JPH09102595A - 遮光膜パターンの形成方法 - Google Patents
遮光膜パターンの形成方法Info
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- JPH09102595A JPH09102595A JP7257306A JP25730695A JPH09102595A JP H09102595 A JPH09102595 A JP H09102595A JP 7257306 A JP7257306 A JP 7257306A JP 25730695 A JP25730695 A JP 25730695A JP H09102595 A JPH09102595 A JP H09102595A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 遮光膜の下地の平坦化絶縁膜をエッチングす
ることなく、遮光膜に開口部を形成する。 【解決手段】 センサ領域（光電変換領域）４が形成さ
れた基体１上に平坦化絶縁膜７を形成し、平坦化絶縁膜
７上に遮光膜９１を形成し、遮光膜９１におけるセンサ
領域４位置を開口して開口部９２以外への光の入射を遮
断する遮光膜パターン９を形成するにあたり、まず平坦
化絶縁膜７の形成後に、この膜７の上記開口部９２形成
位置に、開口部９２の形状に対応したレジストパターン
８を形成し、平坦化絶縁膜７上とレジストパターン８上
とに遮光膜９１を形成する。次いでレジストパターン８
とレジストパターン８上の遮光膜９１とを除去して開口
部９２を形成し、遮光膜パターン９を得る。
ることなく、遮光膜に開口部を形成する。 【解決手段】 センサ領域（光電変換領域）４が形成さ
れた基体１上に平坦化絶縁膜７を形成し、平坦化絶縁膜
７上に遮光膜９１を形成し、遮光膜９１におけるセンサ
領域４位置を開口して開口部９２以外への光の入射を遮
断する遮光膜パターン９を形成するにあたり、まず平坦
化絶縁膜７の形成後に、この膜７の上記開口部９２形成
位置に、開口部９２の形状に対応したレジストパターン
８を形成し、平坦化絶縁膜７上とレジストパターン８上
とに遮光膜９１を形成する。次いでレジストパターン８
とレジストパターン８上の遮光膜９１とを除去して開口
部９２を形成し、遮光膜パターン９を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は遮光膜パターンの形
成方法に関し、特に固体撮像素子の遮光膜パターンを形
成するのに好適な遮光膜パターンの形成方法に関するも
のである。
成方法に関し、特に固体撮像素子の遮光膜パターンを形
成するのに好適な遮光膜パターンの形成方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体撮像素子の遮光膜パターンを
形成するにあたっては、まず図２（ａ）に示すごとくシ
リコン（Ｓｉ）の基板２０全面に、シリコン酸化膜から
なる平坦化絶縁膜２６を形成する。なお、平坦化絶縁膜
２６の形成に先立ち、予め基板２０には、電荷転送領域
２１、チャンネルストップ領域２２、光電変換領域（以
下、センサ領域と記す）２３を形成し、かつ基板２０上
にはゲート絶縁膜２４、ゲート電極２５を形成してお
く。
形成するにあたっては、まず図２（ａ）に示すごとくシ
リコン（Ｓｉ）の基板２０全面に、シリコン酸化膜から
なる平坦化絶縁膜２６を形成する。なお、平坦化絶縁膜
２６の形成に先立ち、予め基板２０には、電荷転送領域
２１、チャンネルストップ領域２２、光電変換領域（以
下、センサ領域と記す）２３を形成し、かつ基板２０上
にはゲート絶縁膜２４、ゲート電極２５を形成してお
く。
【０００３】次いで図２（ｂ）に示すように、スパッタ
リング法あるいは真空蒸着法によって、平坦化絶縁膜２
６上にアルミニウム（Ａｌ）等の金属薄膜からなる遮光
膜２７１を成膜し、続いて図２（ｃ）に示すごとく遮光
膜２７１上に、センサ領域２３直上位置が開口したフォ
トレジスト（以下、単にレジストと記す）パターン２８
を形成する。そして図２（ｄ）に示すように、レジスト
パターン２８をマスクとしたエッチングによって、遮光
膜２７１のセンサ領域２３位置に開口部２７２を形成
し、その後、図２（ｅ）に示すようにレジストパターン
２８を除去して、開口部２７２以外への光の入射を遮断
する遮光膜パターン２７を形成する。
リング法あるいは真空蒸着法によって、平坦化絶縁膜２
６上にアルミニウム（Ａｌ）等の金属薄膜からなる遮光
