＷの固定力が弱
いため、ウェーハＷの裏面にクラックＱが生じ易い。本
発明は、このような従来の問題点を解決すべくなされた
もので、切削時における回転ブレードの衝撃力を緩和し
てウェーハの表面チッピングを減少させると共に、ウェ
ーハの固定力を増大してウェーハの裏面クラックも減少
させるようにした、半導体ウェーハ等の凍結切削方法を
提供することを課題とする。In the conventional dicer, since the surface of the wafer W is directly subjected to the impact force of the rotary blade J as shown in FIG. 4 during cutting, the surface of the wafer W as shown in FIG. A chipping P occurs at.
Further, since the adhesive tape N is flexible and the fixing force for the wafer W is weak, cracks Q are likely to occur on the back surface of the wafer W. The present invention has been made to solve such a conventional problem, and reduces the impact force of the rotating blade during cutting to reduce the surface chipping of the wafer, while increasing the fixing force of the wafer It is an object of the present invention to provide a freeze cutting method for a semiconductor wafer or the like, which reduces backside cracks.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】前記課題を技術的に解決
するための手段として、本発明は、半導体ウェーハ等の
被加工物を冷凍チャックテーブル上に載置し凍結固定す
る工程と、前記被加工物の切削面に氷結膜を形成する工
程と、回転ブレードで前記氷結膜を介して被加工物を切
削する工程と、から構成される凍結切削方法を要旨とす
る。As means for technically solving the above-mentioned problems, the present invention provides a step of placing a workpiece such as a semiconductor wafer on a freezing chuck table and freeze-fixing the workpiece. A gist of a freezing cutting method includes a step of forming a frozen film on a cutting surface of a workpiece and a step of cutting a workpiece with the rotating blade through the frozen film.
【０００５】[0005]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳説する。図２に示すのは冷凍チャック
テーブルＲであり、テーブル本体１と、その下面に配設
されたペルチェ素子等からなるサーモモジュール２と、
このサーモモジュール２の下面に配設された冷却手段例
えば冷却ステージ３とから構成され、サーモモジュール
２に通電してその上面２ａから吸熱し、下面２ｂから放
熱することでテーブル本体１を冷凍出来るようにしてあ
る。前記冷却ステージ３は、導入口３ａから冷却流体が
流入され排出口３ｂから流出される。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 2 shows a freezing chuck table R, which includes a table body 1 and a thermo module 2 including a Peltier element or the like arranged on the lower surface thereof.
The thermo module 2 is composed of a cooling means, for example, a cooling stage 3 arranged on the lower surface of the thermo module 2, and the table main body 1 can be frozen by energizing the thermo module 2 to absorb heat from the upper surface 2a and to radiate heat from the lower surface 2b. I am doing it. The cooling fluid flows into the cooling stage 3 through the inlet 3a and flows out through the outlet 3b.
【０００６】このように形成された冷凍チャックテーブ
ルＲは、前記チャックテーブルＴに替えてダイサー等に
装着され、テーブル本体１上にウェーハＷのみ（粘着テ
ープＮ及びフレームＦは存在しない）載置し且つこれを
凍結固定する。この凍結固定したウェーハＷを前記回転
ブレードＪで切削する。The freezing chuck table R thus formed is mounted on a dicer or the like in place of the chuck table T, and only the wafer W is placed on the table body 1 (the adhesive tape N and the frame F do not exist). And this is freeze-fixed. The freeze-fixed wafer W is cut by the rotary blade J.
【０００７】切削方法を工程順に説明すると、先ず被加
工物であるウェーハＷを冷凍チャックテーブルＲ上に載
置し凍結固定する工程を行う。即ち、図１に示すノズル
４からウェーハＷの存在しない冷凍チャックテーブルＲ
上に水又は霧を適量供給し、その上にウェーハＷを載置
して水又は霧を冷凍することにより氷結層５を形成して
ウェーハＷを固定する。この状態で、冷凍チャックテー
ブルＲを前記アライメント手段Ｇに位置付けてアライメ
ント作業を行う。The cutting method will be described in order of steps. First, a step of placing a wafer W, which is an object to be processed, on a freezing chuck table R and freezing and fixing it. That is, from the nozzle 4 shown in FIG.
An appropriate amount of water or mist is supplied onto the wafer W, and the wafer W is placed on the water W to freeze the water or mist to form the frozen layer 5 and fix the wafer W. In this state, the freeze chuck table R is positioned on the alignment means G to perform the alignment work.
【０００８】次に、ウェーハＷの切削面に氷結膜を形成
する工程を行う。これは図１に示すように前記ノズル４
からウェーハＷ上に水又は霧を適量供給し、これを冷凍
することによりウェーハＷの上面及び側面を覆う氷結膜
６を形成する。Next, a step of forming a frozen film on the cut surface of the wafer W is performed. This is the nozzle 4 as shown in FIG.
