JPH09102120A - 記録媒体用基板 - Google Patents
記録媒体用基板Info
- Publication number
- JPH09102120A JPH09102120A JP7278258A JP27825895A JPH09102120A JP H09102120 A JPH09102120 A JP H09102120A JP 7278258 A JP7278258 A JP 7278258A JP 27825895 A JP27825895 A JP 27825895A JP H09102120 A JPH09102120 A JP H09102120A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- substrate body
- chamfered
- film
- polishing
- Prior art date
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- Withdrawn
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板本体上に形成された膜の耐久性を向上す
ること。 【解決手段】 内外周端面を面取加工されてなる記録媒
体用基板１において、面取部分２、３の表面粗さＲａが
0.20μm 未満であるもの。
ること。 【解決手段】 内外周端面を面取加工されてなる記録媒
体用基板１において、面取部分２、３の表面粗さＲａが
0.20μm 未満であるもの。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種記録方式（磁
気、光磁気、光）による記録媒体用基板に関する。
気、光磁気、光）による記録媒体用基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスク（ＨＤ）用基板に代表さ
れる記録媒体用基板は、基板本体の表面を粗研磨するラ
ッピング工程、内外周端面を研削して面取りするチャン
ファ加工工程、表面を仕上げ研磨するポリッシング工程
を経て製造されている。そして、この基板は、更に、基
板本体の表面にテクスチャー層を形成してその表面を適
度に粗面化するテクスチャー工程、表面に下地層を形成
する下地層形成工程、表面に磁性層を成膜する磁性層形
成工程、磁性層上に保護層を形成する保護層形成工程、
保護層の上に潤滑層を形成する潤滑層形成工程等にて基
板本体の表面に成膜し、更にその膜表面の異常突起を除
去するバーニッシュ工程を施されて製品となる。
れる記録媒体用基板は、基板本体の表面を粗研磨するラ
ッピング工程、内外周端面を研削して面取りするチャン
ファ加工工程、表面を仕上げ研磨するポリッシング工程
を経て製造されている。そして、この基板は、更に、基
板本体の表面にテクスチャー層を形成してその表面を適
度に粗面化するテクスチャー工程、表面に下地層を形成
する下地層形成工程、表面に磁性層を成膜する磁性層形
成工程、磁性層上に保護層を形成する保護層形成工程、
保護層の上に潤滑層を形成する潤滑層形成工程等にて基
板本体の表面に成膜し、更にその膜表面の異常突起を除
去するバーニッシュ工程を施されて製品となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】然しながら、従来の基
板は、基板本体の内外周端面においてチャンファ加工さ
れた面取部分と、その上に形成されたテクスチャー層等
との間で膜剥れを生じ、欠陥品となることがあった。
板は、基板本体の内外周端面においてチャンファ加工さ
れた面取部分と、その上に形成されたテクスチャー層等
との間で膜剥れを生じ、欠陥品となることがあった。
【０００４】本発明の課題は、基板本体上に形成された
膜の耐久性を向上することにある。
膜の耐久性を向上することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の本発明
は、内外周端面を面取加工されてなる記録媒体用基板に
おいて、面取部分の表面粗さＲａが0.20μm 未満である
ものである。
は、内外周端面を面取加工されてなる記録媒体用基板に
おいて、面取部分の表面粗さＲａが0.20μm 未満である