膜２７１を成膜し、続いて図２（ｃ）に示すごとく遮光
膜２７１上に、センサ領域２３直上位置が開口したフォ
トレジスト（以下、単にレジストと記す）パターン２８
を形成する。そして図２（ｄ）に示すように、レジスト
パターン２８をマスクとしたエッチングによって、遮光
膜２７１のセンサ領域２３位置に開口部２７２を形成
し、その後、図２（ｅ）に示すようにレジストパターン
２８を除去して、開口部２７２以外への光の入射を遮断
する遮光膜パターン２７を形成する。
【０００４】ところで従来、遮光膜２７１に開口部２７
２を形成するためのエッチングには、ウエットエッチン
グ方式や反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）方式が採用
されていた。ところがウエットエッチング方式では、い
わゆるアンダーカットやエッチング液中の気泡等の問題
により微細加工が困難であり、近年進展している固体撮
像素子の画素の縮小によって、対応が不可能となってい
た。このため最近では、異方性エッチングであることか
ら、非常に微細なパターンであっても加工が可能である
ＲＩＥ方式が広く用いられている。
２を形成するためのエッチングには、ウエットエッチン
グ方式や反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）方式が採用
されていた。ところがウエットエッチング方式では、い
わゆるアンダーカットやエッチング液中の気泡等の問題
により微細加工が困難であり、近年進展している固体撮
像素子の画素の縮小によって、対応が不可能となってい
た。このため最近では、異方性エッチングであることか
ら、非常に微細なパターンであっても加工が可能である
ＲＩＥ方式が広く用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２
（ｄ）に示す開口部２７２形成のためのエッチングにＲ
ＩＥ方式を用いた場合には、ＲＩＥ方式が、遮光膜２７
１の下地となる平坦化絶縁膜２６のシリコン酸化膜と、
遮光膜２７１とのエッチング速度の選択性に乏しいこと
から、オーバーエッチングによって、平坦化絶縁膜２６
をエッチングしてしまうことが避けられないといった難
点がある。
（ｄ）に示す開口部２７２形成のためのエッチングにＲ
ＩＥ方式を用いた場合には、ＲＩＥ方式が、遮光膜２７
１の下地となる平坦化絶縁膜２６のシリコン酸化膜と、
遮光膜２７１とのエッチング速度の選択性に乏しいこと
から、オーバーエッチングによって、平坦化絶縁膜２６
をエッチングしてしまうことが避けられないといった難
点がある。
【０００６】一般に、平坦化絶縁膜２６は、ゲート電極
２５や基板２０と遮光膜パターン２７との層間絶縁膜と
して働くほか、遮光膜パターン２７から金属不純物等が
基板２０内へ拡散し、白点や固定欠陥が生じるのを防ぐ
役割を果たしている。このため、ＲＩＥによって平坦化
絶縁膜２６をエッチングし過ぎると、金属不純物が基板
２０内に拡散して白点や固定欠陥が生じてしまうのであ
る。また、ＲＩＥによる平坦化絶縁膜２６の膜減りを予
め考慮に入れて、平坦化絶縁膜２６を厚く成膜し、平坦
化絶縁膜２６のエッチングを防止する対策も図られてい
るが、平坦化絶縁膜２６を厚く成膜すると、センサ領域
２３上に張り出した遮光膜パターン２７の直下の平坦化
絶縁膜２６から、光が電荷転送領域２１へ漏れ込む、い
わゆるスミアが生じ易くなり、固体撮像素子の画質が劣
化してしまう。
２５や基板２０と遮光膜パターン２７との層間絶縁膜と
して働くほか、遮光膜パターン２７から金属不純物等が
基板２０内へ拡散し、白点や固定欠陥が生じるのを防ぐ
役割を果たしている。このため、ＲＩＥによって平坦化
絶縁膜２６をエッチングし過ぎると、金属不純物が基板
２０内に拡散して白点や固定欠陥が生じてしまうのであ
る。また、ＲＩＥによる平坦化絶縁膜２６の膜減りを予
め考慮に入れて、平坦化絶縁膜２６を厚く成膜し、平坦
化絶縁膜２６のエッチングを防止する対策も図られてい
るが、平坦化絶縁膜２６を厚く成膜すると、センサ領域
２３上に張り出した遮光膜パターン２７の直下の平坦化
絶縁膜２６から、光が電荷転送領域２１へ漏れ込む、い
わゆるスミアが生じ易くなり、固体撮像素子の画質が劣
化してしまう。
【０００７】以上のことから、遮光膜の下地の平坦化絶
縁膜をエッチングすることなく、遮光膜に開口部を形成
することができる遮光膜パターンの形成方法の開発が切