From the above, an appropriate amount of water or mist is supplied onto the wafer W, and by freezing it, the frost film 6 covering the upper surface and the side surface of the wafer W is formed.
【０００９】この後、前記回転ブレードＪで前記氷結膜
６を介してウェーハＷを切削する工程を行う。氷結膜６
と一緒にウェーハＷを切削すると、回転ブレードＪの衝
撃力が氷結膜６に吸収され、ウェーハＷの表面にチッピ
ングが生じない。又、ウェーハＷは氷結層５で強固に固
定されているので、ウェーハＷの裏面にクラックも生じ
ない。更に、ウェーハＷの側面を覆っている氷結膜６に
よってウェーハＷの端縁が保護されるため、切削時での
端縁の欠けを防止することが出来る。After that, a step of cutting the wafer W with the rotary blade J through the frozen film 6 is performed. Freezing membrane 6
When the wafer W is cut together with the above, the impact force of the rotating blade J is absorbed by the freezing film 6, and chipping does not occur on the surface of the wafer W. Further, since the wafer W is firmly fixed by the freezing layer 5, no crack is generated on the back surface of the wafer W. Further, since the edge of the wafer W is protected by the freezing film 6 covering the side surface of the wafer W, chipping of the edge during cutting can be prevented.
【００１０】[0010]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体ウェーハ等の被加工物の切削面に氷結膜を形成
し、回転ブレードの衝撃力が直接被加工物に伝わらない
ようにしたので表面ピッチングを減少させる効果を奏す
る。又、被加工物を冷凍チャックテーブルに凍結させて
固定力を増大させることで、被加工物の裏面クラックを
減少させる効果も奏する。As described above, according to the present invention,
Since an ice film is formed on the cutting surface of a workpiece such as a semiconductor wafer so that the impact force of the rotating blade is not directly transmitted to the workpiece, the surface pitching is reduced. Further, by freezing the work piece on the freezing chuck table and increasing the fixing force, the effect of reducing back surface cracks of the work piece is also obtained.
【図１】 本発明の実施の形態を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment of the present invention.
【図２】 冷凍チャックテーブルの概略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view of a freeze chuck table.
【図３】 ダイサーの一例を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing an example of a dicer.
【図４】 チャックテーブルに固定されたフレーム付き
ウェーハの切削状態を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing a cutting state of a wafer with a frame fixed to a chuck table.
【図５】 ウェーハの切削後の状態を示す部分拡大図で
ある。FIG. 5 is a partial enlarged view showing a state after cutting the wafer.
１…テーブル本体 ２…サーモモジュール ２ａ…上面 ２ｂ…下面 ３…冷凍ステージ ３ａ…導入口 ３ｂ…排出口 Ｊ…回転ブレード Ｒ…冷凍チャックテーブル Ｔ…チャックテーブル Ｗ…ウェーハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Table body 2 ... Thermo module 2a ... Upper surface 2b ... Lower surface 3 ... Freezing stage 3a ... Inlet port 3b ... Ejection port J ... Rotating blade R ... Freezing chuck table T ... Chuck table W ... Wafer
Claims (1)
ックテーブル上に載置し凍結固定する工程と、前記被加
工物の切削面に氷結膜を形成する工程と、回転ブレード
で前記氷結膜を介して被加工物を切削する工程と、から
構成される半導体ウェーハ等の凍結切削方法。1. A step of placing an object to be processed such as a semiconductor wafer on a freeze chuck table and freeze-fixing it, a step of forming an icing film on a cutting surface of the object to be processed, and a step of rotating the icing film with a rotary blade. A method of freezing and cutting a semiconductor wafer or the like, which comprises a step of cutting an object to be processed through the process.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28818495A JPH09106967A (en) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | Freeze cut method of semiconductor wafer or the like |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28818495A JPH09106967A (en) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | Freeze cut method of semiconductor wafer or the like |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09106967A true JPH09106967A (en) | 1997-04-22 |
Family
ID=17726906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28818495A Pending JPH09106967A (en) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | Freeze cut method of semiconductor wafer or the like |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09106967A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7767557B2 (en) * | 2007-05-11 | 2010-08-03 | Micron Technology, Inc. | Chilled wafer dicing |
| JP2012104607A (en) * | 2010-11-09 | 2012-05-31 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Device and method for dicing workpiece |
-
1995
- 1995-10-11 JP JP28818495A patent/JPH09106967A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7767557B2 (en) * | 2007-05-11 | 2010-08-03 | Micron Technology, Inc. | Chilled wafer dicing |
| JP2012104607A (en) * | 2010-11-09 | 2012-05-31 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Device and method for dicing workpiece |
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Legal Events
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| A02 | Decision of refusal |
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