ものである。
【０００６】請求項２に記載の本発明は、請求項１に記
載の本発明において更に、前記基板が脆性材料からなる
基板であるものである。
載の本発明において更に、前記基板が脆性材料からなる
基板であるものである。
【０００７】請求項３に記載の本発明は、請求項２に記
載の本発明において更に、前記基板がカーボン基板であ
るものである。
載の本発明において更に、前記基板がカーボン基板であ
るものである。
【０００８】請求項１に記載の本発明によれば下記の
作用効果がある。 基板本体の面取部分の表面粗さが0.20μm 未満の如く
に小であるために、その上に形成されるテクスチャー層
等の膜の密着が良くなり、膜剥れを生じない。また、基
板本体の加工工程で面取部分の表面粗さの谷に入り込む
有機物（洗剤等）が、その谷の深さが小さい（粗さ小）
ゆえに、微量ないしは良く除去され易く、結果として清
浄な面取部分の上に形成されるテクスチャー層等の膜の
密着が良くなり、膜剥れを生じない。
作用効果がある。 基板本体の面取部分の表面粗さが0.20μm 未満の如く
に小であるために、その上に形成されるテクスチャー層
等の膜の密着が良くなり、膜剥れを生じない。また、基
板本体の加工工程で面取部分の表面粗さの谷に入り込む
有機物（洗剤等）が、その谷の深さが小さい（粗さ小）
ゆえに、微量ないしは良く除去され易く、結果として清
浄な面取部分の上に形成されるテクスチャー層等の膜の
密着が良くなり、膜剥れを生じない。
【０００９】請求項２に記載の本発明によれば下記の
作用効果がある。 カーボン基板又はガラス基板等の脆性材料からなる基
板においても、上記により、膜剥れを生じない。
作用効果がある。 カーボン基板又はガラス基板等の脆性材料からなる基
板においても、上記により、膜剥れを生じない。
【００１０】請求項３に記載の本発明によれば下記の
作用効果がある。 カーボン基板であれば、耐衝撃性にも優れたものとな
る。
作用効果がある。 カーボン基板であれば、耐衝撃性にも優れたものとな
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は基板を示す模式図、図２は
基板の膜構成を示す模式図、図３はチャンファ加工装置
を示す模式図、図４は研磨装置を示す模式図、図５は本
発明の実施例に係る基板の膜構成を示す模式図である。
基板の膜構成を示す模式図、図３はチャンファ加工装置
を示す模式図、図４は研磨装置を示す模式図、図５は本
発明の実施例に係る基板の膜構成を示す模式図である。
【００１２】磁気ディスク用ガラス状カーボン基板（Ｇ
Ｃ基板）１は、下記(1) 〜(3) により基板本体１Ａを加
工される。 (1) ラッピング工程 基板本体１Ａの表面を遊離砥粒により粗研磨する。
Ｃ基板）１は、下記(1) 〜(3) により基板本体１Ａを加
工される。 (1) ラッピング工程 基板本体１Ａの表面を遊離砥粒により粗研磨する。
【００１３】(2) チャンファ加工工程 基板本体１Ａの内外周端面を研削して面取りする。図１
の２は外周面取部分、３は内周面取部分である。
の２は外周面取部分、３は内周面取部分である。
【００１４】(3) ポリッシング工程 基板本体１Ａの表面を仕上げ研磨する。
【００１５】ここで、上記(2) のチャンファ加工工程に
て用いられるチャンファ加工装置について説明する（図
３）。
て用いられるチャンファ加工装置について説明する（図
３）。
【００１６】チャンファ加工装置１０は、チャックステ
ージ１１、クランプ１２、ダイヤモンド砥石１３、１４
を有して構成される。
ージ１１、クランプ１２、ダイヤモンド砥石１３、１４
を有して構成される。
【００１７】チャックステージ１１は、基板本体１Ａを
支持する同心状の凸部１１Ａと、凸部１１Ａまわりで基
板本体１Ａを真空吸引する真空吸引溝１１Ｂと、真空吸
引溝１１Ｂに真空圧を付与する真空供給路１１Ｃとを備
える。これにより、チャックステージ１１は基板本体１
Ａを真空吸着可能とする。
支持する同心状の凸部１１Ａと、凸部１１Ａまわりで基
板本体１Ａを真空吸引する真空吸引溝１１Ｂと、真空吸
引溝１１Ｂに真空圧を付与する真空供給路１１Ｃとを備
える。これにより、チャックステージ１１は基板本体１
Ａを真空吸着可能とする。