望されている。
縁膜をエッチングすることなく、遮光膜に開口部を形成
することができる遮光膜パターンの形成方法の開発が切
望されている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る遮
光膜パターンの形成方法では、基体上に遮光膜を形成
し、該遮光膜の所定位置を開口してこの開口部以外への
光の入射を遮断する遮光膜パターンを形成するにあた
り、まず基体上の上記開口部形成位置に、開口部の形状
に対応したレジストパターンを形成し、次いで基体上と
レジストパターン上とに遮光膜を形成し、続いてレジス
トパターンとこのレジストパターン上の遮光膜とを除去
する、いわゆるリフトオフ法を用いて開口部を形成する
ことを上記課題の解決手段としている。
光膜パターンの形成方法では、基体上に遮光膜を形成
し、該遮光膜の所定位置を開口してこの開口部以外への
光の入射を遮断する遮光膜パターンを形成するにあた
り、まず基体上の上記開口部形成位置に、開口部の形状
に対応したレジストパターンを形成し、次いで基体上と
レジストパターン上とに遮光膜を形成し、続いてレジス
トパターンとこのレジストパターン上の遮光膜とを除去
する、いわゆるリフトオフ法を用いて開口部を形成する
ことを上記課題の解決手段としている。
【０００９】また請求項３の発明に係る遮光膜パターン
の形成方法では、光電変換領域が形成された基体上に絶
縁膜を形成した後、リフトオフ法によって、絶縁膜上
に、光電変換領域位置に開口部を有する遮光膜パターン
を形成することを上記課題の解決手段としている。
の形成方法では、光電変換領域が形成された基体上に絶
縁膜を形成した後、リフトオフ法によって、絶縁膜上
に、光電変換領域位置に開口部を有する遮光膜パターン
を形成することを上記課題の解決手段としている。
【００１０】請求項１の発明では、リフトオフ法を用い
ることから、基体をオーバーエッチングすることなく遮
光膜に開口部が形成される。またリフトオフ法を用いて
開口部を形成することから、開口部のエッジ形状がレジ
ストパターンの形状を引き継いで精度良く加工される。
ることから、基体をオーバーエッチングすることなく遮
光膜に開口部が形成される。またリフトオフ法を用いて
開口部を形成することから、開口部のエッジ形状がレジ
ストパターンの形状を引き継いで精度良く加工される。
【００１１】請求項３の発明では、リフトオフ法を用い
ることから、絶縁膜をオーバエッチングすることがなく
遮光膜に開口部が形成されるとともに、開口部のエッジ
形状がレジストパターンの形状を引き継いで精度良く加
工される。また絶縁膜がオーバーエッチングされないた
め、絶縁膜をＲＩＥによる膜減り量を考慮に入れた膜厚
に形成する必要がなく、よって絶縁膜を薄く形成するこ
とが可能となる。
ることから、絶縁膜をオーバエッチングすることがなく
遮光膜に開口部が形成されるとともに、開口部のエッジ
形状がレジストパターンの形状を引き継いで精度良く加
工される。また絶縁膜がオーバーエッチングされないた
め、絶縁膜をＲＩＥによる膜減り量を考慮に入れた膜厚
に形成する必要がなく、よって絶縁膜を薄く形成するこ
とが可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る遮光膜パター
ンの形成方法を図面に基づいて説明する。図１は本発明
の一実施形態を工程順に示す要部側断面図であり、本発
明を電荷転送型固体撮像素子（以下、ＣＣＤ固体撮像素
子と記す）における遮光膜パターンの形成に適用した例
を示す図である。
ンの形成方法を図面に基づいて説明する。図１は本発明
の一実施形態を工程順に示す要部側断面図であり、本発
明を電荷転送型固体撮像素子（以下、ＣＣＤ固体撮像素
子と記す）における遮光膜パターンの形成に適用した例
を示す図である。
【００１３】この実施形態では、遮光膜パターンを形成
するに先立ち、まず図１（ａ）に示すごとく通常の方法
にて、本発明の基体となるシリコン（Ｓｉ）基板１に不
純物拡散層からなる電荷転送領域２を例えばライン状に
形成配置する。これととともに、電荷転送領域２のライ
ン方向に沿ってその側方にチャンネルストップ領域３を
形成し、電荷転送領域２の側方でかつ該電荷転送領域２
とチャンネルストップ領域３との間に、本発明の光電変
換領域となる例えば島状のセンサ領域４を形成する。ま
たＳｉ基板１表面にゲート絶縁膜５を形成するともに、
ゲート絶縁膜５上でかつ電荷転送領域２の上方にゲート
電極６を形成する。この後は、ゲート電極６を覆うよう
にしてＳｉ基板１上に、本発明における絶縁膜として、
シリコン酸化膜からなる平坦化絶縁膜７を形成する。
するに先立ち、まず図１（ａ）に示すごとく通常の方法
にて、本発明の基体となるシリコン（Ｓｉ）基板１に不
純物拡散層からなる電荷転送領域２を例えばライン状に
形成配置する。これととともに、電荷転送領域２のライ
ン方向に沿ってその側方にチャンネルストップ領域３を
形成し、電荷転送領域２の側方でかつ該電荷転送領域２
とチャンネルストップ領域３との間に、本発明の光電変
換領域となる例えば島状のセンサ領域４を形成する。ま
たＳｉ基板１表面にゲート絶縁膜５を形成するともに、
ゲート絶縁膜５上でかつ電荷転送領域２の上方にゲート
電極６を形成する。この後は、ゲート電極６を覆うよう
にしてＳｉ基板１上に、本発明における絶縁膜として、
シリコン酸化膜からなる平坦化絶縁膜７を形成する。
【００１４】次に、平坦化絶縁膜７上にフォトレジスト
（以下、レジストと記す）膜を形成し、この後リソグラ
フィによってレジスト膜をパターニングして、図２
（ｂ）に示すごとく、平坦化絶縁膜７における後述する
遮光膜の開口部の形成位置に、開口部の形状に対応した
レジストパターン８を形成する。このレジストパターン
８の形成には、露光波長に合った、従来から用いられて
いるレジストを用いることができる。またレジスト膜
は、後に行うレジストパターン８と遮光膜との除去が容
易なように、加工性の許す限り厚く形成することが望ま
しい。
（以下、レジストと記す）膜を形成し、この後リソグラ
フィによってレジスト膜をパターニングして、図２
（ｂ）に示すごとく、平坦化絶縁膜７における後述する
遮光膜の開口部の形成位置に、開口部の形状に対応した
レジストパターン８を形成する。このレジストパターン
８の形成には、露光波長に合った、従来から用いられて
いるレジストを用いることができる。またレジスト膜
は、後に行うレジストパターン８と遮光膜との除去が容
易なように、加工性の許す限り厚く形成することが望ま
しい。
【００１５】ここでは、例えばポジ型レジストを用い、
約２．０μｍの膜厚のレジスト膜を形成する。そして例
えば縮小投影露光装置によって、開口部の形成位置にの
みレジスト膜が残るようにレジスト膜を選択的に露光
し、次いで現像を行ってレジストパターン８を形成す
る。このときの露光量は、使用したレジストの感度にも
依存するが、概ね２００ｍＪ／ｃｍ2 〜３００ｍＪ／ｃ
ｍ2 程度である。
約２．０μｍの膜厚のレジスト膜を形成する。そして例
えば縮小投影露光装置によって、開口部の形成位置にの
みレジスト膜が残るようにレジスト膜を選択的に露光
し、次いで現像を行ってレジストパターン８を形成す
る。このときの露光量は、使用したレジストの感度にも
依存するが、概ね２００ｍＪ／ｃｍ2 〜３００ｍＪ／ｃ
ｍ2 程度である。
【００１６】なおレジストパターン８の形状としては、
その側壁が、レジストパターン８の上面側から下面側に
向けて内方に傾斜する逆テーパー状となるように形成す
ることが望ましい。これは、後の遮光膜の形成の際に、
レジストパターン８が遮光膜で完全に覆われてしまい、
レジストパターン８およびその上の遮光膜の除去が困難
になるのを防止するためである。逆テーパー状に形成す
る方法としては、例えば露光量の調整やフォーカスオフ
セットの調整等が上げられる。
その側壁が、レジストパターン８の上面側から下面側に
向けて内方に傾斜する逆テーパー状となるように形成す
ることが望ましい。これは、後の遮光膜の形成の際に、
レジストパターン８が遮光膜で完全に覆われてしまい、
レジストパターン８およびその上の遮光膜の除去が困難
になるのを防止するためである。逆テーパー状に形成す
る方法としては、例えば露光量の調整やフォーカスオフ
セットの調整等が上げられる。
【００１７】こうしてレジストパターン８を形成した後
は、従来から広く用いられている例えば真空蒸着装置に
よって、図１（ｃ）に示すごとく平坦化絶縁膜７上とレ
ジストパターン８上とに、金属薄膜からなる遮光膜９１
を形成する。ここでは、約０．１３３×１０-4Ｐａ台ま
で排気した真空蒸着装置の真空チャンバー内にＳｉ基板
１を配置し、原料となる粒状のアルミニウムを電子ビー
ム加熱により溶解し、平坦化絶縁膜７上とレジストパタ
ーン８上とに蒸着させて約０．５μｍのアルミニウム薄
膜からなる遮光膜９１を形成する。
は、従来から広く用いられている例えば真空蒸着装置に