【００１８】クランプ１２は、チャックステージ１１上
の基板本体１Ａに高圧水を印加する高圧水噴射口１２Ａ
を備え、基板本体１Ａをチャックステージ１１に押圧保
持可能とする。
の基板本体１Ａに高圧水を印加する高圧水噴射口１２Ａ
を備え、基板本体１Ａをチャックステージ１１に押圧保
持可能とする。
【００１９】ダイヤモンド砥石１３は基板本体１Ａの外
周端面を面取り研削可能とし、ダイヤモンド砥石１４は
基板本体１Ａの内周端面を面取り研削可能とする。
周端面を面取り研削可能とし、ダイヤモンド砥石１４は
基板本体１Ａの内周端面を面取り研削可能とする。
【００２０】また、上記(3) のポリッシング工程にて用
いられる研磨装置３０について説明する（図４）。研磨
装置３０は、上研磨盤３１、下研磨盤３２、キャリア３
３を有して構成される。尚、上研磨盤３１、下研磨盤３
２の表面（基板本体と接する面）にはパッドが貼付けら
れている。
いられる研磨装置３０について説明する（図４）。研磨
装置３０は、上研磨盤３１、下研磨盤３２、キャリア３
３を有して構成される。尚、上研磨盤３１、下研磨盤３
２の表面（基板本体と接する面）にはパッドが貼付けら
れている。
【００２１】研磨装置３０において、下研磨盤３２は矢
印Ａ方向に回転する。また、下研磨盤３２の上方には、
矢印Ｂ方向に回転する太陽歯車３４と矢印Ｃ方向に回転
する内歯歯車３５とに噛み合って、公転しつつ自転する
遊星歯車状のキャリア３３が設けられていて、各キャリ
ア３３の複数のワーク保持孔３６に基板本体１Ａがセッ
トされる。また、下研磨盤３２及びキャリア３３の上方
には上研磨盤３１が設けられ、この上研磨盤３１は不図
示のエアシリンダにより昇降されるとともに、下降時に
は矢印Ｄ方向に回転するロータ３７に係合して同方向に
回転する。そして、上研磨盤３１と下研磨盤３２の間に
は、不図示のスラリー供給パイプにより、砥粒を含んだ
スラリーが供給される。
印Ａ方向に回転する。また、下研磨盤３２の上方には、
矢印Ｂ方向に回転する太陽歯車３４と矢印Ｃ方向に回転
する内歯歯車３５とに噛み合って、公転しつつ自転する
遊星歯車状のキャリア３３が設けられていて、各キャリ
ア３３の複数のワーク保持孔３６に基板本体１Ａがセッ
トされる。また、下研磨盤３２及びキャリア３３の上方
には上研磨盤３１が設けられ、この上研磨盤３１は不図
示のエアシリンダにより昇降されるとともに、下降時に
は矢印Ｄ方向に回転するロータ３７に係合して同方向に
回転する。そして、上研磨盤３１と下研磨盤３２の間に
は、不図示のスラリー供給パイプにより、砥粒を含んだ
スラリーが供給される。
【００２２】これにより、研磨装置３０では、上研磨盤
３１を下降させることにより、キャリア３３に保持され
た基板本体１Ａが上研磨盤３１と下研磨盤３２とに挟ま
れて、砥粒の介在下で上下両面を研磨される。
３１を下降させることにより、キャリア３３に保持され
た基板本体１Ａが上研磨盤３１と下研磨盤３２とに挟ま
れて、砥粒の介在下で上下両面を研磨される。
【００２３】更に、ＧＣ基板１にあっては、上述の基板
本体１Ａに例えば下記〜の成膜を施され、最後に下
記のバーニッシュ工程を施されて製品となる（図
２）。 Ｔｉ層形成工程 基板本体１Ａの上にＴｉ層１Ｂを形成する。
本体１Ａに例えば下記〜の成膜を施され、最後に下
記のバーニッシュ工程を施されて製品となる（図
２）。 Ｔｉ層形成工程 基板本体１Ａの上にＴｉ層１Ｂを形成する。
【００２４】テクスチャー工程 Ｔｉ層１Ｂの上にＡｌ−Ｓｉ凹凸層１Ｃ（テクスチャー
層）を形成し、表面を適度に粗面化する。
層）を形成し、表面を適度に粗面化する。
【００２５】カーボン層形成工程 テクスチャー層１Ｃの上にカーボン層１Ｄを形成する。
【００２６】下地層形成工程 カーボン層１Ｄの上にＴｉ下地層１Ｅ、Ｃｒ下地層１Ｆ
を順に形成する。
を順に形成する。
【００２７】磁性層形成工程 Ｃｒ下地層１Ｆの上に磁性層（記録層）１Ｇを形成す
る。
る。
【００２８】保護層形成工程 磁性層１Ｇの上にカーボン保護層１Ｈを形成する。
【００２９】潤滑層形成工程 保護層１Ｈの上に潤滑層１Ｉを形成する。
【００３０】バーニッシュ工程 表面の異常突起を除去する。
【００３１】然るに、本発明者は、ＧＣ基板１におい
て、基板本体１Ａの内外周端面にチャンファ加工された