よって、図１（ｃ）に示すごとく平坦化絶縁膜７上とレ
ジストパターン８上とに、金属薄膜からなる遮光膜９１
を形成する。ここでは、約０．１３３×１０-4Ｐａ台ま
で排気した真空蒸着装置の真空チャンバー内にＳｉ基板
１を配置し、原料となる粒状のアルミニウムを電子ビー
ム加熱により溶解し、平坦化絶縁膜７上とレジストパタ
ーン８上とに蒸着させて約０．５μｍのアルミニウム薄
膜からなる遮光膜９１を形成する。
【００１８】上記遮光膜９１の形成は、スパッタリング
法を用いて行うこともできる。しかしながら、スパッタ
リング法は段差被覆性が良いことから、この方法を用い
た場合にはレジストパターン８が遮光膜９１で完全に覆
われてしまい、レジストパターン８およびその上の遮光
膜９１の除去が困難になることもある。したがって、先
のレジストパターン８の形成の際、その側壁に充分に逆
テーパーを付けておき、かつターゲットとＳｉ基板１と
の間隔を離して、低いガス圧力下で被着粒子の方向性を
高めておくことが重要である。
法を用いて行うこともできる。しかしながら、スパッタ
リング法は段差被覆性が良いことから、この方法を用い
た場合にはレジストパターン８が遮光膜９１で完全に覆
われてしまい、レジストパターン８およびその上の遮光
膜９１の除去が困難になることもある。したがって、先
のレジストパターン８の形成の際、その側壁に充分に逆
テーパーを付けておき、かつターゲットとＳｉ基板１と
の間隔を離して、低いガス圧力下で被着粒子の方向性を
高めておくことが重要である。
【００１９】遮光膜９１の形成後は、Ｓｉ基板１ごと発
煙硝酸または有機系剥離液に１０分間から２０分間程度
浸漬し、レジストパターン８をその上面に形成された遮
光膜９ごと剥離除去し、その後洗浄する。このことによ
り、図２（ｄ）に示すように遮光膜９におけるセンサ領
域４直上位置に開口部９２を形成し、開口部９２以外の
箇所への光の入射を遮断する遮光パターン９を得る。な
お、この工程では、周辺回路部の配線パターンも同時に
加工することができる。また、上記遮光パターン９の形
成後は、通常の方法にてパッシベーション膜、平坦化絶
縁膜、色フィルター、マイクロレンズ等を形成すること
により、固体撮像素子を得ることができる。
煙硝酸または有機系剥離液に１０分間から２０分間程度
浸漬し、レジストパターン８をその上面に形成された遮
光膜９ごと剥離除去し、その後洗浄する。このことによ
り、図２（ｄ）に示すように遮光膜９におけるセンサ領
域４直上位置に開口部９２を形成し、開口部９２以外の
箇所への光の入射を遮断する遮光パターン９を得る。な
お、この工程では、周辺回路部の配線パターンも同時に
加工することができる。また、上記遮光パターン９の形
成後は、通常の方法にてパッシベーション膜、平坦化絶
縁膜、色フィルター、マイクロレンズ等を形成すること
により、固体撮像素子を得ることができる。
【００２０】上記した実施形態では、平坦化絶縁膜７に
おける遮光膜パターン９の開口部９２形成位置に、予め
レジストパターン８を設けて開口部９２形成位置の平坦
化絶縁膜７を保護しておき、その後遮光膜９１を成膜
し、レジストパターン８をその上面に形成された遮光膜
９１ごと除去する、いわゆるリフトオフ法を用いてい
る。このため、遮光膜パターン９の下地となる平坦化絶
縁膜７をオーバエッチングすることなく開口部９２を形
成することができるので、遮光膜パターン９からＳｉ基
板１への不純物拡散による白点や固定欠陥の発生を減少
させることができる。
おける遮光膜パターン９の開口部９２形成位置に、予め
レジストパターン８を設けて開口部９２形成位置の平坦
化絶縁膜７を保護しておき、その後遮光膜９１を成膜
し、レジストパターン８をその上面に形成された遮光膜
９１ごと除去する、いわゆるリフトオフ法を用いてい
る。このため、遮光膜パターン９の下地となる平坦化絶
縁膜７をオーバエッチングすることなく開口部９２を形
成することができるので、遮光膜パターン９からＳｉ基
板１への不純物拡散による白点や固定欠陥の発生を減少
させることができる。
【００２１】またリフトオフ法を用いて開口部９２を形
成することから、開口部９２のエッジ形状もレジストパ
ターン８の形状を引き継いで非常に精度良く加工するこ
とができるので、各画素毎のセンサ領域４における受光
量をほぼ等しくでき、画素間の感度ばらつきに起因する
画質の劣化を防止することができる。さらに、ＲＩＥを
行うことなく開口部９２を形成することができるので、