面取部分２、３と、その上に形成された成膜層１Ｂ〜１
Ｉとの間で生じ易い膜剥れの防止について、下記(A) 〜
(C) の知見を得た。 (A) 基板本体１Ａの面取部分２、３の加工粗さ 研磨装置３０によるポリッシング工程において、基板本
体１Ａの上下両面は、上下の研磨盤３１、３２と砥粒を
介して接することにて十分研磨され、鏡面を付与され
る。また基板本体１Ａの外周面（上下の面取部分２の間
の真直円筒面）は、キャリア３３と砥粒を介して接する
ことにて十分研磨され、鏡面を付与される。ところが、
基板本体１Ａの面取部分２、３は、上下の研磨盤３１、
３２もしくはキャリア３３のいずれとも接しないため、
十分に研磨されず、粗さが大きめになる。
て、基板本体１Ａの内外周端面にチャンファ加工された
面取部分２、３と、その上に形成された成膜層１Ｂ〜１
Ｉとの間で生じ易い膜剥れの防止について、下記(A) 〜
(C) の知見を得た。 (A) 基板本体１Ａの面取部分２、３の加工粗さ 研磨装置３０によるポリッシング工程において、基板本
体１Ａの上下両面は、上下の研磨盤３１、３２と砥粒を
介して接することにて十分研磨され、鏡面を付与され
る。また基板本体１Ａの外周面（上下の面取部分２の間
の真直円筒面）は、キャリア３３と砥粒を介して接する
ことにて十分研磨され、鏡面を付与される。ところが、
基板本体１Ａの面取部分２、３は、上下の研磨盤３１、
３２もしくはキャリア３３のいずれとも接しないため、
十分に研磨されず、粗さが大きめになる。
【００３２】(B) 粗さと膜剥れの関係 基板本体１Ａの面取部分２、３の表面粗さが0.20μm 以
上の如くに大きいと、その上に形成される成膜層１Ｂ〜
１Ｉ等の膜の密着が悪く、膜剥れを生じ易い。また、基
板本体１Ａの加工工程で面取部分２、３の表面粗さの谷
に入り込む有機物（洗剤等）が、その谷の深さが大きい
（粗さ大）場合には多量に残存し、結果としてこの汚損
部分の上に形成される成膜層１Ｂ〜１Ｉ等の膜の密着が
悪くなり、膜剥れを生じ易い。
上の如くに大きいと、その上に形成される成膜層１Ｂ〜
１Ｉ等の膜の密着が悪く、膜剥れを生じ易い。また、基
板本体１Ａの加工工程で面取部分２、３の表面粗さの谷
に入り込む有機物（洗剤等）が、その谷の深さが大きい
（粗さ大）場合には多量に残存し、結果としてこの汚損
部分の上に形成される成膜層１Ｂ〜１Ｉ等の膜の密着が
悪くなり、膜剥れを生じ易い。
【００３３】(C) 基板本体１Ａの材質と膜剥れの関係 基板本体１ＡがＧＣ基板１におけるような脆性材料から
なる場合には、チャンファ加工装置１０の砥石１３、１
４としてダイヤモンド砥石を用いるが、従来の面取部分
２、３の表面粗さは0.4 μm 以上の如くに粗い。このた
め、(A) と相まって、基板本体１Ａの面取部分２、３の
粗さが格別大きめになり易く、上記(B)による膜剥れを
顕著に生じ易い。
なる場合には、チャンファ加工装置１０の砥石１３、１
４としてダイヤモンド砥石を用いるが、従来の面取部分
２、３の表面粗さは0.4 μm 以上の如くに粗い。このた
め、(A) と相まって、基板本体１Ａの面取部分２、３の
粗さが格別大きめになり易く、上記(B)による膜剥れを
顕著に生じ易い。
【００３４】そこで、本発明にあっては、基板本体１Ａ
の面取部分２、３の表面粗さＲａを0.20μm 未満とする
ことにより、面取部分２、３の上に形成される成膜層１
Ｂ〜１Ｉの膜の密着を良くし、膜剥れの発生を回避可能
としたものである。また、このことは、ＧＣ基板１やガ
ラス基板等の脆性材料からなる基板において顕著な効果
を示すのである。
の面取部分２、３の表面粗さＲａを0.20μm 未満とする
ことにより、面取部分２、３の上に形成される成膜層１
Ｂ〜１Ｉの膜の密着を良くし、膜剥れの発生を回避可能
としたものである。また、このことは、ＧＣ基板１やガ
ラス基板等の脆性材料からなる基板において顕著な効果
を示すのである。
【００３５】
（実施例１）（表１） Ａｌ基板、硬質ガラス基板、アモルファスカーボン基板
のそれぞれを下記(1)、(2) により製造し、下記(3) の
膜剥れテストを実施した。 (1) 基板本体の加工 基板本体に前述したラッピング加工、チャンファ加工、
ポリッシング加工を施した。このとき、基板本体のチャ
ンファ加工後、研磨テープによる研磨処理で内外周端面