平坦化絶縁膜７をＲＩＥによる膜減り量を考慮に入れた
膜厚に形成する必要がなく、平坦化絶縁膜７を薄く形成
することができる。よって、スミアの発生を低減するこ
とができる。したがって上記実施形態を用いれば、特性
の向上したＣＣＤ固体撮像素子を得ることができる。
成することから、開口部９２のエッジ形状もレジストパ
ターン８の形状を引き継いで非常に精度良く加工するこ
とができるので、各画素毎のセンサ領域４における受光
量をほぼ等しくでき、画素間の感度ばらつきに起因する
画質の劣化を防止することができる。さらに、ＲＩＥを
行うことなく開口部９２を形成することができるので、
平坦化絶縁膜７をＲＩＥによる膜減り量を考慮に入れた
膜厚に形成する必要がなく、平坦化絶縁膜７を薄く形成
することができる。よって、スミアの発生を低減するこ
とができる。したがって上記実施形態を用いれば、特性
の向上したＣＣＤ固体撮像素子を得ることができる。
【００２２】なお、上記実施形態では、本発明をＣＣＤ
固体撮像素子における遮光膜パターンの形成に適用した
場合を説明したが、これに限定されるものでなく、ＭＯ
Ｓ型固体撮像素子における遮光膜パターンの形成にも適
用可能である。また本発明の遮光膜パターンの形成方法
は、液晶表示素子にも適用可能である。さらに上記実施
形態では、レジストパターンの形成に際してポジ型レジ
ストを用いたが、ネガ型レジストを用いてもよいのはも
ちろんである。
固体撮像素子における遮光膜パターンの形成に適用した
場合を説明したが、これに限定されるものでなく、ＭＯ
Ｓ型固体撮像素子における遮光膜パターンの形成にも適
用可能である。また本発明の遮光膜パターンの形成方法
は、液晶表示素子にも適用可能である。さらに上記実施
形態では、レジストパターンの形成に際してポジ型レジ
ストを用いたが、ネガ型レジストを用いてもよいのはも
ちろんである。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように請求項１の発明に係
る遮光膜パターンの形成方法よれば、リフトオフ法によ
って、基体をオーバーエッチングすることなく、エッジ
が非常に精度良く加工された開口部を形成できることか
ら、オーバーエッチングによる素子特性の劣化や画素毎
の特性のばらつきを防止できるので、特性の向上した液
晶表示素子、固体撮像素子等の素子を得ることができ
る。
る遮光膜パターンの形成方法よれば、リフトオフ法によ
って、基体をオーバーエッチングすることなく、エッジ
が非常に精度良く加工された開口部を形成できることか
ら、オーバーエッチングによる素子特性の劣化や画素毎
の特性のばらつきを防止できるので、特性の向上した液
晶表示素子、固体撮像素子等の素子を得ることができ
る。
【００２４】請求項３の発明に係る遮光膜パターンの形
成方法によれば、リフトオフ法によって、絶縁膜をオー
バエッチングすることがなく遮光膜に開口部を形成でき
るので、遮光膜パターンから基板への不純物拡散を防止
でき、かつ遮光膜パターンの下地である絶縁膜を薄く形
成できる。よって、この発明を固体撮像素子の遮光膜パ
ターンの形成に用いた場合には、上記不純物拡散による
白点や固定欠陥の発生を減少させることができるととも
に、スミアの発生を低減することができる。またリフト
オフ法によって、開口部のエッジ形状を非常に精度良く
加工できることから、この発明を用いれば画素間の感度
ばらつきに起因する画質の劣化を防止できるので、特性
の向上した固体撮像素子を得ることができる。
成方法によれば、リフトオフ法によって、絶縁膜をオー
バエッチングすることがなく遮光膜に開口部を形成でき
るので、遮光膜パターンから基板への不純物拡散を防止
でき、かつ遮光膜パターンの下地である絶縁膜を薄く形
成できる。よって、この発明を固体撮像素子の遮光膜パ
ターンの形成に用いた場合には、上記不純物拡散による
白点や固定欠陥の発生を減少させることができるととも
に、スミアの発生を低減することができる。またリフト
オフ法によって、開口部のエッジ形状を非常に精度良く
加工できることから、この発明を用いれば画素間の感度
ばらつきに起因する画質の劣化を防止できるので、特性
の向上した固体撮像素子を得ることができる。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る遮光膜パター
ンの形成方法の一実施形態を工程順に示す要部側断面図
である。
ンの形成方法の一実施形態を工程順に示す要部側断面図