の面取部分の粗さを、0.05μm 、0.10μm 、0.15μm 、
0.20μm 、0.5μm のそれぞれに調整した。
のそれぞれを下記(1)、(2) により製造し、下記(3) の
膜剥れテストを実施した。 (1) 基板本体の加工 基板本体に前述したラッピング加工、チャンファ加工、
ポリッシング加工を施した。このとき、基板本体のチャ
ンファ加工後、研磨テープによる研磨処理で内外周端面
の面取部分の粗さを、0.05μm 、0.10μm 、0.15μm 、
0.20μm 、0.5μm のそれぞれに調整した。
【００３６】尚、粗さの測定方法は以下の通りとした。 触針式粗さ計（ＴＥＮＣＯＲ社製、型式Ｐ２） 触針径：０．６μｍ（針曲率半径） 触針押し付け圧力：７ｍｇ 測定長：２５０μｍ×８箇所 トレース速度：２．５μｍ／秒 カットオフ：１．２５μｍ（ローパスフィルタ）
【００３７】(2) 基板本体への成膜（図５） Ａｒガス圧 2mTorr 条件下ＤＣマグネトロンスパッタ
リングにより厚さ20nm、平均表面粗さ9.2 オングストロ
ームのＡｌ−10wt％Ｓｉ合金テクスチャー層を設けた。
リングにより厚さ20nm、平均表面粗さ9.2 オングストロ
ームのＡｌ−10wt％Ｓｉ合金テクスチャー層を設けた。
【００３８】次いで、Ａｒガス圧 2mTorr 、基板加熱
温度250 ℃の条件でＤＣマグネトロンスパッタリングに
より厚さ25nmのアモルファスカーボンからなる第１の下
地層を設けた。
温度250 ℃の条件でＤＣマグネトロンスパッタリングに
より厚さ25nmのアモルファスカーボンからなる第１の下
地層を設けた。
【００３９】更に、基板加熱温度を180 ℃としてＡｒ
ガス圧10mTorr 下で厚さ50nmのＴｉからなる第２の下地
層、25〜50nmのＣｒよりなる第３の下地層、その上に厚
さ15〜35nmのＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ層（磁性層）を連続
して成膜した。
ガス圧10mTorr 下で厚さ50nmのＴｉからなる第２の下地
層、25〜50nmのＣｒよりなる第３の下地層、その上に厚
さ15〜35nmのＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ層（磁性層）を連続
して成膜した。
【００４０】次いで、上記ディスク基板をインライン
型スパッタ装置のチャンバー内に配置し、該チャンバー
内を真空にした後にＡｒ（分圧1.6mTorr) 及び酸素（分
圧0.4mTorr）を導入し、黒鉛をターゲットとしてスパッ
タリングを行ない、磁性層上に15nmの保護層を設けた。
型スパッタ装置のチャンバー内に配置し、該チャンバー
内を真空にした後にＡｒ（分圧1.6mTorr) 及び酸素（分
圧0.4mTorr）を導入し、黒鉛をターゲットとしてスパッ
タリングを行ない、磁性層上に15nmの保護層を設けた。
【００４１】最後にバーニッシュ後、上記保護層上に
潤滑剤を厚さ 2nmになるように浸漬、塗布した。
潤滑剤を厚さ 2nmになるように浸漬、塗布した。
【００４２】(3) 膜剥れテスト（テープ試験法） 成膜ディスクを80℃、湿度85％で 2週間放置した後にこ
れを取り出し、10mm×10mmに切断したセロテープ（ニチ
バン株式会社製「セロテープ」（登録商標））を張り付
ける。このとき、張り付けた部分に気泡が入らないよう
にした。その後に垂直方向に素早く引き上げて、膜の剥
離面積を測定した。評価基準は以下の通りとした。 ○：全く剥離しなかった。 △：剥離面積が張り付けた面積の 0％より大きく、50％
未満 ×：剥離面積が50％以上
れを取り出し、10mm×10mmに切断したセロテープ（ニチ
バン株式会社製「セロテープ」（登録商標））を張り付
ける。このとき、張り付けた部分に気泡が入らないよう
にした。その後に垂直方向に素早く引き上げて、膜の剥
離面積を測定した。評価基準は以下の通りとした。 ○：全く剥離しなかった。 △：剥離面積が張り付けた面積の 0％より大きく、50％
未満 ×：剥離面積が50％以上
【００４３】各基板の膜剥れテスト結果は表１の通りで
あり、Ａｌ基板、硬質ガラス基板、アモルファスカーボ
ン基板のいずれにおいても、本発明の効果を認めた。
あり、Ａｌ基板、硬質ガラス基板、アモルファスカーボ
ン基板のいずれにおいても、本発明の効果を認めた。
【００４４】
【表１】
【００４５】尚、本発明の効果は、基板本体上に設けら
れる膜の構成、組成に関わらず得られる。
れる膜の構成、組成に関わらず得られる。
【００４６】また、本発明の実施において、基板本体の
端面部は、(1) ラッピング工程、(2) 固定砥粒研削工
程、(3) チャンファ加工工程、(4) 仕上げポリッシング
工程（省略可）にて加工されるもの、(1) 固定砥石研削
工程、(2) チャンファ加工工程、(3) ラッピング工程、
(4) ポリッシング工程、或いは(1) チャンファ加工工
程、(2) ラッピング工程、(3) ポリッシング工程にて加
工されるものであっても良い。
端面部は、(1) ラッピング工程、(2) 固定砥粒研削工
程、(3) チャンファ加工工程、(4) 仕上げポリッシング
工程（省略可）にて加工されるもの、(1) 固定砥石研削
工程、(2) チャンファ加工工程、(3) ラッピング工程、
(4) ポリッシング工程、或いは(1) チャンファ加工工
程、(2) ラッピング工程、(3) ポリッシング工程にて加
工されるものであっても良い。
【００４７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板本体
上に形成された膜の耐久性を向上することができる。
上に形成された膜の耐久性を向上することができる。
【図１】図１は基板を示す模式図である。
【図２】図２は基板の膜構成を示す模式図である。
【図３】図３はチャンファ加工装置を示す模式図であ
る。
る。
【図４】図４は研磨装置を示す模式図である。
【図５】図５は本発明の実施例に係る基板の膜構成を示
す模式図である。
す模式図である。
１ 基板 １Ａ 基板本体 ２、３ 面取部分
Claims (3)
- 【請求項１】 内外周端面を面取加工されてなる記録媒
体用基板において、 面取部分の表面粗さＲａが0.20μm 未満であることを特
徴とする記録媒体用基板。 - 【請求項２】 前記基板が脆性材料からなる基板である
請求項１記載の記録媒体用基板。 - 【請求項３】 前記基板がカーボン基板である請求項２
記載の記録媒体用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7278258A JPH09102120A (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | 記録媒体用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7278258A JPH09102120A (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | 記録媒体用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09102120A true JPH09102120A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=17594837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7278258A Withdrawn JPH09102120A (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | 記録媒体用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09102120A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11349354A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-21 | Nikon Corp | 情報記録媒体用基板及びその製造方法 |
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1995
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