である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、従来法の一例を工程順に示
す要部側断面図である。
す要部側断面図である。
１ Ｓｉ基板（基体） ４ センサ領域（光電変換領域） ７ 平坦化絶縁膜 ８ レジストパターン ９ 遮光膜パターン ９１ 遮光膜 ９２ 開口部
Claims (3)
- 【請求項１】 基体上に遮光膜を形成し、該遮光膜の所
定位置を開口して該開口部以外への光の入射を遮断する
遮光膜パターンを形成する方法において、 前記基体上の前記開口部形成位置に、該開口部の形状に
対応したレジストパターンを形成する工程と、 前記基体上と前記レジストパターン上とに遮光膜を形成
する工程と、 前記レジストパターンと該レジストパターン上の遮光膜
とを除去して開口部を形成する工程とを有すること特徴
とする遮光膜パターンの形成方法。 - 【請求項２】 前記レジストパターンの形成工程では、
このレジストパターンの側壁を、該レジストパターンの
上面側から下面側に向けて内方に傾斜する逆テーパ状に
形成することを特徴とする請求項１記載の遮光膜パター
ンの形成方法。 - 【請求項３】 光電変換領域が形成された基体上に絶縁
膜を形成し、該絶縁膜上に遮光膜を形成し、該遮光膜に
おける前記光電変換領域位置を開口して該開口部以外へ
の光の入射を遮断する遮光膜パターンを形成する方法に
おいて、 前記絶縁膜の形成後、該絶縁膜の前記開口部形成位置
に、該開口部の形状に対応したレジストパターンを形成
する工程と、 前記絶縁膜上と前記レジストパターン上とに遮光膜を形
成する工程と、 前記レジストパターンと該レジストパターン上の遮光膜
とを除去して開口部を形成する工程とを有すること特徴
とする遮光膜パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7257306A JPH09102595A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | 遮光膜パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7257306A JPH09102595A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | 遮光膜パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09102595A true JPH09102595A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=17304532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7257306A Pending JPH09102595A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | 遮光膜パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09102595A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112968114A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-06-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
-
1995
- 1995-10-04 JP JP7257306A patent/JPH09102595A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112968114A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-06-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| US11908983B2 (en) | 2021-02-01 | 2024-02-20 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and manufacturing method thereof |
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